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POLITECNICO DI MILANO

Dipartimento di Meccanica

Le Valvole e i Convertitori
Marco Mauri

1
Indice

1 CONDUZIONE ELETTRICA 3

1.1 CONDUTTORI METALLICI 3


1.2 SEMICONDUTTORI 4

2 VALVOLE 7

2.1 DIODI 7
2.1.1 CONVENZIONI E SIMBOLOGIA 7
2.1.2 CARATTERISTICHE ESTERNE 7
2.1.3 PARAMETRI CARATTERISTICI 8
2.2 TIRISTORI (SCR – SILICON CONTROLLED RECTIFER O DIODI CONTROLLATI) 8
2.2.1 CONVENZIONI E SIMBOLOGIA 8
2.2.2 CARATTERISTICHE ESTERNE 8
2.2.3 PARAMETRI CARATTERISTICI 9
2.3 GTO (GATE TURN-OFF THYRISTOR) 9
2.3.1 CONVENZIONI E SIMBOLOGIA 9
2.3.2 CARATTERISTICHE ESTERNE 9
2.3.3 PARAMETRI CARATTERISTICI 10
2.4 TRANSISTORI BIPOLARI (BJT – BIPOLAR JUNCION TRANSISTOR) 10
2.4.1 CONVENZIONI E SIMBOLOGIA 10
2.4.2 CARATTERISTICHE ESTERNE 11
2.4.3 PARAMETRI CARATTERISTICI 11
2.5 TRANSISTORI MOSFET (METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR) 11
2.5.1 CONVENZIONI E SIMBOLOGIA 12
2.5.2 CARATTERISTICHE ESTERNE 12
2.5.3 PARAMETRI CARATTERISTICI 12
2.6 TRANSISTORI IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR) 13
2.6.1 CONVENZIONI E SIMBOLOGIA 13
2.6.2 CARATTERISTICHE ESTERNE 13
2.6.3 PARAMETRI CARATTERISTICI 13
2.7 RIEPILOGO 13

3 CONVERTITORI 14

3.1 CONVERTITORI C.A. – C.C (CIRCUITI DI RADDRIZZAMENTO) 14


3.1.1 CIRCUITO MONOFASE A SEMPLICE SEMIONDA 14
3.1.2 CIRCUITO MONOFASE A PONTE 15
3.1.3 CIRCUITO A PONTE TRIFASE 16
3.1.4 CIRCUITI CONTROLLATI 18
3.2 CONVERTITORI C.C – C.C. (CHOPPER O FRAZIONATORI) 19
3.3 CONVERTITORI C.C. – C.A. (INVERTER) 20

2
1 Conduzione elettrica
Il fenomeno della conduzione avviene nei vari materiali in modi diversi:
• Nel vuoto avremo conduzione solo nel caso in cui ci siano elettroni liberi disponibili a
trasportare la carica sotto l’azione di un campo applicato.
• In un gas ionizzato, sia gli ioni positivi che gli elettroni possono contribuire al processo di
conduzione.
• In un liquido il trasporto di carica è dovuto agli ioni positivi e negativi che si muovono per
effetto del campo applicato.
• Nei solidi varia notevolmente il tipo e il numero dei portatori di carica disponibili e la facilità
con cui questi si possono muovere sotto l’azione di un campo applicato. Noi saremo interessati
agli isolanti, che praticamente non hanno portatori di carica disponibili, ai conduttori, che
hanno un gran numero di portatori di carica mobili e ai semiconduttori, che hanno una
conducibilità intermedia tra quella degli isolanti e quella dei conduttori.

