Capitolo 12

Stadi di uscita

In questa categoria rientrano tutti quei circuiti aventi una funzione ben precisa: erogare potenza. Finora ci si occupati
soltanto del problema di sviluppare grandi guadagni di tensione tralasciando tutta la tematica relativa allerogazione di
grosse correnti, e quindi di potenza, argomento molto importante visto che gli stadi di uscita di un tipico amplificatore
operazionale dovranno fornire delle potenze dellordine delle centinaia di mW a carichi non pi assimilabili a capacit
(cio con elevato contenuto resistivo), ma al contrario, a delle piccole resistenze (da qualche decina di ohm a qualche
Kohm).
Allora si scoprono subito almeno due ragioni per cui le soluzioni circuitali finora studiate mal si presterebbero a
questo compito: in primo luogo accoppiando stadi ad alto guadagno con basse resistenze di carico si perderebbe il grande
guadagno di tensione che teoricamente si potrebbe ottenere, riducendo a qualche dB i tipici 30-40 dB che tipicamente tali
stadi avrebbero potuto fornire; daltra parte, anche usando configurazioni elementari, non sarebbe possibile sviluppare
ampie tensioni sulle piccole resistenze suddette con le tipiche correnti di lavoro (con 50 A su una resistenza di 1K si
ottengono appena 50 mV) e quindi non si potrebbe ottenere potenza dato che la potenza media (in regime sinusoidale)
pari a
2
1
1 VO .
P = VO IO =
2
2 RL

Ci si orienta pertanto verso altre soluzioni che possano garantire buone prestazioni ed elevata efficienza in queste
particolari condizioni di lavoro.

12.1 Caratteristiche degli stadi di uscita

Sulla base delle osservazioni fatte, le caratteristiche richieste ad uno stadio di uscita sono:

Capacit di fornire grandi correnti oltre ad ampie tensioni, quindi potenza.

Basso consumo di potenza che si traduce in alta efficienza di conversione c = PL PS , intendendo con PL la potenza
utile al carico (L: Load) e con PS la potenza fornita dallalimentatore (S: Supply).

Alto grado di linearit ovvero minimo tasso di distorsione: gli stadi di uscita, infatti, per avere le caratteristiche di
potenza desiderate, dovranno lavorare in condizioni di ampio segnale (grandi spostamenti attorno al punto di lavoro)
rispondendo a delle leggi non pi lineari, come per il piccolo segnale, ma di tipo esponenziale (BJT) o quadratico
(CMOS).
Insensibilit al valore dellimpedenza di carico cio minima impedenza di uscita.

Ovviamente, oltre a questi parametri, si dovranno tenere in considerazione quelli gi visti in precedenza, quali ad es.:
dinamica, risposta in frequenza, area di silicio occupata.

XII - 1

Stadi di uscita

12.1 Classificazione
E possibile classificare gli stadi di uscita in base al modo in cui lavorano gli stessi transistori che li compongono. Si
hanno principalmente quattro categorie, ma da queste, per combinazione, se ne possono ottenere altre.

CLASSE A
I transistori si trovano sempre in regione attiva. Come si pu
vedere dalla fig. 12.1, langolo di conduzione del transistore
pari a 2, ovvero lintervallo di conduzione uguale a T: si ha
sempre conduzione, e questo perch lampiezza del segnale si
mantiene sempre minore del valore della corrente di
polarizzazione: I C > IC

Fig. 12.1

Angolo di conduzione dello stadio in classe A

Fig. 12.2

Angolo di conduzione dello stadio in classe B

CLASSE B
I transistori stanno per met del tempo in regione attiva e per
met in interdizione. Dalla fig. 12.2 si vede che langolo di
conduzione pari a , cio, lintervallo di conduzione pari ad
un semiperiodo.

CLASSE AB
E una via di mezzo tra la classe A e la classe B: lintervallo
di conduzione leggermente superiore a quello della classe B,
ma comunque inferiore a quello della classe A (fig. 12.3).

Fig. 12.3

Angolo di conduzione dello stadio in classe AB

CLASSE C
E caratterizzato da un intervallo di conduzione minore di un
semiperiodo (fig. 12.4).

