2 Transistor

El tt i Digitale
Elettronica
Di it l
Corso di Laurea triennale in
Ingegneria dellInformazione
A.A. 2014/2015
Il transistor MOSFET
Andrea Cester, Elettronica Digitale - Laurea in Ingegneria dell'Informazione
Sommario
Struttura di un MOSFET
Principio di funzionamento (semplificato)
Caratteristica tensione-corrente
T i
Tensione
di soglia
li
Effetti di canale corto e di alti campi elettrici

Modulazione della lunghezza di canale
Saturazione della velocit
Il MOS come interruttore: resistenza equivalente

Capacit parassite del MOSFET
Modello semplificato delle capacit
Modello semplificato RC di un MOS
Struttura di un MOSFET
Sezione
Vista dallalto
GATE
SOURCE
DRAIN
Simbolo circuitale
S
D
G
D
G
MOSFET a canale n
o nMOS
tipo n+
tipo n+
tipo p
S
B
S
D
G
D
G
MOSFET a canale p
o pMOS
tipo p+
tipo p+
tipo n
S
B
FUNZIONAMENTO DEL MOSFET:

MODELLO A CANALE LUNGO
Funzionamento: sottosoglia o cut-off

Esempio MOSFET a canale n
VDS
VGS=0V
0V
p+-Si
Si
n+-Si
Si
D
n+-Si
Si
p-Si
Regione di carica spaziale
IDS = 0 indipendentemente da VDS
Funzionamento: sottosoglia o cut-off

VGS
- +
0V < VGS < VT
p+-Si
Si
n+-Si
Si
VDS
D
n+-Si
Si
p-Si
Regione di carica spaziale aumenta di spessore
(drogante ionizzato, no portatori liberi)
IDS = 0 indipendentemente da VDS
Funzionamento: zona lineare

VGS
- +
VGS > VT
p+-Si
Si
n+-Si
Si
VDS < VGS - VT
VDS
n+-Si
Si
p-Si
Si forma un canale di elettroni liberi
V 2
W
I DS = kn (VGS VT )VDS DS
L
2
Regione di carica spaziale raggiunge

lestensione massima
kn = nCOX
= mobilit dei portatori

COX = capacit dellossido di gate
per unit di area (=R0/t
/ OX)
8
Funzionamento: saturazione
VGS
- +
VGS > VT
p+-Si
Si
n+-Si
Si
VDS
D
n+-Si
Si
VDS > VGS - VT
p-Si
Canale di portatori liberi
Regione di carica spaziale
Il canale strozzato al drain

(pinch-off)
1 W
2
I DS = I DSAT = kn (VGS VT )
2
L
La corrente di drain satura al valore massimo:
Funzionamento: relazione tensione corrente

600
VGS =2.5V
IDS [A]
500
Lineare
Saturazione
400
VDS = VGS - VT
300
VGS =2.0V
2.0V
200
VGS =1.5V
100
VGS =1.0V
0.5
I DS
1.5
VDS [V]
Esempio: nMOS con VT=0.6V
2.5
1 W
I DS = kn VDS 2
2
L
Modello del MOSFET a canale lungo

(valido se L molto grande >1m)
VGS < VT
0
W
V 2
= kn (VGS VT )VDS DS VGS > VT e VDS < VGS VT
2
L
1 W
kn (VGS VT )2
VGS > VT e VDS > VGS VT
L
2
cut off
lineare
saturazione
10
Effetto body: tensione source-substrato

La tensione di soglia dipende dal potenziale del substrato rispetto al source!
VDS
- +
VGS
- +
VSB
- +
p+-Si
n+-Si
D
n+-Si
p-Si
Tensione di soglia:
VT = VT 0 +
VSB + 2F
2F
VT0 = tensione di soglia con VSB = 0
e F sono parametri che dipendono dal drogaggio e dalla capacit dellossido di gate
Questo ffenomeno non visibile
Q
i ibil dei
d i MOSFET di
discretii perch
h il source e il
substrato sono cortocircuitati internamente
11
Effetto body: tensione source-substrato