1.1 Conduttori metallici


In un metallo come il rame o l’argento, gli atomi sono disposti in un raggruppamento ordinato in
modo da formare un cristallo. Gli atomi sono così vicini gli uni agli altri che gli elettroni esterni
sono attirati da numerosi nuclei e, perciò, praticamente non possono essere associati a nessun
nucleo in particolare. Questi elettroni di conduzione sono liberi di muoversi attraverso la struttura
del cristallo. A temperature prossime allo zero assoluto gli elettroni di conduzione non incontrano
nessuna opposizione al moto e quindi la resistenza del metallo è nulla.

elettroni liberi
-
+ + + +
- - -

- -
+ + + - +
-
- -
-
+ + - + +

Alle temperature ordinarie, gli atomi senza gli elettroni di conduzione (ioni) possiedono energia
cinetica sotto forma di vibrazione attorno alla loro naturale posizione nel reticolo cristallino: questa
energia vibrazionale è misurata dalla temperatura del metallo.
Nel metallo c’è una continua interazione tra gli elettroni di conduzione e gli ioni sotto forma di urti
elastici e anelastici. Come risultato finale il movimento degli elettroni è casuale, non c’è movimento
netto e la corrente totale è nulla.
Se un campo elettrico uniforme di intensità E (V/m) è applicato, gli elettroni sono accelerati; in
aggiunta al movimento casuale c’è una piccola componente di velocità degli elettroni in direzione
–E. Ad ogni collisione anelastica gli elettroni perdono la loro energia cinetica. Dopo ogni collisione
gli elettroni riaccelerano, riacquistano la componente di velocità in direzione –E e quindi perdono la
loro energia cinetica al successivo urto anelastico. Il tempo che intercorre tra due collisioni è
determinato dalla velocità casuale e dalla lunghezza media del cammino libero. In media gli
elettroni avranno una velocità di deriva v che sarà proporzionale a E:

3
v = µ (-E) (1.1)

dove µ è la mobilità in m2/V⋅s.


Il risultante flusso di elettroni che trasporta una carica –e alla velocità v costituisce una corrente. Se
ci sono n elettroni liberi per metro cubo, la densità di corrente J (in A/m2) è:

J = n(-e)v = neµE = σE (1.2)

dove σ = neµ è la conducibilità del materiale in siemens su metro. Il reciproco di σ è la resistività


ρ in ohm per metro. Da notare che la (1.2) è un'altra formulazione della legge di Ohm.

V A
I =JA = σAE = σA =σ V (1.3)
l l
A
dove G= σ è la conduttanza in siemens.
l

1.2 Semiconduttori
I due semiconduttori più importanti in elettronica sono il silicio e il germanio. Questi elementi si
trovano nella quarta colonna della tavola periodica e hanno 4 elettroni di valenza. La struttura
cristallina del silicio e del germanio ha forma tetraedrica nel quale ogni atomo condivide un
elettrone di valenza con gli altri quattro atomi nelle vicinanze (legame covalente). A temperature
vicine allo zero assoluto gli elettroni sono fortemente legati, non ci sono portatori di carica liberi e il
germanio e il silicio sono isolanti.

+ + + +

elettroni di valenza

+ + + +
legami covalenti

+ + + +

L’energia richiesta per rompere un legame covalente è circa 1.1 eV nel silicio e 0.7 eV nel
germanio. Questo significa che a temperatura ambiente (300 K) alcuni elettroni hanno sufficiente
energia termica per diventare elettroni liberi. Quando un legame covalente è rotto avremo una
mancanza (lacuna). La regione in cui si troverà questa lacuna possiede una carica netta positiva
(manca infatti un elettrone). Viceversa la regione dove si trova l’elettrone libero avrà una carica
netta negativa.

4
elettrone

+ + + +

+ + + +

+
lacuna + + +

Se l’elettrone di un altro legame covalente riempie la lacuna (senza poi liberarsi), la lacuna apparirà
in un nuovo posto con l’effetto di avere un movimento di carica positiva dalla vecchia alla nuova
posizione.
Nei semiconduttori quindi la conduzione è determinata da due fenomeni diversi: il movimento di
lacune e di elettroni in direzioni opposte per effetto di un campo elettrico applicato.
La concentrazione di elettroni-lacune nel silicio e nel germanio a temperatura ambiente è molto
bassa. Ad esempio per il silicio ci sono 5 × 1028 atomi/m3. A temperatura ambiente (300 K) nel
silicio sono presenti 1.5 × 1016 coppie elettrone-lacuna. Si ottiene quindi che c’è una coppia
elettrone-lacuna circa ogni 3.3 × 1012 atomi di silicio !
E’ possibile però aumentare il numero di lacune o di elettroni liberi drogando il materiale
semiconduttore utilizzando elementi che si trovano sulla terza colonna della tavola periodica
(trivalenti – con tre elettroni di valenza: alluminio, boro, gallio o indio) o sulla quinta colonna della
tavola periodica (pentavalenti – con cinque elettroni di valenza: antimonio, fosforo o arsenico).

