Esercizi

Esercitazioni ad uso del corso di Dispositivi Elettronici
Fabrizio Bonani, Gianluca Piccinini
14 dicembre 2018
Indice
1 I semiconduttori 2
1.1 Esercizio 1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.2 Esercizio 2 – Esperimento di Haynes e Shockley . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2 La giunzione pn 18
2.1 Esercizio 3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.2 Esercizio 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
3 Il transistore bipolare a giunzione 36

3.1 Esercizio 5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
4 Il transistore MOSFET 42
4.1 Esercizio 6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
1
1
I semiconduttori
1.1 Esercizio 1
Si consideri un campione di Si uniformemente drogato con atomi di B in concentrazione NA =
1016 cm−3 , caratterizzato dalle dimensioni fisiche descritte in figura (dove A rappresenta la sezione
trasversale al flusso di corrente determinato dalla resistenza del campione uniforme).
2
A=1 mm L=1 mm
1. Si determinino np0 e pp0 a T = 300 K, si tracci il diagramma a bande e si valuti la resistenza

R del campione;
2. Utilizzando le approssimazioni
−2.4
T
µn (T ) = µn (300 K) (1.1)
300
−2.2
T
µp (T ) = µp (300 K) (1.2)
300
si ripeta il punto 1 a T = 600 K;
3. Dopo aver inserito nel campione ND = 1017 cm−3 atomi di As, ripetere i punti 1 e 2;
4. Utilizzando il campione del punto 3, si proceda ad illuminare una faccia con una radiazione
tale da generarvi un eccesso di elettroni e di lacune pari a 1013 cm−3 . Si valutino n(x) e p(x);
5. Ripetere il punto 4 assumendo L = 50 µm;
6. Ripetere il punto 4 assumendo L = 5 µm;
7. Ripetere il punto 4 dopo aver applicato al campione una tensione Va di entrambi i segni.
2
Va
L=1 mm
Soluzione
1.1
Poiché la temperatura è di 300 K, possiamo assumere la completa ionizzazione degli atomi droganti,
che nella tecnologia del Si ha luogo al di sopra di una temperatura di circa 100 ÷ 200 K. Inoltre,
NA ni = 1.45 × 1010 cm−3 , e quindi
 s 
2 2
2ni 2ni 
= 8.41 × 10−12 =⇒ 1 + 1 + ≈2 (1.3)
NA NA
Pertanto si può concludere
n2i
pp0 = NA = 1016 cm−3 np0 = = 2.1 × 104 cm−3 (1.4)
NA
Dalla equazione di Boltzmann per le lacune si può quindi stimare

Nv
EF − Ev = kB T ln = 180.6 meV (1.5)
NA
essendo, dai dati di tabella del Si, Nv = 1.04 × 1019 cm−3 . Si può quindi tracciare il diagramma a
bande come segue:
E0
qc=4.05 eV
qFSp
Ec
EFi
EF
Ev
Figura 1.1: Diagramma a bande del semiconduttore omogeneo.
3
Tabella 1.1: Parametri del modello per la mobilità di basso campo nel Si a 300 K in funzione del drogaggio
totale Nt
µmin µmax NREF α

[cm2 V−1 s−1 ] [cm2 V−1 s−1 ] [cm−3 ]
elettroni 92 1360 1.3 × 1017 0.91
lacune 47.7 495 6.3 × 1016 0.76
qΦSp = qχ + Eg − (EF − Ev ) = 5 eV (1.6)

essendo Eg (300 K) = 1.12 eV. Allo stesso risultato si arriva utilizzando l’equazione di Shockley per
le lacune:
Eg NA
qΦSp = qχ + + kB T ln = 5 eV (1.7)
2 ni
La stima della resistenza richiede di valutare la mobilità di basso campo dei portatori maggioritari
nel campione. Come noto, questa dipende dal drogaggio totale Nt del cristallo secondo una relazione
che normalmente viene definita in modo sperimentale (si vedano le curve rappresentate nella figura
seguente, valide per il Si a temperatura ambiente).
Mobilità di basso campo, cm2 V-1 s-1
1500
1250 Elettroni
Lacune
1000
750
T=300 K
500 Si
250
14 15 16 17 18 19 20 21
10 10 10 10 10 10 10 10
-3
Drogaggio totale, cm
Figura 1.2: Dipendenza dal drogaggio totale della mobilità di basso campo di elettroni e lacune nel Si a
temperatura ambiente.
In letteratura si trovano modelli matematici che interpolano le curve sperimentali, che in generale
hanno la forma
µmax − µmin
µ = µmin + (1.8)
1 + (Nt /NREF )α
dove i parametri, per il caso del Si a temperatura ambiente, sono riportati nella Tabella 1.1.
In questo caso si ha Nt = NA = 1016 cm−3 , per cui
µn = 1248 cm2 V−1 s−1 µp = 406 cm2 V−1 s−1 (1.9)
4
La conducibilità elettrica del materiale è data dalla legge do Ohm microscopica
σ = σn + σp = qnp0 µn + qpp0 µp ≈ qpp0 µp = qNA µp (1.10)
e quindi
1L 1 L
R= = = 15.39 Ω (1.11)
σA qNA µp A
1.2
Consideriamo ora il campione alla temperatura T = 600 K, dove la ionizzazione è completa come a
300 K, per cui  s 
2
NA  2ni (T ) 
pp0 = 1+ 1+ (1.12)
2 NA
Per poter valutare le popolazioni all’equilibrio serve quindi una stima della concentrazione intrinseca
alla nuova temperatura di lavoro. A questo scopo si può usare la relazione che corrisponde alla legge
dell’azione di massa:
p Eg
ni (T ) = Nc (T )Nv (T ) exp − (1.13)
2kB T
Si può procedere in due modi:
1. si ricorda che, da considerazioni teoriche, le due densità efficaci degli stati sono proporzionali
a T 3/2
Nc (T ) = Kc T 3/2 Nv (T ) = Kv T 3/2 (1.14)
per cui
3/2 3/2
Nc (T ) T Nv (T ) T
= = (1.15)
Nc (300 K) 300 Nv (300 K) 300
e quindi
3/2
p T Eg
ni (T ) = Nc (300 K)Nv (300 K) exp − (1.16)
300 2kB T
dove kB T = 2 × 26 = 52 meV. Pertanto (essendo per Si Nc (300 K) = 2.8 × 1019 cm−3 e
Nv (300 K) = 1.04 × 1019 cm−3 )
ni (600 K) = 1.015 × 1015 cm−3 (1.17)
2. dalla (1.13) scritta per T = 300 K si ricava

p Eg
Nc (300 K)Nv (300 K) = ni (300 K) exp = 3.276 × 1019 cm−3 (1.18)
2 × 26 meV
che, sostituito nella (1.16), restituisce
ni (600 K) = 1.949 × 1015 cm−3 (1.19)
La differenza tra i due valori di ni (600 K) dipende dal fatto che i valori dei parametri a 300 K (in
particolare, ni , Nc , Nv ed Eg ) non sono tra loro coerenti, in quanto dati sperimentali. A seguito di
questa considerazione, quindi, si preferisci utilizzare il valore (1.19) che garantisce la coerenza tra i
valori della concentrazione intrinseca alle due temperature.
5
E0
qc=4.05 eV qc=4.05 eV
qFSp qFSp
Ec Ec
EFi EF EFi
EF
Ev Ev
300 K 600 K T
Figura 1.3: Variazione del diagramma a bande di un semiconduttore omogeneo con la temperatura (si
trascura la variazione di Eg ).
Si ha quindi
 s 
2
NA  2ni (T )  = 1.037 × 1016 cm−3
pp0 = 1+ 1+ (1.20)
2 NA
n2i
np0 = = 3.663 × 1014 cm−3 (1.21)
pp0
cui corrisponde
Eg pp0
qΦSp = qχ + + kB T ln = 5.26 eV (1.22)
2 ni
essendo kB T ln (pp0 /ni ) = 87 meV. L’effetto della temperatura sul diagramma a bande è mostrato
nella Figura 1.3.
Osservazione. Si noti che il valore delle concentrazioni appena calcolato è approssimato per difetto.
Infatti si è trascurato il fatto che anche l’ampiezza Eg della banda proibita varia con la temperatura,
e in particolare diminuisce. Tenendo conto che per il Si Eg (600 K) = 1.03 eV, si otterrebbe
ni (600 K) = 4.63 × 1015 cm−3 pp0 (600 K) = 1.181 × 1016 cm−3 np0 (600 K) = 1.815 × 1015 cm−3
(1.23)
Passando ora alla stima della resistenza R, occorre valutare
σn (600 K) = qnp0 (600 K)µn (600 K) σp (600 K) = qpp0 (600 K)µp (600 K) (1.24)
dove, in accordo al testo dell’esercizio

−2.4
600
µn (600 K) = µn (300 K) = 236.45 cm2 V−1 s−1 (1.25)
300
−2.2
600
µp (600 K) = µp (300 K) = 88.36 cm2 V−1 s−1 (1.26)
300
6
R(T) R(T)
Metallo
ins tore
Se int
mi rin
estr ondut
eco
co sec
nd o
utt
ic
Sem
or
e
T T
Figura 1.4: Andamento con la temperatura della resistenza di un campione di semiconduttore drogato
(sinistra) e di un metallo (destra).
pertanto
σn (600 K) = 13.86 × 10−3 S/cm σp (600 K) = 146.60 × 10−3 S/cm (1.27)
da cui
1 L
R= = 62.32 Ω (1.28)
σn + σp A
ovvero R = Rn ||Rp dove Rn = 721.5 Ω è la resistenza dovuta alla sola conduzione per elettroni,
Rp = 68.21 Ω è la resistenza dovuta alla sola conduzione per lacune.
Complessivamente, la dipendenza dalla temperatura della resistenza equivalente di un materiale
dipende da due fattori: la concentrazione di cariche libere, e la riduzione della loro mobilità al crescere
di T . Pertanto nel caso di un:
• semiconduttore drogato, finché il materiale resta nella regione estrinseca, le concentrazioni di

cariche libere sono dominate dal drogaggio e restano sostanzialmente costanti con T : R quindi
aumenta a causa della riduzione della mobilità. Invece quando si passa alla regione intrinseca, le
concentrazioni di carica libera crescono più che esponenzialmente a causa della forte variazione
di ni (T ), mentre le mobilità si riducono polinomialmente con T : complessivamente, R(T )
deve diminuire. Chiaramente, per rendere compatibili le due regioni di funzionamento, per
temperature intermedie la curva R(T ) deve presentare un massimo. Si veda la Figura 1.4
(sinistra);
• metallo, la concentrazione di carica libera è sostanzialmente indipendente da T , e quindi R(T )

cresce a causa della riduzione di mobilità (Figura 1.4 (destra)).
1.3
In queste condizioni, il semiconduttore viene compensato aggiungendo una concentrazione di atomi
donatori ND tale da rendere il drogaggio netto donatore pari a: N = ND − NA = 9 × 1016 cm−3 > 0.
Pertanto si tratta di un campione di tipo n, nel quale
n2i
nn0 = N = 9 × 1016 cm−3 pn0 = = 2.336 × 103 cm−3 (1.29)
N
Dalla equazione di Boltzmann per gli elettroni si può quindi stimare

