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El tt i Digitale

Elettronica
Di it l
Corso di Laurea triennale in
Ingegneria dellInformazione
A.A. 2014/2015

Il transistor MOSFET

Andrea Cester, Elettronica Digitale - Laurea in Ingegneria dell'Informazione

Sommario
Struttura di un MOSFET
Principio di funzionamento (semplificato)
Caratteristica tensione-corrente
T i
Tensione
di soglia
li

Effetti di canale corto e di alti campi elettrici


Modulazione della lunghezza di canale
Saturazione della velocit

Il MOS come interruttore: resistenza equivalente


Capacit parassite del MOSFET
Modello semplificato delle capacit
Modello semplificato RC di un MOS
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Struttura di un MOSFET
Sezione

Vista dallalto

GATE
SOURCE

DRAIN

Andrea Cester, Elettronica Digitale - Laurea in Ingegneria dell'Informazione

Simbolo circuitale
S
D
G

D
G

MOSFET a canale n
o nMOS

tipo n+

tipo n+
tipo p

S
B
S

D
G

D
G

MOSFET a canale p
o pMOS

tipo p+

tipo p+
tipo n

S
B

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FUNZIONAMENTO DEL MOSFET:


MODELLO A CANALE LUNGO
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Funzionamento: sottosoglia o cut-off


Esempio MOSFET a canale n

VDS

VGS=0V
0V

p+-Si
Si

n+-Si
Si

D
n+-Si
Si

p-Si
Regione di carica spaziale

IDS = 0 indipendentemente da VDS

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Funzionamento: sottosoglia o cut-off


Esempio MOSFET a canale n
VGS
- +

0V < VGS < VT

p+-Si
Si

n+-Si
Si

VDS

D
n+-Si
Si

p-Si
Regione di carica spaziale aumenta di spessore
(drogante ionizzato, no portatori liberi)

IDS = 0 indipendentemente da VDS

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Funzionamento: zona lineare


Esempio MOSFET a canale n
VGS
- +

VGS > VT

p+-Si
Si

n+-Si
Si

VDS < VGS - VT

VDS

n+-Si
Si
p-Si

Si forma un canale di elettroni liberi

V 2
W
I DS = kn (VGS VT )VDS DS
L
2

Regione di carica spaziale raggiunge


lestensione massima

kn = nCOX

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= mobilit dei portatori


COX = capacit dellossido di gate
per unit di area (=R0/t
/ OX)
8

Funzionamento: saturazione
Esempio MOSFET a canale n
VGS
- +

VGS > VT

p+-Si
Si

n+-Si
Si

VDS

D
n+-Si
Si

VDS > VGS - VT

p-Si

Canale di portatori liberi

Regione di carica spaziale

Il canale strozzato al drain


(pinch-off)

1 W
2
I DS = I DSAT = kn (VGS VT )
2
L

La corrente di drain satura al valore massimo:

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Funzionamento: relazione tensione corrente


600

VGS =2.5V

IDS [A]

500

Lineare

Saturazione

400

VDS = VGS - VT

300

VGS =2.0V
2.0V

200

VGS =1.5V

100

VGS =1.0V

0.5

I DS

1.5
VDS [V]

Esempio: nMOS con VT=0.6V

2.5

1 W
I DS = kn VDS 2
2
L

Modello del MOSFET a canale lungo


(valido se L molto grande >1m)

VGS < VT
0

W
V 2
= kn (VGS VT )VDS DS VGS > VT e VDS < VGS VT
2
L
1 W
kn (VGS VT )2
VGS > VT e VDS > VGS VT
L
2

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cut off
lineare
saturazione
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Effetto body: tensione source-substrato


La tensione di soglia dipende dal potenziale del substrato rispetto al source!
VDS
- +
VGS
- +

VSB
- +

p+-Si

n+-Si

D
n+-Si

p-Si
Tensione di soglia:

VT = VT 0 +

VSB + 2F

2F

VT0 = tensione di soglia con VSB = 0

e F sono parametri che dipendono dal drogaggio e dalla capacit dellossido di gate
Questo ffenomeno non visibile
Q
i ibil dei
d i MOSFET di
discretii perch
h il source e il
substrato sono cortocircuitati internamente
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Effetto body: tensione source-substrato


Tensione di soglia:

VT = VT 0 +

VSB + 2F

2F

2qN
N A Si
Cox

F =

kT N A
ln
q
ni

0.9
0.85
0.8
0.75

VT [V]

0.7
0.65
0.6
0.55
0.5
0 45
0.45
0.4
0

0.5

1.5

2.5

VSB [V]

