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SIMULAZIONI

 SPICE  DI  
AMPLIFICATORI  DI  POTENZA  

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L19 - 1


Simulazione di un Amplificatore in Classe A
Il  primo  circuito  che  andremo  a  simulare  con  SwitcherCAD  è  il  più  semplice  circuito  Amplificatore  
di   Potenza   Classe   A   cos9tuito   dal   transistore   bipolare   con   capacità   di   blocco   e   resistenze   di  
polarizzazione.    
 
Una   tale   configurazione   ha   un   buon   guadagno   ma   scarsa   efficienza   dal   momento   che   il   disposi9vo  
conduce  per  tuAo  il  periodo  del  segnale  d’ingresso.  
 
 
 
 
 

FIGURA  1:  CIRCUITO  AMPLIFICATORE  DI  POTENZA  CLASSE  A.  


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Come risultato della simulazione, effettuata alla frequenza di 5Khz, mostriamo
l’andamento della corrente sul collettore del transistore che è puramente
sinusoidale ed isofrequenziale al segnale d’ingresso.

FIGURA  2:  CORRENTE  DI  COLLETTORE  DI  Q1.

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La risposta in frequenza di questo amplificatore è piatta per un ampio intervallo di
frequenze e con un elevato guadagno in dB.

FIGURA  3:  RISPOSTA  IN  FREQUENZA  AMPLIFICATORE  CLASSE  A.

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Sollecitiamo il circuito con un segnale di ingresso di ampiezza Vp = 10 mV e
frequenza f = 5 kHz. Se alimentiamo il circuito con 12 V e lo colleghiamo a valle ad
una resistenza di carico di 50 Ω, si ottiene il seguente valore per l’efficienza:

PL 175mW
η= = ≅ 24%
Pdc 724mW

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Simulazione di un Amplificatore in Classe B

L’Amplificatore   in   Classe   B   simulato   è   cos9tuito  


da  due  transistori  bipolari  complementari  (npn  e  
pnp)  monta9  in  configurazione  push-­‐pull.    
 
Ogni   transistore   conduce   soltanto   per   metà  
periodo  del  segnale  d’ingresso  e  la  sua  corrente  è  
cos9tuita  da  impulsi  di  forma  sinusoidale.  
 
 
 
 
 

FIGURA  4:  CIRCUITO  AMPLIFICATORE  DI  POTENZA  IN  CLASSE  B.

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Come risultato della simulazione, effettuata a alla frequenza di 1Khz, confrontiamo
le forma d’onda della corrente dei due transistori e della corrente totale che fluisce
nel carico al fine di mettere in evidenza un problema di questo amplificatore.

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FIGURA  5:  CORRENTE  DI  EMETTITORE  DI  Q1  E  CORRENTE  DI  COLLETTORE  DI  Q2.

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Come si può vedere la corrente sul carico non è perfettamente sinusoidale ma ci
sono dei problemi nei passaggi per lo zero, dovuti al fatto che i transistori entrano in
conduzione solo dopo che la tensione al loro ingresso supera la tensione di soglia;
quindi prima che questa venga raggiunta c’è un piccolo intervallo di tempo in cui
rimangono interdetti.

FIGURA  6:  CORRENTE  NEL  CARICO.

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Sollecitiamo il circuito con un segnale di ingresso di ampiezza Vp = 4 V e frequenza
f = 1 kHz. Se alimentiamo il circuito con 10 V e lo colleghiamo a valle ad una
resistenza di carico di 50 Ω, si ottiene il seguente valore per l’efficienza:

PL 87 mW
η= = ≅ 55%
Pdc 158mW

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Simulazione di un Amplificatore in Classe AB
Una  configurazione  in  Classe  AB  è  in  grado  di  risolvere  il  problema  appena  citato  mediante  l’uso  di  
diodi  come  mostrato  nello  schema  circuitale.  
 
 
 
 
 

CIRCUITO  AMPLIFICATORE  IN  CLASSE  AB.