Fig. 12.4

XII - 2

Angolo di conduzione dello stadio in classe C

Stadi di uscita

12.2 Stadio di uscita in classe A

12.2.1 Realizzazione in tecnologia bipolare
Uno stadio duscita in classe A, in tecnologia bipolare, si pu realizzare con una configurazione a collettore comune
(fig. 12.5):
VCC

IB

vI

Q1
vO

Q3

Q2

RL

VEE

Fig. 12.5

Circuito di un inseguitore in classe A

nella quale si pu considerare, per unalimentazione simmetrica:

V EE = VCC

(12.1)

Nellanalisi del circuito di fig. 12.5 si deve tenere conto del fatto che, essendo uno stadio duscita, esso deve poter
trattare segnali con grandi escursioni in ampiezza, pertanto lanalisi per piccolo segnale non pu essere usata; si passa
quindi ad unanalisi di ampio segnale.
Dallosservazione del circuito, nellipotesi che Q1 stia in regione attiva, si ricava la caratteristica di trasferimento:

vI = vBE1 + vO

(12.2)

La vBE1 adesso non pu pi essere considerata costante e circa uguale a 0.7V ma deve essere espressa in funzione
della corrente in Q1:

v I = VT ln

i E1
+ vO
I ES 1

(12.3)

Trascurando la corrente nella base di Q1, iE1 sar:

i E1 = I C 2 +

vO
RL

(12.4)

La I C 2 fissata dallo specchio formato da Q2 e Q3 e quindi dal loro rapporto di aree, si pone perci:

I C1 = I C 2 = I Q

(12.5)

Sostituendo le (12.4) e (12.5) nella (12.3) si arriva allespressione della transcaratteristica duscita di Q1 che quella
data dalla (12.6) e rappresentata nella fig. 12.6.

XII - 3

Stadi di uscita

vO

VCC-|vCE SAT|-vBE1 MAX

vBE1
(1)

VCC-|vCE SAT|

vI

-RLIQ

IQ + O
RL
v I = VT ln
I
ES 1

+v
O

(12.6)

(2)
-VCC+vCE2 SAT

Fig. 12.6

Transcaratteristica dellinseguitore in classe A (versione bipolare)

Quando vI 0.7V si pu immaginare vO 0 , allaumentare di vI , che pu arrivare fino a VCC v CEsat dovendo
garantire nella migliore delle ipotesi almeno una vCEsat per lo stadio pilota, vO cresce fino a raggiungere il massimo valore
consentito che, come si vede dal circuito di fig. 12.5, pari a VCC v CEsat v BE1 max .
Per quanto riguarda la linearit, dalla (12.6) si scopre che essa sar tanto maggiore quanto pi il termine vO RL sar
piccolo rispetto ad I Q , ne segue quindi che, per R L piccole, si ha una piegatura maggiore ossia un effetto sensibile di non
linearit. In ogni caso, per piccoli valori di vI ci sar un inseguimento pressoch lineare.
Con le vI negative, per abbassare la vO si dovr tirare corrente dalla R L . La I Q per fissata dallo specchio, parte
di essa viene dalla R L , parte da Q1; man mano che vO diventa pi negativa, sempre pi corrente scorrer su R L . Per piccoli
valori di R L , il minimo valore teorico di vO si ottiene quando tutta la corrente I Q scorrer sul carico (con conseguente
spegnimento di Q1) , si avr quindi vO = I Q RL ; luscita si saturata prima della saturazione di Q2. Per grandi valori di R L ,
pu accadere che prima che la corrente I Q finisca per scorrere tutta sul carico, il transistore Q2 sia uscito dalla regione
attiva andando in saturazione; il minimo valore per vO diventa vO = VEE + vCEsat .
Un vantaggio di questa configurazione sta nellalta linearit ottenibile: se la corrente di polarizzazione molto
grande, maggiore della massima corrente di segnale, il termine logaritmico nella (12.6) tende ad essere costante ed
indipendente da vO . Questo beneficio si paga per in termini di consumo di corrente e quindi di dissipazione, a spese,
come si vedr, dellefficienza di conversione. Unaltra peculiarit di questo stadio la buona risposta in frequenza e
quindi la velocit, tipiche dello stadio a collettore comune. Per quanto riguarda per la dinamica, si svantaggiati in
quanto ci si ritrova una massima tensione sviluppabile legata alla I Q ; difatti, per le componenti negative del segnale, la
corrente al carico essendo fornita da Q2 sar limitata da quella specchiata ovvero da I Q . Per le componenti positive invece
non vi sono limiti, dato che Q1 far scorrere la corrente che serve, indipendentemente da I Q .

12.2.2 Efficienza di conversione

Lefficienza di conversione definita come c = PL PS , si deve quindi calcolare la potenza utile ceduta al carico, PL
e quella fornita dallalimentazione, PS . La massima ampiezza di corrente in uscita pari ad I Q :
iO = I Q

(12.7)

daltra parte si ha:

vO = iO RL

(12.8)

XII - 4

Stadi di uscita

allora, la potenza media vale:

2

PL =

1 2
1 vO
I Q RL =
2
2 RL

(12.9)

La potenza erogata dallalimentatore data dalla somma di quella relativa allalimentazione negativa e di quella
relativa allalimentazione positiva. La prima :

PEE = I Q VEE = I QVCC

(12.10)

poich I Q fissata ed la massima corrente che lalimentazione negativa pu fornire.

