Appunti Dispositivi Elettronici

Dispositivi Elettronici
AA 2013/2014
Andrea Leonardo Lacaita
Trascrizione di : Benini Davide

Introduzione e reticolo 1
Struttura dei materiali 1
Passo atomico 3
Teoria semiclassica dell’atomo 4

Orbite quantizzate 4
Semiconduttori 6
Velocità media e mobilità 6
Legge di Ohm 8
Concentrazione intrinseca dei semiconduttori 9
Lacune ed elettroni 10
Drogaggio 12
Legge di azione di massa 14
Legge della neutralità di carica 15
Potenziale di contatto (Built In) 15
Giunzione PN e diodo 18
Giunzione PN 18
Andamento della corrente 21
Effetto fotovoltaico 24
Corrente inversa 25
Campo elettrico nella giunzione 25
Comportamento in regione inversa e breakdown 30
Rottura a Valanga 32
Rottura Zener 33
Breakdown rispetto alla temperatura 34
Legge di Fick, corrente di diffusione 34
Relazione di Einstein 35
Equazione di continuità 38
Tasso di ricombinazione e generazione 39
Profilo dei minoritari nel diodo a base Lunga 42
Profilo dei minoritari nel diodo a base corta 47
Parametri di piccolo segnale del diodo 48
Parametri capacitivi del diodo, capacità di giunzione 49
Parametri capacitivi del diodo, capacità di diffusione 50
Sistema MOS 52
Condensatore MOS 52
Tensione di banda piatta 52
Polarizzazione del gate e svuotamento 53
Campo elettrico e potenziale della regione svuotata 54
Campo elettrico e potenziale dell’ossido 55
Tensione di soglia 57
Regione di sottosoglia 58
Transistor MOS 60
Corrente nel canale 62
Regione di saturazione 64
Modulazione della lunghezza di canale 65
Guadagno del transistor 66
Comportamento in frequenza 67
Variazione della soglia lungo il canale 67
Saturazione di velocità 68
Effetto body 69
Effetti quantistici e teoria delle bande 71

Saturazione della velocità a livello quantistico 71
Bande in un reticolo cristallino 73
Statistica di Fermi 74
Bande nel reticolo cristallino del silicio 76
Densità equivalente di stati energetici 78
Concentrazione intrinseca e densità di stati 80
La giunzione PN secondo la teoria delle bande 82
Contatto Metallo-Semiconduttore 84
Il processo CMOS 86
Creazione del wafer in silicio 86
Ossidazione 86
Fotoresist 87
Drogaggio 89
Contatti 90
Appendice 92
Dipendenza dei parametri dalla temperatura 92
Regime di alta o bassa iniezione in una giunzione 92
Diodo P-I-N 92
MOS con regione a drogaggio differente 94
Giunzione metallo-semiconduttore in dettaglio 95
Introduzione e reticolo
Struttura dei materiali

Il silicio è il materiale di base della gran parte dei dispositivi elettronici. È un
semiconduttore del IV gruppo della tavola periodica e allo stato solido si presenta in due
forme: cristallina e amorfa (come il vetro). Nel materiale di tipo cristallino gli atomi sono
disposti ordinatamente e periodicamente (hanno simmetria di traslazione lungo un
reticolo ordinato): conoscendo una cella elementare è possibile ricavare la struttura
dell’intero materiale traslando questa lungo uno degli assi di simmetria. Al contrario, il
materiale amorfo presenta atomi disposti in modo disordinato e caotico. Si tratteranno
solamente strutture cristalline monoatomiche, cioè formate unicamente da atomi dello
stesso tipo.
Se in un cristallo esistono assi di simmetria questi vanno presi ovviamente come assi di
riferimento e volendo studiare una proprietà spaziale del metallo essa andrà valutata
rispetto a questi. Per esempio la conducibilità di un metallo potrebbe essere diversa se
studiata in una direzione oppure in un altra. Non si utilizza però il sistema XYZ ma si
utilizza il sistema di Miller dove [abc] sono gli indici legati ai versori degli assi.
Esempio
[100] indica un piano normale all’asse X che passa per il punto x=1. La direzione normale
a questo piano (quindi il vettore parallelo all’asse x in questo caso) si indica con <100>
Dispositivi Elettronici Pagina 1

[111] è il piano che intercetta l’asse x, l’asse y, e l’asse z nel punto 1. La normale che
uscendo dall’origine intercetta ortogonalmente il piano è quindi <111>.
L’unità (l’indice 1) rappresenta il passo reticolare del cristallo, che è costante tra un piano e
l’altro. La cella elementare che viene replicata ordinatamente rispetto agli assi
cristallografici può essere quadrata ( esempio la cella del cristallo di fosforo), cubica a
corpo centrato ( esempio Sodio), cubica a facce centrate (esempio Oro), ecc ecc.
Il silicio ha una struttura leggermente più complicata:
È sempre cubica a facce centrate ma ogni atomo al centro della faccia è collegato con altri
due: si dice che ciascun elemento è composto da un atomo e dal suo vicino tetraedrico, e
la stessa struttura si ritrova nel diamante .

Passo atomico
Il passo atomico di una struttura è legato alla dimensione dell’atomo al suo interno. Un
kg
materiale solido ha mediamente densità nell’ordine di 1000 . Per esempio un materiale
m3
kg
leggero come il sodio ha densità di 968 .
m3
Quanti atomi a metro cubo ha quindi un generico materiale? Il peso atomico del sodio è
moli
23 g/mole, e dividendo questo per la sua densità ottengo circa 4 ⋅10 4 . Moltiplicando
m3
atomi
per il numero di Avogadro ( 10 23 atomi/mole) ottengo 2.4 10 28 . Tradizionalmente
m3
si utilizzano però i cm 3 quindi si ha:
atomi
2.4 ⋅10 22 .
cm 3
Se il sodio ha struttura cubica a corpo centrato si può stimare la distanza tra gli atomi del
reticolo. In una cella elementare vi sono 9 atomi, e il volume è A 3 , dove A è il passo
1
atomico. Ogni vertice però è condiviso con 8 cubi circostanti, per cui avremo 8 ⋅ + 1
8
2
atomi per cristallo e la densità è quindi . Uguagliando la densità macroscopica calcolata
A3
precedentemente si ottiene
2
A=3 = 5 Å =5 ⋅10 −10 m
2.4 ⋅10 22
Si ricorda che 10 −7 cm = 1 nm = 10Å. Un atomo di Idrogeno ha raggio 0.5 Å (raggio di

Bohr).
L’energia necessaria per rompere un legame ( lavoro di estrazione di un elettrone) ha
ordine di grandezza di 13.6 eV. Questo numero significa che prendendo un atomo di
idrogeno e sparandogli addosso un elettrone con energia cinetica maggiore di 13.6 eV,
nell’urto può succedere che l’elettrone dell’atomo venga liberato e si dice che questo viene
ionizzato. Per dare un energia di 13.6 eV a un elettrone devo accelerare la particella con
una tensione di 13.6V.
Più l’atomo è grande meno energia serve per estrarre l’elettrone perché si troverà ad una
distanza maggiore e quindi il nucleo eserciterà meno forza su di esso.

Teoria semiclassica dell’atomo
Orbite quantizzate
La teoria classica dell’elettromagnetismo non è in grado di giustificare la stabilità dei
sistemi atomici, caratterizzati da una carica positiva nel nucleo e una carica negativa
orbitante. Per la teoria classica, la forza centripeta tale per cui la particella negativa orbiti
stabilmente dovrà essere uguale a :
V2
F=m
r
Questa forza non può che essere fornita dal legame elettrostatico tra le due particelle con
carica uguale ed opposta:
q⋅q V2
F= = m
4πε 0 r 2 r
Dal punto di vista elettromagnetico la struttura non è però stabile perché si avrebbe una
carica positiva fissa al centro e una carica negativa che, essendo in movimento, dovrebbe
generare un campo elettromagnetico e verrebbe quindi necessariamente emessa una
radiazione: se però fosse così allora vorrebbe dire che il sistema perderebbe energia e
quindi la particella dovrebbe venir rallentata e alla fine collassare sul nucleo. In realtà ciò
non avviene sempre: la particella non irradia (e quindi non perde energia) se la quantità di
moto dell’elettrone è pari a un numero intero di volte una costante, chiamata di Planck h :
mV ⋅ r = nh
Sotto queste condizioni non vi è irradiazione e si dice che l’orbita è stazionaria. Esistono
quindi dei raggi quantizzati (discreti) di orbite atomiche corrispondenti ai numeri interi
della costante di Planck. Tali raggi si ricavano sostituendo la seconda nella prima:
m 2V 2 r 2 q2
=
m ⋅ r3 4πε 0 r 2
n2 h 2 q2
=
mr 4πε 0
n 2 h 2 4πε 0
rn =
mq 2

L’energia potenziale elettrostatica associata ad un dato livello è quindi:
1 1 −qZ −q 2 Z −q 4 m ⋅ Z Z
E= ⋅ q ⋅V = ⋅ q ⋅ = = = − 2 ⋅ Ry
2 2 4πε 0 r n h 4πε 0 2 ⋅(4πε 0 ) n h
2 2 2 2 2
n
2 ⋅ 4πε 0 ⋅ 2
mq
13.6
=− ⋅Z
n2
dove Z è il numero atomico e Ry è il numero di Rydberg e vale appunto 13.6 eV.
Se esistono orbite stazionarie quantizzate esistono quindi anche livelli energetici distinti e
quantizzati. Avvicinandosi al nucleo l’energia potenziale di una carica diventa sempre più
negativa (situazione corrispondente ad avere n=1), come se vi fosse una buca di
potenziale. Le cariche però non precipitano sul nucleo ma come detto sostano a livelli
definiti.
Se nelle orbite stazionarie sottostanti non vi sono già 2 elettroni, per il principio di
esclusione di Pauli dopo un po’ una particella andrà a occupare il livello sottostante e cede
l’energia in eccesso (sotto forma di radiazione luminosa, un fotone) fintanto che la sua
energia potenziale non corrisponda a quella del livello parzialmente occupato. Nelle
strutture cristalline che verranno studiate vi è un ripetersi continuo e regolare di buche di
potenziale (in quanto vi sono atomi disposti regolarmente): si dovrà capire se questo
modifica i livelli energetici ammessi dal reticolo e in che modo.
Si immagini un cristallo conduttore: questo sarà costituito da un reticolo periodico di
atomi immersi in una “nuvola” di cariche (elettroni) libere di muoversi, con una densità
cariche cariche
3
(n). Il rame per esempio ha ordine di grandezza 10 22 . Gli elettroni
cm cm 3
“liberi” sono quelli che risiedono sugli orbitali più lontani dal nucleo e che, non essendo
fortemente legati, sono in grado di saltare nelle buche adiacenti occupando i livelli liberi
più esterni.

Semiconduttori
Velocità media e mobilità
Si immagini un materiale immerso in un campo elettrico e sia vd la velocità media degli

elettroni in movimento a causa di questo: la corrente elettrica è definita come la carica che
attraversa una data sezione per l’unità di tempo. Se si considera una sezione rettangolare S
e una lunghezza L all’interno del materiale si ha un parallelepipedo. In questo volume vi è
una densità media di cariche n e quindi un numero di cariche NC pari a:
NC = n ⋅V = n ⋅ S ⋅ L
Se queste cariche attraversano tutte la sezione in un unità di tempo si ha una corrente:
NC L
I = q⋅ = q ⋅ n ⋅ S ⋅ = q ⋅ n ⋅ S ⋅ vd
t t
La ben nota legge di Ohm però dice che
V = RI
Per ricondursi a questa si deve cercare la relazione tra la velocità media delle cariche ed il
campo elettrico agente su esse. Si definisce mobilità la costante di proporzionalità tra
campo elettrico e velocità di drift degli elettroni:
vd = µ ⋅ E
Il campo elettrico genera una forza su una carica all’interno di esso e quindi questa si
muove. Ma come può una forza portare le cariche a spostarsi a velocità costante e non
con moto accelerato, come implicherebbe la prima legge della dinamica?
In assenza di campo elettrico il moto dei portatori all’interno del reticolo è caotico e le
particelle si muovono per agitazione termica in direzione casuale. Se si considerasse un
elettrone come particella puntiforme questo avrebbe energia cinetica media:
1 2
Ek = mv
2
Dove in questo caso v è il modulo della velocità media dovuta all’agitazione termica.
Ma a temperatura assoluta T l’energia cinetica media di una particella vale (moto in 3
dimensioni):
3
Ek = kT
2

e quindi le particelle hanno velocità quadratica media (dovuta alla temperatura) pari a:
2 3kT
v =
m
All’equilibrio termico la singola particella ha energia cinetica non nulla, e questa energia è
fornita dalle vibrazioni degli atomi. Ogni particella urta con quelle circostanti cedendo
energia: la velocità media di tutte queste è comunque nulla, quindi non vi è corrente netta
seppur la velocità delle singole cariche sia diversa da zero. La velocità media termica è
nell’ordine di 10 8 cm/s.
Applicando una differenza di potenziale agisce una forza sulle cariche (negative) che
quindi acquisiscono una componente ordinata (ovvero in direzione del campo) di
accelerazione media non nulla. Tralasciando il moto caotico si osserva che inizialmente la
qe E
velocità aumenta a pendenza costante ( moto uniformemente accelerato) pari a .
me
La particella però accelera solo per un tempo breve in quanto, muovendosi, essa va a
sbattere con un altra particella: se si tratta di un atomo caricato positivamente questa viene
attratta da esso e deviata. In media questa deviazione porta la velocità di ripartenza a zero
(a volte prosegue, a volte viene deviata all’indietro). La velocità di deriva della particella
aumenta quindi solo per poco tempo (durante in quale vale il primo principio della
dinamica) e poi si ferma. Il tempo medio durante il quale la particella si muove senza urti
è τ ed è chiamato tempo medio di collisione. Mediamente la velocità di deriva sarà:
qe E
vd = ⋅τ
me
NB Osservando il grafico si nota che geometricamente la velocità media sarebbe pari a

metà della velocità massima, cioè quella raggiunta dopo un tempo τ . A causa però della
variabilità di τ il valore reale di velocità media è quello sopra indicato, e il risultato è
ottenibile studiando il problema con modelli più complicati.
La costante di proporzionalità che lega la velocità media al campo elettrico è quindi la
mobilità e vale :
qe ⋅ τ
µ=
me
e quindi:
vd = µ E

Legge di Ohm
λ
Se le particelle hanno una velocità media vd = ( λ è il libero cammino medio di una
τ
particella) allora in un unità di tempo τ tutte le particelle contenute nel volume λ ⋅ S
avranno attraversato la sezione. Il numero di cariche è dato dalla densità per il volume e
quindi la corrente vale:
NC λ ⋅S ⋅n
I= = −q ⋅ = −vd ⋅ S ⋅ n ⋅ q = vd ⋅ S ⋅ n ⋅ qe
t τ
Introducendo la mobilità appena trovata si ha quindi:
⎧ I = vd ⋅ S ⋅ n ⋅ qe = µ ⋅ E ⋅ S ⋅ n ⋅ qe
⎪
⎨ ΔV
⎪E =
⎩ L
ΔV ⎛ S⎞
I = µ⋅ ⋅ S ⋅ n ⋅ qe = ⎜ µqen ⎟ ⋅ ΔV
L ⎝ L⎠
Si definisce resistenza la costante di proporzionalità tra corrente e tensione applicata:
V
I=
R
1 S
= µqen
R L
1
ρ=
µqen
L
R= ρ⋅
S
e quindi da questo si ha la legge di Ohm.
Gli ordini di grandezza delle costanti utilizzate sono:
τ è circa 1 pS
q è 1.6 ⋅10 −19
Massa dell’elettrone è 9.1 ⋅10 −31
m2
La mobilità è espressa in ma per tradizione si usano i centimetri. Si ottiene
V ⋅s
m2 cm 2
µ =175 ⋅10 −3 = 1700
V ⋅s V ⋅s

cm 2
La resistività del rame è nell’ordine dei µΩ ⋅ cm . Con una mobilità di 1700 si ottiene
V ⋅s
ρ =0.14 µΩ ⋅ cm
Metalli aventi densità atomica nell’ordine di 10 22 hanno quindi una resistività di µΩ ⋅ cm ,

un isolante ha resistività 1014 Ω ⋅ cm .
Concentrazione intrinseca dei semiconduttori

Tutta l’elettronica è basata su semiconduttori, che hanno resistività tra 1 Ω ⋅ cm e 0.1
Ω ⋅ cm . A prima vista essi sembrerebbero inutili in quanto sono una via di mezzo tra i
conduttori e gli isolanti, ma non è così: con i semiconduttori è infatti possibile modulare
le proprietà di conduttività dall’esterno. Si è già vista la struttura cristallina del silicio:
inoltre la disposizione atomica dei materiali appartenenti al quarto gruppo è tale da avere
4 elettroni di valenza sull’orbita più esterna e quindi tale da poter realizzare 4 legami
covalenti con altri atomi. Questi elementi sono quindi abbastanza isolanti perché tutti gli
elettroni sono impegnati in legami con altri atomi. Immaginando una struttura piana
invece che tridimensionale si nota che ogni elettrone è condiviso da due atomi e quindi
dovrebbe essere un ottimo isolante non essendoci alcuna carica libera di muoversi (come
nel caso del diamante).
Nel silicio puro (intrinseco) però, applicando un campo elettrico, scorre corrente: deve
essere presente della carica libera! Si misura sperimentalmente una concentrazione di
portatori mobili che a temperatura ambiente vale 1.45 ⋅1010 cm −3 . Questa carica proviene
dalla rottura di qualche legame: il numero va confrontato con la densità atomica per capire
che percentuale di atomi ha liberato un portatore. La densità atomica che si è calcolata
atomi
precedentemente è 10 22 : il numero di cariche libere è molto minore, e vuol dire che
cm 3
pochi atomi del cristallo hanno liberato un elettrone.
Il valore di portatori liberi dipende dalla temperatura e all’aumentare di questa aumenta la
concentrazione cariche mobili. Se vibrando 2 atomi si allontanano, il legame si allunga e
ha più probabilità di rompersi liberando un portatore.

Nel diamante (composto da carbonio, elemento del secondo gruppo) il legame è molto
forte (gli elettroni più esterni sono molto vicini al nucleo avendo l’atomo solo due orbitali)
mentre nei semiconduttori è più debole essendo gli elettroni su orbite più distanti.
La dipendenza della concentrazione intrinseca dalla temperatura è esponenziale e definita
dalla legge di attivazione di Arrhenius :
Egap
−
ni = A ⋅ e 2 kT
Il grafico di Arrhenius mette in relazione 1/T e concentrazione intrinseca.
Lacune ed elettroni
Applicando un campo elettrico al semiconduttore e osservando gli elettroni che si
muovono, si misura una numero maggiore di cariche rispetto a quelle che dovrebbero
esserci considerando la corrente che scorre. Oltre agli elettroni già liberati dal legame
covalente, ve ne sono alcuni che vengono strappati da altri legami e vanno a occupare
posizioni libere. Se un elettrone va a occupare un legame allora ne libera un altro, quindi il
“buco” si muove in senso opposto: questo buco viene chiamato lacuna. Nei metalli non

si ha questa situazione perché si hanno molti elettroni già liberi, nei semiconduttori invece
se un elettrone è libero è perché ha lasciato un legame covalente generando una lacuna.
Si immagini il caso di un solo elettrone libero: vi sarà una sola posizione vuota. La
corrente è proporzionale alla carica e alla velocità di tutti gli elettroni, sia quello libero sia
quelli che sono nei legami.
I = −q ⋅ ∑ vk Legami − q ⋅ vi Libero
k≠i
Se non ci fosse l’elettrone libero la somma di tutte le velocità sarebbe zero perché non si
avrebbero portatori liberi e niente (in media) si muoverebbe! Sommando e sottraendo la
velocità che avrebbe l’elettrone se fosse ancora nel legame covalente ottengo:
I = −q ⋅ ∑ vk Legami − q ⋅ vi Libero + q ⋅ vi Legami − q ⋅ vi Legami = −q ⋅ ∑ vk Legami − q ⋅ vi Libero + q ⋅ vi Legami

k≠i
!# #k"## $
0
= −q ⋅ vi Libero
+ q ⋅ vi Legami
La somma di tutti gli elettroni legati deve essere nulla. Rimane quindi che la corrente netta
dovuta a un elettrone è uscito dal legame è pari a:
1) Il contributo che da l’elettrone libero ;

2) Il contributo che darebbe un elettrone libero se avesse carica opposta e velocità
dell’elettrone legato.
Per calcolare rigorosamente la corrente si dovrebbe tener conto di tutti gli elettroni che si
muovono per riempire la lacuna (si immagini che la catena di riempimenti si propaghi fino
al contatto metallico dove verrebbe terminata dal mare di elettroni liberi), ma è molto più
semplice considerare solo la lacuna che si muove in senso opposto. Il secondo contributo
ha velocità negativa e quindi si somma al primo.
In un isolante quando si strappa un elettrone dal legame si generano due contributi alla
corrente e quindi due mobilità che si sommano. I semiconduttori, che a rigore dovrebbero
essere isolanti, a temperature diverse dallo zero assoluto diventano un po’ conduttivi e
producono una conduzione bipolare, dovuta alle lacune e agli elettroni.

La conducibilità quindi calcolata diversamente. In un metallo si ha:
1
cmetallo = = µn ⋅ qn ⋅ n
ρ
In un semiconduttore ci sono elettroni con concentrazione intrinseca n = ni con una loro

mobilità, ma oltre a questo contributo ci sono anche le cariche positive, con una certa
concentrazione p = ni (che è uguale a quella degli elettroni perché esse sono generate da
questi) e una certa mobilità µ p .
La mobilità è legata alla velocità di deriva media, ma se carica e libero cammino medio
sono semplici da immaginare anche per la lacuna, cosa si può dire riguardo alla massa? Si
deve definire una massa equivalente dopo aver misurato la velocità media alla quale si
muovono le lacune e questa viene chiamata massa efficace. Nel silicio è circa 0.38*me.
csemiconduttore = ( µ p ⋅ q p ⋅ n + µn ⋅ qn ⋅ p)
qp ⋅τ p
µp =
meff
In altre parole le correnti saranno la somma della corrente dovuta alle lacune e di quella
dovuta agli elettroni.
S S
I = csemic ⋅ ⋅V = ( µ p ⋅ q p ⋅ n + µn ⋅ qn ⋅ p)⋅ ⋅V
L L
Drogaggio
Visto come varia la corrente in un semiconduttore, è facile intuire come modificare la
conducibilità del materiale: basta variare le concentrazioni di elettroni e lacune.
Si immagini di inserire all’interno del reticolo un atomo di fosforo. Ogni tanto nel reticolo
si avrebbe un atomo diverso con 5 elettroni di valenza: 4 si legano con atomi di silicio
vicini e il quinto rimane libero. Questo elettrone esce dal suo orbitale e diviene disponibile
alla conduzione.

