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2 Terminologia
O termo resistor é usado para um componente eletrônico comercial; o termo resistência, símbolo R, deve ser
preferencialmente usado para descrever o fenômeno da oposição à propagação da corrente. A unidade no SI é ohm
e o símbolo é Ω; o termo resistividade, cujo símbolo é ρ, corresponde à uma propriedade intrínseca do material
e independe das dimensões físicas do condutor, a unidade no SI é ohm-metro ou Ω − m ; o termo condutividade
elétrica, símbolo σ, é a grandeza inversa da resistividade (σ = 1/ρ), a unidade no SI é o siemens por metro (S/m);
o termo mobilidade eletrônica, símbolo µ, é a quantidade que relaciona a velocidade de deriva (vd ) dos portadores
de carga com o campo elétrico local (E), vd = µ · E; o termo efeito Joule corresponde à energia dissipada por um
condutor em forma de calor, cuja potência dissipada é P = R · I 2 . Se o calor não é removido apropriadamente, a
temperatura do condutor aumenta como consequência do aquecimento Joule. Assim a relação I − V deixa de ser
linear. Um condutor metálico é um condutor ôhmico somente se a temperatura permanece constante.
Figura 1: Ilustrações de como usar o amperímetro (A) para medir a corrente elétrica e o voltímetro (V) para medir
tensão elétrica. O amperímetro deve ficar em série e o voltímetro em paralelo com o dispositivo de interesse
4 Ponte de Wheatstone
A ponte de Wheatstone (desenvolvida em 1843 por Charles Wheatstone) é um comparador de nulo usado para
medidas precisas de resistência elétrica e extremamente útil em circuitos onde se faz a comparação de uma resis-
tência desconhecida com uma resistência conhecida. É muito usada em circuitos de instrumentação e controle. Por
exemplo, o sensor de temperatura de um forno consiste de um resistor cuja resistência varia com a temperatura
(existem os termistores e os "resistance temperature detectors" (RTD)). A resistência dependente da temperatura
é comparada com um resistor de controle (fora do forno) que controla um aquecedor e assim mantém a temperatura
no valor desejado. A figura 2 ilustra uma ponte de Wheatstone. O amperímetro A mede a corrente elétrica entre
os pontos A e B. Ajustando-se os valores dos resistores conhecidos (normalmente os valores dos resistores R1 e
R2 são mantidos fixos e o resistor Rk é ajustável), podemos zerar a corrente entre os pontos A e B. Quando esta
condição é atingida, onde a tensão VAB = 0, diz-se que a ponte está balanceada.
Ia R1 = Ib Rk (1)
Ia R2 = Ib Rx . (2)
Dividindo (2) por (1), temos
R2 /R1 = Rx /Rk → Rx = Rk (R2 /R1 ) (3)
Assim, a resistência desconhecida Rx pode ser obtida a partir da resistência Rk e da razão R2 /R1 . Note que o
valor de Rx obtido não depende da tensão V0 . Isto significa que a tensão V0 não precisa ser muito estável ou bem
conhecida.
Na prática, a ponte de Wheatstone raramente é usada para simplesmente medir o valor de um resistor, como
descrito acima. Em vez disso, ela é muito usada para medir pequenas variações em Rx devido, por exemplo,
a variações da temperatura ou variações de defeitos microscópicos no resistor. Como um exemplo, suponha
Rx = 106 Ω e queiramos medir uma variação em Rx de 1Ω, resultante de uma pequena variação de temperatura.
Não existem ohmímetros simples que possam medir uma variação de 1 parte em um milhão. Entretando, a ponte
pode ser ajustada tal que VAB = 0 quando Rx for exatamente igual a 106 Ω. Então, qualquer mudança ∆Rx em
Rx resultará em um VAB ̸= 0 proporcional a ∆Rx .