+ + + + + + + +
atomo trivalente atomo pentavalente

+ + + + + + +
legame non riempito

+ + + + +
elettrone libero + + +

drogaggio di tipo p drogaggio di tipo n

Aggiungendo atomi pentavalenti otterremo un aumento degli elettroni liberi e il drogaggio prende il
nome di tipo n, mentre aggiungendo atomi trivalenti otterremo un aumento delle lacune e il
drogaggio prende il nome di tipo p.
Unendo un materiale drogato di tipo p con uno di tipo n otterremo una giunzione pn che è la base di
tutte le valvole a semiconduttore.
Quando uniamo un materiale di tipo p con uno di tipo n, dal momento che la concentrazione di
lacune è alta nella regione di tipo p e bassa nella regione di tipo n le lacune si diffondono attraverso
la giunzione dal lato p verso il lato n; analogamente gli elettroni della regione di tipo n si
diffonderanno verso il lato p (corrente di diffusione).
Otteniamo quindi una regione, vicina alla giunzione, svuotata di elettroni e lacune (regione di
svuotamento) nella quale appare una carica elettrica non più neutralizzata che ha l’effetto di creare
una differenza di potenziale che si oppone al fenomeno della diffusione.

5
P N

regione di
svuotamento
(0.5 µm)

Da notare che la differenza di potenziale che si crea per diffusione non può essere usata per creare
un flusso di corrente esterno. La connessione di un conduttore ai terminali ha il solo effetto di
annullare il potenziale di giunzione. Per capire il perché può essere utile l’analogia della giunzione
con una colonna di gas. In una colonna verticale di gas le molecole si spostano verso il basso per
azione della gravità e contemporaneamente si diffondono verso l’alto per effetto dell’agitazione
termica. Una differenza di pressione esisterà tra la cima e la base della colonna, ma non possiamo
usare questa differenza per far circolare il gas in un circuito esterno alla colonna dalla base verso la
cima! Se fosse possibile si violerebbe il principio di conservazione dell’energia!
Vediamo ora cosa succede applicando una differenza di potenziale ai capi della giunzione.
Se applichiamo una tensione positiva da N verso P (polarizzazione inversa) otterremo l’effetto di
creare un campo elettrico nella medesima direzione di quello nella regione di svuotamento e quindi
di aumentare la regione stessa impedendo il passaggio di corrente: la giunzione si comporterà come
un circuito aperto.
Applicando viceversa, una tensione positiva da P verso N (polarizzazione diretta), otterremo
l’effetto di diminuire la regione di svuotamento fino al totale annullamento. In queste condizioni la
barriera che si oppone al passaggio di corrente è annullata e la giunzione si comporta come un corto
circuito.

6
2 Valvole
Nel seguito chiameremo valvola un componente elettrico che potrà assumere due distinti stati di
funzionamento:

1. lo stato di conduzione, caratterizzato da una resistenza elettrica molto bassa


2. lo stato di blocco, caratterizzato da una resistenza elettrica molto elevata.

La transizione tra i due stati di funzionamento avviene in tempi molto brevi, dell’ordine di
grandezza del µs.
E’ evidente dall’analisi degli stati che può assumere la valvola che la modellizzazione più semplice
che possiamo fare di una valvola è attraverso un interruttore comandato secondo una logica che
dipenderà dalla valvola che vogliamo rappresentare.

2.1 Diodi
Il diodo è la valvola di potenza più semplice, essendo costituito da un disco semiconduttore con una
sola giunzione PN. Nel diodo la transizione dallo stato di blocco a quello di conduzione è
comandata esclusivamente dal senso della corrente circolante nella valvola. Il diodo si trova in
conduzione quando la corrente fluisce nel senso P Æ N (anodo Æ catodo), mentre passa in stato di
blocco quando la corrente tenta di fluire in verso opposto. Un diodo si dice polarizzato direttamente
quando la tensione applicata ai suoi capi è tale da far fluire la corrente nel verso tale da portare il
diodo in conduzione, in caso contrario si dice polarizzato inversamente.