Nc
Ec − EF = kB T ln = 150 meV (1.30)
N
7
E0
qc=4.05 eV
qFSn
EF Ec
EFi
Ev
Figura 1.5: Diagramma a bande del semiconduttore compensato omogeneo.
essendo, dai dati di tabella del Si, Nc = 2.8 × 1019 cm−3 . Si può quindi tracciare il diagramma a
bande come segue:
qΦSn = qχ + (Ec − EF ) = 4.2 eV (1.31)

Allo stesso risultato si arriva utilizzando l’equazione di Shockley per gli elettroni:

Eg N
qΦSn = qχ + − kB T ln = 4.21 eV (1.32)
2 ni
In queste condizioni il drogaggio totale vale Nt = NA + ND = 1.1 × 1017 cm−3 , per cui dalla (1.8)
si ottiene
µn (300 K) = 774 cm2 V−1 s−1 µp (300 K) = 225 cm2 V−1 s−1 (1.33)
Anche in questo caso i portatori minoritari non contribuiscono alla conducibilità del campione
σn (300 K) = qµn nn0 = 11.15 S/cm σp (300 K) = qµp pn0 = 8.41 × 10−14 S/cm (1.34)
pertanto
1 L
R(300 K) = = 0.9 Ω (1.35)
σn (300 K) A
A T = 600 K si utilizza la concentrazione intrinseca (1.19), per cui
 s 
2
N 2ni (T ) 
nn0 = 1+ 1+ = 9.004 × 1016 cm−3 (1.36)
2 N
n2i
pp0 = = 4.22 × 1013 cm−3 (1.37)
nn0
cui corrisponde
Eg nn0
qΦSn = qχ + − kB T ln = 4.41 eV (1.38)
2 ni
8
Inoltre
−2.4
600
µn (600 K) = µn (300 K) = 146.65 cm2 V−1 s−1 (1.39)
300
−2.2
600
µp (600 K) = µp (300 K) = 49 cm2 V−1 s−1 (1.40)
300
pertanto
σn (600 K) = 2.113 S/cm σp (600 K) = 3.3 × 10−4 S/cm (1.41)
da cui
1 L 1 L
Rn = = 4.73 Ω Rp = = 30.3 kΩ R = Rn ||Rp = 4.73 Ω (1.42)
σn A σp A
1.4
Gottica
0 L x
Figura 1.6: Campione omogeneo con generazione ottica superficiale.
Si considera ora il campione compensato studiato nel punto precedente, per il quale si induca
sulla superficie (si veda la Figura 1.6 per la struttura e la definizione del sistema di riferimento) una
generazione ottica tale da realizzare un eccesso di carica libera in condizioni di neutralità pari a
n0n (0) = p0n (0) = 1013 cm−3 (1.43)
Poiché n0n (0) nn0 , il campione lavora in condizioni di basso livello di iniezione. Inoltre,
ci si attende che i portatori generati otticamente sulla superficie diffondano verso l’interno del
campione dove la ricombinazione ne determina il riassorbimento. Appare quindi ragionevole l’ipotesi
di campione neutro anche fuori equilibrio:
ρ(x) = 0 (1.44)
Ma il campione viene lasciato in condizioni di circuito aperto (I = 0), pertanto ai suoi capi non si
ha alcuna caduta di potenziale, cosa che, unitamente alla neutralità, garantisce
E(x) = E0 = 0 (1.45)
Si noti che questa condizione, da verificare a posteriori, consente di trascurare la corrente di drift,
almeno per i portatori minoritari (che, in basso livello di iniezione, restano diversi ordini di grandezza
al di sotto della concentrazione dei maggioritari).
A seguito della (1.45), il modello matematico dei semiconduttori si semplifica poiché la conoscenza
del campo elettrico rende inutile la soluzione dell’equazione di Poisson, mentre E0 = 0 consente di
9
trascurare, nell’equazione di continuità dei portatori minoritari, il termine di corrente di drift:
∂pn 1 ∂Jp
=− − Up (1.46)
∂t q ∂x
∂pn ∂pn
Jp = qpp µp E − qDp = −qDp (1.47)
∂x ∂x
p0n
Up = (1.48)
τp
dove, in condizioni stazionarie, ∂pn /∂t = 0. Si ha quindi
d2 pn p0n
0 = Dp − (1.49)
dx2 τp
dove pn = p0n + pn0 =⇒ dpn /dt = dp0n /dt, pertanto l’equazione che governa l’evoluzione spaziale
stazionaria della concentrazione in eccesso dei portatori minoritari prende la forma
d2 p0n p0n d2 p0n p0n

0= − = − (1.50)
dx2 Dp τp dx2 L2p
dove si è definita la lunghezza di diffusione delle lacune

p
Lp = Dp τp (1.51)
In questo caso, sfruttando la relazione di Einstein a T = 300 K e assumendo τp = 1 µs si trova
Dp = VT µp = 5.85 cm2 /s Lp = 2.419 × 10−3 cm = 24.19 µm (1.52)
La (1.50), una equazione differenziale lineare a coefficienti costanti, ha come soluzione generale
una combinazione lineare di esponenziali del tipo exp(λx), dove i valori di λ sono le soluzioni della
equazione caratteristica associata all’equazione differenziale. Sostituendo p0n (x) = exp(λx) nella
(1.50) si trova
1 1
λ2 − 2 = 0 =⇒ λ = ± (1.53)
Lp Lp
per cui
p0n (x) = A exp(x/Lp ) + B exp(−x/Lp ) (1.54)
La determinazione delle due costanti A e B richiede l’imposizione di due condizioni al contorno:
• il testo dell’esercizio assegna il valore di p0n (0), per cui la prima condizione da imporre è
p0n (0) = A + B (1.55a)
• una analisi qualitativa del sistema fisico da studiare suggerisce come la concentrazione in eccesso
di carica minoritaria debba ridursi allontanandosi dal punto di iniezione, cosa incompatibile
con il termine crescente della (1.54). In particolare, questa considerazione si applica in questo
caso poiché siamo in presenza di un campione lungo, visto che vale la condizione L Lp .
Pertanto, la seconda condizione al contorno che possiamo imporre è
A=0 (1.55b)
10
p’n(x) pn(x)
Diffusione pn(x)=p’n(x)+pn0
Ricombinazione pn0
Lp x x
Figura 1.7: Andamento della concentrazione di portatori minoritari in eccesso (a sinistra) e della
concentrazione totale di portatori minoritari in un campione lungo rispetto alla lunghezza di
diffusione dei portatori minoritari.
Ip,diff(x)
38.7 mA
14.24 mA
Lp x
Figura 1.8: Andamento della corrente di diffusione di portatori minoritari in un campione lungo rispetto
alla lunghezza di diffusione dei portatori minoritari.
Combinando la (1.55b) e la (1.55a) si trova

p0n (x) = p0n (0) exp(−x/Lp ) (1.56)
secondo la quale in un campione lungo rispetto alla lunghezza di diffusione dei portatori minoritari,
l’eccesso di questi ultimi viene riassorbito (in condizioni stazionarie nel tempo) in modo esponenziale
allontanandosi dal punto di iniezione: si veda la Figura 1.7. Naturalmente, lo stesso andamento si
verifica in caso di uno svuotamento p0n (0) < 0.
Alla concentrazione variabile di portatori minoritari corrisponde ovviamente una corrente di
diffusione:
dp0n Dp
Ip,diff (x) = AJp,diff (x) = −qADp = qA p0n (0) exp(−x/Lp ) = Ip,diff (0) exp(−x/Lp ) (1.57)
dx Lp
dove
Dp 0
Ip,diff (0) = qA p (0) = 38.7 µA (1.58)
Lp n
Si noti come la corrente di diffusione e la concentrazione in eccesso abbiano la stessa dipendenza
dalla posizione x (Figura 1.8).
Visto che il campione si trova in condizioni di circuito aperto, nel semiconduttore si deve avere
una corrente, che può essere solo di elettroni, tale da produrre
I = In (x) + Ip,diff (x) = 0 (1.59)
Se, per coerenza con l’ipotesi di campo elettrico trascurabile, assumessimo anche per gli elettroni
una corrente esclusivamente di diffusione:
dn0n
In (x) ≈ In,diff (x) = qADn (1.60)
dx
In queste condizioni, la equazione di continuità degli elettroni in condizioni stazionarie (usando
l’approssimazione di tempo di vita per il tasso netto di ricombinazione) prende la stessa forma della
(1.50)
d2 n0n n0n
0 = Dn 2 − (1.61)
dx τn
11
dalla quale possiamo dedurre, dopo aver risolto l’equazione caratteristica associata alla (1.61)
n0n (x) = n0n (0) exp(−x/Ln ) (1.62)

√ √
dove si è definita la lunghezza di diffusione degli elettroni Ln = Dn τn = VT µn τn = 44.86 µm
(assumendo τn ≈ τp = 1 µs), e dove si è usata di nuovo la condizione di campione lungo L Ln per
annullare il contributo dell’esponenziale crescente. Chiaramente si ha di nuovo
Dn 0
In,diff (x) = In,diff (0) exp(−x/Ln ) In,diff (0) = −qA n (0) (1.63)
Ln n
dalla quale segue che nell’ipotesi (1.60), la (1.59) può essere verificata, in condizioni di neutralità
p0n (0) = n0n (0), se e solo se sono verificate le due condizioni:
Dn Dp
= Ln = Lp (1.64)
Ln Lp
che sono equivalenti a richiedere Dn = Dp , ovvero µn = µp . Visto che questo non si verifica, occorre
che nel campione sia presente anche una componenti di corrente di trascinamento, e quindi un campo
elettrico E(x) tale da soddisfare la (1.59):
dn0n dp0
0 = qnn (x)µn E(x) + qDn − qDp n (1.65)
dx dx
Tenendo conto della forma degli eccessi di carica, si ha quindi un campo elettrico
dp0n dn0 Dn 0 Dp 0
Dp − Dn n nn (x) − p (x)
dx dx = Ln Lp n
E(x) = (1.66)
nn µn nn (x)µn
dove, essendo valido il basso livello di iniezione, nn (x) ≈ nn0 .
1.5
Nel caso del campione con L = 50 µm, si ha L ≈ Lp e quindi non si può più assumere che
l’esponenziale crescente debba avere coefficiente nullo per poter portare a zero l’eccesso di portatori
minoritari iniettati sulla superficie x = 0. In altri termini, occorre identificare una seconda condizione
al contorno oltre a p0n (0) = A + B che sia coerente con il problema da studiare.
In x = L possiamo assumere la presenza di un contatto ohmico, ovvero di una interfaccia di
transizione dal semiconduttore ad un metallo che consenta il passaggio di corrente in entrambe le
direzioni. Nel caso di contatto ohmico ideale tale transizione avviene in presenza di una caduta
di potenziale nulla, ovvero l’interfaccia si comporta da un punto di vista elettrico come un corto
circuito. Poiché il metallo ha a disposizione una concentrazione molto elevata di elettroni liberi,
si può assumere che le lacune iniettate superstiti vengano completamente ricombinate al contatto,
determinando quindi come seconda condizione al contorno:
p0n (L) = 0 (1.67)
Facendo uso della soluzione generale (1.54), le due condizioni al contorno conducono al sistema