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Connessione dei substrati


Le giunzioni source-substarto
source substarto e drain-substrato
drain substrato sono diodi:
DEVONO ESSERE SEMPRE IN POLARIZZAZIONE INVERSA

p+-Si

n+-Si

D
n+-Si

nMOS

VB VS < 0 sempre
VB VD < 0 sempre
VB < VS, VD qualunque sia VS e VD
VB deve essere la tensione
pi bassa del circuito!

p-Si

Il substrato degli nMOS deve essere connesso al potenziale di massa!

pMOS

n+-Si
Si

p+-Si
Si

D
p+-Si
Si

n-Si

VS VB < 0 sempre
VD VB < 0 sempre
VB > VS, VD qualunque
l
sia
i VS e VD
VB deve essere la tensione
pi alta del circuito!

Il substrato dei pMOS deve essere connesso al potenziale VDD!


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NON IDEALIT DEL MOSFET:


MODELLO A CANALE CORTO
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1) Modulazione della lunghezza di canale


VDS = VGS - VT

VGS

VGD = VT

D
Il punto
t di pinch-off
i h ff all drain
d i

VDS > VGS - VT

VGS

VGD < VT

D
Il punto
t di pinch-off
i h ff sii
allontana dal drain
x

Equivale a ridurre la
lunghezza di canale da L a L

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1) Modulazione della lunghezza di canale


1 W
2
I DS = I DSAT = kn (VGS VT )
2
L

Modulazione della
lunghezza di canale

I DS ~

1 W
2
kn
(VGS VT )
2 L'

L ' L (1 VDS )

1
W
1 W
2
2
I DS kn
(VGS VT ) kn (VGS VT ) (1 + VDS )
2 L (1 VDS )
2
L

IDS

I DSAT (1 + VDS )
I DSAT = costante

VDS

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2) Saturazione della velocit


Velocit dei portatori in funziona del campo elettrico
v [cm/s]
vSAT

v = E Relazione ideale campo elettrico - velocit


~107 cm/s
v = f(E) Relazione reale campo elettrico - velocit

EC = ~1.5V/m

E [V/cm]
Qual leffetto sulla relazione I-V ?

EMEDIO = VDS/L
IDS

L = 10m VDS = ECL = 15V


VDS = ECL = 1.5V
L = 1m
L = 0.25m VDS = ECL = 0.375V

VDS
Saturazione prematura della corrente

VDSAT

VGS-VT

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2) Saturazione della velocit


IDS

VGS = VGS2 (alta)

VGS = VGS1 (bassa)


VGS1-VT VDSAT

VGS2-VT

VDS

VGS VT bassa la corrente di saturazione quella prevista dal modello a canale lungo
VGS VT alta la corrente di saturazione inferiore a q
quella p
prevista dal modello a canale lungo
g

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Modello a canale corto


Modello del MOSFET a canale corto
(valido se L molto piccolo, <1m)
IDS
VDS = VGS-VT

VDS = VDSAT
VDSAT = VGS - VT
VDS

VDSAT

I DS

VGS-VT

VGS < VT
0

=
2
k W V V V VMIN 1 + V
(
)
T
MIN
n DS ) VGS > VT
GS
(
n
2
L

VMIN = min (VDS ,VDSAT ,VGS VT )

VT = VT 0 +

cut off
VMIN = VDS lineare
VMIN = VDSAT saturazione di velocit
VMIN = VGS - VT saturazione
t
i

VSB + 2F

2F

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Modello semplificato vs modello SPICE

2.5

x 10

-4

VDS=VDSAT
2

Velocity
Saturated

ID (A)

1.5

Linear
1

VDSAT=VGT
0.5

VDS=VGT
0

0.5

Saturated
1

1.5

2.5

VDS (V)

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Corrente di saturazione

IDSAT

Canale lungo
(quadratico)
I DSAT

1 W
2

kn
VGS VT < VDSAT
(VGS VT )

2
L
=
kn W VDSAT VGS VT VDSAT VGS VT > VDSAT
L
2

Canale corto
(lineare)
0

05
0.5

15
1.5

25
2.5

VGS = VDS [V]

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Transistor pMOS
Modello del MOSFET a canale corto
IDS

Adottiamo:

VDS = VGS-VT

Tensione di soglia VT < 0


Tensione di saturazione VDSAT< 0
Tensioni VGS e VDS < 0

VDS = VDSAT

k p = pCOX > 0

>0
p < 0

VDS

I DS

VGS > VT
0

=
2
k W V V V VMIN 1 + V
(
)
p
GS
T
MIN
p DS ) VGS < VT

2
L

VMIN = min ( VDS , VDSAT , VGS VT

VT = VT 0

VBS + 2F

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cut off
VMIN = VDS lineare
VMIN = VDSAT saturazione di velocit
VMIN = VGS - VT saturazione
2F

