Q-SW ML Tipi 15 16

Modi
di operazione

-‐  regime con+nuo (t>0.25 s): rate equa+ons
-‐  impulsi free running
-‐  Q-‐Switching
-‐  Mode Locking
Rate equa0ons: modo con0nuo (t>0.25 s)
3L N = N2 – N1 4L
dN/dt = β(Nt-‐N) – 2BqN – (Nt+N)/τ dN/dt = β(Nt-‐N) – BqN – N/τ

dq/dt = (VaBN -‐ 1/τc) q dq/dt = (VaBN -‐ 1/τc) q

B = (σlc)/(Vade) τc = de/(γc)

SOGLIA
Nc = 1/(VaBτc) = γ/σl Nc = γ/σl

βc = (Nt+Nc)/(Nt-‐Nc) 1/τ ∼ 1/τ βc = Nc/(Nt-‐Nc) 1/τ ∼ Nc/Nt 1/τ = γ/(σlNt) 1/τ

STATO STAZIONARIO

N0 = γ/σl = Nc N0 = γ/σl = Nc

q0 = (Vaτc)/2 (Nt+N0)/τ (x-‐1) x = β/βc q0 = Vaτc N0/τ (x-‐1)

P = hν q0/τu = hν Va/2τ (Nt+N0) γu/γ (x-‐1) P = hν q0/τu = hν Va/(τσl) γu (x-‐1)

τ3 << τ τ3 << τ τ1 << τ
STRUTTURA TEMPORALE

Q-‐switching: impulsi cor0 e molto intensi
InterruXore nella cavita’:
CHIUSO: no laser, N cresce N>>N0
APERTO: N >> N0 à g >> γ à impulso corto (ns) e intenso
γ
INTERRUTTORI ATTIVI
asse o`co
INTERRUTTORI ATTIVI
(Modulatori acusto-‐o`ci: MAO)
•  variazione periodica di η: re+colo di diffrazione

periodo = λa (onda acus+ca)
ampiezza ∝ ampiezza suono
in moto con v = vsuono

•  diffrazione di parte del fascio
•  cella AO in cavita’ laser à γdiffr
•  se VRF elevata à laser OFF: interruXore OFF
•  ratei fino kHz
•  laser a basso guadagno in con+nua: Nd-‐YAG, Ar+
INTERRUTTORI PASSIVI
ASSORBITORI SATURABILI, non lineari (γs)
ts
assorbitore trasparente
γc+γs
crescita di I lenta

causa assorb. non sat
uro
intensita’ iniziali uguali:
emissione spontanea
•  Metodo piu’ semplice per singolo modo
δ = (g1-‐γ1)-‐(g2-‐γ2)
•  Degradazione fotochimica: si coloran+, I1/I2 = exp(nδ)
no stato solido se δ=0.001 e n ~ 2000à I1/I2 = 10
MODE LOCKING
-‐  piu’ modi presen+ in cavita’, equispazia+: Δν = c/(2L) 1/η, coeren+ in fase
-‐  fasi dei modi scorrelate à I(t) andamento casuale
A2(t)/E20
n = 51 Δν = c/(2L) 1/η
ΔνL = n Δν
banda oscillante
totale
t
Impulsi: somma di N componen+ equispaziate (Δν) à serie di Fourier:

-‐  forma d’onda periodica: τp = 1/Δν
-‐  durata di ogni impulso: Δτp = 1/ΔνL à impulsi di durata breve (≤ ps)
Descrizione nel campo della frequenza
E(t) = Σl E0 exp[i(ω0+lΔω)t + lα] = A(t) exp(iω0t)

A(t) = Σl E0 exp[li(Δωt+α)] = E0 sin ((2n+1) Δω t’/2) / sin (Δω t’/2) Δω t’ = (Δωt+α)
potenze elevate: (2n+1)2 E02 vs (2n+1) E02 : 10 3 -‐ 4

Descrizione nel campo del tempo
φk – φ k-‐1 = α à τp = 1/Δν = 2L/c round trip +me
estensione spaziale impulso << L à un solo impulso corto Δτp bounching
à Impulsi separa+ τp descrizione temporale
φ k – φ k-‐1 = α
φ k – φ k-‐1 ≠α
Tipi di laser
ü stato solido
ü gas molecolari
ü coloran+
ü eccimeri
ü semiconduXori (diodi)
Laser in Medicina
•  CO2 (10600 nm) •  Alexandrite (710-‐820 nm)

