P. Bruschi. Dispense di Microelettronica II. A.A.

2001-02

Breve guida al formato e ai modelli di SPICE

Breve guida al formato e ai modelli di SPICE

Struttura semplificata di un file di ingresso in formato SPICE

Prima riga: viene ignorata. Pu servire per introdurre un titolo.

*
* Righe che iniziano con asterischi: commenti. Possono comparire ovunque nel file di ingresso
*

Sezione comandi:

.lib
.include
.temp
.options

Permettono di inserire informazioni contenute in file

esterni. .include inserisce completamente un file esterno.
.lib permette la ricerca nel file specificato delle sole
informazioni che mancano nel file principale
Specifica la temperatura. Questa variabile agisce sulle
caratteristiche dei dispositivi attraverso una serie di
parametri associati ai dispositivi stessi.
Permette di specificare il valore di alcune variabili di
configurazione (es. valori di default per parametri dei
dispositivi, parametri che regolano la convergenza del
risolutore).

Sezione modelli: sequenza di definizioni di tipo .model

Sezione sottocircuiti: sequenza di definizioni di tipo:

Definizione della netlist vera e propria.

.subckt
......
......
.ends

Serie di dichiarazioni di dispositivi, ciascuno introdotto

da una lettera di riferimento (es. R per i resistori), un
identificativo del dispositivo e altre informazioni
secondo quanto richiesto dalla sintassi.

Comandi di analisi

.op
.dc
.ac
.tran

Comandi di uscita

.print
(.plot)
altri comandi dipendenti dal tipo di spice e dal tipo di
uscita richiesto (es: .probe)

.end (chiude il file di ingresso. opzionale in alcune versioni di SPICE)

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Dichiarazione di elementi circuitali in Spice:

Convenzione: tra parentesi < ... > vengono indicati parametri variabili; gli argomenti tra parentesi [ ] sono da
considerarsi opzionali.
Resistori:
R<nome> <N+> <N-> <valore>
Esempi:
R10 1 3 10k
Re 33 23 1MEG
******************** Espansioni PSPICE *****************************
R<nome> <N+> <N-> [nome_model] <valore>
La scheda model per un resistore assume la forma:
.model <nome_model> RES (R=<moltiplicatore> TC1=<tc1> TC2=<tc2> TCE=<tce>
La resistenza risulta:
2
Resistenza = R < valore > 1 + TC1(T T ) + TC 2(T T ) se TCE non specificato.

n om

n om

Oppure

Resistenza = R 1.01(T Tn om )

********************************Espansione T-Spice *********************************

R<nome> <N+> <N-> <valore> [TC=A,[B]]
con A che fa le veci di TC1 e B di TC2

Condensatori
C<nome> <N+> <N-> <valore>
Esempio
Cload 23 12 100n
*************************** Espansioni PSPICE ***************************
C<nome> <N+> <N-> [<nome_model>] <valore> [IC=<Tensione iniziale>]
Tipo della model: CAP
Parametri della model: C, VC1, VC2, TC1,TC2.
Espressione della capacit:

Capacit = C valore (1 + VC1 V + VC 2 V ) 1 + TC1(T Tn om ) + TC 2(T Tn om )

V la tensione ai capi della capacit presa con polarit dal nodo N+ al nodo N-. Il parametro IC fissa il valore iniziale della tensione per le
simulazioni in transitorio.

Induttanze
L<nome> <N+> <N-> <valore> [IC = <corrente iniziale>]
Nota: la parte opzionale relativa alle condizioni iniziali pu essere specificata solo in PSPICE.

Mutue Induttanze
Date due induttanze gi definite con lapposita sintassi, si pu introdurre un accoppiamento tra le due nel seguente
modo:
N+
K N+
K<nome> <induttanza 1> <induttanza 2> <valore di k>
nota la relazione tra la mutua induttanza e il coefficiente K: M = K L1 L2
K deve essere compreso tra 0 e 1.

L1

L2
NN-

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Generatori indipendenti
Generatori indipendenti di tensione
V<nome> <N+> <N-> DC <valore in d.c.> [AC <ampiezza> <fase>] [<funzione transitorio>]
Generatore indipendente di corrente
I <nome> <N+> <N-> DC <valore in d.c.> [AC <ampiezza> <fase>] [<funzione transitorio>]
Note: la fase dei parametri AC in gradi.
Funzioni per il transitorio:
Sinusoidale con eventuale smorzamento:

N+

N+

SIN(<offset> <ampiezza> <frequenza> <ritardo> <smorzamento> <fase>)

Lineare a tratti: (se t1 0 per t=0 vale il valore in DC
NPWL(<t1> <v1> <t2> <v2> <t3> <v3> .....)
Sequenza di impulsi
PULSE(<val. iniziale> <val. impulsato> <t.ritardo> <t. salita> <t. discesa> <durata> <periodo>)

