FE Compressed

14 09 20
Fondamenti di
Elettronica, Sez.1
Alessandra Flammini
alessandra.flammini@unibs.it
Ufficio 24 Dip. Ingegneria dell’Informazione
030-3715627 Lunedì 16:30-18:30
Fondamenti di elettronica, A. Flammini, AA2020-2021

Richiami di Circuiti
Elettrici per l'Elettronica
(da lucidi del corso del
Prof. Locatelli)
Fondamenti di elettronica, A. Flammini 1

Nota, correnti nei dispositivi elettronici di "segnale":
dai nA (perdite) ai mA (corrente di trasporto dell’informazione su cavo > 10cm)

Nota, tensione nei dispositivi elettronici di "segnale":
dai mV (rumore) ai V (tensione di trasporto dell’informazione su scheda e cavo)

Nota: la tensione che si utilizza nell’analisi elettronica è sempre una differenza di
potenziale, ossia la tensione di un punto rispetto ad un altro

Nota:
- I tipici segnali in DC sono i segnali di alimentazione (es. batteria)
- Un ingresso DC è un’astrazione; si parla di segnali d’ingresso DC quando il segnale
è a bassissima frequenza (cambia di polarità dopo secondi)
Nota:
- L’energia w è legata alla tensione, la potenza è la derivata nel tempo dell’energia
- Normalmente la potenza dissipata dai dispositivi elettronici si trasforma in calore
- NOTA: un laptop consuma circa 100W, uno Smartphone meno di 5W
Nota:
- Il resistore è un bipolo simmetrico lineare che ha resistenza R sia in DC che in AC
- La potenza dissipata da un resistore è P = V*I = R*I2
Nota:
- In un generatore di tensione la corrente, di valore positivo, esce dal polo +
- Il generatore reale è modellizzato da un generatore ideale con un resistore di basso
valore connesso in serie al polo +
Resistenze parallelo e serie, partitore
• Resistenze parallelo A
– Due resistori si dicono in parallelo se hanno IR1 IR2
I
i due terminali in comune e VR1=VR2
+
– Nel circuito in alto si ha V = VR1=VR2 +V -
R1 R2
– L’equazione di Kirkoff al nodo A è
I = IR1+IR2 = (VR1/R1) + (VR2/R2) = (VR1*G1) + (VR2*G2) Gnd
Dove G = 1/R è la conduttanza
I
– Nel circuito in basso si ha I = V/R = V*G, da cui
I
I = (VR1*G1) + (VR2*G2) = V*G, ossia G = G1 + G2
+V
+
-
R
(1/R) = (1/R1) + (1/R2) R = R1*R2/(R1+R2)
Gnd
• Note: la resistenza è la capacità di opporsi alla corrente

– Se creo un percorso in parallelo ad una resistenza, con resistenza di qualunque
valore, la resistenza globale diminuisce
– Se le due resistenze sono diverse, la maggior parte della corrente va sulla minore (la
R equivalente "assomiglia alla minore")
Resistenze parallelo e serie, partitore
• Resistenze serie IR1
– Due resistori si dicono in serie se hanno un terminale in IR1
comune e vi scorre la stessa corrente, ossia IR1=IR2 I R1
– La corrente I che esce dal generatore di tensione V
attraversa entrambi i resistori R1 e R2, ossia I=IR1=IR2 +V -
+
R2
– L’equazione di Kirkoff alla maglia è V = VR1 + VR2
ossia V = R1*IR1+R2*IR2 = I*(R1+R2). Il circuito è Gnd
quindi equivalente al circuito a lato dove i due resistori
I
in serie sono stati sostituiti da un resistore equivalente la
I
cui resistenza R è pari a R = R1 + R2
–NOTA: la resistenza è la capacità di opporsi al flusso di corrente; +V -
+
R
se aggiungo una resistenza in serie la resistenza globale aumenta
Gnd
• Partitore
– Con riferimento al circuito in alto, la tensione VR2 è
anche detta tensione di partitore di V su R2 ed R1.
– Si ha: VR2 = R2*IR2 = R2*I dove I=V/R= V/(R1+R2)
Quindi VR2 = V*R2/(R1+R2)
Esercizi
• Corrente al nodo • Tensione di maglia

La somma delle tensioni è nulla,
La somma delle correnti è nulla,
V + 10V – 4V -12V = 0
I = 2A+3A-10A = -5A
• NOTA: i generatori di tensione si possono mettere in serie e in

parallelo?
– la serie è permessa (la serie implica uguale corrente) e il generatore
equivalente è la somma algebrica dei due
– il parallelo non è permesso (il parallelo implica uguale tensione)
Esercizi
• Ci sono vari modi per risolvere un circuito

• Tensione di maglia
Calcolo della corrente I di maglia
Dato che in una maglia posso scambiare posizione agli elementi la maglia è
equivalente ad una maglia con un generatore a 24V-8V=16V e un resistore
R = (1+2+5)Ohm = 8Ohm. La corrente di maglia è quindi 16V/8Ohm=2A
La tensione Vab è pari a 8V più la caduta sul resistore da 2Ohm.
Vab = 8V + 2Ohm*2A

Esercizi
• La tensione v è pari alla differenza tra la tensione del polo + e il

punto comune e la tensione del polo – e il punto comune
• La tensione tra il polo + e il punto comune è la tensione di
partitore di VG su R4 e R1 e, analogamente, la tensione tra il polo
- e il punto comune è la tensione di partitore di VG su R3 e R2

Esercizi
• La tensione v si ricava da Vab secondo la legge del partitore e

Vab è la tensione di partitore su R e sul resistore connesso al
generatore da 12V, dove R è la resistenza equivalente alla rete
resistiva costituita dal parallelo tra il resistore da 4Ohm e la serie
dei due resistori da 2 Ohm
• R = 2Ohm, quindi Vab = 12V*2Ohm/4Ohm = 6V
• quindi V=Vab*2Ohm/4Ohm = 3V
Bipoli non lineari, soluzione analitica 15 09 20
ora
• Si supponga un bipolo lineare che, al contrario del resistore che
è un bipolo lineare definito dalla legge di Ohm v=R*i, è definito
dalla relazione non lineare i = v3
possoavereavesse soluzioni alcuneoeweeuauwanm.ss.sn

Bipoli non lineari, soluzione grafica
• La soluzione del circuito può essere trovata come intersezione
tra la relazione fissata dalla parte sinistra del circuito (Sx) e la
relazione fissata dalla parte destra (Dx)
Sx: 8V - i*4Ohm - v = 0 Dx: i = v3

Condensatore
• Il condensatore è un bipolo non lineare descritto da una
caratteristica differenziale. I = C*dV/dt V = (1/C)∫I*dt = Q/C
• In pratica, se si applica una tensione ai suoi capi, il xp
condensatore genera/assorbe una corrente che provoca uno
spostamento di cariche (in generale, la carica è l’integrale nel
tempo della corrente) che si oppone alla tensione applicata, per
questo si dice che il condensatore si oppone alle variazioni di
tensione memorizzando uno stato di carica.
• In DC (dopo un tempo infinito) la tensione ai suoi capi è nulla
una volta terminata la sina.s.zwneoeuecar.me no tensione una

Condensatore
materiale
isolanteconresistenza innasosaearaccennare carine
sue armature
areaarmatura
astanza
armature
10
na ME
lo 10 6
Condensatore, circuito RC
• Il condensatore ha caratteristica inversa

Condensatore, circuito RC
Approccio "fisico"
• Si suppone inizialmente che:
il condensatore C sia scarico Vc(t0-)=Vs(t0-)=0, quindi i(t0-)=0
• Quando si applica Vs(t0+) = Vs, nella resistenza
scorre la corrente i che carica il condensatore
e Vc(t) aumenta secondo l’equazione di C
• La tensione Vc(t) aumenta, così come la carica immagazzinata in C
(la carica è l’integrale nel tempo della corrente) e quindi diminuisce
VR ed i(t), fino a quando i=0 e il condensatore è carico a Vs
• la tensione iniziale aumenta lentamente fino alla tensione finale
(1-e-x = da 0 a 1)
Approccio "matematico"
• Il circuito è descritto dall’equazione VICE
FINALE
che ha soluzione
Condensatori in serie

Condensatori in parallelo

Induttore
• L’induttore si oppone alle variazioni di corrente
io ia ceneransosenetensionicue
animano lecorrenti
il conservatore èunserratoio a carica

iiiumoreèun versarea tensioni

R, C, L: impedenze Z
• L’impedenza Z consta di una parte reale (resistiva) e di una parte
immaginaria (reattiva) che dipende dalla frequenza della tensione o
della corrente impressa. L’operatore jw si assimila alla derivata;
l’operatore inverso 1/jw si assimila all’integrale
• Resistori con resistenza R
V = R*I, impedenza resistiva pura, stesso comportamento in DC e
in AC, resistenze in serie si sommano
• Capacitori con capacità C
V = I/jwC, impedenza reattiva pura, in DC (w=0) è un circuito
aperto (impedenza infinita), alle alte frequenze (w->∞) è un corto
circuito (impedenza nulla), capacità in parallelo si sommano
• Induttori con induttanza L
V = jwL*I, impedenza reattiva pura, in DC è un corto circuito, alle
alte frequenze è un circuito aperto, induttanze in serie si sommano
Circuiti R,C,L: analisi qualitativa alle impedenze

a un
aveva
a sono imene
sono
m sn.no
Esercizi a
qua
e a
Calcolare la costante di tempo τ e la frequenza di taglio fC
euno per R= 5 kΩ
sistorsi
C= 10 µF
VS=5 V
VC(0)= 0 V
• Il circuito ha un’equazione
– La soluzione dell’eq. differenziale è
• La costante di tempo, τ, di un circuito RC è definita come:
– τ = RC, quindi τ= 5 *103 * 10 *10-6= 50 * 10-3 s
𝑡
• Dopo quanto tempo VC = 1V? 𝑣𝐶 𝑡 = 1𝑉 = 5𝑉(1 − 𝑒 − ൗ𝑅𝐶 )
• Nel dominio delle frequenze,

– La frequenza di taglio, fC, è la frequenza dove l’attenuazione è pari a
3dB, ovvero è il polo della funzione di trasferimento del primo ordine:
– fC = 1/2πRC, quindi fC = 1/(2π50*10-3) = 3.2 Hz
Ri
mm a
voti tl
Uniti
fra voutltt
rffpz.vn
coer.si partiture
valido sia in Ac che ac

R
nn a
t in DC
varie voutltd.hn to
vii il conservatore crea una distribuzione
C si carica tale sa avviare la corrente
in AC
R s 2i vout ZZ.hn
22 Zitta
4
out ZC.hn saie sostituirà 2 c 1
2 riza Jvc
ZR R
0000 Quanto Ve 1V
5 1 è RC 50µs
tk
Iv 5v 5ve
tk
sve
E
4v.tn
4 0,8
5
nleiteIlvlO.s lv O.s7 st z.lnio.s
Dominio Frequenze i
out ZC.vn JK.hn V

ZetZR i R 1 jure
Jvc
ricavo moscio e Fase a 2117
Ivan 1 lv.nl vini
1 tutti i 4N race
1
Finche f ho cue Nati Inni ma ricavano
4ITL22 di un Fattore E
SE f più
aiiora incita e una sinusoise con ampiezza
molto piccola ovvero E stata attenuata
E ora
Il diodo visto come bipolo non lineare, DC
• Il modello ultra-semplificato del diodo descrive un bipolo che in
un senso (se v>0) lascia passare tutta la corrente, mentre
nell’altro senso (v<0) blocca la corrente (i=0)
se la correntescorrenelversodellatrecciaamarapassa
altrimenti si scontracontro il muro e siscocca

Il diodo visto come bipolo non lineare, AC
• Circuito raddrizzatore
La tensioneamara
versoeviene
iaa.am

altro circuito importante
v
Un Uovo
Vat
Ho creato una tensione costante memorizzo la tensione di picco

Fondamenti di
Elettronica, Sez.2
Alessandra Flammini
030-3715627 Martedì 16:30-18:30

