Elettronica I

M.Borgarino

Dipartimento di Ingegneria Enzo Ferrari

Università di Modena e Reggio Emilia
Agenda

• Richiami sui Dispositivi Elettronici non-lineari

• Polarizzazione
• Modelli Equivalenti al Piccolo Segnale
• Montaggi Elementari
• Stadio Cascode
• Specchi di Corrente
• Amplificatore Differenziale a Carico Semplice
• Amplificatore Differenziale a Carico Attivo
• Risposta in Frequenza
• La Retroazione in Elettronica
• Amplificatore Operazionale
• Amplificatore di Transimpedenza
Amplificatore Operazionale
CMOS a due stadi
Amplificatore operazionale e retroazione (1/2)
L’amplificatore operazionale va sempre utilizzato retroazionato per
evitare la saturazione dell’uscita. Senza retroazione un amplificatore
operazionale si riduce a funzionare come un comparatore-
vo
𝑉𝐷𝐷

−𝐴𝑜

𝑅2 vI
−
𝑅1

𝑉𝑆𝑆
Retroazione: tensione-corrente
(parallelo-parallelo)
Amplificatore operazionale e retroazione (2/2)
L’amplificatore operazionale chiuso in retroazione ad inseguitore è la
configurazione più critica per la stabilità, in quanto corrisponde al
massimo grado di retroazione, dove viene prelevato per il confronto in
ingresso tutto il segnale di uscita.

La compensazione è un passo fondamentale nella progettazione di un

amplificatore operazionale. E’ a causa della compensazione che gli
amplificatori presentano una banda molto stretta.

Nell’impiego degli amplificatori operazionali viene sfruttata la costanza

del prodotto guadagno-larghezza di banda. Per questa ragione il guadagno
in banda degli amplificatori operazionali è molto alto.
Schematico

Polarizzazione
attiva a
specchio di
corrente

Condensatore di
compensazione
Montaggio
elementare
source
comune
(stadio #2)
Amplificatore differenziale
a carico attivo (stadio #1)
Offset sistematico
Analogamente a quanto già osservato nel caso dell’amplificatore
differenziale a carico attivo, nell’amplificatore CMOS a due stadi per
evitare di avere una tensione di offset statica in uscita bisogna che sia
soddisfatta la condizione: ID7=ID6.
𝑊
𝐼𝐷7 𝐼𝐷7 𝐿 7
𝑉𝐺𝑆5 = 𝑉𝐺𝑆7 = =
𝐼𝐷5 𝐼 𝑊
𝐿 5

𝑊
𝐼𝐷6 𝐼𝐷6 𝐿 6
𝑉𝐺𝑆4 = 𝑉𝐺𝑆6 = =
𝐼𝐷4 𝐼 𝑊
2 𝐿 4

𝐼𝐷7 = 𝐼𝐷6

𝑊 𝑊
𝐿 7 1 𝐿 6
=
𝑊 2 𝑊
𝐿 5 𝐿 4
Dinamica di ingresso di modo comune (1/2)

M1=SAT

𝑉𝐷𝑆1 < 𝑉𝐺𝑆1 − 𝑉𝑇𝑃

x 𝑉𝑌 − 𝑉𝑋 < 𝑉𝐼𝐶𝑀 − 𝑉𝑋 − 𝑉𝑇𝑃

VICM VICM

−𝑉𝑆𝑆 + 𝑉𝐺𝑆3 < 𝑉𝐼𝐶𝑀 − 𝑉𝑇𝑃

y
−𝑉𝑆𝑆 + 𝑉𝑂𝑉3 + 𝑉𝑇𝑁 < 𝑉𝐼𝐶𝑀 − 𝑉𝑇𝑃

𝑉𝐼𝐶𝑀 > −𝑉𝑆𝑆 + 𝑉𝑂𝑉3 + 𝑉𝑇𝑁 + 𝑉𝑇𝑃

Dinamica di ingresso di modo comune (2/2)

M5=SAT

𝑉𝐷𝑆5 < 𝑉𝐺𝑆5 − 𝑉𝑇𝑃

x 𝑉𝑋 − 𝑉𝐷𝐷 < 𝑉𝑂𝑉5

VICM VICM

𝑉𝐼𝐶𝑀 − 𝑉𝐺𝑆1 < 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉5

y
𝑉𝐼𝐶𝑀 − 𝑉𝑂𝑉1 − 𝑉𝑇𝑃 < 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉5

𝑉𝐼𝐶𝑀 < 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉1 + 𝑉𝑂𝑉5 + 𝑉𝑇𝑃

Dinamica di uscita

M6=SAT M7=SAT

𝑉𝐷𝑆6 > 𝑉𝐺𝑆6 − 𝑉𝑇𝑁 𝑉𝐷𝑆7 < 𝑉𝐺𝑆7 − 𝑉𝑇𝑃

x
VICM VICM
𝑣𝑜 − 𝑉𝑆𝑆 > 𝑉𝑂𝑉6 𝑣𝑜 − 𝑉𝐷𝐷 < 𝑉𝑂𝑉7

𝑣𝑜 > 𝑉𝑆𝑆 + 𝑉𝑂𝑉6 𝑣𝑜 < 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉7

y
 Dinamiche di ingresso ed uscita: compatibilità
Dinamica di ingresso di modo comune

−𝑉𝑆𝑆 + 𝑉𝑂𝑉3 + 𝑉𝑇𝑁 + 𝑉𝑇𝑃 < 𝑉𝐼𝐶𝑀 < 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉1 + 𝑉𝑂𝑉5 + 𝑉𝑇𝑁
Dinamica di uscita

𝑉𝑂𝑉6 + 𝑉𝑆𝑆 < 𝑣𝑜 < 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉7

Poiché l’amplificatore operazionale è sempre usato in retroazione, le due
dinamiche devono essere compatibili tra di loro:

−𝑉𝑆𝑆 + 𝑉𝑂𝑉3 + 𝑉𝑇𝑁 + 𝑉𝑇𝑃 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉1 + 𝑉𝑂𝑉5 + 𝑉𝑇𝑁