A + B = p0n (0)
(1.68)
A exp(L/Lp ) + B exp(−L/Lp ) = 0
Ricavando B dalla seconda equazione si trova
B = −A exp(2L/Lp ) (1.69)
12
p’n(x) Ip,diff(x)
Diffusione Ip,diff(0)
Ricombinazione Ip,diff(L)
L x L x
Figura 1.9: Andamento della concentrazione in eccesso (a sinistra) e della corrente di diffusione (a destra)
di portatori minoritari in un campione con L ≈ Lp .
e sostituendo nella prima
A [1 − exp(2L/Lp )] = A exp(L/Lp ) [exp(−L/Lp ) − exp(L/Lp )] = p0n (0) (1.70)
dalla quale
p0n (0) p0 (0) exp(−L/Lp )
A= exp(−L/Lp ) = − n (1.71)
exp(−L/Lp ) − exp(L/Lp ) 2 L
sinh
Lp
dove si è usata la definizione 2 sinh(α) = exp(α) − exp(−α). Sostituendo in (1.69) si trova, infine
p0n (0) exp(L/Lp )

B= (1.72)
2 L
sinh
Lp
Sostituendo i valori di A e B nella (1.54) si trova la soluzione particolare richiesta (Figura 1.9
(sinistra))

L−x
sinh
p0n (0)

1 x−L L−x L
0
pn (x) = − exp + exp 0
= pn (0) p (1.73)
2 L Lp Lp L
sinh sinh
Lp Lp
cui corrisponde la corrente di diffusione (Figura 1.9 (destra))

L−x
0 cosh
dp Dp L
Ip,diff (x) = −qADp n = qA p0n (0) p (1.74)
dx Lp L
sinh
Lp

Dp 0 L
Ip,diff (0) = qA pn (0) coth (1.75)
Lp Lp
Dp 0 1
Ip,diff (L) = qA p (0) (1.76)
Lp n

L
sinh
Lp
1.6
Affrontiamo ora il caso L = 5 µm Lp : il campione viene detto corto rispetto alla lunghezza di
diffusione dei portatori minoritari. Chiaramente la soluzione (1.73), ricavata senza approssimazioni
basate sul rapporto L/Lp , continua ad essere valida. Tenendo conto che la (1.73) viene valutata
13
p’n(x) Diffusione Ip,diff(x)
Ricombinazione
L x L x
Figura 1.10: Andamento della concentrazione in eccesso (a sinistra) e della corrente di diffusione (a destra)
di portatori minoritari in un campione corto.
per 0 ≤ x ≤ L, sia il numeratore sia il denominatore sono caratterizzati da un argomento del seno
iperbolico che soddisfa le condizioni
(L − x)/Lp 1 ∀x ∈ [0,L] L/Lp 1 (1.77)
e quindi si può usare lo sviluppo asintotico sinh(α) ∼ α per α → 0, ottenendo (Figura 1.10 (sinistra))
L−x
p0n (x) = p0n (0) (1.78)
L
ovvero un andamento lineare. Pertanto la corrente di diffusione è costante e vale (Figura 1.10
(destra))
dp0 Dp
Ip,diff (x) = −qADp n = qA p0n (0) (1.79)
dx L
1.7
Consideriamo ora il caso di una tensione costante Va applicata al campione portato fuori equilibrio.
Assumendo che il materiale sia localmente neutro anche fuori equilibrio, la tensione applicata genera
un campo elettrico costante di valore
Va
E(x) = E0 = − (1.80)
L
e quindi la densità di corrente totale di portatori minoritari diventa
dp0n Va dp0
Jp = qµp pn E − qDp = −qµp pn − qDp n (1.81)
dx L dx
Sostituendo nell’equazione di continuità stazionaria per le lacune si ha
Va dp0n d 2 p0 p0
0 = µp + Dp 2n − n (1.82)
L dx dx τp
ovvero
d2 p0n 1 Va dp0n p0n
+ − =0 (1.83)
dx2 L VT dx L2p
dove si è usata la relazione di Einstein µp /Dp = 1/VT . L’equazione caratteristica associata alla (1.83)
assume la forma
1 Va 1
λ2 + λ− 2 =0 (1.84)
L VT Lp
le cui radici, di segno opposto (λ1 > 0, λ2 < 0), si scrivono
 s
1 Va + 1 Va 2 + 1

 λ
 1
 = − 2L VT 2L VT L2p

λ= s (1.85)
Va − Va 2 + 1



λ = − 1 1
 2

2L VT 2L VT L2p

14
l
l1
1/Lp
Va
-1/Lp
l=-Va/(LVT)
l2
Figura 1.11: Andamento delle radici dell’equazione caratteristica associata alla (1.83) in funzione della
tensione applicata Va .
p’n(x)
Va<0
Va=0
Va>0
x
Figura 1.12: Andamento qualitativo di p0n (x) in un campione lungo in funzione della tensione applicata Va .
Le due soluzioni hanno gli andamenti in funzione di Va mostrati nella Figura 1.11, e conducono
alla soluzione generale (1.54)
p0n (x) = A exp(λ1 x) + B exp(λ2 x) (1.86)
Se, ad esempio, si considera il caso di un lato lungo, si deve imporre A = 0 e la soluzione diviene
p0n (x) = p0n (0) exp(λ2 x) (1.87)
dove, al variare di Va , la forma della concentrazione in eccesso di portatori minoritari in eccesso ha

il comportamento qualitativo di Figura 1.12.
1.2 Esercizio 2 – Esperimento di Haynes e Shockley

In questo esercizio daremo una interpretazione qualitativa del classico esperimento di Haynes e
Shockley, la cui analisi dettagliata richiede l’utilizzo di calcoli alquanto complessi. L’esperimento
consiste nel creare un concentrazione in eccesso (e in neutralità) di portatori liberi in una regione
ben precisa di un semiconduttore drogata in modo omogeneo, e nell’osservare l’evoluzione spazio-
temporale di questi eccessi di carica una volta eliminata la sorgente di cariche libere (ad esempio,
mediante una illuminazione impulsata con luce di lunghezza d’onda tale da indurre una generazione
ottica di coppie elettrone-lacuna). Si veda la figura seguente:
Siano noti il drogaggio di tipo n in concentrazione ND , e le mobilità e i tempi di vita delle due
tipologie di portatori liberi.
15
Va
p’n(x) t2>t1 p’n(x) E0
t1 t2>t1 t1
t3>t2
t3>t2
xi x xi x
Figura 1.13: Andamento qualitativo di p0n (x) nell’esperimento di Haynes-Shockley con Va = 0 (a sinistra) e
Va > 0 (a destra).
Soluzione
Questo esempio è particolarmente complesso da studiare poiché coniuga l’evoluzione spaziale con
quella temporale. In termini stazionari del tempo, abbiamo visto nell’Esercizio 1 che quello che ci
possiamo attendere è che l’illuminazione generi una concentrazione in eccesso di elettroni e di lacune
proprio in corrispondenza del punto di illuminazione xi , e che questa venga riassorbita nello spazio
allontanandosi da xi . In questo caso specifico si dimostra che l’andamento, se il campione neutro è
lungo rispetto a Lp , è di tipo Gaussiano, ovvero proporzionale a exp(−(x − xi )2 /K) dove K è una
quantità da definire tramite la soluzione formale della equazione di continuità.
Per poter spiegare il comportamento in funzione del tempo, consideriamo ora il caso di un
campione omogeneo che venga illuminato in tutti i suoi punti da una radiazione di intensità uniforme,
generando quindi una concentrazione in eccesso indipendente dalla posizione. Poi l’illuminazione
viene spenta all’istante t = 0, e si osserva l’evoluzione temporale di p0n (t). Grazie all’invarianza
traslazionale del problema, l’equazione di continuità delle lacune si semplifica in
dp0n p0
= −Up = − n (1.88)
dt τp
per cui l’evoluzione temporale dell’eccesso di carica in un campione omogeneo diviene
p0n (t) = p0n (0) exp(−t/τp ) (1.89)
ovvero un decadimento esponenziale con costante di tempo pari al tempo di vita dei portatori.
Combinando la dipendenza spaziale con quella temporale, almeno nel caso Va = 0 (ovvero, in
assenza di campo elettrico costante nella struttura), si ha che
• ad ogni istante di tempo la distribuzione di portatori minoritari in eccesso è Gaussiana intorno
a xi ;
• il picco della distribuzione Gaussiana si riduce al passare del tempo, e la varianza della
distribuzione aumenta coerentemente con la diffusione delle cariche minoritarie verso i due
lati neutri del campione (si veda la Figura 1.13 (sinistra)).
Se, invece, consideriamo il caso Va > 0, questo determina un campo elettrico costante nel campione
(assunto ancora neutro) pari a
Va
E0 = − (1.90)
L
16
essendo L la distanza tra i due contatti ohmici ideali che alimentano il campione. Pertanto, oltre al
contributo di diffusione, si attiva anche uno spostamento di lacune indotto dal trascinamento, per
il quale le lacune (cariche positive) si spostano nella direzione del campo elettrico con una velocità
media pari a µp |E0 |. Pertanto, oltre ai fenomeni precedentemente descritti si aggiunge anche:
• uno spostamento del picco della distribuzione Gaussiana nella direzione del campo elettrico,
spostamento pari a µp |E0 |t (si veda la Figura 1.13 (destra)).
Ovviamente, l’applicazione di Va < 0 induce un trascinamento nella direzione opposta, mentre un

eventuale eccesso di elettroni subirebbe un trascinamento nella direzione opposta al campo elettrico,
come conseguenza del segno della carica elettrica associata.
Ai terminali del campione, questi picchi di concentrazione in eccesso che si spostano determinano
dei corrispondenti picchi di corrente: misurando queste correnti, e variando intensità, durata e periodo
dell’illuminazione impulsata è possibile stimare tutti i parametri caratteristici del materiale in esame
(con riferimento ai portatori minoritari), ovvero mobilità, diffusività e tempo di vita.
17
2
La giunzione pn
2.1 Esercizio 3
Si consideri una giunzione pn brusca e asimmetrica in Si a temperatura ambiente, con livelli di
drogaggio nei due lati pari a NA = 1016 cm−3 e ND = 5×1016 cm−3 , e sezione trasversale A = 1 mm2 .
Si richiede di:
1. tracciarne il diagramma a bande dettagliato in equilibrio termodinamico;
2. calcolare E(0) all’equilibrio termodinamico;
3. determinare la tensione di polarizzazione Va tale da determinare E(0)|Va = 2 E(0)|eq ;
4. valutare Cdep (0) e Cdep (Va );
2
5. tracciare la curva 1/Cdep (Va ) in funzione di Va ;
6. dato il circuito di figure, verificare se con la giunzione in esame si possa realizzare una frequenza
di risonanza pari a f0 = 98.20 MHz;
Cdep(Va) L=10 nH
7. si ripetano i punti da 1 a 4 raddoppiando i valori dei drogaggi dei due lati;