N-

periodo

SIN

Val. impulsato

T=t.ritardo

t.ritardo

durata

t.discesa

T=0

t.salita

Val. iniziale

T=0

PWL

v3
v1
v2
vdc

PULSE

t1

t2

t3

Nota: in T-SPICE non ammesso specificare un valore DC e contemporaneamente una funzione transitorio. Nel
caso sia specificata la funzione transitorio il valore in continua dato dal valore della funzione transitorio per t=0.
ESEMPI DI GENERATORI INDIPENDENTI
Vdd 11 0 DC 5
Vin 23 12 DC 0 AC 1 180
I0 4 0 DC 1m PWL(0 1m 1u 1m 1.1u 0 2u 0)

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Generatori dipendenti
Di tensione controllato in tensione:
E<nome> <N+> <N-> <Nc+> <Nc-> <e>

N+

Di corrente controllato in tensione:

G<nome> <N+> <N-> <Nc+> <Nc-> <g>

N-

Nota: con sorgente si indicato un generatore

di tensione la cui corrente costituisce il parametro
che controlla i generatori di tipo H e F. Se la
corrente di controllo scorre in un ramo in cui non
sono presenti generatori indip. di tensione occorre
introdurre in serie al ramo stesso un generatore
fittizio di tensione nulla. Per i generatori di tipo E
e G il parametro di controllo la tensione tra i
nodi Nc+ e Nc-.

E:
N+
If

N+

Nc+

Ig

Ve

Di corrente controllato in corrente

F<nome> <N+> <N-> <sorgente> <f>
Di tensione controllato in corrente
H<nome> <N+> <N-> <sorgente> <h>

Nc+

Vc

Vc
Nc-

N-

G: Ig = g Vc

Ve = e Vc

N+

Nc+
V

Nc-

Ic

NNcF: I f = f Ic

Vh

Nc+
V

Ic

NNcH: Vh = h Ic

Esempi di generatori dipendenti

E2 1 2 3 44 -1
Gms 2 33 21 3 1m
Fhfe1 1 2 Vre 300
H23 11 2 Vin 1e3
Componenti a semiconduttore
Diodi
D<nome> <N+> <N-> <nome model> [<area>]
Nota: il parametro area agisce come un parametro adimesionale di scala su alcuni parametri specificati nella
scheda model del diodo. Per esempio la corrente di saturazione IS viene moltiplicata per larea, le resistenze
serie vengono divise per larea. In T-SPICE si pu introdurre larea con una parola chiave opzionale con la
sintassi: area=<valore>
La scheda model assume forma:
.MODEL <nome model> D (....parametri...).
Esempio di dichiarazione diodo.
D22 1 8 mio_diodo 2

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Transistori Bipolari
Q<nome> <collettore> <base> <emettitore> [<substrato>] <nome model> <area>
Nota: collettore, base, etc. sono i nodi a cui sono collegati i corrispondenti terminali dei transistori.
Per quanto riguarda larea vale quanto detto per il diodo. Anche qui T-SPICE accetta anche una sintassi del tipo
area=<valore> per definire larea.
La model del BJT ha la forma:
.MODEL <nome model> NPN ( ... parametri ...) per i transistori npn
.MODEL <nome model> PNP ( ... parametri ...) per i transistori pnp
Esempio di dichiarazione di BJT (si omessa larea che per default vale 1)
Q11 2 5 6 78 miobjt
Transistori MOS
M<nome> <drain> <gate> <source> <substrato> <nome model> [L=<l>] [W=<w>] [....altri parametri .. ]
La lista di parametri costituita da definizioni di tipo: Parola chiave = <valore> come mostrato per i due parametri
L e W. I parametri specificabili sono i seguenti:
Nome
Significato
Valore di default (defl, defw etc.etc sono
Parametro
definiti con il comando .OPTIONS)
PSPICE
T-SPICE
L
Lunghezza del canale
defl
defl
W
Larghezza del canale
defw
defw
AD
Area di drain
defad
LW oppure defad
PD
Perimetro di drain
0
2(L+W)
AS
Area di source
defas
LW oppure defas
PS
Perimetro di source
0
2(L+W)
NRD
Numero di quadri della diffusione di drain
1
defnrd
NRS
Numero di quadri della diffusione di source
1
defnrs
La scheda model assume la forma:
.MODEL <nome_model> <tipo model> (... Parametri ...)
Il tipo model pu assumere i valori NMOS e PMOS.
Esempio di definizione di MOSFET:
M2 2 5 11 3 mio_mos L=1u W=2u AD=2p AS=8.5p
Sottocircuiti
Definizione:
.SUBCKT <nome_sottocircuito> <lista di nodi formali>
definizione della rete costituente il sottocircuito
........
.ENDS
Istanza:
X<nome> <lista di nodi del circuito utilizzatore che corrispondono ai nodi formali> <nome_sottocircuito>
Esempio:
.SUBCKT PASSA_BASSO 1 2
R1 1 2 100K
C1 2 0
.ENDS
X3 44 55 PASSA_BASSO