Proprietà dei materiali,
diodi
1
2
Resistività dei materiali
• Resistività ρ
– Proprietà dei materiali che si misura in Ω·m
– E’ l’inverso della conducibilità σ (σ = 1/ ρ)
– La resistività dipende dalla temperatura T
• Conduttori (metalli, materiali con legami ionici)
– Resistività molto bassa ρ<10-5 Ω·m (favoriscono il flusso di elettroni)
– La resistività aumenta in modo lineare con T
• Isolanti (plastica, legno, vetro, aria)
– Resistività molto elevata ρ>103 Ω·m (si oppongono al flusso di elettroni)
– La resistività diminuisce all’aumentare di T
– I materiali isolanti hanno costante dielettrica elevata e sono utilizzati nei
condensatori
• Semiconduttori (Silicio, tessuti organici, materiali con legami covalenti)
– Resistività intermedia 10-5 Ω·m<ρ<103 Ω·m
– La resistività diminuisce all’aumentare di T
– Possono essere mischiati con materiali (o ossidati) per diventare isolanti
LoDROGARLI 3
Il materiale base dell’elettronica: il Silicio (Si)
• Numero atomico 14
– Dopo l’ossigeno è l’elemento più presente in natura (basso costo)
– 4 elettroni in banda di valenza (strato più esterno)
– Gli atomi si legano in legame covalente (reticolo che allo zero assoluto
non ha elettroni liberi, quindi è un isolante).
– Semiconduttore intrinseco, ossia formato da atomi dello stesso tipo.
– Ci sono 5·1022 atomi in un cm3 di Si
TEMPERATURA
– All’aumentare di T si rompono i legami generando una coppia
no semeche sièmosso
spazio
elettrone-lacuna in banda di conduzione, che nei semiconduttori è
energeticamente vicina alla banda di valenza (Si ricorda che nei
semiconduttori la resistività diminuisce all'aumentare di T).
– L’elettrone è la carica elementare negativa q = 1,602·10-19C.
– Gli elettroni si dicono anche portatori n negative
– La corrente è il flusso inverso del flusso degli elettroni (si ricorda che
si tratta di un flusso di gruppo)
4
Il concetto di lacuna nel Silicio
• Un elettrone che lascia la sua posizione nel reticolo genera una
lacuna
– La lacuna è un posto vuoto nella struttura in grado di ricevere in banda
di valenza un elettrone dalla banda di conduzione.
– E’ la carica elementare positiva q = 1,602·10-19C ed è naturalmente
uguale in valore assoluto a quella dell'elettrone.
– La lacuna ha una sua mobilità (portatore p)
– Il livello di Fermi è al centro della banda proibita (n=p): se si avvicina
ri ri
alla banda di conduzione, aumenta la probabilità di avere portatori n
(viceversa)
• Silicio intrinseco e Silicio drogato
– Nel Si intrinseco si possono introdurre impurità (in ragione di parti per
milione ppm) ottenendo così Si drogato
– Il Si si droga in modo p aggiungendo sostanze con 3 elettroni di valenza
(boro 5B -> drogaggio p)
– Il Si si droga in modo n aggiungendo sostanze con 5 elettroni di valenza
(fosforo 15P -> drogaggio n)
5
Silicio intrinseco
• Applicando tensione o aumentando la temperatura si creano
coppie p-n di portatori
6
Silicio drogato n (es. fosforo, 1 atomo ogni 106)
• Ho un elettrone libero che con poca energia può muoversi
• Nota: il materiale è elettricamente neutro
7
Silicio drogato p (es. boro)
• Ho una lacuna in grado di ospitare elettroni liberi
• Nota: quando la lacuna viene riempita da un elettrone che crea
un’altra lacuna, si dice che la lacuna si è mossa
8
Caratteristiche delle aree drogate
• La percentuale di drogaggio è bassa, es. 1 atomo ogni 106 -108
– Aree di tipo p: concentrazione drogante = concentrazione accettori NA
– Aree di tipo n: concentrazione drogante = concentrazione donatori ND
– La neutralità impone che n + NA = p + ND (n,p portatori maggioritari)
– La concentrazione dei droganti è 1013-1020 (tip. 1015-1016) atomi/cm3
– La concentrazione del Si è 5·1022 atomi/cm3
• Il Si non drogato avrebbe comunque dei portatori nSi=pSi=ni (si
può dimostrare che n·p=ni2 ) Silicioestrinseco
– La concentrazione dei portatori minoritari ni è circa 1010 portatori/cm3
• Nelle aree drogate ci sono portatori maggioritari e minoritari
• La concentrazione dei portatori maggioritari non dipende dalla
Temperatura
• La concentrazione dei portatori minoritari dipende da ni e quindi
dalla Temperatura
9
Giunzione PN
• La giunzione pn è l’unione di due zone di Silicio drogate in modo
opposto
– Anodo: terminale della zona p
– Catodo: terminale della zona n
Anodo Catodo
– le dimensioni sono ~ µm
– la corrente I è un flusso di portatori p
– la corrente I può fluire solo da A verso K A K
p n
– applicando tensione positiva su A scorre I
• Area p
– lacune (maggioritarie) NA; elettroni (minoritari): ni2/NA
– (livello di Fermi vicino all’estremo superiore della banda di valenza)
• Area n
– elettroni (maggioritari) ND; lacune (minoritarie): ni2/ND
– (livello di Fermi vicino all’estremo inferiore della banda di conduzione)
• Prima di avvicinare le due Aree tutto è neutro, ma poi nella zona
di giunzione c’è diffusione che crea un’area di carica spaziale
10
Giunzione PN,
area di carica spaziale
• L’area di carica spaziale crea
una barriera di potenziale
(tensione V0 di built-in) che si
oppone al flusso di elettroni
• Se NA≠ND allora le larghezze
WA=Wp e ND=Wn di carica
spaziale sono diverse NA·Wp =
ND·Wn (+ largo dove - drogato)
• Serve un potenziale esterno
per superare la barriera
• V0 = - ∫Edx = VTln(NAND/ni)
dove VT =K·T/q (K Boltzmann)
K=1,38·10-23J/°K, q=1,6·10-19C, T=297°K
-> VT~25mV
NAND/ni~1012 -> V0 ~ 0,7V
11
Giunzione PN, polarizzazione
• Polarizzazione diretta (Applico V+ all’anodo –area p-)
– Caso ideale: quando elimino la barriera di potenziale interna, i portatori
maggioritari generano una corrente che cresce linearmente con V+
– Caso reale: anche in presenza di una sottile barriera c’è corrente I (~mA)
• Polarizzazione inversa (Applico V+ al catodo –area n-)
– Aumenta la barriera che impedisce lo scorrimento dei portatori
maggioritari
– Scorre corrente inversa Is (~nA) dovuta ai minoritari
Assenza di polarizzazione Polarizzazione diretta Polarizzazione inversa
12
corrente aznon
era
realizzato usando anzianePmi
Diodo I= Io(eV/(n∙Vt)-1)
reazionetracorrentee potenziale
il triangolo non il verso scorrimento
deiiacorrenteannosono www.r.ezazioneoireia
• Il diodo in polarizzazione diretta è V=VAB=VA-VB

I
governato da una legge esponenziale anooo

A
causa
B
– Applico una tensione V -> scorre una corrente I I V
– I = Io(eV/(n∙Vt)-1)
Vt = KT/q = T/11600 ≈ 25mV (T=293°K) tensione termica
at.amae.ie
Io ~ nA (raddoppia per dT=10°C) Rd
B
I
A + -
n ~ 2 per diodi al Si
– Simile ad un interruttore aperto se I ~ Io ~ nA
– Simile ad un interruttore chiuso se I ~ mA V
Vs
– 1mA=Io(eV/(n∙Vt)-1) -> (1mA+1nA)/1nA~eV/(n∙Vt)
-> V/50mV~ln106 -> V = Vs ~ 0.7V
• Modello semplificato del diodo

–I~0 per V<Vs ~ 0.7V
– I = (V-Vs)/Rd per V>Vs
Rd = dV/dI ~ da 5 a 10 Ω
• Il diodo in polarizzazione diretta accumula delle cariche

– Il diodo ha un comportamento tipo Condensatore
– Il diodo ha un tempo di "spegnimento" non nullo
13
Giunzione PN ottenuta accostando tra loro 2 materiali
semi consultori drogati in maniera differente
HA diverse caratteristiche Fondamentali

la corrente in caso di polarizzazione diretta va da nooo a catodo
SE utilizzo una Polarizzazione inversa il materiale si oppone al

passaggio ai Portatori macciaritari
tuttavia la corrente inversa dovuta ai portatori minoritari
può comunque scorrere corrente residua trascurabile
il diodo È come un circuito aperto no corrente
arioso ozioso
Diodo inarcato con e realizzato con la
Giunzione PN
il entra in Polarizzazione diretta sono quasi
dorso e arrucato
un potenziale ai suoi capi con il su arioso e su catodo
la relazione che lega corrente E tensione e I Io e 1
Io corrente di polarizzazione indiretta

o V tensione Apricots ai capi del dio o
Vt tensione termica A temperatura assistente e 25mV
I corrente che scorre nel dio o
h parametro Che per il silicio è uguale A 2
Quan o la tensione e molto di gran E si h.VE v n.ve

Allora il termine dominante e l'esponenziale
Ho quindi che la relazione che lega corrente e tensione nel
dorso E si tipo Esponenziale
cio vale per valori di sempre più gran
Quando invece E piccolo Prevale il 1 e quasi Io
che pero E trascurabile e luna pari a 0
In
la tensione da cui il diodo entra in conduzione e sera vs il cui

valore e in genere 0,7 e cui la sua reazione
diventa quindi Esponenziale
Vs tensione si sogna dal suo valore il diodo Entra
IN Cenauzione
per i suoi commerciali E 0,7W ma ciò dipende

dal dragaggio
nostro semplificato see diodo
il diodo ha 2 moralità di funzionamento in fase sua tensione

ai suoi cari i
A vs
se V Vs 1 la corrente e
I vs
risa shop Rai
e ora
Se Vc vs a
circuito aperto I 0
B
In generale la eta
di corrente cue puo attraversare un
diodo dipende same gia di dragaggio
esistono diversi si in base Auo scopo per cui vengono usati
in alcuni casi posso sem c.ie care ulteriormente la consolazione

Rappresentava il dorso come un generatore di tensione
di tensione pari alla tensione si sogna
diodo dispositivo non lineare e caratterizzato da 2
Stati i
Funziona
non funziona
µ presenza di Polarizzazione sirena il doso si comporta

anche come condensatore accumulo a cariare
cambiavano la polarizzazione il campo al Comportamento

non è immediato devo Prima svuotano sane cariche
Tempo spense pan orologeria
tensione i Breach sown
n
poi inversa paar.az sirena
non e vero che per poi inversa ho sempre Ied

dopo un certo valore il doso si rompe e entra in
conduzione la corrente cresce mano rapidamente e
distrugge il dispositivo
n
areacns.am
I
ad versa maree stretta
esistono diverse Famiglie si siasi

Diodi Schottky, Zener, led
• Diodi Schottky
L’area p è sostituita da metallo
– minore tensione di built-in (0,3V)
– migliore velocità
• Diodi Zener
Conducono in polarizz. inversa
La tensione di Breakdown è nota
– VZ dipende da drogaggio e da T
– utilizzato come riferimento
• Diodi led
In polarizzazione diretta, emettono fotoni a seguito dell’energia
rilasciata dalla ricombinazione di una coppia p-n
– Si accendono con circa 10mA (elevata efficienza)
14
Schottky
vantaggi avendo sostituito l'area o con un metano alterco
cue la tensione si sogna diminuisce E luna
aumenta la velocità a commutazione
Leo sostituito un semi con con un consultore
1 in elettronica
usano si contraeva o ovunque
serva velocita
Zener
Sfruttano l'Effetto si breach sown
vengono usati per consume con Polarizzazione inversa
sono costruiti per non rompersi in polarizzata
inversa limitando la corrente cue scorre
DOPO il Brescia
LE diverse tensioni di break pensavo sai
srooaooivantaoc.io
la tensione Breach
i e fissa
e costante vengono usati come
riferimenti si tensione in quei
contesti in cui non si vuole
S'forare un certo valore di tensione
usati per contrario
es Ho un Ceo tensione
si e wow cue la tensione
in un circuito non suderei mai un certo unire
Leo
quasi o Poiarizziamo diretto la Giunzione PN
in naso
o va possisività cue alcune coppie è lacuna si
ri conservino e tale processo rilascia eneraia la
quale avviene o sono Forma di calore Bassa e eroi
oppure avviene rilasciando vi Fotone aw esterno
sema giunzione
proiettati Oer Funzionare in poi diretta avranno
pero tensioni di soglia piu elevate in quanto
richiedono più ENERGIA
la quantità di Enercia Fornita influisce anche su
Comore dei fotoni avi aumentare Ehi energia va
viene zza à onda diminuisce e si va verso il blu e
verse viceversa si va verso il rosso
LE variecaratteristiche si eri oro sempre i
bravacci in particolare le possono usare
A cue giunzioni con semi consultori diversi
ai soliti
fotosio ii
dorso che Funziona in modalità inversa
È che riceve
un solo o una radiazione elettromagnetica
Julia Giunzione PN E Che porta come risultato la
Generazione di una rosa ai capi oe foto ios.ro
usano in Polarizzazione inversa es Per pannelli solari
veri usata la
viene classica PN ma tra la Giunzione
P e vi è un area intrinseca a sasso aroaaoo.no
quando UN Fotone capisce tale area si Pro uce
una coppia è lacuna Che genera poi la daro
il materiale usato e silicio Puro
Fotodiodo
• E' un diodo dove gli elettroni ricevono energia, oltre che dalla
tensione e dalla temperatura, anche dalla luce
• In polarizzazione diretta è un normale diodo
• In polarizzazione inversa, il fotone che incide sulla superficie può
generare una coppia p-n con energia tale da superare la tensione di
built-in (stesso principio delle celle fotovoltaiche)
• L'energia minima per la generazione della fotocorrente dipende
dal materiale
15
Circuiti a diodi, esercizi
+
+V -
• Raddrizzatore a semionda Gnd