La seconda, cio la corrente ceduta da VCC , varia con unampiezza massima pari a I Q attorno ad I Q stessa: diventa
2 I Q in corrispondenza del massimo positivo di v I , e 0 quando tutta la corrente di Q2 va in RL cio nel massimo negativo di
v I . La potenza media allora data dalla (12.11):

PCC = VCC I Q

(12.11)

In definitiva la potenza totale fornita dallalimentazione :

PS = PCC + PEE = 2 I QVCC

(12.12)

Lefficienza di conversione data dal rapporto tra la PL della (12.9) e la PS della (12.12):

1 2
I Q RL
1 I Q RL 1 vO
c = 2
=
=
2 I QVcc 4 Vcc
4 Vcc

(12.13)

La vO si pu ricavare come media tra il valore massimo di vO :

v O max = VCC v CEsat v BE1 max

(12.14)

e quello minimo:

v O min = V EE + v CEsat

(12.15)

Si ottiene:

v O =

VCC vCEsat v BE1 max V EE v CEsat 2VCC 2v CEsat 0.8

2
2

(12.16)

Idealizzando lo stadio in classe A, si pu assumere:

v O = VCC

(12.17)

Sostituendo la (12.17) nella (12.13) si ha, infine:

c = 0.25 = 25%

(12.18)

che rappresenta il rendimento massimo, teorico, di uno stadio in classe A.

XII - 5

Stadi di uscita

In realt per si deve considerare il contributo delle vCEsat e della v BE max , come indicato nella (12.16), ottenendo in
prima approssimazione:

v O = VCC 0.6

(12.19)

Si capisce quindi che, dal momento in cui si ha a che fare con tensioni non pi dellordine delle decine di Volt (come
accadeva fino a qualche tempo fa), ma di qualche Volt (com richiesto da quasi tutte le odierne applicazioni), il
rendimento reale diventa sensibilmente pi basso di quello ideale.

12.2.3 Realizzazione in tecnologia CMOS

Un circuito analogo al precedente, in tecnologia CMOS, si pu ottenere con un drain comune, come mostrato nella
fig. 12.7, dove si posto:

VSS = VDD

(12.20)
VDD
IB

vI
M1
vO

M3

M2

RL

VSS

Fig. 12.7

Circuito di un inseguitore in classe A

La relazione ingresso - uscita si ricava allo stesso modo del caso precedente ed data dalla (12.21), nella quale si nota
che stavolta non c una dipendenza di tipo logaritmo con la v O , bens una dipendenza del tipo radice quadrata.
Per la linearit valgono le stesse considerazioni fatte precedentemente, ma la v GS adesso, contrariamente alla v BE ,
pu variare di parecchio per cui si pu avere anche vGS max >> vGSpol (ad esempio 2.5V con 1V), mentre la v BE max poteva
oscillare soltanto di centinaio di mV. La transcaratteristica rappresentata in fig. 12.8.
vO

VDD-|vDS SAT|-vGS1 MAX

vO
RL
v I = v GS 1 + vO = VT +
+ vO
W
Kn
L 1
IQ +

vGS1 VDD-|vDS SAT|

(1)
(2)

Fig. 12.8

vI

-RLIQ
-VSS+vDS2 SAT

Transcaratteristica dellinseguitore in classe A (versione CMOS)

XII - 6

(12.21)

Stadi di uscita

12.2.4 Conclusioni
Si visto che il vantaggio essenziale dello stadio in classe A, sia per il bipolare che per il MOS, consiste nellalta
linearit ottenibile. A questo si oppone per lelevata dissipazione necessaria per poter avere delle caratteristiche di uscita
accettabili, e questo si tradotto in un basso rendimento di conversione.
Per ottenere prestazioni migliori, a scapito per, come si vedr, della linearit, si va verso lo stadio in classe B.

12.3 Stadio in classe B (PUSH-PULL)

12.3.1 Realizzazione in tecnologia bipolare
Nella fig. 12.9 mostrato uno stadio duscita in classe B, realizzato tramite due inseguitori.
VCC

Q2
vI

vO

Q1

RL

VEE

Fig. 12.9

Circuito per un finale in classe B

Si pone:

V EE = VCC

(12.22)

Si pu scrivere lequazione alla maglia comprendente le due basi e i due emettitori:

v BE 2 + v EB1 = 0

(12.23)

La (12.23) porta ad un'importante conclusione: le due v BE non possono essere contemporaneamente positive, vale a
dire che i due transistori non possono essere simultaneamente accesi; allora, in assenza di segnale, poich iO = 0 , entrambi i
transistori devono essere spenti perch, se cos non fosse, leventuale corrente dovrebbe fluire in Q1 e Q2 e ci impossibile
per quanto visto prima. Di conseguenza non vi sar corrente in assenza di segnale cio:

IQ = 0

(12.24)

e quindi, in assenza di segnale, non sar dissipata potenza.