8. assumendo di trasformare la giunzione da brusca a lineare, verificare che la regione svuotata
abbia luogo completamente nella zona di drogaggio lineare.
N=ND-NA
a=10 cm
20 -4 ND
x1=-NA/a ax
=-1 mm
x2=ND/a x
-NA =5 mm
18
qVbi
E0
qFSp qc
qFSn
EF Ec
qFp EFi
Ev
qFn
-xp0 0 xn0 x
Figura 2.1: Diagramma a bande dettagliato della giunzione brusca nell’esercizio.
Soluzione
3.1
I parametri necessari alla definizione del diagramma a bande dettagliato della giunzione brusca in
esame, mostrato in Figura 2.1, sono i due lavori di estrazione per i due lati

Eg NA
qΦSp = qχ + + kB T ln = 4.96 eV (2.1)
2 ni

Eg ND
qΦSn = qχ + − kB T ln = 4.22 eV (2.2)
2 ni
per cui il potenziale di built in vale

NA ND
Vbi = qΦSp − qΦSn = VT ln = 0.74 V (2.3)
n2i
Noto il potenziale di contatti, si possono valutare le ampiezze delle regioni svuotate con le formule
quadratiche ricavate a teoria:
s
2 ND NA
xd0 = Vbi = 339 nm xp0 = xd0 = 282.5 nm xn0 = xd0 = 56.5 nm (2.4)
qNeq NA + ND NA + ND
dove Neq = NA ||ND = 8.333 × 1015 cm−3 , e dove si sono usate xd0 = xp0 + xn0 e la condizione di
neutralità NA xp0 = ND xn0 .
Infine, le cadute di potenziale parziali sulle due parti della regione di svuotamento valgono:
qNA 2 qND 2
Φp0 = xp0 = 0.616 V Φn0 = x = 0.124 V (2.5)
2 2 n0
3.2
Il campo elettrico massimo (in x = 0, si veda la Figura 2.2) all’equilibrio termodinamico vale
qNA
E(0)|eq = − xp0 = −4.363 × 104 V/cm (2.6)

Allo stesso risultato si arriva valutando la caduta di potenziale complessiva ai capi della regione
svuotata (pari a Vbi in equilibrio) come l’area sottesa a −E(x) sull’intervallo [−xp0 ,xn0 ]
1
Vbi = − xd0 E(0)|eq (2.7)
2
dalla quale
2Vbi
E(0)|eq = − = −4.366 × 104 V/cm (2.8)
xd0
19
E
-xp -xp0 xn0 xn x
E(0)|eq
E(0)|Va
Figura 2.2: Profilo di campo elettrico nella giunzione pn in equilibrio e nelle condizioni della domanda 3.3.
1/C dep(Va)
2
1/C dep(0)
2
Vbi Va
2 (V ) in funzione della tensione appplicata.
Figura 2.3: Andamento di 1/Cdep a
3.3
Applicando alla giunzione una tensione esterna Va tale da determinare una corrente per la quale la
caduta di potenziale sulle due regioni neutre sia trascurabile, la (2.7) diviene
1
Vbi − Va = − xd (Va ) E(0)|Va (2.9)
2
dove s
2
xd (Va ) = (Vbi − Va ) (2.10)
qNeq
Sostituendo la (2.10) nella (2.9) e tenendo conto che E(0)|Va = 2 E(0)|eq si trova
s
1 2
Vbi − Va = − (Vbi − Va )2 E(0)|eq (2.11)
2 qNeq
dalla quale
2
Va = Vbi − E 2 (0) eq
= −2.22 V (2.12)
qNeq
3.4
La capacità di svuotamento è data da
s
qNeq
Cdep (Va ) = A =A (2.13)
2(Vbi − Va ) xd (Va )
per cui
Cdep (0) = 305.6 pF Cdep (−2.22 V) = 152.8 pF (2.14)
20
3.5
Dalla (2.13) si ottiene
1 2(Vbi − Va )
2 = (2.15)
Cdep (Va ) qA2 Neq
per la quale si ha l’andamento mostrato nella Figura 2.3.
3.6
Il circuito da studiare è un risonatore LC parallelo privo di perdite (infatti le componenti resistive
sono nulle), nel quale
1
f0 = q (2.16)
2π LCdep (Va )0
dalla quale
1
Cdep (Va0 ) = = 262.7 pF (2.17)
4π 2 f02 L
Tenendo conto che Cdep (Va0 ) = A/xd (Va0 ) e della (2.10) si ottiene
s
2
xd (Va0 ) = A 0 = (Vbi − Va0 ) (2.18)
Cdep (Va ) qNeq
dalla quale 2
qNeq A
Va0 = Vbi − = −0.26 V (2.19)
2 Cdep (Va0 )
3.7
La soluzione di questo punto viene lasciata allo studente. Si riportano, per confronto, i valori numerici
dei risultati:
qΦSp = 4.978 eV qΦSn = 4.2 eV Vbi = 0.778 V (2.20)

Neq = 1.667 × 1016 cm−3 xd0 = 245.8 nm xp0 = 204.8 nm xn0 = 41 nm (2.21)
Φp0 = 0.648 V Φn0 = 0.13 V (2.22)
E(0)|eq = −6.33 × 104 V/cm Va = −2.33 V (2.23)
Cdep (0) = 421.45 pF Cdep (Va ) = 210.725 pF (2.24)
3.8
Nella giunzione lineare con regione svuotata completamente compresa nella regione dove il drogaggio
cambia linearmente con la posizione, la distribuzione di carica all’equilibrio termodinamico assume
la forma illustrata in Figura 2.4 (a sinistra).
Chiaramente la regione svuotata deve avere un andamento simmetrico rispetto a x = 0, come
segue dalla condizione di neutralità
1 1 xd0
qax2p0 = qax2n0 =⇒ xp0 = xn0 = (2.25)
2 2 2
Il profilo di campo elettrico deve soddisfare
dE qax
= (2.26)
dx
21
r E j
x xp0=-xd0/2 xn0=xd0/2
qa
xp0=-xd0/2 xp0=-xd0/2
x
xn0=xd0/2 x xn0=xd0/2 x
Figura 2.4: Densità di carica nella regione svuotata (a sinistra), campo elettrico (al centro) e potenziale
elettrostatico (a destra) in una giunzione lineare assumendo che la regione svuotata stessa sia
completamente compresa entro la regione dove il drogaggio varia linearmente con la posizione.
per cui
qax2
E(x) = +c (2.27)

dove la costante c si determina dalla condizione al contorno
qax2d0 qax2d0
E(−xd0 /2) = 0 = + c =⇒ c = − (2.28)
8 8
In altri termini, nella regione svuotata −xd0 /2 ≤ x ≤ xd0 /2 (Figura 2.4 (al centro))
x2d0

qa 2
E(x) = x − (2.29)
2 4
Infine, dalla definizione dϕ/dx = −E(x) si ricava
qa x3 x2d0

ϕ(x) = − − x +k (2.30)
2 3 4
Scegliendo lo zero del potenziale nell’origine, si ricava k = 0 e la curva di Figura 2.4 (a destra).
Pertanto all’equilibrio termodinamico
qa x3d0
Vbi = ϕ(xd0 /2) − ϕ(−xd0 /2) = (2.31)
12
dove si può stimare la tensione di built in usando la relazione ricavata per la giunzione brusca, facendo
uso dell’ipotesi di completo svuotamento:
" #
(axd0 /2)2

axd0
Vbi = VT ln = 2VT ln (2.32)
n2i 2ni
In altri termini, xd0 deve risolvere l’equazione algebrica trascendente
qa x3d0

axd0
f1 (xd0 ) = 2VT ln = f2 (xd0 ) = (2.33)
2ni 12
che non ammette soluzione analitica. Tracciando i grafici delle due funzioni f1 (xd0 ) e f2 (xd0 ) si
trovano gli andamenti mostrati nella Figura 2.5: come si nota, esistono due soluzioni a tale equazione,
una delle quali molto vicina a xd0 = 0. In questa condizioni limite, la nostra trattazione perde di
significato in quanto si basa sull’ipotesi di completo svuotamento, che assume una transizione brusca
tra la regione completamente svuotata e quella neutra. Questo ha senso solo se si trascura la regione
di transizione, e quest’ultima condizione, ovviamente, cessa di valere per ampiezze complessive della
regione di svuotamento prossime a zero. Pertanto, l’unica soluzione coerente con le ipotesi alla base
della trattazione è quella lontana da xd0 = 0: una soluzione numerica della (2.33) consente di stimare
xd0 = 796.84 nm.
22
f2(xd0)
f1(xd0)
796.84 nm xd0
Figura 2.5: Andamento delle due funzioni ausiliarie f1 (xd0 ) e f2 (xd0 ).
Pertanto
xd0
xn0 = xp0 = = 398.42 nm < min{|x1 |,x2 } = 1 µm (2.34)
2
dimostrando che la regione svuotata è compresa nella zona lineare del profilo di drogaggio. Infine
qa x3d0
Vbi = = 0.651 V (2.35)
12
2.2 Esercizio 4
Si consideri nuovamente la giunzione brusca dell’Esercizio 3, caratterizzata dai seguenti parametri:
NA = 1016 cm−3 ND = 5 × 1016 cm−3 wn = wp = 1 mm A = 1 mm2
µnn = 1150 cm2 V−1 s−1 µnp = 1250 cm2 V−1 s−1 τnp = 500 ns
µpp = 350 cm2 V−1 s−1 µpn = 300 cm2 V−1 s−1 τpn = 300 ns
per la quale si sono ricavati
Vbi = 0.74 V xd0 = 339 nm xn0 = 56.5 nm xp0 = 282.5 nm
Si richiede di:
1. tracciarne il diagramma a bande dettagliato per Va = 0.6 V, inclusi i quasi-livelli di Fermi;
2. determinare, per la stessa polarizzazione, p0n (x) per x ≥ xn e n0p (x) per x ≤ −xp ;
3. determinare i flussi di particelle (in particelle/s) ai bordi della regione svuotata Φ(el) (−xp ) e
Φ(lac) (xn );
4. dopo aver stimato il campo elettrico nelle due regioni neutre (En0 per x ≥ xn e Ep0 per x ≤ −xp ),
tracciare tutte le componenti di corrente nella giunzione;
5. valutare Rpn e Rpp , e stimarne l’effetto sulla caratteristica statica;
6. determinare il modello di ampio segnale della giunzione;
7. determinare il modello di piccolo segnale della giunzione attorno a Va = 0.6 V;
8. determinare i(t) come risposta a va (t) = Va +Va,ss sin(ωt), dove Va,ss = 50 mV e ω = 2π 10 rad/s;
9. ripetere i punti da 1 a 7 per Va = −1 V;
10. ripetere i punti da 1 a 9 per wn = wp = 50 µm.
23
q(Vbi-Va)
E0
qc
kBT ln(NC/ND)=164.5 meV
Ec
EFp EFn
EFi
kBT ln(NV/NA)=180.6 meV qVa Ev
-xp 0 xn x
Figura 2.6: Diagramma a bande dettagliato della giunzione brusca in polarizzazione diretta.
Soluzione
4.1
In polarizzazione diretta Va = 0.6 V si ha
s s s
2 2 Va Va
xd = (Vbi − Va ) = Vbi 1 − = xd0 1− = 147.45 nm (2.36)
qNeq qNeq Vbi Vbi
e quindi s s

