FORMULE UTILIZZABILI NELLE PROVE SCRITTE DI ELETTRONICA

1. Raddrizzatori a Diodi

Singola Semionda Doppia Semioonda

(𝑉𝑉𝑃𝑃 − 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜 ) 𝑇𝑇 (𝑉𝑉𝑃𝑃 − 2𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜 ) 𝑇𝑇

𝑉𝑉𝑟𝑟 ≅ ∙ 𝑉𝑉𝑟𝑟 ≅ ∙
𝑅𝑅 𝐶𝐶 𝑅𝑅 2𝐶𝐶
2𝑉𝑉𝑟𝑟 2𝑉𝑉𝑟𝑟
𝜃𝜃𝑐𝑐 = 𝜔𝜔∆𝑇𝑇 = � 𝜃𝜃𝑐𝑐 = 𝜔𝜔∆𝑇𝑇 = �
𝑉𝑉𝑃𝑃 𝑉𝑉𝑃𝑃
2𝑇𝑇 (𝑉𝑉𝑃𝑃 − 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜 ) 2𝑇𝑇 𝑇𝑇 (𝑉𝑉𝑃𝑃 − 2𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜 ) 𝑇𝑇
𝐼𝐼𝑃𝑃 = 𝐼𝐼𝐷𝐷𝐷𝐷 = ∙ 𝐼𝐼𝑃𝑃 = 𝐼𝐼𝐷𝐷𝐷𝐷 = ∙
∆𝑇𝑇 𝑅𝑅 ∆𝑇𝑇 ∆𝑇𝑇 𝑅𝑅 ∆𝑇𝑇
𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃 = 2 𝑉𝑉𝑃𝑃 − 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜 𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃𝑃 = 𝑉𝑉𝑃𝑃 − 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜

2. TRANSISTOR BIPOLARE (BJT)

1. Modello per grandi segnali: semplificazioni

NPN PNP

Zona attiva diretta

Condizioni: iB > 0 e vCE > VCEsat = 0.05 ÷ 0.3 V Condizioni: iB > 0 e vEC > VECsat = 0.05 ÷ 0.3 V
vBE = VBEon = 0.6 ÷ 0.8 V; iC = βF⋅iB; vEB = VEBon = 0.6 ÷ 0.8 V; iC = βF⋅iB;
iE = (βF+1)⋅iB iE = (βF+1)⋅iB
Zona di saturazione
Condizioni: iB > 0 e iC < βF⋅iB Condizioni: iB > 0 e iC < βF⋅iB
vBE = VBEsat ≅ VBEon ; vCE = VCEsat = 0.05 ÷ 0.3 V vEB = VEBsat ≅ VEBon ; vEC = VECsat = 0.05 ÷ 0.3 V
Zona di interdizione
Cond.: vBE < VBEon e vBC < VBCon = VBEon - VCEsat Cond.: vEB < VEBon e vCB < VCBon = VEBon - VECsat
iB ≅ 0; iC ≅ 0; iE ≅ 0; iB ≅ 0; iC ≅ 0; iE ≅ 0;

1.2 Modello equivalente ai piccoli segnali ac

Il modello equivalente del BJT pnp è identico a quello del BJT npn
2. TRANSISTOR A EFFETTO DI CAMPO METALLO-OSSIDO-SEMICONDUTTORE (MOSFET)

2.1 Modello per grandi segnali

iD iD iD iD

nMOSFET pMOSFET
W W
K n = µnCox K p = µ pCox
L L
Zona di saturazione
Condizioni: VGS > VTH e VDS > VGS -VTH Condizioni: VGS < VTH e VDS < VGS -VTH

ID =
Kn
(VGS − VTH )2 K
ID = p (VGS − VTH )
2
2 2
Zona triodo (impropriamente detta anche zona lineare)
Condizioni: VGS > VTH e VDS < VGS -VTH Condizioni: VGS < VTH e VDS > VGS -VTH

 V2   V2 
ID = K n (VGS − VTH ) ⋅VDS − DS  ID = K p (VGS − VTH ) ⋅VDS − DS 
 2   2 
Zona di interdizione
Condizioni: VGS < VTH Condizioni: VGS > VTH
ID ≅ 0 ID ≅ 0

2.2 Modello equivalente ai piccoli segnali ac

Il modello equivalente del pMOSFET è identico a quello del nMOSFET

nMOSFET pMOSFET
2 ⋅ ID 2 ⋅ ID
gm = = 2 ⋅ K n ⋅ ID = K n ⋅ (VGS − VTH ) gm = = 2 ⋅ K p ⋅ ID = K p ⋅ VGS − VTH
VGS − VTH VGS − VTH
1 1 + λ ⋅VDS 1 1 1 + λ ⋅ VDS 1
ro = = ≅ ro = = ≅
go λ ⋅ ID λ ⋅ ID go λ ⋅ ID λ ⋅ ID