Dallanalisi delle due maglie ingresso-uscita, comprendenti una Q1 ed una Q2, si ottengono le (12.25) e (12.26) :

v I = v EB1 + v O
v I = v BE 2 + vO

(12.25)
(12.26)

Dalla (12.26), sostituendo lespressione di v BE 2 e trascurando la corrente di base si ottiene la (12.27). Analogamente,
per le componenti negative del segnale si ottiene la (12.28); queste due ultime espressioni danno luogo alla
transcaratteristica illustrata in fig. 12.10.

XII - 7

Stadi di uscita

vO

v I = VT ln

VCC-|vCE SAT|-vBE2

vO RL
+ vO
I ES 2

vO > 0

(12.27)

VEE+vCE SAT -0.7

0.7

vI

VCC-|vCE SAT|

vO RL
v I = VT ln
+ v O
I ES1

VEE+vCE SAT+vEB1

Fig. 12.10

vO < 0

(12.28)

Transcaratteristica del PUSH-PULL (versione bipolare)

Dalle (12.27) e (12.28) si vede che bastano piccole tensioni per avere grandi correnti in uscita e questo perch
v O R L largomento del logaritmo; allora si capisce che questo stadio pu essere adatto a pilotare anche resistenze molto
piccole.
Finora sono stati elencati alcuni pregi del "classe B", ma si vede, dalla fig. 12.10, che tali pregi si pagano in termini di
forte non linearit: oltre al tratto non lineare, dovuto alla legge di tipo logaritmico, c la cosiddetta zona morta che si
estende allincirca per 0.7V < v I < 0.7V , in cui si ha v O 0 , e che d luogo alla distorsione di cross-over
(attraversamento). E quindi evidente la differenza col "classe A" che invece, per piccole v I , attraversava la propria zona
pi lineare. Pu sembrare che un tale stadio sia inutilizzabile, bisogna per considerare che esso costituir, in genere,
luscita di un amplificatore retroazionato: di conseguenza la distorsione subir unattenuazione pari al guadagno danello
che, se sufficientemente elevato, pu far s che essa rientri in valori accettabili.

12.3.2 Efficienza di conversione

Se si indica con iC1 e iC 2 il valore medio delle correnti rispettivamente su Q1 e Q2, le potenze fornite dalle
alimentazioni saranno date dalle (12.29) e (12.30):

PCC = VCC iC 2

(12.29)

PEE = V EE iC1

(12.30)

Essendo poi VCC = V EE e iC1 = iC 2 , la potenza totale fornita dalle alimentazioni sar:

PS = 2 VCC i C 2

(12.31)

Rimane da calcolare il valore medio della corrente su Q2. Si sa per che la conduzione avviene ogni semiperiodo (fig.
12.11), allora iC 2 sar data dalla (12.32).
iC1

iO

iC2
iO

/2

Fig. 12.11

3/2

Angoli di conduzione di Q1 e Q2.

XII - 8

Stadi di uscita
T

iC 2 =

1
1
iC 2 (t )dt =
T 0
T

T 2

sen(t )dt

(12.32)

Risolvendo lintegrale si ottiene, infine:

iC 2 =

1
iO

(12.33)

Sostituendo la (12.33) nella (12.31), si arriva allespressione:

PS =

2
VCC iO

(12.34)

La potenza ceduta al carico data da:

PL =

(12.35)

1
v O iO
2
Lefficienza dello stadio in classe B si ottiene dividendo la (12.35) per la (12.34):

c =

v O
4 VCC

(12.36)

Nel caso ideale, in cui lampiezza della tensione duscita eguagli la VCC , si ha unefficienza pari a:

c =

0,78 = 78%
4

(12.37)

A rigore per:

c =

VCC v BE max vCEsat VCC 1

4
VCC
4 VCC

(12.38)

che inferiore a quello dato dalla (12.37), valgono comunque le considerazioni fatte in precedenza per gli stadi in classe A.

12.3.3 Pilotaggio
Una volta definito lo stadio duscita molto importante scegliere lopportuno circuito di pilotaggio: da esso, infatti,
dipenderanno le prestazioni generali dellintero stadio finale.
Per lo stadio in classe B, si possono considerare fondamentalmente due topologie per la realizzazione di un circuito di
pilotaggio e sono mostrate in fig. 12.12 (ad emettitore comune) e in fig.12.13 (a collettore comune).
Nonostante nei due casi vi sia lo stesso stadio finale, le prestazioni dei due circuiti sono molto diverse tra loro. Una
prima differenza sta nel fatto che nel primo circuito c un guadagno, mentre nel secondo no perch in ingresso c un
inseguitore; in fase di progettazione quindi si tiene conto di questo guadagno addizionale andando a richiedere allo stadio
precedente un guadagno minore. Col secondo circuito si hanno per vantaggi in termini di risposta in frequenza essendo il
collettore comune pi veloce dellemettitore comune. La differenza sostanziale tra i due circuiti sta per nella massima
tensione sviluppabile.
Per il circuito ad emettitore comune (fig. 12.12) si ha:

v O max = VCC v BE max v CEsat

(12.39)

dovendo garantire una v BE max per Q2 e una v CEsat per Q4.