Tensione di soglia:
VT = VT 0 +
VSB + 2F
2F
2qN
N A Si
Cox
F =
kT N A
ln
q
ni
0.9
0.85
0.8
0.75
VT [V]
0.7
0.65
0.6
0.55
0.5
0 45
0.45
0.4
0
0.5
1.5
2.5
VSB [V]
12
Connessione dei substrati

Le giunzioni source-substarto
source substarto e drain-substrato
drain substrato sono diodi:
DEVONO ESSERE SEMPRE IN POLARIZZAZIONE INVERSA
p+-Si
n+-Si
D
n+-Si
nMOS
VB VS < 0 sempre
VB VD < 0 sempre
VB < VS, VD qualunque sia VS e VD
VB deve essere la tensione
pi bassa del circuito!
p-Si
Il substrato degli nMOS deve essere connesso al potenziale di massa!
pMOS
n+-Si
Si
p+-Si
Si
D
p+-Si
Si
n-Si
VS VB < 0 sempre
VD VB < 0 sempre
VB > VS, VD qualunque
l
sia
i VS e VD
VB deve essere la tensione
pi alta del circuito!
Il substrato dei pMOS deve essere connesso al potenziale VDD!

13
NON IDEALIT DEL MOSFET:

MODELLO A CANALE CORTO
14
1) Modulazione della lunghezza di canale

VDS = VGS - VT
VGS
VGD = VT
D
Il punto
t di pinch-off
i h ff all drain
d i
VDS > VGS - VT
VGS
VGD < VT
D
Il punto
t di pinch-off
i h ff sii
allontana dal drain
x
Equivale a ridurre la
lunghezza di canale da L a L
15
1) Modulazione della lunghezza di canale

1 W
2
I DS = I DSAT = kn (VGS VT )
2
L
Modulazione della
lunghezza di canale
I DS ~
1 W
2
kn
(VGS VT )
2 L'
L ' L (1 VDS )
1
W
1 W
2
2
I DS kn
(VGS VT ) kn (VGS VT ) (1 + VDS )
2 L (1 VDS )
2
L
IDS
I DSAT (1 + VDS )
I DSAT = costante
VDS
16
2) Saturazione della velocit

Velocit dei portatori in funziona del campo elettrico
v [cm/s]
vSAT
v = E Relazione ideale campo elettrico - velocit

~107 cm/s
v = f(E) Relazione reale campo elettrico - velocit
EC = ~1.5V/m
E [V/cm]
Qual leffetto sulla relazione I-V ?
EMEDIO = VDS/L
IDS
L = 10m VDS = ECL = 15V

VDS = ECL = 1.5V
L = 1m
L = 0.25m VDS = ECL = 0.375V
VDS
Saturazione prematura della corrente
VDSAT
VGS-VT
17
2) Saturazione della velocit

IDS
VGS = VGS2 (alta)
VGS = VGS1 (bassa)

VGS1-VT VDSAT
VGS2-VT
VDS
VGS VT bassa la corrente di saturazione quella prevista dal modello a canale lungo
VGS VT alta la corrente di saturazione inferiore a q
quella p
prevista dal modello a canale lungo
g
18
Modello a canale corto

Modello del MOSFET a canale corto
(valido se L molto piccolo, <1m)
IDS
VDS = VGS-VT
VDS = VDSAT
VDSAT = VGS - VT
VDS
VDSAT
I DS
VGS-VT
VGS < VT
0
=
2
k W V V V VMIN 1 + V
(
)
T
MIN
n DS ) VGS > VT
GS
(
n
2
L
VMIN = min (VDS ,VDSAT ,VGS VT )
VT = VT 0 +
cut off
VMIN = VDS lineare
VMIN = VDSAT saturazione di velocit
VMIN = VGS - VT saturazione
t
i
VSB + 2F
2F
19
Modello semplificato vs modello SPICE
2.5
x 10
-4
VDS=VDSAT
2
Velocity
Saturated
ID (A)
1.5
Linear
1
VDSAT=VGT
0.5
VDS=VGT
0
0.5
Saturated
1
1.5
2.5
VDS (V)
20
Corrente di saturazione
IDSAT
Canale lungo
(quadratico)
I DSAT
1 W
2
kn
VGS VT < VDSAT
(VGS VT )
2
L
=
kn W VDSAT VGS VT VDSAT VGS VT > VDSAT
L
2
Canale corto
(lineare)
0
05
0.5
15
1.5
25
2.5
VGS = VDS [V]
21
Transistor pMOS
Modello del MOSFET a canale corto
IDS
Adottiamo:
VDS = VGS-VT
Tensione di soglia VT < 0