2.1.1 Convenzioni e simbologia


ANODO CATODO

ANODO CATODO I
P N
+ V
-

2.1.2 Caratteristiche esterne

I [A]

Massima tensione I
inversa o tensione Polarizzazione
di breakdown (Vr) diretta

scala
compressa
V
1V

Polarizzazione
inversa
Caratteristica reale di un diodo Caratteristica ideale di un diodo

7
Il passaggio dallo stato di conduzione a quello di blocco non può avvenire in modo istantaneo
perché il ripristino della capacità di blocco avviene dopo il tempo necessario perché la giunzione
PN venga ripristinata. La durata di questo fenomeno è chiamata tempo di ripristino e può essere nei
normali diodi di elevata potenza dell’ordine di decine di µs.

2.1.3 Parametri caratteristici


Tensione inversa (Vr) fino a 6000 V
Corrente diretta (If) fino a 5000 A
Caduta diretta 1 – 1.5 V

2.2 Tiristori (SCR – Silicon Controlled Rectifer o diodi controllati)


I tiristori sono valvole a semiconduttore con tre giunzioni secondo la sequenza P-N-P-N. Le due
zone estreme sono connesse agli elettrodi principali (anodo e catodo). Alla zona adiacente al catodo
viene collegato un elettrodo di comando (gate).
In assenza di segnali di comando, la valvola presenta una elevata resistenza in entrambe le direzioni
e si trova perciò in stato di blocco.
Se applichiamo all’elettrodo di comando un breve impulso di corrente il dispositivo passa dallo
stato di blocco a quello di conduzione, permettendo la circolazione della corrente nella direzione
anodo Æ catodo. Lo stato di conduzione permane finché la corrente tra anodo e catodo permane
positiva e maggiore di un valore detto corrente di mantenimento.

2.2.1 Convenzioni e simbologia

ANODO CATODO
ANODO CATODO
P N P N
I

GATE V GATE

2.2.2 Caratteristiche esterne

I [A] Caratteristica
Corrente di diretta in
mantenimento conduzione
dell’accensione

Accensione
IH
VRWM

VH VBO
Caratteristica
diretta in stato
di blocco

8
2.2.3 Parametri caratteristici
Massima tensione inversa di lavoro (VRWM) fino a 7000 V
Tensione di blocco diretto (VBO) dello stesso ordine
Corrente diretta (If) fino a 3500 A.
Caduta diretta 1.5 – 3 V
Frequenze fino a 400 Hz
Tempo di spegnimento minimo (Toff) 200 – 400 µs.

2.3 GTO (Gate Turn-off Thyristor)


I GTO sono un particolare tipo di tiristori nei quali è possibile comandare, oltre alla transizione
dallo stato di blocco a quello di conduzione, anche la transizione inversa mediante l’applicazione
all’elettrodo di controllo di un forte impulso negativo di corrente. Per consentire la transizione
inversa è necessario adottare accorgimenti circuitali atti a mantenere molto basso il valore della
tensione tra anodo e catodo al momento dello spegnimento (circuiti di snubber).
La tecnologia di produzione dei GTO è assai più sofisticata di quella dei normali tiristori perché
richiede l’adozione di accorgimenti atti ad assicurare, nella fase di spegnimento, l’uniformità dello
svuotamento dell’intera superficie di conduzione. I GTO in realtà sono costituiti da un numero
elevato di piccoli tiristori funzionanti tra loro in parallelo realizzati su un unico disco di slilicio
trattato mediante ripetuti processi di diffusione, schermatura, ossidazione, erosione.