•  Er:YAG (2940 nm) •  Rubino (694 nm)
•  Ho:YAG (2100 nm) •  Kr+ (568 nm)
•  Nd:YAG (1064 nm) •  KTP (532nm)
•  Ar+ (514 nm)
•  Diodi (600-‐1000 nm)
•  Dye (308-‐1300 nm)
•  Excimer (170-‐352 nm)
11
Laser a cristalli ionici (stato solido)
-‐ Ioni impurezze in un materiale ospite dieleXrico trasparente (cristalli, vetri)
-‐ ione: metalli di transizione (Cr 3+) o terre rare (Nd 3+)
-‐ ospite: ossidi (Al2O3) fluoruri (YLiF4)
-‐ si+ Al3+ piccoli à metalli di transizione
-‐ Ossidi: piu’ duri, propr. meccaniche e termo-‐meccaniche migliori
-‐ Fluoruri: proprieta’ termo-‐o`che (minore birifr. termica) migliori
-‐ Vetri: temp. fusione piu’ basse, cos+ minori, conducibilita’ termica minore (effe` termici)
Terre rare
Atomo Configurazione eleXronica 2 6s+1 4f à legami ionici (ione trivalente)
e-‐ restan+ in shell 4f (Coulomb, S-‐O, fononi)
Xenon, Xe (Kr) 4d10 5s2 5p 6
transizioni 4fà4f
Neodimio, Nd (Xe) 4f4 5d0 6s2 (5s2 5p6) no dipolo eleXrico à τ ~ 100 µs
Holmio, Ho (Xe) 4f11 5d0 6s2 interazioni con fononi poco probabili
Terre rare
righe streXe, eleva+ στ àβc basso

Erbio, Er (Xe) 4f12 5d0 6s2
Tulio, Tm (Xe) 4f13 5d0 6s2 Cromo
1 4s+2 3d à legami ionici (ione trivalente)
IXerbio, Yb (Xe) 4f14 5d0 6s2 Titanio
Cromo, Cr (Ar) 3d5 4s1 2 4s+1 3d à legami ionici (ione trivalente)
Met. Trans.
Co e Ni
Titanio, Ti (Ar) 3d2 4s2
2 4s à legami ionici (ione bivalente)
Cobalto, Co (Ar) 3d7 4s2 Transizioni 3dà3d
Nichel, Ni (Ar) 3d8 4s2 bande larghe, τ <= 1 µs
Laser a neodimio Nd 3+

YAG, Y3Al5O12 (Nd 3+) o vetro

cristallo: con+nua, Pà 700 W (γ2opt, Va, cascata)
vetro: pulsed, conducibilita’ termica,
Δλ~ 30-‐40 nm (àΔν~ 1013 Hzà
ML: 10-‐12s, P~ 1013 W (E~ 10 J/pulse))
v* ~ 6 1013 Hz hν* >> kT à 4L
Nd:YLiF4 λ~ 1053 nm, YVO4 •  λ = 1064 nm

•  τ = 2.3 10-‐4 s
•  R lorentziana
Laser YAG Δν0 ~ 195 GHz T=300K
Yb:YAG -‐ Q3L, λ~ 1030 nm
Er:YAG – 3L, λ~ 2940, 1640 nm, pulsed (medicina)
Yb:Er:YAG (Er 3+) -‐ λ~ 1540, Yb 3+ pompa
Tm:Ho:YAG (Tm 3+)– Q3L, λ~ 2080, 2020 nm (no Ho)

Laser a stato solido ada_abili in frequenza
BeAl2O4 (Cr 3+) (alessandrite) – Δλ ~ 100 nm, λ~760 nm à ΔνL ~ 1013 Hz
Ti:Al2O3 (Ti 3+) (Ti-‐zaffiro) – Δλ ~ 400 nm, λ~790 nm à ΔνL ~ 1014 Hz
LiSrAlF6 (Cr:LiSAF), LiCaAlF6 (Cr:LiCAF) – Δλ ~ 20 nm, λ~850, 780nm à ΔνL ~ 1013 Hz

Laser CO2-‐ N2-‐ He
(10 – 10 – 80 %)
(K1/M)1/2/2π ΔE~ 2.2 10-‐3 eV fino a (005)

metastabile
vibrazionale
P(000à001) >> P(000à 100)

