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Dipartimento di Meccanica
Le Valvole e i Convertitori
Marco Mauri
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Indice
1 CONDUZIONE ELETTRICA 3
2 VALVOLE 7
2.1 DIODI 7
2.1.1 CONVENZIONI E SIMBOLOGIA 7
2.1.2 CARATTERISTICHE ESTERNE 7
2.1.3 PARAMETRI CARATTERISTICI 8
2.2 TIRISTORI (SCR – SILICON CONTROLLED RECTIFER O DIODI CONTROLLATI) 8
2.2.1 CONVENZIONI E SIMBOLOGIA 8
2.2.2 CARATTERISTICHE ESTERNE 8
2.2.3 PARAMETRI CARATTERISTICI 9
2.3 GTO (GATE TURN-OFF THYRISTOR) 9
2.3.1 CONVENZIONI E SIMBOLOGIA 9
2.3.2 CARATTERISTICHE ESTERNE 9
2.3.3 PARAMETRI CARATTERISTICI 10
2.4 TRANSISTORI BIPOLARI (BJT – BIPOLAR JUNCION TRANSISTOR) 10
2.4.1 CONVENZIONI E SIMBOLOGIA 10
2.4.2 CARATTERISTICHE ESTERNE 11
2.4.3 PARAMETRI CARATTERISTICI 11
2.5 TRANSISTORI MOSFET (METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR) 11
2.5.1 CONVENZIONI E SIMBOLOGIA 12
2.5.2 CARATTERISTICHE ESTERNE 12
2.5.3 PARAMETRI CARATTERISTICI 12
2.6 TRANSISTORI IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR) 13
2.6.1 CONVENZIONI E SIMBOLOGIA 13
2.6.2 CARATTERISTICHE ESTERNE 13
2.6.3 PARAMETRI CARATTERISTICI 13
2.7 RIEPILOGO 13
3 CONVERTITORI 14
2
1 Conduzione elettrica
Il fenomeno della conduzione avviene nei vari materiali in modi diversi:
• Nel vuoto avremo conduzione solo nel caso in cui ci siano elettroni liberi disponibili a
trasportare la carica sotto l’azione di un campo applicato.
• In un gas ionizzato, sia gli ioni positivi che gli elettroni possono contribuire al processo di
conduzione.
• In un liquido il trasporto di carica è dovuto agli ioni positivi e negativi che si muovono per
effetto del campo applicato.
• Nei solidi varia notevolmente il tipo e il numero dei portatori di carica disponibili e la facilità
con cui questi si possono muovere sotto l’azione di un campo applicato. Noi saremo interessati
agli isolanti, che praticamente non hanno portatori di carica disponibili, ai conduttori, che
hanno un gran numero di portatori di carica mobili e ai semiconduttori, che hanno una
conducibilità intermedia tra quella degli isolanti e quella dei conduttori.
elettroni liberi
-
+ + + +
- - -
- -
+ + + - +
-
- -
-
+ + - + +
Alle temperature ordinarie, gli atomi senza gli elettroni di conduzione (ioni) possiedono energia
cinetica sotto forma di vibrazione attorno alla loro naturale posizione nel reticolo cristallino: questa
energia vibrazionale è misurata dalla temperatura del metallo.
Nel metallo c’è una continua interazione tra gli elettroni di conduzione e gli ioni sotto forma di urti
elastici e anelastici. Come risultato finale il movimento degli elettroni è casuale, non c’è movimento
netto e la corrente totale è nulla.
Se un campo elettrico uniforme di intensità E (V/m) è applicato, gli elettroni sono accelerati; in
aggiunta al movimento casuale c’è una piccola componente di velocità degli elettroni in direzione
–E. Ad ogni collisione anelastica gli elettroni perdono la loro energia cinetica. Dopo ogni collisione
gli elettroni riaccelerano, riacquistano la componente di velocità in direzione –E e quindi perdono la
loro energia cinetica al successivo urto anelastico. Il tempo che intercorre tra due collisioni è
determinato dalla velocità casuale e dalla lunghezza media del cammino libero. In media gli
elettroni avranno una velocità di deriva v che sarà proporzionale a E:
3
v = µ (-E) (1.1)
V A
I =JA = σAE = σA =σ V (1.3)
l l
A
dove G= σ è la conduttanza in siemens.
l
1.2 Semiconduttori
I due semiconduttori più importanti in elettronica sono il silicio e il germanio. Questi elementi si
trovano nella quarta colonna della tavola periodica e hanno 4 elettroni di valenza. La struttura
cristallina del silicio e del germanio ha forma tetraedrica nel quale ogni atomo condivide un
elettrone di valenza con gli altri quattro atomi nelle vicinanze (legame covalente). A temperature
vicine allo zero assoluto gli elettroni sono fortemente legati, non ci sono portatori di carica liberi e il
germanio e il silicio sono isolanti.