2.3.1 Convenzioni e simbologia


ANODO CATODO

GATE

2.3.2 Caratteristiche esterne

I [A]

Accensione

IH
VRWM Spegnimento V

VH VBO

9
2.3.3 Parametri caratteristici
Massima tensione inversa di lavoro (VRWM) fino a 6000 V
Tensione di blocco diretto (VBO) dello stesso ordine
Corrente diretta (If) fino a 4000 A
Caduta di tensione diretta 3-4 V
Frequenza da qualche centinaio a 10 kHz (Toff fino a 10 µs)

2.4 Transistori bipolari (BJT – Bipolar Junction Transistor)


I transistori sono valvole a semiconduttori con due giunzioni (nel campo delle potenze elevate in
generale si usa la sequenza N-P-N). Se non si applica tensione alla zona intermedia (base) il
dispositivo presenta elevate resistenza alla circolazione di corrente in entrambe le direzioni (tra gli
elettrodi principali detti emettitore e collettore). Se si applica una tensione positiva tra base ed
emettitore otteniamo invece un flusso di corrente nel collettore. In prima approssimazione la
corrente di collettore è proporzionale alle corrente assorbita dalla base secondo un coefficiente
maggiore di uno chiamato guadagno (zona di modulazione).
Se il potenziale applicato tra base ed emettitore è sufficientemente alto da provocare un richiamo
superiore a quello erogabile dal circuito (zona di saturazione), la caduta di tensione è molto bassa e
il dispositivo può essere considerato in conduzione.
Nella applicazioni di elettronica di potenza si evita di far lavorare il transistore nella zona di
modulazione in quanto in questa zona si avrebbe una dissipazione di potenza che distruggerebbe il
dispositivo in brevissimo tempo.
Il guadagno dei transistori di potenza è in generale piuttosto basso (5-10); questo significa che la
corrente di base deve assumere valori elevati e richiederebbe un oneroso dimensionamento del
circuiti di comando. Ciò può essere evitato usando la connessione di due transistori in cascata
(connessione Darlington): l’insieme si comporta come un unico transistore con guadagno pari al
prodotto del guadagno dei due transistori.
Molti costruttori realizzano la connessione Darlington in un unico involucro: ai morsetti esterni
l’insieme appare come un unico componente con elevato guadagno (MD – Monolithic Darlingtons).

2.4.1 Convenzioni e simbologia

collettore
N P
P base N
N P
emettitore

Tipo NPN Tipo PNP


collettore

V base

emettitore Connessione Darlington

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2.4.2 Caratteristiche esterne

Stato di conduzione
I
Ibase crescenti

Zona di
modulazione

Stato di blocco V

2.4.3 Parametri caratteristici


Massima tensione di blocco (Vcex) fino a 1400 V
Corrente di collettore (Ic) fino a 1000 A.
Tensione collettore-emettitore in saturazione (Vce(sat)) 2-3 V
Frequenza intorno alla decina di kHz (Toff fino a 10 µs)

2.5 Transistori MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect


Transistor)
I transistori MOSFET hanno trovato impiego nell’elettronica di potenza solo per potenze limitate
(una decina di kW al massimo).
Schematicamente un transistore MOSFET a canale P (considerazioni duali valgono per un
MOSFET a canale N) è realizzato creando su uno strato di silicio drogato N due zone drogate P
(sorgente - source e pozzo - drain). Lungo la superficie che separa le due aree viene realizzato un
sottile strato isolante (mediante ossidazione del silicio), ricoperto da uno strato conduttore che
costituisce l’elettrodo di comando (gate). Applicando un potenziale all’elettrodo di comando ed è
superiore ad un certo valore di soglia si provoca una inversione delle caratteristiche di conduzione
del corpo di silicio di tipo N, l’abbattimento delle barriere N-P e di conseguenza un flusso di
corrente tra sorgente e pozzo .
Rispetto ai transistori bipolari i MOSFET hanno notevoli vantaggi:

- l’elettrodo di comando è isolato rispetto al circuito di potenza


- la corrente assorbita dall’elettrodo di comando è trascurabile
- il tempo di ritardo allo spegnimento è praticamente nullo e si prestano quindi all’uso a
frequenze elevate

Hanno lo svantaggio di presentare una caduta di tensione in conduzione piuttosto elevate e quindi
l’uso limitato a potenze modeste

11
2.5.1 Convenzioni e simbologia
Source Gate Drain Source Gate Drain

N N P
P
P N

Drain D D
D

V G
Gate G

Source S S S
Simbolo semplificato Simbolo semplificato

MOSFET a canale N MOSFET a canale P

2.5.2 Caratteristiche esterne


Le caratteristica è molto simile a quella del transistore bipolare salvo che il segnale applicato
all’elettrodo di comando è rappresentato da una tensione.