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La tensione ai capi del diodo fa in modo da tenere sempre in conduzione il
dispositivo, col risultato che la corrente sul carico è di nuovo perfettamente
sinusoidale. Come contro in ogni dispositivo circolerà una certa corrente di
quiescenza che farà aumentare la potenza dissipata.

FIGURA  8:  TENSIONE  SUL  CARICO.

Sollecitiamo il circuito con un segnale di ingresso di ampiezza Vp = 4 V e frequenza


f = 1 kHz. Se alimentiamo il circuito con 20 V e lo colleghiamo a valle ad una
resistenza di carico di 50 Ω, si ottiene il seguente valore per l’efficienza:
PL 143mW
η= = ≅ 32%
Pdc 448mW
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Simulazioni di Amplificatori in Classe C
Gli   Amplificatori   in   Classe   C   presentano   un   circuito   accordato   alla   frequenza   fondamentale   in  
uscita.   Tale   circuito   fa   in   modo   che   le   forme   d’onda   sul   carico   siano   sinusoidali   in   quanto   elimina   i  
contenu9  armonici  a  frequenze  superiori  alla  fondamentale.  
 
Il   primo   amplificatore   simulato   presenta   una   rete   di   polarizzazione   a   clamper,   individuata   dal  
condensatore   C1   e   dal   diodo   base-­‐emeNtore   del   BJT.   Questa   configurazione   ha   lo   scopo   di   ridurre  
il   tempo   in   cui   il   transistore   si   trova   in   zona   aNva,   limitando   il   tempo   in   cui   la   tensione   alla  
giunzione  base-­‐emeNtore  assume  valore  superiore  alla  tensione  di  soglia  del  disposi9vo.  
 
 
 
 
 

FIGURA  9:  CIRCUITO  AMPLIFICATORE  CLASSE  C  CON  POLARIZZAZIONE  A  CLAMPER.


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Nel caso in cui la resistenza R1 sia nulla, il condensatore si carica ad una tensione
continua data dal picco di Vi diminuita della tensione di soglia del diodo; a regime,
quindi, ritroviamo sulla giunzione base-emettitore il segnale Vi traslato verso il
basso e con un picco positivo agganciato a circa 0,5 V.

In presenza di R1, la capacità C1 si scarica più o meno rapidamente a seconda del


valore della resistenza. Il picco positivo di vbe viene, quindi, agganciato ad un valore
maggiore di 0,5 V. Questo porta periodicamente il transistore in conduzione in
quanto deve ricaricare la capacità C1 che si scarica attraverso R1 e ciò avviene in
prossimità del picco positivo di Vi.

FIGURA  10:  TENSIONE  VBE  DEL  TRANSISTORE.

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Al diminuire di R1, C1 si scarica più rapidamente ed aumentano: il tempo di
conduzione del BJT, il picco della corrente di base ed il picco della tensione vbe.
Quindi per un corretto funzionamento del clamper, bisogna progettare il circuito in
modo che la costante di tempo sia molto più grande del periodo del segnale in
ingresso.

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Confrontando la forma d’onda di vbe (in nero) e della tensione in ingresso (in rosso)
mostrate in Figura si vede che queste hanno la stessa forma ed i valori di picco
delle due tensioni vengono raggiunti nello stesso istante. Nei brevi intervalli di
tempo in cui vbe supera la tensione di soglia, il BJT entra in conduzione e circola
corrente dissipando potenza.

 
CONFRONTO  VBE  (NERO)  –VI  (ROSSO).

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Analizzando la corrente al collettore si vede che è formata da impulsi di ampiezza
100 mA mentre la durata è pari al tempo di conduzione del transistore. Inoltre la
frequenza è la stessa del segnale d’ingresso, scelta nella simulazione pari ad 1 Khz.

CORRENTE  DI  COLLETTORE  DEL  BJT.

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Come detto in precedenza la durata degli impulsi è fortemente condizionata dalla
capacità del clamper in quanto a parità di resistenza, una capacità più grande
richiede un tempo maggiore di carica e quindi un periodo di conduzione del BJT
maggiore.

