37063 – Fondamenti di Elettronica

per l’Automazione - A.A. 2021-2022

Moduli 1 e 2

Amplificatori quasi-lineari
Linearizzazione di bipoli (diodi, condensatori)
e quadripoli (BJT e MOSFET)

Alberto Santarelli
 Sommario

• Linearizzazione di un bipolo non lineare

• Diodi e condensatori non lineari
• Linearizzazione di quadripoli (BJT e MOSFET)
• Analisi dinamica semplificata dello stadio elementare BJT EC
• Degenerazione di Emettitore e Capacità di Bypass

A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 2

 Linearizzazione di un bipolo non lineare
• Supponiamo di voler linearizzare un bipolo non lineare
(es. diodo) descritto dalla relazione statica 𝐼 = 𝐹 𝑉
• Linearizziamo la caratteristica attorno ad un punto 𝑄,
appartenente alla caratteristica 𝐹, ovvero tale che:
𝐼=𝐹 𝑉
𝑄 è un punto
della caratteristica 𝐼! = 𝐹 𝑉!

𝑑𝐹 trascuro tutti i
𝐼 = 𝐹 𝑉 ≃ 𝐹 𝑉! + ( 𝑉 − 𝑉! termini superiori
𝑑𝑉 ! al primo

𝐼! 𝑔 𝑣 𝑑𝐹
𝑔= (
𝑑𝑉 !
• Ricordando che per piccoli segnali 𝑉! = 𝑉" , 𝐼! = 𝐼" :
CONDUTTANZA
𝑖 = 𝐼 − 𝐼! = 𝐼 − 𝐼# = 𝑔 𝑣 DIFFERENZIALE
DEL BIPOLO

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 Bipolo equivalente alle variazioni

𝑖 𝑡 = 𝐼 𝑡 − 𝐼"
𝑣 𝑡 = 𝑉 𝑡 − 𝑉"

• Il bipolo ha come equivalente

linearizzato un resistore
differenziale 𝑟 = 1⁄𝑔
(fortemente dipendente da 𝑄)
• La descrizione statica si
presta a predire il
comportamento dinamico in 𝑖 𝑡 =𝑔𝑣 𝑡
condizioni quasi-statiche
(ovvero per freq. suffic. basse)
A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 4
 Equazione esponenziale di un diodo
• Sappiamo che la caratteristica statica di un diodo viene rappresentata
(a parte la regione di BD) da una equazione esponenziale:

𝐼 = 𝐼' 𝑒 &⁄&" − 1 =̇ 𝐹 𝑉
• Sappiamo anche che per funzionare in FWD il diodo deve essere
polarizzato in un punto 𝑄, tale che:

𝐼! = 𝐹 𝑉! > 0

e che nell’ipotesi di funzionamento dinamico a piccoli segnali:

𝑉" = 𝑉! 𝐼! = 𝐼" = 𝐹 𝑉"

• Osserviamo che basta avere 𝑉" > 3 ÷ 4 𝑉$ affinchè 𝑒 &!⁄&" ≫ 1 e

quindi:
𝐼" ≃ 𝐼' 𝑒 &!⁄&"

A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 5

 Linearizzazione della equazione exp.
• Ora linearizziamo la caratteristica esponenziale:
𝑑𝐹
𝐼 ≃ 𝐹 𝑉" + ( 𝑉 − 𝑉" ≡ 𝑖 =𝑔⋅𝑣
𝑑𝑉 !

• Calcolo la conduttanza differenziale 𝑔 = 𝑑𝐹 ⁄𝑑𝑉 ! pensando

che 𝑄 appartenga al ramo verticale della caratteristica

𝑑 𝐼 𝑒 & ⁄&" 𝐼 𝑒 &!⁄&" 𝐼"

& ⁄&" ' '
𝑔= 𝐼𝑒 ( = : = =
𝑑𝑉 ' !
𝑉 $ 𝑉 $ 𝑉$
!