Sono stati quindi inseriti degli elettroni addizionali immettendo un atomo del V gruppo.
Se per esempio si eseguisse un drogaggio di 1 ppm, si andrebbero a inserire, per unità di
volume, 1 ppm * 10 22 atomi quindi 1016 elettroni addizionali liberi, molti più di quelli
originari dovuti alla rottura dei legami. Nella conducibilità ora la concentrazione di cariche
negative è dovuta esclusivamente alla concentrazione di portatori dovuta al fosforo
(chiamata N D , da donori) e quindi alla concentrazione di atomi droganti. Gli elettroni
sono anche in numero molto maggiore delle lacune (che sono generate solo dalla rottura
dei legami covalenti e quindi il loro numero non varia) e sono detti portatori maggioritari.
È facile immaginare anche il caso opposto, ovvero drogare il materiale con uno del III
gruppo che genera una lacuna addizionale.
La concentrazione di lacune è data dalla percentuale di drogaggio ed è detta N A . Ora si

avranno quindi molte più lacune che elettroni liberi e la conducibilità, essendo ora
praticamente solo composta dal termine della carica positiva, dipende dalla
concentrazione di atomi droganti di tipo P.
Ci si deve però accertare che effettivamente tutti gli atomi droganti riescano a cedere il
proprio portatore in eccesso. Per esempio in un materiale drogato con fosforo, ciò
dipende dall’energia necessaria per rendere libero il quinto elettrone e questa dipende
dall’orbitale sul quale si trova. Se kT (l’energia in grado di fornire il reticolo per agitazione
termica) è maggiore del lavoro di estrazione allora posso considerare gli elettroni in
eccesso di tutti gli atomi di fosforo liberi.
Il fosforo è del terzo periodo e quindi ha tre orbitali . L’energia necessaria per estrarre un
elettrone è
Z 13.6
Ee = 2
⋅13.6 = 2 > 1eV
n 3
Che è un valore abbastanza alto rispetto all’energia fornita dal reticolo, circa 25 meV.
Muovendosi però, l’elettrone vede altri elettroni che lo respingono: bisogna tener conto di
questo fatto (detto polarizzabilità). Dove interviene la polarizzabilità? Essa è definita dalla
costante dielettrica. Infatti il campo elettrico nel reticolo è minore che nel caso del vuoto,
quindi si deve usare la costante dielettrica del materiale. Nel caso del silicio la costante
dielettrica relativa è 11.7 e questa compare sia nel raggio dell’orbita sia nell’energia di
estrazione:

1) Il raggio a cui orbita l’elettrone è maggiore di un fattore circa 10 rispetto al caso di un
atomo nel vuoto: se nel silicio il raggio era 0.5 Å, l’elettrone di fosforo orbita a 5 Å,
nell’ordine del passo reticolare.
2) L’energia necessaria a estrarre l’elettrone è 100 volte minore ( compare ε 2 ) quindi
diventa comparabile con kT
Ee0
Ee =
εr2
rn = ε r ⋅ rn0
Gli elettroni sono molto debolmente legati e vengono facilmente portati via. Quindi si
può assumere che tutti i droganti siano ionizzati a temperatura ambiente ed è corretto dire
che la concentrazione di portatori liberi di un tipo è uguale alla concentrazione di atomi
droganti.
Legge di azione di massa

Si supponga di avere una regione drogata con donori. La gran parte degli elettroni liberi è
fornita dagli atomi di fosforo e quindi la concentrazione di portatori negativi è pari a
quella di atomi di drogante. Ci si chiede se la concentrazione di lacune sia variata o meno
a seguito del drogaggio. Se prima si avevano 1010 lacune per cm 3 , dovute ad altrettante
rotture di legami, ora che ci sono moltissimi elettroni disponibili è molto più probabile
che uno di questi si trovi abbastanza vicino da andare a occupare il posto vacante e quindi
ci si può aspettare una diminuzione del numero di lacune.
Il numero di lacune ed elettroni dipende dal tasso di generazione e ricombinazione. Il
tasso di generazione (eventi di rottura di legame al secondo) è funzione della sola
temperatura, infatti una generazione è dovuta alle vibrazioni del reticolo. Il tasso di
ricombinazione è funzione della temperatura ma è anche funzione del numero di lacune e
del numero di elettroni disponibili (ovvero dipende dal prodotto delle concentrazioni, se
una delle due è nulla allora non si hanno ricombinazioni! ).
Generazione = f1 (T )
Ricombinazione = nn ⋅ n p ⋅ f2 (T )
All’equilibrio si ha che il tasso di generazione è pari al tasso di ricombinazione

(aumentando la generazione aumenta anche la densità di portatori liberi quindi aumenta la
ricombinazione) : quindi deve essere che
Generazione = Ricombinazione
f1 (T ) = nn ⋅ n p ⋅ f2 (T )
f1 (T )
nn ⋅ n p =
f2 (T )
Questo vale sempre, anche nei semiconduttori drogati. Se però si considera il silicio
intrinseco, essendo i portatori p in numero uguale ai portatori n, si ha

nn = n p = ni
f1 (T )
nn ⋅ n p = ni 2 =
f2 (T )
Questa allora deve valere sempre, per qualsiasi tipo di semiconduttore, drogato o no, ed è
chiamata legge di azione di massa.
Se ni è 1010 e inserisco 1017 atomi di fosforo, allora la concentrazione di lacune scende a
10 3 !
NB Finora si è immaginato che all’interno del reticolo vi fosse una concentrazione

costante di drogante: ma ciò non è proprio vero. Infatti il drogante viene inserito dall’alto
e la concentrazione sarà maggiore verso la superficie e diminuirà scendendo all’interno.
Per creare una giunzione pn si dovrebbe drogare p e poi n, ma in questo modo non si
avrebbe controllo preciso sulle concentrazioni: generalmente si utilizza quindi un
substrato di silicio già drogato (di tipo p) e vi si diffonde solo la zona mancante.
Legge della neutralità di carica

Si immagini una zona drogata di tipo n. Come dimostrato, tutti gli atomi di drogante sono
ionizzati e quindi hanno liberato il loro elettrone: vi è quindi una carica positiva netta
localizzata sugli ioni di fosforo. Per garantire la neutralità di carica del cristallo devo avere
che la carica positiva eguaglia quella negativa, quindi deve essere che
N+ + p = N− + n
ovvero la concentrazione di cariche fisse positive (atomi che hanno ceduto un elettrone)
più la concentrazione di cariche mobili positive (lacune) deve essere pari alla
concentrazione di cariche fisse negative (atomi che hanno ricevuto un elettrone) più la
concentrazione di cariche mobili negative.
Potenziale di contatto (Built In)

Si prenda del silicio e si divida in due zone, e nella zona 2 si inseriscano più atomi di
fosforo rispetto alla zona 1.

L’atomo di fosforo è rappresentato come un sito positivo con il suo elettrone: quando
l’elettrone viene allontanato si crea una carica positiva fissa e una carica negativa mobile.
Immaginiamo di avere 3 atomi di fosforo ognuno con il proprio elettrone nella zona 2.
Quando gli elettroni lasciano l’orbitale tendono a diffondere verso le zone a
concentrazione minore, ma appena questi si allontanano la carica positiva netta della zona
contenente gli ioni inizia a aumentare (la carica positiva fissa non è più bilanciata da quella
negativa degli elettroni), mentre dove gli elettroni aumentano si genera un potenziale
negativo. C’è quindi una differenza di potenziale e un campo elettrico! Gli elettroni
tendono a diffondere fintanto che il campo diventa abbastanza forte da contrastare il
moviemento diffusivo. In condizione di equilibrio quindi non è vero che la
concentrazione di elettroni è uguale, ma avrà un valore n1 da un lato e n2 dall’altro. Il
potenziale della zona contenente gli ioni sarà maggiore di quella contenente gli elettroni,
V2>V1.
Per trovare la relazione tra n1,n2 e la tensione consideriamo l’esempio di una colonna
riempita di gas all’equilibrio termico:
La legge dei gas ideali dice che
pV = nRT
!
dove n! è il numero di moli. Dividendo per il numero di Avogadro entrambi i membri

otteniamo
pV R
= n! ⋅ ⋅T = nkT
!
N AV N AV
n! ⋅ N AV
p= ⋅ kT = nkT
V
dove n è invece la concentrazione di particelle per unità di volume. Se consideriamo due

sezioni, una ad altezza z e una ad altezza z + un infinitesimo dz, che differenza di
pressione c’è? La concentrazione sarà variata di dn e la pressione di dp
dp = kT ⋅ dn

ma la variazione di pressione dipende dalla differenza del peso delle particelle sovrastanti
e cioè è il peso delle particelle contenute nell’infinitesima unità di volume diviso l’area:
mg ⋅ n ⋅ A ⋅ dz
−dp = = mgn ⋅ dz
A
Sostituendo ottengo:
−kT ⋅ dn = mgn ⋅ dz
dn mgn
=−
dz kT
Se si volesse conoscere la concentrazione ad una certa altezza rispetto alla coordinata zero
allora integrando si ottiene:
mgz Ep
− −
nz = nz=0 ⋅ e kT
= nz=0 ⋅ e kT
ma mgz è l’energia potenziale delle particelle ad altezza z! Questa è la funzione di

ripartizione di Boltzmann e indica la probabilità che una particella all’equilibrio termico si
trovi in una posizione z a causa dell’energia termica. Analogamente se volessi conoscere la
differenza di concentrazione tra due coordinate si otterrebbe
mg( z2 −z1 ) ΔE p
− −
n(z2 ) = n(z1 )⋅ e kT
= n(z1 )⋅ e kT
Possiamo stabilire un equivalenza con il caso del semiconduttore generalizzando le due

concentrazioni in presenza di una differenza di energia potenziale. L’energia potenziale di
una particella in un campo è pari alla carica per il potenziale. Si ottiene quindi
− qV2 −(− qV1 ) q(V1 −V2 ) qφ
n2 − −
=e kT
=e kT
=e kT
n1
In una zona con differenti drogaggi, la stima delle concentrazioni è data dalla
concentrazione di atomi droganti e il potenziale che viene a crearsi tra le due regioni è:
kT ⎛n ⎞
φ= ⋅ ln ⎜ 2 ⎟
q ⎝ n1 ⎠
Caso più complicato: zona drogata n e una zona drogata p.
Se N D è 1017 e N A è 1015 : nella zona N ci sono circa 1017 elettroni e nella zona P un
numero di lacune uguale al numero di atomi droganti. Sapendo che p p ⋅ n p = N A ⋅ n p = ni 2
allora si trova che il numero di elettroni nella zona drogata p è circa 10 5 .

kT ⎛ N ⋅N ⎞
φc = Vn − Vp = ⋅ ln ⎜ d 2 a ⎟
q ⎝ ni ⎠
Gli elettroni si muoveranno verso la zona con meno concentrazione e si genererà una
differenza di potenziale di equilibrio (potenziale di contatto o built-in).
Giunzione PN e diodo
Giunzione PN
Come già visto drogando con accettori un lato e con donori dall’altro avviene un
fenomeno diffusivo per cui le due specie si spostano dal lato opposto. Questa diffusione
crea una differenza di potenziale: una lacuna aumenta il potenziale della zona in cui
diffonde e diminuisce quello della zona di provenienza e viceversa per gli elettroni. Nella
zona vicino alla giunzione tutti gli elettroni avranno attraversato andando nella zona P e
tutte le lacune avranno attraversato andando nella zona N. Si creerà così una regione nella
quale non vi sono portatori liberi (gli elettroni saltati si sono ricombinati con le lacune
presenti in abbondanza, e così anche le lacune) chiamata regione di carica spaziale. Sarà
per cui anche presente un campo elettrico che alimenta la differenza di potenziale,
generato dagli atomi che perdono o acquistano carica.

Il lato N avrà un potenziale positivo (elettroni che se ne vanno e lacune che arrivano)
mentre il lato P sarà a potenziale negativo (elettroni che arrivano e lacune che se ne
vanno). La differenza di potenziale andrà dalla zona P alla zona N e il campo elettrico
andrà dalla zona N alla zona P.
φi = Vn − Vp
La differenza di potenziale è stimabile osservando il sistema all’equilibrio termico, come

già detto. In un sistema classico all’equilibrio termico le particelle si distribuiscono
secondo il rapporto delle energie potenziali seguendo la legge di Boltzmann. Nella zona N
la densità di elettroni è N D mentre la zona P si ha una densità N A di lacune e una densità
ni 2
di elettroni (portatori minoritari) pari a . Si definiscono gli elettroni maggioritari nella
NA
zona N nn mentre quelli minoritari nella zona P n p .
Applicando il ragionamento precedentemente visto si deve avere che:

E p 2 −E p1
−
n2 = n1 ⋅ e kT
E p , p −E p ,n E p , p −E p ,n
ni 2 − −
np = = nn ⋅ e kT
= ND ⋅ e kT
NA
E p , p −E p ,n
ni 2 −
=e kT
NA ⋅ ND
− q⋅Vp +q⋅Vn q⋅(Vp −Vn ) φi
ni 2 − −
=e kT
=e kT
=e kT
NA ⋅ ND
kT ⎛ N ⋅N ⎞
φi = ⋅ ln ⎜ A 2 D ⎟
q ⎝ ni ⎠
Questo lega il potenziale di built in alla concentrazioni di droganti ( N A e N D ), alla

temperatura e al materiale utilizzato.
NB Se cortocircuito il dispositivo non vi è però passaggio di corrente ai terminali anche

se c’è una differenza di potenziale. Questa sembra una contraddizione, per cui dovrò
avere una caduta di tensione da qualche parte che compensa il potenziale di built in.
Ricordando che anche la giunzione metallo-semiconduttore genera un potenziale
intrinseco, si deve avere che la somma delle cadute sui contatti eguaglia quella della
giunzione pn. La differenza è che i contatti sono conduttivi: qualunque corrente vi sia nel
sistema, la differenza di potenziale tra metallo e silicio non varia. Se si applica una
tensione esterna determinerà un passaggio di corrente che non altera la differenza di
potenziale della giunzione metallo-semiconduttore ma eventualmente andrà a variare la
tensione di contatto della giunzione PN.
Qualitativamente applicare una tensione esterna significa immettere cariche positive nella
zona P e cariche negative nella zona N. Immaginando di applicare un generatore con
verso opposto a φi (polarizzazione diretta) le cariche positive andranno a sommarsi a
quelle già presenti diminuendo il numero di elettroni legati ad atomi accettori nella zona
svuotata, mentre dal lato opposto le cariche negative andranno a diminuire il numero di
lacune riducendo il campo elettrico e quindi il potenziale di contatto intrinseco. Siccome il
potenziale del contatto metallo-semiconduttore ( contatto ohmico) non varia, la nuova
tensione sulla giunzione pn sarà pari a quella esterna meno quella di contatto ohmico, che
è uguale alla tensione i built in.
Se applico una tensione in senso opposto (polarizzazione inversa) andrò a mettere carica
positiva dove vi erano elettroni e carica negativa dove vi erano lacune. Quindi la regione
svuotata aumenta e con essa la differenza di potenziale.
I risultati ricavati finora sono che :
1) Gli elettroni diffondono dalla zona N alla zona P e le lacune dalla zona P alla zona N.
Questo dà luogo ad una regione di carica spaziale. Nella zona P infatti gli ioni hanno
ora carica negativa e nella zona N hanno carica positiva. Questo porta ad avere un
campo elettrico e quindi una differenza di potenziale tra le due parti della giunzione
che all’equilibrio si oppone ad un ulteriore passaggio di cariche.
2) La giunzione PN è un dispositivo rettificante. Se si cortocircuita il diodo si avrà che la
somma delle cadute sui morsetti eguaglia il potenziale intrinseco, mentre se si applica

una tensione diretta (potenziale maggiore su P) allora aumenta la concentrazione di
lacune e si restringe la regione di carica spaziale. Questo porta ad avere un passaggio
di corrente (il potenziale sulla giunzione non è più sufficiente a impedire agli elettroni
della zona n di saltare nella zona p e viceversa per le lacune). Se si applica una
tensione inversa invece aumenta il campo elettrico tra le regioni drogate e non vi è
passaggio di corrente.
Si immagini per la polarizzazione diretta il caso degli elettroni in zona N: essendoci meno
campo elettrico aumenta la probabilità che uno di questi riesca a saltare dall’altra parte.
Non appena questo giunge nella zona P, ha di fronte un mare di atomi accettori e si lega
ad uno di questi creando uno ione negativo: diminuisce la carica elettrica totale e quindi il
campo e quindi il potenziale. Il generatore però si accorge del cambiamento e toglie un
elettrone vicino al contatto ohmico, ovvero immette una lacuna. Vi è stato quindi un
passaggio di corrente!
Andamento della corrente

All’equilibrio si ha quindi una differenza di potenziale e non passa corrente. Per capire
meglio la situazione si studi il potenziale elettrico degli elettroni.
Si è detto che il potenziale passando dalla zona P alla zona N aumenta e il gradino è stato
definito come φi .
L’energia potenziale degli elettroni è:
E p,e = −q ⋅V
Il gradino è quindi pari a q ⋅ φi ed è invertito rispetto al gradiente della tensione (questo

vale solo per gli elettroni). Le particelle tendono a portarsi nello stato di minore energia
possibile quindi è normale che vi siano più elettroni nella zona n.
Estendendo la trattazione qualitativa possiamo ora chiederci quanti elettroni riescano
comunque a saltare nella zona P. Vi è una differenza di potenziale e una barriera di
potenziale il cui effetto è bloccare il passaggio ulteriore di carica. Se vi sono elettroni che
dalla zona N vogliono passare nella zona P, dovrebbero muoversi contro il campo
elettrico e verrebbero respinti. Si dice che gli elettroni devono “risalire” il ginocchio e
attraversare la barriera di potenziale: ma se questi non hanno sufficiente energia cinetica
arrivano ad un certo punto e tornano indietro. Vi è una parte di elettroni che possiede
comunque abbastanza energia cinetica da saltare il gradino.
L’energia totale meccanica è data dalla somma di energia potenziale e cinetica: se siamo in
un sistema conservativo (com’è quello considerato) l’energia totale è costante. Se una

particella volesse attraversare la barriera (immaginando energia potenziale nulla nel punto
più basso) dovrebbe quindi arrivare in cima con ancora sufficiente energia cinetica per
proseguire: deve quindi essere che per attraversare la barriera un elettrone deve possedere
energia totale pari almeno a q ⋅ φi , essendo nulla quella potenziale.
1
Etot ,n = ⋅ m ⋅V 2 = q ⋅ φi
2
Ancora con la trattazione di Boltzmann possiamo calcolare il numero di particelle con

energia cinetica maggiore di quella richiesta:
soglia di potenziale
−
nen totale >soglia = ntot ⋅ e kT
q⋅φi
−
nen totale >soglia = N D ⋅ e kT
Questo è il numero di particelle che potrebbero saltare: ovviamente data la

tridimensionalità del problema il numero reale è molto minore, e questo fatto è espresso
con una costante moltiplicativa:
q⋅φi
−
nen totale >soglia = α n ⋅ N D ⋅ e kT
ni 2
Osserviamo ora la situazione dal lato opposto: all’equilibrio nella zona P si hanno
NA
elettroni. Questi pochi, se arrivano vicino al bordo vengono attirati dal campo elettrico e
saltano dall’altro lato. Anche in questo caso si ha che non tutte le cariche riusciranno ad
arrivare al bordo, e anche qua si assume che vi sia un coefficiente di proporzionalità
uguale al caso precedente.
Vi saranno quindi due flussi di elettroni in totale:
F1→2 ∝ N D
ni 2
F2→1 ∝
NA
Vi può essere un flusso netto di elettroni in un verso o nell’altro? Assolutamente no! φi è

ben noto e vale
kT ⎛ N ⋅N ⎞
⋅ ln ⎜ A 2 D ⎟ = φi
q ⎝ ni ⎠
sostituendo per il lato destro si ottiene:
kT ⎛ N A ⋅N D ⎞
q⋅ ⋅ln
q ⎜⎝ ni 2 ⎟⎠ ⎛ N ⋅N ⎞
− ln⎜ A 2 D ⎟
− ⎝ ni ⎠ ni 2
F1→2 ∝ N D ⋅ e kT
= ND ⋅ e = ND ⋅
NA ⋅ ND
ni 2
= = F2→1
NA

Ma ciò era già stato detto: infatti φi è la tensione tale per cui si annulla il flusso netto.
Cosa succede applicando un potenziale diretto? Si è detto che con una tensione diretta la
differenza di potenziale tra le due zone diminuisce, ovvero la barriera di potenziale di
abbassa. Il flusso di elettroni che “cadono” da sinistra a destra non varia perchè è
indipendente dall’altezza della barriera: viene invece aumentato il flusso di elettroni che
“saltano” da destra a sinistra. Sarà infatti ora
q⋅(φi −VD )
−
nen totale >soglia = N D ⋅ e kT
Il risultato è un flusso netto di cariche negative che si spostano:
ni 2
!#"#
$ NA
q⋅(φi −VD ) q⋅φ q⋅VD
−
2
ni − i ni 2 ni 2 q⋅VD
ni 2
αn ⋅ ND ⋅ e kT
− αn ⋅ = αn ⋅ ND ⋅ e kT
e − αn ⋅
kT
= αn ⋅e − αn ⋅
kT
NA NA NA NA
Si deve però tener conto anche delle lacune. Queste essendo positive hanno energia
potenziale che segue il potenziale elettrico e quindi tenderanno a stare nella zona con
potenziale minore. Per lo stesso discorso fatto sugli elettroni, quelle che potrebbero
saltare dall’altro lato sono

qφi q⋅(φi −VD )
pe tot > soglia = α p ⋅ ptot ⋅ e kT = α p ⋅ N A ⋅ e kT
mentre quelle che da destra “cadono” sono
ni 2
α p ⋅ pn = α p ⋅
ND
Il flusso totale di lacune è

q⋅(φi −VD )
− ni 2 n 2 q⋅VD n2
α p ⋅ NA ⋅ e kT
−αp ⋅ = α p ⋅ i ⋅ e kT − α p ⋅ i
ND ND ND
La corrente netta sarà quindi data dalla somma dei due contributi, lacune e elettroni
ni 2 q⋅VD
ni 2 ni 2 q⋅VD
ni 2
I ∝α p ⋅ ⋅e −αp ⋅
kT
+ αn ⋅e − αn ⋅
kT
ND ND NA NA
q⋅VD
⎛ n2 n2 ⎞ n2 n2
= e kT ⋅ ⎜ α p ⋅ i + α n i ⎟ − α p ⋅ i − α n ⋅ i
⎝ ND NA ⎠ ND NA
⎛ ni 2 ni 2 ⎞ ⎛ q⋅V D
⎞
= ⎜α p ⋅ + αn ⎟ ⋅ ⎜ e kT
− 1⎟
⎝ ND NA ⎠ ⎝ ⎠
Si definisce I S la corrente di saturazione inversa che si ha con VD tale per cui il termine
esponenziale diventa trascurabile e quindi:
⎛ q⋅VD ⎞
I D = I S ⋅ ⎜ e kT − 1⎟
⎝ ⎠
Quando VD è pari a 0 la corrente è nulla, mentre quando è negativo la corrente diventa

negativa e costante (il termine esponenziale è trascurabile) in modulo pari a I S .
Effetto fotovoltaico
Se nella zona di giunzione arriva un fotone, questo rompe un legame ( di solito Si-Si, con
energia necessaria nell’ordine di 1 eV ) generando una coppia elettrone-lacuna. Sotto
l’azione di un campo elettrico questi acquistano velocità e quindi determinano una
corrente. Nelle equazioni precedenti questo è visto come un contributo aggiuntivo che si
somma agli effetti trattati. Ciò significa che vi è una traslazione della curva verso il basso:
per esempio in polarizzazione inversa non passerebbe praticamente corrente, ma se vi
sono fotoni che rompono legami la corrente aumenta e il dispositivo diventa una sorgente
di energia. Con potenziali positivi la corrente rimane ancora negativa, per cui è come un
generatore! Il diodo genera quindi potenza. Questa è pari a V ⋅ I per cui le linee
equipotenziali sono delle iperboli. Il massimo si ottiene nel punto tangente alla curva più

esterna, ovvero chiudendo il diodo su una resistenza che imponga il punto di lavoro nel
massimo. Questo deve essere realizzato al variare dell’illuminazione, vi è quindi un
controllo attivo del carico per ottenere il massimo dal pannello.
Corrente inversa
La corrente in zona inversa misurata in un diodo reale è in realtà almeno doppia di quella
predetta. Questo perchè nella zona svuotata succede che un legame si rompe
spontaneamente aggiungendo contributi di corrente.
Campo elettrico nella giunzione
La densità di carica nella zona svuotata è composta a destra da carica negativa (accettori
della zona P che hanno ricevuto un elettrone) e si estende fino a x p , mentre a sinistra da
carica positiva (atomi donori che hanno perso un elettrone) estesa fino a −xn .
⎧ q ⋅ N D , − xn ≤ x ≤ 0
Dens.Carica = ρ (x) = ⎨
⎩−q ⋅ N A , 0 ≤ x ≤ x p
Il legame tra campo elettrico e densità di carica è definito dal teorema di Gauss. Il flusso
netto del campo elettrico uscente da una superficie chiusa in una regione di carica è pari
alla carica presente diviso la costante dielettrica.
Nel nostro caso si ha che a destra, considerando il campo elettrico diretto lungo x, se ho
una sezione A e considero un infinitesimo dx, il campo elettrico entrante sarà dato da
⎡ dF ⎤
F(x)⋅ A mentre quello uscente sarà dato da ⎢ F(x) + ⋅ dx ⎥ ⋅ A . La carica contenuta tra le
⎣ dx ⎦
due sezioni sarà ρ (x)⋅ A ⋅ dx .