OK 𝑉𝑂𝑉6 + 𝑉𝑆𝑆 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉7

−𝑉𝑆𝑆 + 𝑉𝑂𝑉3 + 𝑉𝑇𝑁 + 𝑉𝑇𝑃 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉1 + 𝑉𝑂𝑉5 + 𝑉𝑇𝑁

≈OK 𝑉𝑂𝑉6 + 𝑉𝑆𝑆 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉7

−𝑉𝑆𝑆 + 𝑉𝑂𝑉3 + 𝑉𝑇𝑁 + 𝑉𝑇𝑃 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉1 + 𝑉𝑂𝑉5 + 𝑉𝑇𝑁

NOK 𝑉𝑂𝑉6 + 𝑉𝑆𝑆 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉7
Modello al piccolo segnale

Condensatore di
compensazione

𝑅𝐼𝑁 = ∞

Amplificatore differenziale Montaggio elementare

a carico attivo (stadio #1) source comune (stadio #2)
Modello al piccolo segnale: primo stadio (1/3)

𝐶1 ≅ 𝐶𝑔𝑑4 + 𝐶𝑔𝑑2 + 𝐶𝑔𝑠6

𝑊 1 ′ 𝑊
𝐺𝑚1 = 𝑔𝑚1,2 = 𝑘𝑝′ 𝑉𝐺𝑆1,2 − 𝑉𝑇𝑃 = 𝑘𝑝 𝑉𝑂𝑉1,2
𝐿 1,2 2 𝐿 1,2

1 ′ 𝑊 2
2 2𝐼𝐷1,2 𝐼
𝐺𝑚1 = 𝑘𝑝 𝑉𝑂𝑉1,2 = =
2 𝐿 1,2 𝑉𝑂𝑉1,2 𝑉𝑂𝑉1,2 𝑉𝑂𝑉1,2
Modello al piccolo segnale: primo stadio (2/3)

1 1 ′ 𝑊 2
𝐼 𝜆2
= 𝑘 𝑉𝐺𝑆2 − 𝑉𝑇𝑃 𝜆2 ≅ 𝐼𝐷2 𝜆2 =
𝑟02 2 𝑝 𝐿 2 2
2
𝑅1 = 𝑟02 𝑟04 𝑅1 =
𝐼 𝜆2 + 𝜆4
1 1 𝑊 𝐼𝜆4
= 𝑘𝑛′ 𝑉𝐺𝑆4 − 𝑉𝑇𝑁 2 𝜆4 ≅ 𝐼𝐷4 𝜆4 =
𝑟04 2 𝐿 4 2
Modello al piccolo segnale: primo stadio (3/3)

𝐼 2
𝐺𝑚1 = 𝑅1 =
𝑉𝑂𝑉1,2 𝐼 𝜆2 + 𝜆4

𝐼 2 2
𝐴𝑉1 = −𝐺𝑚1 𝑅1 = − =−
𝑉𝑂𝑉1,2 𝐼 𝜆2 + 𝜆4 𝑉𝑂𝑉1,2 𝜆2 + 𝜆4
Modello al piccolo segnale: secondo stadio (1/3)

𝐶2 ≅ 𝐶𝑔𝑑7 + 𝐶𝑔𝑑6 + 𝐶𝐿

𝑊 𝑊
𝐺𝑚2 = 𝑔𝑚6 = 𝑘𝑛′ 𝑉𝐺𝑆6 − 𝑉𝑇𝑁 = 𝑘𝑛′ 𝑉𝑂𝑉6
𝐿 6 𝐿 6

𝐶𝐿

1 ′ 𝑊 2
2 2𝐼𝐷6
𝐺𝑚2 = 𝑘𝑛 𝑉𝑂𝑉6 =
2 𝐿 6 𝑉𝑂𝑉6 𝑉𝑂𝑉6
Modello al piccolo segnale: secondo stadio (2/3)

1 1 ′ 𝑊 2
= 𝑘 𝑉𝐺𝑆7 − 𝑉𝑇𝑃 𝜆7 ≅ 𝐼𝐷7 𝜆7 = 𝐼𝐷6 𝜆7
𝑟07 2 𝑝 𝐿 7

1
𝑅2 = 𝑟06 𝑟07 𝑅2 = 𝑅𝑂𝑈𝑇 =
𝐼𝐷6 𝜆7 + 𝜆6
1 1 𝑊
= 𝑘𝑛′ 𝑉𝐺𝑆6 − 𝑉𝑇𝑁 2 𝜆6 ≅ 𝐼𝐷6 𝜆6
𝑟06 2 𝐿 6
Modello al piccolo segnale: secondo stadio (3/3)

2𝐼𝐷6 1
𝐺𝑚2 = 𝑅2 =
𝑉𝑂𝑉6 𝐼𝐷6 𝜆7 + 𝜆6

2𝐼𝐷6 1 2
𝐴𝑉2 = −𝐺𝑚2 𝑅2 = − =−
𝑉𝑂𝑉6 𝐼𝐷6 𝜆7 + 𝜆6 𝑉𝑂𝑉6 𝜆7 + 𝜆6
 Guadagno in tensione

Condensatore di
compensazione

𝑅𝐼𝑁 = ∞

Amplificatore differenziale Montaggio elementare

a carico attivo (stadio #1) source comune (stadio #2)
2
𝐴𝑉1 = −
𝑉𝑂𝑉1,2 𝜆2 + 𝜆4
4
𝐴𝑉 =
2 𝑉𝑂𝑉1,2 𝑉𝑂𝑉6 𝜆2 + 𝜆4 𝜆7 + 𝜆6
𝐴𝑉2 = −
𝑉𝑂𝑉6 𝜆7 + 𝜆6
CMRR (1/3)

𝑅𝑆𝑆

𝐶𝑀𝑅𝑅 = 2 𝑔𝑚1,2 𝑟02 𝑟04 𝑔𝑚3 𝑅𝑆𝑆

CMRR (2/3)