• Quindi in conclusione, la conduttanza

differenziale di un diodo nel punto 𝑄, vale:
𝐼" 𝐼!
𝑔= =
𝑉$ 𝑉$ 𝑉

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 Condensatore non lineare
• Consideriamo ora il caso di un condensatore
non lineare e linearizziamo la caratteristica
nell’intorno di un punto 𝑄 tale che 𝑄! = 𝑄 𝑉! 𝑄=𝑄 𝑉 =𝐹 𝑉
• Se intendiamo operare ai piccoli segnali
sappiamo che 𝑉! = 𝑉" , quindi 𝑄! = 𝑄" = 𝑄 𝑉"
𝑑𝑄
𝑄 ≃ 𝑄" + ( 𝑉 − 𝑉" ≡ 𝑞 ≃ 𝐶" ⋅ 𝑣
𝑑𝑉 !
Lineariz.

dove 𝑞 = 𝑄 − 𝑄" e inoltre:

𝑑𝑄 𝑄
𝐶" = ( = 𝐶 𝑉 ? = 𝐶 𝑉"
𝑑𝑉 ! !

• La corrente che scorre nel

condensatore equivalente 𝑑𝑞 𝑡 𝑑𝑣 𝑡
alle variazioni (𝐶" ) vale quindi: 𝑖 𝑡 = = 𝐶"
𝑑𝑡 𝑑𝑡
A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 7
 Modello lineare dinamico del diodo
• A partire dal modello non lineare
dinamico del diodo e linearizzando
le equazioni (KVL e KCL) del circuito
si ottiene il modello lineare dinamico
valido in regime di piccoli segnali
Lin
ea
riz
.

• Il resistore 𝑅' non necessita di

linearizzazione…
• Dato che le KVL e le KCL sono
lineari è possibile ottenere il
circuito linearizzato sostituendo ad
ogni bipolo il suo equivalente alle
variazioni
MODELLO DINAMICO LINEARE
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 Generatore indipendente di tensione DC
• Generatore ideale di tensione (DC)
e.g. batteria ideale, PSU ideale

𝑣 𝑡 = 𝑉 𝑡 − 𝑉" = 0

∀ 𝑖 𝑡 = 𝐼 𝑡 − 𝐼"

≡ cortocircuito 𝑉 = 𝑉" = 𝑐𝑜𝑠𝑡 ∀𝐼

Esempi
DC

AC

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 Generatore indipendente di corrente DC
• Generatore ideale di corrente (DC)

𝐼 = 𝐼" = 𝑐𝑜𝑠𝑡 ∀𝑉

i 𝑡 = 𝐼 𝑡 − 𝐼" = 0

∀ 𝑣 𝑡 = 𝑉 𝑡 − 𝑉"

≡ circuito aperto

A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 10

 BJT
• Si è visto che le caratteristiche statiche ad Emettitore Comune del
BJT si possono esprimere come relazioni analitiche del tipo:

+ effetto Early
𝐼( = 𝐼( 𝑉() ; 𝑉*) (input) 𝐼( ≃ 𝐼(' 𝑒 &#$⁄&" che introduce
in RAD:
𝐼* ≃ 𝛽+ 𝐼( dipendenza di
𝐼* = 𝐼* 𝑉*) ; 𝐼( (output) 𝐼! da 𝑉!" …

• Linearizzazione in due dimensioni attorno ad un punto 𝑄 in RAD, t.c.:

(valori in 𝑄 di tensioni e
𝐼(," = 𝐼( 𝑉()," ; 𝑉*)," ; 𝐼*," = 𝐼* 𝑉*)," ; 𝐼(," correnti = valori medi)

≃ 0 𝑖𝑛 𝑅𝐴𝐷
𝜕𝐼( 𝜕𝐼(
𝐼( = 𝐼(," + ( 𝑉() − 𝑉()," + ( 𝑉*) − 𝑉*),"
𝜕𝑉() ! 𝜕𝑉*) !

