CORSO DI LAUREA IN INGEGNERIA ELETTRONICA

PROVA SCRITTA DI ELETTRONICA I

25/02/2016

ORDINAMENTO: DM270 E DM509

ORDINAMENTO DELLO STUDENTE: □ DM270 □ DM509

Il sottoscritto ……………………………………….………………., consapevole che le dichiarazioni

mendaci sono punite ai sensi del codice penale e delle leggi speciali in materia,
DICHIARA, SOTTO LA PROPRIA RESPONSABILITA’ DI AVERE SUPERATO GLI ESAMI
DI ELETTROTECNICA E FISICA I.
FIRMA

…………………………………………

N.B. Per la brutta è possibile utilizzare il retro dei fogli

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Cognome ………….……….…………… Nome…………………………………… Matr…………………………

Si prega di utilizzare una scrittura chiara, ogni parola illeggibile sarà contata come
errore

All’aumentare della tensione inversa applicata, la regione di svuotamento di una giunzione PN:
A aumenta la sua conducibilità
B aumenta le sue dimensioni
C diminuisce le sue dimensioni
D aumenta la capacità ad essa associata
Il drogaggio di un materiale semiconduttore determina:
A l’aumento del coefficiente di diffusione
B l’aumento dei portatori minoritari
C l’aumento della mobilità
D l’aumento della conducibilità
Un forno elettrico, in funzionamento costante, assorbe 2000 Whr in 50 minuti. Quanta energia,
espressa in J, assorbe in un minuto? Quanto vale la potenza erogata al forno?

E= 2000/50 = 40 Whr/min = 40 * 3600 = 144.000 J in un minuto

P = 144.000 J/ 60 s = 2.400 W

L’efficienza di emettitore di un BJT NPN:

A determina il fattore di trasporto del transistore
B coincide con il guadagno di corrente del BJT ad emettitore comune
C è determinata dal rapporto fra la corrente di elettroni iniettata nella base e la IE
D è determinata dal rapporto fra la corrente di elettroni iniettata nel collettore e la IE
In un BJT polarizzato in regione attiva diretta con un βDC di 250 e una corrente di base, IB, di 20
µA, la corrente di collettore, IC, è pari a:
A 5 nA
B 0,5 mA
C 5 mA (5000 uA)
D 0,5 A

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Si prega di utilizzare una scrittura chiara, ogni parola illeggibile sarà contata come
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Per il circuito di figura, utilizzando il grafico fornito, disegnare la retta di carico (ricordate che la
metodologia è la stessa di quella adottata nel caso del diodo)e individuare il punto di lavoro (VGSQ,
VDSQ, IDSQ) del MOSFET. In quale regione di funzionamento lavora il transistore?

R1

6,8k

J1 V1

4V

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VDS+R1 IDS = 4

VDS = 0 IDS = 4/R1 = 0,588 mA

IDS = 0 VDS = 4

VGS = 4

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Su un diodo al Si in polarizzazione diretta (Vγ=0,7 V) viene dissipata un’energia di 9

nJ in 7 microsecondi. Determinare la corrente che fluisce nel diodo e la potenza che
esso assorbe.

VD 0,7 V

E 9 nJ --> 9,00E-09 J

t 7 us --> 7,00E-06 s

P=E/t 1,29E-03 W

I=P/V 1,84E-03 A

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Con riferimento al circuito che segue, si verifichi la modalità di funzionamento dei

diodi D1, D2 adoperando il modello equivalente a caduta costante (V γ=0.6 V).
Completare la tabella con i valori delle correnti che eventualmente attraversano i
diodi.

D1=ON, D2=ON

ID1 ID2
1,4 mA 2 mA

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Modellando il diodo come un interruttore ideale completare la tabella con i dati richiesti.

VA

VA

CIRCUITO N.RO 1
ID1 ID2 VA
1 mA 0 10 V

CIRCUITO N.RO 2
ID1 ID2 VA
6 mA 0 6V

a) suppongo D1 on e D2 off: b) suppongo D1 on e D2 off

id1=15V/15k=1mA >0 ok Id1=6mA >0 ok
Vd2=5V-10V = -5V <0 ok Vd2=3V-6V=-3V<0 ok

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vD
Partendo dall' equazione iD ≈ I s [ exp ( )]ricavare il modello a " piccoli segnali" del diodo
VT

(v D
i D ≈ I s [ exp ( )]
VT
VD v v
i D = I s [ exp ( ) • exp ( d )] = I D • exp ( d )
VT VT VT

vd vd
vd << VT ⇒ exp ( ) ≈ 1+
VT VT
vd I D vd vd
iD = I D • (1 + ) = I D + = ID +
VT VT rd

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Per il circuito in figura, nell’ipotesi di amplificatore operazionale ideale, si determini il valore

della tensione di uscita Vout.

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Si determini lo schema di un circuito basato su amplificatore operazionale (ideale) che implementi

la media aritmetica di 4 segnali di tensione:

Vout = -(V1+V2+V3+V4)/4

Si supponga di avere a disposizione un insieme di resistori con valore 1K,2K,3K…10K.

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