1 1 1 ′ 𝑊 2
= = 𝑘𝑝 𝑉𝐺𝑆5 − 𝑉𝑇𝑃 𝜆5 ≅ 𝐼𝐷5 𝜆5 = 𝐼 𝜆5
𝑅𝑆𝑆 𝑟05 2 𝐿 5

𝑊 1 ′ 𝑊
𝑔𝑚3 = 𝑘𝑛′ 𝑉𝐺𝑆3 − 𝑉𝑇𝑁 = 𝑘𝑛 𝑉𝑂𝑉3
𝑅𝑆𝑆 𝐿 3 2 𝐿 3

1 ′ 𝑊 2
2 2𝐼𝐷3 𝐼
𝑔𝑚3 = 𝑘𝑛 𝑉𝑂𝑉3 = =
2 𝐿 3 𝑉𝑂𝑉3 𝑉𝑂𝑉3 𝑉𝑂𝑉3
CMRR (3/3)
𝐼 2 𝐼
𝑔𝑚1,2 = 𝐺𝑚1 = 𝑟02 𝑟04 = 𝑅1 = 𝑔𝑚3 =
𝑉𝑂𝑉1,2 𝐼 𝜆2 + 𝜆4 𝑉𝑂𝑉3
1
𝑅𝑆𝑆 = 𝐶𝑀𝑅𝑅 = 2 𝑔𝑚1,2 𝑟02 𝑟04 𝑔𝑚3 𝑅𝑆𝑆
𝐼 𝜆5

𝐼 2 𝐼 1
𝐶𝑀𝑅𝑅 = 2
𝑉𝑂𝑉1,2 𝐼 𝜆2 + 𝜆4 𝑉𝑂𝑉3 𝐼 𝜆5

4
𝐶𝑀𝑅𝑅 =
𝑉𝑂𝑉3 𝑉𝑂𝑉1,2 𝜆2 + 𝜆4 𝜆5
 Riassunto proprietà in centro banda

4
𝐴𝑉,𝐷𝑀 =
𝑉𝑂𝑉6 𝑉𝑂𝑉1,2 𝜆2 + 𝜆4 𝜆7 + 𝜆6

4
𝐶𝑀𝑅𝑅 =
𝑉𝑂𝑉3 𝑉𝑂𝑉1,2 𝜆2 + 𝜆4 𝜆5
1
𝑅𝑂𝑈𝑇 =
𝐼𝐷6 𝜆7 + 𝜆6

𝑅𝐼𝑁 = ∞

Dinamica di uscita
𝑉𝑂𝑉6 + 𝑉𝑆𝑆 < 𝑣𝑜 < 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉7
Dinamica di ingresso di modo comune
−𝑉𝑆𝑆 + 𝑉𝑂𝑉3 + 𝑉𝑇𝑁 + 𝑉𝑇𝑃 < 𝑉𝐼𝐶𝑀 < 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉1 + 𝑉𝑂𝑉5 + 𝑉𝑇𝑁
Risposta in Frequenza (1/5)

Si tratta dello stesso circuito utilizzato per lo studio della stabilità di

un amplificatore retroazionato. Il confronto dei due circuiti porge:

Ii=-Gm1Vid,
gm=Gm2
Cf=CC.
 Risposta in Frequenza (2/5)
𝑉𝑜 𝑠𝐶𝑓 − 𝑔𝑚 𝑅1 𝑅2
=
𝐼𝑖 𝑠 2 𝐶𝑓 𝐶1 + 𝐶2 + 𝐶1 𝐶2 𝑅1 𝑅2 + 𝑠 𝐶𝑓 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑔𝑚 𝑅1 𝑅2 + 𝐶1 𝑅1 +𝐶2 𝑅2 + 1

𝐼𝑖 = −𝐺𝑚1 𝑉𝑖𝑑
𝑔𝑚 = 𝐺𝑚2
𝐶𝑓 = 𝐶𝐶
𝑉𝑜 𝐺𝑚1 𝐺𝑚2 − 𝑠𝐶𝐶 𝑅1 𝑅2
= 2
𝑉𝑖𝑑 𝑠 𝐶𝐶 𝐶1 + 𝐶2 + 𝐶1 𝐶2 𝑅1 𝑅2 + 𝑠 𝐶𝐶 𝑅1 + 𝑅2 + 𝐺𝑚2 𝑅1 𝑅2 + 𝐶1 𝑅1 +𝐶2 𝑅2 + 1
Sotto l’ipotesi di polo sp1 dominante:
𝐺𝑚2 1
𝑠𝑧 = −𝜔𝑧 = 𝑠𝑝1 = −𝜔𝑝1 =−
𝐶𝐶 𝐶𝐶 𝑅1 + 𝑅2 + 𝐺𝑚2 𝑅1 𝑅2 + 𝐶1 𝑅1 +𝐶2 𝑅2
Insorgenza di uno 𝐶𝐶 𝑅1 + 𝑅2 + 𝐺𝑚2 𝑅1 𝑅2 + 𝐶1 𝑅1 +𝐶2 𝑅2
zero sull’asse reale 𝑠𝑝2 = −𝜔𝑝2 =−
𝐶𝐶 𝐶1 + 𝐶2 + 𝐶1 𝐶2 𝑅1 𝑅2
positivo
Pole Splitting
Risposta in Frequenza (3/5)
1
𝑠𝑝1 = −𝜔𝑝1 =−
𝐶𝐶 𝑅1 + 𝑅2 + 𝐺𝑚2 𝑅1 𝑅2 + 𝐶1 𝑅1 +𝐶2 𝑅2

1 1
𝜔𝑝1 = ≅
𝑅1 𝐶1 + 𝐶𝐶 1 + 𝐺𝑚2 𝑅2 + 𝑅2 𝐶1 + 𝐶𝐶 𝑅1 𝐶1 + 𝐶𝐶 1 + 𝐺𝑚2 𝑅2
Effetto Miller
La capacità di compensazione CC è in genere ben più grande delle
capacità parassite dei transistori e considerando Gm2R2>>1:

1
𝜔𝑝1 ≅
𝑅1 𝐶𝐶 𝐺𝑚2 𝑅2

La frequenza del polo p1 è anche la larghezza di banda (BW) della

risposta in frequenza dell’amplificatore compensato:
1
𝐵𝑊 ≅
𝑅1 𝐶𝐶 𝐺𝑚2 𝑅2
Risposta in Frequenza (4/5)
𝐶𝐶 𝑅1 + 𝑅2 + 𝐺𝑚2 𝑅1 𝑅2 + 𝐶1 𝑅1 +𝐶2 𝑅2
𝑠𝑝2 = −𝜔𝑝2 = −
𝐶𝐶 𝐶1 + 𝐶2 + 𝐶1 𝐶2 𝑅1 𝑅2
La capacità di compensazione CC è in genere ben più grande delle
capacità parassite dei transistori e considerando Gm2R2>>1:
𝑅1 𝐶𝐶 𝐺𝑚2 𝑅2 𝐺𝑚2
𝜔𝑝2 ≅ =
𝐶𝐶 𝐶1 + 𝐶2 𝑅1 𝑅2 𝐶1 + 𝐶2
La capacità di carico CL è in genere ben più grande delle capacità
parassite dei transistori:

𝐶1 = 𝐶𝑔𝑑4 + 𝐶𝑔𝑑2 + 𝐶𝑔𝑠6

𝐶1 ≪ 𝐶2 ≅ 𝐶𝐿
𝐶2 = 𝐶𝑔𝑑7 + 𝐶𝑔𝑑6 + 𝐶𝐿

𝐺𝑚2
𝜔𝑝2 ≅
𝐶𝐿
Risposta in Frequenza (5/5)
1
𝑠𝑝1 = −𝜔𝑝1 ≅ −
𝑅1 𝐶𝐶 𝐺𝑚2 𝑅2
Risposta in frequenza
𝐺𝑚2
già compensata 𝑠𝑝2 = −𝜔𝑝2 ≅−
𝐶𝐿
𝐺𝑚2
𝑠𝑧 = −𝜔𝑧 =
𝐶𝐶

𝐴0 = 𝐺𝑚1 𝑅1 𝐺𝑚2 𝑅2

1
𝐵𝑊 ≅
𝑅1 𝐶𝐶 𝐺𝑚2 𝑅2
Dimensionamento capacità di compensazione
A meno di specifiche applicazioni, durante la progettazione
dell’amplificatore operazionale non è noto il grado di retroazione che sarà
applicato. Si deve quindi procedere con un dimensionamento al caso
peggiore, ovvero al caso di massimo grado di retroazione, corrispondente a
b=1.
La risposta in frequenza del guadagno di anello Ab viene quindi a coincidere
con quella dell’amplificatore compensato A.

Quale criterio di stabilità si adotta quello della velocità di avvicinamento.

Dal momento che b è indipendente dalla frequenza (b=1), il criterio si riduce
a richiedere che il modulo di A intersechi la costante 1/b su un tratto a
pendenza -20dB/dec. In particolare avendo imposto b=1, il criterio si
traduce ad imporre che il modulo di A intersechi la retta 0dB su un tratto a
pendenza -20dB/dec.
Per la definzione di frequenza di gain cross-over wt, ciò equivale a
richiedere che la frequenza di gain cross-over sia trovi su un tratto a
pendenza -20dB/dec del modulo di A.
 Dimensionamento capacità di compensazione
Il modulo della risposta in frequenza del guadagno di anello risulta quindi
geometricamente uguale a quella che di un sistema a singolo polo, per il quale
si sa che il prodotto guadagno-larghezza di banda è costante.

𝜔𝑡 = 𝐴0 𝜔𝑝1
𝐴0 1
𝜔𝑝1 ≅
𝑅1 𝐶𝐶 𝐺𝑚2 𝑅2
𝐺𝑚2
1
𝜔𝑧 = 𝜔𝑡 = 𝐺𝑚1 𝑅1 𝐺𝑚2 𝑅2
𝐶𝐶 𝑅1 𝐶𝐶 𝐺𝑚2 𝑅2

𝐺𝑚2 𝐺𝑚1
𝜔𝑝2 ≅ 𝜔𝑡 =
𝐶𝐿 𝐶𝐶
Per rispettare il criterio di stabilità, wt
deve essere inferiore a wp2 ma anche
inferiore a wz, poiché questo zero è
𝐺𝑚1 𝐺𝑚2
< 𝐺𝑚1 < 𝐺𝑚2
positivo e quindi comporta uno 𝐶𝐶 𝐶𝐿
sfasamento di ritardo che riduce il
margine di fase.
Lead compensation (1/6)

Con il precedente dimensionamento della capacità di compensazione si

potrebbe concludere che il margine di fase è sicuramente migliore di 45°,
poiché wt<wp2.

In realtà bisogna tenere conto anche dell’effetto dello zero, che, essendo
reale positivo, comporta uno sfasamento di ritardo che si somma a quello
dovuto al polo p2, comportando così un margine di fase inferiore a 45°.

La distanza tra wt ed wz è legata alla differenza tra Gm1 e Gm2. Se si vuole

che lo zero non riduca il margine di fase bisogna prendere Gm1<<Gm2 .Per un
dato valore di wz questo significa abbassare drasticamente wt e quindi anche
wp1, dato che wt =A0wp1. Si ha quindi un ampio abbassamento del prodotto di
anello al cui valore sono legati gli effetti benefici della retroazione.

Per questa ragione che si introduce la lead compensation.

Lead compensation (2/6)

Il resistore R in serie al condensatore di compensazione lascia

fondamentalmente invariati i poli p1 e p2, introduce un terzo polo ad alta
frequenza, che non impatta quindi sul margine di fase, e sposta lo zero:

𝐺𝑚2 1
𝑠𝑧 = −𝜔𝑧 = 𝑠𝑧 = −𝜔𝑧 =
𝐶𝐶 𝐶𝐶 1 𝐺 − 𝑅
𝑚2
 Lead compensation (3/6)
1
𝑠𝑧 = −𝜔𝑧 =
𝐶𝐶 1 𝐺 − 𝑅
𝑚2

Il valore di R può essere scelto in modo da allontanare wz da wt pur lasciando

lo zero positivo.

Il valore di R può essere scelto pari a 1/Gm2 per mandare lo zero ad infinito.