Va Va
xp = xp0 1− = 122.87 nm xn = xn0 1− = 24.58 nm (2.37)
Vbi Vbi
Nelle due regioni neutre, i due quasi-livelli dei portatori maggioritari sono alla stessa distanza dalla
corrispondente banda come accade in equilibrio termodinamico, essendo valida l’approssimazione di
basso livello di iniezione per la quale nn (x ≥ xn ) = ND e pp (x ≤ −xp ) = NA . I due quasi-livelli
di Fermi sono approssimativamente costanti nella regione svuotata secondo il ragionamento svolto a
teoria, e poi ricadono in un certo intervallo di valori di x sul quasi-livello di Fermi dei maggioritari
in corrispondenza all’annullarsi dell’eccesso dei portatori minoritari. In definitiva, quindi, si ha
l’andamento riportato nella Figura 2.6.
4.2
Per le leggi della giunzione, ai bordi della regione svuotata si ha iniezione di portatori minoritari:
n2i

0 Va
pn (xn ) = exp − 1 = 4.42 × 1013 cm−3 (2.38)
ND VT
n2i

0 Va
np (−xp ) = exp − 1 = 2.21 × 1014 cm−3 (2.39)
NA VT
Essendo p p
Lp = VT µpn τpn = 15.3 µm wn Ln = VT µnp τnp = 40.31 µm wp (2.40)
i due lati sono lunghi, e quindi l’eccesso di portatori minoritari si riassorbe esponenzialmente allon-
tanandosi dal punto di iniezione:

0 0 x − xn
pn (x) = pn (xn ) exp − x ≥ xn (2.41)
Lp

0 0 x + xp
np (x) = np (−xp ) exp x ≤ −xp (2.42)
Ln
24
n’p(x)
p’n(x)
-xp xn x
Figura 2.7: Andamento delle concentrazioni in eccesso di portatori minoritari in polarizzazione diretta per
lati lunghi rispetto alle lunghezze di diffusione dei portatori minoritari stessi.
I relativi grafici sono riportati nella Figura 2.7.
4.3
I due flussi possono essere stimati a partire dalle corrispondenti correnti di portatori minoritari:
Ip,diff (xn ) = qAΦ(lac) (xn ) In,diff (−xp ) = −qAΦ(el) (−xp ) (2.43)
dove
dp0n Dp 0
Ip,diff (xn ) = −qADp = qA pn (xn ) = 3.604 × 10−4 A = 0.3604 mA (2.44)
dx xn Lp
dn0p Dn 0
In,diff (−xp ) = qADn = qA n (−xp ) = 2.85 mA (2.45)
dx −xp Ln p
essendo Dp = VT µpn e Dn = VT µnp . Infine:
Ip,diff (xn ) In,diff (−xp )

Φ(lac) (xn ) = = 2.253 × 1017 cm−2 s−1 Φ(el) (−xp ) = = −1.782 × 1016 cm−2 s−1
qA −qA
(2.46)
4.4
Grazie alle (2.44)-(2.45) possiamo valutare la corrente totale nella giunzione per Va = 0.6 V:
I = Ip,diff (xn ) + In,diff (−xp ) = 3.21 mA (2.47)
in modo da ottenere il grafico delle correnti riportato nella Figura 2.8.

La valutazione del campo elettrico nelle due regioni neutre può essere effettuata nel modo
seguente:
1. si sceglie un punto x1 (si veda la Figura 2.8) dove Ip,diff (x1 ) ≈ 0, dove quindi possiamo assumere
che l’intera corrente I sia dovuta al trascinamento dei portatori maggioritari in basso livello di
iniezione. Pertanto:
I = In,drift (x1 ) = qAnn0 µnn En0 = qAND µnn En0 (2.48)
dalla quale
I
En0 = = 0.035 V/cm (2.49)
qAND µnn
25
I
Ip(x) In(x)
Ip(1) (x) In(2) (x)

Ip(2) (x) In(1) (x)
In,diff(x) Ip,diff(x)
x2 -xp xn x1 x
Figura 2.8: Andamento delle componenti di corrente nella giunzione pn in polarizzazione diretta.
2. si sceglie un punto x2 (si veda la Figura 2.8) dove In,diff (x2 ) ≈ 0, dove quindi possiamo assumere
che l’intera corrente I sia dovuta al trascinamento dei portatori maggioritari in basso livello di
iniezione. Pertanto:
I = Ip,drift (x2 ) = qApp0 µpp Ep0 = qANA µpp Ep0 (2.50)
dalla quale
I
Ep0 = = 0.573 V/cm (2.51)
qANA µpp
4.5
Si stima la resistenza parassita per eccesso, trascurando l’ampiezza della regione svuotata rispetto
alla lunghezza fisica dei due lati:
1 w p − xp 1 wp
Rpp = ≈ = 17.86 Ω (2.52)
qNA µpp A qNA µpp A
1 w n − xn 1 wn
Rpn = ≈ = 1.09 Ω (2.53)
qND µnn A qND µnn A
Rp = Rpp + Rpn = 18.95 Ω (2.54)
L’effetto della Rp sulla caratteristica si basa sul fatto che la quota di tensione applicata che
effettivamente arriva alla giunzione pn risulta essere Va − Rp I, per cui la corrente diviene

Va − Rp I
I = I0 exp −1 (2.55)
VT
ovvero
I + I0
Va = VT ln + Rp I (2.56)
I0
dove la corrente di saturazione inversa vale
Dn n2i Dp n2i

I0 = qA + = 3.055 × 10−13 A (2.57)
Ln NA Lp ND
In altri termini, per valori elevati di I il primo addendo a destra della (2.56) diviene trascurabile
rispetto al secondo, ottenendo
Va ≈ Rp I per I grande (2.58)
ovvero, per corrente elevata l’effetto raddrizzante della giunzione viene mascherato dalla resistenza
parassita, che diviene il comportamento elettrico dominante della giunzione pn (Figura 2.9).
Nel caso della giunzione che stiamo studiando, si ottiene che per (si veda la Figura 2.9 per una
interpretazione grafica)
26
I
I0[exp(Va/VT)-1]
~Va/Rp
I=3.21 mA
I’’
Va’=0.66 V
Va’’Va=0.6 V Va
Figura 2.9: Caratteristica statica ideale e in presenza di una resistenza parassita Rp .
• I = 3.21 mA, si ha dalla (2.56)

I + I0
Va0 = VT ln + Rp I = 0.6 V + Rp I = 0.66 V (2.59)
I0
• Va = 0.6 V la corrente I 00 nella giunzione deve soddisfare l’equazione trascendente
Va − Rp I 00

00
I = I0 exp −1 (2.60)
VT
che, risolta numericamente, restituisce il valore I 00 = 1.27 mA. Si noti che, sulla caratteristica
ideale, a questo valore di corrente corrisponde una tensione Va00 pari a
00
00 I + I0
Va = VT ln = Va − Rp I 00 = 0.576 V (2.61)
I0
4.6
La forma generale del modello di ampio segnale della giunzione pn, incluso l’effetto della resistenza
parassita, è quella mostrata nella Figura 2.10.
Coerentemente con il punto precedente, le resistenze parassite sono assunte costanti (ovvero,
indipendenti dalla tensione applicata), mentre I0 = 3.055 × 10−13 A. Infine, per i termini capacitivi
si ha
s s
qNeq 1
Cdep (Va00 ) = A 00 = Cdep (0) (2.62)
2(Vbi − Va ) 1 − Va00 /Vbi
r
qNeq
Cdep (0) = A = 305.5 pF (2.63)
2Vbi
00 00
qAn2i Ln

00 Lp Va Va
Cdiff (Va ) = + exp = Cdiff (0) exp (2.64)
VT NA ND VT VT
qAn2i Ln

Lp
Cdiff (0) = + = 5.61 × 10−18 F (2.65)
VT NA ND
27
Va
Rpp I0[exp(V’’a/VT)-1] Rpn
Cdep(V’’a)
Cdiff(V’’a)
V’’a
Figura 2.10: Modello dinamico di ampio segnale della giunzione pn.
va,SS
Rpp gd,OP Rpn
iSS
Cdep,OP
Cdiff,OP
v’’a,SS
Figura 2.11: Modello dinamico di piccolo segnale, o per le variazioni, della giunzione pn in polarizzazione
diretta.
4.7
Il modello per le variazioni del diodo attorno ad un punto di lavoro statico (punto di funzionamento a
riposo) Va viene ottenuto linearizzando il modello di ampio segnale intorno a tale valore, e quindi ha
la stessa topologia circuitale (Figura 2.11). Si noti che se si applica Va all’intero dispositivo (inclusa
la resistenza parassita), la tensione che controlla il valore dei parametri di piccolo segnale è la Va00
28
calcolata in precedenza, e la corrente nel diodo ha il valore I 00 . Il valore dei parametri è quindi:
∂idc I 00 + I0 1
gd,OP = = = 48.8 mS = (2.66)
∂va Va00 VT 20.47 Ω
s
1
Cdep,OP = Cdep (0) = 648.94 pF (2.67)
1 − Va00 /Vbi
00
Va
Cdiff,OP = Cdiff (0) exp = 23.45 nF (2.68)
VT
4.8
Essendo Va,SS Va00 , si può utilizzare l’approssimazione di piccolo segnale che si basa sul circuito per
le variazioni di Figura 2.11, dove si pone:
Ceq = Cdep,OP + Cdiff,OP ≈ Cdiff,OP (2.69)
Per la corrente si usa la decomposizione
i(t) = I 00 + iSS (t) (2.70)
dove iSS (t) è la variazione di corrente legata alla variazione di tensione applicata va,SS (t) attraverso
il circuito equivalente per le variazioni di Figura 2.11. Pertanto, passando al dominio fasoriale, si ha
ĩSS = Ỹ ṽa,SS (2.71)
dove
1 1
Z̃ =
= Rp + (2.72)
Ỹ gd,OP + jωCeq
La costante di tempo associata alla ammettenza equivalente della giunzione si può stimare dal
prodotto di Ceq e della resistenza equivalente che si vede ai capi di questa, ottenendo