+ + + +
elettroni di valenza
+ + + +
legami covalenti
+ + + +
L’energia richiesta per rompere un legame covalente è circa 1.1 eV nel silicio e 0.7 eV nel
germanio. Questo significa che a temperatura ambiente (300 K) alcuni elettroni hanno sufficiente
energia termica per diventare elettroni liberi. Quando un legame covalente è rotto avremo una
mancanza (lacuna). La regione in cui si troverà questa lacuna possiede una carica netta positiva
(manca infatti un elettrone). Viceversa la regione dove si trova l’elettrone libero avrà una carica
netta negativa.
4
elettrone
+ + + +
+ + + +
+
lacuna + + +
Se l’elettrone di un altro legame covalente riempie la lacuna (senza poi liberarsi), la lacuna apparirà
in un nuovo posto con l’effetto di avere un movimento di carica positiva dalla vecchia alla nuova
posizione.
Nei semiconduttori quindi la conduzione è determinata da due fenomeni diversi: il movimento di
lacune e di elettroni in direzioni opposte per effetto di un campo elettrico applicato.
La concentrazione di elettroni-lacune nel silicio e nel germanio a temperatura ambiente è molto
bassa. Ad esempio per il silicio ci sono 5 × 1028 atomi/m3. A temperatura ambiente (300 K) nel
silicio sono presenti 1.5 × 1016 coppie elettrone-lacuna. Si ottiene quindi che c’è una coppia
elettrone-lacuna circa ogni 3.3 × 1012 atomi di silicio !
E’ possibile però aumentare il numero di lacune o di elettroni liberi drogando il materiale
semiconduttore utilizzando elementi che si trovano sulla terza colonna della tavola periodica
(trivalenti – con tre elettroni di valenza: alluminio, boro, gallio o indio) o sulla quinta colonna della
tavola periodica (pentavalenti – con cinque elettroni di valenza: antimonio, fosforo o arsenico).
+ + + + + + + +
atomo trivalente atomo pentavalente
+ + + + + + +
legame non riempito
+ + + + +
elettrone libero + + +
Aggiungendo atomi pentavalenti otterremo un aumento degli elettroni liberi e il drogaggio prende il
nome di tipo n, mentre aggiungendo atomi trivalenti otterremo un aumento delle lacune e il
drogaggio prende il nome di tipo p.
Unendo un materiale drogato di tipo p con uno di tipo n otterremo una giunzione pn che è la base di
tutte le valvole a semiconduttore.
Quando uniamo un materiale di tipo p con uno di tipo n, dal momento che la concentrazione di
lacune è alta nella regione di tipo p e bassa nella regione di tipo n le lacune si diffondono attraverso
la giunzione dal lato p verso il lato n; analogamente gli elettroni della regione di tipo n si
diffonderanno verso il lato p (corrente di diffusione).
Otteniamo quindi una regione, vicina alla giunzione, svuotata di elettroni e lacune (regione di
svuotamento) nella quale appare una carica elettrica non più neutralizzata che ha l’effetto di creare
una differenza di potenziale che si oppone al fenomeno della diffusione.
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P N
regione di
svuotamento
(0.5 µm)
Da notare che la differenza di potenziale che si crea per diffusione non può essere usata per creare
un flusso di corrente esterno. La connessione di un conduttore ai terminali ha il solo effetto di
annullare il potenziale di giunzione. Per capire il perché può essere utile l’analogia della giunzione
con una colonna di gas. In una colonna verticale di gas le molecole si spostano verso il basso per
azione della gravità e contemporaneamente si diffondono verso l’alto per effetto dell’agitazione
termica. Una differenza di pressione esisterà tra la cima e la base della colonna, ma non possiamo
usare questa differenza per far circolare il gas in un circuito esterno alla colonna dalla base verso la
cima! Se fosse possibile si violerebbe il principio di conservazione dell’energia!
Vediamo ora cosa succede applicando una differenza di potenziale ai capi della giunzione.
Se applichiamo una tensione positiva da N verso P (polarizzazione inversa) otterremo l’effetto di
creare un campo elettrico nella medesima direzione di quello nella regione di svuotamento e quindi
di aumentare la regione stessa impedendo il passaggio di corrente: la giunzione si comporterà come
un circuito aperto.
Applicando viceversa, una tensione positiva da P verso N (polarizzazione diretta), otterremo
l’effetto di diminuire la regione di svuotamento fino al totale annullamento. In queste condizioni la
barriera che si oppone al passaggio di corrente è annullata e la giunzione si comporta come un corto
circuito.