Il valore di R può essere scelto tale da rendere lo zero negativo. In questo

modo il suo sfasamento diventa in anticipo, anziché in fase, migliorando di
conseguenza il margine di fase. In particolare si può pensare di fare
coincidere sz con sp2:
𝐶𝐿
𝐺𝑚2 1 𝐶𝐿 + 𝐶𝐶 𝐶𝐶 + 1
− = 𝑅𝐶𝐶 = 𝑅=
𝐶𝐿 𝐶𝐶 1 𝐺 − 𝑅 𝐺𝑚2 𝐺𝑚2
𝑚2

A causa del cancellamento polo-zero, il margine di fase risulta pari a circa

90° visto che il terzo polo introdotto dalla lead compensation è ad alta
frequenza.
Lead compensation (4/6)
Il resistore R di lead compensation può essere sostituito da un transistore:

T.C.Carusone, D.Johns, K.Martin

Analog Integrated Circuit Design
John Wiley & Sons, ISBN 978-1-118-09233-0
A causa del condensatore di compensazione CC, su Q9 non può scorrere
corrente statica e quindi VDS9,DC=0V. Il transistore è quindi sicuramente in
zona lineare. Al piccolo segnale è equivalente quindi ad un resistore r9:
2
𝑊 𝑉𝐷𝑆9
𝑑 𝑘𝑛′ 𝑉𝐺𝑆9 − 𝑉𝑇𝑁 𝑉𝐷𝑆9 −
1 𝐿 9 2 𝑊
= ≅ 𝑘𝑛′ 𝑉𝑂𝑉9 = 𝑔𝑚9
𝑟9 𝑑𝑉𝐷𝑆9 𝐿 9
Lead compensation (5/6)
1
𝑟9 =
𝐶𝐿 𝑔𝑚9
𝐶𝐶 + 1 𝑔𝑚6 𝐶𝐿
= +1
𝑅= 𝑔𝑚9 𝐶𝐶
𝐺𝑚2
𝐺𝑚2 = 𝑔𝑚6 𝑊
𝑔𝑚6 = 𝑘𝑛′ 𝑉𝑂𝑉6
𝐿 6

𝑊
𝑔𝑚9 = 𝑘𝑛′ 𝑉𝑂𝑉9
𝐿 9
𝑊
𝑉𝑂𝑉6
𝐿 6 𝐶𝐿
= 𝐶𝐶 + 1
𝑊
𝑉𝑂𝑉9
𝐿 9

La cancellazione polo-zero non dipende più dalle dispersioni di kn’ ma dipende

ancora da quelle di VTN.
 Lead compensation (6/6)
𝑊 𝑊 Tutti i transistori sono attraversati dalla medesima
=
𝐿 11 𝐿 7 corrente statica tranne Q9 che porta corrente nulla.
𝑊 𝑊 𝑉𝐺𝑆13 = 𝑉𝐺𝑆6 𝑉𝑂𝑉13 = 𝑉𝑂𝑉6
= 𝑉𝑎 = 𝑉𝑏
𝐿 13 𝐿 6 𝑉𝐺𝑆12 = 𝑉𝐺𝑆9 𝑉𝑂𝑉12 = 𝑉𝑂𝑉9
𝑊 𝑊
= 𝑉𝑂𝑉12 = 𝑉𝑂𝑉13
𝐿 13 𝐿 12

𝑉𝑂𝑉9 = 𝑉𝑂𝑉6
𝑊
𝐿 6 𝐶𝐿
= 𝐶𝐶 + 1
𝑊
𝐿 9

La cancellazione polo-zero dipende

solo da un rapporto geometrico che
può essere fatto molto preciso.
T.C.Carusone, D.Johns, K.Martin
Analog Integrated Circuit Design
John Wiley & Sons, ISBN 978-1-118-09233-0
Circuito di polarizzazione attiva (1/7)

Circuito generatore della

corrente di riferimento
Circuito di polarizzazione attiva (2/7)
𝑊 𝑊
=
𝐿 9 𝐿 8

2𝐼𝑅𝐸𝐹
𝑉𝐺𝑆12 − 𝑉𝑡 =
𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 𝑊 𝐿 12

2𝐼𝑅𝐸𝐹
𝑉𝐺𝑆13 − 𝑉𝑡 =
𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 𝑊 𝐿 13

𝑉𝐺𝑆13 − 𝑉𝐺𝑆12 = 𝑅𝐵 𝐼𝑅𝐸𝐹

2𝐼𝑅𝐸𝐹 2𝐼𝑅𝐸𝐹
− = 𝑅𝐵 𝐼𝑅𝐸𝐹
𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 𝑊 𝐿 13 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 𝑊 𝐿 12
Circuito di polarizzazione attiva (3/7)

2𝐼𝑅𝐸𝐹 2𝐼𝑅𝐸𝐹
− = 𝑅𝐵 𝐼𝑅𝐸𝐹
𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 𝑊 𝐿 13 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 𝑊 𝐿 12

2 1 1
− = 𝑅𝐵 𝐼𝑅𝐸𝐹
𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 𝑊 𝐿 13 𝑊 𝐿 12

2
2 1 1
𝐼𝑅𝐸𝐹 = −
𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 𝑅𝐵2 𝑊 𝐿 13 𝑊 𝐿 12

Il resistore RB è generalmente off-chip e di alta precisione.

La corrente di polarizzazione dell’amplificatore operazionale non dipende da

variazioni delle tensioni di alimentazione (VDD, VSS) o dalle dispersioni di VTN.
Può dipendere dalla temperatura e dalle tolleranze di processo tramite mn.
 Circuito di polarizzazione attiva (4/7)
2 2
2 1 1 2 𝑊 𝐿 12
𝐼𝑅𝐸𝐹 = − = −1
𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 𝑅𝐵2 𝑊 𝐿 13 𝑊 𝐿 12
𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 𝑊 𝐿 2
12 𝑅𝐵 𝑊 𝐿 13

2 𝑊 𝐿 12
𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 𝑊 𝐿 12 𝐼𝑅𝐸𝐹 = −1
𝑅𝐵 𝑊 𝐿 13

Considerando che in generale per un MOSFET in saturazione si ha:

𝑊 𝑊 2 1 𝑊 2 𝑊
𝑔𝑚 = 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 𝑉𝑂𝑉 = 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 𝑉𝑂𝑉 = 2 𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 𝐼
𝐿 𝐿 𝜇 𝐶 𝑊 2 𝐿 𝐿 𝐷
𝑛 𝑜𝑥 𝐿