1 1
τ = Ceq Rp || = 230.76 ns =⇒ = 4.33 × 106 rad/s ω (2.73)
gd,OP τ
Visto che wτ 1 alla frequenza di lavoro, possiamo assumere trascurabili gli effetti capacitivi e
approssimare
1
Ỹ ≈ (2.74)
1
Rp +
gd,OP
per cui
va,SS (t) Va,SS
iSS (t) ≈ = sin(ωt) = 1.26 sin(ωt) mA (2.75)
1 1
Rp + Rp +
gd,OP gd,OP
Si noti che la corrente totale i(t) deriva dalla (2.70), dove I 00 = 1.27 mA. Pertanto, i(t) varia da un
minimo di 0.01 mA ad un valore massimo di 2.53 mA, mentre la tensione applicata va (t) varia tra
0.55 V e 0.65 V giustificando cosı̀ l’uso dell’approssimazione di piccolo segnale.
29
q(Vbi-Va)
qc E0
Ec
kBT ln(NC/ND)=164.5 meV
EFp
EFn
kBT ln(NV/NA)=180.6 meV EFi
q|Va| Ev
-xp 0 xn x
Figura 2.12: Diagramma a bande dettagliato della giunzione brusca in polarizzazione inversa.
-xp xn x
n’p(x) p’n(x)
Figura 2.13: Andamento delle concentrazioni in eccesso di portatori minoritari in polarizzazione inversa per
lati lunghi rispetto alle lunghezze di diffusione dei portatori minoritari stessi.
4.9
Passando alla polarizzazione inversa Va = −1 V, il diagramma a bande si modifica come indicato
nella Figura 2.12, dove l’ampiezza della regione svuotata diviene
s
Va
xd = xd0 1− = 519.83 nm (2.76)
Vbi
s s
Va Va
xp = xp0 1− = 433.19 nm xn = xn0 1− = 86.64 nm (2.77)
Vbi Vbi
Gli eccessi di carica sono determinati dalla legge della giunzione
n2i

0 Va
pn (xn ) = exp − 1 = −4205 cm−3 (2.78)
ND VT
n2i

0 Va
np (−xp ) = exp − 1 = −2.1 × 104 cm−3 (2.79)
NA VT
e i relativi andamenti nelle due regioni neutre (Figura 2.13) sono sempre caratterizzati dalle relazioni
(2.41) e (2.42).
Le componenti di diffusione delle correnti di portatori minoritari valutate ai bordi della regione
svuotata valgono
Dp 0
Ip,diff (xn ) = qA p (xn ) = −3.43 × 10−14 A (2.80)
Lp n
Dn 0
In,diff (−xp ) = qA n (−xp ) = −2.712 × 10−13 A (2.81)
Ln p
30
-xp xn x
In,diff(x) Ip,diff(x)
Ip(1) (x) In(2) (x)
Ip(2) (x) In(1) (x)
Ip(x) In(x)
I=-I0
Figura 2.14: Andamento delle componenti di corrente nella giunzione pn in polarizzazione inversa.
va,SS
Rpp Rpn
iSS
Cdep,OP
v’’a,SS
Figura 2.15: Modello dinamico di piccolo segnale, o per le variazioni, della giunzione pn in polarizzazione
inversa.
in modo da determinare I = −I0 = −3.055 × 10−13 A. I flussi di particelle, invece, valgono
Ip,diff (xn ) In,diff (−xp )

Φ(lac) (xn ) = = −2.14 × 107 cm−2 s−1 Φ(el) (−xp ) = = 1.695 × 108 cm−2 s−1
qA −qA
(2.82)
La caduta di potenziale sulle regioni neutre per questa polarizzazione vale Rp I = −Rp I0 =
−5.79 × 10−12 V, quindi completamente trascurabile rispetto alla tensione applicata pare a −1 V.
In definitiva, i campi elettrici nelle regioni neutre sono completamente trascurabili, e il grafico delle
componenti di corrente ha l’andamento mostrato in Figura 2.14.
Per quanto riguarda il modello per le variazioni intorno al punto di lavoro di polarizzazione
inversa, i parametri di piccolo segnale valgono
I 00 + I0 1
gd,OP = =0S= (2.83)
VT ∞Ω
s
1
Cdep,OP = Cdep (0) = 199.23 pF (2.84)
1 − Va00 /Vbi
00
Va
Cdiff,OP = Cdiff (0) exp = 10−34 F ≈ 0 (2.85)
VT
per cui il circuito per le variazioni si semplifica come nella Figura 2.15.
Infine, la valutazione della corrente in condizioni di piccolo segnale conduce a iSS (t) ≈ 0, in quanto
la costante di tempo del circuito per le variazioni è pari a Cdep,OP Rp = 3.77 ns, ovvero una pulsazione
caratteristica pari a 2.65 × 108 rad/s ω, che rende il comportamento della capacità assimilabile
ad un circuito aperto alla frequenza di lavoro. In altri termini, si ha i(t) ≈ I 00 = 1.27 mA.
31
4.10
Nel caso wn = wp = 50 µm, i due lati non sono più lunghi rispetto alla relativa lunghezza di diffusione
dei portatori minoritari, pertanto occorre calcolare le distribuzioni di minoritari in eccesso tenendo
conto della soluzione generale, delle due costanti arbitrarie e delle due condizioni al contorno:
• per n0p (x) (−wp ≤ x ≤ −xp ) si ha la soluzione generale:

x x
n0p (x) = A exp + B exp − (2.86)
Ln Ln
con condizioni al contorno
n0p (−wp ) = 0 = A exp − wp + B exp wp


Ln Ln (2.87)
x
n0 (−x ) = A exp − p + B exp xp

p p
Ln Ln
da cui

wp
exp
n0p (−xp ) Ln
A= (2.88)
2 w p − xp
sinh
Ln

wp
exp −
n0p (−xp ) Ln
B=− (2.89)
2 w p − xp
sinh
Ln
Sostituendo nella soluzione generale si trova

wp + x
sinh
0 0 Ln
np (x) = np (−xp ) (2.90)
wp − xp
sinh
Ln
per cui

wp + x
cosh
∂n0p Dn 0 Ln
In,diff (x) = qADn = qA np (−xp ) (2.91)
∂x Ln w p − xp
sinh
Ln

Dn w p − xp
In,diff (−xp ) = qA n0p (−xp ) coth
Ln Ln
Dn n2i

Va w p − xp
= qA exp − 1 coth (2.92)
Ln NA VT Ln
• per p0n (x) (xn ≤ x ≤ wn ) si ha la soluzione generale:

0 x x
pn (x) = C exp + D exp − (2.93)
Lp Lp
32
In,diff(x)
n’p(x) p’n(x) Ip,diff(x)
-wp -xp xn wn x -wp -xp xn wn x
Figura 2.16: Andamento della concentrazione in eccesso di portatori minoritari (a sinistra) e delle
corrispondenti correnti di diffusione (a destra) in una giunzione pn in polarizzazione diretta
con lati né lunghi né corti.
con condizioni al contorno


0 w n w
+ D exp − L n
pn (wn ) = 0 = C exp L


p p (2.94)
x x
p0n (xn ) = C exp Ln + D exp − Ln


p p
da cui

wn
exp −
p0n (xn ) Lp
C=− (2.95)
2 w n − xn
sinh
Lp

wn
0 exp
p (xn ) Lp
D= n (2.96)
2 w n − xn
sinh
Lp
Sostituendo nella soluzione generale si trova

wn − x
sinh
0 0 Lp
pn (x) = pn (xn ) (2.97)
wn − xn
sinh
Lp
per cui

wn − x
cosh
∂p0n Dp 0 Lp
Ip,diff (x) = −qADp = qA pn (xn ) (2.98)
∂x Lp w n − xn
sinh
Lp

Dp w n − xn
Ip,diff (xn ) = qA p0n (xn ) coth
Lp Lp
Dp n2i

Va w n − xn
= qA exp − 1 coth (2.99)
Lp ND VT Lp
Gli andamenti qualitativi delle concentrazioni in eccesso e delle corrispondenti correnti di diffu-
sione sono riportati nella Figura 2.16 per il caso della polarizzazione diretta. Si noti come le correnti
non si annullino al contatto ohmico.
33
I
Ip(x)
In(x)
Ip(1) (x) In(2) (x)

Ip(2) (x) In(1) (x)
Ip,diff(x)
In,diff(x)
-xp xn x
Figura 2.17: Andamento delle componenti di corrente in una giunzione pn in polarizzazione diretta con lati
né lunghi né corti.
Nell’ambito delle ipotesi della teoria diffusiva di Shockley (in particolare, assumendo trascurabile
la generazione-ricombinazione nella regione svuotata), possiamo stimare la caratteristica statica come

Va
I = In,diff (−xp ) + Ip,diff (xn ) = I0 exp −1 (2.100)
VT
dove
Dn n2i Dp n2i

wp − x p w n − xn
I0 = qA coth + coth (2.101)
Ln NA Ln Lp ND Lp
Il grafico delle correnti, sempre in polarizzazione diretta, è rappresentato nella Figura 2.17.
Si noti che le diverse espressioni delle concentrazione di carica minoritaria iniettata influenzano
anche la forma della capacità di diffusione nel modello di ampio e di piccolo segnale. In particolare,
si ha

wp + x
Z −xp Z −xp sinh
0 0 0 Ln
Qn (Va ) = −qA np (x) dx = −qA np (−xp ) dx
−wp −wp w p − xp
sinh
Ln
−xp
wp + x
cosh
0 Ln
= −qALn np (−xp )
w p − xp
sinh
Ln −wp

wp − xp
cosh −1
n2i

Va Ln
= −qALn exp −1 (2.102)
NA VT w p − xp
sinh
Ln

wn − x
Z wn Z wn sinh
0 0 0 Lp
Qp (Va ) = qA pn (x) dx = qA pn (xn ) dx
xn xn w n − xn
sinh
Lp
wn
wn − x
cosh
0 Lp
= −qALp pn (xn )
w n − xn
sinh
Lp xn
34

wn − xn
cosh −1
n2i

Va Lp
= qALp exp −1 (2.103)
ND VT wn − xn
sinh
Lp
per cui (trascurando le ampiezze xn e xp nelle funzioni iperboliche) si ottiene
∂Q0p ∂Q0n
Cdiff (Va ) = −
∂Va ∂Va

wn wp
 
cosh −1 cosh − 1
2  Lp Lp Ln Ln Va

≈ qAni  +  exp
 −1 (2.104)
ND wn NA wp VT
sinh sinh
Lp Ln
35
3
Il transistore bipolare a giunzione
3.1 Esercizio 5
Si consideri un transistore bipolare npn caratterizzato dai livelli di drogaggio:
NDE = 1018 cm−3 NAB = 1017 cm−3 NDC = 1016 cm−3
da una sezione trasversale costante A = 1 mm2 , da una base lunga wB = 300 nm, e da un emettitore
lungo wE = 500 nm. Inoltre si assumono i parametri per i portatori minoritari
µpE = 200 cm2 V−1 s−1 µnB = 1000 cm2 V−1 s−1 µpC = 300 cm2 V−1 s−1
τpE = 500 ns τnB = 100 ns τpC = 650 ns
Si richiede di:
1. tracciare il diagramma a bande di equilibrio termodinamico;
2. valutare la lunghezza della regione neutra di base wB0 per VBE = 0.6 V e VCE = 1.5 V;
3. valutare γF , αT e βF ;
4. valutare i parametri del modello di piccolo segnale statico (ovvero, trascurando gli effetti
capacitivi) nel punto di funzionamento a riposo VBE = 0.6 V e VCE = 1.5 V.
Soluzione
5.1
Il diagramma a bande di equilibrio termodinamico ha l’andamento mostrato nella Figura 3.1. Le due
tensioni di built-in valgono