P(000à001) >> P(000à 020)
dipolo eleXrico
He
n=0 E punto zero
Ev = n1 hν1 + n2 hν2 + n3 hν3

P>100 kW con+nua: εs=dPout/dPpump elevata: εs=15-‐20%
K1
stato (n1 n2 n3)

(001)à(100) 10.6 µm (serie di righe)
(001)à(020) 9.6 µm (serie di righe)
K2
no decad. spontaneo τ ~ 0.4 ms (15 mbar)
collisionià He (1:1:8) τ1 ~ 1-‐10 µs à 4L
ΔνD~50 MHz (T~ 300K), ΔνC~10 MHz (T~ 300K, p=15 mbar) K3

Categorie costruave

•  flusso longit. lento: CO, tubo raffreddato, 50-‐60 W/m à 50-‐100 W
o`mo p, D, I à T, N1 (chirurgia, eleXronica, saldature)

•  sigilla+: ~1% H2O, ~60 W/mà qualche W (microchirurgia)
•  guida d’onda capillare: D=2-‐4 mm, 100-‐200 mbar, L=50 cm à 50 W/m
(microchirurgia: sealed, long. & trasv .RF 50 MHz)

•  flusso longit. veloce: ~ 50 m/s, 450K, long.&trasv. RF, à1kW/m, 1-‐3 kW
(lavorazione materiali, sealed)

•  raffredda+ per diffusione: pompa trasversale con eleXrodi planari d~mm
raffr. 1-‐d acqua, d=3 mmà 20 kW/m2

•  flusso trasversale: raffr. convezione, ~kW/m p~100 mbar, trasv. TE 1-‐20 kW,
p~1 atm TEA 50 Hz 300 W, Δνc~4 GHzà ML < 1ns

•  gas-‐dinamici
CO (λ ~5 µm), HCN (λ ~773 µm)

Laser ad eccimeri
•  laser eleXronici, frequenza regolabile, UV-‐VUV, elevata potenza

A + B* à AB*
AB*à A + B + h ν
GS repulsivo (speXro con+nuo) o debolmente
legato (righe vibr.+rot.)

τ(AB*) >> τ(GS) à 4L
Eccimeri omonucleari
Xe2 (λ=172 nm), Kr2 (λ=146 nm),
Ar2 (λ=126 nm)
gas nobile (p>10 atm), e-‐ rela+vis+ci
Eccimeri eteronucleari: legami ionici
ArCl (λ=175 nm), XeF (λ=351 nm),
XeCl

transizioni B-‐X, C-‐A (XeF e XeCl)

eccimeri triatomici: Kr2F (λ=435 nm),
Xe2Cl (λ=520 nm): con+nuo largo

200 nm eccimeri debolmente lega+ con O2: ossidi
150 nm di Xe, Kr, Ar
•  miscela: 100-‐200 mbar gas nobile

+ 1-‐2 bar He (arc spark)
•  pompaggio impulsato (10-‐20 ns),
trasversale causa alto p
•  scariche o e-‐ rela+vis+ci
•  preionizzazione (X, UV, scarica)
•  500 Hz, 100à1000 W, ε~ 2-‐4 %
•  fotoablazione UV, litografia,

•  chirurgia o|almica
•  pompa per dye (UV)
Laser a coloran0

Soluzione di compos+ coloran+ organici in solven+ liquidi

•  solven+: alcol e+lico, me+lico, glicerolo, acqua
•  coloran+: molecole poliatomiche, lunghe catene con legami doppi coniuga+ ((-‐CH=)n)

•  coloran+ polime+nici
•  (rosso-‐NIR: 0.7 – 1.5 µm)
•  ioduro die+l thiatricarbocianina (810 nm)
•  coloran+ xantenici (VIS)

•  Rhodamina 6G (590 nm)
•  coloran+ cumarinici (verde-‐blu: 400-‐500 nm)

•  Cumarina 2 (450 nm)
Proprieta’ fotofisiche
Rhodamina 6G
in etanolo τnr ~ 100 fs collisioni

collisionià ISC (SàT)