XII - 9

Stadi di uscita

Per quello a collettore comune (fig. 12.13):

v O max = VCC 2v BE max v CEsat

(12.40)

perch si deve lasciare una v BE max per Q4 e una v CEsat (nella migliore delle ipotesi) per uno stadio precedente a questo.
VCC

VB

Q4

VCC

vI

Q2

Q4

Q2

vO

Q3

vI

Q1

vO

VB

RL

VEE

Fig. 12.12

Circuito di pilotaggio ad emettitore comune

Q3

Q1

RL

VEE

Fig. 12.13

Circuito di pilotaggio a collettore comune

La prima soluzione ha quindi il netto vantaggio di avere una dinamica maggiore verso lalto; verso il basso, infatti, i
due circuiti limitano allo stesso modo:

v Omn = V EE + v EB max + v CEsat

(12.41)

Essendo i segnali simmetrici preferibile, ai fini della dinamica, soltanto la seconda soluzione, considerando anche il
fatto che, con tensioni basse, perdere una v BE potrebbe significare perdere anche il 25% della dinamica disponibile.
Un altro parametro da valutare la massima corrente che pu essere ceduta al carico. Si sottolinea che non sempre
vero che la massima corrente pu essere ceduta dallo stadio che pu raggiungere la massima tensione; non si ha che fare
con generatori ideali quindi bisogna valutare volta per volta quali possano essere i fattori limitanti la corrente,
indipendentemente dalle tensioni in gioco. In questi casi, infatti, ci si riferisce alla corrente di cortocircuito ottenuta
ponendo R L = 0 . La corrente sullemettitore dipende da quella sulla base.
Per il circuito di fig. 12.12, una limitazione
per il massimo positivo data dalla corrente su Q4 che fissata dallo specchio: al limite quando tutta la corrente fornita da
Q4 va nella base di Q2, Q3 si spegne e si raggiunge il massimo valore (positivo) per iO . Ci indicato nella (12.42).

iO max + = F 2 I C 3, 4

(12.42)

Per quanto riguarda il massimo valore negativo, invece, non c un limite, o meglio, si pu dire che vi solo un limite
di natura fisica del transistore Q3: sar esso infatti a dover fornire la corrente richiesta in uscita.
Si pu considerare
quindi:

iO max = F 2 F 3 I B 3 max

(12.43)

Per il circuito di fig. 12.13 si ha una situazione analoga ma invertita; il limite superiore :

iO max + = F 2 F 4 I B 4 max

(12.44)

mentre quello inferiore:

(12.42)
iO max = F 2 I C 3, 4
Pu essere fatta ancora una considerazione: si visto che nel circuito di fig. 12.12 il limite di corrente riguarda il
valore positivo. Il progetto per fatto cercando di mantenere un equilibrio: Q2, infatti, un NPN e come tale ha un F
maggiore di quello di Q3 che, pur avendo a disposizione una corrente negativa assai meno limitata, ha un F minore.

XII - 10

Stadi di uscita

Analogo discorso si fa per il circuito di fig. 12.13 che, per quanto detto, deve essere migliorato in quanto cos com
comporta una limitazione in corrente proprio al PNP: basta sostituire allo stadio pilota NPN uno stadio equivalente PNP,
come mostrato in fig. 12.14.
VCC

VB

Q4

Q2
vO

vI

Q3

Q1

RL

VEE

Fig. 12.14

Circuito di pilotaggio PNP a collettore comune per un finale in classe B

Si vuole infine far notare che, in fase di progetto, si deve tener conto del fatto che il valore di F non costante con
la densit di corrente, e che esiste un range ottimale di valori di essa per i quali F si mantiene pressoch costante e pari al
proprio massimo valore. Sar quindi compito del progettista far s che il transistore lavori in tali regioni di funzionamento,
scalando opportunamente le aree demettitore secondo il valore delle correnti in gioco.

12.3.4 Realizzazione in tecnologia CMOS

Uno stadio analogo a quello di fig. 12.9 si pu realizzare con transistori MOS, come mostrato nella fig. 12.15, per il
quale si possono rifare le stesse considerazioni gi fatte per il bipolare. Essendo:

v GS 2 + v GS 2 = 0

(12.43)

se iO = 0 allora i D1 = i D 2 = 0 ; anche adesso c il grosso vantaggio di una corrente di polarizzazione nulla.