Nota: allinterno della rete possono essere introdotti

nodi ausiliari non visibili allesterno.
Importante: Il nodo 0 (nodo di riferimento)
trasparente, ovvero visibile ed lo stesso allinterno
di tutti i sottocircuiti. Non occorre quindi passarlo nei
nodi formali e non pu essere usato come nodo locale
(ovvero visibile solo nel sottocircuito)
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Comandi di Spice
Scelta del tipo di analisi
.OP
il comando .OP ha una funzione che dipende dal tipo di Spice che si sta utilizzando:
-) in T-SPICE comanda effettivamente il calcolo del punto di riposo che viene effettuato considerando come note
le variabili (tensioni e correnti) fissate con il comando .IC. I valori scecificati con .NODESET vengono utilizzati
per fornire linizio del procedimento iterativo. Per riportare i risultati nel file .out occorre specificare nel comando
.print DC le variabili di cui si desidera conoscere il valore. Sempre in T-Spice per avere in uscita le informazioni
sui parametri di piccolo segnale dei dispositivi attivi occorre aggiungere una riga di tipo: .ACMODEL {*}
-) in PSPICE il punto di riposo viene calcolato sempre e .OP fa s che vengano riportate nel file .out informazioni
dettagliate sul punto di riposo (parametri dei circuiti linearizzati) che altrimenti sarebbero limitate alle sole tensioni
nodali.
Nel calcolo del punto di riposo i generatori indipendenti vengono posti al loro valore in continua. Anche qui c
una differenza tra T-SPICE e PSPICE: in T-SPICE nel caso un generatore abbia specificata una forma donda per
lanalisi in transitorio viene usato come valore in continua il valore assunto dalla forma donda per t=0. Nel caso di
PSPICE invece possibile specificare un valore in continua (parola chiave DC) indipendente dalla funzione usata
per il transitorio.
.DC V<nome1> <Vi1> <Vf1> <Vstep1> [V<nome2> <Vi2> <Vf2> <Vstep2>]
Il generatore V<nome1> viene incrementato da Vi1 a Vf1 con passo pari a Vstep1. Per ogni valore del generatore
V<nome1> viene effettuato il calcolo del punto di riposo (analisi in continua). Se presente anche la parte
opzionale il ciclo viene ripetuto incrementando il generatore V<nome2> da Vi2 a Vf2 con passo Vstep2. In pratica
alla fine di ogni ciclo del generatore 1 viene incrementato di un passo il generatorre 2. Tutti gli altri generatori
indipendenti sono mantenuti fissi al loro valore in continua.
.AC <suddivisione > <numero_di_punti> <frequenza iniziale> <frequenza finale>
Con lanalisi AC viene linearizzato il circuito attorno al punto di riposo e su di esso vengono fatti agire i generatori
indipendenti che hanno specificati i dati per lanalisi AC. Gli altri generatori indipendenti sono cortocircuitati (V)
oppure aperti (I). Per ogni valore di frequenza richiesto viene calcolato il regime sinusoidale e i risultati sono fasori
delle tensioni o correnti. Ovviamente anche il circuito linearizzato composto di impedenze complesse che
vengono ricalcolate per ogni valore di frequenza a cui si effettua lanalisi. Se ad agire un solo generatore quello
che si ricava la risposta in frequenza.
Il parametro suddivisione pu assumere i tre valori: LIN, DEC e OCT e fissa la suddivisione dellasse delle
frequenze in lineare, a decadi o a ottave.
Il numero dei punti il numero totale di punti sullasse delle frequenze nel caso LIN oppure il numero di punti
per decade o per ottava nei casi DEC o OCT.
In T-SPICE si pu riportare in uscita i parametri dei dispositivi linearizzati aggiungendo, in combinazione con
lanalisi AC il comando:
.acmodel [<file di uscita>] {<dispositivo> <dispositivo>)
Esempio: .acmodel {M11 Qout}
.TF <variabili dipendendenti> <sorgente indipendente>
.TF consente il calcolo della funzione di trasferimento di piccolo segnale (si opera sul circuito linearizzato), in
continua, tra un generatore indipendendente specificato nel parametro sorgente indipendente e una serie di
variabili (correnti o tensioni). In sostanza viene calcolato il limite della funzione di trasferimento per la frequenza
che tende a zero. La sintassi per le variabili dipendenti la stessa del comando .PRINT.
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PSPICE consente una sola variabile dipendente per comando .TF e non necessita di comando ulteriore (es.
.PRINT) per produrre il risultato sul file di output.
T-SPICE consente pi variabili ma necessita che si specifichi un comando .PRINT DC <variabili dipendenti>.
Analisi in transitorio: la sintassi e il significato dei parametri piuttosto differente tra PSPICE e TSPICE e
conviene quindi mostrarle separatamente.
Sintassi PSPICE
.TRAN <step di stampa> <tempo finale> [<inizio intervallo di stampa> <step interno massimo>] [UIC]
Viene effettuata unanalisi di transitorio facendo agire i generatori indipendenti per i quali stata specificata una
forma donda. Gli altri generatori indipendenti vengono mantenuti al valore in continua. Il circuito su cui viene
calcolato il transitorio non viene linearizzato ma vengono mantenute tutte le non linearit dei componenti. Lanalisi
inizia sempre dallistante t=0 e finisce per il tempo specificato con <tempo finale>. Si pu evitare di riportare nei
risultati quello che accade prima di un certo istante specificando il parametro opzionale <inizio intervallo di
stampa>.
Significato del parametro <step interno massimo>. Il passo temporale di risoluzione delle equazioni differenziali
dipende da vari fattori ma comunque scorrelato dallo step di stampa e varia durante la simulazione. Vi sono molti
casi in cui la risoluzione delle equazioni pu essere effettuata con un passo che maggiore dellintervallo di
stampa e in tale caso le forme donda di uscita possono non presentare pi le caratteristiche di risoluzione
specificate con lo step di stampa. Leffetto indesiderato si manifesta in una angolosit delle curve in quanto i valori
intermedi tra un passo e laltro vengono ricavati con un procedimento di interpolazione. Specificando il parametro
<step interno massimo> si fissa un valore massimo per il passo di risoluzione delle equazioni. Fissando tale
parametro ad un valore pari o un po` inferiore allo step di stampa si pu far s che la risoluzione coincida proprio
con quella specificata dallo <step di stampa>
Nota! se si vuole specificare lo <step interno massimo> occorre anche specificare <inizio intervallo di stampa>.
La parola chiave [UIC] forza il programma a utilizzare le condizioni iniziali specificate con il comando .IC o
specificate direttamente nella defizione dei componenti (IC=...). Senza UIC le condizioni iniziali sono quelle
valutate con lanalisi del punto di riposo.
Sintassi T-SPICE
.TRAN [/<mode>] < step interno massimo > <tempo finale> [START=<inizio intervallo di stampa>]
In questo caso viene fissato come parametro obbligatorio il passo di risoluzione delle equazioni (<step interno
massimo> ) e lintervallo di tempo simulato (<tempo finale>). Anche qui il transitorio inizia sempre per t=0 ma i
risultati possono essere forniti in uscita a partire da un <inizio intervallo di stampa>.
Lo step di stampa viene invece fissato pari allo <step interno massimo> e non si hanno quindi i problemi di
risoluzione temporale tipici di PSPICE (e di molte altre versioni di Spice, compreso SPICE 2G). Lintervallo di
stampa pu comunque essere reso differnte da <step interno massimo> specificando il parametro prtdel della
scheda .OPTIONS.
Il parametro <mode> accetta tre valori (di cui il primo di default).
dcoppt: viene calcolato inizialmente il punto di riposo usando le condizioni iniziali se specificate nel comando
.IC e i suggerimenti per la convergenza fissati il comando .NODESET.
powerup: viene aiutata la convergenza favendo partire tutti i generatori da zero e facendoli arrivare al valore
corretto (per t=0) gradualmente. Una volta trovato il punto di riposo per t=0 si procede alla simulazione.
preview: serve per controllare se le forme donda di ingresso sono corrette: non viene effettuata la simulazione ma
vengono riportate in uscita le forme donda dei generatori indipendenti specificati nel comando .PRINT TRAN
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Altri comandi di Spice:

Comandi di uscita universali.
.PRINT <analisi> <variabili>
Il comando .PRINT consente di riportare in modalit di file testuale i risultati di una delle analisi eseguite
attraveso gli appositi comandi (per esempio .TRAN).
Il parametro <analisi> stabilisce che tipo di analisi si vuole riportare come risultato nel file di output.
<analisi> pu assumere i valori DC AC TRAN e NOISE che si riferiscono alle rispettive analisi circuitali.
Le variabili sono dichiarate con una sintassi del tipo:
V(<nodo>) per le tensioni.
Per le correnti, si pu vare riferimento alle sole correnti nei generatori di tensione e quindi occorre usare la sintassi:
I(V<nome_gen>), dove nome_gen il nome di un generatore indipendente di tensione.
********************* Espansione TSPICE *************************************
TSPICE consente anche di dichiarare altre variabili tra cui la tensione tra due nodi con la sintassi:
V(<N+>,<N->)
e la corrente entrante in un dispositivo <disp> attraverso il nodo <N> con la sintassi:
I(<disp>,<N>).
Comandi di uscita per post-processori grafici:
TSPICE: sufficiente il comando .PRINT, il post-processore grafico chiamato WINWED32 legge i file testuali di
tipo .out.
PSPICE: si pu produrre un file di dati (.dat) per il post-processore WPROBE attraverso il comando:
.PROBE
che fa s che tutte le tensioni nodali e tutte le correnti in dispositivi attivi e generatori di tensione siano salvate nel
file .dat
Utilizzo di informazioni su file esterni:
.LIB <file di libreria>
fa s che venga consultato il file specificato per ricercare definizioni di sottocircuiti o model di dispositivi non
presenti nel file di input ma utilizzati per la descrizione della rete.
I file di libreria sono file di testo che possono contenere solo definizioni di sottocircuiti o model
.INCLUDE < file di include> (sintassi di TSPICE)
.INC < file di include> (sintassi di PSPICE)
fanno s che il file specificato venga inserito integralmente nel file di input nle punto esatto in cui tale comando
compare. Il file di include pu contenere qualsiasi comando o definizione di SPICE. Il file di input viene
processato come un unico blocco dopo che sono stati inseriti tutti i file di include.
Specifica della temperatura
.TEMP <valore di temperatura>
fissa il valore della temperatura alla quale viene effettuata la simulazione. Questo parametro agisce su tutte quelle
equazioni costitutive dei dispositivi per le quale stata inserita una dipendenza dalla temperatura. Se non
presente il comando .TEMP la temperatura pari all option TNOM che per default vale 27 oC.