Visualizziamo un ingrandimento del grafico e per valori differenti della capacità C1


(10 µF, 100 µF, 1 mF) in modo da poter valutare le diverse durate degli impulsi.

FIGURA  13:  CORRENTE  DI  COLLETTORE  DEL  BJT  –  C1  =  10MICROF.

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CORRENTE  DI  COLLETTORE  DEL  BJT  CON        1)  C1  =  100MICROF,  2)  C1  =  1MILLIF.
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Il secondo Amplificatore Classe C simulato è un po’ più complesso rispetto al
primo, non solo per quanto riguarda le reti di ingresso e di uscita ma perché per il
transistore è stato utilizzato un modello più accurato, che tiene conto dei suoi
parametri parassiti.

 
CIRCUITO  AMPLIFICATORE  CLASSE  C  MRF873.

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Si fa infatti riferimento al transistore bipolare di potenza Motorola MRF873, il cui
modello Spice è riportato in seguito.

MODELLO  TRANSISTORE  BIPOLARE  MOTOROLA  MRF873.

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Nel circuito, simulato alla frequenza di 870 Mhz, RG è l’impedenza del generatore di
50 Ω. C1, C2 ed L1 sono le capacità e l’induttanza utilizzate per l’adattamento in
ingresso. LBB e RQB portano il segnale dc a massa. L2, C5 e C6 sono l’induttanza e
le capacità utilizzate per l’adattamento in uscita. Cc ed Lc costituiscono il circuito di
uscita accordato alla frequenza fondamentale. La resistenza di carico RL è di 50 Ω.

 
CONFRONTO  TENSIONE  VBE  (NERO)  –  VCE  (ROSSO)  MRF873.

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E’ possibile vedere come tensione e corrente sul collettore siano sfasate in modo
tale che i massimi dell’una e dell’altra non si sovrappongano nel tempo e quindi il
transistore dissipi minore potenza aumentando l’efficienza.

 
CONFRONTO  IC  (NERO)  -­‐  VCE  (ROSSO).

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Il circuito risonante in uscita accordato alla frequenza fondamentale fa in modo da
eliminare le armoniche di ordine superiore e fornire una corrente di carico che è
puramente sinusoidale.

 
TENSIONE  SUL  CARICO.

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Nel caso in cui si variano i parametri di tale circuito accordato cambia la sua
frequenza di risonanza. Se rimane invariata la frequenza del segnale in ingresso e
si cambia, ad esempio, il valore della capacità del circuito accordato è possibile
vedere come il segnale in uscita sia fortemente attenuato rispetto al caso
precedente.

TENSIONE  SUL  CARICO  -­‐  VALORE  CAPACITÀ  ERRATO.  

Sollecitiamo il circuito con un segnale di ingresso di ampiezza Vp = 35 V e


frequenza f = 870 MHz. Se alimentiamo il circuito con 12,5 V e lo colleghiamo a
valle ad una resistenza di carico di 50 Ω, si ottiene il seguente valore per
l’efficienza:
PL 17.2W
η= = ≅ 81%
Pdc 21.3W
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Simulazione di un Amplificatore in Classe E
Negli  Amplificatori  in  Classe  E  il  disposi9vo  aNvo  è  considerato  come  un  interruAore  che  è  pilotato  
in   maniera   tale   da   alternare   il   suo   stato   tra   on   e   off.   Ne   risulta   che   la   tensione   di   colleAore   è  
determinata   dall’interruAore   quando   conduce   e   dal   transitorio   sulla   rete   di   carico   quando   il  
transistore  è  interdeAo.    
   
Il  circuito  dell’amplificatore  è  mostrato  in  Fig.  21  ed  è  cos9tuito  da  un  induAore  di  polarizzazione  
sul   colleAore   da   40   μH.   L’induAore   serie   Ls   e   la   capacità   Cs   cos9tuiscono   il   circuito   risonante   in  
uscita.  Il  circuito  formato  da  Ll  e  da  Cl  è,  invece,  una  trappola  per  la  seconda  armonica.  In  aggiunta,  
funge  da  rete  di  adaAamento  in  uscita  per  la  resistenza  di  carico.  
 