2 𝑊 𝐿 12
𝑔𝑚12 = −1 = 2𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 𝑊 𝐿 12 𝐼𝑅𝐸𝐹 𝑔𝑚𝑋 = 2𝜇𝑛,𝑝 𝐶𝑜𝑥 𝑊 𝐿 𝑥 𝑥𝐼𝑅𝐸𝐹
𝑅𝐵 𝑊 𝐿 13

per il transistore Q12 e per un generico transistore QX polarizzato in

saturazione con una frazione x della corrente IREF.
gm12 è molto precisa, perché dipende solo da un rapporto geometrico.
 Circuito di polarizzazione attiva (5/7)

2 𝑊 𝐿 12
𝑔𝑚12 = −1 = 2𝜇𝑛 𝐶𝑜𝑥 𝑊 𝐿 12 𝐼𝑅𝐸𝐹 𝑔𝑚𝑋 = 2𝜇𝑛,𝑝 𝐶𝑜𝑥 𝑊 𝐿 𝑥 𝑥𝐼𝑅𝐸𝐹
𝑅𝐵 𝑊 𝐿 13

𝑔𝑚𝑋 𝜇𝑛,𝑝 𝑊 𝐿 𝑥
= 𝑥
𝑔𝑚12 𝜇𝑛 𝑊 𝐿 12

2 𝜇𝑛,𝑝 𝑊 𝐿 𝑥 𝑊 𝐿 12
𝑔𝑚𝑋 = 𝑥 −1
𝑅𝐵 𝜇𝑛 𝑊 𝐿 12 𝑊 𝐿 13

Anche la gmX è molto precisa, in quanto sostanzialmente dipende solo da

dei rapporti geometrici.
Il rapporto tra le mobilità è indipendente dalle variazioni di temperatura
e dalle tolleranze tecnologiche se i transistori Q12 e QX sono fabbricati
vicini tra loro.
 Circuito di polarizzazione attiva (6/7)
L’elevata precisione di gmX è utile per lo schema di compensazione Miller
dell’amplificatore CMOS a due stadi per il quale si era visto che tutte le
frequenze determinanti per il margine di fase sono proporzionali ad una
transconduttanza di un transistore che è polarizzato dalla corrente di
riferimento o da una sua frazione.

2 𝜇𝑛,𝑝 𝑊 𝐿 𝑥 𝑊 𝐿 12
𝑔𝑚𝑋 = 𝑥 −1
𝑅𝐵 𝜇𝑛 𝑊 𝐿 12 𝑊 𝐿 13

𝑊 𝐿 7
𝑥=
𝑊 𝐿 8
𝐺𝑚2 𝑔𝑚6 2 𝑊 𝐿 7 𝑊 𝐿 6 𝑊 𝐿 12
𝜔𝑝2 ≅ = = −1
𝐶𝐿 𝐶𝐿 𝐶𝐿 𝑅𝐵 𝑊 𝐿 8 𝑊 𝐿 12 𝑊 𝐿 13

𝐺𝑚2 𝑔𝑚6 2 𝑊 𝐿 7 𝑊 𝐿 6 𝑊 𝐿 12
𝜔𝑧 = = = −1
𝐶𝐶 𝐶𝐶 𝐶𝐶 𝑅𝐵 𝑊 𝐿 8 𝑊 𝐿 12 𝑊 𝐿 13

Le frequenze non soffrono variazioni di alimentazione, di temperatura e di

tolleranze di processo, a meno di CC e CL.
Circuito di polarizzazione attiva (7/7)

2 𝜇𝑛,𝑝 𝑊 𝐿 𝑥 𝑊 𝐿 12
𝑔𝑚𝑋 = 𝑥 −1
𝑅𝐵 𝜇𝑛 𝑊 𝐿 12 𝑊 𝐿 13

1 𝑊 𝐿 5
𝑥=
2 𝑊 𝐿 8

𝐺𝑚1 𝑔𝑚1 2 1 𝑊 𝐿 5 𝜇𝑝 𝑊 𝐿 5 𝑊 𝐿 12
𝜔𝑡 ≅ = = −1
𝐶𝐶 𝐶𝐶 𝐶𝐶 𝑅𝐵 2 𝑊 𝐿 8 𝜇𝑛 𝑊 𝐿 12 𝑊 𝐿 13

La frequenza non soffre variazioni di alimentazione, di temperatura e di

tolleranze di processo, a meno di CC.
Slew rate (1/2)
Slew rate (2/2)

𝐼 𝐼
𝑣𝑜 (𝑡) = 𝑡 𝑆𝑅 =
𝐶𝐶 𝐶𝐶
𝐺𝑚1
𝜔𝑡 =
𝐶𝐶
𝐼
𝑆𝑅 = 𝜔𝑡
𝐺𝑚1
𝐼
𝐺𝑚1 =
𝑉𝑂𝑉1,2

𝑆𝑅 = 𝑉𝑂𝑉1,2 𝜔𝑡
Compromessi di progettazione

Richieste in DC e media frequenza (in banda)

Overdrive Lunghezza di canale
Guadagno in banda Basso Alta
CMRR Basso Alta
Dinamiche ingresso ed uscita Basso X

Richieste comportamento in alta frequenza

Overdrive Lunghezza di canale
Frequenza di cross-over Alto X
Slew Rate Alto X
Amplificatore Operazionale
CMOS a cascode ripiegato
 Schematico
𝐼 𝐼
𝐼𝐷1,2 = ≤ 4𝐼𝐷3,4 = 4 𝐼𝐵 −
2 2
IB IB
Transistori
ID4 cascode
8
Coppia ID3 𝐼 ≤ 𝐼𝐵
5
differenziale

I
Condensatore di
carico e di
compensazione
Specchio di
corrente
cascode
 Dinamica di ingresso di modo comune (1/2)

M1=SAT

𝑉𝐷𝑆1 > 𝑉𝐺𝑆1 − 𝑉𝑇𝑁

𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝐷𝑆9 − 𝑉𝑆1 > 𝑉𝐼𝐶𝑀 − 𝑉𝑆1 − 𝑉𝑇𝑁

𝑉𝐼𝐶𝑀 𝑉𝐼𝐶𝑀
𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝐺𝑆9 − 𝑉𝑇𝑃 > 𝑉𝐼𝐶𝑀 − 𝑉𝑇𝑁

𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉9 > 𝑉𝐼𝐶𝑀 − 𝑉𝑇𝑁

−𝑉𝑆𝑆 𝑉𝐼𝐶𝑀 < 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉9 + 𝑉𝑇𝑁

 Dinamica di ingresso di modo comune (2/2)

M11=SAT

𝑉𝐷𝑆11 > 𝑉𝐺𝑆11 − 𝑉𝑇𝑁 = 𝑉𝑂𝑉11

𝑉𝐼𝐶𝑀 − 𝑉𝐺𝑆1 + 𝑉𝑆𝑆 > 𝑉𝑂𝑉11

𝑉𝐼𝐶𝑀 𝑉𝐼𝐶𝑀
𝑉𝐼𝐶𝑀 − 𝑉𝑂𝑉1 + 𝑉𝑇𝑁 + 𝑉𝑆𝑆 > 𝑉𝑂𝑉11

𝑉𝐼𝐶𝑀 > −𝑉𝑆𝑆 + 𝑉𝑂𝑉1 + 𝑉𝑂𝑉11 +𝑉𝑇𝑁

−𝑉𝑆𝑆
Dinamica di uscita (1/2)

M4=SAT

𝑉𝐷𝑆4 < 𝑉𝐺𝑆4 − 𝑉𝑇𝑃 = 𝑉𝑂𝑉4

𝑣𝑜 − 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝐷𝑆10 < 𝑉𝑂𝑉4

𝑣𝑜 − 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉10 < 𝑉𝑂𝑉4

𝑣𝑜 < 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉10 + 𝑉𝑂𝑉4

 Dinamica di uscita (2/2)

M6=SAT

𝑉𝐷𝑆6 > 𝑉𝐺𝑆6 − 𝑉𝑇𝑁

𝑉𝐷6 > 𝑉𝐺6 − 𝑉𝑇𝑁

𝑣𝑜 > −𝑉𝑆𝑆 + 𝑉𝐺𝑆7 + 𝑉𝐺𝑆5 − 𝑉𝑇𝑁

𝑣𝑜 > −𝑉𝑆𝑆 + 𝑉𝑂𝑉7 + 𝑉𝑇𝑁 + 𝑉𝑂𝑉5 + 𝑉𝑇𝑁 − 𝑉𝑇𝑁

𝑣𝑜 > −𝑉𝑆𝑆 + 𝑉𝑂𝑉7 + 𝑉𝑇𝑁 + 𝑉𝑂𝑉5

 Modello al piccolo segnale (1/5)
𝑅𝐼𝑁 = ∞

Trascurando la modulazione di canale nei

transistori Q9 e Q10:
𝑊 1 ′ 𝑊
𝐺𝑚 = 𝑔𝑚1,2 = 𝑘𝑝′ 𝑉𝐺𝑆1,2 − 𝑉𝑇𝑃 = 𝑘𝑝 𝑉𝑂𝑉1,2
𝐿 1,2 2 𝐿 1,2

1 ′ 𝑊 2
2 2𝐼𝐷1,2 𝐼
𝐺𝑚 = 𝑘𝑝 𝑉𝑂𝑉1,2 = =
2 𝐿 1,2 𝑉𝑂𝑉1,2 𝑉𝑂𝑉1,2 𝑉𝑂𝑉1,2
Modello al piccolo segnale (2/5)

𝑅𝑜 = 𝑅𝑜4 𝑅𝑜6
 Modello al piccolo segnale (3/5)

𝐶𝐺
𝑅𝑜4 = 𝑅𝑂𝑈𝑇 𝑄4
𝑅𝑆4

𝑅𝑜4 = 𝑟04 + 𝑅𝑆4 1 + 𝑔𝑚4 𝑟04

𝐶𝐺
𝑅𝑜4 ≅ 𝑔𝑚4 𝑟04 𝑟010 𝑅𝑂𝑈𝑇 𝑄2 𝑅𝑦

𝑅𝑜4 = 𝑔𝑚4 𝑟04 𝑟010 𝑟02 + 𝑅𝑦 1 + 𝑔𝑚2 𝑟02

𝑅𝑜4 ≅ 𝑔𝑚4 𝑟04 𝑟010 1 1

𝑔𝑚1 𝑟011 𝑔𝑚2 𝑟02 ≅ 𝑔𝑚4 𝑟04 𝑟010 𝑔𝑚1 𝑔𝑚2 𝑟02

𝑅𝑜4 ≅ 𝑔𝑚4 𝑟04 𝑟010 𝑟02

Modello al piccolo segnale (4/5)

𝐶𝐺
𝑅𝑜6 = 𝑅𝑂𝑈𝑇 𝑄6

𝑅𝑜6 = 𝑟06 + 𝑟08 1 + 𝑔𝑚6 𝑟06

𝑅𝑜6 ≅ 𝑔𝑚6 𝑟06 𝑟08

Modello al piccolo segnale (5/5)

𝐺𝑚 = 𝑔𝑚1,2
𝑅𝑜6 ≅ 𝑔𝑚6 𝑟06 𝑟08

𝑅𝑜4 ≅ 𝑔𝑚4 𝑟04 𝑟010 𝑟02

𝑅𝑜 = 𝑔𝑚4 𝑟04 𝑟010 𝑟02 𝑔𝑚6 𝑟06 𝑟08

Trascurando la modulazione di canale nei transistori Q9 e Q10 come
fatto per il calcolo di Gm:

𝐴𝑉,𝐷𝑀 = 𝐺𝑚 𝑅𝑜 ≅ 𝑔𝑚1,2 𝑔𝑚4 𝑟04 𝑟02 𝑔𝑚6 𝑟06 𝑟08

 CMRR

𝑅𝑆𝑆

𝐶𝑀𝑅𝑅 = 2 𝑔𝑚1,2 𝑟02 𝑟04 𝑔𝑚3 𝑅𝑆𝑆

Trascurando la modulazione di
canale nei transistori Q9 e Q10
𝑔𝑚5 𝑔𝑚7
𝐶𝑀𝑅𝑅 = 2 𝑔𝑚1,2 𝑅04 𝑅06 𝑟
𝑔𝑚5 + 𝑔𝑚7 011
 Riassunto proprietà in centro banda
𝐴𝑉,𝐷𝑀 = 𝑔𝑚1,2 𝑔𝑚4 𝑟04 𝑟010 𝑟02 𝑔𝑚6 𝑟06 𝑟08
𝑔𝑚5 𝑔𝑚7
𝐶𝑀𝑅𝑅 = 2 𝑔𝑚1,2 𝑅04 𝑅06 𝑟
𝑔𝑚5 + 𝑔𝑚7 011
𝑅𝑜 = 𝑔𝑚4 𝑟04 𝑟010 𝑟02 𝑔𝑚6 𝑟06 𝑟08
𝑅𝐼𝑁 = ∞