𝜕𝐼* 𝜕𝐼*
𝐼* = 𝐼*," + ( 𝑉 − 𝑉*)," + ( 𝐼 − 𝐼(,"
𝜕𝑉*) ! *) 𝜕𝐼( ! (

A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 11

 Modello linearizzato del BJT
• Usando il modello statico per predire il comportamento dinamico
(lente variazioni), e considerato che:

𝑣() = 𝑉() − 𝑉()," ; 𝑖( = 𝐼( − 𝐼(," ; 𝑣*) = 𝑉*) − 𝑉*)," ; 𝑖* = 𝐼* − 𝐼*," ;

si conclude che:
𝜕𝐼(
𝑔() = (
𝑖( = 𝑔() ⋅ 𝑣() 𝜕𝑉() !
dove si
è posto: 𝜕𝐼* 𝜕𝐼*
𝑖* = 𝑔*) ⋅ 𝑣*) + 𝛽" ⋅ 𝑖(
𝑔*) = ( 𝛽" = (
𝜕𝑉*) ! 𝜕𝐼( !

• La derivata 𝜕𝐼* ⁄𝜕𝐼( ! potrebbe risultare diversa da 𝛽+ anche in

presenza di lente variazioni. Per questo
motivo si usa in genere il simbolo 𝛽" e non 𝛽+ .
Poiché 𝐼*! ⁄𝐼(! = 𝛽+ 𝐼*! la derivata
può risultare funzione di 𝑄.
A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 12
 Guadagno di corrente statico 𝛽!
• Il guadagno statico di corrente del BJT 𝛽+ varia a seconda del livello di
corrente 𝐼*! richiesto al transistore
• Per alte 𝐼*! il 𝛽+ diminuisce in seguito ad un calo di 𝛼- (alte iniezioni)
• Per piccole 𝐼*! diminuisce in seguito ad un aumento di 𝐼(! (extra
corrente 𝐼( dovuta a generazione di portatori nella RCS della J-E

https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/p2n2222a-d.pdf
A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 13
 Parametri differenziali del BJT
• Oltre al 𝛽" , si sono trovati altri due parametri fondamentali che
servono a descrivere il comportamento dinamico lineare del BJT

𝜕𝐼( 1 𝐼(! 𝐼*!

𝑔() = ( = con: 𝑔() = =
𝜕𝑉() ! 𝑟() 𝑉$ 𝛽+ 𝑉$

è la resistenza differenziale del diodo

in FWD descritto da 𝐼( ≃ 𝐼(' 𝑒 &#$⁄&"

𝜕𝐼* 1 𝐼*!
𝑔*) = ( = con: 𝑔*) =
𝜕𝑉*) ! 𝑟*) 𝑉*)! + 𝑉.

è la pendenza delle caratteristiche

di uscita nel punto 𝑄

• Tutti i parametri differenziali

dipendono fortemente da 𝑄 −
A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 14
 Circuito equivalente lineare del BJT
(senza memoria, valido in centro banda)

• Le equazioni linearizzate descrivono il seguente circuito equivalente

linearizzato senza memoria del BJT (circuito a tre parametri)

• Qualora si approssimassero le caratteristiche di uscita con pendenza

nulla (ovvero si trascurasse l’effetto Early) si avrebbe 𝑔*) → 0,
ovvero 𝑟*) → ∞, e il resistore di uscita 𝑟*) potrebbe essere omesso
(circuito equivalente a due parametri)
A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 15
 Notazione ibrida per descrivere il BJT
• La notazione ibrida per descrivere reti lineari a due porte

𝑉/̇ 𝑓 𝐻̇ 1 𝑓 𝐻̇ 2 𝑓 𝐼/̇ 𝑓 ben si adatta a descrivere il

= ̇ comportamento del BJT in RAD.
𝐼0̇ 𝑓 𝐻3 𝑓 𝐻̇ # 𝑓 𝑉̇0 𝑓
Infatti, in centro banda:

𝑣() 𝑡 = 𝑟() ⋅ 𝑖( 𝑡 𝑣() 𝑡 𝑟() 0 𝑖( 𝑡

=
𝑖* 𝑡 𝛽" 𝑔*) 𝑣*) 𝑡
𝑖* 𝑡 = 𝑔*) ⋅ 𝑣*) 𝑡 + 𝛽" ⋅ 𝑖( 𝑡

• Per questo motivo spesso nei documenti tecnici i parametri dei BJT
vengono alternativamente indicati con i simboli della matrice ibrida
aggiungendo il pedice ’’𝑒’’ a significare Emettitore Comune
ℎ14 ≡ 𝑟() Talvolta inoltre:
ℎ14 0 𝑟() 0
= ℎ34 ≡ 𝛽" 𝛽+ ≡ 𝛽5* ≡ ℎ+)
ℎ34 ℎ#4 𝛽" 𝑔*)
ℎ#4 ≡ 𝑔#4 𝛽" ≡ 𝛽.*
A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 16
 Modello lineare dinamico del BJT
• Qualora si operasse la linearizzazione del modello del BJT in
presenza effetti di memoria (regime High Frequency)

• Dei due effetti reattivi 𝐶() e 𝐶(* , il primo risulta prevalente, essendo
associato alla J-E in FWD
• Gli effetti reattivi di tipo parallelo (anche l’effetto della capacità 𝐶(*
potrebbe essere equivalentemente rappresentato in parallelo alle
porte di ingresso e di uscita - effetto Miller) determinano una risposta
in frequenza di tipo passa basso del transistore
A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 17
 Circuito lineare del MOSFET
(senza memoria, valido in centro banda)

• Il MOSFET non assorbe corrente dalla porta di ingresso in condizioni

quasi-statiche ed è controllato in tensione ad entrambe le porte
Lineariz.
𝐼5 = 𝐼5 𝑉6' , 𝑉5' 𝑖5 = 𝑔7 𝑣6' + 𝑔5' 𝑣5'
𝑄 ∈ SAT
𝜕𝐼5 𝜕𝐼5 1
con: 𝑔7 = ( 𝑔5' = ( =
𝜕𝑉6' ! 𝜕𝑉5' ! 𝑟5'

TRANS-CONDUTTANZA CONDUTTANZA DI USCITA

𝛽8 0
𝐼5 = 𝑉6' − 𝑉$8 (SAT)
2

𝑔7 = 𝛽8 𝑉6' − 𝑉$8 ? =
!

= 2𝛽8 𝐼5!
A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 18
 Variante del circuito lineare del BJT
• E’ interessante osservare, che anche il circuito linearizzato del
BJT potrebbe essere descritto in termini di trans-conduttanza
anziché di conduttanza 𝑔()
• Infatti, la legge di controllo del generatore pilotato di corrente
può essere modificata come segue:

𝛽" 𝑖( = 𝛽" 𝑔() 𝑣() = 𝑔7 𝑣()

dove si è posto 𝑔7 = 𝛽" 𝑔() . Pertanto il circuito a tre parametri

del BJT può alternativamente essere disegnato come:

Topologigamente,
l’unica differenza
rispetto al circuito
del MOSFET è la
presenza della 𝑟#"

A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 19

 Ancora sullo stadio elementare BJT-EC
• Riprendiamo lo stadio
elementare BJT ad Emettitore
Comune. Mettiamo in evidenza
esplicitamente la porta di
uscita di segnale
• Si distinguono ora due resistori
𝑅* ed 𝑅9 . Se 𝑅9 non
presentasse valore molto
elevato, si avrebbe un
assorbimento di corrente DC non desiderato dalla batteria.

• Questo schema è infatti accoppiato in DC. Presenta anche lo

svantaggio di avere tensioni I/O con valor medio diverso da zero.
Viene quindi più spesso usato con accoppiamento AC (condensatori
in serie sia in ingresso che uscita). Ai fini della analisi AC ai piccoli
segnali in centro banda, le due versioni sono però molto simili
A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 20
 Analisi AC in centro banda
dello stadio BJT-EC
• Si supponga di conoscere il punto 𝑄 (𝑉()! , 𝐼(! , 𝑉*)! , 𝐼*! )
• Linearizziamo nell’intorno di Q per ottenere il circuito equivalente
alle variazioni dello stadio elementare nell’ipotesi di funzionamento
ai piccoli segnali in centro banda
• Il generatore di segnale 𝑣' 𝑡 rimane inalterato nel circuito alle
variazioni e così pure i componenti lineari (𝑅( , 𝑅* , 𝑅9 )