Per Gauss quindi
⎡ dF ⎤ ρ (x)⋅ A ⋅ dx
⎢⎣ F(x) + dx ⋅ dx − F(x) ⎥⎦ ⋅ A = ε
dF ρ (x)
=
dx ε
Per ricavare il campo elettrico basta quindi integrare il secondo termine ottenendo
⎧q ⋅ ND ⋅ x
⎪⎪ ε + c1
F(x) = ⎨
⎪ −q ⋅ N A ⋅ x + c2
⎪⎩ ε
Le condizioni al contorno per stabilire le costanti si deducono dal fatto che nella zona
neutra non vi è carica quindi il campo elettrico è nullo. Si ha quindi che
⎧ F(−xn ) = 0
⎨
⎩ F(x p ) = 0
⎧ q ⋅ N A ⋅(−xn )
⎪ + c1 = 0
⎪ ε Si
⎨
⎪− q ⋅ N D ⋅ x p + c = 0
⎪⎩ ε Si 2
⎧ q ⋅ N A ⋅ xn
⎪ c =
⎪
1
ε Si
⎨
⎪c = q ⋅ N D ⋅ x p
⎪⎩ 2 ε Si

Sostituendo si ha che
⎧ q ⋅ N D ⋅ x q ⋅ N D ⋅ xn ⎧q ⋅ ND
⎪⎪ ε +
ε ⎪⎪ ε ⋅ ( x + xn ) , − xn ≤ x ≤ 0
F(x) = ⎨ =⎨
⎪ −q ⋅ N A ⋅ x + q ⋅ N A ⋅ x p ⎪ q ⋅ N A x p − x , 0 ≤ x ≤ x p
( )
⎪⎩ ε ε ⎪⎩ ε
Equivalentemente ( e secondo me più intelligentemente) si può anche scrivere:
⎧ E(x) x
qN D
⎪ ∫ dE = ∫ dx
⎪ E (− xn )=0 − xn
ε Si
⎨ E( xp ) − xp
⎪ qN A
⎪ ∫ dE = − ∫ ε dx
⎩ E ( x )=0 x Si
Ottenendo gli stessi risultati.
Deve inoltre valere la continuità del campo elettrico, e per x=0 si ottiene:
q ⋅ N A ⋅ x p q ⋅ N D ⋅ xn
=
ε ε
Che si riduce a:
N A ⋅ x p = N D ⋅ xn
Si calcoli ora il potenziale. La relazione tra il potenziale e il campo elettrico è:
dφ
F(x) = −
dx
e quindi per ottenere il potenziale si deve integrare il campo elettrico a meno del segno.
⎧ q ⋅ ND q ⋅ ND ⎛ x2 ⎞
⎪− ∫
ε
( x + xn ) dx = − ⋅ ⎜ + x ⋅ xn ⎟ + d1
ε ⎝ 2
⎪ ⎠
φ (x) = ⎨
⎪− q ⋅ N A x − x dx = q ⋅ N A ⋅ ⎛ x − x ⋅ x ⎞ + d
( )
2
⎪ ∫ ε p
ε ⎜⎝ 2 p⎟
⎠
2
⎩
Le condizioni al contorno del potenziale si trovano ipotizzandolo nullo nella zona P e pari
a φi nella zona N.
Si ottiene:

⎧ q ⋅ N D ⎛ xn 2 ⎞
⎪ φ (−x ) = φ = − ⋅⎜ − xn 2 ⎟ + d1
⎪
n i
ε ⎝ 2 ⎠
⎨
⎪φ (x ) = 0 = − q ⋅ N A ⋅ ⎛ x 2 − x p ⎞ + d
2
⎪ p
⎩ ε ⎜⎝ p 2 ⎟⎠
2
⎧ q ⋅ ND 1 2
⎪⎪d1 = − ε ⋅ 2 ( xn ) + φi
⎨
⎪ d2 = q ⋅ N A ⋅ 1 x p 2
( )
⎪⎩ ε 2
e sostituendo quindi:
⎧ q ⋅ ND 1 2
⎪⎪− ε ⋅ 2 ⋅ ( x + 2x ⋅ xn + xn ) + φi
2
φ (x) = ⎨
⎪ q ⋅ N A ⋅ 1 ⋅ x 2 − 2x ⋅ x p + x p 2
( )
⎪⎩ ε 2
⎧ q ⋅ ND 1
⎪⎪− ε ⋅ 2 ⋅ ( xn + x ) + φi
2
φ (x) = ⎨
⎪ q ⋅ NA ⋅ 1 ⋅ xp − x 2
( )
⎪⎩ ε 2
Anche in questo caso si poteva integrare sull’intervallo di interesse evitando di dover

calcolare le costanti:
⎧ V (x) x
qN D
⎪ ∫ dV = − ∫ (x + xn )dx
⎪ n i
V (− x )= φ − x n
ε Si
⎨V ( x p )=0 xp
⎪ qN A
⎪ ∫ dV = − ∫ ε (x p − x)dx
⎩ V (x) x Si
Si deve anche avere continuità del potenziale in x=0
q ⋅ ND q ⋅ NA
− ⋅(xn )2 + φi = (x p )2
2ε 2ε
q
2ε
( )
⋅ N D ⋅ x n 2 + N A ⋅ x p 2 = φi
ma per neutralità di carica:
N D ⋅ xn = N A ⋅ x p

q
2ε
( )
⋅ N A ⋅ x p ⋅ x n + N A ⋅ x p 2 = φi
q ⋅ NA ⋅ xp
2ε
( )
⋅ x n + x p = φi
Non si conoscono ancora le dimensioni xn e x p . Il termine xn + x p è la larghezza della

zona di carica spaziale e è indicato con W. Se l’oggetto ha una zona N molto drogata
avremo una zona negativa molto larga e “bassa” e una zona corta e alta della zona
positiva. Il rapporto delle lunghezze è quindi inversamente legato al rapporto dei droganti
siccome
N D ⋅ xn = N A ⋅ x p .
Se si ricava da questa relazione una delle due dimensioni infatti si ha:
NA
xn = ⋅ xp
ND
⎛ N ⎞
W = xP + xn = x p ⎜ 1+ A ⎟
⎝ ND ⎠
Posso ricavare allora le due dimensioni in funzione di W
ND
xp = W ⋅
ND + NA
NA
xn = W ⋅
ND + NA
ma allora
ND
q ⋅ N A ⋅W ⋅
ND + NA
⋅W = φi
2ε
q NA ⋅ ND
⋅W 2 ⋅ =φ
2ε (ND + NA ) i
2εφi N D + N A 2εφi ⎛ 1 1 ⎞
W= ⋅ = ⋅⎜ +
q NAND q ⎝ N A N D ⎟⎠
Le equazioni possono essere semplificate ipotizzando il caso di giunzione unilatera: se una

concentrazione di drogante è maggiore di almeno due ordini di grandezza dell’altra allora
possiamo assumere che la regione svuotata si estenda prevalentemente nella zona meno
drogata e quindi

2εφi ⎛ 1 1 ⎞ 2εφi
W= ⋅⎜ + ⎟ ≈
q ⎝ NA ND ⎠ q ⋅ N min
Il profilo del campo elettrico quindi è circa un triangolo rettangolo ed ha valore
qN min xmin qN minW

Fmax = ≈
ε ε
Inoltre l’area del triangolo rappresenta il potenziale intrinseco di contatto, ovvero
W ⋅ Fmax
φi =
2
da cui è facile ricavare
2φi 2φi 2q ⋅ N minφi

Fmax = = =
W 2ε Siφi ε Si
qN min
Comportamento in regione inversa e breakdown

Si è visto che in regione inversa scorre una debole corrente di saturazione circa costante
per qualsiasi tensione. In realtà però dopo un certo valore di tensione negativa si verifica il
fenomeno del breakdown.

Il dispositivo si comporta come un generatore di tensione con una leggera resistenza serie.
Se si applica al diodo in polarizzazione inversa una tensione maggiore di quella di
breakdown esso tende a mantenere questa differenza di potenziale tra i suoi morsetti.
Fintanto che non si eccede con la corrente inversa nel diodo (se aumenta troppo potrebbe
alzare la temperatura e fondere i contatti) questo fenomeno è reversibile e diminuendo la
tensione si percorre la curva caratteristica in verso opposto tornando a una corrente
minima.
Come si crea una giunzione che abbia un breakdown a un valore prestabilito? Quali
fenomeni regolano questo comportamento?
In una giunzione abbiamo come detto una zona di carica spaziale, con gli elettroni
confinati per esempio sul lato destro. Se osserviamo l’energia potenziale degli elettroni
(pari a −q ⋅ φ ), questa è bassa rispetto al lato dove sono confinate le lacune: vi è quindi una
barriera di potenziale che impedisce alla maggior parte degli elettroni di saltare dall’altro
lato della giunzione. Vi sono comunque alcuni elettroni che risiedono nel lato più
energetico
ni 2
e sono i portatori minoritari della zona drogata P, in numero pari a .
NA
Se questi si avvicinano alla zona svuotata vengono attirati nella buca di potenziale, e lo
stesso vale per le lacune dal lato opposto. Questi fenomeni contribuiscono alla corrente
inversa, ma ci sono altri contributi che si sommano a questa corrente:
1) Elettroni e lacune che termicamente si generano nella zona svuotata: se si rompe un

legame al centro l’elettrone viene attirato verso la zona a potenziale più alto e la
lacuna nella zona a potenziale più basso.
2) Flusso ottico esterno che libera portatori.
Nessuno di questi sembra però contribuire significativamente al fenomeno del

breakdown. La soluzione è da ricercarsi osservando il comportamento della zona
svuotata: inizialmente aumentando la tensione inversa si è detto che aumenta la differenza
di potenziale tra le regioni e si allarga la regione di carica spaziale. Con questa però
aumenta anche il campo elettrico.

Rottura a Valanga
Si immagini di avere un elettrone che viene iniettato dal lato P al lato N. Sotto l’azione del
campo elettrico questo viene accelerato e acquisisce energia cinetica. L’elettrone ha quindi
ora energia cinetica di φ eV. Ma basta circa 1 eV per rompere un legame! Se uno di questi
elettroni urta con un legame Si-Si lo rompe generando un ulteriore elettrone e una lacuna.
I due elettroni vengono nuovamente accelerati dal campo e possono rompere due ulteriori
legami. Il fenomeno è una serie di ionizzazioni a causa degli impatti, e se già la tensione
intrinseca di contatto è di qualche centinaia di mV basta una piccola tensione inversa per
avviare il processo.
Anche in questo caso però non si spiega completamente il breakdown: è vero che la
corrente aumenta ma il fenomeno così spiegato non è ancora abbastanza divergente da
come osservato nel comportamento reale. La spiegazione è da ricercarsi nel sistema
reazionato positivamente che viene a crearsi: se fossero solo gli elettroni a generare la
corrente si avrebbe una moltiplicazione di cariche libere fino a che essi arrivano alla fine
della giunzione. In realtà però vengono liberate anche lacune che vengono accelerate in
senso opposto e quindi tornano indietro, rompendo alti legami sostenendo il processo.
Il fenomeno è governato da due grandezze: il campo elettrico ( massimo ) e l’estensione

della zona svuotata. Il primo determina la frequenza con cui avviene la ionizzazione (più è
alto il campo, più ho probabilità di rompere un legame e quindi ho più elettroni liberi di
romperne altri) mentre il secondo aumenta la probabilità che un elettrone ionizzi. Infatti
se si ricorda l’andamento della velocità di un elettrone si nota che un urto avviene
mediamente in un tempo molto breve trasferendo energia al reticolo. Aumentando la
distanza che un elettrone deve percorrere aumenta la probabilità che questo, in una delle
tante accelerazioni prima di un urto, raggiunga una velocità tale che la sua energia cinetica
sia sufficiente per rompere un legame.
Quanto è il campo massimo che si deve raggiungere? L’espressione del campo è
(ipotizzando giunzione unilatera con N D zona di minor drogaggio):

2 (φi + Vr ) 2 (φi + Vr ) ε
=
Fmax q ⋅ ND
Fm 2ε
φi + Vr =
2qN D
In prima approssimazione si ipotizza che esista un campo di breakdown, ovvero un valore

per il campo elettrico che, una volta superato, avvia il fenomeno. L’ordine di grandezza
nel silicio è 3⋅10 5 V/cm (o equivalentemente 30 V µ m ). Se esiste un campo di
breakdown allora posso anche ricavare la tensione di breakdown
Fbreak 2ε
Vr,break = − φi
2qN D
Possiamo trascurare la tensione di built in (anche se questa è relativamente alta) e ottenere
Fbreak 2ε
Vr,break =
2qN D
Inserendo i valori nella formula i valori ( ε Si vale 10 −12 pF/cm) si ottiene
3⋅10 −17
Vr,break =
ND
In realtà non è proprio vero che il campo massimo è costante rispetto al drogaggio: esso
tende ad aumentare aumentando il drogaggio in quanto diminuisce la larghezza della
regione di carica spaziale e quindi ho meno spazio per accelerare le cariche. La tensione di
breakdown sarà quindi maggiore rispetto alla stima fatta al primo ordine.
Riassumendo, le particelle generate termicamente vengono accelerate dal campo, che se è
sufficientemente elevato permette a qualcuna di loro di acquisire abbastanza energia
cinetica da liberare un altra carica da un legame durante un urto e quindi si ha una
moltiplicazione a valanga delle cariche, sostenuta dalla retroazione positiva delle lacune
che si muovono in senso opposto rispetto agli elettroni.
Rottura Zener
Come detto, aumentando il drogaggio si riduce la zona di carica spaziale e si incrementa il
campo elettrico (che può arrivare oltre i 2 ⋅10 6 V/cm). Tali valori elevati del campo
possono arrivare a essere paragonabili con quelli esistenti tra i legami atomici e arrivare a
rompere i legami esistenti. La corrente inversa di breakdown quindi è ora determinata
dagli elettroni e lacune liberati dal campo elettrico e questo effetto è detto rottura Zener.
Il breakdown in dispositivi con drogaggi e campi alti ( e quindi tensioni di breakdown
basse) è dovuto all’effetto Zener.
La tipologia di breakdown in una giunzione unilatera dipende quindi dalla zona MENO
drogata in quanto questa determina lo spessore della zona svuotata e il valore del campo
elettrico.

Breakdown rispetto alla temperatura
Aumentando la temperatura il fenomeno di valanga diminuisce il suo effetto! Infatti
aumentando la temperatura aumento la probabilità che un portatore urti prima di
raggiungere l’energia cinetica tale da rompere un legame. Nel caso di breakdown per
effetto Zener invece la temperatura favorisce il breakdown perchè il le vibrazioni del
reticolo fanno si che l’energia per estrarre un elettrone dal legame diminuisca
Legge di Fick, corrente di diffusione

Applicando una tensione diretta riduce la barriera di potenziale e quindi è più probabile
che elettroni e lacune saltino dall’altro lato generando una corrente. Di contro vi sono due
flussi inversi di elettroni e lacune minoritari che cadono nella buca di potenziale.
La corrente totale sarà quindi
⎛ n2 n 2 ⎞ ⎛ q⋅VD ⎞
I = A ⋅ ⎜ α p ⋅ i + α n i ⎟ ⋅ ⎜ e kT − 1⎟
⎝ ND NA ⎠ ⎝ ⎠
Non sono però stati definiti i coefficienti α p e α n .

Il fenomeno da descrivere è la diffusione, ovvero il movimento delle cariche che si
spostano dalla zona in cui sono più concentrate a quella in cui lo sono meno (in assenza
di campo elettrico). Nei metalli questo non accade perchè la concentrazione di elettroni è
determinata dal tipo di materiale ed è costante: nei semiconduttori invece è possibile avere
regioni con diversa concentrazione di portatori in funzione dello spazio.
Se si osserva il numero di elettroni nell’unità di tempo vanno da destra a sinistra attraverso
una sezione e viceversa con diverse concentrazioni, il flusso netto non sarà nullo ma
dipenderà dalla derivata della concentrazione a meno del segno.
Infatti, il flusso in una regione come in figura sarà positivo, mentre la derivata è negativa.
dn
Flusso ∝ −
dλ
Si considerino solo le cariche entro un libero cammino medio della sezione in modo da
essere certi che queste non subiscano collisioni prima di attraversare. Il libero cammino

medio è vth ⋅ τ = λ , e non essendoci campo elettrico le cariche si muovono solo a causa
dell’agitazione termica. Se si osservano le cariche nella posizione λ , metà di queste
andranno a destra e metà andranno a sinistra per moto Browniano. Tutte quelle che vanno
a sinistra attraverseranno sicuramente la superficie, perchè sono a distanza di un libero
cammino medio da questa. Il flusso (attraversamenti/(unità di area x unità di tempo) dato
da queste cariche è dato da
1 n(λ )⋅ λ 1 ⎡ particelle ⎤
Φ− = ⋅ = ⋅ n(λ )⋅ vth ⎢⎣ cm 2 ⋅ s ⎥⎦
2 τ 2
Con lo stesso ragionamento si possono trovare le cariche che passano da sinistra a destra
1 n(− λ )⋅ λ 1
Φ+ = ⋅ = ⋅ n(− λ )⋅ vth
2 τ 2
Il flusso netto di elettroni misurato sarà quindi
1 1 v
Φ= ⋅ n(− λ )⋅ vth − ⋅ n(λ )⋅ vth = th ⋅ ( n(− λ ) − n(λ ))
2 2 2
Se λ è piccolo (come effettivamente è) allora si può sviluppare in serie e ottenere:
vth v ⎛ dn ⎛ dn ⎞ ⎞
Φ= ⋅ ( n(− λ ) − n(λ )) ≅ th ⋅ ⎜ n(0) − ⋅ λ − ⎜ n(0) + ⋅λ⎟
2 2 ⎝ dλ ⎝ d λ ⎠ ⎟⎠
dn dn
= −vth ⋅ λ ⋅ = −Dn ⋅
dλ dλ
La relazione è chiamata Legge di Fick e il coefficiente vth ⋅ λ è detto coefficiente di

diffusione.
Relazione di Einstein
Nell’espressione del coefficiente di diffusione è presente il tempo medio di collisione: si
può quindi legare la mobilità alla diffusività:
q ⋅τ
µ=
me
e
2
vth ⋅ λ = vth ⋅ τ
Quindi:

µ ⋅ me
τ=
q
2
2 µ ⋅ me ⋅ vth
Dn = τ ⋅ vth =
q
1 2
ma me vth è l’energia cinetica della particella e all’equilibrio termico vale (in un sistema
2
1
ad una sola dimensione come quello che stiamo considerando) kT . Sostituendo
2
kT
Dn = ⋅ µ = Vth ⋅ µ → Relazione di Einstein
q
e deve essere
⎡ cm 2 ⎤
Dn = ⎢ ⎥
⎣ s ⎦
La densità di corrente (corrente/area) di diffusione si ottiene moltiplicando il flusso per la

carica, ovvero
dn
J D,n = q ⋅ Dn ⋅ = q⋅Φ
dλ
e
ID = JD ⋅ A
Il segno è positivo perchè se ho una distribuzione della concentrazione come sopra, la

derivata sarà negativa (funzione decrescente, gli elettroni si muoveranno secondo l’asse
x), e quindi la corrente andrà nel verso opposto all’asse.
Se facessimo lo stesso ragionamento per le lacune otterremmo
dp
J D, p = −q ⋅ D p ⋅ .
dλ
Questo contributo alla corrente è un contributo supplementare alla corrente di deriva

dovuta al campo elettrico.
Esempio: blocchetto di semiconduttore drogato n.
1. Deriva
Applichiamo un campo elettrico orientato lungo l’asse x (ovvero un potenziale positivo a

sinistra). Gli elettroni vengono attirati dal punto di potenziale maggiore e quindi la
corrente segue il verso del campo.