Dinamica di uscita
−𝑉𝑆𝑆 + 𝑉𝑂𝑉7 + 𝑉𝑇𝑁 + 𝑉𝑂𝑉5 < 𝑣𝑜 < 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉10 + 𝑉𝑂𝑉4
Dinamica di ingresso di modo comune
−𝑉𝑆𝑆 + 𝑉𝑂𝑉1 + 𝑉𝑂𝑉11 +𝑉𝑇𝑁 < 𝑉𝐼𝐶𝑀 < 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉9 + 𝑉𝑇𝑁
Risposta in Frequenza (1/2)

1 1
𝑓𝑝 = =
2𝜋𝐶𝐿 𝑅𝑜 2𝜋𝐶𝐿 𝑔𝑚1,2 𝑔𝑚4 𝑟04 𝑟010 𝑟02 𝑔𝑚6 𝑟06 𝑟08
 Risposta in Frequenza (2/2)
La capacità CL è scelta sufficientemente elevata che la risposta in
frequenza dell’amplificatore presenta una pendenza -20dB/dec almeno
fino alla frequenza di cross-over, garantendo la stabilità.
La capacità CL può essere aumentata fino ad ottenere il margine di fase
desiderato.

Il condensatore di carico CL funge quindi da condensatore di

compensazione.
20log|A|

B.Razavi
Fundamentals of Microelectronics |A|
John Wiley & Sons, ISBN 978-0-471-47846-1
 Slew Rate

IB IB
Zona
triodo 0
Vi
𝐼𝐵
t
𝑣𝑜 (𝑡) = 𝑡
𝐶𝐿
I
0 𝐼𝐵
𝑆𝑅 =
𝐶𝐿
Aumento della dinamica di uscita
Q3=SAT 𝑉𝐷𝑆3 > 𝑉𝐺𝑆3 − 𝑉𝑇𝑁 𝑉𝐷3 > 𝑉𝐺3 − 𝑉𝑇𝑁

𝑣𝑜 > −𝑉𝑆𝑆 + 𝑉𝑇𝑁 + 2𝑉𝑂𝑉 − 𝑉𝑇𝑁

𝑣𝑜 > −𝑉𝑆𝑆 + 2𝑉𝑂𝑉

−𝑉𝑆𝑆 + 𝑉𝑇𝑁 + 2𝑉𝑂𝑉

Q4=SAT
−𝑉𝑆𝑆 −𝑉𝑆𝑆 Specchio di
corrente
𝑣𝑜 < 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉10 + 𝑉𝑂𝑉4 wide-swing
 Aumento della dinamica di ingresso (1/3)
𝑉𝐷𝐷 Q3=SAT

𝑉𝐷𝑆3 < 𝑉𝐺𝑆3 − 𝑉𝑇𝑃

𝑉𝐵𝐼𝐴𝑆2 𝑄14

𝑉𝐷3 < 𝑉𝐺3 − 𝑉𝑇𝑃

𝑉𝐼𝐶𝑀 𝑉𝐼𝐶𝑀
−𝑉𝑆𝑆 + 𝑉𝐷𝑆13 < 𝑉𝐼𝐶𝑀 − 𝑉𝑇𝑃

−𝑉𝑆𝑆 + 𝑉𝑂𝑉13 < 𝑉𝐼𝐶𝑀 − 𝑉𝑇𝑃

𝑄12 𝑄13

𝑉𝐼𝐶𝑀 > −𝑉𝑆𝑆 + 𝑉𝑂𝑉13 + 𝑉𝑇𝑃

−𝑉𝑆𝑆
𝑉𝐵𝐼𝐴𝑆1
 Aumento della dinamica di ingresso (2/3)
𝑉𝐷𝐷 Q14=SAT

𝑉𝐷𝑆14 < 𝑉𝐺𝑆14 − 𝑉𝑇𝑃 = 𝑉𝑂𝑉14

𝑉𝐵𝐼𝐴𝑆2 𝑄14

𝑉𝐼𝐶𝑀 − 𝑉𝐺𝑆3 − 𝑉𝐷𝐷 < 𝑉𝑂𝑉14

𝑉𝐼𝐶𝑀 𝑉𝐼𝐶𝑀

𝑉𝐼𝐶𝑀 − 𝑉𝑂𝑉3 + 𝑉𝑇𝑃 − 𝑉𝐷𝐷 < 𝑉𝑂𝑉14

𝑉𝐼𝐶𝑀 < 𝑉𝐷𝐷 + 𝑉𝑂𝑉3 + 𝑉𝑂𝑉14 + 𝑉𝑇𝑃

𝑄12 𝑄13

−𝑉𝑆𝑆
𝑉𝐵𝐼𝐴𝑆1
 Aumento della dinamica di ingresso (3/3)
Per facilità di confronto, si assumano tutte le tensioni di overdrive dei
transistori NMOS pari a VOV e quelle dei transistori PMOS pari a –VOV

−𝑉𝑆𝑆 + 2𝑉𝑂𝑉 +𝑉𝑇𝑁 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝑂𝑉 + 𝑉𝑇𝑁 > 𝑉𝐷𝐷

Coppia differenziale di ingresso NMOS attiva

𝑉𝐼𝐶𝑀
Coppia differenziale di ingresso PMOS attiva

−𝑉𝑆𝑆 + 𝑉𝑂𝑉 + 𝑉𝑇𝑃 < −𝑉𝑆𝑆 𝑉𝐷𝐷 − 2𝑉𝑂𝑉 + 𝑉𝑇𝑃

Amplificatore CMOS folded cascode full differential