VDD

M1
vI

vO

M2

RL

VSS

Fig. 12.15

Circuito per un finale in classe B

La transcaratteristica si pu ottenere, al solito, analizzando i due percorsi ingresso-uscita e sostituendo le espressioni

delle v GS 2 e v SG1 nelle (12.44) e (12.45).
(12.44)
v I = v GS 2 + v O

v I = v SG1 + v O

(12.45)

XII - 11

Stadi di uscita

vO

v I = VT +
VDD-|vDS SAT|-vGS2 MAX
VSS+vDS SAT

vO > 0

(12.46)

VTp
VTn

vI

VDD-|vDS SAT|

VSS+vDS SAT+|vGS1 MAX|

Fig. 12.16

vO R L
+ vO
W
Kn
L 2

v I = VT +

vO R L

+ vO
W

Kp

L 1

vO < 0

(12.47)

Transcaratteristica del PUSH-PULL (versione CMOS)

Anche ora si ha una caratteristica non lineare; le considerazioni che si possono fare riguardano essenzialmente il
legame di tipo radice quadrata nelle (12.46) e (12.47) della v I con la vO , e il fatto che lescursione del segnale limitata
da una vGS max che pu essere anche molto differente rispetto alla vGS .
La iO max per non pi legata alla corrente in
ingresso, visto che il MOS non assorbe corrente, bens alla tensione presente sul gate: pi alta sar la v I , maggiore corrente
si avr in uscita. Come conseguenza si preferisce pilotare questo stadio con un source-comune, che garantir unadeguata
escursione di segnale allingresso. Ci si preoccuper quindi soltanto di dimensionare questo stadio per ottenere la dinamica
pi alta possibile. Si vuole ora vedere su cosa agire per ottenere in uscita la corrente desiderata. A tal proposito basta
osservare la fig. 12.15 e, ad esempio, il transistore M2. Si supponga di fissare il valore desiderato di iO max ; esso si otterr
quando tutta la corrente su M2 andr al carico:

i D 2 = k n (W L )2 (vGS 2 max VTn ) = iO max

2

(12.46)

La vGS max 2 nota:

vGS 2 max = V DD v DSsat vO max = V DD v DSsat R L iO max

(12.47)

Sostituendo la (12.47) nella (12.46), si ricava il valore adeguato di (W L )2 :

iO max
W
=
2
L 2 k n (V DD v DSsat R L iO max VTn )

(12.48)

Si pu rifare lo stesso procedimento per il transistore M1, si trova infine la relazione:

k n (W L )2 = k p (W L )1

(12.49)

La differenza sostanziale col BJT che adesso si gioca sui valori del rapporto (W L ) per ottenere la corrente
desiderata, e non pi sul valore della corrente di base.

12.4 Stadio in classe AB

12.4.1 Realizzazione in tecnologia bipolare
Uno stadio in classe AB, in tecnologia bipolare, rappresentato in fig. 12.17. Questo stadio offre un compromesso tra
le prestazioni del classe A e quelle del classe B, conciliando lalta linearit del primo con lelevata efficienza del
secondo. Si riesce difatti ad ottenere una linearit anche maggiore di quella dello stadio in classe A (a parit di correnti),
che si paga per con una certa dissipazione in continua e quindi con una minore efficienza rispetto al classe B.
Da una prima analisi del circuito si pu notare che, rispetto al semplice stadio in classe B, sono stati interposti i due
transistori Q3 e Q4; sostanzialmente si tratta di una topologia di tipo inseguitore, con Q3 e Q4 connessi a diodo.

XII - 12

Stadi di uscita

Se si trascurano le correnti sulle basi di Q1 e Q2 (a rigore ci possibile solo con piccole correnti sul carico), si ha che
quelle in Q3 e in Q4 saranno uguali, costanti e pari ad I B .
VCC
IB

Q4

Q2

vI

vO

Q3

Q1

RL

IB

VEE

Fig. 12.17

Circuito per un finale in classe AB

Lequazione alla maglia interna fornisce:

v EB1 + v BE 2 = v EB 3 + v BE 4

(12.50)

con i termini a secondo membro pressoch costanti, per quanto detto sopra.
Un problema che ci si potrebbe porre quello del controllo della corrente di polarizzazione nel ramo duscita, la I Q ,
dato che essa definisce gran parte delle caratteristiche del circuito. Non ci si preoccupava di ci nella classe A, visto che era
fissata semplicemente, e neppure nella classe B, dove invece risultava nulla; adesso, non essendone immediata la
determinazione, si tratta di vedere in che modo la si possa legare ai parametri di progetto del circuito stesso.
Dalla (12.50), spostando al primo membro i termini relativi ai transistori PNP e al secondo quelli relativi agli NPN:

v EB1 v EB 3 = v BE 4 v BE 2

(12.51)