– Carico resistivo R, generatore sinusoidale
– Quando la tensione del generatore è >0,7V polarizza direttamente il diodo
che conduce corrente che attraversa R; se è <0,7V il diodo non conduce e la
tensione sulla resistenza è zero
– Passa la semionda positiva a meno di 0,7V, comportamento quasi ideale
• Circuito diodo-condensatore
– Effetto memoria (C si scarica sulla corrente inversa del diodo)
– Resistenza diretta del diodo piccola (~10Ω), per cui tutta la corrente carica
velocemente C; resistenza inversa del diodo grande (~106Ω), per cui C si
scarica lentamente
+
+V -
Gnd
16
Tipico utilizzo del diodo creazione si vi
raddrizzatore A semi onda
Vf A.sn wt
vg re Vl
Vl
In ingresso abbiamo
Vg
A
vs
t
A
IL dorso si comportare
puo in 2 mora i
circuito aderito
Gen si tensione con in serie una resistenza piccola
quasi equivalente sa un geni di tensione
pari aiia tensione a Sonia
quando la tensione E Vs Aurora non scorre corrente E

Quindi va tensione sul carico E nulla e come se
avessi un circuito aperto
Quan o l'ingresso raggiunge vs il Joao va in consuzione e

la corrente può scorre andando sul carico
la tensione sul carico sara
Lilt Vg Us VL 0 Vi g Vs
ssa vs 20,7 Vl E Vg risolto ai 0,7V
quando Poi la semi onda ritorna Vs non ho più rossaccio
di corrente tensione di uscita In carico Numa
Ugh
a.us
A
vs
A
ho eliminato la semi on negativa
ottava ho risolto la tensione in uscita
esistono avene sistemi che con dosi Posizionati

Opaortunamente riescono a specchiare la
semi orsa Negativa
circuito rilevatore di ricco
E un circuito formato da un es un condensatore

si_so
e in grado di rilevare e memorizzare il valore
massimo a un onda in incresso
Circuito come prima ma con conservatore al posto

se carico resistiva
Y A sinful
velo 0
tensione capi del
ai
Vg e conservatore iniziare nulla
molto importante
incasso
Vg
A
vs
t
A
inizio sera Forza s'onora Dio interdizione fosse prima
in
la tensione sul condensatore è nulla
sooo vi ro
Vg Vs il
va a
sios entra in conduzione la corrente
attraversa il dorso e caricare il Condensatore
il cavo assorbe la corrente E la tensione ai suoi capi
aumenta progressivamente
As Uncerto punto racciuoco la tensione a picco tra
il massimo Zena firma o onda
la tensione che arriva sul Cona E si A Vs
il condensatore e un componente con memoria
esso mantiene il valore di tensione finché non
può scaricarlo
però poi l'ingresso diminuisce e va sa un valore
minore di A vs sul lato SX sei riarso mentre sul
lato sx la tensione rimane a A Vs dato che in consensatore
e un componente con memoria il diodo entra in condizione inversa e
si comporta come circuito aperto dato cue la tensione
si è invertita ai capi IL condensatore non puo qui
scaricarsi e mantiene il valore costante si tensione
tale valore è il valore a picco
vgna.us
A 1
vs
i
t
A
SE i incresso
successivamente raggiungesse un valore a A
il dorso entrerebbe nuovamente in corrauzione Il condensatore
si carichereste ulteriormente e raggiungerei un nuovo picco
Ansamento reale del circuito
in realta noi però sappiamo cue anche se il dorso e

in interazione può comunque scorrere la corrente
di polarizzazione inversa Quindi il conservatore un Po
si scaricherai E Genererà il SEGUENTE ansamento Reale
Vg
di fattola animazione
a.us DI TENSIONE dovuta alla
A 1 storica e impercettibile
A µ Ela in
scarica e
e
visibile
Circuiti a diodi, esercizi +V1 Vout
+V2
• Circuito "vince il maggiore"
– Se V1 e V2 < 0,7V -> Vout = 0 (entrambi i diodi spenti)
– Se V1> 0,7V e V2<0,7V allora D2 è spento e D1 conduce e Gnd
Vout = V1-0,7V
– Se V2> 0,7V e V1<0,7V allora D1 è spento e D2 conduce e
Vout = V2-0,7V
– Se V1>0,7V e V2>0,7V e V1>V2 allora Vout=V1-0,7V e
V2-Vout<0,7V quindi D1 conduce e D2 è spento
– Complessivamente Vout = max(V1; V2; 0,7V) – 0,7V
• Circuito "vince il minore" +V

– Se V1, V2 > V-0,7V -> Vout = +V (entrambi i diodi spenti)
– Se V1<V-0,7V e V2>V-0,7V allora D2 è spento e D1
conduce e Vout = V1+0,7V (simmetria tra V1 e V2) +V1 Vout
– Se V1, V2 < V-0,7V e V1<V2 allora Vout = V1+0,7V e +V2
Vout-V2<0,7V quindi D1 conduce e D2 è spento
– Complessivamente Vout = min(V1; V2; V-0,7) + 0,7V
17
Altri Esempi di circuiti
vince il maggiore
ingressi vi
vi Vat
n n
se Vi CVS Il 1 d'orso è
in interazione
se Uz Vs interdizione
qua avevano pe emana

non reo passaggio al corrente
suiia resistenza E quindi
out è
SE Vi VS E V2 vs solo il 1 dorso È in
condizione che
zio una certa corrente I scorre vera
resistenza generando rout
Lilt vi Vs out 0 Vate vi Vs
I Irl vi vs
RL
la corrente cue Passa nel dorso e la
stessa cue arriva sulla resistenza
lo stesso avviene Nei caso inverso
Lilt 2 Vs Vat è Vai U2 US
I Irc 2 Vs
Re
caso li cui Entrambi i diodi sono in conduzione

no cue vi Us e vz US
Suppongo che Un V2
sicuramente il 1 io 0 e in coniazione vi Vs
ricorso quindi l'equazione
out Vi Vs da lui
ma il 2 d'orso ha il caso in comune con il 10 ho quasi

me 2 devono avere la stessa tensione che e but
ut 2 maglia U2 Us Vat ed Vat Vans
Ottengo che
out Vdt Vz Vi 1 Ò
Vz Va il che va
contro l'ipotesi vi 2
CIÒ SI ontico Che in realta il 2 Orso non può essere

in conduzione
ho creato circuito in Cui
un
SE Entrambi i
dio sono in
condizione sono il dio con
tensione maggiore va in cavazione
E l'uscita dipende proprio sia
tale dio l'altro diodo È
INVECE interdetto
I
Volt e vi VS
CIRCUITO DUALE
vince il minore circuito molto simile al Precedente
Gli ariosi dei 2 suoi hanno un punto in

comune che È pari alla tensione
122 d'uscita
di 1 caso i 2 siora sono in interazione

v v var µ
non scorre corrente nella resistenza
f D2 I e
ve out
SE invece in uno dei 2 ios es il 1 scorresse corrente

ciò significherebbe cue
Vi Vs
Riassumiamo Quanto detto
o i 2 io sono in interazione
condizione
Vi v vs volta
va v vs
Il 1 doso E in Consuzione era il 2 µ interdizione
coniazione
V vs Van Vitus vi
Iva
vi
v vs t
derivante da
Hit Vitus Vat 0
la corrente che sai generatore manso su carico e
IRL V Vat ma var Vitus Irc vivi vs

RL RL
lo stesso vale se e il 2 orso in consunzione
o entrambi i diodi condizione

coniazione
vi V vs suppongo vi
vacv.us
Il 10 dio e in coniazione vale l'equazione vista Prima
Volte Vitus
Analogamente PER il 2 oso vale
vztvs vout
deouaa.io le 2 Ea rispetto a out
vz vi Wed V2 Vi assurdo ho
supposto villiz
Cio significa cue il 2 d'orso non può essere in coniazione
se vi 2
L'uscita complessiva analizzata nel complesso di miti i casi e

out min va Uz V vs Vs
caso si soma interazione
• VA=15V, VB=-10V, trovare le correnti nei diodi
• Si fa un’ipotesi, si risolve il circuito, si controlla l’ipotesi
• Ipotesi: diodi in conduzione (punto comune anodi = 0,7V)
– Trovo IR1 = (15-0,7)/10k = 1,4 mA
– La tensione al catodo di D2 è zero quindi
– trovo IR2 = (15)/30k = 0,5 mA
– trovo IR3 = (10)/10k = 1 mA
– ID2 = IR3 - IR2 = 0,5 mA ipotesi OK
– ID1 = IR1 – ID2 = 0,93 mA ipotesi OK
• Ipotesi: D1 interdetto (punto comune degli anodi < 0,7V)

– Il Diodo D1 è come se non ci fosse, ID1 = 0, def Vx=V(catodo D2)
– Si ha IR2=(15-Vx)/30k, IR3=(Vx+10)/10k, ID2=IR1=(15-0,7-Vx)/10k
– Sostituendo in ID2=IR3-IR2 si trova Vx=4V, quindi il punto in comune degli
anodi è 4,7V>0,7V (in contrasto con l’ipotesi!)
17
metodo di risoluzione di questi circuiti
N.rs no 3 maglie dove c'e vs ho un generatore di

tensione ComeGato a massa
ben per Va
nooo alternativo di Disegnare il circuito
t Ri
D
15K Va
di 3123
Vb dai
e
mensa di risoluzione
i diodi Possono cavarne o meno posso quindi Fare
varie IPOTESI
D Di
OFF OFF 1121 n.rs Alcune ipotesi sono PIÙ
probabili o autre
OFF ON K2 es la 1 è morosa ne
daro che devo calcolare
ON OFF le 3 la corrente
ON ON 124
parto sana le ipotesi
diodo SPENTO non scorre corrente circuito aperto
ottengo sveva
assurdo
I AI capi di Questo anso
ma una tensione diretta
0,7W Quindi sovresse
essere in consunzione
sai
ipotesi 2
ottengo i
VAIN
seno verificare la tensione lui per
essere certo che noioso che sarebbe
4 0 tv come io entri eternamente in interazione
0,7
Vb 10J
I 5 fio 2W 625µA
30k710m 4011
Vb 123 I µ R3 IT va 6,25 IN 3,75W
µ
la dd P ai capi del dorso E VX Uy 0,7 3,75 70,7
il dio 0 È ii cavazione i tesi sbagliata
Ipotesi 3
D acceso 1 SPENTO ottengo i
Isv
Iz 15km
ft I
30k
4 flou
Vx Uy
10K
l I 15kW ma dato cue
nov 10k da consuce so
cue vx vyeo.tv
5V L
I qzv.ly
1011
da Lilli III Iz I3 vi s VX 0,7Utley

possiamo vedere che µ E positiva VX e positivo e
maggiore di 0,7 la tensione ai capi ai Ds e
maggiore si 0,7 E qui e mi covauzia ipotesi 3 esagerata
ipotesi 4
entrambi i dorsi sono in coniazione ho passaggio a
CORRENTE E quindi la Dda ai capi di un diodo E si 0,7W
VX 0,7 U
VA
E Uy
la canta capi
Se ai di D
Ri ha
10ns 30ns e 0,7 v Vx 4 0,7
Uy VX 0,7W OU
la Ida 4 ovvero V E a massa
Io
123
una
va
la corrente in Ri e Ir VA su OAV 1,4mA

Ri 1011
ITL2 SU 0 tv 0,5 ma
122 30K
Irs 0 VB 0 no 1mA
123 123
calcolo correnti nei diodi
Ida da lui I Ir Ira 0,5nA

da cio posso sedare che l'ipotesi e corretta sano che la
corrente ra arioso a caro o è positiva
Una corrente negativa avrebbe stomacato UN ipotesi errata
analogamente
da lenti Is Iri I 0,93 ma
IN generale
SE IL DIODO È SPENTO ai suoi capi non posso avere una
TENSIONE Soperiore ai 0,7W la sua tensione non è nota a Prior
SE il sesso con ce esso e maaeuizza.ro con una tensione
si 0 tv devo verificare me la corrente da avaro a causa sia W
Fondamenti di
Elettronica, Sez.2
Alessandra Flammini
030-3715627 Martedì 16:30-18:30