 
 
 
 

CIRCUITO  AMPLIFICATORE  CLASSE  E  IRF7201.


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Nel caso ideale un Amplificatore di questo tipo funziona in modo tale che i
massimi di corrente e tensione al drain del transistore non si sovrappongano mai
al fine di ottenere un’elevatissima efficienza. Tuttavia l’aver impiegato un
transistore “reale” farà in modo che ci sia una parziale sovrapposizione come è
possibile vedere dai risultati della simulazione, effettuata a 13.56 Mhz.

 
CONFRONTO  CORRENTE  DRAIN  (NERO)  -­‐  TENSIONE  DRAIN  (ROSSO).

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Possiamo vedere come il circuito accordato in uscita e la trappola per le
armoniche di ordine superiore facciano in modo da avere al carico una tensione
che è sinusoidale.

 
TENSIONE  SUL  CARICO.

Tali accorgimenti concorrono anche nell’ottenere una bassa distorsione, infatti si


ottiene un THD dello 0.73%.

Sollecitiamo il circuito con un segnale di ingresso di ampiezza Vp = 10 V e


frequenza f = 13,56 MHz. Se alimentiamo il circuito con 100 V e lo colleghiamo a
valle ad una resistenza di carico di 50 Ω, si ottiene il seguente valore per
l’efficienza:
PL 131W
η= = ≅ 93%
Pdc 140W
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ESEMPI  PRATICI  DI  
APPLICAZIONE  

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WLAN
Questo   Amplificatore   di   Potenza   WLAN   dual-­‐band   è   in   grado   di   funzionare   alla   frequenze   2,4   Ghz  
e   5,2   Ghz   secondo   gli   standard   IEEE   802.11b/g/a.   Ha   un   basso   consumo   di   potenza   ed   elevata  
efficienza,  funziona  a  larga  banda  ed  ha  un  guadagno  piaAo  di  oltre  20  dB  tra  2,2  Ghz  e  5,5  Ghz.      
 
L’Amplificatore   è   formato   da   due   stadi   in   cui   sono   presen9   due   transistori   di   potenza   di   diverse  
dimensioni.  Sono  presen9,  inoltre,  circui9  di  pre-­‐adaAamento  e  di  inter-­‐adaAamento  tra  gli  stadi,  
circui9  di  polarizzazione  della  base  ed  un  ingresso  RF  a  banda  larga.  Per  avere  elevata  efficienza  il  
circuito  funziona  in  Classe  AB.  
 
 
 
 
 

 
SCHEMA  A  BLOCCHI  DELL'AMPLIFICATORE  DI  POTENZA  WLAN.

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Il   circuito   è   stato   realizzato   da   WINs   Corp   con   processo   integrato   bipolare   ad   eterogiunzione  
(InGaP/GaAs  –  Fosfuro  di  Indio  e  Gallio/Arseniuro  di  Gallio).    
   
La   tecnologia   bipolare   ad   eterogiunzione   (HBT)   viene   impiegata   nelle   applicazioni   ad   alta  
frequenza   ed   elevate   prestazioni.   HBT   realizza9   in   InGaP/GaAs   traggono   beneficio   da   un   materiale  
ad  elevato  bandgap  nello  strato  di  emeNtore,  in  par9colare  alla  giunzione  base-­‐emeNtore.    
 
Un  alto  drogaggio  di  base  fa  in  modo  che  l’HBT  in  GaAs  abbia  un  elevato  guadagno  di  corrente,  una  
rela9vamente  bassa  resistenza  di  base  ed  un’elevata  Tensione  di  Early.    
 