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Modello del MOSFET a canale corto (nMOS vs pMOS)


G

substrato a 0V
S

IDS

substrato a VDD

k p = pCOX > 0

kn = nCOX > 0

p < 0
p >0

n > 0
n > 0

se VGS > VTn

I DS = 0

se VGS > VTp


T

OFF
ON
V 2
MIN (1 + nVDS )
2

W
I DS = kn n (VGS VTn )VMIN
Ln
VMIN = min (VDS ,VDSATn ,VGS VTn )
VTn = VTn 0 + n

Tensione di soglia VTp < 0


Tensione di saturazione VDSATp < 0

Tensione di soglia: VTn


T >0
Tensione di saturazione VDSATn > 0

se VGS < VTn

IDS

VSB + 2Fn

2Fn

I DS = 0

se VGS < VTp


I DS

OFF
ON

Wp
VMIN 2
= k p
(VGS VTp )VMIN
(1 + pVDS )
Lp
2

VMIN = min VDS , VDSATp , VGS VTp

VTp = VTp 0 p

(V

BS

+ 2Fp

2Fp

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)
23

IL MOSFET COME INTERRUTTORE:


RESISTENZA EQUIVALENTE
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24

Il MOSFET come interruttore


Nelle applicazioni digitali il MOSFET usato come
interruttore ON/OFF

VGS

+
VGS > VTn

Rn

VGS

VGS < VTp

+
S

Rp

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25

Il MOSFET come interruttore


Esempio: Applicazione tipica di un nMOS
0V
OFF
S

VDD
ON
S

Rn =

Rn
S

VDS

V 2
W
kn (VGS VT )VMIN MIN (1 + nVDS )
L
2

Resistenza non lineare!!!

VMIN = min (VDS ,VDSAT ,VGS VT )


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Il MOSFET come interruttore


Esempio: Applicazione tipica di un nMOS
V

Usiamo valore medio


IDS

VDS
2 DD
Rn =
dVDS

VDD VDD / 2 I DS (VGS = VDD ,VDS )

VGS = VDD

VDD/2

Rn =

3 VDD
4 I DSAT

1 VDD
9

VDS

VDD

I DSAT

1 W
2

kn
VDD VT < VDSAT
(VDD VT )

2
L
=
kn W VDSAT VDD VT VDSAT VDD VT > VDSAT
2

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27

Resistenza equivalente del MOSFET (nMOS vs pMOS)


G

Rn

Rp

S
S

VGS = VDD
Rn =

I DSATn =

D
D

D
3 VDD 7

1 nVDD
4 I DSATn 9

VGS = VDD
Rp =

n > 0

1 Wn
2
kn
(VDD VTn ) se VDD VTn < VDSAT
2
Ln

W
V

I DSATn = kn n VDSAT VDD VTn DSATn altrimenti


Ln
2

S
3 VDD 7

1 + pVDD
4 I DSATp 9

p < 0

2
1 W
I DSATp = k p p ( VDD VTp ) se VDD VTp > VDSATp
2
Lp

I DSATp = k p

Wp

VDSATp VDD VTp DSATp altrimenti


Lp
2

Parametri tipici per una tecnologia da 0.25m (VDD = 2.5V):


VT0n = 0.43V
VT0p = -0.4V

= 0.4

|2F| = 0.7

VDSATn = 0.63V

kn = 115A/V2

n = 0.06 V-1

VDSATp = -1V

kp = 30A/V2

p = -0.1 V-1

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28

Fattore di forma e resistenza equivalente


Ipotesi: zona di saturazione di velocit (condizione tipica)
W
V

I DSATn = kn n VDSAT VDD VTn DSATn


Ln
2

I DSATp = k p

Wp

VDSATp

VDSATp VDD VTp

Lp
2

Definiamo:
VDSATpp

I DSATp 0 = k pVDSATp VDD VTp

I DSATn 0 = knVDSAT VDD VTn DSATn


2

(corrente di saturazione per W=L)