A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 21

 Calcolo dei parametri di rete
in centro banda
• Resistenza di ingresso

𝑣1 Lo stadio elementare BJT-EC in centro

𝑅1 = ( = 𝑟() banda ha resistenza di ingresso che non
𝑖1 :
% dipende dalla resistenza di carico 𝑅9

• Resistenza di uscita

𝑣# Se 𝑣' = 0, nella maglia di ingresso non

𝑅# = ( esistono più generatori à 𝑣1 = 0, 𝑖1 = 0.
𝑖# ;&<"
;'<=:#1' à Nella sezione di uscita, 𝛽" 𝑖1 = 0 (ca)

𝑣#
⇒ 𝑅" = = 𝑟*) // 𝑅*
𝑖#

A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 22

 Calcolo dei parametri di rete
in centro banda
• Qualche considerazione In merito ai valori che 𝐼(
possono essere assunti da questi parametri…
– sappiamo che 𝑟() = 1⁄𝑔() , con 𝑔() pendenza
della caratteristica di ingresso in FWD. Essendo
la caratteristica piuttosto pendente, 𝑟() sarà 𝑉()
una resistenza modesta, dell’ordine delle
decine/centinaia di Ω (troppo piccola per un V-
AMP, troppo grande per un I-AMP)
– se le caratteristiche di uscita fossero «piatte» si
avrebbe 𝑔*) = 1⁄𝑟*) = 0. Nella realtà la
pendenza è finita ma modesta à 𝑟*) sarà
elevata (e.g. decine/centinaia di 𝑘Ω) à se ad
esempio si avesse una 𝑅* dell’ordine dei 100Ω,
𝑅* prevarrebbe nel parallelo (troppo grande per
un V-AMP, troppo piccola per un I-AMP)
A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 23
 Calcolo dei parametri di rete
in centro banda
• Guadagno di tensione
Infatti, osservando che nel parallelo con
𝑣# 𝑟*) ed 𝑅* , 𝑅9 può essere trascurata, vale:
𝐴>?
; = ( ≃ −𝑔7 𝑅*
𝑣1 :
%→A 𝑣# = −𝛽" 𝑖1 𝑟*) //𝑅* Inoltre:
𝑣# 𝛽"
𝑖1 = 𝑣1 ⁄𝑟() e 𝑟*) //𝑅* ≃ 𝑅* quindi: ( ≃− 𝑅 = −𝑔7 𝑅*
𝑣1 : 𝑟() *
%→A

• Guadagno di corrente
𝑖# Infatti, poiché 𝑅9 = 0 ne segue che il
𝐴>>
1 = ( ≃ 𝛽" generatore di corrente 𝛽" 𝑖1 è
𝑖1 : cortocircuitato, dunque:
%<"

𝑖#
⇒ ( = 𝛽"
𝑖1 :
%<"

A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 24

 Calcolo dei parametri di rete
in centro banda
• In merito ai valori del guadagno di tensione e di corrente dello
stadio BJT - EC:
– Si è visto che la resistenza di polarizzazione 𝑅* non può
essere molto alta (es. decine/centinaia Ω per garantire caduta
di tensione su 𝑅* compatibile con la tensione di batteria e la
𝑉*)! …) ⇒ circa dello stesso ordine di grandezza di 𝑟()

se 𝛽" ≃ 100 ⇒ A>?

B ≃ − 𝛽" 𝑅* ⁄𝑟() ≃ −100

– Inoltre, sempre se 𝛽" ≃ 100 allora 𝐴>>

1 ≃ 100

A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 25

 Degenerazione di Emettitore
• Spesso si modifica lo stadio ad EC
come in figura (𝑅) in serie ad 𝐸) per
migliorare la stabilità della polarizzazione
nei confronti della dispersione
di processo (variazioni tra un
esemplare e l’altro dei compo-
nenti elettronici)
• Si vuole studiare l’effetto della
resistenza 𝑅) sul guadagno
in centro banda
• Ridisegniamo il circuito equivalente
alle variazioni e ripetiamo il
calcolo del guadagno di tensione
• Per semplicità supponiamo
che 𝑟*) → ∞