Proprietà dei materiali,
diodi
1
15 05 20
ora
2
resistinoi caratteristicaper la ovale i materiali
Resistività dei materiali sono classificati in 3 t.amone
consumori
i sonni
semiconsumare
• Resistività ρ
– Proprietà dei materiali che si misura in Ω·m
– E’ l’inverso della conducibilità σ (σ = 1/ ρ)
– La resistività dipende dalla temperatura T legamitramenuaerei facilmente
possonoesseresenti
ai non
• Conduttori (metalli, materiali con legami ionici)
– Resistività molto bassa ρ<10-5 Ω·m (favoriscono il flusso di elettroni)
aumento a temperaturaon e sina.no
– La resistività aumenta in modo lineare con T se
mi neve a non ora mimano
nonorsina
• Isolanti (plastica, legno, vetro, aria) manmano maorain unrenaio asiamo
– Resistività molto elevata ρ>103 Ω·m (si oppongono al flusso di elettroni)
ti
– La resistività diminuisce all’aumentare di T eeraa usara a inserire i leoni
– I materiali isolanti hanno costante dielettrica elevata e sono utilizzati nei
condensatori
• Semiconduttori (Silicio, tessuti organici, materiali con legami covalenti)
– Resistività intermedia 10-5 Ω·m<ρ<103 Ω·m
come isonanti covalent aeperòriceve
– La resistività diminuisce all’aumentare di T meno
ao sempre canessere
enero per aouis.am
rispetto
spezzati
– Possono essere mischiati con materiali (o ossidati) per diventare isolanti

procaccio
3
e
ora
Il materiale base dell’elettronica: il Silicio (Si)
• Numero atomico 14
– Dopo l’ossigeno è l’elemento più presente in natura (basso costo)
conelettroniusatiperornare
– 4 elettroni in banda di valenza (strato più esterno) isono legami covalenticon altri atomi
– Gli atomi si legano in legame covalente (reticolo che allo zero assoluto
non ha elettroni liberi, quindi è un isolante). nato ressino
iato Forma ione.iocreano 4cennoinuncasino e
un e ciascuno
– Semiconduttore intrinseco, ossia formato da atomi dello stesso tipo.
– Ci sono 5·1022 atomi in un cm3 di Si altadensitàatomicaBastano acuipezzisisianoperaverecorrenti
– All’aumentare di T si rompono i legami generando una coppia t.me
canisi i easu
ciòaria unmio
elettrone-lacuna in banda di conduzione, che nei semiconduttori è numero e ne
possonomuoveree
anno simaa
energeticamente vicina alla banda di valenza (Si ricorda che nei oenem.rs come
semiconduttori la resistività diminuisce all'aumentare di T). resiwww.sina.si
– L’elettrone è la carica elementare negativa q = 1,602·10-19C.
1
ne ricamare
– Gli elettroni si dicono anche portatori n neo
– La corrente è il flusso inverso del flusso degli elettroni (si ricorda che
si tratta di un flusso di gruppo)
è lasciatosai è cuesi èmosso a causaoeuaroiuraoeeuos.mesaraoa.ie
nero
Forma ii aumento a t
4
Il concetto di lacuna nel Silicio
• Un elettrone che lascia la sua posizione nel reticolo genera una
lacuna
– La lacuna è un posto vuoto nella struttura in grado di ricevere in banda
di valenza un elettrone dalla banda di conduzione.
– E’ la carica elementare positiva q = 1,602·10-19C ed è naturalmente
uguale in valore assoluto a quella dell'elettrone. Quandocreounalacunasto
creando un portatore p
– La lacuna ha una sua mobilità (portatore p) ancae lalacunasipuòmuovere e ora in
areaoveopposta sei arianore N
– Il livello di Fermi è al centro della banda proibita (n=p): se si avvicina
alla banda di conduzione, aumenta la probabilità di avere portatori n
(viceversa)
ilsiliciointrinsecononservea una
• Silicio intrinseco e Silicio drogato 1atomoa impurità anmuore atomo s
– Nel Si intrinseco si possono introdurre impurità (in ragione di parti per
milione ppm) ottenendo così Si drogato
– Il Si si droga in modo p aggiungendo sostanze con 3 elettroni di valenza
(boro 5B -> drogaggio p)
– Il Si si droga in modo n aggiungendo sostanze con 5 elettroni di valenza
(fosforo 15P -> drogaggio n)
5
in generesi introduce un'inanità elettronica ovvero un atomo con 5 è a valenza
no au ore è quest'atomo si recano con i 4 è seon aironi a silicio
rimarra euro un sinodo è cue non si ora ne rimanevicino al suoatomo di impurità
perelettrostatica questosoe però non haunleone si valenza e anno manooooo mia creounportatore
tipo n
si parla si scoraggia si tipo res Fosforo 5 e a valenza
viceversa posso ritrovare un'impurità come in soro 3 è a valenza
i 3 è si legano con 3 atomi del silicio avanza pero un e sei sua cue non riesce
si viene a creare buco nei reticolo cristallino
a levarsi con io sono un
lacuna portatore p parcoai srooaoo.io a tiro io
Silicio intrinseco
• Applicando tensione o aumentando la temperatura si creano
coppie p-n di portatori
succoconsunse i
suoi4 è pertornare
canicovalenti
covalenti
cennicorti
sono
ciaomi coniazioni
man e simettea
sposizione i suoi 4 è
a crearecennicovalenti
qualisono nato eonicani
io 0assoluto no ma
aeree è ison.ae
ameno a t sicreano
cure resistinoiannuisce
6
Silicio drogato n (es. fosforo, 1 atomo ogni 106)
• Ho un elettrone libero che con poca energia può muoversi
• Nota: il materiale è elettricamente neutro
maritò ai troni e e nel

reticolo e e genera 1 è vero
molto importante
cue
anno o Fosforo acciaioo è comune
se no
neutro anime è vero msn.co
orocaro è comunaleneutro ciòcueansia
e n nonmiseen è
con i oracaccioriesco ottenereun è cseraserve
creareuna aria rosaa e avvenivaaumentano t
oanni sonoaria
e non a
7
Silicio drogato p (es. boro)
• Ho una lacuna in grado di ospitare elettroni liberi
• Nota: quando la lacuna viene riempita da un elettrone che crea
un’altra lacuna, si dice che la lacuna si è mossa
i Ho unnarratore P
anno lacunaviene aEmma un e si ce
ne narratore e si e sposiamo è per
riempirein suco nasonnocrearneunanno
8
Caratteristiche delle aree drogate
mio anni
si siano
• La percentuale di drogaggio è bassa, es. 1 atomo ogni 106 -108
c è un
– Aree di tipo p: concentrazione drogante = concentrazione accettori NA lacuna
– Aree di tipo n: concentrazione drogante = concentrazione donatori ND c'è
usero
– La neutralità impone che n + NA = p + ND (n,p portatori maggioritari)

– La concentrazione dei droganti è 1013-1020 (tip. 1015-1016) atomi/cm3
e io
– La concentrazione del Si è 5·1022 atomi/cm3 in
• Il Si non drogato avrebbe comunque dei portatori n =p =n (si
Si Si i
è e lelacune ae si
può dimostrare che n·p=ni2 ) portatoriminoritari sono a
Formano sani awamen t risse amo eassoluto
– La concentrazione dei portatori minoritari ni è circa 1010 portatori/cm3
• Nelle aree drogate ci sono portatori maggioritari e minoritari
• La concentrazione dei portatori maggioritari non dipende dalla
Temperatura a season no in esse a come orocnn.no a materiale
• La concentrazione dei portatori minoritari dipende da ni e quindi

dalla Temperatura
9
Giunzione PN
• La giunzione pn è l’unione di due zone di Silicio drogate in modo
opposto
– Anodo: terminale della zona p raro
– Catodo: terminale della zona n fosforo
Anodo Catodo
– le dimensioni sono ~ µm
– la corrente I è un flusso di portatori p
– la corrente I può fluire solo da A verso K A K
p n
– applicando tensione positiva su A scorre I
• Area p
– lacune (maggioritarie) NA; elettroni (minoritari): ni2/NA
– (livello di Fermi vicino all’estremo superiore della banda di valenza)
• Area n
– elettroni (maggioritari) ND; lacune (minoritarie): ni2/ND
– (livello di Fermi vicino all’estremo inferiore della banda di conduzione)
• Prima di avvicinare le due Aree tutto è neutro, ma poi nella zona
di giunzione c’è diffusione che crea un’area di carica spaziale
10
meccanismo si affusione
con molti è liberi con sel
mettendo a cantaro del materiale arrotato
materiale drogato p con molte lacune no me on è liberi di s
muovono verso le lacune o p
iv s cue è costituita dal russo si portava p vada arioso a causa co

la corrente
perché sono i portatori P nanne che si muovono verso i portatori e
E per auesto motivo cue la corrente può andare solo da arioso a catodo
i portatori P sono ansar dai portatori N non vengono Respinti
quando avvicino i 2 materiali ma una diffusione le lacune a confinesono

riempite cui è a corrine
si crea avvisi una zona a svuotamento dei portatori i portatori mi sono
andati a riempire i legami covalenti vene lacune
Ioavuto uno spostamento si è un materiale neutro ad un altro neutro
ho creato una regione positiva e una negativa si carica
io annoi ottenuto avena cue viene seria zona di svuotamento sei portatori 0 Zona
si carica spaziale
e area a giunzione PN ho creato una zona si carica spaziale ovvero ho una pari
nei
cariane positive era un'altra con negative
si viene quivi a creare una barriera di potenziale ovvero l'accumulo di cariche mi
dà una differenza di potenziale tace di giustifica la suona a condizione
di 0,7
P possono ansare da arioso a caro ovvero
le lacune Portatori
verso la zona sono se hanno assastanza Energia per superare
la barriera di potenziale che si e venuta a creare
le respingono
altrimenti le lacune trovavo altre cariche positive che
concetti Fondamentali
si portatori p sono area p
posso avere Flusso a corrente
a area µ lanoso catodo
neiia regione si confine si crea un'area si carica spaziale la ovale si oppone
al verso a scorrimento della corrente per riuscire a superare tale barriera
e annoi avere corrente i portatori p devono riuscire a scavalcare questa
regione si carica spaziale e per far ciò è richiesta UNA DDP Di Almeno 0,7
rosa
succede se drago macciarmente una regione rispetto Arianna
come sempre uno che gli è si spostano per riempire le lacune tuttavia neiia reame
mi senta gu ci sono più sculacciati su Connie mentre le lacune cue sono vera
regionemenosenso potresteanone avvenire il contrario sono più sistemare
con c anno riempiono le lacunesuun'area più grave e annoi omerico come risultato cue
la regione si carica spaziale sara più carca E Ho una minore densità
inoltre serviràancone più energia per superare la barriera
da
altro concetto Fondamentale
Giunzione PN,
area di carica spaziale
• L’area di carica spaziale crea
una barriera di potenziale
(tensione V0 di built-in) che si
oppone al flusso di elettroni
• Se NA≠ND allora le larghezze
WA=Wp e ND=Wn di carica
spaziale sono diverse NA·Wp =
ND·Wn (+ largo dove - drogato)
• Serve un potenziale esterno
per superare la barriera
• V0 = - ∫Edx = VTln(NAND/ni)
dove VT =K·T/q (K Boltzmann)
K=1,38·10-23J/°K, q=1,6·10-19C, T=297°K
-> VT~25mV
NAND/ni~1012 -> V0 ~ 0,7V
11
Come si usa la Giunzione PN
regione di
assenza si paiarizzazione carica spaziale
area p
area
solarizzazione Diretta
tra le regioni e es amico una DOP concorse ovveroconpotenziale positivo su a

ciò che sto Facendo neiia pratica e pompare è in n e protoni lacune in P
con e vanno a sminare a reame si carica wear vanno a legarsi con i protoni
sea atomi si rosero cue sono rimasti soli con le lacune
l'area si carica spaziale sminuisce e puo cosi scorrere corrente cue va sa P
verso ero aiia quale è associata un riuso si è in verso opposto
polarizzazione inversa
Faccio il contrario potenziale positivo su regione N E viceversa

i portatori n vanno su p ma sali esterno ho qui un aumento sena regione si carica
non passa corrente volevo essere più precisi non è cue non passa corrente in assoluto ma
non passa corrente avuta ai portatori minoritari invers
i portatori minoritari possono invecemuoversi a corrente aiuta a essi scorre in maniera
ovvero va Da xp correntedebolissima trascurabile
portatoriminoritari sono seri perdite
da sapere
o come può scorrere la corrente
Regione si svuotamento e carica parziale con gran ezzewss.se ane concentrazioni
polarizzazione cosa succede se polarizza esternamente
Giunzione PN, polarizzazione
• Polarizzazione diretta (Applico V+ all’anodo –area p-)
– Caso ideale: quando elimino la barriera di potenziale interna, i portatori
maggioritari generano una corrente che cresce linearmente con V+
– Caso reale: anche in presenza di una sottile barriera c’è corrente I (~mA)
• Polarizzazione inversa (Applico V+ al catodo –area n-)
– Aumenta la barriera che impedisce lo scorrimento dei portatori
maggioritari
– Scorre corrente inversa Is (~nA) dovuta ai minoritari
Assenza di polarizzazione Polarizzazione diretta Polarizzazione inversa
12
Diodo I = Io(eV/(n∙Vt)-1)
• Il diodo in polarizzazione diretta è V=VAB=VA-VB

I
governato da una legge esponenziale A B

– Applico una tensione V -> scorre una corrente I I V
– I = Io(eV/(n∙Vt)-1)
Vt = KT/q = T/11600 ≈ 25mV (T=293°K)
Io ~ nA (raddoppia per dT=10°C) Rd
B
I
A + -
n ~ 2 per diodi al Si
– Simile ad un interruttore aperto se I ~ Io ~ nA
– Simile ad un interruttore chiuso se I ~ mA V
Vs
– 1mA=Io(eV/(n∙Vt)-1) -> (1mA+1nA)/1nA~eV/(n∙Vt)
-> V/50mV~ln106 -> V = Vs ~ 0.7V
• Modello semplificato del diodo