1/τ = 1/τsp + kST
τsp~ns, kST-‐1 ~ 100 ns
τ t: 10-‐7-‐10-‐3 s (O2)
(energia)
ΔS=0
2N e-‐
N+1
N (O2 )
4L : τnr = τ3= τ1~ 100 fs e τ ~ ns

•  bande di assorbimento ampieà pompaggio o`co: 337 nm 170-‐300 nm 532 nm
•  pompaggio impulsato TE: lampade a flash (~100 µs), laser (N2, eccimeri, Nd:YAG Q-‐Sw)
•  pompaggio con+nuo TE: Ar+, Kr+
•  adaXabilita’ λ: ~ 30 nm

LASER A SEMICONDUTTORE
INVERSIONE DI POPOLAZIONE
iniezione portatori di carica
Laser a eterogiunzione p
Confinamento del modo oaco

Confinamento dei portatori di Eg1 (GaAs) = 1.5 eV (vs λ) JC ~ 103 A/cm2
carica Eg2(Al03 Ga07 As) = Eg1 + 0.3 eV T = 300K
Eg > à n <, g n
photon confinement
guida d’onda
piana a step-‐index
Eg2 > Eg1

à assorb. ridoXo
d (0.1-0.5 µm)
NA ~ 0.15-‐0.3 NA ~ 1.2-‐1.5
GaAs -‐ Al03Ga07As n1 = 3.6, n2 = 3.4, Δn/n = 6%
Ne elevate
lower Jth
carrier confinement
Eg2 – Eg1 = ΔEC + ΔEV

ΔEC
Nh elevate
ΔEV
TEM, fronte d’onda
parallelo specchi
T1, T2 ~ 0.7

Li ~ 0.9
ε ~ 10-‐30%
fascio
as0gma0co
30-‐40 µm
5-‐10 cm Risonanza: sfasam. = q 2π

β = costante propagazione modo
β = 2π/λ = ω η/c
Round trip in soglia exp[2Γ’gcL – 2Γ’αacL – 2(1-‐Γ’)αclL – 2jβL – jφ1 – jφ2] R1 R2 = 1

assorbimento portatori di carica liberi
parte reale:
gc = αac + (1/Γ’ – 1) αcl + 1/(2Γ’L) ln (1/ R1 R2) R = (η-‐1)2/(η+1)2
R(TM) < R(TE)
parte immaginaria: TE dominan+, primi modi
2βL + φ1 + φ2 = q 2π se φ1 = φ2 = 0 à βL = qπ à ωq = q (πc)/(ηL)
(onda stazionaria) frequenze di cavita’
L ~ 200-‐300 µm
caraXeris+ca P-‐I
Composizione spe_rale
Generazione di seconda armonica
Oscillazioni parametriche: due onde inciden0 ω1 e ω2
Consideriamo un’ onda piana monocromatica di frequenza