A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 26

 Calcolo del Guadagno di Tensione (con 𝑅" )
• Calcolo dapprima la resistenza di ingresso (per ora 𝑅9 qualunque)

𝑣1
𝑣1 = 𝑟() 𝑖1 + 𝑅) 𝛽" + 1 𝑖1 ⇒ 𝑅1 = ( = 𝑟() + 𝑅) 𝛽" + 1
𝑖1 :
%

• Supponiamo 𝑅9 → ∞ (ca) e calcoliamo il guadagno di tensione a vuoto

𝛽" 𝑅*
𝑣# = −𝛽" 𝑖1 𝑅* //𝑅9 = −𝛽" 𝑖1 𝑅* = − 𝑣
𝑟() + +𝑅) 𝛽" + 1 1
𝑖1 = 𝑣1 ⁄𝑅1

𝑣# 𝛽" 𝑅* • coerente con 𝐴"#

! calco-
𝐴>?
; = ( =− lato prima se 𝑅$ → 0
𝑣1 : 𝑟() + 𝑅) 𝛽" + 1 • Altrimenti à degenerazione
%→A
del guadagno

A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 27

 Guadagno di Tensione con 𝑅"
Si osserva che:

• 𝑅) ed 𝑅* non possono essere troppo diverse tra loro (≃ stessa

corrente, cadute di tensione paragonabili)
• Quindi:
𝑅) ≃ 𝑅* ≃ 𝑟() qualche decina/centinaia Ω
• Ne segue che, al denominatore del guadagno:

𝑟() ≪ 𝑅) 𝛽" + 1

ovvero che:
In presenza della resistenza 𝑅$ il guadagno di
𝑅* tensione dello stadio elementare BJT EC,
𝐴>?
; ≃− degenera circa al rapporto delle resistenze di
𝑅)
Collettore ed Emettitore (max. qualche unità…)

A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 28

 Capacità di Bypass
• Come vedremo, l’effetto della degenerazione può essere
sfruttato per scopi particolari (vedi amplificatori differenziali)
• Altre volte, esso è indesiderato. In questi casi, un modo per
ovviare al problema è di inserire un condensatore (𝐶( ) in
parallelo (Bypass) al resistore 𝑅)
• Il condensatore deve fornire 𝐶# non
influisce
un percorso preferenziale per le sul bias !
componenti alternate della corrente
di Emettitore verso massa a tutte le
frequenze appartenenti alla banda
dei segnali. Di fatto 𝐶( crea un corto-
circuito in AC, riportando il guadagno
di tensione al valore dello stadio BJT EC senza degenerazione
1 1
Occorre: 𝑋*# = ≫ 𝑅) ovvero: 𝐶( ≫ ∀𝑓 ∈ 𝐵
2𝜋𝑓𝐶( 2𝜋𝑓𝑅)

A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 29

 Stadio BJT EC con accoppiamento AC
• Attenzione. Se 𝑓 → 0 𝐶( → ∞… la soluzione funziona solo con
segnali con spettro passa banda. Adottando un accoppiamento AC
lo stadio elementare BJT EC potrebbe diventare:

A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 30

 Suggerimenti per l’analisi dello stadio
• Analizzeremo questo circuito in una esercitazione CAD
• Si noti che in condizioni DC, la rete di polarizzazione diventa
costituita dai quattro resistori 𝑅/ , 𝑅0 , 𝑅* , 𝑅) . Applicando il
teorema di Thevenin:

𝑅/ 𝑅0
𝑅( = 𝑅/ //𝑅0 =
𝑅/ + 𝑅0

𝑅0
𝑉4C = 𝑉
𝑅/ + 𝑅0 **

• In condizioni AC, i condensatori 𝐶1 , 𝐶# e 𝐶( possono essere

considerati come cortocircuiti ∀𝑓 ∈ 𝐵

A. Santarelli – Fondamenti di Elettronica per l’Automazione 31