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Assegnazione dei valori dei parametri (options) di Spice

.OPTIONS <nome parametro>=<valore parametro> <nome parametro>=<valore parametro> .....
Esempio:
.OPTIONS TNOM=30 DEFW=10u DEFL=2u
Il comando .OPTIONS consente di fissare il valore di alcuni parametri che possoni influenzare lo svolgimento
della simulazione. Il nome di alcuni parametri cambia a seconda del tipo di SPICE; alcuni parematri presenti in un
tipo di SPICE possono non essere presenti in un altro tipo.
Lista dei parametri di uso pi frequente
Significato del parametro
PSPICE
T-SPICE
nome
default
nome
default
o
TNOM
27 C
TNOM
27 oC
temperatura nominale
DEFW
DEFW
0
W
di default per i MOSFET
100 m
DEFL
DEFL
0
L di default per i MOSFET
100 m
DEFAD
0
DEFAD
0
AD di default per i MOSFET
DEFAS
0
DEFAS
0
AS di default per i MOSFET
-12
-1
GMIN
Conduttanza messa in parallelo a tutte le giunzioni pn.
10
ITL1
ITL4
ITL5
LIMPTS

40
10
5000
201

numnd
numnt

100
50

Max Numero Iterazioni per il calcolo del punto di riposo

Max. Numero di iterazioni per passo per il transitorio
Max numero di Iterazioni totali per il transitorio
Numero massimo di punti in una tabella di output

ABSTOL
RELTOL

1 pA
10-13

ABSTOL
RELTOL

5 nA
10-7

VNTOL
CHGTOL

1 V

Errore assoluto sulle correnti

Errore relativo su correnti e tensioni (solo sulle tensioni
in T-SPICE)
Errore assoluto sulle tensioni
Errore assoluto sulle cariche nel transitorio.

CHARGETOL
RELCHARGETOL

10-3

Per ottenere la visualizzazione di tutte le opzioni correnti (nel file .out):

Sintassi PSPICE:
.OPTIONS OPT
Sintassi T-SPICE:
.OPTIONS verbose=2
Assegnazione di un punto iniziale per aiutare la convergenza in SPICE:
.NODESET V(<nodo1>)=<valore1> V(<nodo2>)=<valore2>
Assegnazione di condizioni iniziali per il transitorio
.IC V(<nodo1>)=<valore1>..
(PSPICE)
.IC V(<nodo1>)=<valore1> ..... V(<nodo2>,<nodo3>)=<valore> I(induttore1)=<valore>
(T-SPICE)
Si noti che PSPICE ha una sintassi meno potente ma consente di assegnare le condiz. iniziali anche direttamente
sui alcuni componenti (condensatori e induttori). Si veda in proposito la sintassi di dichiarazione dei singoli
componenti.
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CENNI AI MODELLI DEI DISPOSITIVI ATTIVI IN SPICE

Transistori MOS:

G
CGS
S
RS

IDS

CGD
RD

DBS

CBD

CBS

D
CGB

DBD

MODELLO DEL
TRANSISTORE MOS PER
GRANDI SEGNALI

B
Equazioni adottate nel LEVEL=1 per la IDS

L1 (VGS VT )
(1 + VDS )
2
W1
2

I DS = K N

per VDS > VGS VT

(1)

L
V

I DS = K N 1 VDS VGS VT DS (1 + VDS ) per VDS VGS VT

W1
2

dove K N = N COX e COX = S 0 e L1=L-2LD e W1=W-2WD.
tOX
Le correzioni a L e W, pari rispettivamente a 2LD e a 2WD.sono dovute ad errori sistematici del processo (es.
sottodiffusioni). LD e WD.sono indicati nelle model T-SPICE come LD e WD. La tensione di soglia espressa
come:
VT = VT 0 + VBS
(2)
Questa relazione rappresenta la dipendenza della tesione di soglia dalla tensione di substrato (rispetto al source)
dovuta alleffetto body. I vari parametri delle equazioni (1) e (2) sono determinati dai parametri della MODEL:

Parametro delle
equazioni
KN

Parametro MODEL

COX

Non Esiste

KP

Espressione alternativa valida in assenza di definizione

diretta del parametro
N COX

S0
co che n S e 0 memorizzati internamente e
tOX
non modificabili
tOX

TOX

VTO

UO
VTO

espressione in base al drogaggio e altri parametri

GAMMA

espressione in base a drogaggio e altri parametri

PHI

espressione in funzione del drogaggio e della temper.

LAMBDA (solo LEVEL=1)

10

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Nei LEVEL superiori al primo lespressione della IDS rimane una funzione delle tre tensioni VGS, VDS e VBS ma
risulta pi complessa e, in particolare, risulta meno discontinuo il passaggio dalla saturazione alla zona triodo. I
parametri introdotti nella tabella precedente risultano ancora tutti validi tranne il parametro LAMBDA che non ha
pi significato nel LEVEL=3.
Nel LEVEL=3 lespressione della corrente in saturazione data da:
1
I DS = I DSAT
(3)
L
1
L1
dove IDSAT la corrente al limite della saturazione, L1 la lunghezza efficace del canale prima dello strozzamento
mentre L laccorciamento del canale (valore positivo) dovuto allo strozzamento. L quindi una funzione
crescente di VDS.
Dallespressione (3) pu essere calcolato un valore di considerando che, dalla (1) in saturazione:
1 I DS
=
e pertanto, derivando la (3), se si pu approssimare 1-L/L1 circa 1, si ottiene:
I DSAT VDS
1 L
=
(4)
L1 VDS
L
In genere
si pu considerare che dipenda solo da VDS-VDSAT e pertanto il valore di diminuisce al crescere
VDS
della lunghezza di canale. Ci corrisponde alla realt sperimentale ed ben rappresentato da simulazioni effettuate
sia con LEVEL=2 sia con LEVEL=3.
I diodi source-substrato (DBS) e drain-substrato (DBD)sono caratterizzati da una corrente di saturazione:
I S = JS AS per DBS e I S = JS AD per il diodo DBD. Il parametro JS fornito nelle model.
CAPACIT NEL MODELLO DEL MOS
Con riferimento al modello per grandi segnali abbiamo sei capacit, tutte variabili con la tensione a cui sono
sottoposte. Pertanto si paler di capacit differenziali.
Capacit di gate: CGS GGD CGB. Queste capacit possono essere scritte come:
(c)
(s)
(c )
(s)
(c )
(s)
C GS = C GS
+ C GS
; C GD = C GD
+ C GD
; C GB = C GB
+ C GB
dove lapice (c) indica capacit di canale e lapice (s) indica la capacit dovuta alla sovrapposizione del gate con
il rispettivo elettrodo.

Le capacit di sovrapposizione si ottengono dai parametri delle model

CGSO, CGDO e CGBO. In particolare:

Per quanto riguarda le capacit di canale, esse varaino fortemente

con la zona di funzionamento del MOS. Nella formulazione pi
semplice data dal LEVEL 1 si ha:
VGS<VT
Zona Triodo
Saturazione
(c )
0
1/2 LWCOX
2/3 LWCOX
C GS
(c )
C GD

1/2 LWCOX

(c )
C GB

LWCOX

Poly

(s)
(s)
(s)
C GS
= CGSO W ; C GD
= CGDO W ; C GB
= CGBO L

Active

Sovrapposizione
Gate-Bulk

Sovrapposizione
Gate-Drain

L
Sovrapposizione
Gate-Source

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Breve guida al formato e ai modelli di SPICE

Capacit di giunzione: CBS e CBD

Queste capacit sono date da ciascuna da due termini corrispondenti rispettivamente al fondo e alle pareti delle
diffusioni di drain e di source.

C BS =

CJ AS
VBS
1

PB

MJ

CJSW PS
VBS
1

PB

MJSW

C BD =

CJ AS
VBD
1

PB

MJ

CJSW PS
VBD
1

PB

MJSW

I parametri CJ, CGSW, MJ, MJSW e PB sono indicati nella MODEL.