–I~0 per V<Vs ~ 0.7V
• Il diodo in polarizzazione diretta accumula delle cariche

– Il diodo ha un comportamento tipo Condensatore
– Il diodo ha un tempo di "spegnimento" non nullo
13
Diodi Schottky, Zener, led
• Diodi Schottky
L’area p è sostituita da metallo
– minore tensione di built-in (0,3V)
– migliore velocità
• Diodi Zener
Conducono in polarizz. inversa
La tensione di Breakdown è nota
– VZ dipende da drogaggio e da T
– utilizzato come riferimento
• Diodi led
In polarizzazione diretta, emettono fotoni a seguito dell’energia
rilasciata dalla ricombinazione di una coppia p-n
– Si accendono con circa 10mA (elevata efficienza)
14
Fotodiodo
• E' un diodo dove gli elettroni ricevono energia, oltre che dalla
tensione e dalla temperatura, anche dalla luce
• In polarizzazione diretta è un normale diodo
• In polarizzazione inversa, il fotone che incide sulla superficie può
generare una coppia p-n con energia tale da superare la tensione di
built-in (stesso principio delle celle fotovoltaiche)
• L'energia minima per la generazione della fotocorrente dipende
dal materiale
15
+
+V -
• Raddrizzatore a semionda Gnd

– Carico resistivo R, generatore sinusoidale
– Quando la tensione del generatore è >0,7V polarizza direttamente il diodo
che conduce corrente che attraversa R; se è <0,7V il diodo non conduce e la
tensione sulla resistenza è zero
– Passa la semionda positiva a meno di 0,7V, comportamento quasi ideale
• Circuito diodo-condensatore
– Effetto memoria (C si scarica sulla corrente inversa del diodo)
– Resistenza diretta del diodo piccola (~10Ω), per cui tutta la corrente carica
velocemente C; resistenza inversa del diodo grande (~106Ω), per cui C si
scarica lentamente
+
+V -
Gnd
16
Circuiti a diodi, esercizi +V1 Vout
+V2
• Circuito "vince il maggiore"
– Se V1 e V2 < 0,7V -> Vout = 0 (entrambi i diodi spenti)
– Se V1> 0,7V e V2<0,7V allora D2 è spento e D1 conduce e Gnd
Vout = V1-0,7V
– Se V2> 0,7V e V1<0,7V allora D1 è spento e D2 conduce e
Vout = V2-0,7V
– Se V1>0,7V e V2>0,7V e V1>V2 allora Vout=V1-0,7V e
V2-Vout<0,7V quindi D1 conduce e D2 è spento
– Complessivamente Vout = max(V1; V2; 0,7V) – 0,7V
• Circuito "vince il minore" +V

– Se V1, V2 > V-0,7V -> Vout = +V (entrambi i diodi spenti)
– Se V1<V-0,7V e V2>V-0,7V allora D2 è spento e D1
conduce e Vout = V1+0,7V (simmetria tra V1 e V2) +V1 Vout
– Se V1, V2 < V-0,7V e V1<V2 allora Vout = V1+0,7V e +V2
Vout-V2<0,7V quindi D1 conduce e D2 è spento
– Complessivamente Vout = min(V1; V2; V-0,7) + 0,7V
17
• VA=15V, VB=-10V, trovare le correnti nei diodi
• Si fa un’ipotesi, si risolve il circuito, si controlla l’ipotesi
• Ipotesi: diodi in conduzione (punto comune anodi = 0,7V)
– Trovo IR1 = (15-0,7)/10k = 1,4 mA
– La tensione al catodo di D2 è zero quindi
– trovo IR2 = (15)/30k = 0,5 mA
– trovo IR3 = (10)/10k = 1 mA
– ID2 = IR3 - IR2 = 0,5 mA ipotesi OK
– ID1 = IR1 – ID2 = 0,93 mA ipotesi OK
• Ipotesi: D1 interdetto (punto comune degli anodi < 0,7V)

– Il Diodo D1 è come se non ci fosse, ID1 = 0, def Vx=V(catodo D2)
– Si ha IR2=(15-Vx)/30k, IR3=(Vx+10)/10k, ID2=IR1=(15-0,7-Vx)/10k
– Sostituendo in ID2=IR3-IR2 si trova Vx=4V, quindi il punto in comune degli
anodi è 4,7V>0,7V (in contrasto con l’ipotesi!)
17

Fondamenti di
Elettronica, Sez.3
Alessandra Flammini
030-3715627 Lunedì 16:30-18:30

Transistor BJT e MOS
Transistore bipolare a giunzione (BJT)

C E JC JE

B B ++ - - +

Collettore Emettitore
n p n

E C

•
Transistore npn o pnp

– Due giunzioni (JC e JE)

20 3
Base

– Concentrazione emettitore 10 atomi/cm

– Concentrazione base 10 17atomi/cm3

– Concentrazione collettore 1015atomi/cm3

(Regione Carica Spaziale maggiore) C E

•
Modi di polarizzazione

– Attivo diretto: JE diretta, JC inversa Base

– (Attivo inverso: JE inversa, JC diretta)

– Saturazione: JE diretta, JC diretta

Se VBC=0 il BJT npn è

– Interdizione: JE inversa, JC inversa uguale ad un diodo

• Effetto transistor (regione di base stretta)

– BJT npn in polarizzazione attivo diretto

– differenzia il transistor (la corrente scorre da C ad E) da due diodi (I=0)

2

partiamo sol transistor si are A Giunzione
a giunzione il suo Funzionamento si basa sulla giunzione Pn
il transistor e un triplo Clie e basato su 2 giunzioni
giunzione di collettore quella tra base e cavernose
giunzione di Emettitore quella tra base era emettitore
dove base emettitore e collettore sono i 3 poli see transistor
potremmo sire
3 giunzioni ho 2 dio c e
giunzione o collettore Jc base
è una giunzione no
N caro 0 nooo a arioso a o_O collettore t t enervare
N P
Giunzione si emettitore Je
è una giunzione PN
P arioso noioso ri Cato o scorso Base
Il circuito EQUIVALENTE sembrerebbe
c e
base
ma con questa configurazione non potrei mai avere corrente
tra emettitore e coweitore non può entrare corrente sane Barriere
tra il transistore invece è proprio fatto per Far scorrere
corrente tra C es E
ESISTONO 2 TIPI DI transistor
o P P in questo caso il circuito Eluivalente a
noiosi e
P N iverson
collettore tt t eme.no eavwaievtE
N P s c e
base
Base
Questo transistor e B
insicano
coi il simbolo se

P p n'è siamese
a causa se si io o
collettore enervare eauwaiev.ee

p
c e
Base
Simbolo B 4
significato simbologia
trans N P la corrente esce da emettitore Entra collettore
trans P ri la corrente entra dai emettitore esce da cavatore
ma come è possibile ciò
Il transistor ha 2 giunzioni ma non è equivalente a
2 dosi i 2 modelli Equivalenti a sorsi sono

qui
sbagliati
ma come
hanno Fatto i costruttori a fare IN modo Che le
2 Giunzioni non si comportassero come 2 diodi
cose
2 importanti i
la base è molto sottile luna si crea l'Effetto transistor
la base potrebbe sventare interamente regione si
carica spaziale ovvero regione si svuotamento
esseri 0 la base così sottile le 2 regioni di svuotamento
delle 2 Giunzioni Potrebbero riuscire a toccarsi ciò crea
diversi Fenomeni si consuzione
2 di dragaggio nel transistore la concentrazione del
drogante neve 3 zone e diversa noi vediamo il caso
di N P N an p è il suo ovale
il collettore è quello drogato o meno quindi per quanto visto
la relativa regione di svuotamento sara la più carca
e emettitore invece e freno drogato di più
la base è drogata in naso intermedio
collettore enervare
N P N
regione i regione si carica

se
carica ansia stretta new emettitore
nel cane ore

la base e talmente
stretta me la regione si carica relativa
può presentare fenomeni non lineari

Polarizzazione
ho
2 giunzioni le possibilita passano da 2 a 4 conservava
la Polarizzazione sirena es Notre per
le 2 giunzioni
siamo sei nomi
interdizione sia Je me JC Polarizzati Instrettamente non
posso avere corrente dovuta ai portatori maooioritari
v 3 Cosa significa polarizzare entrambi instrettamente
lo
pongo il collettore A 0
PER avere JC inverso dovro Porre la base
d UN Potenziale minore dei collettore es JU
Per avere je inverso dovro porre l'emettitore
ha un potenziale superiore della Fase f Sv es IV
il transistore è spento
la freccia e messa sull'emettitore in quanto e
nel simbolo
quello con nocciole concentrazione di Drogante luna quello
con maggiore concentrazione a Portatori e che quindi Fa

dominare la corrente s JE E quella che ci interessa ai più
anno inverso je inversa JC diretta non va Staiano
molto complessa
lo consideriamo come l'interdizione
osserviamo ora i 2 non me ci interessano quan o Je è polarizzata
direttamente
ciò significa che sani emettitore esce corrente
2 casi
Anno diremo JE sire.to Jc inversa
Saturazione sia JE Che JC dirette
Effetto transistor (npn BJT)

JC JE
•
Pol. attiva diretta, emettitore comune ++ - - +

C (3V) E (gnd)
– VC > VB (JC inversa) n p n

– VB > VE (JE diretta)

– L’elettrone fluisce dall’emettitore verso la base

– in base diventa carica minoritaria ma grazie
B (1V)

alla RCS l’elettrone ha bassa probabilità di

ricombinarsi e viene catturato dalla grande RCS

della JC (inversa) e raccolto nel collettore

– Flusso di corrente IC da C verso E grazie alla

base stretta (meno di lunghezza di diffusione)

– Poca corrente IB entra dalla base B e fluisce

verso E (IE = IB + IC )

– Le correnti sono indotte da VBE e VCE

– IB = IC/β (20< β <500) I E = IC + IB

– Per VCE > VBE, il BJT npn è in regione attiva,

IB = IC/β è indipendente da VCE

– Per VCE < VBE, il BJT npn è in saturazione

– Per VCE < 0 si invertono i ruoli di B ed E
3

FUNZIONAMENTO
polarizzazione attiva diretta Emettitore comune
Emettitore comune vuol dire Emettitore a comune ovvero a massa
il Puno comune
adiamo che JE e diretta e JC inversa quivi Suna base
ho una tensione positiva
ho ancora la zona si svuotamento ai portatori ovvero
la regione si carica spaziale e quindi ho ancora i 0,7W
Sulla base seco avere un potenziale 20,7W es 1V
JC inversa vuol se la BASE e as IV es È

dire che
il terminale positivo Aurora sul terminale negativo devo
avere un potenziale spacciare della base es IV
se lacorrente si norma va da collettore o Emettitore ci
aspettiamo che Gli Esatto E C

e Facciano opposto
Gli è vanno quindi sa E alla base dato che ho la

polarizzazione diretta nera Base però essi sono una carica
minoritaria ozio che essa E drogata
ma la regione si carica spaziale Rcs È anche la regione
si svuotamento dei portatori fun quasi tutti i portatori
sono stati sites verso E e C
è che è in BASE difficilmente riuscirà a legarsi a
qualcosa viene quindi risucchiato sana regione i carica sei
collettore la quale è invece molto ampia
inoltre rese molto sottile
come risultato finale no cue
molti e Passano dati e Al C
creano così una corrente che detta
va ao E
da c CORRENTE DI
ciò è possibile se e solo se collettore
la giunzione a emettitore e
polarizzata Positivamente avirimenti
è non riesce a Soperare la
barriera i Potenziale
la corrente di collettore e importante perché se noi ci
fosse avrei la corrente di Emettitore che E uguale
aiia corrente 1 BASE
invece in questo modo è soia

la corrente o emettitore
sana somma si quella di base E ai collettore

aveva a base e molto piccola quella di collettore grande
no
Corrente di collettore e si base sono Proporzionali
tra loro in particolare i
Ic
p IB 13
dove 50 HEE
sentoanche
così
EFFETTO TRANSISTOR
spiega perche quasi o sono in polarizzazione attiva diretta
riesco a avere della corrente che scorre tra
collettore ed emettitore
molto importante la corrente si cometarie la conosciamo
se conosciamo quanta corrente entra
nella base
a corrente che esce ora E E data sana somma di corrente di
base e si C
Io IB Ie
ma p 13 1 IB
ce VBC JVC vcsvs.ve Vc Y
relazione con Uce
SE la UCE è maggiore selva Use E Quindi siamo
in polarizzazione arena la VCE influisce poco suiia
corrente si emettitore ciò che conta è la corrente si
rase cui poi ricavo Ic e poi te
SE invece la tensione ai collettore e piu piccola deiia
tensione 1 BASE Aiiora la giunzione ai collettore e
polarizzata direttamente
sia JE che JC sono dirette ed ho il morso di saturazione
saturazione
se Ice B IB in ogni caso avrei delle correnti molto elevate
infatti as Un certo punto il collettore non riesce più
A FAR Fronte ali aumento sena corrente di Base era
infatti Io non aumenta nè proporzionalmente
tw Quindi che la tensione di contenere si assassa Per Far
fronte a tale fenomeno
di.io luna che il morso polarizzazione diretta degenera
nella saturazione quando non riesce Più a sospirare
la relazione di Proporzionalità che è quasi vera
solo per polarizzazione

la netta attiva

Comportamento del BJT npn

terra
•
Modello semplificato a emettitore comune

moralitàattivastretta

i correttore si

a cui entra consociacome
corrente ungen a correre

se
non ho tensione noannoiarewa Guizione
a enervaresi comporta
è
come se Fossespento come un noioso

una aunzione a noveraresi
comportacomewww.aicorrente

in certeconiazioni pa arena
propa a corrente aBase

IN Generale SE JE E JC Pol inverse Transistor spento
interazione
SE JE pa diretta Aurora semo vedere JC ovvero Vc Us
SE Voi 0 amara JC POL inverso E siamo
in moralita attiva Ic P Irs
se Vc Va 0Amora ja Pol diretto saturazione
Ia non segue piu la corrente di base
ma conosco la tensione ai onerose infatti vale
CE Ke saturare I 0,3W
Comportamento del BJT npn