Tensione di saturazione VDSAT< 0
Tensioni VGS e VDS < 0
VDS = VDSAT
k p = pCOX > 0
>0
p < 0
VDS
I DS
VGS > VT
0
=
2
k W V V V VMIN 1 + V
(
)
p
GS
T
MIN
p DS ) VGS < VT
2
L
VMIN = min ( VDS , VDSAT , VGS VT
VT = VT 0
VBS + 2F
cut off
VMIN = VDS lineare
VMIN = VDSAT saturazione di velocit
VMIN = VGS - VT saturazione
2F
22
Modello del MOSFET a canale corto (nMOS vs pMOS)

G
substrato a 0V
S
IDS
substrato a VDD
k p = pCOX > 0
kn = nCOX > 0
p < 0
p >0
n > 0
n > 0
se VGS > VTn
I DS = 0
se VGS > VTp

T
OFF
ON
V 2
MIN (1 + nVDS )
2
W
I DS = kn n (VGS VTn )VMIN
Ln
VMIN = min (VDS ,VDSATn ,VGS VTn )
VTn = VTn 0 + n
Tensione di soglia VTp < 0

Tensione di saturazione VDSATp < 0
Tensione di soglia: VTn

T >0
Tensione di saturazione VDSATn > 0
se VGS < VTn
IDS
VSB + 2Fn
2Fn
I DS = 0
se VGS < VTp

I DS
OFF
ON
Wp
VMIN 2
= k p
(VGS VTp )VMIN
(1 + pVDS )
Lp
2
VMIN = min VDS , VDSATp , VGS VTp
VTp = VTp 0 p
(V
BS
+ 2Fp
2Fp
)
23
IL MOSFET COME INTERRUTTORE:

RESISTENZA EQUIVALENTE
24
Il MOSFET come interruttore

Nelle applicazioni digitali il MOSFET usato come
interruttore ON/OFF
VGS
+
VGS > VTn
Rn
VGS
VGS < VTp
+
S
Rp
25

Esempio: Applicazione tipica di un nMOS
0V
OFF
S
VDD
ON
S
Rn =
Rn
S
VDS
V 2
W
kn (VGS VT )VMIN MIN (1 + nVDS )
L
2
Resistenza non lineare!!!
VMIN = min (VDS ,VDSAT ,VGS VT )

26

Esempio: Applicazione tipica di un nMOS
V
Usiamo valore medio

IDS
VDS
2 DD
Rn =
dVDS
VDD VDD / 2 I DS (VGS = VDD ,VDS )
VGS = VDD
VDD/2
Rn =
3 VDD
4 I DSAT
1 VDD
9
VDS
VDD
I DSAT
1 W
2
kn
VDD VT < VDSAT
(VDD VT )
2
L
=
kn W VDSAT VDD VT VDSAT VDD VT > VDSAT
2
27
Resistenza equivalente del MOSFET (nMOS vs pMOS)

G
Rn
Rp
S
S
VGS = VDD
Rn =
I DSATn =
D
D
D
3 VDD 7
1 nVDD
4 I DSATn 9
VGS = VDD
Rp =
n > 0
1 Wn
2
kn
(VDD VTn ) se VDD VTn < VDSAT
2
Ln
W
V
I DSATn = kn n VDSAT VDD VTn DSATn altrimenti

Ln
2
S
3 VDD 7
1 + pVDD
4 I DSATp 9
p < 0
2
1 W
I DSATp = k p p ( VDD VTp ) se VDD VTp > VDSATp
2
Lp
I DSATp = k p
Wp
VDSATp VDD VTp DSATp altrimenti

Lp
2
Parametri tipici per una tecnologia da 0.25m (VDD = 2.5V):

VT0n = 0.43V
VT0p = -0.4V
= 0.4
|2F| = 0.7
VDSATn = 0.63V
kn = 115A/V2
n = 0.06 V-1
VDSATp = -1V
kp = 30A/V2
p = -0.1 V-1
28
Fattore di forma e resistenza equivalente