Zn =

Wn
Ln

Zp =

I DSATn = Z n I DSATn 0

Rn =

1 3 VDD 7
Rn 0
1 nVDD =
Z n 4 I DSATn 0 9
Zn

I DSATp = Z p I DSATp 0

Rp =

1 3 VDD 7
Rp0
1 + pVDD =
Z p 4 I DSATp 0 9
Zp

Wp
Lp

= fattore di forma

La resistenza equivalente del


MOSFET inversamente
proporzionale al fattore di forma

n > p kn > kp IDSATn0 > IDSATP0 Rn0 < Rp0

Rn0 = 13k
Rp0 = 29k

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29

CAPACIT PARASSITE IN UN MOS

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Capacit parassite di un MOSFET


gate

Cgs0

Cgd0

Cgc

tOX

source

drain

Csb
xD

xD

LD

source

Cdb

substrato

gate

LD

drain

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31

Giunzioni source(drain) - substrato


Area della giunzione = W*LD
Capacit per unit di area: Cj0
Csb = C j 0 LDW + C jsw0 (W + 2 LD )
Cdb = C j 0 LDW + C jsw0 (W + 2 LD )

xj
W

LD

LD

Lato con il canale non


viene considerato

Perimetro della giunzione (3lati) = W + 2*LD


(side wall)
C
Capacit
i per unit
i di llunghezza:
h
Cjsw0
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32

Capacit di sovrapposizione gate-source e gate-drain

Csw W

tOX

Cox xDW =

0 ox
tox

xDW

xD
CGS 0 = Csw W +
CGD 0 = Csw W +

0 ox

xDW = Csw + 0 ox xD W = CGS 0 W


tox

0 ox

xDW = Csw + 0 ox xD W = CGD 0 W


tox

tox

tox

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33

Capacit gate-canale
OFF

lineare

saturazione

VDS = 0V

ch
gd

VGS = VDD

Cch

CoxWL

1
CoxWL
2

CoxWL

Cch

C gsch

1
CoxWL
2

ch
gs

ch
C gd

C gb
0V

VT

VGS

VDD

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2
CoxWL
3

0V
VDS

VGS VT

34

Capacit gate-canale
OFF

lineare

saturazione

ch
C gb
= Cch = CoxWL

1
1
C gsch = Cch = CoxWL
2
2

2
Cgsch = Cch = CoxWL
3

1
1
ch
C gd
= Cch = CoxWL
2
2

ch
C gd
=0

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35

Capacit in cut-off
G

Cgs

Cgd
Cgb

Csb

Cdb
B

C gs = CGS 0 W

Cgd = CGD0 W
Cgb = Cox LW
Csb = C j 0 LDW + C jsw0 (W + 2 LD ) = ( C j 0 LD + C jsw0 )W + C jsw 0 2 LD
Cdb = C j 0 LDW + C jsw0 (W + 2 LD ) = ( C j 0 LD + C jsw0 )W + C jsw0 2 LD
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36

Capacit in lineare
G

Cgs

Cgd
Cgb

Csb

Cdb
B

1
1

C gs = CGS 0 W + CoxWL = CGS 0 + Cox L W


2
2

1
1

C gd = CGD0 W + CoxWL = CGD0 + Cox L W


2
2

Cgb = 0
Csb = ( C j 0 LD + C jsw0 )W + C jsw0 2 LD
Cdb = ( C j 0 LD + C jsw0 )W + C jsw0 2 LD
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37

Capacit in saturazione
G

Cgs

Cgd
Cgb

Csb

Cdb
B

2
2

Cgs = CGS 0 W + CoxWL = CGS 0 + Cox L W


3
3

Cgd = CGD0 W
Cgb = 0
Csb = ( C j 0 LD + C jsw0 )W + C jsw0 2 LD
Cdb = ( C j 0 LD + C jsw0 )W + C jsw0 2 LD
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38

Semplificazione delle capacit


gate-source e gate-drain
Cgs = Cgs 0 W
Cgd = Cgd 0 W

CGS0 e CGD0 = valori medi

source-subtrato e drain-substrato
Csb = ( C j 0 LD + C jsw0 )W + C jsw0 2 LD

Csb Csb 0W

Cdb = ( C j 0 LD + C jsw0 )W + C jsw0 2 LD

se

Cdb Cdb 0W

C jsw 0 2 LD << ( C j 0 LD + C jsw 0 )W

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39

Capacit totali dei tre terminali


G

CG
S

CS

CD

CG = Cgs + Cgbb + C gdd = ( C gs 0 + C gdd 0 )W = C g 0W


CS = Cgs + Csb = ( Cgs 0 + Csb 0 )W = Cs 0W
CD = C gd + Cdb = ( Cgd 0 + Cdb 0 )W = Cd 0W

Tutte le capacit sono riferite a massa (substrato dellnMOS)


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40

Modello semplificato RC
CGD
Rn
G

D
CDB
CGS

G
S
S

CSB

D
Rn
G

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CG

D
CD

41