Le lacune invece vengono attirate dal punto a potenziale minore. La corrente quindi,
anche in questo caso, segue il senso del campo elettrico.
2. Diffusione
Se abbiamo un gradiente di concentrazione di elettroni, il flusso delle cariche va in senso

opposto alla derivata ( se la concentrazione scende lungo x, ovvero ha gradiente negativo,
la diffusione è positiva lungo x)
La corrente va nel senso opposto, quindi in questo caso segue la freccia rossa, ed è in
senso opposto all’asse x per cui ha lo stesso segno della derivata (negativa).
Se invece di elettroni avessimo lacune, anche il questo caso il flusso della diffusione
sarebbe di senso opposto al gradiente, ma la corrente ora sarebbe positiva, quindi
anch’essa di senso opposto al gradiente.
La corrente totale all’interno del blocchetto per elettroni e lacune sarebbe quindi:
dn
J n = +q ⋅ n ⋅ µn ⋅ E + q ⋅ Dn ⋅
dx
dp
J p = +q ⋅ p ⋅ µ p ⋅ E − q ⋅ D p ⋅
dx
La corrente nei semiconduttori quindi è composta da due contributi: il contributo di

deriva e il contributo di diffusione. Si può ora analizzare in dettaglio il movimento di
cariche in una giunzione PN, nella quale vi è sia una differente composizione della carica (
componente diffusiva) sia un campo elettrico (componente di deriva). Se si polarizza in

diretta la giunzione la tensione esterna diminuisce la differenza di potenziale intrinseca
quindi diminuisce il contributo di deriva e quindi quello diffusivo diventa dominante.
Equazione di continuità
Se immaginiamo una fetta di semiconduttore di sezione S attraversato da corrente, ai capi
di questa abbiamo quindi dei flussi di carica .
Se il flusso entrante è maggiore del flusso uscente vi sarà un accumulo di carica.
qaccumulata Δq
[φ (x) − φ (x + Δx)] =
n n
Δt ⋅ S
=
Δt ⋅ S
Δq = Δn(x)⋅ S ⋅ Δx
Se n(x) è la concentrazione media di elettroni, variando la carica accumulata dovrà variare

anche n(x):
Δn(x)⋅ S ⋅ Δx
[φ (x) − φ (x + Δx)] =
n n
Δt ⋅ S
Al limite
⎡ dφn (x) ⎤ dn(x)

⎢⎣φn (x) − φn (x) − dx ⋅ dx ⎥⎦ = dt ⋅ dx
dφn (x) dn(x)
=−
dx dt
e ricordando che
J n = −q ⋅ φn
si ottiene:

dJ n 1 dn(x)
⋅ =
dx q dt
Se ho un flusso uscente maggiore di quello entrante (derivata del flusso positiva) avrò una
diminuzione della carica accumulata (derivata della concentrazione negativa). Se invece si
osserva la densità di corrente, se questa aumenta con x allora sto “pompando” più
elettroni da destra e quindi anche la concentrazione aumenta.
In una sezione del semiconduttore però può anche crearsi e distruggersi carica quando si
rompe un legame o si ricombina una coppia. Si introduce quindi un termine correttivo
della variazione di carica chiamato tasso di generazione, che indica quante cariche si
generano per unità di volume per unità di tempo e un termine chiamato tasso di
ricombinazione. La carica all’interno del volume aumenterà nell’unità di tempo se vi è una
generazione e diminuirà se vi è ricombinazione.
dn(x) dφ (x)
=− n + ( GN − RN )
dt dx
dn(x) 1 dJ N (x)
= + ( GN − RN )
dt q dx
Che espressione hanno GN e RN ? Sicuramente all’equilibrio il tasso di combinazione deve

eguagliare il tasso di generazione.
Tasso di ricombinazione e generazione

La ricombinazione avviene quando un elettrone si avvicina ad una lacuna (ricombinazione
in volo). Dipenderà sicuramente dalla concentrazione di elettroni e di lacune e dalla
temperatura.
RN = f (n, p,T ) = n ⋅ p ⋅ f (T )
La generazione di contro dipende solo dalla temperatura (non dipende dal numero di
elettroni e lacune). Posso considerare quindi la situazione all’equilibrio nel quale le
concentrazioni sono note: essa deve essere uguale alla ricombinazione, quindi la sua
espressione è:
GN = f (T )⋅ nequilibrio ⋅ pequilibrio = f (T )⋅ ni 2
Il tasso netto di ricombinazione è dato quindi da
RN − GN = f (T )⋅(n ⋅ p − ni 2 )
Errore sul libro: la differenza tra RN e GN è il tasso netto!
La dipendenza dalla temperatura è tabulata e varia da semiconduttore a semiconduttore.
Per esempio nel silicio

cm 3
f (T )Si = 2 ⋅10 −15
s
Nell’arsenuro di gallio
−10 cm 3
f (T )GaAs = 10 ⋅10
s
Facendo qualche conto, per esempio con un blocchetto di silicio drogato N con
concentrazione 1017 si ha che i minoritari sono:
ni 2 2 ⋅10 20
p= = 17
= 2 ⋅10 3
ND 10
RN = f (T )⋅ n ⋅ p = 2 ⋅10 −15 ⋅ 2 ⋅10 3 ⋅1017 = 4 ⋅10 5
Il valore è abbastanza basso considerato il molto più alto numero di portatori disponibili.
Utilizzando un materiale differente si può aumentare il tasso di ricombinazione.
Dal punto di vista dell’applicazione il fenomeno di ricombinazione è molto importante,
infatti quando avviene una ricombinazione l’energia che viene liberata se ne va in forma
radiativa, sotto forma di luce. Questo è quindi il fenomeno che sta alla base dei LED e dei
laser a LED.
Nel silicio la ricombinazione in volo però non è l’unico tipo presente, e anzi è secondario
rispetto a un altro meccanismo, chiamato ricombinazione mediata da difetti. Si immagini
di trovarsi in una zona N con quindi molti elettroni e poche lacune. La probabilità che
elettrone e lacuna si incontrino e si ricombinino muovendosi è bassa. Sarebbe opportuno,
per aumentare la probabilità di ricombinazione, che il minoritario sia fermo. Ciò che
ferma la lacuna è il “difetto”: le impurezze nel reticolo cristallino ( altri materiali diversi da
silicio e drogante) possono essere cariche e fare in modo che la lacuna ne venga attratta e
vada ad orbitarvi attorno. Queste imperfezioni sono chiamate trappole (traps) e rallentano
il portatore minoritario, aumentando la probabilità che il maggioritario lo trovi. Per le
ricombinazioni mediate da imperfezioni, l’energia di ricombinazione viene ridata al
reticolo sotto forma di vibrazioni.
Immaginiamo che il minoritario si stia muovendo lungo la sua traiettoria. Questa si
avvicinerà ad un certo numero di difetti, dipendente dalla densità di impurità. Se la lacuna
arriva abbastanza vicina al difetto questa verrà catturata, ovvero ogni difetto avrà una
distanza e quindi una sezione circolare entro la quale se la lacuna vi entra viene fermata
(sezione di cattura).
Su = π ⋅ r 2
Lungo una traiettoria, quante sezioni di cattura vengono attraversate? Se la lacuna si

muove a velocità vth , è equivalente pensare che se un’impurità capiti all’interno del volume
cilindrico dato dal raggio della sezione di cattura e dalla traiettoria, allora la lacuna verrà
fermata. Il volume che il minoritario spazza è dato dalla sezione per lo spazio percorso,

che in un unità di tempo è pari a vth ⋅t , e il numero di interazioni al secondo è dato dal
volume per la densità di difetti.
n° interazioni V ⋅ ρ difetti Su ⋅ vth ⋅t ⋅ ρ difetti

= = = Su ⋅ vth ⋅ ρ difetti
t t t
Se si vuole conoscere il tempo medio entro il quale si ha un’interazione, si ha
1
= Su ⋅ vth ⋅ ρ difetti
t medio
1
t medio =
Su ⋅ vth ⋅ ρ difetti
E t medio è il tempo medio prima che il minoritario incontri un’impurità.

Se nell’unità di volume sono presenti p minoritari, il “tasso di fermata” (ovvero il numero
p
di particelle che si fermano nell’unità di tempo) è pari a : approssimativamente tutti i
t medio
minoritari che si fermano vengono incontrati da un maggioritario e avviene
ricombinazione, per cui il tasso di ricombinazione è uguale al tasso di fermata.
p
R= = Su ⋅ vth ⋅ ρ difetti ⋅ p
t medio
Se questo è il tasso di ricombinazione, il tasso di generazione sarà pari al tasso di

ricombinazione iniziale a polarizzazione nulla (perchè generazione e ricombinazione
all’equilibrio devono essere uguali), cioè
p0
G=
t medio
L’equazione di continuità quindi sarà per elettroni e lacune
dn 1 dJ n 1 dJ p − p0
= ⋅ + (Gn − Rn ) = ⋅ n −
dt q dx q dx t medio
dp 1 dJ 1 dJ p − p0
= − ⋅ p + (G p − Rp ) = − ⋅ p −
dt q dx q dx t medio
All’equilibrio elettrostatico p − p0 vale zero e quindi il tasso di ricombinazione eguaglia il

tasso di generazione. Se c’è un eccesso di minoritari (per esempio dovuto a un effetto
fotoelettrico a alla polarizzazione in diretta) la ricombinazione aumenta rispetto alla
generazione, perchè ho dei minoritari in più che trovano molti maggioritari. Da notare
che siccome con la generazione e ricombinazione si genera una coppia elettrone-lacuna, il
termine nell’equazione di continuità dipende da p (quindi dal minoritario) sia per elettroni
che lacune. Sono infatti i minoritari che determinano il tasso di generazione e
ricombinazione, e i maggioritari vanno di seguito. Il fenomeno che limita la

ricombinazione è regolato dalla probabilità che il minoritario si fermi (se non si ferma
non avviene ricombinazione).
Profilo dei minoritari nel diodo a base Lunga

Si osservi quindi la giunzione in polarizzazione diretta. Si consideri la zona N: vengono
iniettate lacune (dal lato P) che sono qui minoritarie, aumentando la concentrazione vicino
al bordo della regione svuotata, si ricombinano e spariscono. Gli elettroni nella zona N
sono iniettati dal contatto ohmico: una parte si ricombina con le lacune, e una parte
procede verso il lato P.
Nella zona P vi è la situazione duale: dal contatto entrano lacune, una parte delle quali si
ricombina mentre una parte procede verso la zona N.
La corrente su ogni contatto è quindi dovuta ai maggioritari per quella zona (lacune nella
zona P e elettroni nella zona N) e serve a rimpiazzare sia maggioritari che saltano dal lato
opposto sia quelli che si ricombinano, mentre la corrente vicino alla giunzione è dovuta
prevalentemente ai minoritari.
Si considerino le correnti nella zona neutra dal lato N applicando l’equazione di
continuità. Sia x=0 nel punto neutro al bordo della zona svuotata. La concentrazione di
ni 2
equilibrio delle lacune (minoritari) nella zona N è pn,0 = . Si vuole trovare il profilo di
ND
concentrazione di queste lungo la zona N quando non sono all’equilibrio: la
concentrazione sarà maggiore di quella di equilibrio vicino allo zero perchè esse stanno
diffondendo dalla zona P e diminuirà, tendendo a pn,0 , avvicinandosi al contatto a causa
delle ricombinazioni.
Nel punto vicino alla regione svuotata, la concentrazione pn (0) è facilmente ricavabile: le
lacune vedono una barriera di potenziale ridotta e tramite Boltzmann è possibile trovare la
frazione di queste che saltano dall’altra parte:
q(φi −VD ) φi VD V V
− − ni 2 VthD D
pn (0) = N A ⋅ e kT
= NA ⋅ e Vth
⋅ e Vth = ⋅ e = pn,0 ⋅ e Vth
ND
VD
I minoritari sono quindi maggiori di quelli presenti all’equilibrio secondo un fattore e kT .
Procedendo lungo il semiconduttore la concentrazione diminuisce: utilizzando
l’equazione di continuità per le lacune e si ricava la relazione.

dpn 1 dJ p − pn,0
== − ⋅ p − n
dt q dx t medio
dp
In condizioni stazionarie ( = 0 ) la densità di corrente di lacune sarà data dalla
dt
componente diffusiva e dalla componente di drift. Nella zona neutra il campo elettrico è
molto piccolo e quindi il termine di drift è trascurabile, quindi le lacune si muovono solo
perchè c’è differenza di concentrazione.
dpn
J D, p = −q ⋅ D p ⋅
dx
⎛ dp ⎞
d ⎜ −q ⋅ D p ⋅ n ⎟
dpn 1 ⎝ dx ⎠ pn − pn,0 d 2 pn pn − pn,0
== − ⋅ − = Dp ⋅ 2 − =0
dt q dx t medio dx t medio
d 2 pn pn − pn,0
− =0
dx 2 t medio ⋅ D p
Equazione differenziale di secondo ordine, devo trovare la soluzione all’equazione

omogenea associata e sostituire nell’integrale generale.
1
θ2 − =0
D p ⋅t medio
1 1
θ=± =±
D p ⋅t medio LP
!#"#$
Coefficiente di diffusione
delle lacune L p
L’integrale generale è:
x x
−
pn − pn,0 = A ⋅ e + B⋅e
Lp Lp
Si devono stabilire le condizioni al contorno per poter esplicitare le due costanti. Per
x → ∞ la concentrazione pn tende a pn,0 e l’unico modo per non avere il secondo
termine tendente a infinito è che B sia uguale a 0, mentre per x = 0 la concentrazione vale
pn (0) − pn,0 . Sostituendo si ottiene:
⎧B = 0
⎨
⎩ A + 0 = pn (0) − pn,0 → A = pn (0) − pn,0
La soluzione dell’equazione risulta quindi:

x
−
pn − pn,0 = ( pn (0) − pn,0 ) ⋅ e
Lp

E quindi in definitiva il profilo delle lacune vale:
⎛ ⎞ − Lp ⎛ VVD ⎞ − L p
x VD x x
−
pn − pn,0 = ( pn (0) − pn,0 ) ⋅ e = ⎜ pn,0 ⋅ e − pn,0 ⎟ ⋅ e = pn,0 ⎜ e th − 1⎟ ⋅ e
Lp Vth
⎝ ⎠ ⎝ ⎠
Si è trovato quindi l’andamento nello spazio della concentrazione di minoritari, ed è

quindi possibile ricavare la densità di corrente per diffusione delle lacune in zona N:
dp
J D, p = −q ⋅ D p ⋅
dx
⎡ ⎛ VVD ⎞ − L p
x
⎤
d ⎢ pn,0 ⎜ e th − 1⎟ ⋅ e + pn,0 ⎥
⎢ ⎝ ⎠ ⎥⎦
J D, p = −q ⋅ D p ⋅ ⎣
dx
⎛ V ⎞ ⎛ 1 ⎞ − Lp
VD x
= −q ⋅ D p ⋅ pn,0 ⎜ e − 1⎟ ⋅ ⎜ − ⎟ ⋅ e
th
⎝ ⎠ ⎝ Lp ⎠
⎛ VVD ⎞ 1 − L p
x
= q ⋅ D p ⋅ pn,0 ⎜ e th − 1⎟ ⋅ ⋅ e
⎝ ⎠ Lp
Ovvero ho una diminuzione esponenziale della densità di corrente (positiva, infatti le

lacune diffondono seguendo il verso dell’asse e quindi la corrente è concorde) dei
minoritari. Se si facesse lo stesso ragionamento sul lato P si otterrebbe una relazione
simile per gli elettroni. Si è però interessati alla corrente totale del diodo e questa ne
compone solo una parte. Considerando la sezione corrispondente al bordo della zona di
carica spaziale, per ricavare il valore totale si dovrebbe conoscere anche la corrente dovuta
al maggioritario, che è molto più complicata perchè non è più trascurabile la componente
di drift (seppur il campo elettrico è molto basso la concentrazione di questi è molto
elevata). Si suppone però che la zona di carica spaziale sia sufficientemente piccola,
abbastanza per fare in modo che non vi siano fenomeni di ricombinazione e generazione
al suo interno. Se così è, la corrente di lacune (minoritarie) a bordo della zona N è pari alla
corrente di lacune (maggioritarie) nel lato P della giunzione, e lo stesso per la corrente di
elettroni. La corrente totale lungo tutto il dispositivo (che deve essere costante in ogni
punto) è quindi uguale alla somma di corrente di elettroni e lacune in una qualsiasi
sezione. Con l’approssimazione appena fatta, è noto quanto vale sia la corrente di lacune
che quella di elettroni in corrispondenza dei lati della giunzione (e quindi all’interno della
zona di carica spaziale dove le due correnti sono costanti): la corrente totale è la somma
delle due ed è costante su tutto il dispositivo.

⎛ qD p pn,0 qDn n p,0 ⎞ ⎛ VVD ⎞ ⎛ qD p ni 2 qDn ni 2 ⎞ ⎛ VVD ⎞
J tot = ⎜ + ⎟ ⋅ ⎜ e − 1⎟ = ⎜ L ⋅ N + L ⋅ N ⎟ ⋅ ⎜ e − 1⎟
th th
⎝ L p L n ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ p D n A⎠ ⎝ ⎠
La relazione era già stata trovata qualitativamente, ma ora sono stati specificati i
coefficienti α n e α p
Questa è comunque frutto dell’approssimazione di ricombinazione o generazione nulla.
Se non fosse questo il caso, si dovrebbe aggiungere un contributo di corrente che
semplicemente si sommerebbe a quella trovata traslando in alto la caratteristica.
Data una regione neutra quindi la corrente dei minoritari al suo interno è dovuta alla
diffusione perchè il campo elettrico è piccolo e questi sono in concentrazione molto
bassa. La corrente dei maggioritari invece sarà composta in parte da una componente
diffusiva e in parte da una di deriva. La corrente totale in corrispondenza di un certo
valore di x (per esempio nella zona N) è dovuta a:
dp
J p,n = −qD p → Trascuro componente di deriva
dx
dn
J n,n = qDn + q ⋅ µn ⋅ n ⋅ F
dx
dp dn
J tot = −qD p + qDn + q ⋅ µn ⋅ n ⋅ F
dx dx
Ma se al primo ordine le componenti diffusive sono uguali (le derivate sono uguali), si
elidono e rimane solo il termine di deriva dei maggioritari!
L’andamento delle derivate delle concentrazioni infatti è al primo ordine uguale. Nella
zona N infatti si ha una carica distribuita (gli atomi positivi ionizzati) compensata da

altrettante elettroni mobili: se vi fosse una sezione con più lacune la carica netta
tenderebbe a essere positiva attirando più elettroni, e quindi le derivate devono essere
uguali. È quindi possibile calcolare il campo elettrico nelle zone neutre come:
J tot
F≈
qpµ p
La presenza di minoritari in eccesso nelle zone neutre porta un eccesso di maggioritari per
neutralità. La carica totale di minoritari in eccesso si ottiene integrando la densità:
⎛ VD ⎞ − L
x
q'ecc = ∫ q ⋅ ( pn − pn,0 ) dx = ∫ q ⋅ pn,0 ⋅ ⎜ e Vth − 1⎟ ⋅ e p dx

⎝ ⎠
x x=∞
⎛ VVD ⎞ − L p ⎛ VVD ⎞ − L p
x
= q ⋅ pn,0 ⋅ ⎜ e − 1⎟ ∫ e dx = −L p ⋅ q ⋅ pn,0 ⋅ ⎜ e th − 1⎟ ⋅ e
th
⎝ ⎠ ⎝ ⎠ x=0
⎛ VD
⎞ ⎡ C ⎤
= L p ⋅ q ⋅ pn,0 ⋅ ⎜ e Vth
− 1⎟ = ⎢ 2 ⎥
⎝ ⎠ ⎣ cm ⎦
Se ora si consideri la carica per unità di area di minoritario e la densità di corrente del
minoritario all’iniezione, pari a:
⎛ VD ⎞ 1
J(0) = q ⋅ D p ⋅ p0 ⎜ e Vth − 1⎟ ⋅
⎝ ⎠ Lp
Il loro rapporto dà
2
q'ecc L p
=
J(0) D p
ma L p 2 = t medio ⋅ D p quindi
2
q'ecc L p
= = t medio
J(0) D p
Riscrivendo l’equazione appena trovata si ottiene:
q'ecc
J(0) =
t medio
La densità di corrente alla giunzione è pari alla quantità totale di minoritari accumulatasi
diviso il tempo medio di vita di questi, cioè se la corrente è costante allora la quantità di
carica che entra è uguale a quella che esce e quindi la carica accumulata è costante.

Profilo dei minoritari nel diodo a base corta
Si è ipotizzato finora che la zona neutra fosse quindi sufficientemente estesa da far si che i
minoritari si ricombinassero tutti. In realtà non è quasi mai così e può succedere che non
avvengano ricombinazioni prima di arrivare al contatto. Nei diodi reali si ha che la
lunghezza WP della zona neutra è minore o comparabile con la lunghezza di diffusione.
Se la dimensione della zona neutra è molto minore della lunghezza di diffusione allora la
probabilità che un portatore di ricombini in quello spessore è praticamente nulla.
Nell’equazione di continuità questo si traduce con (esempio elettroni in zona p):
d 2 n n − n0 d 2n
Dn ⋅ − ≈ Dn ⋅ =0
dx 2 t medio dx 2
Il profilo degli elettroni iniettati nella zona p deve quindi essere una retta. Le condizioni al
contorno sono uguali, ovvero che in x =0 (a ridosso della zona di carica spaziale) la
concentrazione è quella intrinseca aumentata secondo l’esponenziale di Boltzmann e in
x = W p (nel punto di giunzione con il contatto metallico) la concentrazione è quella
intrinseca di equilibrio. Se la giunzione è polarizzata in inversa allora la concentrazione al
bordo della giunzione è circa zero (l’esponenziale diventa molto piccolo).
Se il contatto è all’equilibrio la corrente nella zona di iniezione (lato P) è
dn p
J n (0) = −qDn ⋅
dx
La derivata della curva all’origine è la derivata della retta e quindi vale
⎛ VVD ⎞
n p,0 ⎜ e th − 1⎟
dn n (0) ⎝ ⎠
= p =
dx W W
La densità di corrente diviene quindi:
qDn ⎛ VVD ⎞
J n (0) = − ⋅ n p,0 ⎜ e th − 1⎟
W ⎝ ⎠

Se W è molto minore della larghezza di diffusione aumenta di molto la densità di
corrente! La carica in eccesso minoritaria è ora facilmente calcolabile, essendo l’area del
triangolo
n(0)⋅W 1 ni 2 ⎛ VVD ⎞
q'ecc = = ⋅ q ⋅ ⎜ e th − 1⎟ ⋅W
2 2 NA ⎝ ⎠
Il rapporto tra carica e corrente restituisce:
1 ni 2 ⎛ VD ⎞
⋅ q ⋅ ⎜ e Vth − 1⎟ ⋅W
q'ecc 2 NA ⎝ ⎠ W2
= = = ttransito
J n (0) ⎛ VD
⎞ 2Dn
ni 2 ⋅ ⎜ e Vth − 1⎟
⎝ ⎠
qDn ⋅
N A ⋅W
Il rapporto ha dimensioni di un tempo ed è chiamato tempo di transito. Se per il diodo a

base lunga questo indicava il tempo di vita medio della carica prima di ricombinarsi,
questo indica il tempo che la carica impiega ad attraversare la regione neutra. Essendo il
profilo di concentrazione una retta la densità di corrente rimane costante, ovvero tutti i
portatori che entrano dall’iniezione escono dal contatto. Si è imposto che la
concentrazione appena prima del contatto fosse uguale alla concentrazione intrinseca: ciò
è dovuto al fatto che vicino al contatto c’è un po’ di tungsteno che si diffonde nel reticolo,
quindi è come se fossero difetti. Ciò è equivalente a dire che nella zona ci sono moltissimi
difetti e quindi molte trappole per i portatori e quindi il tasso di ricombinazione alla
superficie è altissimo (la vita media è brevissima), quindi non ci può essere eccesso di
carica.
Se la giunzione fosse polarizzata in inversa le equazioni non cambiano, avrei però delle
differenti condizioni al contorno: all’iniezione infatti avrei una densità di minoritari
minore della densità di equilibrio e per tensioni nell’ordine di qualche volta la tensione
termica questa diventa trascurabile e non diminuisce ulteriormente aumentando la
differenza di potenziale applicata e per cui la corrente rimane costante (e trascurabile) ma
di segno inverso.
Parametri di piccolo segnale del diodo

La conduttanza del diodo è la derivata della corrente rispetto alla tensione diretta per
piccole variazioni di questa:
⎡⎛ qD p ni 2 qD n 2 ⎞ ⎛ VVD ⎞ ⎤ ⎛ VVD ⎞
d ⎢⎜ + n i
⋅
⎟ ⎜ e th
− 1⎟ ⎥ dI S ⎜ e − 1⎟
th VD
⎢ ⎝ L ⋅ N L ⋅ N ⎠ ⎝ ⎠ ⎦⎥ = ⎝ ⎠ ⋅ Vth
= ⎣
1 dI D p D n A I e I
= = S ≈ D
gm dVD dVD dVD Vth Vth