Stato di conduzione
I
Vgate crescenti

Zona di
saturazione

Stato di blocco V

2.5.3 Parametri caratteristici


Massima tensione di blocco (Vdss) fino a 1000 V
Corrente (Id) fino a 100 A
Resistenza drain – source 0.1 – 1 Ω
Tensione gate – source (Vgs) 4 – 6 V
Frequenza fino a 100 kHz (Toff fino a 1 µs)

12
2.6 Transistori IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Il loro funzionamento è basato su una struttura di giunzione più complessa, che permette di
combinare due principi di funzionamento; in sostanza l’IGBT è un transistore bipolare P-N-P (BJT)
in cui la corrente di base viene prodotta da un MOSFET governato da un elettrodo di comando.
I tempi di commutazione sono più rapidi rispetto ai normali transistori bipolari, mentre la c.d.t. la
portata e la tensione di blocco sono quelle tipiche dei transistori bipolari.

2.6.1 Convenzioni e simbologia

G V

2.6.2 Caratteristiche esterne

Stato di conduzione
I
Vgate crescenti

Stato di blocco V

2.6.3 Parametri caratteristici


Massima tensione di blocco (VCES) fino a 2000 V
Corrente di collettore (Ic) fino a 400 A
Tensione collettore-emettitore in saturazione (VCE(sat)) 2 - 5 V
Tensione gate - emettitore (VGE) 3 – 5 V
Frequenza fino a 20 kHz (Toff fino a 2 µs – blank time 4 µs)

2.7 Riepilogo

Componente Potenze in gioco Frequenza di commutazione


BJT / MD medie media
MOSFET basse alta
GTO alte bassa
IGBT medie media

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3 Convertitori
Unendo valvole tra loro secondo particolari tipologie e comandandole in sequenza secondo precise
strategie è possibile realizzare dispositivi chiamati convertitori che consentono di modulare il
flusso dell’energia elettrica.

3.1 Convertitori C.A. – C.C (Circuiti di raddrizzamento)


In molte applicazioni elettriche è necessario disporre di tensioni continue. L’alimentazione fornita
dalle centrali elettriche e di tipo sinusoidale alla frequenza di 50 Hz. E’ quindi necessario disporre
di opportuni convertitori in grado di trasformare la tensione alternata in tensione continua: i
raddrizzatori.
Nello studio utilizzeremo le seguenti ipotesi :

- le valvole saranno considerate ideali (e quindi modellizzate con interruttori ideali)


- non considereremo la presenza di eventuali filtri solitamente presenti per attenuare le
interferenze introdotte dal convertitore.

3.1.1 Circuito monofase a semplice semionda

Il circuito monofase è il più elementare e rudimentale circuito di raddrizzamento ed è costituito da


una sola valvola a conduzione unidirezionale posta in serie ad un generico carico. Il circuito è
alimentato da una tensione alternata sinusoidale.
Questo circuito ha un limitato interesse pratico tuttavia il suo studio mette il luce una serie di
peculiarità tipiche per comprendere i circuiti che trovano ampia pratica applicazione

Topologia e funzionamento

Carico resistivo

Vc

i
vs R vc
t

Vs

In questo caso sul carico sono applicate solo le semionde positive della tensione della sorgente e la
corrente ha la medesima forma d’onda della tensione.

Carico ohmico – induttivo

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Vc

R
i
vs
vc t

Vs

In questo caso la corrente ha un andamento dovuto al transitorio di tipo esponenziale (per la


presenza di L che impedisce brusche variazione alla corrente) sovrapposto alla corrente di regime
(una sinusoide sfasata rispetto alla tensione dell’angolo caratteristico dell’impedenza costituita da R
e ωL).

Parametri caratteristici
2
Valore medio della tensione raddrizzata Vm = Veff ≅ 0.45Veff dove Veff è il valore efficace della
π
tensione sinusoidale della sorgente.