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2 Valvole
Nel seguito chiameremo valvola un componente elettrico che potrà assumere due distinti stati di
funzionamento:
La transizione tra i due stati di funzionamento avviene in tempi molto brevi, dell’ordine di
grandezza del µs.
E’ evidente dall’analisi degli stati che può assumere la valvola che la modellizzazione più semplice
che possiamo fare di una valvola è attraverso un interruttore comandato secondo una logica che
dipenderà dalla valvola che vogliamo rappresentare.
2.1 Diodi
Il diodo è la valvola di potenza più semplice, essendo costituito da un disco semiconduttore con una
sola giunzione PN. Nel diodo la transizione dallo stato di blocco a quello di conduzione è
comandata esclusivamente dal senso della corrente circolante nella valvola. Il diodo si trova in
conduzione quando la corrente fluisce nel senso P Æ N (anodo Æ catodo), mentre passa in stato di
blocco quando la corrente tenta di fluire in verso opposto. Un diodo si dice polarizzato direttamente
quando la tensione applicata ai suoi capi è tale da far fluire la corrente nel verso tale da portare il
diodo in conduzione, in caso contrario si dice polarizzato inversamente.
ANODO CATODO I
P N
+ V
-
I [A]
Massima tensione I
inversa o tensione Polarizzazione
di breakdown (Vr) diretta
scala
compressa
V
1V
Polarizzazione
inversa
Caratteristica reale di un diodo Caratteristica ideale di un diodo
7
Il passaggio dallo stato di conduzione a quello di blocco non può avvenire in modo istantaneo
perché il ripristino della capacità di blocco avviene dopo il tempo necessario perché la giunzione
PN venga ripristinata. La durata di questo fenomeno è chiamata tempo di ripristino e può essere nei
normali diodi di elevata potenza dell’ordine di decine di µs.
ANODO CATODO
ANODO CATODO
P N P N
I
GATE V GATE
I [A] Caratteristica
Corrente di diretta in
mantenimento conduzione
dell’accensione
Accensione
IH
VRWM
VH VBO
Caratteristica
diretta in stato
di blocco
8
2.2.3 Parametri caratteristici
Massima tensione inversa di lavoro (VRWM) fino a 7000 V
Tensione di blocco diretto (VBO) dello stesso ordine
Corrente diretta (If) fino a 3500 A.
Caduta diretta 1.5 – 3 V
Frequenze fino a 400 Hz
Tempo di spegnimento minimo (Toff) 200 – 400 µs.
GATE
I [A]
Accensione
IH
VRWM Spegnimento V
VH VBO
9
2.3.3 Parametri caratteristici
Massima tensione inversa di lavoro (VRWM) fino a 6000 V
Tensione di blocco diretto (VBO) dello stesso ordine
Corrente diretta (If) fino a 4000 A
Caduta di tensione diretta 3-4 V
Frequenza da qualche centinaio a 10 kHz (Toff fino a 10 µs)
collettore
N P
P base N
N P
emettitore
V base
10
2.4.2 Caratteristiche esterne
Stato di conduzione
I
Ibase crescenti
Zona di
modulazione
Stato di blocco V
Hanno lo svantaggio di presentare una caduta di tensione in conduzione piuttosto elevate e quindi
l’uso limitato a potenze modeste
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2.5.1 Convenzioni e simbologia
Source Gate Drain Source Gate Drain
N N P
P
P N
Drain D D
D
V G
Gate G
Source S S S
Simbolo semplificato Simbolo semplificato
Stato di conduzione
I
Vgate crescenti
Zona di
saturazione
Stato di blocco V
12
2.6 Transistori IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Il loro funzionamento è basato su una struttura di giunzione più complessa, che permette di
combinare due principi di funzionamento; in sostanza l’IGBT è un transistore bipolare P-N-P (BJT)
in cui la corrente di base viene prodotta da un MOSFET governato da un elettrodo di comando.
I tempi di commutazione sono più rapidi rispetto ai normali transistori bipolari, mentre la c.d.t. la
portata e la tensione di blocco sono quelle tipiche dei transistori bipolari.
G V
Stato di conduzione
I
Vgate crescenti
Stato di blocco V
2.7 Riepilogo
13
3 Convertitori
Unendo valvole tra loro secondo particolari tipologie e comandandole in sequenza secondo precise
strategie è possibile realizzare dispositivi chiamati convertitori che consentono di modulare il
flusso dell’energia elettrica.
Topologia e funzionamento
Carico resistivo
Vc
i
vs R vc
t
Vs
In questo caso sul carico sono applicate solo le semionde positive della tensione della sorgente e la
corrente ha la medesima forma d’onda della tensione.