Ipotesi: zona di saturazione di velocit (condizione tipica)
W
V
I DSATn = kn n VDSAT VDD VTn DSATn

Ln
2
I DSATp = k p
Wp
VDSATp
VDSATp VDD VTp
Lp
2
Definiamo:
VDSATpp
I DSATp 0 = k pVDSATp VDD VTp
I DSATn 0 = knVDSAT VDD VTn DSATn

2
(corrente di saturazione per W=L)

Zn =
Wn
Ln
Zp =
I DSATn = Z n I DSATn 0
Rn =
1 3 VDD 7
Rn 0
1 nVDD =
Z n 4 I DSATn 0 9
Zn
I DSATp = Z p I DSATp 0
Rp =
1 3 VDD 7
Rp0
1 + pVDD =
Z p 4 I DSATp 0 9
Zp
Wp
Lp
= fattore di forma
La resistenza equivalente del

MOSFET inversamente
proporzionale al fattore di forma
n > p kn > kp IDSATn0 > IDSATP0 Rn0 < Rp0
Rn0 = 13k
Rp0 = 29k
29
CAPACIT PARASSITE IN UN MOS
30
Capacit parassite di un MOSFET

gate
Cgs0
Cgd0
Cgc
tOX
source
drain
Csb
xD
xD
LD
source
Cdb
substrato
gate
LD
drain
31
Giunzioni source(drain) - substrato

Area della giunzione = W*LD
Capacit per unit di area: Cj0
Csb = C j 0 LDW + C jsw0 (W + 2 LD )
Cdb = C j 0 LDW + C jsw0 (W + 2 LD )
xj
W
LD
LD
Lato con il canale non

viene considerato
Perimetro della giunzione (3lati) = W + 2*LD

(side wall)
C
Capacit
i per unit
i di llunghezza:
h
Cjsw0
32
Capacit di sovrapposizione gate-source e gate-drain
Csw W
tOX
Cox xDW =
0 ox
tox
xDW
xD
CGS 0 = Csw W +
CGD 0 = Csw W +
0 ox
xDW = Csw + 0 ox xD W = CGS 0 W

tox
0 ox
xDW = Csw + 0 ox xD W = CGD 0 W

tox
tox
tox
33
Capacit gate-canale
OFF
lineare
saturazione
VDS = 0V
ch
gd
VGS = VDD
Cch
CoxWL
1
CoxWL
2
CoxWL
Cch
C gsch
1
CoxWL
2
ch
gs
ch
C gd
C gb
0V
VT
VGS
VDD
2
CoxWL
3
0V
VDS
VGS VT
34
Capacit gate-canale
OFF
lineare
saturazione
ch
C gb
= Cch = CoxWL
1
1
C gsch = Cch = CoxWL
2
2
2
Cgsch = Cch = CoxWL
3
1
1
ch
C gd
= Cch = CoxWL
2
2
ch
C gd
=0
35
Capacit in cut-off
G
Cgs
Cgd
Cgb
Csb
Cdb
B
C gs = CGS 0 W
Cgd = CGD0 W
Cgb = Cox LW
Csb = C j 0 LDW + C jsw0 (W + 2 LD ) = ( C j 0 LD + C jsw0 )W + C jsw 0 2 LD
Cdb = C j 0 LDW + C jsw0 (W + 2 LD ) = ( C j 0 LD + C jsw0 )W + C jsw0 2 LD
36
Capacit in lineare
G
Cgs
Cgd
Cgb
Csb
Cdb
B
1
1
C gs = CGS 0 W + CoxWL = CGS 0 + Cox L W

2
2
1
1
C gd = CGD0 W + CoxWL = CGD0 + Cox L W

2
2
Cgb = 0
Csb = ( C j 0 LD + C jsw0 )W + C jsw0 2 LD
Cdb = ( C j 0 LD + C jsw0 )W + C jsw0 2 LD
37
Capacit in saturazione
G
Cgs
Cgd
Cgb
Csb
Cdb
B
2
2
Cgs = CGS 0 W + CoxWL = CGS 0 + Cox L W