•
Interdizione

– Due giunzioni (JC e JE) polarizzate inversamente

– I tre terminali sono interdetti rispetto alle correnti dei

maggioritari

•
Saturazione Io nonaumenta si ma Vc scene Fino a Far ansareoaaazz.aecavatore
più Io ma conosco voi la a eremo tensionetra
renren.coanno oranon conosco
c e e e rariAvaricea

–Due giunzioni (JC e JE) polarizzate direttamente saturazione

Vce 0,3

– VCE < VBE (VCE = VCE,sat ~ 0,3V VBE = VBE,sat ~ 0,75V)

– Anche se aumento la corrente di base, la corrente di collettore

non aumenta proporzionalmente IB > IC/β C

B

•
BJT npn e BJT pnp

E
– Il BJT npn conduce da C verso E se si applica VBE > 0,7 V

– Il BJT pnp conduce da E verso C se si applica VEB > 0,7 V E

(VBE < -0,7 V uno esenno ma coi
B

panini scambiate non lo
verremo mai
•
Punto di lavoro Q C

– Trovare corrente e tensione per una certa rete di polarizzazione

5

1
Polarizzazione del BJT npn

costruita da
rete ra io non esso gen tensione resistenza
rete poi in uscita gen tensione resistenza

V1
•
Calcolare IC e VCE (β=50)

– Si suppone che il BJT sia in polarizzazione out

attiva Rc

– La corrente Ib è facilmente calcolabile ipotizzandocue il

transsuore con un
Ib = (V0-Vbe)/Rb = (V0-0,7V)/Rb Rb C

– In polarizzazione attiva Ic=β*Ib di conseguenza V0 B

è possibile calcolare Vce=V1-(Rc*Ic) iv

E

– Se Vbe<Vce allora la giunzione di collettore è
polarizzata inversamente e l’ipotesi di Gnd

SE Vbaslice

polarizzazione diretta è confermata Ib èvoracea prima
Io non n conosco sono insaturazionemaconosco la

vc.ve o.su

Il v_o.su

– Es. V0=V1=5V, Rb=100kOhm, Rc=1kOhm Rc

eimportanteè verificare

– Ib=0,043mA Ic=2,15mA Vce=2,85V sempre le ipotesi conle

Aumentando il valore di V0 aumenta Ib, quindi varietensionie polarize

aumenta Ic e diminuisce Vce, ma Vce non può

diminuire oltre Vce,sat=0,3V. In tal caso il BJT

passa in saturazione e Ic=(V1-0,3V)/Rc

Esempio i Polarize più semplice che determina il punto di lavoro
ovvero le tensioni E correnti cue non conosco
VC e es Ic
una volta che le conosco conosco il
5W PUNTO di lavoro
una
peso
400112 c
II B
Io se
SO CHE UBE 0,7 V altrimenti il trans Sarebbe spento
Vg 0,7 v
IB 0,043mA
54
suppongo saturazione
procediamo per ipotesi
saturazione ce Vce sat 0,3W
Vc e 0,3W
Ic 0,3W 4.7 4,7mA
1112 103
HO qui cue Ic B IB non è soddisfatta e cio
va contro le ipotesi ai saturazione infatti Io non dovreste
riuscire a seguire la reazione proporzionale
assurdo
2a ipotesi Polarizza diretta attiva
so che vale IaB Io 50 0,043mA 2,15 ma
Ic Su Uc 2,15mA 5V vce2 isv sk
2.75V1n
ol.direnaait f
Vce 7 UBE 0,7 v E verificato
SI l'ipotesi è quindi confermata

IL punto di lavoro E soio sa
Q Ic 2.15nA e Uce 2,75
detto punto a lavoro Perche Dati i valori riesco a trovare il
punto a funzionamento per la rata rete di polarizzazione
la rete si Polarizza Che mi interessa per ora e quella
minimale vista prima new esempio
transistor molto importante New Elettronica statale in quanto permette
di realizzare una Porta noi
app rotansi mento

Polarizzazione del BJT pnp

•
Calcolare IC e VEC (β=50)

Trattandosi di un pnp le tensioni devono essere

viste al contrario (es. il BJT conduce se

Veb>0,7V)

– Ipotesi: polarizzazione attiva

– La tensione in base è 9V-0,7V=8,3V

– 8,3V = 18k*IB + 1k*(IB+IC)

– IC = β*IB = 50*IB

– 8,3V = 18k*IB + 1k*51*IB = 69k*IB

– IB = 0,12mA IC = 6 mA

– 9V - VEC – 1k*(IB+IC) = 0

– VEC = 9V- 1k*6,12mA = 2,88V

Attenzione, l'esercizio non è finito, ma bisogna

verificare che l'ipotesi di polarizzazione attiva

sia corretta ossia che la giunzione JC sia

polarizzata inversamente)

– VCB = – 18k*IB = -2,18V (<0, ipotesi

polarizzazione attiva corretta)
7

trovare il punto _i lavoro in questo caso significa
calcolare Ic e la tensione Vel non più Uce
Ipotizziamo polarizzazione Attiva Vedi slide

•
Calcolare IC e VCE (β=75)

– 12V-36k*I=18k*(I-IB)

– 12V-36k*I-0,7V-16k*IE =0

– Risolvendo la prima eq. in I e sostituendo nella

seconda e ricordando che IE=IB+IC si ottiene:

12V- 36k*(12+18*IB)/54k -0,7V-16k*76*IB

– 12V-8V- 12k*IB -0,7V – 1216k*IB

– IB = 3,3V/1228k = 2,68 µA

– IC = β*IB = 75*IB = 201 µA

– VCE = 12V – 22k*IC – 16k*IE = 4,32V

– VBC = VBE - VCE = -3,62 V (negativa,

ipotesi polarizzazione attiva corretta)

Si poteva risolvere anche con Thevenin

– Veq = tensione di partitore

– Req = resistenza parallelo equivalente

NON È ad emettitore comune l'emettitore e su una resistenza
vcc.at 2V
ipotesi di polarizzazione attiva diretta

r Rc
tra
22ha
12 I 3611 4 Ira 18k
75
13
a an Iri I Irs
IB a
Iri 12W I 36K I Is 1811
Ri 18kt RE ma se ipotizzopolarizza sirena so che la
16kt canta tra rose es E E 0,7
ian
Vi Iri.l8k
Vbet16kiIe12V
7vt16KfIbtIc7_
I 36K O
Pol.o Irena Ic B Io
0,7 tight Ibtp ID O.tv 16k.IB 76
Mi
Ritrovo con questosistema sa risolvere
Ricavo
Io 2,68µA Ice 201µA
ce 12W 22k.EC 16k.IE 4,32W
BC UBE UCE 3,62 LO ipotesi si polarizza
Attiva stretta e
corretta
ragionamento
se Vs Vc VB Vc Vb Ve Vc ve va Xe ve
VIE Vs VE
VB.ve
Ho dimostrato
l'uguaglianza

•
Calcolare RC e RE

Nota: il circuito è equivalente a quello deve la

tensione minore è posta a zero

– Ipotesi polarizzazione diretta

– 5V-RC*Ic- VCE -RE*IE = -5

– -RB*IB - VBE - RE*IE = -5

– Dalla seconda eq. sostituisco IB = IC /β = 5µA

e IE = IC + IB = 505µA e ricavo RE = 7,92kΩ e

quindi dalla prima equazione ricavo RC = 4,0kΩ

– Devo verificare l’ipotesi del transistore in zona

diretta:

– VBE > 0 OK

– VBC = VB - VC = -RB*IB – (5V- RC*IC ) - 0,3 - 3 =

- 3,3V negativa quindi OK

110 1 5
13 100 Ic 0,5mA Uce Liv listone 0,74 Reebok r
sarebbe equivalente se sommassi a
tutte le tensioni JU
tu
SI l'importante e mantenere le stesse
D d P al Potenziale tra i vari punti
Fb domanda ricavare Rc es Re dato
Re il punto di lavoro
te
studio El circuito Parto dal circuito d'inorresso
5W RB Ib 0,7 v Re Ie 0 ma so cue Recover
use Ice 0,5nA
IB Fsc 5µA 13 100

ce Liv
IE IB Ic 505µA
10W Rc Ic Uce Re Ic 0
Re 4su_sina.rs
55µA Rb 0,7 5ò ti
ricavo RE
10 500µA Rc Liu 505µA Re Re Liv 7,9kt

505nA
Ricavo Rc
GV 500µA Rc 4,3 t 5µA Cooke D
Gv 4,340,3W Rc Rc Zu 4 Kr
500µA
500µA
Ricavo Udc Vb Vc VIE UCE 0,7N Live 3,3

F cura 1 i
Processi di fabbricazione

Transistore BJT npn

– Si parte da una regione drogata

Sulla quale viene fatto crescere uno strato di biossido di Si e applicato uno

strato di fotoresist e una maschera.

– Si espone a raggi ultravioletti e la parte di fotoresist non coperta dalla

maschera viene rimossa; mediante attacchi chimici viene rimosso il SiO2

creando varchi per esposizione al drogante

E’ più difficile integrare resistenze

10

IL Processo di creazione di una giunzione RN non
avviene linen piccolissimi pezzi silicio troppo costoso
Opera Per strati
parto da una zona scovata n voglio fare un noioso
vaso Quindi a drogare la Zona n con una zona drogata p
ovvero espongo la zona in un El materiale p
creo una maschera per poter realizzare strati successivi
presi il pezzo n es applica suiia superficie una maschera
si assiso si assiso a scucio sopra i ossia applico El
Photoresist ovvero del materiale cue viene arroccato sana luce e
poi una maschera
maschera strato che Ripara Dalla luce in certe parti
NE apatico una con 2 buchi in modo da avere 2 Zone
coliate da raggi ultravioletti luce
la parte si photoresist non coperta dalla maschera viene eliminata
E viene Eliminato annue in bi ossia di silicio idolo quello
non coperto creo così sei buchi che verranno esposti al
arooan.ee E creeranno una regione p resi focosa 1
Suse sopra
P drogante p
photoresist
vaso a adire ciò cue
µ Ét m
e'certo manonera
il arrogante p entra sono
nei fori avevano avuto

le
quelle zone avara a contatto
Si ora con la zona n e creerà

in
una regione p
il processo viene poi re iterato parto aan blocco sopra tolgo e
rimeno tossine ovunque ri meno in photoresist E applico una
nuova maschera con gli stessi fori ma piu piccoli
capisco Poi il materiale con arrocante n e creo così una nuova
regione n au à sopra pena p
NB I RAGGI Ultravioletti servono per pulire dal photoresist ove
non c'è la maschera il bi ossido al silicio viene tonto
con attacchi chimici rosso poi capire lo strato sottostante
G il arrogante
alla Fine del processo ho il blocco originale con ali interno
un'area p e a sua volta un Ani interno un'area ti
Facevano uscire DEI fini sa ciascuna delle

3 ZONE creo un
transistor
io
I Processi con i Quali
realizzo le ciunzioni Sono
Detti si Fotolitografia
volevano essere più Precisi
non si parte sano strato n ssa sensi da un substrato
Quindi non ho 2 processi di oro Ciaccio ma sensi 3
anche il suo strato E silicio rogato ma in quantita novo minore
struttura che ottengo è detta Epitassiale
la
planare
l'integrazione di Resistenze e morto tracce

devo integrare nel substrato dei percorsi con resistenza nota
turava la miniaturizzazione deve resistenze e piu airmail
di queiia del transistor sono piu cicciottelle
ciò determinerà la fine dei dispositivi Bipolari a
favore dei dispositivi Cmos dato Cue quest ultimi
NON HANNO bisogno di resistenze
la R iizzazione sei consensator E molto più Facile
È sufficiente applicare uno strato si ossi 0 Esso
diventa il dielettrico del condensatore
Il condensatore MOS

La deposizione di SiO2 crea un

condensatore

– Lo strato di SiO2 è il dielettrico (pochi nm)

– E’ molto facile realizzare una C

– Nei transistori si hanno molte C non volute

•
Se VG è a tensione negativa o nulla (accumulazione)

– Le lacune del substrato si accumulano presso lo strato di SiO2

Se VG è a tensione positiva e < Vth (svuotamento)

– Le lacune del substrato vicino allo strato di SiO2 sono respinte nel

substrato e si crea uno strato a debole carica negativa

Se VG è a tensione positiva e > Vth (inversione)

– Per effetto body si genera uno strato di portatori n nel substrato vicino

allo strato di SiO2 (canale n di conduzione)