Si noti come in una giunzione brusca sia sul fondo sia sulle pareti si avrebbe MJ=MJSW = 1/2.
Resistenze serie: RD e RS
Le resistenze serie vengono calcolate attraverso il parametro RSH (resistenza di strato) fornito nella model.
Si ha : RD=NRDRSH e RS=NRSRSH. NRD e NRS vengono indicati nella dichiarazione del MOSFET.
Modello a piccolo segnale dei MOS

D
D
gmbsVBS

gmVGS

CGD

CBD
gBD

gDS

gBS

S
CGS

CBS
CGB

LEVEL
VTO
UO
LD
WD
LAMBDA
GAMMA
PHI
RSH
TOX
JS
CJ
CJSW
MJ
MJSW
PB
CGSO
CGDO
CGBO

Riassunto di alcuni parametri della MODEl del MOSFET

Tipo di modello selezionato. (modelli universali di Spice: 1,2,3)
Tensione di soglia per VBS=0 e in assenza di effetti di canale corto o stretto.
Mobilit
Riduzione della lunghezza del canale su ciascun lato
Riduzione della larghezza del canale su ciascun lato.
Pendenza delle caratteristiche in saturazione (non valido per il level 3)
Coefficiente delleffetto body
Potenziale di superficie
Resistenza di strato delle diffusioni di Drain e Source
Spessore dellossido
Densit di corrente di saturazione delle giunzioni tra diffusioni e substrato
Capacit di giunzione a potenziale nullo (da moltiplicare per larea della giunz.)
Capacit di giunzione a potenziale nullo (da moltiplicare per il perimetro)
Coefficiente di grading per le giunzioni (relativo al termine di area)
Coefficiente di grading per le giunzioni (relativo al termine di perimetro)
Potenziale di contatto delle giunzioni tra diffusioni e substrato
Capacit di sovrapposizione gate-source (da moltiplicare per W)
Capacit di sovrapposizione gate-drain (da moltiplicare per W)
Capacit di sovrapposizione gate-bulk (da moltiplicare per L)
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Breve guida al formato e ai modelli di SPICE

Transistori BJT
Sezioni semplificate dei transistori BJT utilizzati in circuiti integrati. Gli schemi fanno riferimento a un processo
planare epitassiale o in generale a processi in cui presente uno strato epitassiale. Le sezioni sono comunque
egualmente rappresentatitive di processi BiCMOS nei quali la funzione delle sacche di epi svolta da well.

substrato e trench di isolamento

strato sepolto n+
E

epi n-

diff. p di base

n+ di emettitore e contatto con epi.

C

Substrato

Substrato

Transistore PNP laterale

Transistore NPN

Transistore PNP di substrato

La dichiarazione del transistore bipolare (vedi paragrafo opportuno) prevede nella sintassi un nodo di substrato
opzionale. Con riferimento alla figura precedente, i transistori NPN (verticale) e PNP laterale necessitano di un
terminale di substrato poich non si pu prescindere dalle capacit che il collettore (nel NPN) e la base (nel PNP)
hanno verso il substrato. Il transistore PNP di substrato non necessita di un quarto terminale in quanto il substrato
coincide fisicamente con il colletore. Per completare la casistica osserviamo che i transistori disponibili come
componenti discreti non necessitano di terminale di substrato.
Modello statico del transistore bipolare.
Per il modello statico SPICE utilizza il modello di Ebers-Moll nella versione a trasporto. Questo
matematicamente equivalente al modello a iniezione che mostriamo nella prossima figura:
RIR

FIF

IS = F I ES = R ICS

F
1 F
R
BR =
1 R
BF =

IR

IF

(5)
(6a)
(6b)

Sono riportate anche le equazioni che legano i parametri BF, BR e IS di Spice (tipici del modello a trasporto) ai
parametri del modello di Ebers-Moll a iniezione. Ricordiamo che le correnti IF e IR sono date da:
VBE

I F = I ES e FVT 1;

VBC

I R = I CS e RVT 1;

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Breve guida al formato e ai modelli di SPICE

Si osservi che la (5) esprime anche la nota relazione di reciprocit. Inoltre sono specificati anche due coefficienti di
idealit per i due diodi, ovvero F (NF nella MODEL) per il diodo B-E e R (NR nella MODEL) per il diodo B-C.
Il modello di Ebers-Moll cos riportato non tiene conto dei seguenti fenomeni:
1. Resistenze in serie al collettore (Rcc), allemettitore (Ree) e alla base (Rbb).
2. Dipendenza di IC in zona attiva da VBC (ovvero in pratica da VCE) dovuta alleffetto Early consistente nella
modulazione della larghezza della base.
3. Variazione del guadagno di corrente in funzione della corrente di collettore.
4. Effetti di alta iniezione.
Le modifiche dellEbers- Moll introdotte per tener conto di problemi 3 e 4 consistono nel modello di GummelPoon.
Per quanto riguarda il correttivo per leffetto dovuto alle resistenze serie abbiamo tre parameri RC, RE, RB che
appunto costituiscono tre resistenze inserite in serie rispettivamente a collettore, emettitore e base.
Per quanto riguarda leffetto Early osserviamo che, senza correttivi la corrente di collettore in zona attiva diretta
risulterebbe, trascurando le correnti dei diodi dellEbers Moll polarizzati in inversa:

I C = IS e

VBE
NF VT

Come si vede la corrente dipenderebbe solo dalla giunzione che, a seconda del caso, polarizzata direttamente. In
realt, come sappiamo, le caratteristiche di uscita di un transistore in zona attiva non sono orizzontali ma inclinate.
In SPICE ci indicato dai die parametri VAF e VAR, che corrispondono alle tensioni di Early per la zona attiva
diretta e per quella inversa. Le equazioni della corrente di collettore in zona attiva diretta diventa diventa:

I C = IS e

VBE
NF VT

VCB

1 +

VAF

Queste rappresentano una versione approssimata delle equazioni realmente utilizzate da SPICE per le correnti e
sono valide limitatamente alla zona attiva diretta. semplice ricavare le corrispondenti equazioni della corrente di
emettitore in zona attiva inversa.
Per quanto riguarda la variazione del (e quindi di F e R) osserviamo che sperimentalmente il guadagno di
corrente assume il valore massimo (corrispondente in SPICE a BF e BR) solo per un intervallo di correnti di
collettore detta regione delle medie correnti. Per correnti inferiori (regione delle piccole correnti) il guadagno
decresce significativamente (scendendo anche sotto lunit) a causa delle correnti di ricombinazione nella zona di
carica spaziale della giunzione polarizzata in diretta. Queste correnti, infatti, contribuiscono alla corrente di base
ma non sono utili per la corrente di collettore. In SPICE questo fenomeno modellato aggiungendo due diodi di
perdita in parallelo ai diodi della IF e IR dellEbers Moll. Questi diodi hanno una corrente di saturazione inversa e
un coefficiente di idealit (di solito intorno a 2) che costituiscono quattro parametri aggiuntivi di SPICE detti
parametri di emissione. Per correnti superiori alla zona delle medie correnti si finisce nella regione delle alte
correnti dove il guadagno di corrente scende ancora, questa volta per effetti di alta iniezione. Esula da questa
trattazione una descrizione dettagliata dei parametri SPICE corrispondenti.

Modello dinamico.
Il modello dinamico per il transistore bipolare utilizzato da SPICE il modello a controllo di carica.
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Breve guida al formato e ai modelli di SPICE

La carica risulta immagazzinata nelle due giunzioni dei diodi del modello dellEbers Moll e risulta data, per
ciascuna delle due giunzione dalla somma:
Q = QD + QJ
dove QD la capacit di diffusione dovuta allaccumulo di minoritari nella base e nel corrispondente elettrodo
(collettore o emettitore, a seconda di quale dei due diodi si considera), mentre la Qj la capacit di giunzione
associata alle cariche fisse nella zona di svuotamento.
La carica Qj viene espressa mediante le capacit non lineari di giunzione. Come per il MOSFET la capacit di
giunzione viene modellata con lespressione:

CJ =

C j0
VD
1

dove Cj0 la capacit per tensione nulla (sul diodo), V0 il potenziale di contatto, m il coefficiente di grading e
VD la tensione sul diodo. Nella MODEL si trovano i seguenti parametri:
CJE, VJE, MJE, corrispondenti ai parametri Cj0, V0, e m per il diodo BE;
CJC, VJC, MJC, corrispondenti ai parametri Cj0, V0, e m per il diodo BC;
Vi sono inoltre i parametri CJS, VJS, MJS, corrispondenti ai parametri Cj0, V0, e m per la giunzione tra il collettore
e il substrato (transistore verticale NPN) o tra la base e il substrato (transistore PNP laterale). T-Spice ha il
parametro SUBS che assume valore -1 per struttura laterale e 1 per struttura verticale.
La carica di diffusione QD viene invece associata alla corrente mediante due parametri, detti tempi di transito:
TF per la giunzione BE, TR per la giunzione BC.
Le cariche QDE (giunzione BE) e QDC (giunzione BC) risultano:

Q DE

VBE

VT

= TF I S e
1

Q DC

VBC

VT

= TR I S e
1

In zona attiva diretta, dove lunit pu essere trascurata rispetto allesponenziale si ha:

I
Q
I
= DE = TF S e V = TF C = TF gm
VBE
VT
VT
VBE

CDE

La CDE cos calcolata la capacit di diffusione del modello linearizzato. Unespressione analoga si pu ricavare
per la CDC, la capacit di diffusione della giunzione collettore-base che in zona attiva diretta trascurabile. Si
osservi che in zona di saturazione entrambe le capacit di diffusione sono significative e preponderanti rispetto alle
capcit di giunzione. Si pu derivare una semplice approssimazione della frequenza di transizione fT:
A rigore, in zona attiva diretta:

fT =

2 (C jE

gm
+ C jC + C DE )

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Breve guida al formato e ai modelli di SPICE

Poich quando la giunzione BE in diretta si pu ritere valida lapprossimazione: CDE >> CjE+CjC,

fT

gm
1

2CDE 2 TF

Questa espressione utile per ottenere una stima approssimata della frequenza di transizione a partire dal
parametro TF della MODEL.

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