Parametri capacitivi del diodo, capacità di giunzione
Il diodo contiene della carica immagazzinata. Per avere un cambiamento della corrente
dopo aver applicato una tensione esterna deve trascorrere un certo tempo e quindi il
sistema può essere visto come una capacità (per piccolo segnale).
Se il diodo è polarizzato in diretta c’è un dipolo elettrico nella zona di carica spaziale. Se
cambia la tensione cambia anche la carica accumulata. La capacità equivalente vale:
ΔQ
Ceq =
ΔV
La carica per unità di area nella zona di carica spaziale (approssimazione unilatera con
zona p molto drogata rispetto alla zona n, N A >> N D )
⎧ 2ε Si ⋅ (φi − VD )
⎪⎪W =
⎨ qN D
⎪
⎪⎩Qn = qN D ⋅W = qN D 2ε Si ⋅ (φi − VD )
dQn qN Dε Si qN Dε Si ε 2 ε
=− =− = − Si 2 = − Si = C ' j,eq
dVD 2 (φi − VD ) qN
2W 2 ⋅ D W W
2ε Si
A parte il segno, questa è l’espressione della capacità per unità di area in un condensatore
a facce piane parallele a distanza W. Questo è spiegabile fisicamente in quanto la
variazione di carica avviene ai bordi della zona già svuotata. La carica che è in mezzo non
varia quindi non contribuisce alla variazione di capacità. Se non avessi giunzione unilatera
non cambierebbe nulla, solo che W sarebbe dipendente da entrambe le concentrazioni di
drogante. Generalmente si scrive anche
qN Dε Si qN Dε Si 2φi C 'j0
C ' j,eq = − =− =
2 (φi − VD ) ⎛ VD ⎞ V
⎜⎝ 1− φ ⎟⎠ 1− D
i φi
Con C ' j 0 capacità di giunzione per unità di area con polarizzazione nulla. La capacità di
giunzione è quindi variabile e dipende non linearmente dalla tensione applicata. Al primo
ordine in regione inversa il diodo è un circuito aperto quindi è approssimabile ad un
condensatore variabile.
Se elevo tutto al quadrato e riscrivo ottengo:
C ' j 02
C ' j,eq 2 ==
V
1− D
φi
2
VD C ' j 0
1− =
φi C ' j,eq 2

Sperimentalmente, se misuro la capacità del diodo con polarizzazione nota più volte e la
grafico in funzione di VD ottengo una retta che per polarizzazione nulla fornisce il valore
di φi . Estrapolando i valori è possibile misurare sperimentalmente la tensione di built in.
Parametri capacitivi del diodo, capacità di diffusione

C’è anche un altro effetto capacitivo all’intero del diodo dovuto alla variazione dei
minoritari nelle regioni neutre. Con un diodo in polarizzazione diretta il profilo
stazionario delle lacune è esponenziale decrescente e dipende dalla tensione applicata.
Cambiando la tensione applicata cambia esponenzialmente la carica in eccesso
immagazzinata, di una decade ogni 60 mV. La capacità associata alla variazione di carica
minoritaria nella zona neutra è detta capacità di diffusione.
Utilizzando sempre il caso unilatero come esempio ( N A >> N D ), si ha che l’effetto dei
minoritari (elettroni) in eccesso nella zona P risulta trascurabile. Rimane quindi la carica
positiva nella zona N e la capacità di diffusione è data dalla derivata della carica in eccesso
rispetto alla tensione .
⎛ VVD ⎞
qecc,n ' = L p ⋅ q ⋅ pn,0 ⋅ ⎜ e th − 1⎟ = J(0)⋅t medio
⎝ ⎠
dqecc,n ' d [ J tot ⋅t medio ] dJ
C 'd,eq = = = t medio ⋅ tot
dVD dVD dVD
Se ci si trova in una giunzione unilatera lunga, la densità di corrente totale all’interno del
diodo è data prevalentemente da uno solo dei due minoritari, e in questo caso è data dalle
lacune nella zona N
J tot = J n (0) + J p (0) ≈ J p (0)
e siccome la densità di corrente dipende esponenzialmente dalla tensione si ha

VD
dJ tot J J ⋅e Vth
C 'd,eq = t medio ⋅ = t medio ⋅ tot = t medio ⋅ tot ,0
dVD Vth Vth
VD
C 'd,eq = C 'd,0 ⋅ e Vth
Stesse considerazioni possono essere fatte per il diodo a base corta, con ttransito al posto di
t medio . Da notare che per polarizzazioni inverse vi è poca carica minoritaria accumulata, e
così anche per piccole polarizzazioni dirette. La capacità di diffusione quindi diventa
significativa per marcate polarizzazioni dirette.
In un sistema capacitivo si ha sempre un accumulo di carica positiva e un valore uguale di

carica negativa. La capacità è calcolata osservando la variazione di una sola delle due. Nel
caso della capacità di giunzione si nota subito come si dispone la carica del condensatore
equivalente, ma con la capacità di diffusione la situazione non è così chiara. Se varia la
quantità dei minoritari (per esempio elettoni in zona P in una giunzione unilatera), la

corrispondente variazione di carica positiva è data dall’aumento dei maggioritari! Se invece
si osserva una giunzione non unilatera allora si avranno due contributi alla capacità di
diffusione, uno dato dai minoritari (elettroni) nella zona P e uno dato dai minoritari
(lacune) nella zona N.

Sistema MOS
Condensatore MOS
Si immagini di voler realizzare un triodo, un dispositivo nel quale applicando una
differenza di potenziale tra due terminali si abbia un passaggio di corrente, dipendente
dalla tensione di controllo presente sul terzo terminale. Si vuole quindi realizzare una
resistenza di valore variabile dipendente da un potenziale applicato. Si supponga
inizialmente di realizzare un sistema con un contatto metallico separato tramite un ossido
da un semiconduttore uniformemente drogato. Questo è chiamato condensatore MOS.
Tensione di banda piatta

Si ricerchi inizialmente un potenziale di riferimento da applicare al gate con in quale non
vi siano gradienti di concentrazione di portatori nel semiconduttore, non vi sia nessun
campo elettrico nell’ossido e nelle vicinanze del contatto semiconduttore-ossido e non vi
siano cariche ai capi dell’isolante (situazione che corrisponde ad avere il condensatore
scarico). Nel semiconduttore (ipotizzato drogato P) si avranno tante lacune libere e
altrettanti ioni negativi.
La differenza di potenziale di equilibrio tra gate e substrato non può essere nulla perchè è
presente una giunzione tra due materiali diversi e quindi si viene a creare un potenziale di
contatto (che è fisso e non viene modificato dalla polarizzazione in quanto uno dei due è
un metallo). Questo avviene solo nella parte inferiore, perchè il gate è isolato dal
semiconduttore e non vi è contatto tra i due. Al contatto metallo-semiconduttore vi è
quindi una differenza di potenziale φms (gli elettroni vanno dal metallo a semiconduttore,
quindi in quest’ultimo si accumula carica negativa e si instaura un campo elettrico che va
dal metallo al semiconduttore, e quindi una differenza di potenziale con segno negativo
rispetto al senso indicato in figura). La differenza di potenziale ai capi dell’isolante invece
dipende dalla carica immagazzinata e quindi è variabile. Se si ipotizza il condensatore
scarico non vi è quindi caduta di tensione ai suoi capi, e non essendoci carica
immagazzinata anche il potenziale nel semiconduttore è nullo: la tensione di gate per cui il
sistema è neutro è quindi pari a φms .
φms è anche detta tensione di banda piatta.

Polarizzazione del gate e svuotamento
Si immagini ora di polarizzare il gate con una tensione negativa. Su di esso si accumulerà
carica negativa e quindi dall’altra parte dell’ossido si accumulerà carica positiva mobile
presente in gran quantità nel materiale, e che verrà richiamata dal contatto ohmico di
substrato. La concentrazione di lacune in superficie è maggiore di quella di substrato e
quindi la conducibilità in superficie è maggiore rispetto al resto del semiconduttore.
q ⋅ µ p ⋅ psup > q ⋅ µ p ⋅ p0
Si osservi invece cosa succede polarizzando il gate positivamente. Con una tensione tra
gate e substrato maggiore di zero si accumula carica positiva sul contatto di gate e
dovrebbe accumularsi la stessa quantità di carica negativa all’altro capo dell’ossido. Ma la
carica negativa mobile nel semiconduttore drogato P è minoritaria e non se ne accumulerà
molta in superficie: piuttosto verrà respinta la carica positiva mobile e la carica negativa
sarà prevalentemente data da ioni negativi (carica fissa).
Si è quindi svuotata la parte sottostante l’ossido: si deve ora capire come la tensione in
eccesso applicata al gate si ripartisca nelle varie zone del dispositivo per poter calcolare
quanta carica è immagazzinata nella nuova regione svuotata. Se ci sono cariche ai capi
dell’ossido si ha un campo elettrico (come all’interno di un condensatore) e quindi una
differenza di potenziale. Vi sarà inoltre un altro campo elettrico all’interno della zona di

carica spaziale e quindi un’ulteriore differenza di potenziale tra il contatto con l’ossido e il
substrato al di sotto della regione svuotata.

Infine vi è la differenza di potenziale di banda piatta.
Campo elettrico e potenziale della regione svuotata

Si ipotizza che la densità di carica spaziale sia costante allontanandosi dall’ossido per una
lunghezza W (come già visto per la giunzione pn). Per Gauss si ha che il flusso uscente da
una superficie è pari alla carica totale diviso la costante dielettrica. Se si considera la
sezione a ridosso dell’ossido e quella alla coordinata x = W (dove il campo elettrico è
nullo) si può scrivere:
F uscente
-
-
- Zona Neutra
-
-
W x

QT −q ⋅ N A ⋅W ⋅ S
−Fmax ⋅ S = =
ε Si ε Si
q ⋅ N A ⋅W
Fmax =
ε Si
Il teorema di Gauss indica il flusso uscente: se ci si pone nel punto x=0 e si considera la
carica all’interno del semiconduttore, il segno del flusso deve essere negativo. Però anche
la carica è negativa (composta da ioni negativi), quindi in totale il campo è positivo, come
si intuisce logicamente visto che il campo elettrico è orientato dalla carica positiva (sul
gate) a quella negativa nel semiconduttore.
Si è interessati alla differenza di potenziale che cade tra 0 e W: questa sarà data
dall’integrale del campo e quindi dall’area del triangolo
1 1 q ⋅ N A ⋅W 2
Ψ S = ⋅ Fmax ⋅W = ⋅
2 2 ε Si
da cui
2ε Si ⋅ Ψ S
W= .
qN A
La carica totale fissa per unità di area sarà quindi data da
2ε Si ⋅ Ψ S
Q ' fissa = −qN A ⋅W = −qN A ⋅ = − qN A 2ε Si ⋅ Ψ S
qN A
Come già visto, per fare in modo che ci siano cariche esposte si deve generare nel
semiconduttore una differenza di potenziale.
Campo elettrico e potenziale dell’ossido

Il campo elettrico nell’ossido è costante ma non è pari a Fmax . Infatti l’ossido ha costante
dielettrica relativa pari a 3.9 mentre il silicio 11.7. Il vettore di induzione elettrostatica deve
mantenersi costante all’interno dell’ossido per cui:
Fmax ⋅ ε Si = Fox ⋅ ε ox
ε
Fox = Fmax ⋅ Si = 3⋅ Fmax
ε ox
La differenza di potenziale ai suoi capi è quindi uguale all’integrale del campo rispetto alla
coordinata x ovvero:
ε
0
ΔVox = ∫ Fox dx = Fmax ⋅ Si ⋅t ox

−t ox
ε ox
Ma

Ox
Contatto di gate
-
-
Zona
- Neutra
-
-
W x
tox
t ox 1
=
ε ox C 'ox
Ovviamente si intende capacità per unità di area. Sostituendo si ha:
2ε Siψ s
qN A
qN A ⋅ ⋅ ε Si
ε Si Fmax ⋅ ε Si ε Si Q'
ΔVox = Fmax ⋅ ⋅t ox = = =
ε ox C 'ox C 'ox C 'ox
Infatti dimensionalmente la tensione è data da una carica diviso una capacità. La carica in
questione non è altro che la carica della zona svuotata, uguale in modulo alla carica
accumulata all’altro capo dell’ossido.

Tensione di soglia
Si è ora in grado di scrivere il bilancio di tensioni:
VGB = φms + Ψ s + ΔVox
VGB è fissato, φms è costante e dipende solo da temperatura e materiale utilizzato e ΔVox
dipende da Ψ S che rimane quindi l’unica incognita dell’equazione.
Nella trattazione però si è fatta una semplificazione: si è assunto che applicando una
tensione positiva al gate il semiconduttore reagisse solo esponendo cariche negative fisse
(il potenziale positivo respinge le lacune). Ciò però non è del tutto vero, in quanto nel
semiconduttore drogato sono presenti cariche mobili negative, seppur poche. Queste
cariche, se si trovano nelle vicinanze della zona di carica spaziale vengono attirate dal
potenziale positivo e arriveranno fino all’interfaccia con l’ossido.
ni 2
Ci si aspetta quindi che, se la concentrazione intrinseca di minoritari nel materiale è ,
NA
la concentrazione all’interfaccia sarà maggiore e genererà un gradiente con un fenomeno
diffusivo di segno opposto alla derivata del profilo. Non è necessario studiare in dettaglio
il profilo ma è necessario sapere se la concentrazione di elettroni in superficie è piccola
rispetto alla carica fissa presente oppure no: in questo caso si avrebbe un ulteriore carica
negativa che aumenterebbe il campo elettrico massimo. La concentrazione di elettroni è
stimabile con l’equazione di Boltzmann:
E p ,0 −E p ,intrinseco Ψ Ψ
− n 2 − − q(V0 −VkTintrinseco ) ni 2 Vths ni 2 Vths
n p (x = 0) = nintrinseco ⋅ e kT
= i ⋅e = ⋅e = ⋅e
NA NA NA
Se si ha una differenza di potenziale ai capi della zona svuotata allora c’è un accumulo di
minoritari al bordo di questa. Se la concentrazione ricavata è alta rispetto alla carica fissa
allora l’approssimazione di zona completamente svuotata da portatori mobili non è valida.
Quando si stima il campo massimo si utilizza Gauss integrando la carica nella zona
svuotata: con gli elettroni presenti questa carica è però maggiore e l’ulteriore contributo
dipende esponenzialmente dalla tensione. Per non sottostimare troppo il campo elettrico
si deve considerare trascurabile la concentrazione di elettroni fintanto che questa non
diventa uguale alla concentrazione di lacune (e quindi alla carica fissa). La maggior
concentrazione di elettroni inoltre, decadendo esponenzialmente, avrà un estensione
molto piccola. Per cui la soglia oltre la quale gli elettroni non sono più trascurabili nel
bilancio è calcolabile ponendo uguali le due concentrazioni:
Ψ
ni 2 Vths
⋅ e = NA
NA
⎛N ⎞
Ψ soglia = 2Vth ln ⎜ A ⎟
⎝ ni ⎠

Siccome tutti gli altri contributi del bilancio sono numeri, posso calcolare la tensione da
applicare al gate sotto la quale il contributo degli elettroni minoritari nella zona di carica
spaziale è trascurabile, chiamata tensione di soglia.
VGB,soglia = VT = φms + Ψ soglia + ΔVox
Se si fa un conto con N A pari a 5 ⋅1016 si ottiene Ψ soglia = 0.778V . Una tipica tensione di
contatto metallo-semiconduttore è -1V. Con un ossido di 60 Å si ottiene una capacità
F
5 ⋅10 −7 e calcolando la carica si ottiene che
cm 2
VGB,soglia = −1+ 0.78 + 0.2 = −0.02V
Una volta superata la tensione di soglia la relazione trovata precedentemente non è più
valida in quanto si dovrebbe correggere il termine di tensione sulla zona svuotata. Inoltre
anche la tensione sull’ossido sarà maggiore perchè c’è più carica.
Q ' fissa + Q 'mobile

ΔVox =
C 'ox
e la relazione di bilancio diventa:
Q ' fissa Q 'mobile

VG = φms + Ψ s + +
C 'ox C 'ox
Si può fare una ragionevole approssimazione: la concentrazione dei portatori mobili ha
dipendenza esponenziale dal potenziale della zona svuotata, per cui una piccola variazione
di Ψ s fa aumentare di molto il numero di elettroni (e quindi il termine Q 'mobile ) rispetto agli
altri termini nei quali la dipendenza è meno ripida. Si può quindi approssimare, per
tensioni di gate maggiori alla tensione di gate di soglia, il termine Ψ s con Ψ soglia e
considerarlo costante. Si ha quindi:
Q ' fissa,soglia Q 'mobile Q'

VG = φms + Ψ soglia + + = VT + mobile
C 'ox C 'ox C 'ox
Si ottiene quindi una carica per unità di area pari a :
Q 'mobile = C 'ox ⋅(VG − VT )
Si è quindi supposto che la tensione ai capi della regione svuotata non vari di molto, ma
che questa piccola variazione faccia crescere esponenzialmente il termine della carica
mobile.
Regione di sottosoglia
Si è visto come aumentando la tensione di gate oltre la tensione di soglia la carica ulteriore
richiamata all’interfaccia con l’ossido sia solo composta da portatori mobili.

In regione di sottosoglia, dove non vale l’approssimazione di Ψ s costante, la carica cresce
secondo l’andamento esponenziale
Ψ
ni 2 Vths
n(0) = ⋅e
NA
mentre in regione di forte svuotamento ( VG > VT ) la carica cresce in modo lineare.
Volendo essere precisi però, nella regione sottosoglia la carica dipende dal potenziale ai
capi della regione svuotata e non direttamente dal potenziale applicato al gate. Si può
stimare la pendenza della curva esponenziale ed è utile calcolare la pendenza del logaritmo
di questa, in quanto in un grafico logaritmico si ottiene una retta. La pendenza della retta
è data dalla derivata della funzione logaritmica rispetto a VG
⎛ ni 2 VΨ s ⎞ ⎛ ni 2
Ψs
⎞ ⎛ Ψs
⎞ ⎛ log(e) ⎞
d log ⎜ ⋅ e th ⎟ d ⎜ log + log e ⎟
Vth Vth
d ⎜ log e ⎟ d ⎜ Ψs ⋅
d ( log n(0)) ⎝ NA ⎠ ⎝ NA ⎠ ⎝ ⎠ ⎝ Vth ⎟⎠
= = = =
dVG dVG dVG dVG dVG
log(e) dΨ s
= ⋅
Vth dVG
Generalmente però si è interessati alla relazione inversa, ovvero alla tensione necessaria
per far variare la quantità di una decade.
dVG V dV
= th ⋅ G
d ( log n(0)) log(e) dΨ s
Siccome
log e (e) 1
log10 (e) = =
log e (10) ln(10)
si ha:

dVG dV
= Vth ⋅ ln(10)⋅ G
d ( log n(0)) dΨ s
La tensione termica a temperatura ambiente è 25 mV e il logaritmo naturale di 10 è 2.3. Il

prodotto dà quindi 60mV. Per stimare la dipendenza di Ψ s da VG , si nota che il sistema
può essere visto come serie di due capacità: la prima è data dalla capagità di gate mentre la
seconda è data dalla zona svuotata, che come nella giunzione PN può essere vista come
una capacità equivalente. La caduta di tensione sulla zona svuotata può essere quindi vista
come la differenza di potenziale che si crea ai capi di uno dei 2 condensatori in serie.
C 'ox
Ψs = VG
C 'ox + C 's
dΨ s C 'ox
=
dVG C 'ox + C 's
per cui in totale si ha
dVG ⎛ C ' + C 's ⎞ ⎡ mV ⎤

= 60 ⋅10 −3 ⎜ ox
d ( log n(0)) ⎝ C 'ox ⎟⎠ ⎢⎣ dec ⎥⎦
Transistor MOS
Sopra soglia vi è una carica minoritaria significativa nel canale, la cui quantità è controllata
dalla tensione di gate: è sufficiente contattare i portatori in modo che questo diventi un
resistore controllato e applicando una differenza di potenziale scorre una corrente che
dipende dalla tensione di controllo. Per realizzare il contatto vengono creati due
“serbatoi” di elettroni: vengono realizzate due diffusioni di tipo n ai lati del canale .
Se il dispositivo ha tensione di gate minore di quella di soglia non vi è (nella nostra

approssimazione) carica nel canale e quindi si dovrebbe avere corrente nulla. In realtà
come visto una piccola carica mobile è sempre presente anche in regione di sottosoglia e
quindi passa comunque una piccola corrente.