generazione di armoniche = caso speciale dlungo i generazione
una direzione di assunta
somma come
di frequenze
asse z, in un cristallo non
dell’asse z sia assunta coincidente con la faccia di ingresso
ω1 ba_e con ω2 per generare ω3 à ω ba_e con ω per generare 2ω
un’onda piana di intensità uniforme, il campo elettrico E
scritto come:
Sum and Difference Frequency Generation 1
E! (z, t) = {E(z, !)exp[j(!t k! z)] + c.c.}
2
Suppose there are two different-color beams present: dove c.c. indica il complesso coniugato del primo termine,
! ⌘! !
k! = =
c! c
E1 E
* dove c! è la velocità di2 fase * nel cristallo di un’onda di
E (t ) ∝ E1 exp(i 1t ) + E1 exp(−i 1tl’indice
ω ω ) + E2diexp( ω i 2tper
rifrazione ) +tale
E2frequenza.
exp( −i La2tsostituzione
ω ) del
So: mostra che P N L
contiene un termine oscillante a frequenz
!
E2(t) = E21 + E22 + 2 E1 E2 NL
P2! =
✏0 d
{E 2 (z, !)exp[j(2!t 2k! z)] + c.c.}
2
E(t)2 ∝ E12 exp(2iω1t) + E1*2 exp(−2iω1t) oltre ad un termine di2nd-harmonic
frequenza ! = gen
0 che porta allo sv
2 *2 sione continua (dovuta al doppio prodotto nello sviluppo
+ E exp(2iω2t) + E exp(−2iω t)
2 2 2nd-harmonic
2 al cristallo (rettificazione ottica). gen
L’equazione (9.5) descrive una onda di polarizzazion
* *
+ 2E1E2 exp(i [ω1 +ω2 ] t) + 2E E exp(−i [ω +ω ] t)
1 2
con una costante1 Sum-freq
di2 propagazione 2k! .gen
Questa onda irrad
cioè genera una onda E.M. alla frequenza di seconda armon
+ 2E1E2* exp(i [ω1 −ω2 ] t) + 2E E exp(−i [ω −ω ] t)
* *l’onda di polarizzazione nell’equazione
1 2che il campo 1elettrico
delle onde per il cam
Diff-freq gen
2 di seconda armonica può essere scri
2 2 1 dc rectification
+ 2 E1 + 2 E2 E2! (z, t) = {E(z, 2!)exp[j(2!t k2! z)] + c.c.}
2
simile al caso della GSA: in virt
Sum Frequency Generation
il campo totale E = E!1 (z, t) +
per
9.1. produrre una componente
ALLE SCd
ω2 ω APPLICAZIONI
2 larizzazione irraggerà un’ onda
onda
χ ( 2) ω = ω +ω
si può scrivere:
viene 3creato un1 fotone a2 !3 . Ci
fotoneh̄!
venga conservato
+ h̄! = h̄! nel proce
ω1 ω1 ~
1
~
2
~
h̄k1 + h̄k2 = h̄k3
3
fotoni
che, in accordo con una descr
campi, implica lache
che rappresenta un fotone
condizione di ma
di frequenza.
Difference Frequency Generation Tenendo conto ch
espressioni del tipo (9.3) si capis
ω2 ω 2 !Questa
per produrre anche una comp
2
polarizzazione irraggerà u
χ ( 2) ωE(t)
3 = ω 1
/ [E e
−
1
ω
+ E2 e
(i!1 t) ⇤ ( i!1
1
ω1 ω1 e
2 2 (i2!1 t) ⇤2
CRISTALLI NON LINEARI: KDP (KH2PO4) KD*P (KD2PO4) ADP (NH4 H2PO4)
CDA(CsH2AsO4) LiIO3, LiNbO3 KTP (KTiOPO4) Nd:YAG, Dye
BBO (β-‐BaB2O4) Nd:YAG, Dye N-‐UV à N-‐IR

CdGeAs2, AgGaSe2 10 µm: CO2, CO

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Modi

• variazione periodica di η: re+colo di diﬀrazione

ASSORBITORI SATURABILI, non lineari (γs)

crescita di I lenta

Impulsi: somma di N componen+ equispaziate (Δν) à serie di Fourier:

E(t) = Σl E0 exp[i(ω0+lΔω)t + lα] = A(t) exp(iω0t)

potenze elevate: (2n+1)2 E02 vs (2n+1) E02 : 10 3 -­‐ 4

• CO2 (10600 nm) • Alexandrite (710-­‐820 nm)

righe streXe, eleva+ στ àβc basso

(K1/M)1/2/2π ΔE~ 2.2 10-­‐3 eV ﬁno a (005)

P(000à001) >> P(000à 100)

Ev = n1 hν1 + n2 hν2 + n3 hν3

stato (n1 n2 n3)

CO (λ ~5 µm), HCN (λ ~773 µm)

• miscela: 100-­‐200 mbar gas nobile

• fotoablazione UV, litograﬁa,

• coloran+ xantenici (VIS)

• coloran+ cumarinici (verde-­‐blu: 400-­‐500 nm)

• adaXabilita’ λ: ~ 30 nm

Eg > à n <, g n

Eg2 > Eg1

T1, T2 ~ 0.7

5-­‐10 cm Risonanza: sfasam. = q 2π

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potenze elevate: (2n+1)2 E02 vs (2n+1) E02 : 10 3 -‐ 4

•  CO2 (10600 nm) •  Alexandrite (710-‐820 nm)

(K1/M)1/2/2π ΔE~ 2.2 10-‐3 eV ﬁno a (005)

•  miscela: 100-‐200 mbar gas nobile

•  fotoablazione UV, litograﬁa,

•  coloran+ xantenici (VIS)

•  coloran+ cumarinici (verde-‐blu: 400-‐500 nm)

•  adaXabilita’ λ: ~ 30 nm

5-‐10 cm Risonanza: sfasam. = q 2π