Sostituendo le espressioni delle v BE :

VT ln

iC1 AE 3
i A
= VT ln C 4 E 2
iC 3 AE1
iC 2 AE 4

(12.52)

Eguagliando gli argomenti e sostituendo I B ad iC 3 e ad iC 4 , si ottiene:

iC1 AE 3 I B AE 2
=
I B AE1 iC 2 AE 4

(12.53)

da cui:

i C1i C 2 =

AE1 AE 2 2
IB
AE 3 AE 4

(12.54)

Se si fissano le aree demettitore in maniera tale che:

AE1 AE 2
=
=n
AE 3 AE 4

(12.55)

XII - 13

Stadi di uscita

si ha:

iC1iC 2 = (nI B )

(12.56)

La (12.56) mostra che il prodotto delle due correnti su Q1 e Q2 sar costante e pari a (nI B )2 . In condizioni di
polarizzazione, quando cio si pu supporre iC1 = iC 2 = I Q , la (12.56) diventa:

I Q = nI B

(12.57)

Mentre la (12.56) d informazioni sulle iC , la (12.57) mostra la dipendenza della I Q dalla I B e fa vedere che tale
corrente, sotto le condizioni dettate dalla (12.55), controllata mediante il rapporto daree dello pseudo-specchio
costituito da Q3 e Q4. Fintanto che i segnali applicati hanno piccole escursioni, possibile fare unanalisi di piccolo segnale
secondo il modello semplificato di fig. 12.18.
1/gm4
Q2
vo

vi
1/gm3
ri

Q1

ro

RL

Modello equivalente per piccolo segnale del circuito di fig. 12.17

Fig. 12.18

Dallanalisi del circuito si scopre che, per piccoli segnali, lamplificatore in classe AB si comporta da inseguitore, con
resistenze dingresso e duscita approssimativamente pari a:

ri =

r 1, 2

2
1
ro =
g m1, 2

1 + 2
RL
2

(12.58)
(12.59)

Al crescere del segnale, e quindi delle correnti, dovendo valere la (12.56), uno dei due transistori andr a spegnersi;
se, ad esempio, accade che iC 2 >> iC1 , vorr dire che iC1 0 e che, quindi, Q1 si spegner.
Nel momento in cui lavorer un solo transistore, si ritorner al funzionamento tipico del classe B, con una
caratteristica ingresso-uscita di tipo logaritmico:

v I = v O + v BE 2 v BE 4

(12.60)

che, sostituendo lespressione di v BE 2 diventa:

v I = v O + VT ln

vO R L
v BE 4 pol
I ES 2

(12.61)

dove a v BE 4 stato sostituito v BE 4 pol per il fatto che la corrente su Q4 si pu, con buona approssimazione, ritenere costante
e pari al valore di polarizzazione. Le considerazioni fatte sono espresse graficamente nella fig. 12.19.

XII - 14

Stadi di uscita

vO
~VCC-|vCE SAT|-vBE2
F2IB2RL
VEE+vCE SAT+vEB3
VCC-|vCE SAT|-vBE4

vI

F1IB1RL
VEE+vCE SAT+vEB1

Fig. 12.19

Transcaratteristica del finale in classe AB (versione bipolare)

Dalla fig. 12.19 si nota essenzialmente la differenza con lo stadio in classe B, nel quale per piccoli segnali si andava
incontro alla distorsione di cross-over dovuta alla presenza della zona morta: adesso, al contrario, per piccoli segnali il
finale lavorer con la massima linearit, grazie al fatto che entrambi i transistori sono attivi.
Questo miglioramento rispetto alla classe B si paga in termini di maggiore complessit (ma in fondo non un grosso
problema), e soprattutto di riduzione dellefficienza (si passa dal massimo teorico del 78% dello stadio in classe B al 50%
per il classe AB) a causa di una dissipazione in continua.
Anche adesso la massima corrente erogabile in uscita dipender, per come sono fatte le cose, dalla I B , come si pu
vedere da una rapida analisi del circuito. Si capisce quindi che la massima tensione in uscita sar limitata dal valore di tale
corrente nel caso in cui la R L sia sufficientemente bassa (fig. 12.19).Per migliorare questo stadio si pu sostituire un
generatore di corrente costante con un emettitore comune (fig. 12.20).
VCC

VCC

IB1

IB1

Q4

Q4

Q1

Q1

vO

Q3

Q2

vO

Q3

RL

vI

RL

vI
Q5

Q5

VEE

Fig. 12.20

Q2

VEE

Classe AB migliorato con emettitore comune NPN

Fig. 12.21

Classe AB migliorato con collettore comune PNP

Verso il basso provvede Q5 a fornire corrente, in questo modo Q2, che un PNP, non ha limiti di corrente, mentre Q1
rimane limitato dalla polarizzazione. Si poteva mettere un emettitore comune PNP verso lalto ma sarebbe stato
avvantaggiato Q1 piuttosto che Q2. Una soluzione analoga a questa si pu ottenere con un collettore comune (fig. 12.21), si
ripetono le considerazioni fatte.

