FORMULARIO AD USO DEL CORSO:

DISPOSITIVI ELETTRONICI

1 Costanti e valori notevoli

- Carica dell’elettrone, q = 1,602 · 10−19 C
- Massa dell’elettrone libero, m0 = 9,11 · 10−31 Kg
- Permettività del vuoto, 0 = 8,854 · 10−14 F cm−1
- Costante dielettrica relativa del Si, S = 11,7 e del SiO2 , ox = 3,9
- Costante di Boltzmann, kB = 8,62 · 10−5 eV/K = 1,3807 · 10−23 J/K
- Costante di Planck, h = 6,625 · 10−34 J s = 4,135 · 10−15 eV s
- Concentrazione di elettroni liberi nel Si intrinseco a 300 K, ni = 1,45 · 1010 cm−3
- Energy gap Si a 300 K, EG = 1,12 eV, affinità elettrica Si a 300 K, qχ = 4,05 eV
- Densità efficace degli stati in banda di conduzione e valenza per il Si a 300 K,
Nc = 2,8 · 1019 cm−3 e Nv = 1,04 · 1019 cm−3

2 Proprietà elettriche dei materiali

 E−EF
−1
- Funzione di Fermi-Dirac, f (E) = 1 + e kB T

- Densità degli
√ stati in banda di conduzione e di valenza
4π ∗ 32
N (E) = γn E − Ec , con γn = h3 (2mn )
√ 3
N (E) = γp Ev − E, con γp = 4π h3
(2m∗p ) 2
- Densità dei portatori liberi, nell’approssimazione di Boltzmann
Ec −EF
−
n ≈ Nc e kB T
E −E
− F v
p ≈ Nv e kB T
- Leggi di Shockley,
EF −EF i
n ≈ ni e kB T
EF i −EF
p ≈ ni e kB T
- Densità efficace degli stati in banda di conduzione e valenza in funzione della
temperatura,
Nc,v ∝ T 3/2 ,

1
 - Densità di elettroni liberi in un semiconduttore intrinseco in funzione della temperatura,
Eg
−k
n2i ∝ T 3 e BT

- Legge dell’azione di massa

n p = n2i

3 Trasporto
- Correnti di trascinamento
In,tr = qAnµn E = Aσn E, Ip,tr = qApµp E = Aσp E

- Correnti di diffusione
∂p
In,diff = qADn ∂n
∂x
, Ip,diff = −qADp ∂x , dove Dn = µn kBqT e Dp = µp kBqT

- Tasso netto di ricombinazione, nell’approssimazione di tempo di vita medio,

Un = Rn − Gn ≈ n−n τn
0
, Up = Rp − Gp ≈ p−p
τp
0

- Equazione di continuità,
∂n 1 ∂Jn ∂p 1 ∂Jp
= − Un , =− − Up
∂t q ∂x ∂t q ∂x
- Equazione di Poisson,
∂ 2φ ρ ∂φ
2
=− , = −E
∂x  ∂x
- Densità di carica elettrica
nel semiconduttore,
ρ = q p − n + ND+ − NA−

- Lunghezze
√ di diffusione,
p
Ln = Dn τn , Lp = Dp τp ,
dove τn e τp sono i tempi di vita medi dei portatori.

4 Tecnologia
q 
A t+τ
- Legge di crescita dell’ossido, x(t) = 2
1+ A2 /4B
−1
 
- Profilo di drogaggio a funzione complementare di errore, C(x,t) = Cs erfc √x
2 Dt
 2
x−Rp
− 12
- Profilo di drogaggio gaussiano, C(x) = √ S e ∆Rp
,
2π∆Rp
con S dose impiantata.

2
5 Giunzione pn
- Legge della giunzione
V V
kB T
np (−xp ) = np0 (−xp )e VT , pn (xn ) = pn0 (xn )e VT , con VT = q

- Corrente inversa di saturazione, in assenza di G&R nella regione di svuotamento

n2 n2
Is = qA NAi Dlnn + qA NDi Dlpp dove ln,p = Ln,p se Wp,n  Ln,p (diodo lungo) e ln,p = Wp,n
se Wp,n  Ln,p (diodo corto); Wn e Wp sono le lunghezze dei lati n e p della
giunzione.

- Potenziale di contatto di una giunzione pn brusca,

Vbi = φ(xn ) − φ(−xp ) = qN
2
xp + qN
A 2
2
D 2
xn

- Ampiezza della r
regione di svuotamento per una giunzione pn brusca,
 
xd = xn + xp = 2q N1A + N1D (Vbi − V )

- Capacità
qdi svuotamento di una giunzione brusca,
Cs = A 2(VqN eq
bi −V )
, con Neq = NA ND / (NA + ND )

- Capacità didiffusione,
n2
Cd = qA VTi NLnA + NLDp eV /VT

- Parametri del modello di piccolo segnale,

I0 +Is
– conduttanza, gd0 = VT
q
– capacità di svuotamento, Cs0 = A 2(VqN eq
bi −V0 )
 
n2
– capacità di diffusione, Cd0 = qA VTi NLnA + NLDp eV0 /VT

6 Transistore MOS
- Tensione di sogliapdel sistema MOS
p (canale

n)
Vth = Vth0 + γB 2φp − VB − 2φp , dove
p
Vth0 = VFB + 2φp + γB 2φp ,
qVFB =√ qΦM − qΦS ,
γB = 2qN
Cox
A
,
qφp = EF i − EF = qVT ln NnAi

- Tensione di soglia√del sistema MOS

√
(canale p)
Vth = Vth0 − γB 2φn √+ VB − 2φn , dove
Vth0 = VFB − 2φn − γB 2φn ,

3
 √
γB = 2qN
Cox
D
,
qφn = EF − EF i = qVT ln NnDi
- Corrente drain-source (canale n)

IDS = µn Cox W
L
VGS − Vth − 12 VDS VDS , in regione quadratica
IDS = 12 µn Cox W
L
(VGS − Vth )2 [1 + λ (VDS − VDSS )], in regione di saturazione (con
VDSS = VGS − Vth ).
- Parametri del modello di piccolo segnale (in regione di saturazione),
q
– transconduttanza, gm = L µn Cox (VGS0 − VT ) = 2 W
W
µ C I
L n ox D0

– conduttanza di uscita, go = W
µ C(VGS0 − VT )2 λ ≈ λID0
2L n ox
γB gm
– transconduttanza di body, gmb = p
2 2φp − VBS0

7 Transistore bipolare
- Efficienza di emettitore, nel caso xE  LpE ,
 −1
NB xB DpE
γ = 1 + NE xE DnB
(xE e xB sono le lunghezze di emettitore e base, diminuite delle ampiezze delle
regioni svuotate)
- Fattore di trasporto,
x2
αT = 1 − 2L2B
nB

- Guadagni di corrente,
  
 IC  αF  IC 
αF = γαT =  , βF =
  =  
IE 1 − αF IB
- Parametri del modello di piccolo segnale a π,
β0 VT
– resistenza di ingresso, rπ = IC0
IC0
– transconduttanza, gm = VT

– resistenza di uscita, r0 = IVC0

A

dove β0 è il guadagno di corrente per piccolo segnale, VA è la tensione di Early.

- Parametri del modello di piccolo segnale a parametri ibridi,
– resistenza di ingresso, hie = rπ
– guadagno di corrente, hf e = β0
– resistenza di uscita, hoe = 1/r0