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Vc
R
i
vs
vc t
Vs
Parametri caratteristici
2
Valore medio della tensione raddrizzata Vm = Veff ≅ 0.45Veff dove Veff è il valore efficace della
π
tensione sinusoidale della sorgente.
Topologia e funzionamento
C Vc
ic
A1 B1
vs
vc
t
B2 Vs
A2
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C C
ic ic
A1 B1 A1 B1
vc vc
A2 B2 A2 B2
D D
Semionda positiva Semionda negativa
Parametri caratteristici
Tensione di picco a cui sono sottoposte le valvole V p = 2 ⋅Veff
2⋅ 2
Valore medio della tensione raddrizzata Vm = Veff ≅ 0.9 ⋅ Veff
π
Vm
Valore medio della corrente nel carico I m =
R
Im
Valore medio della corrente nelle valvole I v =
2
Valore efficace della corrente nella linea I eff = Im
2 2
Valore efficace della componente fondamentale della corrente assorbita dalla rete I 1 = Im
π
Topologia e funzionamento
La corrente circola attraverso una delle tre valvole superiori, attraverso il carico e torna alla rete lato
c.a attraverso una delle tre valvole inferiori.
Delle tre valvole A1, B1, C1 sarà in conduzione quella collegata alla fase che in ogni istante ha il
potenziale elettrico più elevato. Analogamente delle tre valvole A2, B2, C2 sarà in conduzione
quella collegata alla fase che in ogni istante ha il potenziale elettrico più negativo.
La tensione sul carico è la differenza di potenziale tra P e N ed è facile vedere che è costituito da
una successione di archi di sinusoide ciascuno di durata 1/6 di periodo.
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P
ic
A1 B1 C1
ix
vc
iy
iz
A2 B2 C2
N
VP
X Y Z X Y Z
Y Z X Y Z X t
VN
VPN
Ix
Iy
Iz
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Parametri caratteristici
P
ic
A1 B1 C1
ix
vc
iy
iz
A2 B2 C2
N
In questo caso ritardando l’accensione delle valvole di un ritardo angolare α, otteniamo un valore di
tensione lato continua che è pari a:
3 2
Vc = Veff ⋅ cos(α ) ≅ 1.35 ⋅ Veff ⋅ cos(α )
π
Si può notare come agendo sul ritardo di accensione α possiamo modificare il valore della tensione
lato continua.
18
VP
X Y Z
Y Z X
α VN
VPN
Ix
Iy
Iz
E
vc
D
Ipotesi : Carico resistivo
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Considerando l’interruttore ideale, quando l’interruttore è aperto la tensione applicata al carico è
nulla, la corrente circolante è nulla e la potenza dissipata nell’interruttore è nulla.
Quando l’interruttore è chiuso la tensione applicata al carico è pari a E, la caduta di tensione
sull’interruttore è nulla e la potenza dissipata nell’interruttore è nulla.
La tensione applicata la carico può assumere dunque solo due valori : 0 oppure E, mentre il valore
medio della tensione risulta regolabile a seconda del rapporto tra la durata dei tempi di chiuso e
quelli di aperto in ogni periodo.
Vc
Ton Toff
Naturalmente un convertitore di questo tipo difficilmente può esistere nella realtà in quanto
l’eventuale induttanza del carico avrebbe l’effetto di generare sovratensioni sulla valvola che ne
comprometterebbero ben presto il funzionamento.
Parametri caratteristici
T
Duty cycle δ = on
T
Vc = δ ⋅ V d
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Topologia e funzionamento
A1 B1
vd
ic
vc
A2 B2
A1 B1 C1
vd
A2 B2 C2
Controllo PWM
Il controllo si ottiene confrontando una forma d’onda sinusoidale (modulante, ha stessa frequenza
della tensione in uscita) con un’onda triangolare (portante, ha una frequenza opportunamente
elevata, ma limitata dalle possibili perdite del convertitore).
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• Se Vtri>Vcontrol conduce la valvola superiore altrimenti conduce la valvola inferiore.
Si definisce rapporto di modulazione di ampiezza il rapporto tra il valore massimo della tensione di
controllo ed il valore di cresta dell’onda triangolare e lo indicheremo con ma.
Il rapporto tra la frequenza della portante (triangolare) e la frequenza della modulante (sinusoidale
lo indicheremo on mf.
Se ma rimane minore di 1 si osserva che:
1. l’ampiezza della prima armonica risulta essere uguale a ma volte Vd/2.
2. Si hanno armoniche raggruppate in bande intorno ai multipli della frequenza della portate
(per mf ≥ 9)
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