3
3
Cgd = CGD0 W
Cgb = 0
38
Semplificazione delle capacit

gate-source e gate-drain
Cgs = Cgs 0 W
Cgd = Cgd 0 W
CGS0 e CGD0 = valori medi
source-subtrato e drain-substrato
Csb Csb 0W
se
Cdb Cdb 0W
C jsw 0 2 LD << ( C j 0 LD + C jsw 0 )W
39
Capacit totali dei tre terminali

G
CG
S
CS
CD
CG = Cgs + Cgbb + C gdd = ( C gs 0 + C gdd 0 )W = C g 0W

CS = Cgs + Csb = ( Cgs 0 + Csb 0 )W = Cs 0W
CD = C gd + Cdb = ( Cgd 0 + Cdb 0 )W = Cd 0W
Tutte le capacit sono riferite a massa (substrato dellnMOS)

40
Modello semplificato RC
CGD
Rn
G
D
CDB
CGS
G
S
S
CSB
D
Rn
G
CG
D
CD
41

2 Transistor

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El tt i Digitale

Andrea Cester, Elettronica Digitale - Laurea in Ingegneria dell'Informazione

Effetti di canale corto e di alti campi elettrici

Il MOS come interruttore: resistenza equivalente

Andrea Cester, Elettronica Digitale - Laurea in Ingegneria dell'Informazione

Andrea Cester, Elettronica Digitale - Laurea in Ingegneria dell'Informazione

FUNZIONAMENTO DEL MOSFET:

Funzionamento: sottosoglia o cut-off

IDS = 0 indipendentemente da VDS

Andrea Cester, Elettronica Digitale - Laurea in Ingegneria dell'Informazione

Funzionamento: sottosoglia o cut-off

0V < VGS < VT

IDS = 0 indipendentemente da VDS

Andrea Cester, Elettronica Digitale - Laurea in Ingegneria dell'Informazione

Funzionamento: zona lineare

VDS < VGS - VT

Si forma un canale di elettroni liberi

Regione di carica spaziale raggiunge

Andrea Cester, Elettronica Digitale - Laurea in Ingegneria dell'Informazione

= mobilit dei portatori

VDS > VGS - VT

Canale di portatori liberi

Regione di carica spaziale

Il canale strozzato al drain

La corrente di drain satura al valore massimo:

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Funzionamento: relazione tensione corrente

Esempio: nMOS con VT=0.6V

Modello del MOSFET a canale lungo

Andrea Cester, Elettronica Digitale - Laurea in Ingegneria dell'Informazione

Effetto body: tensione source-substrato

VT0 = tensione di soglia con VSB = 0

Effetto body: tensione source-substrato

Andrea Cester, Elettronica Digitale - Laurea in Ingegneria dell'Informazione

Connessione dei substrati

Il substrato degli nMOS deve essere connesso al potenziale di massa!

Il substrato dei pMOS deve essere connesso al potenziale VDD!

NON IDEALIT DEL MOSFET:

1) Modulazione della lunghezza di canale

VDS > VGS - VT

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1) Modulazione della lunghezza di canale

Andrea Cester, Elettronica Digitale - Laurea in Ingegneria dell'Informazione

2) Saturazione della velocit

v = E Relazione ideale campo elettrico - velocit

L = 10m VDS = ECL = 15V

Andrea Cester, Elettronica Digitale - Laurea in Ingegneria dell'Informazione

2) Saturazione della velocit

VGS = VGS2 (alta)

VGS = VGS1 (bassa)

Andrea Cester, Elettronica Digitale - Laurea in Ingegneria dell'Informazione

Modello a canale corto

VMIN = min (VDS ,VDSAT ,VGS VT )

Andrea Cester, Elettronica Digitale - Laurea in Ingegneria dell'Informazione

Modello semplificato vs modello SPICE

Andrea Cester, Elettronica Digitale - Laurea in Ingegneria dell'Informazione

VGS = VDS [V]

Andrea Cester, Elettronica Digitale - Laurea in Ingegneria dell'Informazione

Tensione di soglia VT < 0

VMIN = min ( VDS , VDSAT , VGS VT

Andrea Cester, Elettronica Digitale - Laurea in Ingegneria dell'Informazione

Modello del MOSFET a canale corto (nMOS vs pMOS)

se VGS > VTn