L’elevato  drogaggio  di  base  fa  in  modo  che  questa  regione  sia  molto  streAa.  Ciò  ha  due  importan9  
effeN:  il  tempo  di  transito  in  base  è  corto,  il  faAore  di  trasporto  in  base  αT  è  molto  elevato  che,  
rispeNvamente,   consentono   di   poter   lavorare   ad   elevate   frequenze   e   di   avere   un   guadagno  
elevato  di  corrente.  
 
 
 
 
 

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SCHEMA  CIRCUITALE  DELL'AMPLIFICATORE  DI  POTENZA  WLAN.  

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GRAFICO  DI  GUADAGNO,  POTENZA  D’USCITA  E  PAE  IN  FUNZIONE  DELLA  POTENZA  IN  INGRESSO  A  2.45  GHZ.

GRAFICO  DI  GUADAGNO,  POTENZA  D’USCITA  E  PAE  IN  FUNZIONE  DELLA  POTENZA  IN  INGRESSO  A  5.20  GHZ.
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VHF Radio
 
Le   comunicazioni   verbali   tra   gli   aeromobili   e   le   stazioni   di   terra   sono   assicurate   da   sistemi   rice-­‐
trasmiAen9  operan9  a  varie  frequenze,  dipenden9  dagli  usi  e  sopraAuAo  dalle  distanze.    
 
Il   sistema   di   trasmissione   analizzato   opera   nel   range   di   frequenze   150.000-­‐173.975   Mhz   in  
modalità   FM.   Tale   sistema   è   anche   molto   u9lizzato   nel   campo   marino,   sopraAuAo   per   la   ricerca   di  
natan9  dispersi.  
   
L’esempio  riportato  fa  riferimento  al  rice-­‐trasmeNtore  RT-­‐9600  costruito  da  Wulfsberg  Electronics.    
   
 
 
 
 
 

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Amplificatore  di  Potenza    
 Tale  Amplificatore  è  cos9tuito  da  uno  stadio  di  pilotaggio,  formato  dal  transistore  Q8,  e  da  uno  
stadio  di  potenza,  I4.  Lo  stadio  di  pilotaggio  riceve  un  segnale  RF  di  50-­‐100  mW,  mentre  lo  stadio  in  
Classe  AB  è  faAo  in  modo  che  la  corrente  di  funzionamento  sia  regolata  dal  resistore  di  emeNtore  
R64.    
 
L’alimentazione  dc  è  fornita  dall’RF  choke  di  colleAore  L21  e  dal  circuito  di  disaccoppiamento  faAo  
dall’induAore  L20  e  dalle  capacità  C81,  C85.    
 
L’uscita  del  circuito  di  pilotaggio,  che  ha  una  potenza  di  0,5-­‐1.0  W,  viene  accoppiata  nella  rete  di  
inter-­‐adaAamento,  formata  dai  resistori  R65,  R66,  R67,  mediante  la  capacità  C83.    
 
L’Amplificatore  di  Potenza  I4  è  pilotato  da  circa  200  mW  e  produce  un’uscita  di  1  o  10  W  in  base  
alla  tensione  imposta  ad  un  certo  circuito  di  controllo  del  guadagno.  La  tensione  di  controllo  del  
guadagno  è  applicata  ad  I4  aAraverso  la  rete  di  disaccoppiamento  RF  formata  dall’induAore  L22  e  
dalle  capacità  C87,  C88.    
 
L’alimentazione  dc  di  14  V  è  applicata  mediante  l’induAore  L23  e  le  capacità  C87,  C89  e  C90.    
 
L’uscita  RF  è  filtrata  da  un  filtro  passa-­‐basso  cos9tuito  dagli  induAori  L24,  L25,  L26  e  dalle  capcità  
da  C94  a  C100.    
 
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Elettronica
14  V

 
PARTE  1  DELLO  SCHEMA  CIRCUITALE  DELL’AMPLIFICATORE  DI  POTENZA  DELLA  RT-­‐9600.  

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14  V

 
PARTE  2  DELLO  SCHEMA  CIRCUITALE  DELL’AMPLIFICATORE  DI  POTENZA  DELLA  RT-­‐9600.  

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