NDE NAB NDC NAB
Vbi,BE = VT ln = 0.88 V Vbi,BC = VT ln = 0.76 V (3.1)
n2i n2i
mentre per i drogaggi equivalenti si ha
Neq,BE = NDE ||NAB = 9.1 × 1016 cm−3 Neq,BC = NDC ||NAB = 9.1 × 1015 cm−3 (3.2)
Pertanto, si possono stimare le ampiezze delle due regioni svuotate

s s
2Vbi,BE 2Vbi,BC
xd0,BE = = 112 nm xd0,BC = = 329 nm (3.3)
qNeq,BE qNeq,BC
36
qVbi,BC
qVbi,BE
E0
qc
kBT ln(NC/NDE) kBT ln(NC/NDC)
Ec EF
EFi
Ev
kBT ln(NV/NAB)
w’B
-xn0,BE 0 xp0,BE wB x
xd0,BE xd0,BC
Figura 3.1: Diagramma a bande di equilibrio termodinamico del transistore bipolare npn.
5.2
Nelle condizioni di polarizzazione indicate si ha
VBE = 0.6 V VBC = VBE − VCE = −0.9 V (3.4)
e quindi il transistore bipolare si trova in regione attiva diretta. Inoltre, le due ampiezze delle regioni
svuotate divengono
s s
2(Vbi,BE − VBE ) 2(Vbi,BC − VBC )
xd,BE = = 63 nm xd,BC = = 486 nm (3.5)
qNeq,BE qNeq,BC
e in particolare si valutano:
NDE NDC
xp,BE = xd,BE = 57.27 nm xp,BC = xd,BC = 44.18 nm (3.6)
NDE + NAB NDC + NAB
pertanto l’ampiezza della regione neutra di base vale
wB0 = wB − (xp,BE + xp,BC ) = 198.55 nm (3.7)
5.3
La valutazione dei parametri del transistore bipolare richiede la conoscenza delle correnti di diffusione
di portatori minoritari nell’emettitore e nella base, infatti (si fa riferimento alla geometria dell’asse
x definita nella Figura 3.1)
In,diff (xp,BE ) 1
γF = = (3.8)
In,diff (xp,BE ) + Ip,diff (−xn,BE ) Ip,diff (−xn,BE )
1+
In,diff (xp,BE )
In,diff (xp,BE + wB0 )
αT = (3.9)
In,diff (xp,BE )
Per definire la forma della distribuzione di portatori minoritari nell’emettitore, occorre valutare
la corrispondente lunghezza di diffusione:
p
LpE = VT µpE τpE = 16.12 µm wE (3.10)
37
pertanto l’emettitore è da considerarsi corto. Di conseguenza, l’andamento della concentrazione di
lacune iniettate è lineare e vale
n2i

0 0 x + wE 0 VBE
pnE (x) = pn (−xn,BE ) pnE (−xn,BE ) = exp −1 (3.11)
wE − xn,BE NDE VT
dove, essendo xn,BE = 5.73 nm wE , si può assumere wE − xn,BE ≈ wE . Infine
∂p0nE DpE n2i

VBE
Ip,diff (−xn,BE ) = −qADpE = −qA exp −1 (3.12)
∂x −xn,BE wE NDE VT
Nella regione neutra di base, invece, in regione attiva diretta le concentrazioni di elettroni in
eccesso ai bordi sono dettate dalle due leggi della giunzione
n2i n2i n2i

0 VBE 0 0 VBC
npB (xp,BE ) = exp −1 npB (xp,BE + wB ) = exp −1 ≈− (3.13)
NAB VT NAB VT NAB
essendo VBC < 0. L’andamento con x, invece, deve essere valutato sulla base della soluzione generale
dell’equazione di continuità in condizioni statiche e a campo nullo (a meno di non voler assumere una
base corta, ovvero un andamento lineare di n0nB (x), che implica ovviamente αT = 1). Imponendo le
due condizioni al contorno (3.13), si verifica facilmente che (xp,BE ≤ x ≤ xp,BE + wB0 )
0
wB + xp,BE − x x − xp,BE
sinh sinh
LnB L
0 0
nnB (x) = npB (xp,BE ) 0 0 0
+ npB (xp,BE + wB ) nB (3.14)
wB0

wB
sinh sinh
LnB LnB
e tenendo conto del funzionamento in regione attiva diretta, si può approssimare

0 0
wB + xp,BE − x wB + xp,BE − x
sinh sinh
n2i

LnB VBE L
0 0
nnB (x) ≈ npB (xp,BE ) 0 = exp −1 nB
wB0

wB NAB VT
sinh sinh
LnB LnB
(3.15)
Derivando la (3.15) si calcolano le correnti di diffusione di elettroni
0
DnB n2i

VBE wB
In,diff (xp,BE ) = −qA exp − 1 coth (3.16)
LnB NAB VT LnB
DnB n2i

0 VBE 1
In,diff (xp,BE + wB ) = −qA exp −1 0 (3.17)
LnB NAB VT wB
sinh
LnB
Sostituendo le espressioni delle correnti nelle (3.8) e (3.9) si trovano i parametri richiesti
1 1
γF = ≈ = 0.99212 (3.18)
DpE LnB NAB 1 DpE wB0 NAB
1+ 1+
wB0

DnB wE NDE DnB wE NDE
coth
LnB
1
αT = = 0.9999 (3.19)
wB0

cosh
LnB
38
dove si è usata l’approssimazione di base corta, ovvero lo sviluppo asintotico coth−1 (α) ≈ α per
α → 0, e dove
DpE µpE p
= LnB = VT µnB τnB = 16.12 µm (3.20)
DnB µnB
In definitiva si ha
αF
αF = γF αT = 0.99202 βF = = 125.31 (3.21)
1 − αF
5.4
La valutazione del modello statico per le variazioni si basa sulle equazioni di Ebers Moll, che
descrivono un modello statico di ampio segnale:

VBE VBC
IE = a11 exp − 1 + a12 exp −1 (3.22)
VT VT

VBE VBC
IC = a21 exp − 1 + a22 exp −1 (3.23)
VT VT
In regione attiva diretta si ha:
• VBE > 0 per cui

VBE VBE
exp − 1 ≈ exp (3.24)
VT VT
• VBC < 0 per cui
VBC
exp − 1 ≈ −1 (3.25)
VT
Inoltre, i coefficienti a hanno espressioni simili a quelle che abbiamo visto per la corrente di saturazione
inversa di una giunzione pn, per cui con ottima approssimazione possiamo assumere

VBE VBE
|a11 | exp |a12 | |a21 | exp |a22 | (3.26)
VT VT
Pertanto, approssimiamo le equazioni di Ebers Moll in regione attiva diretta con

VBE
IE ≈ a11 exp (3.27)
VT

VBE
IC ≈ a21 exp (3.28)
VT
dalle quali si ricava

VBE
IB = −IE − IC = aBB exp aBB = −a11 − a21 (3.29)
VT
Nella configurazione a emettitore comune si usano come:
• porta di ingresso la coppia B-E, definita dalla caratteristica di ingresso

VBE
IB = aBB exp (3.30)
VT
39
• porta di uscita la coppia C-E, con tensione VCE = VBE − VBC . La caratteristica di uscita è
quindi indipendente da VCE (nell’ambito dell’approssimazione (3.28))

VBE
IC = a21 exp (3.31)
VT
Si noti che da (3.30) e (3.31) si ottiene

a21
βF = (3.32)
aBB
Applicando al sistema (3.30)-(3.31) la decomposizione di piccolo segnale e l’ipotesi di piccole
variazioni dovute alle perturbazioni delle tensioni VBE e VCE , si ha

VBE,OP + vBE,SS (t)
iB = IB,OP + iB,SS (t) = aBB exp
VT

VBE,OP aBB VBE,OP
≈ aBB exp + exp vBE,SS (t)
VT VT VT
= IB,OP + gB vBE,SS (t) (3.33)

VBE,OP + vBE,SS (t)
iC = IC,OP + iC,SS (t) = a21 exp
VT

VBE,OP a21 VBE,OP
≈ a21 exp + exp vBE,SS (t)
VT VT VT
= IC,OP + gm vBE,SS (t) (3.34)
ovvero
iB,SS (t) = gB vBE,SS (t) (3.35)

iC,SS (t) = gm vBE,SS (t) (3.36)
dove si sono definiti i parametri differenziali (in regione attiva diretta):
• conduttanza (resistenza) di ingresso

1 aBB VBE,OP IB,OP
gB = = exp = (3.37)
rB VT VT VT
• transconduttanza
a21 VBE,OP IC,OP
gm = exp = (3.38)
VT VT VT
Il circuito equivalente per le variazioni che corrisponde alle (3.35)-(3.36) è mostrato nella Figura 3.2.
40
iB,SS rB
B C iC,SS
vBE,SS gmvBE,SS vCE,SS
E
Figura 3.2: Circuito equivalente per le variazioni di un transistore bipolare npn in regione attiva diretta.
41
4
Il transistore MOSFET
4.1 Esercizio 6
Si consideri un transistore MOSFET su substrato drogato p caratterizzato da
NA = 1017 cm−3 L = 1 µm W = 5 µm tox = 20 nm µn = 450 cm2 V−1 s−1
e da un Gate costituito da polisilicio drogato n+ .
G in poly n+
S D
-tox
0 + + z
n n W
Substrato p
x
0
0 L y
Si richiede di:
1. tracciare il diagramma a bande di equilibrio termodinamico del sistema MOS;
2. determinare Vth,n ;
3. calcolare, per VGS,OP = 2Vth,n e VDS,OP = VGS,OP , la corrente di drain ID,OP ;
4. tracciare la transcaratteristica nelle condizioni del punto precedente;
5. calcolare ES0 nelle condizioni del punto precedente;
6. determinare il circuito equivalente per le variazioni statico nelle condizioni del punto precedente;
7. tracciare le caratteristiche di uscita.
Soluzione
6.1
Il diagramma a bande ha la forma riportata nella Figura 4.1. Si noti che il materiale del gate, essendo
Si policristallino estremamente drogato di tipo n, viene assunto equivalente ad un campione di Si n
degenere, per cui si approssima qΦM = qχ. Il lavoro di estrazione del substrato, invece, vale:
Eg
qΦSp = qχ + + qΦp = 5.02 eV (4.1)
2
42
qFox0 qFs0
qVbi E0
qFSp qcS
qFM Ec
EFi
EF
Ev
qFp=kBT ln(NA/ni)
-tox 0 xd0 x
Figura 4.1: Diagramma a bande di equilibrio termodinamico del sistema MOS.
essendo
NA
qΦp = kB T ln = 0.41 eV (4.2)
ni
Il potenziale di built in e la tensione di banda piatta valgono quindi
Vbi = ΦSp − ΦM = 0.97 V VFB = −Vbi = −0.97 V (4.3)
Dopo aver definito la capacità dell’ossido Cox = ox /tox = 1.726×10−7 F/cm2 , si ricava l’ampiezza
della regione svuotata dalla relazione ricavata a lezione:
s 2
S S 2S
xd0 = − + + Vbi = 67.1 nm (4.4)
Cox Cox qNA
per cui
qNA 2
Φs0 = x = 0.35 V Φox = Vbi − Φs0 = 0.62 V (4.5)
2S d0
6.2
La tensione di soglia vale p
Vth,n = VFB + 2Φp + γB 2Φp = 0.8 V (4.6)
essendo p
2qS NA
γB = = 1.055 V1/2 (4.7)
Cox
6.3
Il punto di lavoro è definito dalle condizioni VGS,OP = 2Vth,n (che garantisce che il MOSFET sia in
conduzione) e VDS,OP = VGS,OP . Poiché Vth,n > 0, vale certamente:
VDS,OP = 2Vth,n > VGS,OP − Vth,n = Vth,n (4.8)
e quindi il transistore lavora in regione di saturazione:

1 W
ID,OP = µn Cox (VGS,OP − Vth,n )2 = 124 µA (4.9)
2 L
Le varie regioni di funzionamento in funzione del valore delle tensioni applicate sono rappresentate
nella Figura 4.2.
43
VDS
off on
,n
=V VGS
th
S-
V
S=
G
D
V
S
D
V
ne
a
io
tic
az
a
dr
r
tu
a
sa
qu
Vth,n 2Vth,n VGS
Figura 4.2: Regioni di funzionamento del MOSFET nel piano delle tensioni applicate.
ID
Vth,n VGS
Figura 4.3: Transcaratteristica in saturazione del transistore MOSFET.
6.4
Nelle condizioni VDS = VGS , quando il MOSFET è in conduzione, si trova in regione da saturazione
(Figura 4.2) e quindi la transcaratteristica ha la forma quadratica (Figura 4.3)
1 W
ID = µn Cox (VGS − Vth,n )2 (4.10)
2 L
6.5
Nelle condizioni di polarizzazione considerate, il sistema MOS si trova in forte inversione, per cui
Φs ≈ 2Φp (4.11)
e quindi
VGS − VFB = Φs + Φox =⇒ Φox = VGS − VFB − 2Φp = 1.75 V (4.12)
Il campo elettrico nell’ossido vale

Φox
Eox = = 8.75 × 105 V/cm (4.13)
tox
per cui dalla condizione al contorno ox Eox = S ES0 si ricava
ox
ES0 = E(0+ ) = Eox = 2.92 × 105 V/cm (4.14)
S
Per confronto, si stima lo stesso campo elettrico integrando la distribuzione di carica nella regione
svuotata, secondo la quale
r r
qNA qNA 2S 2qNA
ES0 = xd,OP = 2Φp = 2Φp = 1.59 × 105 V/cm (4.15)
S S qNA S
44
Eox E
contributo
degli elettroni
ES0
xd,OP x
Figura 4.4: Profilo di campo elettrico nel sistema MOS in forte inversione.
ID iG,SS G D iD,SS
ID,OP VGS,OP
vGS,SS gmvGS,SS vDS,SS
VDSS,OP=Vth,n VDS,OP VDS

S
Figura 4.5: Caratteristica di uscita (a sinistra) e circuito equivalente per le variazioni del MOSFET nel
punto di lavoro VGS,OP = VDS,OP = 2Vth,n .
A cosa è dovuta questa forte differenza? Al fatto che con la (4.15) si trascura completamente l’effetto
della carica (negativa, come la carica associata alla regione svuotata) dovuta allo strato di inversione
sulla superficie dell’interfaccia Si-ossido (si veda la Figura 4.4).
Il contributo degli elettroni viene perè tenuto correttamente in conto con la soluzione analitica
dell’equazione di Poisson nel sistema MOS vista a teoria, secondo la quale infatti in forte inversione
r 1/2
n2i

2qNA 2Φp 2Φp 2Φp 2Φp
ES0 = VT exp − + − 1 + 2 exp − −1
S VT VT NA VT VT
= 2.92 × 105 V/cm (4.16)
6.6 e 6.7
Una volta fissato VGS,OP = 2Vth,n , il transistore MOSFET è in regione di funzionamento sopra soglia
(on), e la corrispondente caratteristica di uscita è quella mostrata nella parte sinistra della Figura 4.5,
dove il confine tra la regione quadratica e quella di saturazione è
VDSS,OP = VGS,OP − Vth,n = Vth,n (4.17)
Per quanto riguarda il modello per le variazioni statico, si linearizza il modello di ampio segnale
statico attorno al punto di lavoro scelto ottenendo (in regione di saturazione, come osservato in
precedenza)
iG (t) = IG,OP + iG,SS (t) = 0 (4.18)

1 W
iD (t) = ID,OP + iD,SS (t) = µn Cox (VGS,OP + vGS,SS (t) − Vth,n )2
2 L
1 W W
≈ µn Cox (VGS,OP − Vth,n )2 + µn Cox (VGS,OP − Vth,n ) vGS,SS (t)
2 L L
= ID,OP + gm vGS,SS (t) (4.19)
45
dove si è definita la transconduttanza
∂ID W
gm = = µn Cox (VGS,OP − Vth,n ) (4.20)
∂VGS OP L
Il circuito per le variazioni, quindi, soddisfa le equazioni
iG,SS (t) = 0 (4.21)

iD,SS (t) = gm vGS,SS (t) (4.22)
alle quali corrisponde il circuito equivalente mostrato nella parte destra della Figura 4.5.
46

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Esercitazioni ad uso del corso di Dispositivi Elettronici

Fabrizio Bonani, Gianluca Piccinini

3 Il transistore bipolare a giunzione 36

1. Si determinino np0 e pp0 a T = 300 K, si tracci il diagramma a bande e si valuti la resistenza

si ripeta il punto 1 a T = 600 K;

5. Ripetere il punto 4 assumendo L = 50 µm;

6. Ripetere il punto 4 assumendo L = 5 µm;

Pertanto si può concludere

µmin µmax NREF α

qΦSp = qχ + Eg − (EF − Ev ) = 5 eV (1.6)

µn = 1248 cm2 V−1 s−1 µp = 406 cm2 V−1 s−1 (1.9)

σ = σn + σp = qnp0 µn + qpp0 µp ≈ qpp0 µp = qNA µp (1.10)

ni (600 K) = 1.015 × 1015 cm−3 (1.17)

2. dalla (1.13) scritta per T = 300 K si ricava

che, sostituito nella (1.16), restituisce

ni (600 K) = 1.949 × 1015 cm−3 (1.19)

dove, in accordo al testo dell’esercizio

• semiconduttore drogato, finché il materiale resta nella regione estrinseca, le concentrazioni di

• metallo, la concentrazione di carica libera è sostanzialmente indipendente da T , e quindi R(T )

qΦSn = qχ + (Ec − EF ) = 4.2 eV (1.31)

n0n (0) = p0n (0) = 1013 cm−3 (1.43)

dove, in condizioni stazionarie, ∂pn /∂t = 0. Si ha quindi

d2 p0n p0n d2 p0n p0n

dove si è definita la lunghezza di diffusione delle lacune

In questo caso, sfruttando la relazione di Einstein a T = 300 K e assumendo τp = 1 µs si trova

Dp = VT µp = 5.85 cm2 /s Lp = 2.419 × 10−3 cm = 24.19 µm (1.52)

p0n (0) = A + B (1.55a)

Combinando la (1.55b) e la (1.55a) si trova

n0n (x) = n0n (0) exp(−x/Ln ) (1.62)

p0n (L) = 0 (1.67)

Ricavando B dalla seconda equazione si trova

e sostituendo nella prima

A [1 − exp(2L/Lp )] = A exp(L/Lp ) [exp(−L/Lp ) − exp(L/Lp )] = p0n (0) (1.70)

p0n (0) exp(L/Lp )

cui corrisponde la corrente di diffusione (Figura 1.9 (destra))

p0n (x) = A exp(λ1 x) + B exp(λ2 x) (1.86)

p0n (x) = p0n (0) exp(λ2 x) (1.87)

dove, al variare di Va , la forma della concentrazione in eccesso di portatori minoritari in eccesso ha

1.2 Esercizio 2 – Esperimento di Haynes e Shockley

p0n (t) = p0n (0) exp(−t/τp ) (1.89)

Ovviamente, l’applicazione di Va < 0 induce un trascinamento nella direzione opposta, mentre un

7. si ripetano i punti da 1 a 4 raddoppiando i valori dei drogaggi dei due lati;

qΦSp = 4.978 eV qΦSn = 4.2 eV Vbi = 0.778 V (2.20)

Cdep (0) = 421.45 pF Cdep (Va ) = 210.725 pF (2.24)

In altri termini, xd0 deve risolvere l’equazione algebrica trascendente

Figura 2.5: Andamento delle due funzioni ausiliarie f1 (xd0 ) e f2 (xd0 ).

I relativi grafici sono riportati nella Figura 2.7.

Ip,diff (xn ) = qAΦ(lac) (xn ) In,diff (−xp ) = −qAΦ(el) (−xp ) (2.43)

essendo Dp = VT µpn e Dn = VT µnp . Infine:

Ip,diff (xn ) In,diff (−xp )

I = Ip,diff (xn ) + In,diff (−xp ) = 3.21 mA (2.47)

in modo da ottenere il grafico delle correnti riportato nella Figura 2.8.

Ip(1) (x) In(2) (x)

Figura 2.9: Caratteristica statica ideale e in presenza di una resistenza parassita Rp .

• I = 3.21 mA, si ha dalla (2.56)

• Va = 0.6 V la corrente I 00 nella giunzione deve soddisfare l’equazione trascendente

Rpp I0[exp(V’’a/VT)-1] Rpn

Rpp gd,OP Rpn

Ceq = Cdep,OP + Cdiff,OP ≈ Cdiff,OP (2.69)

Per la corrente si usa la decomposizione

i(t) = I 00 + iSS (t) (2.70)

ĩSS = Ỹ ṽa,SS (2.71)

Gli eccessi di carica sono determinati dalla legge della giunzione

in modo da determinare I = −I0 = −3.055 × 10−13 A. I flussi di particelle, invece, valgono

dove, essendo xn,BE = 5.73 nm wE , si può assumere wE − xn,BE ≈ wE . Infine

• VBE > 0 per cui