11

Tutta la tecnologia MOS Parte dal conservatore nos
parto dal substrato p visto Prima ci metto sopra
dell ossido E Poi UN Elettrodo Di metallo
Ottengo una zona erogata p con sopra un elettro o a
metano ma separate Uno strano di ossido une pero
E sottilissima 10 m
cio mi sa delle capacita parassite che si fatto
non vorrei Nesi figura sci e sopra
cosa succede se applico una tensione al terminale Vg
ovvero il terminale dell Elettrodo
SE Vg e a tensione negativa le lacune substrato
drogato p si vanno ad accumulare sullo strato i
bi ossi o si silicio
SE è positiva ma relativamente piccola le lacune vicine
anno
Vg strato ai bi ossia sono respinte si crea quindi via
piccola regione si carica spaziale che sarà negativa

la regione si crea tra il sub strato p era il biossido
SE E positiva Eo ac si sopra di una certa regione
Vg
si sogna setta Vtb si verifica uno strano effetto retto
Effetto Body
si viene a creare un forte strato ti ami interfaccia tra
p E si ossi 0 questaregionedrogata ne dettaregione di inversione
i Portatori non sono piu le lacune ma gli è
che viaggiano neiia regione cue s e appena creata
tutte LE lacune sono state buttate verso il basso è come se
avessi slogato in una certa regione
il transistore nos permette ai creare un canale si consuzione
tra 2 Punti noi sono più detti canestre es emettitore ma
bensì drain E Source
DIFFERENZA CON il transistore bipolare
nel TR devo Poverizzare una tensione base emettitore ma
devo anche iniettare una corrente di base senza quest'ultima
non si Genera corrente ai collettore e quindi nemmeno
Aui emettitore
nel consensatore non devo iniettare corrente E un effetto
capacitivo mi Basta Poiarizzare in tensione con corrente di
base niuna riesco a creare condizione tra 2 Punti
e
riesco a creare transistor cue non hanno bisogno d correnti quindi sono

Il condensatore MOS

L’area di inversione è come un canale di portatori n in substrato p

si

regione
inversione

12

Transistore MOS

Condensatore con due regioni opposte a lato

– Se applico VGS>Vth si crea un canale di conduzione n tra Drain e Source

(conduzione se VDS>0) -> nMOS

– Corrente di Body (substrato) nulla

– Ingresso (gate) capacitivo, corrente di Gate IG nulla (perdite)

13

I transistor nos
sono costruiti basandosi sul principio del canale si Consuzione

effetto rosy
sono costruiti da un Gate G il quale e si faro la
Faccia metallica see condensatore a cui assiamo parlato in
precedenza poi si creano 2 Pozzi drogati h che vengono
semi source e drain fa erano non saranno drogati amo stesso
morso avranno deve aererente
è il conservatore cue assiamo gia visto

pezzo
questo
2 Regioni in cui
rissiamo aggiunto come novita confinano

con il conservatore
mi aspetto anno che tra queste 2 regioni forano e source
non scorra corrente a meno cue non aprichi al Gate
una tensione superiore alla tensione si sogna
se ciò accade mi si crea un canale negativo
effetto rosy tra le 2 zone negative ho quasi vi area
tutta neoativa E sasanaosisowear eereneesisrooaoc.io
tra orari e source posso far scorrere corrente in
un determinato verso
sul disegno sono indicate 4 Correnti
Corrente del corpo IB
corrente di strain di
corrente di source is
corrente sei gare fig
inoltre si ha la corrente à sur strano are però si consisena
Nulla
la corrente del Gate è la corrente di un conservatore uno anno
carica e scarica limitate nel tempo considero nulla questa corrente
comunque pari alle perdite

o
gate pilotato solo in tensione e con corrente nulla
ovvero no una potenza di ingresso praticamente niuna
inoltre dato che tra source e drain ho praticamente tutta
una regione la resistenza

me Gli è trovano E
morto Passa mi aspetto avvisi che la Uds sia Piccola
ho quindi che la potenza in ivoresso e praticamente nulla in
uscita ho correnti che Possono essere elevate ma tensioni
molto Basse potenza in uscita piccola
i Dispositivi nos consumano meno ai livelli Bipolari luna
Posso metterli piu vicini E quindi Posso Farci più piccoli
consideriamo pero il canone velocita
in generale i tempi dipendono save capacità infatti esse si
oppongono variazioni si tensione rallentano.ee

alle
se anno ho seu n.li veloci quasi tante variazioni si tensione
se no amore seme capacita tali variazioni vengono rallentate
µ
nos tra vantaggio di avere una bassa potenza e lo
il
Svantaggio si avere un condensatore integrato e annoi e un
dispositivo più lento rispetto al Bipolare
Comportamento del nMOS (R-like) VGS-Vth>VDS

non
meeamare

e
•
Si ha conduzione ID da Drain a Source solo nel caso c) se VDS>0

– Se VGS-Vth>VDS>0 allora ID=k(VGS-Vth)VDS Regione Lineare (triodo)

– Il transistore si comporta come un resistore tra S e D controllato da VGS

14

altra caratteristica del transistore nos
esistono 2 Tim nos

si
1 N nos nos con Canale n sub strato p
2 p nos nos con canale p sua strato
Ci concentriamo sul transistore N nos
consideriamo Vos 7 sogna
il canale di condizione con i 2 rozzi drogati si comporta
come un materiale con una certa resistivita ovvero come
una resistenza la tensione Vas ai suoi cari e legata
alla corrente Ids o anni id sa una costante e proporzionalità
da legge si 0hm I g G e costante Fin tanto cue
Vas e una costante
questa massaia a funzionamento il transistore si
comporta come una resistenza di cui possiamo scegliere il
valore aceri sui ingresso Ubs vano se la
Vas è superiore aiia tensione si sogna Utri e

tensione
la loro sircerenza E maggiore si vgs.VN V
inoltre Ds e Iss sono legate da Id KI vos th V

vanno s.es Ho il comportamento di resistenza
nMOS: regione lineare e saturazione VGS-Vth<VDS

Se VDS cresce si ha strozzamento del canale (pinch-off)

– ID satura ad un valore costante indipendente da VDS e dipendente da VGS

– ID = (k/2)(VGS-Vth)2

15

Regione a saturazione
Ipotizziamo di avere un transistor in che si censoria come
resistenza
se faccio passare molta corrente Aurora aumenta di mano
la differenza si tensione Vasi tra draw E source a causa
della relazione Is KINGS Uta Vas
il canale quindi non è aI simmetrico ma comincia a
sbilanciarsi a causa seno sbilanciamento di tensione tra
orari e source
es Se drain è ad un Potenziale maggiore
per semplicità poncio source a massa
ho me la corrente Fruisce sa drain verso source
Gli è seguiranno il percorso opposto vanno verso draw
tuttavia essendoci uno sbilanciamento tu che la carenezza del
canale non e mi vuole sa entrambi i lati anzi la canonizza
Sul drain diventa tenore più piccola sa.ro Che devia sempre
più positivo e avvisi tende ad annusare tenero del canale
Si verifica l'effetto i PINCH Off o o strozzamento
il canale si strozza e quindi la corrente non riesce E A
esiste un turno di Equilibrio in cui la

salire Di valore
corrente è costante e insperisentemente Vasi al di sopra
riesce a salire
di un certo valore non
coniazione a saturazione la corrente non Può aumentare
in consizione si saturazione vale la relazione
Ide KR Vos Viii
La coniazione di saturazione e sara sai
Gs tu Vos
RIASSUNTO DEL FUNZIONAMENTO dell NMOS
SE Ugs L th sogna
non si crea il canale drain e source rimangono isolati
e non succede nulla
o se vos 0 ma sciita
ho la regione a svuotamento ma passa pochissima
corrente corrente i Peralta per semaicità non
la considero
approssima questi 2 casi ac transistore spento
o se Vas Utri
si Crea il canale e inizia a scorrere corrente
tuttavia Fiume scorre una corrente limitata la tensione
Vas rimane piccola ovvero vale vos tu Urss
caso si Vos letti 7 UDS
il canale e molto largo e la corrente può raise
vaie la reazione Ide k vos via vos
Id
All'aumentare selva correntev aumenta averne la tensione voti
ciò provoca uno sbilanciamento sei canale Fino
a quan o quest'ultimo si strozza ovvero si assottona
a ta punto da limitare il flusso ai e e avvisi
anche pena corrente Ed
la corrente Ia e limitata sono strozzamento avuto
alla differenza di Potenziale tra draw e source
consizione GS Th Uds
ha corrente non e quasi più recata aha voi ma
assume un valore costante pari Io KR vos Utri
pMOS
svssrn.no

canale p

è il ovale annosi

•
Funzionamento duale

– Conduce per VG<0

16

nMOS e pMOS

•
Funzionamento duale

(si considerano VSD e VSG invece di VDS e VGS ed è tutto uguale)

commenteremo
rossonere
spezzata www.oern unorw

correnteaveva
costante un
avaro sana
moaamentowearea.in
I
innervano nMOS pMOS

17

MOS a svuotamento

•
Si crea un canale per impiantazione ionica
•
Per VGS = 0 scorre corrente IDS e serve VGS < 0 per aver IDS=0
(nMOS).

Per pMOS considerare VSG e ISD

18

nos a svuotamento
Funziona al contrario quelli Visti prima sono aeri ad
arricchimento perche o una tensione su Cate
arricchisco creo un canale si cavazione
svuotamento opposto va o a drogare la regione sei carraie
in modo quivi normalmente tra coniazione
ho il canale n attraverso la tensione ai
Care rue sarà negativa vaso Eliminare il
canale in nero sa attirare le lacune
anche in questo caso posso prevedere le Varianti con
canale p e coi canale n
in totale ho 4 transistor
tabella molto utile
Tipi di MOS

rammentoi

aseco a arena rarità i
canale a consumare

nMOS (arricchimento)

D

G

pMOS (arricchimento)

G D

G D

19

nMOS arricchimento: riassunto

Il transistore nMOS ad arricchimento è un condensatore MOS con

come amore comewww.re
substrato

p e aree laterali di drogaggio n (Source e Drain)

•
Il gate è isolato (strato di SiO2), IG ≈0 (ho una capacità d’ingresso)
•
Esiste una tensione di soglia Vth (=VTN ~1V nel nMOS) con la quale
si
confronta la tensione V , nell’ipotesi V >0
GS DS

•
Se VGS - VTN << 0 Source (S) e Drain (D) sono isolate
•
Se VGS - VTN < 0 si crea una regione di svuotamento ma passa solo

una

debolissima corrente (perdite)

•
Se VGS - VTN >~ 0 si incomincia a creare un sottile canale di

conduzione

che genera una corrente IDS = ID che dipende da VDS

•
Se VDS è piccolo, ossia VGS-VTN>VDS>0 allora IDS = k(VGS-Vth)VDS

– Regione lineare (Triodo), k ~ 100µA/V2

– Il transistore si comporta come un resistore tra S e D con R≈k(VGS-VTN)-1

•Se

0 < VGS - VTN < VDS allora IDS = (k/2)(VGS-Vth)2

– Si chiama saturazione perché ID non aumenta più all’aumentare di VDS

– Il grande valore di VDS sbilancia il canale che si strozza (pinch-off)
20

N mos ad arricchimento => il canale è indotto dalla tensione sul gate, non è dovuto ad un drogaggio
Il gate è isolato da uno strato di Ib-ossido di silicio, quindi la corrente di gate è praticamente nulla
Tuttavia ho una capacità di ingresso, quindi applicando una variazione di tensione in ingresso, essa
verrà percepita in ritardo dal transistore mos a causa di tale capacità
Esiste una tensione di soglia, di circa 1V nel N-mos ad arricchimento, con la quale si confronta la
tensione Vgs, ovvero la differenza di potenziale tra gate e source , nel caso valga l’ipotesi Vds > 0,
ovvero nell’ipotesi che la corrente scorra da drain a source
Se Vgs - Vtn < 0 (dove Vtn è la soglia), allora source e drain sono isolati , dato che non si crea il
canale di conduzione e, vicino al sub-strato di Ib-ossido di silicio, si hanno le lacune, ovvero l’esatto
opposto del canale n
Se Vgs - Vtn < 0 ma Vgs > 0, allora si crea una regione di svuotamento, in cui passa una corrente
debolissima, dato che la regione è svuotata dalle lacune e quindi gli elettroni possono passare ma
non sono incentivati a farlo => c’è corrente ma è piccolissima, quasi nulla
Se Vgs - Vtn > 0 ma molto piccola, si genera l’effetto body, ovvero si inizia a creare un sottile canale
di conduzione che genera una corrente Ids, ovvero che scorre dal drain al source e che per
convenzione chiamiamo Idrain; tale corrente dipende da Vds, finché Vds è piccolo ( ovvero Vgs -
Vtn > Vds > 0) allora Ids = K * (Vgs - Vtn) * Vds , tale regione è detta lineare perché la Ids è legata a
Vds da una costante K, che tipicamente vale 100 microA/V^2
Ho quindi che il transistore si comporta come un resistore tra source e drain, la cui resistenza è pari
all’inverso di K*(Vgs-Vtn)
L’aumento di Ids porta ad un conseguente aumento di Vds, se Vds aumenta fino a diventare Vds >
Vgs - Vtn, allora lo sbilanciamento del canale diventa superiore alla capacità Vgs - Vtn di creare il
canale, quindi la corrente trova un suo punto di equilibrio per cui non aumenta più all’aumentare di
Vds, ho quindi che vale la relazione Ids = ( K/2 ) * ( Vgs - Vth ) ^2 , con Ids che per l’appunto rimane
costante all’aumentare di Vds e per questo motivo, tale situazione è detta di saturazione, il canale si
strozza (pinch off)
V B Wth Utri tensione si sogna
semprevanno rese i
transistor nos
MOS, polarizzazione
• Trovare punto di lavoro, IDS, VDS
• Ipotesi: saturazione IDS = (k/2)(VGS-Vth)2
• IG=0 quindi VGS è la tensione di partitore di R1 su R2, VGS = 3V
• IDS= 12.5*22 = 50 µA
• VDD-RD*ID-VDS=0 da cui e VDS = 5V
•Verifica ipotesi saturazione: VDS > VGS-Vth ossia 5>2 OK
ottenuto appena
evenin
21
come per i bipolari data unarete si rovarizzazione ricavare
il punto di lavoro del transistor
o viceversa se no un certo punto di lavoro cue valori si

resistenza devo mettere
10 Esercizio
dati del
problema
trovare il PUNTO di lavoro Isis e Uss

la cosa sa fare formulare un'ipotesi
Ipotizzo cue il transistore lavori in saturazione