3.1.2 Circuito monofase a ponte


Nella maggior parte delle applicazioni pratiche si utilizza una connessione a ponte che consente di
avere prestazioni migliori in termini di valore medio della tensione raddrizzata

Topologia e funzionamento

Ipotesi : Carico R-L con induttanza elevata.

C Vc

ic
A1 B1
vs

vc
t

B2 Vs
A2

Il modo di funzionare è descritto dagli schemi rappresentati. Durante il semiperiodo positivo di


corrente risultano in conduzione le valvole A1 e B2 e la corrente defluisce dal morsetto C al
morsetto D del carico. Durante il semiperiodo negativo risultano in conduzione le valvole A2 e B1 e
la corrente continua a defluire dal morsetto C al morsetto D del carico.

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C C
ic ic
A1 B1 A1 B1

vc vc

A2 B2 A2 B2

D D
Semionda positiva Semionda negativa

Parametri caratteristici
Tensione di picco a cui sono sottoposte le valvole V p = 2 ⋅Veff
2⋅ 2
Valore medio della tensione raddrizzata Vm = Veff ≅ 0.9 ⋅ Veff
π
Vm
Valore medio della corrente nel carico I m =
R
Im
Valore medio della corrente nelle valvole I v =
2
Valore efficace della corrente nella linea I eff = Im
2 2
Valore efficace della componente fondamentale della corrente assorbita dalla rete I 1 = Im
π

3.1.3 Circuito a ponte trifase


L’impiego dei raddrizzatori monofasi è generalmente limitato alle applicazioni di bassa potenza (ad
es. fino a 3 kW). Nelle applicazioni di potenza superiore risulta generalmente più conveniente
adottare delle connessioni di tipo trifase perché è opportuno distribuire il carico sulle tre fasi delle
rete, si ottiene una minore distorsione delle forme d’onda e si risparmia sul dimensionamento dei
componenti.

Topologia e funzionamento

Ipotesi : Carico R-L con induttanza elevata.

La corrente circola attraverso una delle tre valvole superiori, attraverso il carico e torna alla rete lato
c.a attraverso una delle tre valvole inferiori.
Delle tre valvole A1, B1, C1 sarà in conduzione quella collegata alla fase che in ogni istante ha il
potenziale elettrico più elevato. Analogamente delle tre valvole A2, B2, C2 sarà in conduzione
quella collegata alla fase che in ogni istante ha il potenziale elettrico più negativo.
La tensione sul carico è la differenza di potenziale tra P e N ed è facile vedere che è costituito da
una successione di archi di sinusoide ciascuno di durata 1/6 di periodo.

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P
ic

A1 B1 C1

ix
vc
iy

iz
A2 B2 C2
N

VP
X Y Z X Y Z

Y Z X Y Z X t

VN

VPN

Ix

Iy

Iz

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Parametri caratteristici

Tensione di picco a cui sono sottoposte le valvole V p = 2 ⋅Veff


3⋅ 2
Valore medio della tensione raddrizzata Vm = Veff ≅ 1.35 ⋅ Veff
π
Vm
Valore medio della corrente nel carico I m =
R
Im
Valore medio della corrente nelle valvole I v =
3
2
Valore efficace della corrente nella linea I eff = I m ≅ 0.816 ⋅ I m
3
Valore efficace della componente fondamentale della corrente assorbita dalla rete
2 3
I1 = I m ≅ 0.78 ⋅ I m
π 2

3.1.4 Circuiti controllati


Naturalmente i convertitori proposti possono avere, al posto dei diodi , delle valvole controllate. In
questo modo è possibile controllare il valore della tensione in continua a valle del raddrizzatore
accendendo e spegnendo le valvole in maniera opportuna.
Per completezza riportiamo solo il caso trifase.

P
ic

A1 B1 C1

ix
vc
iy

iz
A2 B2 C2
N

In questo caso ritardando l’accensione delle valvole di un ritardo angolare α, otteniamo un valore di
tensione lato continua che è pari a:

3 2
Vc = Veff ⋅ cos(α ) ≅ 1.35 ⋅ Veff ⋅ cos(α )
π
Si può notare come agendo sul ritardo di accensione α possiamo modificare il valore della tensione
lato continua.