La carica presente per gate a tensione nulla è responsabile della corrente di perdita, e la
carica presente quando il gate è a tensione alta indica la massima corrente che può
attraversare il dispositivo.
Si abbiano le due diffusioni a massa e si aumenti la tensione di gate: viene a crearsi il
canale conduttivo ma nella struttura non scorre corrente. Vi sarà una zona di carica
negativa mobile e una sottostante zona di carica fissa negativa. Applicando Kirchoff vale
sempre:
VGB = φms + Ψ s + ΔVox
Si applichi ora una tensione VDS sul drain. Vi sarà ora un potenziale che attrae gli elettroni
mobili e quindi scorrerà una corrente tra drain e source. Il canale non è più equipotenziale
ma la differenza di potenziale applicata si distribuisce lungo tutto il percorso con un
profilo da determinare. Sicuramente partendo dal source e arrivando al drain si vedrà un
potenziale crescente e nel punto x avrò una tensione VC (x) rispetto al source e quindi alla
massa. Per cui
VC (0) = 0
VC (L) = VD
dove con L si intende la distanza tra drain e source. Osservando la figura si vede che per
avere un bilancio nullo è necessario che in ogni punto del canale, la tensione tra il
semiconduttore e il contatto con l’ossido deve essere Ψ s + VC (x) . Siccome inoltre il

potenziale di gate è fissato, la carica totale non può variare. Questo vuol dire che a ridosso
del drain si avrà una zona svuotata più estesa rispetto al caso di tensione applicata nulla, e
l’aumentare dell’estensione della zona svuotata (e quindi della carica fissa) comporta
necessariamente una diminuzione della carica mobile. La carica di canale non sarà quindi
uniforme.
Corrente nel canale

Si consideri un infinitesimo tratto di canale dx entro il quale la densità di carica possa
ritenersi costante. Sapendo che la corrente deve essere costante in tutta la lunghezza, si
calcoli la caduta di tensione ai capi dell’elemento:
dx dx dx
VC (x + dx) − VC (x) = R(x)⋅ I DS = ρ ⋅ ⋅ I DS = ⋅ I DS = ⋅ I DS
S q ⋅ µn ⋅ n(x)⋅ S q ⋅ µn ⋅ n(x)⋅W ⋅t S
Dove con W in questo caso si intende lo spessore del transistore mentre t s è l’altezza del
canale.
Non è necessario un calcolo analitico in quanto vale:
q ⋅ n(x)⋅t s = Q 'n (x)
che rappresenta la carica per unità di area alla coordinata x. Applicando Taylor si ha
dVC (x) dx
VC (x) + ⋅ dx − VC (x) = ⋅ I DS
dx q ⋅ µn ⋅ n(x)⋅W ⋅t S
dVC (x) 1
= ⋅ I DS
dx Q 'n (x)⋅ µn ⋅W
Q 'n (x) può essere ricavato dalle considerazioni fatte precedentemente, deve infatti sempre
essere:
Q ' fissa Q 'mobile

VG = φms + ΔVs + +
C 'ox C 'ox
dove ora ΔVs contiene il contributo aggiuntivo di tensione dovuto a VDS . Si può riscrivere
l’equazione come:
Q ' fissa Q 'n 2qε Si N A ( Ψ s + VC (x)) Q 'n

VG = φms + Ψ s + VC (x) + + = φms + Ψ s + VC (x) + +
C 'ox C 'ox C 'ox C 'ox
Q 'n (x) 2qε Si N A ( Ψ s + VC (x))
= VG − φms − Ψ s − VC (x) −
C 'ox C 'ox
Si riconosce parte dell’espressione della tensione di soglia all’interno dell’equazione, e

sommando e sottraendo il termine mancante questa si semplifica in:

Q 'n (x) ⎡ 2qε Si N A Ψ s 2qε Si N A Ψ s ⎤ 2qε Si N A ( Ψ s + VC (x))
= VG − φms − Ψ s + ⎢ − + ⎥ − VC (x) −
C 'ox ⎣ C 'ox C 'ox ⎦ C 'ox
2qε Si N A Ψ s 2qε Si N A ( Ψ s + VC (x))

= VG − VT − VC (x) + −
C 'ox C 'ox
= VG − VT − VC (x) − ΔVT
Generalmente si trascura il termine ΔVT (che tiene conto della variazione della tensione
dell’ossido lungo il canale dovuta all’allargamento della zona svuotata) e si ottiene
Q 'n (x) = C 'ox (VG − VT − VC (x))
Quindi ritornando all’espressione di partenza
dVC (x) 1 1
= ⋅ I DS = ⋅ I DS
dx Q 'n (x)⋅ µn ⋅W C 'ox (VG − VT − VC (x)) ⋅ µn ⋅W
Questa è un equazione differenziale separabile:
C 'ox ⋅ µn ⋅W ⋅ (VG − VT − VC (x)) ⋅ dVC (x) = I DS ⋅ dx

VDS L
∫ C 'ox ⋅ µn ⋅W ⋅ (VG − VT − VC (x)) dVC (x) = I DS ⋅ ∫ dx

0 0
⎛ V ⎞ 2
C 'ox ⋅ µn ⋅W ⋅ ⎜ (VG − VT )VDS − DS ⎟ = I DS ⋅ L
⎝ 2 ⎠
W ⎛ V 2⎞
I DS = C 'ox ⋅ µn ⋅ ⋅ ⎜ (VG − VT )VDS − DS ⎟
L ⎝ 2 ⎠
Per tensioni di gate minori della soglia non si ha conduzione perchè non c’è canale, per
VDS basse la corrente sale linearmente con la tensione (termine quadratico trascurabile)
mentre per tensioni significative la corrente aumenta non linearmente, perchè c’è sempre
meno carica disponibile sul lato di drain. L’andamento è quindi parabolico e il valore
massimo si ha per
VDS = VG − VT

Regione di saturazione
Cosa succede per tensioni maggiori del valore massimo? Con l’approssimazione utilizzata,
nel valore massimo di corrente la carica Q 'n (x) = C 'ox (VG − VT − VC (x)) è uguale a zero sul
lato di drain. L’approssimazione però trascura che la carica non è nulla (pur essendo
molto piccola), e il campo elettrico deve aumentare in corrispondenza delle zone con
pochi portatori (ovvero minor conducibilità) per mantenere costante la corrente in tutto il
canale.
Aumentando la tensione, si avrà comunque un gradiente del potenziale lungo il canale, e
quindi questo avrà sicuramente una regione in cui il potenziale è compreso tra 0 e VG − VT
e una regione in cui il potenziale sarà maggiore.
Per la regione con potenziale compreso tra zero e VG − VT valgono le considerazioni fatte
finora, considerando però che la lunghezza sarà ora L ' < L . Inoltre l’integrazione sarà ora
tra zero e VG − VT . Se si conoscesse con precisione L ' si potrebbe calcolare il valore esatto
di corrente integrando fino a tal valore. È però ragionevole pensare che L ' sia quasi
uguale a L e quindi la corrente rimanga circa costante anche per tensioni maggiori di
VG − VT . Infatti il flusso di carica (corrente) deve essere uguale in tutte le sezioni del canale
e quindi la velocità (proporzionale al campo) deve aumentare con il diminuire della densità
di carica. Se la carica è piccolissima come vicino al drain, il campo deve essere elevato.
Nelle vicinanze del drain, tra L e L ' , la caduta di potenziale è VDS − (VG − VT ) e quindi il
campo sarà
VDS − (VG − VT )
F=
L − L'
Se F deve essere altissimo allora vuol dire che L ' è molto vicino a L. Ciò vuol anche dire
che la corrente, una volta raggiunto il vertice, rimane costante e il campo si aggiusterà per
far si che il valore venga mantenuto. In zona di saturazione si avrà quindi:
W 1
⋅ (VG − VT )
2
I DS,sat = C 'ox ⋅ µn ⋅
L 2

Modulazione della lunghezza di canale
In realtà la variazione di lunghezza esiste, e si avrà quindi un piccolo aumento della
corrente secondo VDS . Di questo si tiene conto inserendo un termine lineare
nell’equazione:
I DS,sat = C 'ox ⋅ µn ⋅
W 1
L 2
2
(
⋅ (VG − VT ) 1+ λ ⋅ (VDS − VDS,sat ) )
Nei casi pratici, dove la VDS è generalmente maggiore di VDS,sat , vale l’approssimazione:
W 1
⋅ (VG − VT ) (1+ λ ⋅VDS )
2
I DS,sat ≈ C 'ox ⋅ µn ⋅
L 2
Da notare che nei transistori a canale lungo l’effetto della modulazione della lunghezza di
canale è trascurabile e la corrente rimane praticamente costante; non è così per i
transistori a canale corto, dove anche una piccola diminuzione di L porta ad una bassa
resistenza equivalente e quindi una caratteristica con parecchia pendenza.
Per ottenere la pendenza della curva in regione di saturazione si deriva l’equazione della
corrente esatta (con L’ ) rispetto alla tensione drain-source:
1
dI DS dI DS dL ' 1 d dL ' 1 2 ⎛ 1 ⎞ dL '
= C 'ox ⋅ µn ⋅W ⋅ (VG − VT ) L ' ⋅ = C 'ox ⋅ µn ⋅W ⋅ (VG − VT ) ⋅ ⎜ − 2 ⎟ ⋅
2
= ⋅
dVDS dL ' dVDS 2 dL ' dVDS 2 ⎝ L ' ⎠ dVDS
Si può riconoscere ancora il termine della corrente:
dI DS W 1 2 ⎛ 1 ⎞ dL ' I dL '
= C 'ox ⋅ µn ⋅ ⋅ (VG − VT ) ⋅ ⎜ − ⎟ ⋅ = − DS ⋅
dVDS L' 2 ⎝ L ' ⎠ dVDS L ' dVDS
Il segno è negativo: se L’ aumenta la corrente diminuisce e ciò è corretto. Sarà anche

negativa la derivata di L’ all’aumentare di VDS perchè la lunghezza diminuisce. In totale si
ha che aumentando la tensione tra drain e source la corrente aumenta. Inoltre si definisce:
1 dL ' 1
− ⋅ =
L ' dVDS VA
Dove VA è detta tensione di Early.
dI DS I dL ' I DS
= − DS ⋅ = = λ ⋅ I DS
dVDS L ' dVDS VA
λ ha dimensioni di conduttanza e il suo inverso, ro , è la resistenza di uscita del

transistore.
Sviluppando in Taylor la corrente nell’intorno di I DS,sat si ottiene

dI DS (VDS − VDS,sat )
I DS (VDS ) = I DS,sat + VDS =VDS ,sat ⋅(VDS − VDS,sat ) = I DS,sat + I DS,sat ⋅
dVDS VA
⎛ V − VDS,sat ⎞
= I DS,sat ⋅ ⎜ 1+ DS ⎟⎠
⎝ VA
Quando si è derivato per ottenere λ è da notare che la corrente indicata è quella del punto
di pinch off. In questo punto di lavoro L ' è uguale a L . La tensione di Early è quindi data
da un numero (la derivata) moltiplicato per L. In realtà non è proprio corretto chiamare la
tensione VA tensione di Early, perchè questo avviene solo nei transistori bipolari: l’effetto
è equivalente ma dipende da fenomeni diversi.
Guadagno del transistor

Il transistore è un elemento che deve amplificare il segnale: una volta fissata la
polarizzazione sul gate (per far si che il punto di lavoro sia nella regione di saturazione)
modulando il valore in ingresso si ha una variazione di corrente in uscita. Se ho un carico
collegato al drain ci sarà quindi una variazione di tensione su di esso che è proporzionale
al segnale di ingresso.
Si avrà un guadagno quindi:
Vout dI DS
= ⋅ RL = gm ⋅ RL
vg dVg
Dove il parametro gm è la transconduttanza. La tensione di gate è indicata in minuscolo

perchè è intesa come piccola variazione rispetto alla tensione di polarizzazione.
dI DS (V − V ) 2I DS,sat
= k ⋅ 2 (VG − VT ) = k ⋅ 2 G T =
2
dVg (VG − VT ) (VG − VT )

1 W
k= µnC 'ox
2 L
La differenza VG − VT è chiamata tensione di overdrive, Vov

Fissati parametri del transistor, per aumentare il guadagno si deve aumentare la resistenza
di carico. Il limite massimo del guadagno è dato dalla resistenza di uscita del transistor:
infatti è possibile vedere il carico in parallelo con la resistenza di uscita, e quindi la
resistenza totale sarà sempre minore della più piccola tra le due.
Gmax = gm ⋅ ro
Il guadagno massimo è una figura di merito del transistore e dipende solo dai suoi
parametri intrinseci, infatti:
2I DS,sat
gm =
Vov
V
r0 = A
I DS,sat
2I DS,sat VA 2V
Gmax = ⋅ = A
Vov I DS,sat Vov
A parità di polarizzazione quindi il guadagno massimo dipende solo da VA . Se si osserva

meglio questo termine, si nota che per due transistori con lunghezza differente ma
dL '
realizzati nella stessa tecnologia, è uguale nei due. La tensione di Early dipende
dVDS
quindi solo dalla lunghezza del canale: i transistori corti hanno guadagno di tensione
minore rispetto a quelli lunghi (e quindi maggior pendenza della zona di saturazione).
Comportamento in frequenza
In generale si vorrebbe realizzare i transistor più corti possibile per aumentare le
prestazioni: infatti a fronte di una modulazione di tensione di gate vengono richiamate
cariche nel canale, e passerà un certo tempo prima che la variazione venga “avvertita” dal
drain. Il ritardo di propagazione tra ingresso e uscita dipende dal tempo di transito nel
canale e questo dipende dalla lunghezza.
L L L L2
ttransito = = = =
v µ ⋅ E µ ⋅ VG − VT µ ⋅Vov
L
E la massima frequenza alla quale può operare il dispositivo è
1 µ ⋅Vov
fmax = =
2π ttransito 2π ⋅ L2
Variazione della soglia lungo il canale

Le relazioni ricavate per il transistore si basano però su un’approssimazione: si è infatti
trascurato il termine di variazione della tensione di soglia lungo il canale.

Q 'n (x)
= VG − VT − VC (x) − ΔVT
C 'ox
2qε Si N A ( Ψ s + VC (x)) 2qε Si N A Ψ s
ΔVT = −
C 'ox C 'ox
Il termine indica che in realtà la carica all’interno del canale è minore di quanto stimato, e
quindi anche la corrente che vi scorrerà sarà minore di quella ricavata mediante
l’equazione approssimata. Raccogliendo il termine comune si ottiene il coefficiente di
effetto body γ e
ΔVT = γ ( Ψ soglia + VC (x) − Ψ soglia )

Saturazione di velocità
C’è però un altro effetto che fa si che la corrente reale si discosti da quella approssimata.
In transistori submicrometrici l’effetto della “saturazione di velocità” non è trascurabile. Si
era ipotizzato inizialmente che la mobilità delle cariche all’interno del canale fosse
costante e che quindi la velocità aumentasse proporzionalmente al campo elettrico. In
realtà per forti campi elettrici (maggiori di 100 kV/cm) la velocità media di deriva dei
portatori satura ad un valore 10 7 cm/s. Non vale quindi più la legge di Ohm nel canale e
anche la corrente satura. La saturazione di velocità è quindi il secondo effetto che porta la
corrente a interrompere la sua crescita ad un valore massimo.
Applicando una tensione VDS scorre una corrente, ma la densità di elettroni lungo il canale
diminuisce e la velocità deve di conseguenza aumentare per mantenere costante la densità
di corrente. Si supponga di definire un valore di campo elettrico al lato del drain tale per
cui la velocità dei portatori satura, per esempio 50 kV/cm. Se un transistor ha tensione di
soglia di 0.4V ed è polarizzato al gate con 2.5V, con 1V di tensione di drain si è ancora
abbondantemente in zona ohmica (infatti VDS < VG − VT ). Se il transistor è lungo 0.25 µ m ,
il campo elettrico medio è pari a :
1V V kV
F= = 4 ⋅10 6 = 40
0.25 µ m m cm
Se il transistor fosse in tecnologia 28 nm si avrebbe:
1 kV
F= = 350
28n cm
Quindi ci si trova in regione di saturazione di velocità. Con forti campi elettrici lungo il
canale la saturazione di velocità interviene a tensioni minori della saturazione al pinch-off.
Inoltre il valore calcolato è quello medio del canale: in corrispondenza del drain a causa
della minore densità il valore è ben più elevato. Le cariche sul lato di drain viaggiano a
velocità saturata.

Si ipotizzi che la tensione di gate necessaria a saturare la velocità solo in corrispondenza
del drain sia 1V e si applichino invece 1.2V. Con l’ulteriore aumento del campo elettrico
ora si è in saturazione sia in corrispondenza del drain che un po’ più all’interno del canale.
Come al solito, si può considerare il canale diviso in due regioni: una zona in cui la densità
di carica diminuisca linearmente a partire dal source ( e la velocità dei portatori aumenti),
e una zona per cui la velocità dei portatori è satura e non aumenta proseguendo nel
canale. La velocità nel tratto adiacente al drain non può variare e, se la densità di corrente
deve rimanere costante, di conseguenza anche la densità di carica deve rimanere costante e
non nulla: vuol dire che la corrente satura prima che si presenti lo strozzamento del
canale. Inoltre, visto che il campo elettrico dipende dalla tensione, si avrà che tra source e
il limite della regione in cui la velocità non è satura la caduta di potenziale sia VDS sat .
Comunque, nella regione in cui il potenziale del canale non raggiunge il campo elettrico
critico la relazione della corrente non varia rispetto a quella già studiata. Una volta
superata la tensione di saturazione la corrente diventa costante rispetto a VDS e la relazione
diventa, per ogni valore di tensione:
W ⎛ V 2
⎞
I DS = C 'ox ⋅ µn ⋅ ⋅ ⎜ (VG − VT )VDS,sat − DS,sat ⎟
L ⎝ 2 ⎠
Come al solito vi sarà un effetto di modulazione di lunghezza di canale e quindi andrà

moltiplicata per il termine lineare.
Effetto body
Un ultima non idealità del dispositivo si ha quando il source è a tensione diversa dal bulk.
L’effetto è una variazione del bilancio della tensione di source:
⎧VGS = φms + Ψ s + ΔVox → Lato source

⎪
VS = 0, ⎨VGS = φms + Ψ s + VC (x) + ΔVox → Lungo il canale
⎪V = φ + Ψ + V + ΔV → Lato drain
⎩ GS ms s DS ox
La tensione di soglia era data inizialmente da:
Q ' fissa 2qε Si N A Ψ soglia

VGB,soglia = φms + Ψ soglia + = φms + Ψ soglia +
C 'ox C 'ox

Se il source ha una tensione diversa dal bulk allora avrò sul lato source del canale una
tensione pari a ψ s + VSB con una zona svuotata più larga. In tutte le equazioni si avrà il
termine VSB sommato.
V 'GB,soglia = φms + Ψ soglia + VSB +

Q ' fissa
= φms + Ψ soglia + VSB +
(
2qε Si N A Ψ soglia + VSB )
C 'ox C 'ox
Vi è quindi un aumento della tensione di soglia. Generalmente viene fornito il valore della
tensione di soglia per VSB nulla e un coefficiente γ , coefficiente di effetto body.
2qε Si N A
V 'GB,soglia − VSB = φms + Ψ soglia +
C 'ox
⋅ (Ψ soglia )
+ VSB = φms + Ψ soglia + VSB + γ (Ψ soglia + VSB )
Sommando e sottraendo si ha:
⎛ 2qε Si N A Ψ soglia 2qε Si N A Ψ soglia ⎞

V 'GB,soglia − VSB = φms + Ψ soglia + ⎜
C 'ox
−
C 'ox
⎟ +γ (Ψ soglia + VSB )
⎝ ⎠
= VT 0 −
2qε Si N A Ψ soglia
C 'ox
+γ (Ψ soglia )
+ VSB = VT 0 + γ ( (Ψ soglia )
+ VSB − Ψ soglia )

Effetti quantistici e teoria delle bande
Saturazione della velocità a livello quantistico
Si vuole ora osservare in dettaglio alcuni aspetti visti finora, iniziando con la saturazione
di velocità. Questo effetto si manifesta sempre e porta ad una saturazione della velocità
ad un valore indipendente dal tipo di materiale. Per comprendere il fenomeno si deve
ritornare allo studio del movimento delle cariche. Come detto, una carica ha una
componente di velocità casuale (velocità termica) e una componente di velocità dovuta ad
un campo elettrico (velocità di deriva).
Il moto dovuto alla deriva presenta un tratto ad accelerazione costante impressa dal
campo elettrico ed un successivo rallentamento dovuto agli urti che porta la velocità a
zero. Se il tempo di collisione medio è τ si ha
q⋅E
Vmax = a ⋅t = ⋅τ
me
La velocità media è stata assunta uguale alla velocità massima a causa della variabilità del
fenomeno. Nella trattazione semplificata si era ipotizzato che il tempo medio di collisione
fosse indipendente dal campo elettrico, ma in realtà non è esattamene così. Il tasso medio
di urto è proporzionale attraverso un coefficiente h all’energia cinetica Ek :
1 1 1
⋅ me ⋅ ( vd + vth ) ≅ h ⋅
2 2 2
τ = h ⋅ Ek = h ⋅ ⋅ me ⋅ v = h ⋅ ⋅ me ⋅ vth
2 2 2
L’energia cinetica media della carica non dipende dalla velocità di deriva, la velocità
termica è molto grande e quindi la componente impressa dal campo elettrico risulta
trascurabile. La velocità moltiplicata per il tempo fornisce il cammino libero medio λ : si
può dimostrare che è questa distanza media a rimanere costante, non τ . Aumentando il
campo elettrico, se il cammino deve rimanere costante allora il tempo medio di collisione
diminuisce. Per capire il meccanismo dietro a questo fenomeno si deve fare un ulteriore
passo studiando la conservazione dell’energia e della quantità di moto media p della
particella.

Δp
= Forza
Δt
e la forza nel caso elettrostatico è data da q ⋅ E
Δp
= Forza = q ⋅ E
Δt
Inoltre ogni τ la quantità di moto si azzera a causa degli urti. Si sta dicendo che la
quantità di moto p è in media persa tutta ogni τ :
Δp p
= = q⋅E
Δt τ
Per l’energia vale:
ΔEtot Lavoro Forza ⋅Spostamento q ⋅ E ⋅ λ

= = = = q ⋅ E ⋅ vderiva
Δt τ τ τ
Ogni volta che avviene un urto la particella perde una certa energia, tutta oppure una
frazione. La particella urta però con un reticolo elastico: nel caso classico questa energia
potrebbe essere qualunque ma in realtà secondo la meccanica quantistica l’energia deve
essere scambiata in pacchetti finiti, in analogia all’energia elettromagnetica deve essere
scambiata in multipli di una certa quantità minima, cioè il fotone. Per gli urti l’energia
minima è detta fonone e questa dipende dall’elasticità del reticolo: ogni volta che la
particella subisce un urto (anelastico) trasferisce energia al reticolo, in quantità multipla del
fonone (E fon ) . Il fonone ha ordine di grandezza di circa 50 meV in qualsiasi cristallo (con
piccole differenze). In condizioni stazionarie :
⎧ p
⎪⎪q ⋅ E = τ
⎨
⎪q ⋅ E ⋅ vderiva = ΔEtot
⎪⎩ τ
⎧ p
⎪⎪τ = q ⋅ E
⎨
⎪q ⋅ E ⋅ vderiva = ΔEtot ⋅ q ⋅ E → vderiva = ΔEtot
⎪⎩ p p
Ma p è la quantità di moto nella direzione del campo e quindi:
p = me ⋅ vderiva
ΔEtot
vderiva =
me ⋅ vderiva
ΔEtot
vderiva =
me

La velocità di deriva non dipende quindi più dal campo ma solo dal rapporto tra l’energia
persa (cioè un fonone) e la massa della particella. Siccome i parametri sono molto simili
per vari cristalli, la velocità ricavata sarà circa la stessa. Si osservano quindi 2 regimi: per
campi bassi l’energia fornita dal campo elettrico è minore dell’energia del fonone e quindi
ogni volta che avviene un urto la particella si ferma . La sua velocità media termica non
cambia molto, e quindi la sua energia media. Il tempo medio rimane circa costante e la
relazione di mobilità e la legge di Ohm vale. La velocità salirà quindi proporzionalmente al
campo elettrico.
Quando i campi diventano significativi (e quindi la particella ha molta energia) durante un
urto viene trasferito al reticolo solo un fonone, quindi ΔE può al massimo essere pari a
E p . La particella urtando “rimbalza” e cambia direzione, ma rimane in movimento. La sua
E fon
velocità media quindi tende a saturare al valore .
me
Bande in un reticolo cristallino

Come detto all’inizio del corso, un elettrone legato ad un atomo può stare a livelli
energetici quantizzati, con un energia rispetto all’elettrone libero dipendente dall’orbitale
di appartenenza. Si dice quindi che vi sono delle buche di potenziale e gli elettroni (quelli
più esterni, di valenza) sono intrappolati. Perchè in un cristallo alcuni elettroni riescono a
saltare fuori dalle buche di potenziale e possono essere considerati come liberi?
Si consideri un atomo di idrogeno con il suo elettrone. Si immagini anche un altro atomo
di idrogeno lontano da questo. Quando si avvicinano i due questi si perturbano a vicenda:
un elettrone che prima stava attorno ad un atomo ora ha la possibilità di muoversi anche
attorno all’altro. Si generano quindi degli stati elettronici che coinvolgono entrambi i
nuclei: si devono considerare gli orbitali che vengono creati attorno ai due atomi. Si
dimostra che se esiste un’orbita stazionaria nell’atomo isolato, quando si avvicina questo
ad un altro atomo uguale per ogni stato stazionario originario corrispondono due stati
stazionari del sistema biatomico. Cioè l’elettrone che si trova ad orbitare attorno ai due
può farlo su due orbite tra loro distinte: la prima quella che coinvolge tutti e due gli atomi
e la seconda che genera una forma di 8:
Questi due orbitali hanno energie leggermente diverse tra loro: quella esterna è
leggermente più bassa.
Se al sistema di due atomi se ne aggiunge un terzo alla stessa distanza, si formano tre
livelli energetici corrispondenti a altrettanti orbitali distinti:

La separazione di energia dipende dalla distanza tra gli atomi: se questi sono lontani (al
limite non interagenti) i livelli energetici sono tutti gli stessi. Se vi sono N atomi disposti
periodicamente a distanza definita (il passo atomico) vi saranno quindi N livelli energetici
creati per ogni livello energetico originario. Si dice che questi N livelli energetici
costituiscono una banda.
In ogni atomo gli elettroni si dispongono quindi su livelli energetici distinti. Per ogni
livello energetico vi può essere un numero variabile di elettroni: questo è definito dai sotto
orbitali. I sotto orbitali (s,p,d,f) compongono quindi un livello energetico e dipendono
dallo stesso: per il livello energetico 1 (più vicino al nucleo) si avrà quindi solo il sotto
orbitale 1s (numero massimo di elettroni = 2), per il secondo orbitale si avranno i sotto
orbitali 2s (2 elettroni) e 2p (3 sottolivelli, 6 elettroni), per il terzo livello si avranno i sotto
orbitali 3s,3p,3d (massimo 10 elettroni) e così via. Il numero di elettroni quindi
componente l’orbitale più esterno dipende dalla posizione dell’elemento nella tavola
periodica. Il silicio è un semiconduttore del terzo periodo appartenente al quarto gruppo,
avrà quindi tre orbitali e configurazione elettronica:
I Orbitale: 1s (2 elettroni)
II Orbitale 2s2p (2 +6 elettroni)
III Orbitale 3s3p (2 + 2 elettroni).
Immaginando il cristallo di silicio, si ha che se zero è il livello energetico dell’elettrone

libero, gli elettroni legati sono in una “vasca” e c’è una buca a potenziale minore. In
corrispondenza dell’orbitale 1s vi sarà una banda di N stati 1s, così come per i livelli 2s, 2p
(questi orbitali hanno 3 elettroni, per cui vi saranno 3N livelli energetici nella banda),3s,3p
(anche questi con 3N stati). Siccome i livelli energetici nell’atomo singolo sono quantizzati
e tra di essi vi è un gap, anche nel cristalli vi saranno bande occupate e dei gap liberi.
Statistica di Fermi
Fino ad adesso si è utilizzato l’esempio della colonna isoterma e la relazione di
Boltzmann. Come si applica questa ai livelli energetici? Se si disponessero secondo la
fisica classica tutti gli elettroni dovrebbero stare nel livello più basso: si è sempre adottato
questo schema nei i casi visti, ma alla luce di quanto appena detto la questione non è più
così scontata. La statistica di occupazione di un livello energetico è differente rispetto a
quella di Boltzmann: gli elettroni si dispongono in livelli energetici rispettando il principio
di esclusione di Pauli. Sarebbe come dire che nella colonna ci possono essere solo 2
particelle o nessuna per ogni altezza! La statistica che regola la distribuzione nei livelli è
quella di Fermi: gli elettroni tenderanno a saturare ogni stato di energia quantizzata quindi
la concentrazione sarà costante, e solo negli ultimi livelli vi potrà essere ancora “spazio”.
Cioè la probabilità di occupazione è 1 per livelli bassi e decresce per livelli più alti. Se
fossimo alla temperatura assoluta di 0° K allora si avrebbe una distribuzione rettangolare:

tutti i livelli disponibili sarebbero occupati con probabilità 1 e tutti quelli superiori
sarebbero vuoti (probabilità 0). Il livello energetico più alto che si otterrebbe in questo
caso è detto “Energia di Fermi”. Se la temperatura aumenta allora qualche particella
dell’ultimo livello potrebbe avere abbastanza energia da saltare in un livello superiore e
quindi la probabilità di occupazione non sarebbe più nulla. La funzione matematica che
descrive questa probabilità di occupazione di un livello energetico è:
1
P(E) = E−EF
e kT
+1
Si nota però che per energie maggiori del livello di Fermi l’1 al denominatore è
trascurabile e si ottiene
E−EF
−
P(E > EF ) = e kT
Ciò è ragionevole: fino a che ho molte particelle per livello deve valere il principio di Pauli,
ma quando mi trovo in livelli con poche particelle queste possono spostarsi dove
vogliono, e all’interno della banda la distribuzione tende a quella di Boltzmann. Detto
questo, nel silicio di ha che
• Gli orbitali 1s erano saturi, e avrò quindi N livelli 1s saturi nel modello a bande.
• Gli orbitali 2s erano saturi, quindi anche la banda 2s sarà satura.
• Gli orbitali 2p erano saturi, quindi anche la banda 2p sarà satura.
• Gli orbitali 3s erano saturi, quindi anche la banda 3s sarà satura.
• Gli orbitali 3p non erano saturi, quindi la banda corrispondente sarà semi piena.
Se così fosse il cristallo di silicio sarebbe conduttore: un conduttore, applicando una forza
esterna, vede le sue cariche muoversi. Un elettrone sotto l’azione di una forza esterna si
muove però solo se l’energia fornitagli è sufficiente per saltare al livello energetico
superiore. Quando si dice che l’elettrone si muove quindi si sottintende che vi sia un
livello energetico superiore sul quale l’elettrone si sposta sotto l’azione del campo elettrico.
Un cristallo è quindi conduttore quando il livello di Fermi cade in una banda semipiena: ci
saranno dei livelli energetici molto vicini liberi nel quale l’elettrone può saltare. Se il

cristallo ha invece delle bande completamente piene e delle bande completamente libere, il
livello di Fermi cade sul bordo di una banda e l’energia del campo non è sufficiente per far
saltare gli elettroni nella banda libera. Nello schema semplificato ciò corrisponde ad un
atomo con l’elettrone fortemente legato, e anche in presenza di un campo elettrico questo
permane nel suo stato. Osservando il comportamento di un cristallo di silicio saremmo
portati a pensare che questo sia un conduttore, ma così non è!.
Bande nel reticolo cristallino del silicio

Quindi in relazione dello stato della banda elettronica più esterna il materiale si classifica
come isolante o conduttore. Se il livello di Fermi è all’interno di una banda, il sistema può
accettare l’energia fornita dal campo elettrico, mentre se è al bordo superiore della banda
non c’è modo di spostare gli elettroni e questi non accettano l’energia data dal campo.
La banda totalmente occupata è detta banda di valenza, e la prima banda libera è detta
banda di conduzione. Nei semiconduttori la distanza tra la banda di conduzione libera e la
banda di valenza è tale che la probabilità che un elettrone abbia energia tale da saltare da
una all’altra non è trascurabile.
Ma come si è visto, il silicio ha l’ultimo sotto orbitale parzialmente riempito e quindi ci si

aspetterebbe che esso si comporti come un conduttore. La risposta si evince dal
diagramma di Shockley:

Quando gli atomi sono molto distanti non vi sono bande e gli elettroni risiedono sugli
orbitali originali. La larghezza della banda è quindi trascurabile. Quando la distanza
diminuisce i livelli cominciano a allontanarsi e a creare la banda: si nota che attorno ai 6 Å
i livelli s e i livelli p cominciano a sovrapporsi. A questa distanza si hanno 4N livelli
energetici distinti ( N dello stato s e 3N dello stato p). Avvicinando ulteriormente si ha un
allontanamento delle bande. Nel grafico è rappresentato il diagramma per il diamante e si
nota come il passo atomico sia corrispondente al punto di minimo energetico. Per il silicio
il minimo è posto a circa 5 Å: si nota come vi sia un piccolo gap tra la banda di valenza (a
0°K completamente piena) e la banda di conduzione (semi libera).
Si nota come la banda di valenza ha ora 2N stati (4 elettroni di valenza per ogni atomo) e
altrettanti ne ha la banda di conduzione. Una volta che si è superata la distanza atomica
per cui le due bande si toccano, si vede come entrambe siano composte da livelli
energetici sia s che p. Quello che accade è che il sistema si “chiede” se esista una
configurazione energeticamente più conveniente ed effettivamente esiste: il fenomeno è
detto “ibridizzazione s-p” e accade quando si combina il materiale in un cristallo
tridimensionale. Ricordando che la struttura esterna dell’atomo di silicio è 3s 2 3p 2 , nel
reticolo si avranno 4 elettroni in banda di valenza e la banda di conduzione vuota e il gap
tra le due è circa 1.1 eV.
È possibile fare una semplificazione: quando si parla di elettroni mobili nel cristallo si
indica quelli presenti in banda di conduzione e quando si parla di lacune evidentemente si
intende l’assenza di elettroni in banda di valenza. Si introduce inoltre l’affinità elettronica,
ovvero la distanza tra il fondo della banda di conduzione e l’energia del vuoto pari a 0, e
nel silicio è circa 4 eV.
A 0°K ho che tutti i livelli inferiori sono occupati e quelli superiori liberi: l’energia di
Fermi starà quindi in qualche punto all’interno del gap. Dato il livello di Fermi a 0° K, la
probabilità che un elettrone possa occupare il livello energetico E dipende dalla statistica
di Fermi. Se c’è una temperatura finita il livello di Fermi ha probabilità 0.5 di essere
occupato e per livelli energetici differenti segue il grafico mostrato precedentemente. Nei
conti fatti per lo studio dei dispositivi sono stati considerati solo gli elettroni a questo
punto chiamati di conduzione non considerando gli elettroni di valenza. Osservando il
grafico della distribuzione di Fermi però si intuisce che per livelli abbastanza distanti dal
livello di Fermi la curva ha andamento esponenziale e quindi ci si può ricondurre alla
statistica di Boltzmann.

Densità equivalente di stati energetici
Si deve quindi studiare il numero di elettroni in banda di conduzione: considerando uno
spessore energetico si ha
n ⋅Volume = Numero stati energetici ⋅ Probabilità di occupazione degli stati

N (E, E + dE)
n = stati ⋅ f (E) = g(E)⋅ dE ⋅ f (E)
V
Si dimostra che la distribuzione della densità di stadi ha un andamento parabolico: vicino

al fondo della banda è zero e cresce poi secondo una iperbole.
g(E) = k ⋅ E − EC → Conduzione
g(E) = k ⋅ EV − E → Valenza
Il numero di elettroni in banda di conduzione (dal fondo fino all’infinito) sarà:

∞
g(E − EC )
n= ∫ E−EF dE
EC
e kT
+1
Se ci si trova con energie abbastanza maggiori del livello di Fermi (cioè per E − EF > kT )
l’equazione si semplifica:
∞ E−EF
−
n= ∫
EC
g(E − EC )⋅ e kT
dE
E − EC
Con un cambio di variabile ( x = ) si ottiene:
kT
∞ E−EF +EC −EC ∞ − EF +EC EC −EF ∞

− − −
n = ∫ kT ⋅ g(x)⋅ e kT
dx = kT ⋅ ∫ g(x)⋅ e ⋅ e −x kT
dx = e kT
kT ⋅ ∫ g(x)⋅ e− x dx
0 0 0
kT ⋅ ∫ g(x)⋅ e− x dx è una proprietà intrinseca del materiale ed è chiamato densità di stati

0
equivalente N C . Questa indica il numero equivalente di stati che si dovrebbero
considerare se si immaginasse di concentrarli tutti in EC . Questo è equivalente a dire che
siccome gli elettroni sono pochi è ragionevole pensare che questi si distribuiscano a livelli
energetici più favorevoli e quindi vicino al fondo della banda di conduzione. Per il silicio
vale
N C = 3.22 ⋅1019 cm −3
In sostanza quindi

EC −EF
−
n = NC ⋅ e kT
la densità di elettroni in banda di conduzione dipende quindi dalla temperatura, dalla

posizione del livello di Fermi e dalla densità di stati equivalenti. L’espressione può anche
essere vista in un altro modo: si immagini di concentrare gli stati della banda di
conduzione in EC
Il numero degli stati dipende dalla densità del materiale: il silicio ha 5 ⋅10 22 atomi/cm3,
quindi in banda di conduzione ci saranno 2 ⋅ 5 ⋅10 22 stati/cm^3. Per calcolare il numero di
elettroni disponibili per cm3 si può immaginare di concentrare tutti gli stati in Ec e di
occuparli con una probabilità pari all’energia del fondo della banda di conduzione rispetto
all’energia di Fermi. Come però si immagina gli stati da concentrare al livello di
conduzione dovranno essere minori rispetto a quelli che si hanno in realtà perchè per gli
stati posti in alto la probabilità è minore. Si utilizza quindi una densità di stati equivalente
N C invece di quella reale. Posso quindi approssimare la densità elettronica come:
EC −EF
−
n = N C ⋅ f (EC ) ≈ N C ⋅ e kT
Se si volesse fare lo stesso discorso per le lacune si dovrebbe considerare gli stati liberi,
quindi il numero di lacune totali P in una fascia compresa tra E ed E+dE sarà dato da
P = Numero di stati in banda di valenza ⋅ Probabilità che lo stato sia libero

=Numero di stati in banda di valenza ⋅(1-Prob. che lo stato sia occupato)
−∞ −∞ ⎛ 1 ⎞
p = ∫ g(Ev − E) ⋅ (1− f (Ev )) dE = ∫ g(Ev − E) ⋅ ⎜ 1− Ev −E f ⎟ dE
⎜⎝ ⎟
EV EV
e kT
+ 1⎠
−∞ ⎛ EvkT−E f ⎞ −∞ E −E E −E
⎜ e ⎟ − F v − F v
∫E vg(E − E) ⋅
⎜ Ev −E f
⎟
= ∫E v
g(E − E) ⋅ e kT
dE = N v ⋅ e kT
V
⎝ e kT + 1 ⎠ V
Il livello di Fermi è stato ipotizzato all’interno del gap. Da notare che essendo all’interno
del gap, allo 0 assoluto (funzione a gradino) questo potrebbe trovarsi a qualsiasi altezza:
infatti seppure la probabilità di occupazione degli stati è pari a 1, fino all’energia della

banda di valenza non ci sono stati. Non appena però la temperatura sale, la posizione del
livello deve essere fissata ad un valore preciso: se la densità di stati equivalente fosse
esattamente uguale per elettroni e lacune allora avrei un livello di fermi al centro del gap,
ma non essendo questo il caso allora sarà leggermente scostato.
Concentrazione intrinseca e densità di stati

Con le relazioni appena trovate è possibile trovare il valore esatto, infatti per neutralità di
carica devo avere:
n= p
EC −EF EF −EV
− −
NC ⋅ e kT
= NV ⋅ e kT
⎛N ⎞ E − EV EC − EF
ln ⎜ C ⎟ = − F +
⎝ NV ⎠ kT kT
⎛N ⎞
kT ⋅ ln ⎜ C ⎟ = −2EF + EV + EC
⎝ NV ⎠
⎛N ⎞
EV + EC − kT ⋅ ln ⎜ C ⎟
⎝ NV ⎠
EF =
2
Queste relazioni valgono per un semiconduttore puro. Cosa succede in un

semiconduttore drogato? Aggiungendo N D atomi droganti avrò una corrispondente
concentrazione di elettroni e vengono aggiunti un corrispondente numero di nuovi stati.
Se sto drogando con atomi donori, questi stati si posizioneranno nella banda proibita ma
molto vicino alla banda di conduzione. Il livello di fermi si deve quindi alzare per fare in
modo che la probabilità di occupazione di elettroni in conduzione sia più alta e quella in
banda di valenza di lacune sia minore: non varrà quindi più quindi la relazione n = p
perchè la concentrazione di elettroni è ora data dalla concentrazione di atomi di drogante:
n = ND
EC −EF
−
N D = Nc ⋅ e kT
⎛N ⎞
kT ⋅ ln ⎜ c ⎟ = EC − EF
⎝ ND ⎠
Quindi ora il livello di Fermi dipende dal grado di drogaggio. Per un semiconduttore
drogato p sarebbe lo stesso discorso:

p = NA
EF −Ev
−
N A = Nv ⋅ e kT
⎛N ⎞
kT ⋅ ln ⎜ v ⎟ = EF − Ev
⎝ NA ⎠
NB Siccome sto drogando con atomi del III e del V gruppo, la configurazione elettronica
di questi sarà uguale e quindi la disposizione delle bande non viene variata!
È possibile ricavare la legge di azione di massa utilizzando la rappresentazione a bande.
Se si avesse un blocchetto di semiconduttore drogato N si avrebbe che la concentrazione

di elettroni in banda di conduzione è pari a:
EC −EF
−
n = NC ⋅ e kT
EF −EV
−
p = NV ⋅ e kT
Sommando e sottraendo nell’esponenziale il livello di fermi che si avrebbe ne

semiconduttore intrinseco si ottiene:
EC −EF +Ei −Ei EC −Ei Ei −EF
− − −
n = NC ⋅ e kT
= NC ⋅ e kT
⋅e kT
EF −EV +Ei −Ei Ei −EV EF −Ei

− − −
p = NV ⋅ e kT
= NV ⋅ e kT
⋅e kT
Si riconosce nell’espressioni appena trovate la concentrazione che si avrebbe nel

semiconduttore intrinseco, dove il numero di lacune è pari al numero di elettroni.
Ei −EF
−
n = ni ⋅ e kT
EF −Ei
−
p = ni ⋅ e kT
moltiplicando ora le due quantità si ottiene la tesi

Ei −EF EF −Ei
− −
n ⋅ p = ni ⋅ e 2 kT kT
= ni 2

Inoltre, considerando il semiconduttore intrinseco si ha:
EC −EF
−
n0 = N C ⋅ e kT
EF −EV
−
p0 = NV ⋅ e kT
EC −EV Egap
− −
ni = N C NV ⋅ e
2 kT
= N C NV ⋅ e kT
Si immagini ora di avere una giunzione pn: all’equilibrio termico si è detto che si crea una
zona di svuotamento mentre ai lati di questa vi sono delle zone neutre. Nelle zone neutre
deve valere quanto scritto sopra: inoltre essendo in condizioni di equilibrio si deve avere
un livello di Fermi costante in tutto il semiconduttore. Vi sarà quindi una flessione delle
bande per adattare la distanza del livello di Fermi dalla banda di conduzione e quella di
valenza:
Siccome l’affinità elettronica (differenza di energia tra livello di vuoto e base della banda di
conduzione) è costante deve essere variato il livello di vuoto.
La giunzione PN secondo la teoria delle bande

Se si avvicina una parte drogata n e una parte drogata p il livello di Fermi deve quindi
essere costante e le bande si fletteranno in corrispondenza della giunzione. Gli elettroni
nella zona p avranno energia potenziale più alta e tenderanno ad andare in zone con stati
energetici minori. Allo stesso modo le lacune nella zona n avranno energia minore e
tenderanno a muoversi verso la zona con stati a potenziale maggiore.
Il potenziale della banda di conduzione nel lato p è definito φ p , ed è pari a quello del
sistema p isolato. Sul lato n si avrà allo stesso modo φn . Il sistema presenta però dei
vincoli fissati: per esempio l’affinità elettronica è fissata, così come il gap tra banda di
valenza e banda di conduzione. Per avvicinare il livello di fermi alla banda di valenza nel
lato p è quindi evidente che tutti i livelli energetici a lato p devono traslare in alto e quelli
del lato n devono traslare verso il basso: questo è l’effetto che produce il campo elettrico

al contatto e il dislivello creatosi tra le due basi delle bande di conduzione quindi sarà pari
al potenziale di built in.
Nel semiconduttore intrinseco come detto la concentrazione di elettroni è data da

EC −EF
−
n = NC ⋅ e kT
e questo è pari alla concentrazione di lacune

EF −EV
−
p = NV ⋅ e kT
Nel semiconduttore estrinseco non è più vero che n=p, però per la legge di azione di
massa deve sempre valere che
np = ni 2
Si ha quindi che
EC −EF EF −EV − EC +EF −EF +EV EC −EV Egap
− − − −
ni = np = N C ⋅ e
2 kT
⋅ NV ⋅ e kT
= N C NV ⋅ e kT
= N C NV ⋅ e kT
= N C NV ⋅ e kT
da cui
Egap
−
ni = N C NV ⋅ e 2 kT
Inoltre deve essere:
⎛N ⎞ ⎛N ⎞
EC − EF = kT ln ⎜ C ⎟ = kT ln ⎜ C ⎟ = q ⋅ φn − q ⋅ φF
⎝ n ⎠ ⎝ ND ⎠
⎛N ⎞ ⎛N ⎞
EF − EV = kT ln ⎜ V ⎟ = kT ln ⎜ V ⎟ = q ⋅ φF − q ⋅ φ p
⎝ p ⎠ ⎝ NA ⎠

Dove le differenze di potenziale sono intese rispetto al livello di Fermi.
Ma allora
kT ⎛ N C ⎞
φn = ln
q ⎜⎝ N D ⎟⎠
kT ⎛ NV ⎞
φp = ln
q ⎜⎝ N A ⎟⎠
kT ⎛ NV ⎞ kT ⎛ N C ⎞
φi = φ p − φ n = ln − ln
q ⎜⎝ N A ⎟⎠ q ⎜⎝ N D ⎟⎠
???
Si polarizzi ora in inversa la giunzione. La differenza di potenziale tra il lato p e il lato n

deve aumentare. Il dislivello deve quindi aumentare. Polarizzando direttamente si ha la
situazione opposta e si avvicinano i livelli delle due zone. Da notare che il sistema con una
tensione applicata non è più all’equilibrio, quindi non esiste più un livello di Fermi
univoco ma vi sarà un livello di Fermi del lato P e un livello di fermi del lato N (quasi-
livelli di Fermi). I quasi-livelli corrispondono al livello di fermi della zona neutra ed
esistono fino a circa il limite della zona svuotata. La differenza dei quasi-livelli di Fermi è
pari all’energia fornita al sistema con la polarizzazione q ⋅VA .
Contatto Metallo-Semiconduttore
Da un lato si ha un semiconduttore, con i propri livelli energetici: il livello di Fermi
all’interno di questo (in caso di semiconduttore p) sarà come detto

⎛N ⎞ ⎛N ⎞
EF = EV − kT ln ⎜ V ⎟ = qX + Egap − kT ln ⎜ V ⎟
⎝ NA ⎠ ⎝ NA ⎠
Il metallo ha livello di fermi all’interno di una banda, e di solito si quota solo la distanza
tra livello di vuoto e livello di Fermi (funzione lavoro del metallo). Se si pone a contatto il
metallo con il semiconduttore, si ha un flusso di elettroni da sinistra a destra. Il metallo
perderà elettroni e si carica positivamente e il semiconduttore ne acquisterà quindi si
carica negativamente: allo stesso modo della giunzione pn, all’equilibrio i livelli di fermi
dovranno allinearsi e la tensione di built in sarà data dalla differenza dei livelli di fermi
originali. Utilizzando i materiali in figura (alluminio e silicio drogato p) si ha una
differenza di 0.94 V. Finora si è però assunto che il contatto metallo-semiconduttore fosse
conduttivo! Nel lato semiconduttore si manifesta una carica fissa negativa (quindi una
zona svuotata) perchè vi sono accettori che vengono ionizzati. Se il metallo avesse avuto
funzione lavoro minore del livello di Fermi si avrebbe avuto la situazione opposta: gli
elettroni sarebbero andati dal semiconduttore al metallo e il metallo si sarebbe caricato
negativamente mentre il semiconduttore, perdendo elettroni, avrebbe acquistato carica
positiva (mobile). Nel primo caso la conducibilità del contatto è bassa, perchè non vi sono
cariche mobili. Al contrario, se il metallo ha funzione lavoro minore rispetto al livello di
Fermi, la conducibilità è alta perchè il semiconduttore cederà elettroni aumentando la sua
densità di lacune mobili. Se si vuole realizzare un contatto ohmico quindi (alta
conducibilità) si deve utilizzare un metallo con funzione lavoro minore del livello di fermi
del semiconduttore. Se si vuole realizzare un contatto rettificante la funzione lavoro deve
essere più alta del livello di Fermi. Con un semiconduttore drogato n, per avere alta
conducibilità dovrei avere che al contatto vengono richiamate cariche maggioritarie
mobili, quindi dovrei avere una funzione lavoro più in alto rispetto al livello di Fermi.
Si deve però notare che con i metalli classicamente utilizzati non è possibile avere un
contatto ohmico con il semiconduttore drogato! Come si realizzano allora i contatti? Se
ho una giunzione metallo-p all’equilibrio i livelli di fermi dovranno allinearsi. Se si applica
una tensione negativa al lato p, si alza l’energia potenziale e la barriera aumenta. I portatori
faranno più “fatica” a saltare dall’altro lato e quindi non passa corrente. Se applico una
tensione diretta invece abbasso le barriere di potenziale e facilito il trasferimento di carica.
Si supponga però di aumentare significativamente il drogaggio. La zona di carica spaziale
si assottiglia e si riduce fino a 100 Å. Le lacune ora possono saltare per effetto tunnel
dall’altra parte quindi scorre corrente. 