Para mostrar que VAB ∝ ∆Rx , quando a ponte está levemente desbalanceada (∆Rx ≪ Rx ), note que pela
figura 2 VCD = V0 . Além disto, considere que, na condição da ponte levemente desbalanceada, a corrente que
flui pelo amperímetro é muito menor que os valores de Ia e Ib . Também vamos supor que a condição de ponte
balanceada é obtida para uma resistência de valor inicial Rx0 , tal que Rx0 = Rk (R2 /R1 ). Considere agora que a
resistência Rx varia por uma quantidade incremental ∆Rx , tal que, Rx = Rx0 + ∆Rx . Aplicando a lei de Kirchhoff
nos braços da ponte, obtemos
V0 = Ia (R1 + R2 ) = Ib (Rk + Rx ). (4)
Rk R1
VAB = V0 − V0 . (6)
Rk + Rx R1 + R2
A eq.(6) mostra como VAB depende de Rx e mostra que VAB = 0 quando Rx = Rk (R2 /R1 ). Para descobrir como
VAB muda quando Rx varia de Rx0 para Rx0 + ∆Rx , escrevemos
dVAB Rk
∆VAB ∼
= · ∆Rx = −V0 · ∆Rx . (7)
dRx Rx =Rx0 (Rk + Rx0 )2
Aqui usamos a propriedade δf = (df /dx) · δx, onde f = f (x). Substituindo-se Rx0 = Rk (R2 /R1 ) na eq. (7), temos
5 Método Voltímetro-Amperímetro
A lei de ohm sugere um método para medidas de resistências. Se um voltímetro é usado para medir a tensão V
através de um resistor desconhecido R, e um amperímetro é usado para medir a corrente I que flui pela mesma
resistência, então R seria dado por R = V /I. As duas medidas de I e V deveriam ser realizadas simultaneamente.
Como será visto a seguir, o método voltímetro-amperímetro (método V − A) mostra que existe um erro inerente
ao processo de medida. Considere os dois circuitos mostrados na figuras 3(a) e 3(b). No circuito da figura 3(a) o
A
V0 ± V A V0 ± V Rx
Rx
((a)) ((b))
V ŋ V A ŋ A
RV RA
(c) (d)
Figura 3: Método voltímetro-amperímetro. No circuito (a) o voltímetro mede a queda de tensão levando em conta a
resistência interna do amperímetro. No circuito (b) o amperímetro mede a corrente total que passa pelo voltímetro
e pelo resistor Rx . Os circuitos (c) e (d) mostram os circuitos equivalentes do voltímetro e amperímetro reais
.
voltímetro mede a queda de tensão levando em conta a resistência interna do amperímetro. No circuito da figura
3(b) o amperímetro mede a corrente total que passa pelo voltímetro e pelo resistor Rx . As figuras 3(c) e3(d)
mostram os circuitos equivalentes do voltímetro e do amperímetro com suas respectivas resistências internas RV e
RA .
No caso da figura 3(a) vale a seguinte relação Vmed = (Rx + RA )Imed → Rmed = (Vmed /Imed ) = Rx + RA . O
erro absoluto é ∆R = Rmed − Rx = RA e o erro relativo é ∆ϵ = (RA /Rx )100%. A montagem (a) é ideal para as
situações onde Rx >> RA .
No caso da figura 3(b) vale a seguinte relação Imed = Ix + IV = Vmed (1/Rx + 1/RV ) → 1/Rmed = 1/Rx + 1/RV .
O erro absoluto é ∆R = −Rx2 /(Rx + RV ) e o erro relativo é ∆ϵ = Rx /(Rx + RV )100%. A montagem (b) é ideal
para as situações onde Rx << RV .
Para medir uma resistência Rx desconhecida, emprega-se inicialmente qualquer uma das duas montagens. Uma
vez determinada a ordem de grandeza de Rx , repete-se sua medição com a configuração que oferece menor erro
relativo.
Diodos de junção PN São os diodos formados pela junção de dois semicondutores, um do tipo N e outro do
tipo P. Os materiais mais usados são Ge e principalmente Si. Semicondutores do tipo P e tipo N são obtidos pela
adição de impurezas ao Si (em um processo chamado de dopagem). Desta maneira, em um semicondutor tipo P
exsite mais buracos livres (buraco é a vacância de um elétron) e em um semicondutor tipo N existe mais elétrons
livres. Devido às concentrações diferentes de buracos e de elétrons, quando uma junção PN é formada, os elétrons
do lado N se difundem para o lado P enquanto os buracos do lado P se difundem para o lado N. O movimento de
buracos e de elétrons forma uma barreira de potencial elétrico que impede a difusão de um lado para o outro. A
largura desta barreira determina a condutividade da junção.
Resistor típico
Terminais
Resistor de carbono
Isolante Carbono
Terminais
Resistor de filme
Isolante
Ranhuras Filme
em espiral resistivo