XII - 15

Stadi di uscita

12.4.2 Realizzazione in tecnologia CMOS

Lo stadio AB si pu realizzare secondo il circuito di fig. 12.22. Dallanalisi per piccolo segnale si scopre che, anche
ora, luscita insegue lingresso; per segnale pi ampio vi una dipendenza di tipo radice quadrata. La transcaratteristica
tracciata nella fig. 12.23.
VDD

vO

IB1

VDD-|vDS SAT|-vGS2 MAX

M4

M1

vI

vO

M3

M2

VSS+vDS
VDD-|vDS SAT|-vGS4

vI

RL

VSS+vDS SAT+vGS1

IB2

VSS

Fig. 12.22

Circuito per un finale in classe AB

Fig. 12.23

Transcaratteristica del finale in classe AB

Stavolta le correnti su M3 ed M4 sono rigorosamente costanti dato che non vi corrente sui gate di M1 e M2; ci
comporta per piccolo e grande segnale:

v SG1 + v GS 2 = costante

(12.62)

La corrente massima non pi legata alla corrente di polarizzazione, ma alla massima v GS che si riesce a sviluppare,
quindi come nel classe B. Ripercorrendo gli stessi passi segnati dalle (12.46), (12.47) e (12.48) ci si calcola il rapporto
(W L ) sulla base della massima corrente desiderata in uscita. Si pu dimostrare che

I Q = nI B

(12.63)

dove:

W
n=
L 2

W W
=
L 4 L 1

W

L 3

(12.57)

In realt gli stadi in classe AB non vengono realizzati in questo modo perch, da uno studio della dinamica si scopre
che essi, cos come sono implementati, sono inutilizzabili a basse tensioni. Valendo infatti la (12.47), si vede subito che, ad
esempio, con una tensione di alimentazione pari a 1.5V , se si vogliono sviluppare almeno 0.5V sulluscita, bisogna
lavorare con una v GS 2 max = 0.3V che addirittura minore della tensione soglia!
Si va allora verso altre soluzioni ancora in fase di studio, che permettono di avere le caratteristiche suddette di
dinamica con le tensioni considerate. La difficolt di progettazione di questi stadi a bassa tensione sta nel controllo della
corrente di uscita.

12.5 Protezione dai cortocircuiti

Negli stadi di uscita, soprattutto in quelli degli amplificatori operazionali di uso generale, si trovano i circuiti di
protezione dai cortocircuiti. Il problema dei cortocircuiti si pone quando la corrente pu essere non limitata (ad es. a quella
di polarizzazione) per motivi di progetto.

XII - 16

Stadi di uscita

In tal caso necessaria una circuiteria di contorno allamplificatore finale vero e proprio al fine di evitare che, in caso
di cortocircuito accidentale, i transistori stessi possano finire collerogare troppa corrente, rovinandosi in maniera
irreversibile. Un tipico circuito di protezione mostrato nella figura seguente:
VCC
Q6
VB
Q4

Q2
Q8

vI

RX2

RX1

RX2

RX1

vO
RL

Q7
VA

Q3

Q1

Q5
VEE
Fig. 12.18

Circuito di protezione dai cortocircuiti

Quello nella fig. 12.18 uno stadio in classe AB senza limitazioni in corrente. Le resistenze R X sono piccole in modo
da non disturbare il funzionamento del circuito (ad es. 25 ), e stanno tra loro nel rapporto R X 2 = (I Q I B ) R X 1 per far s
che analizzando la maglia le cadute si semplifichino. Sotto queste ipotesi, se Q7 spento vale la (12.56).
Se la corrente supera un certo limite fissato, la caduta sulle R X 1 tale da polarizzare Q7 (o Q8) che entra in
conduzione e blocca la corrente su Q1 (o Q2). Le resistenze R X verranno dimensionate per la corrente di intervento.

12.6 Conclusioni
Gli amplificatori con stadio di uscita non vengono quasi mai usati nei circuiti integrati, la loro presenza deve essere
giustificata da esigenze ben precise. Normalmente infatti i carichi presenti allinterno dei circuiti integrati sono molto
grandi per cui lesigenza di erogare potenza nasce solo nel momento in cui ci si interfaccia verso lesterno.
Gli stadi di uscita sono da evitare perch degradano le prestazioni in termini di risposta in frequenza, dissipazione,
distorsione, area di silicio occupata.
In genere in un circuito integrato si realizzano uno o al pi due stadi di uscita.

XII - 17