Il processo CMOS
Creazione del wafer in silicio
Il materiale base puro all’1 per mille viene fuso. Si immerge poi un cristallo di silicio già
tagliato secondo i piani cristallografici e quando questo viene a contatto con la superficie
gli atomi del silicio fuso circostante vengono ad assemblarsi in modo da assumere la
configurazione a minima energia: il solido viene quindi formato da piani reticolari regolari.
Il lingotto è fatto ruotare ed estratto lentamente, e cresce in diametro in funzione della
velocità di rotazione e estrazione.
Il lingotto viene poi tagliato in fette di dimensioni nell’ordine di 0.5 mm e queste vengono
poi levigate: si può quindi iniziare la lavorazione per realizzare il circuito elettronico. Il
cristallo originale è orientato [100] ed il wafer originario è drogato P per avere una
resistività di 10mΩ/cm. Inoltre l’azienda che crea il wafer realizza anche una prima
lavorazione, creando uno strato epitassiale in modo da dare una resistività maggiore dello
strato superiore. La realizzazione avviene ponendo il wafer in una fornace contenente
un’atmosfera neutra (senza ossigeno) composta da Silano (SiH4). Questo si adagia sul
wafer, il legame Si-H si rompe e il Si si lega agli altri atomi sottostanti. Se si vuole creare
un drogaggio P si utilizzano altri gas a base di Boro.
Ossidazione
L’abbattimento dei costi è possibile parallelizzando la realizzazione su tutto il wafer. Il
primo passo necessario alla creazione del chip è l’ossidazione. Il successo del silicio è in
parte dovuto alle proprietà del suo ossido: è compatto e protegge completamente la
superficie sottostante. Inoltre può essere selettivamente rimosso con composti a base di
acido cloridrico (che non attacca invece il silicio sottostante). L’ossidazione avviene in
parallelo immettendo anche in questo caso gas per l’ossidazione e temperature elevate. Si
parla di ossidazione secca quando si utilizza ossigeno ( O2 ), mentre umida quando si
utilizza acqua ( H 2O ). Si realizzano ossidi di spessore 1000-60 Å. Se il passo atomico è 5Å
l’ossido meno spesso è composto da solo una decina di cristalli!
Man mano che il processo avanza lo strato di ossido cresciuto fa da barriera per la crescita
successiva! Arriva una molecola di ossigeno, diffonde attraverso lo strato di ossido già
deposto e rompe i legami del silicio già presente. L’ossido quindi cresce dal basso!

I parametri che controllano la velocità di crescita sono la pressione parziale dell’ossidante
e la temperatura.
Qual’è il consumo della superficie di silicio quando si cresce uno strato di ossido?
Si supponga di volere uno strato di 1000Å. La densità dell’ossido di Silicio è nota e vale
6.6 ⋅10 22 atomi/cm^3 : solo 1 atomo ogni molecola di ossido è di Si! La densità di atomi
di Si nell’ossido è quindi 2.2 ⋅10 22 atomi/cm^3, e siccome devo conservare il numero di
atomi ho
2.2 ⋅10 22 ⋅ Area ⋅ xSiO2 = 5 ⋅10 22 ⋅ Area ⋅ xSi

2.2
xSi = ⋅ xSiO2 = 0.44 ⋅ xSiO2
5
Se genero 1000Å di ossido si erodono 440 Å di silicio sottostante!
Da notare che la relazione tra spessore cresciuto e il tempo è quadratica, ovvero per
crescere uno spessore doppio serve il quadruplo del tempo perché l’ossidante deve
diffondere in strati di sempre maggior spessore di ossido.
L’ossidazione umida è più efficace di quella secca! In primo luogo perché il legame O-O è
più forte del legame O-H quindi si libereranno meno atomi di ossigeno rendendosi
disponibili per legare con il Silicio. Inoltre la molecola di acqua è più piccola della
molecola O2 quindi si diffonde meglio nell’ossido!
Il problema è che l’ossidazione umida crea un ossido di minore qualità perché vengono
liberate molecole di idrogeno che, invece che risalire e disperdersi, rimangono intrappolate
all’interno oppure addirittura rimangono legami O-H nell’ossido.
Fotoresist
Per creare dispositivi elettronici è necessario andare a lavorare su aree definite: serve
quindi uno schermo per decidere dove andare a mettere mano. Lo schermo è realizzato
con un resist fotografico. Questo viene deposto sulla superficie ponendo una goccia sul
wafer in rotazione. Una volta deposto su tutta la superficie, si devono identificare le zone
dove si deve andare a lavorare: questo si realizza andando a modificare le proprietà del
resist con un processo fotografico. Esso viene esposto a una radiazione laser in modo che
diventi dissolubile nella soluzione di sviluppo e quindi la parte impressionata viene
rimossa lasciando scoperta la zona sottostante. L’impressionamento del resist avviene con
un infrastruttura chiamata scanner. Una maschera è frapposta tra il laser e una lente che

focalizza la figura definita dalla maschera su un area del wafer. Questa non copre
ovviamente tutto il wafer e quindi il processo è ripetuto fino a coprire l’intera superficie.
La maschera è focalizzata tramite una lente e quindi più anche essere di dimensioni
maggiori della figura che si intende impressionare. In genere le maschere sono fatte di
quarzo.
La lunghezza d’onda dei laser è nell’ordine dei 200 nm (vicino ultravioletto) e le fenditure
della maschera sono nell’ordine dei 60 nm. Ma sono circa dello stesso ordine di
grandezza! Non c’è una proiezione geometrica (dopo la fenditura la radiazione non
procede in modo rettilineo) ma vi è una proiezione diffratta. Vuol dire che oltre al fascio
principale vi sono fasci diffratti con angoli dipendenti dalla lunghezza d’onda e dalla
dimensione della fenditura.

La struttura degli ordini diffratti è calcolabile! Quindi è anche possibile farli convergere
sovrapposti su un piano. Inoltre parte degli ordini diffratti vengono inevitabilmente
persi. ???
La minima dimensione (risoluzione) che riesco a garantire sul wafer è data dal rapporto
tra la lunghezza d’onda e l’apertura numerica della lente (rapporto diametro/focale). Tutte
le tecnologie hanno una dimensione critica minima che più essere garantita. In sostanza
seppur difficile è possibile lavorare anche in regime di diffrazione, ma l’informazione
persa (ordini che escono dalla lente) pone dei limiti alla minima dimensione realizzabile. È
quindi fondamentale riuscire a creare lenti grandi ma dal profilo perfettamente
controllato, levigato a livello atomico.
NB È dimostrabile che l’informazione dei fasci diffratti più esterni corrisponde alle
frequenze di Fourier più alte dell’immagine. Il profilo che si ottiene perdendo gli ordini
alti si perde la rigidità delle transizioni e non si ha la nettezza chiaro/scuro. Inoltre anche il
Resist gioca il suo ruolo in quanto ha una soglia oltre la quale diventa solubile:
dimensionare correttamente questa soglia permette di controllare la perdita degli ordini di
diffrazione.
λ
CD =
NA
D
NA =
2f
Drogaggio
Come è possibile una volta rimosso il resist andare a creare zone p e zone n? Si possono
utilizzare impiantatori ionici che sparano degli atomi all’interno del reticolo nelle zone
dove non vi è il resist e dove questi si fermeranno ad una profondità media dipendente
dall’energia cinetica fornita all’atomo.
Gli atomi di fosforo (presente in forma solida poi vaporizzata) vengono prima ionizzati e
poi accelerati da un campo elettrico. Entrano poi in un canale curvo immerso in un
campo magnetico che, fissata l’energia cinetica fornita precedentemente dall’accelerazione,
curva il fascio di una quantità definita. Ioni che hanno cariche di ionizzazione diverse o

massa diversa vengono curvati diversamente quindi solo quelli “corretti” arrivano nel
reticolo. Inoltre essendo lo ione carico posso misurare la corrente in uscita e controllare la
dose impiantata.
In questo caso impianto ioni, quindi particelle alle quali è aggiunto o tolto un elettrone.
Nel caso del fosforo per esempio impianto un atomo con un elettrone in meno, e quando
si stabilizza nel cristallo cercherà di riacquistare il portatore perso. Questo viene fornito da
un atomo di silicio che a sua volta lo prenderà da un altro ecc ecc e in definitiva l’elettrone
mancante verrà fornito dal contatto metallico del generatore!
Il reticolo è però stato danneggiato dall’impiantazione quindi sarà necessario scaldare il

materiale per permettere agli atomi di riassumere le posizioni corrette. È possibile scaldare
tutti i wafer insieme in un forno (ma è un processo lento) oppure scaldare con una
lampada la superficie. Il vantaggio del primo è l’uniformità della temperatura mentre il
secondo è temporalmente più conveniente.
Contatti
Per la realizzazione dei contatti si procede come detto ma si crea una regione più drogata
per permettere un maggiore scambio di cariche. Successivamente si pulisce la superficie
togliendo il resist (quello per la creazione delle zone drogate) e l’ossido rimasti e si
deposita uno strato di ossido (giallo) facendo “nevicare” la polvere di questo. Non serve
ossido di qualità e serve che sia deposto in fretta! Il processo può essere realizzato in
pochi minuti per crescere migliaia di Å. La fase vapore dell’ossido è leggermente drogata
con boro e fosforo per farlo più “morbido” quindi far si che sia più liscio. Si aprono poi
dei fori utilizzando ancora il resist e si scava nell’ossido. Come si più scavare in verticale?
Si utilizzano ancora ioni! Questi sbattono sull’ossido scavando fino al substrato. Questo è
chiamato attacco al plasma. Si utilizza un gas ionizzato, a base di fluoro, che attacca solo
l’ossido e non il silicio. Al silicio viene dato un potenziale elettrico che attrae gli ioni che
sbattono sull’ossido scavando in questo verticalmente. Gli ioni sono carichi positivamente
e quindi il silicio è posto a potenziale negativo. Per velocizzare il processo si deve
aumentare il numero di molecole ionizzate già presenti temperatura ambiente: applicando
una differenza di potenziale alternata gli elettroni presenti vengono scossi e collidono con
molecole non ionizzate estraendo altri elettroni. Per far si che gli elettroni non arrivino al

contatto si utilizza un onda con periodo minore del tempo di transito, in modo che
mediamente dopo un urto l’elettrone sia attratto in direzione opposta.

Sulla superficie del substrato quindi piovono ioni che oltre a erodere il materiale a causa
degli urti svolgono anche un lavoro chimico: posti a contatto con l’ossido gli ioni attirano
gli elettroni indebolendo il legame, facilitando la rimozione con un successivo urto.
Anche il polimero però viene “martellato” e cede qualche molecola alla nube gassosa. Una
volta liberato questo tende a aderire nuovamente e statisticamente è più probabile che
aderisca sulle pareti laterali del “buco” essendo queste meno colpite dagli ioni. viene
quindi a crearsi uno strato protettivo che ostacola l’attacco laterale che continua a scavare
solo verticalmente! Questo è vantaggioso, per cui oltre alla specie ionizzata (per l’attacco
chimico) e al gas nobile (per l’attacco fisico, non si lega con le molecole di ossido) si
aggiunge un gas a base di carbonio appositamente inserite per scalfire il polimero di resist.
In questo modo posso regolare l’angolo di apertura del foro, più polimero gira infatti più
questo tenderà a depositarsi subito e quindi l’angolo sarà molto stretto. Se non ci fosse
per nulla polimero avrei che lo ione dopo aver urtato sul fondo del buco andrebbe ad
urtare anche sulle pareti scavando lateralmente e creando un profilo svasato.
Una volta scavato il buco va riempito con materiale metallico. Non si può inserire metallo
fuso a causa delle temperature e della dimensione del foro, quindi si procede con una
deposizione a partire da esafloruro di tungsteno. Il tungsteno viene utilizzato perché non
crea bolle. Le linee metalliche sono create sempre per deposizione, con alluminio o rame.

Appendice
Dipendenza dei parametri dalla temperatura
Vari parametri di interesse dipendono dalla temperatura di funzionamento e ciò influenza
le caratteristiche del materiale e i risultati ottenibili.
3
−
µ ∝T 2
3
NV , N C ∝ T 2
Regime di alta o bassa iniezione in una giunzione

Come noto, in una giunzione polarizzata in diretta si crea un accumulo di carica
minoritaria ai bordi della zona svuotata. Se la densità di portatori minoritari è minore di 2
ordini di grandezza della carica dei maggioritari all’equilibrio allora si è in regime di bassa
iniezione, nel caso contrario si è in regime di alta iniezione.
Diodo P-I-N
Capita spesso di avere una giunzione PN in cui, tra le due zone, vi è posto uno strato di
differente drogaggio. Considerando il caso in cui la zona intermedia sia composta da
silicio intrinseco, si può vedere immediatamente come questa sia quasi in ogni caso
completamente svuotata (come se avessi una zona di drogaggio ordini di grandezza
minore). La caduta di tensione ai capi di questa può essere calcolata sommando le due
cadute di tensione alle due giunzioni, ma si ricava che:
KT ⎛ N A ⎞ KT ⎛ N D ⎞ KT ⎛ N A N D ⎞
Vbi = ln + ln = ln ⎜
q ⎜⎝ ni ⎟⎠ q ⎜⎝ ni ⎟⎠ q ⎝ ni 2 ⎟⎠
Cioè la tensione di built-in è pari a quella che si avrebbe se non fosse presente lo strato
intrinseco.
Essendo silicio intrinseco inoltre, la condizione di svuotamento implica che non ci siano
cariche mobili e quindi che ogni elettrone rimanga legato al proprio atomo. Ma questo
significa che non vi è carica, a differenza di ciò che accade negli strati drogati. Il campo
elettrico è quindi uniforme e costante e dipende solamente dalle zone svuotate “esterne”,
nelle zone P e N. Il valore del campo elettrico sarà però minore rispetto ad una giunzione
PN (logicamente, se la tensione rimane uguale ma l’ampiezza della zona svuotata aumenta
il campo diminuisce).

A seconda dei drogaggi è possibile approssimare la forma del campo elettrico come un
rettangolo o come un trapezio rettangolo. In ogni caso ora le larghezze delle zone
svuotate dipendono anche dalla larghezza della zona intrinseca. Infatti deve sempre valere
Vbi = − ∫ E dx =
( L + Δp + Δn + L ) ⋅ EMax = ( 2L + Δp + Δn ) ⋅ EMax
2 2
Inoltre
qN A qN D
EMax = ⋅ Δp = ⋅ Δn
ε Si ε Si
Anche il bilancio di carica non si modifica
N A Δp = N D Δn
Queste sono le equazioni che descrivono l’elettrostatica della giunzione e possono essere
semplificate in presenza di condizioni particolari ( L >> (Δp + Δn) , giunzione unilatera
ecc.).

Se invece dello strato intrinseco fosse presente una regione drogata, il diagramma si
modificherebbe includendo l’effetto di questa. Avrei cioè della carica fissa nello strato
centrale, per cui il campo elettrico non sarebbe costante e la tensione tensione non
avrebbe un andamento lineare. Per quanto riguarda la tensione di built-in in questo caso si
ha (ipotizzando una zona con drogaggio N A1 < N A )
KT ⎛ N A ⎞ KT ⎛ N A1 N D ⎞ KT ⎛ N A N D ⎞
Vbi = ln + ln = ln
q ⎜⎝ N A1 ⎟⎠ q ⎜⎝ ni 2 ⎟⎠ q ⎜⎝ ni 2 ⎟⎠
Quindi anche in questo caso la tensione totale è uguale alla tensione di built in della
giunzione senza strato intermedio. Le equazioni ora dovrebbero tener conto della carica
spaziale e del valore intermedio di campo elettrico.
C’è da tenere presente che, se in presenza di una regione intrinseca si ha quasi la certezza
che la zona intermedia sia svuotata, non è così per regioni drogaggi minori nel mezzo.
Bisogna fare un ipotesi iniziale e verificare successivamente.
MOS con regione a drogaggio differente

Nel caso di condensatore MOS con una regione intrinseca (o differentemente drogata)
valgono i ragionamenti appena fatti. Siccome a soglia la concentrazione di portatori

mobili di superficie deve in valore essere pari alla concentrazione di droganti del substrato,
la tensione di superficie a soglia non varia rispetto al caso “semplice”.
Varierà invece la tensione dell’ossido in quanto il campo elettrico all’interfaccia è

modificato. Infatti:
EMax,Si ⋅ ε Si Q'
ΔVOx = EOx ⋅tOx = ⋅tOx = Si
ε Ox C 'Ox
Il campo massimo nel silicio è calcolabile sapendo che l’area sottesa è pari alla caduta di
tensione a soglia.
Giunzione metallo-semiconduttore in dettaglio

Ci sono due casi da considerare: la giunzione rettificante e la giunzione non rettificante.
Per realizzare una giunzione rettificante si vuole che si formi una zona svuotata nel silicio
a contatto con il metallo: se il silicio è drogato di tipo P si ha il seguente diagramma a
bande
I livelli di Fermi si allineano e quindi le bande si devono piegare. La differenza dei livelli di
vuoto è pari alla differenza dei livelli di Fermi (come nel MOS). Questa è pari al potenziale
di contatto che ovviamente si crea solo all’interno del silicio che quindi presenterà una
zona di carica spaziale svuotata di portatori mobili. Il livello del vuoto è minore nel
metallo che quindi rimarrà a potenziale più alto. La barriera di potenziale vista dagli
elettroni del metallo è pari alla distanza tra banda di conduzione e livello di Fermi ed è
molto alta per cui difficilmente un elettrone passerà dal metallo al semiconduttore. La
barriera di potenziale vista dalle lacune è invece pari al potenziale di contatto.
All’equilibrio termico il numero di elettroni che cade dal semiconduttore deve essere pari

al numero di elettroni che dal metallo vanno a ricombinarsi con le lacune. Diminuendo il
potenziale del semiconduttore, la barriera vista dalle lacune aumenta per cui non vi è
passaggio di corrente. Aumentando invece la tensione dal lato P la barriera si riduce
permettendo a un maggior numero di lacune di essere raggiunte da un elettrone del
metallo e quindi scorre corrente. La giunzione assume quindi un comportamento
rettificante!
Per creare un contatto ohmico vorrei avere la funzione lavoro del metallo maggiore del
livello di fermi del semiconduttore. In questo modo in prossimità del contatto la
differenza tra il livello di fermi del semiconduttore e la banda di valenza diminuisce: cioè
ho un accumulo di lacune

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Andrea Leonardo Lacaita

Trascrizione di : Benini Davide

Teoria semiclassica dell’atomo 4

Effetti quantistici e teoria delle bande 71

Struttura dei materiali

Dispositivi Elettronici Pagina 1

Dispositivi Elettronici Pagina 2

Si ricorda che 10 −7 cm = 1 nm = 10Å. Un atomo di Idrogeno ha raggio 0.5 Å (raggio di

Dispositivi Elettronici Pagina 3

Dispositivi Elettronici Pagina 4

dove Z è il numero atomico e Ry è il numero di Rydberg e vale appunto 13.6 eV.

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Si immagini un materiale immerso in un campo elettrico e sia vd la velocità media degli

Se queste cariche attraversano tutte la sezione in un unità di tempo si ha una corrente:

La ben nota legge di Ohm però dice che

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NB Osservando il grafico si nota che geometricamente la velocità media sarebbe pari a

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Introducendo la mobilità appena trovata si ha quindi:

Si definisce resistenza la costante di proporzionalità tra corrente e tensione applicata:

e quindi da questo si ha la legge di Ohm.

Gli ordini di grandezza delle costanti utilizzate sono:

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Metalli aventi densità atomica nell’ordine di 10 22 hanno quindi una resistività di µΩ ⋅ cm ,

Concentrazione intrinseca dei semiconduttori

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Il grafico di Arrhenius mette in relazione 1/T e concentrazione intrinseca.

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I = −q ⋅ ∑ vk Legami − q ⋅ vi Libero + q ⋅ vi Legami − q ⋅ vi Legami = −q ⋅ ∑ vk Legami − q ⋅ vi Libero + q ⋅ vi Legami

1) Il contributo che da l’elettrone libero ;

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In un semiconduttore ci sono elettroni con concentrazione intrinseca n = ni con una loro

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La concentrazione di lacune è data dalla percentuale di drogaggio ed è detta N A . Ora si

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Legge di azione di massa

All’equilibrio si ha che il tasso di generazione è pari al tasso di ricombinazione

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NB Finora si è immaginato che all’interno del reticolo vi fosse una concentrazione

Legge della neutralità di carica

Potenziale di contatto (Built In)

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La legge dei gas ideali dice che

dove n! è il numero di moli. Dividendo per il numero di Avogadro entrambi i membri

dove n è invece la concentrazione di particelle per unità di volume. Se consideriamo due

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ma mgz è l’energia potenziale delle particelle ad altezza z! Questa è la funzione di

Possiamo stabilire un equivalenza con il caso del semiconduttore generalizzando le due

Caso più complicato: zona drogata n e una zona drogata p.

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La differenza di potenziale è stimabile osservando il sistema all’equilibrio termico, come

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Questo lega il potenziale di built in alla concentrazioni di droganti ( N A e N D ), alla

NB Se cortocircuito il dispositivo non vi è però passaggio di corrente ai terminali anche

I risultati ricavati finora sono che :

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Andamento della corrente

Il gradino è quindi pari a q ⋅ φi ed è invertito rispetto al gradiente della tensione (questo

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Ancora con la trattazione di Boltzmann possiamo calcolare il numero di particelle con

Questo è il numero di particelle che potrebbero saltare: ovviamente data la