18
VP
X Y Z

Y Z X

α VN

VPN

Ix

Iy

Iz

3.2 Convertitori C.C – C.C. (Chopper o frazionatori)


Un esempio elementare di convertitore di questo tipo è rappresentato nella figura seguente:
C

E
vc

D
Ipotesi : Carico resistivo

19
Considerando l’interruttore ideale, quando l’interruttore è aperto la tensione applicata al carico è
nulla, la corrente circolante è nulla e la potenza dissipata nell’interruttore è nulla.
Quando l’interruttore è chiuso la tensione applicata al carico è pari a E, la caduta di tensione
sull’interruttore è nulla e la potenza dissipata nell’interruttore è nulla.
La tensione applicata la carico può assumere dunque solo due valori : 0 oppure E, mentre il valore
medio della tensione risulta regolabile a seconda del rapporto tra la durata dei tempi di chiuso e
quelli di aperto in ogni periodo.

Vc

Ton Toff

Naturalmente un convertitore di questo tipo difficilmente può esistere nella realtà in quanto
l’eventuale induttanza del carico avrebbe l’effetto di generare sovratensioni sulla valvola che ne
comprometterebbero ben presto il funzionamento.

Parametri caratteristici
T
Duty cycle δ = on
T
Vc = δ ⋅ V d

3.3 Convertitori C.C. – C.A. (Inverter)


I convertitori di questo tipo sono solitamente inseriti in un sistema caratterizzato da due convertitori
in cascata: il primo, lato rete, funziona come raddrizzatore, il secondo, lato motore, funziona da
inverter.

Esistono due tipi di inverter:

• A tensione impressa (VSI) in cui la sorgente è una tensione costante


• A corrente impressa (CSI) in cui la sorgente è equivalente ad un generatore di corrente
costante (utilizzato per grosse potenze).

Gli inverter a tensione impressa si possono dividere in:

• Inverter con modulazione di larghezza di impulso (PWM)


• Inverter ad onda quadra, in cui la tensione in ingresso è controllata dal raddrizzatore.

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Topologia e funzionamento

Inverter monofase a ponte


C

A1 B1
vd

ic
vc

A2 B2

Inverter trifase a ponte

A1 B1 C1
vd

A2 B2 C2

Controllo PWM
Il controllo si ottiene confrontando una forma d’onda sinusoidale (modulante, ha stessa frequenza
della tensione in uscita) con un’onda triangolare (portante, ha una frequenza opportunamente
elevata, ma limitata dalle possibili perdite del convertitore).

La strategia di accensione delle valvole è la seguente(per ogni ramo dell’inverter):

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• Se Vtri>Vcontrol conduce la valvola superiore altrimenti conduce la valvola inferiore.

Si definisce rapporto di modulazione di ampiezza il rapporto tra il valore massimo della tensione di
controllo ed il valore di cresta dell’onda triangolare e lo indicheremo con ma.
Il rapporto tra la frequenza della portante (triangolare) e la frequenza della modulante (sinusoidale
lo indicheremo on mf.
Se ma rimane minore di 1 si osserva che:
1. l’ampiezza della prima armonica risulta essere uguale a ma volte Vd/2.
2. Si hanno armoniche raggruppate in bande intorno ai multipli della frequenza della portate
(per mf ≥ 9)

Controllo ad onda quadra


Con funzionamento ad onda quadra il valore massimo della prima armonica è pari a (4/π)Vd/2.
Tutte le altre armoniche (solo dispari) hanno una ampiezza pari all’ampiezza della prima diviso
l’ordine di armonicità.
Il vantaggio di questo funzionamento è la bassa frequenza di commutazione delle valvole che lo
rende interessante in applicazioni di elevata potenza.
Lo svantaggio consiste nella presenza di armoniche a bassa frequenza e nella mancanza di
regolazione dell’ampiezza della prima armonica. E’ necessario quindi che debba essere il
raddrizzatore a monte a controllare la tensione Vd lato continua.

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