Ids KR Vos Uta
dal Problema so che Utri IV E NN 25µA µ
sappiamo che la corrente al Gate e nulla luna la tensione
ai gate Può essere ricavata facendo da partitore
Ugl Voce 300K 3W

30011 70011
calcolo Iss Iss 12.5 22 50µA Id

ci manca la Uss
Lilt Vda Rd Io Vas D Visse 5W
NON mi rimane che verificare se l'ipotesi fatta e corretta
Uds Ngs Vizi 5 72 vero v'ipotesi

è verificata
MOS, polarizzazione
• Trovare punto di lavoro,
IDS, VDS
• Ipotesi: saturazione IDS =
(k/2)(VGS-Vth)2
• IG=0 quindi VG è la
tensione di partitore di R1
su R2, VG = 4V
• 4 = VGS + RS*IDS = VGS + RS* (k/2)(VGS-Vth)2 da cui
• VGS2+0.05VGS−7.21=0 le cui soluzioni sono VGS= -2.71V; 2.66V
• La prima soluzione VGS<Vth è contraria all’ipotesi (interdizione)
• ID = 12.5*1.662 = 34.4 µA
• VDD-RD*ID-VDS-RS*ID=0 da cui e VDS = 6.08 V
• Verifica ipotesi saturazione: VDS > VGS-Vth ossia 6>1.6 OK
22
Parto potizzanso la saturazione
Corrente al gate sappiamo Essere 0 Possiamo ricavare

la tensione si Gate Vg usavano il partitone
VG Vod Ri 10 In 4W
Mitra 2,5M
ora però source non e a massa Vos Vc Rs IDs
calcolo Iss ho ipotizzato saturazione
Iss KR Ubs Viii
Sostituisco es omerico un'equazione in cui l'unica incognita
E Gs
vos G Rs Kr vos letti
Vos 0,05 Vos 7,21 0
Vos 2.71 impossibile serene ho
supposto la saturazione
lui i ca scarto
052 2.6GW sanzione corretta
N.rs
Se ottenessi 2 soluzioni Positive dovrei tirarmi Avanti nei conti
entrambi i risultati
calcolo Ia 12,5 1,662 34,4µA

da Chi ama maglia di DX ricavo V
V RD Id Vat Rj I 0 Vas 6,08
verifica l'ipotesi di saturazione
Uss Vos Vita 6 1,6 verificato

MOS, polarizzazione
• Trovare punto di lavoro, IDS,
VDS (VTN = Vth)
• Ipotesi: saturazione IDS=ID=
(k/2)(VGS-Vth)2
• IG=0 quindi VGS = VDS
• VGS = VDS = VDD - ID*RD
• VGS = VDD - RD* (k/2)(VGS-Vth)2 da cui

• 1.3VGS2-1.6VGS−2=0 le cui soluzioni sono VGS= -0.769V; 2.0V
• La prima soluzione VGS<Vth è contraria all’ipotesi (interdizione)
• ID = (k/2)(VGS-Vth)2 = 1.3*10-4*12 = 130 µA
• Verifica ipotesi saturazione: VDS > VGS-Vth ossia 2>1 OK
23
trovare il punto a lavoro
ipotizzo la saturazione
v b
per il bipolare l'ipotesi più probabile e l'Anna sirena
per il nos e la saturazione
so che Io D RG non scorre corrente
in
la tensione di base è uguale avea tensione si drain
Gs Uss
Parco si vos e non a VG perche source e A massa
calcolo Ups
da cui maglia a sx 65 Uss Va Io RD
Da saturazione so cue Isis Io 11 2 vos Hh
Sostituisco Vos Voi Rd 1112 Gs Utri
ti cosa 0,769L contraria Avi _notes
di saturazione Vbsluth
la Elimino
cosa ZU
ricavo Id
I 1,3 10.4 12 130µA
verifico l'ipotesi Di saturazione
Vos Vos Tu 2 1 verificato
MOS, polarizzazione
• Trovare punto di lavoro, IDS,
VDS (VTN = Vth)
• Ipotesi: saturazione IDS=ID=
(k/2)(VGS-Vth)2
• IG=0 quindi VGS = VDD = 4V
• ID = 125(4V-1V)2 = 1.125 mA
• VDS = VDD - RD* ID = 2.2V
• Verifica ipotesi saturazione: VDS > VGS-Vth ossia 2.2>3 NO!
• Ipotesi funzionamento in regione lineare ID=k(VGS-Vth)VDS
• ID=k(VGS-Vth)VDS = 250µ*3*VDS e
• VDS = VDD - RD* ID = 4-1.6k*ID
• Risolvendo il sistema si trova VDS = 4/2.2 = 1.82V e ID = 1.365mA
• Verifica ipotesi lineare: VGS-Vth>VDS>0 ossia 3>1.82>0 OK
24
trovare il punto di lavoro
ipotizza saturazione
GS Vg 4 V sato cue source e A massa
Ia Iss 1112 Vos Utri 125 Gv IV 1,125mA

calcolo Vas Vas Usa Ro Io 2 ZU sa lui
macina DX
verifico l'ipotesi UDS 7 Vos Viii 2.2 3 NON

verificato
2 ipotesi funzionamento µ regione lineare Io kfvgs.VN VDs
vale ancora me UGS Va LN non si eroe davi ipotesi
Id 2504 3 UDS mi manca Vas

Apatico ancora lui Uss Vasi RD.is 4 1,611 Id
sostituendo veli equazione Uss 4 1
2 z
E Ida 1,365mA
Verifico l'IPOTESI Gs TH UDS 70 3 1,8270

verificato
Fondamenti di
Elettronica, Sez.4
Alessandra Flammini
030-3715627 Lunedì 16:30-18:30

Amplificatori operazionali
e comparatori
riassunto iniziale sul Funzionamento del 2 transistor

1
Uso dei transistori (BJT o MOS)
• I transistori in zona lineare sono utilizzati come amplificatori
– un amplificatore ideale di tensione ha elevata impedenza di ingresso e
bassa impedenza di uscita
– un amplificatore ideale di tensione è in grado di mantenere la tensione
voluta scambiando qualsiasi corrente
– un amplificatore con guadagno elevatissimo è un comparatore ossia ha
tensione di uscita tra i due estremi di alimentazione (una piccola tensione
positiva viene amplificata a +Vcc, una piccola tensione negativa va a –Vcc)
• I transistori in zona di interdizione e saturazione sono utilizzati
senon superala tensione a sana interraresoe.no non passacorrente
come interruttori avenanon passacome
seinveceainuoresi
aw una
me ne conoreresti
r.me
ntensione
penso
corrente
una
ono passa
scarsa
correntemaorainrosso
asanaamen correva ore a correntecorrentecnn.esinassoicasi
res ma ean menoore acceso
– un transistore in zona di interdizione (e nella limitrofa zona attiva) ha una

corrente IC (o ID) molto piccola e quindi si comporta come una resistenza di
valore molto elevato (interruttore aperto)
– un transistore in zona di saturazione (e nella limitrofa zona attiva) ha una
corrente IC (o ID) molto grande e quindi si comporta come una resistenza di
valore molto basso (interruttore chiuso)
– Con gli interruttori si realizzano funzioni a logica digitale
2
L’amplificatore operazionale
3
L’amplificatore operazionale (modello)
+Vcc
V+
• Tensione di alimentazione bipolare V- Vo
– tip. +Vcc=+5V -Vee=-5V -Vee
+Vcc
• Ri ~ ∞
– Non entra corrente negli ingressi V+
Ri
• Ro ~ 0 Ro Vo
Vid
– L’uscita dipende da Vi (e non da Io) + A·Vi
-
V-
•A~∞ Vo = A·Vid = A·(V+ - V-) Gnd (=(Vcc-Vee)/2)
A ~ 106 quindi il dispositivo non è in -Vee
saturazione solo se Vid molto piccolo (V+≈V-)
- Se |Vid| < 5V/A ≈ 5µV allora –Vee<Vout<Vcc
(Amplificatore, sommatore, ecc. con V+≈V-)
- Se |Vid| > 5µV allora Vout=-Vee o Vout=Vcc
(Comparatore, con V+ ≠ V- )
• Funzionamento in DC e in AC
– Banda passante infinita
4
Ansamento incresso use
l'ammiratore operazionale
Simbolo
2 wore Ut e U
1 uscita vo
2 tensioni di alimentazione Va e Vee
Fisicamente e COSÌ
modello comportamentale
per funzionare necessita si 2 alimentazioni in
quelli piu moservi l'alimentazione relativa
Può essere messa a massa
i
D se porco inumentazione relativa a massa
Allora la massa terminale comune diventa
il Punto meno tra voi e Vee a massa
ovvero aveva vcc.tl
ingressi abbiamo un ingresso positivo es uno negativo essi hanno
internamente un impedenza molto elevata
innocenza se amico una tensione a morsetti sia 0mm
l'impedenza sara la tensione diviso la
corrente che entra Da un morsetto ed esce
dall altro
nel nostro nasello l'impedenza si considera o ovvero
non entra e non ESCE corrente dagli ingressi
uscita la resistenza d'uscita Ro si considera invece pari a 0 questo

perche collegata a Essa c'e un generatore cue sai una
TENSIONE D'uscita Va pari ad A Via Vo
Funzionamento nel Commesso
si ha una tensione in inoresso corrispondente alla tensione
tra i 2 morsetti nei quali non entra corrente resistenza
ai ingresso ri
tv uscita ho un generatore si tensione pari Ad A Via ovvero
vaso a amplificare la tensione me sui morsetti in ingresso
no
A E un numero molto grave la resistenza Ra invece è 0 perche
devo poter conoscere Voi uscita insipensentemente sana corrente
questo serve varrebbe l'equazione corrente.is.in
Vo A via io.RO
SE 120 avrei uno sbilanciamento tra la VO E la tensione
del generatore per far sì che sia costante insipensero
tenente sana corrente d'uscita impongo cue 120
vena realtà è una resistenza Bassissima
approssimazioni usate
Rie
Ro D
amplificazione A
ma a cosa serve A sa
A prima vista sembrerebbe servire sono quasi in ingresso tra una
tensione piccolissima
lo applico Via 1mV es aumento con Va SV Vee JU
parco A 106
In linea teorica ateneo Va A via 1000
valore
Altissimo
neiia cio non Avviene a causa dei Fenomeni a saturazione
realta
se il componente e aumentato tra SU E SU l'uscita non
potra mai uscire da Questi limiti quindi l'uscita sara uguale ha
A vid SE E solo se tale valore e compreso tra Va E Vee
Altrimenti l'uscita sara va o Vee in questo caso
se ponessi c'incresso V
a massa e facessi entrare un
negativo
segnale sinusoidale in INGRESSO a Vt Otterrei in uscita
un onda quadra Appena va sinusoise è 0 Ottengo il limite
d'uscita sanno per scontato di sforare dal range non
aveva la sinusoise e LO ottengo il limite inferiore Vee
di Kaito e amplificatore Funziona sempre in saturazione
Altra approssimazione sansa passante o qualsiasi sia la sivuso.ae

IN Noresso fanno per qualsiasi Frequenta ottengo sempre la
stessa uscita vena realtà è così
Il Comparatore V+
+Vcc
Vo
• Se metto l’ingresso V- a massa V-
-Vee
e porto un segnale Vin su V+ +Vcc
ottengo un comparatore V+
Vin
– tip. +Vcc=+5V -Vee=-5V Ri
Ro Vo
Vid
• A~∞ Vo = A·Vid = A·(V+ - V-)
+
A·Vi
-A~ 106 quindi il dispositivo non è in -
V-
saturazione solo se V+ ≈ V- Gnd
- Se |Vid=V+|>5µV allora Gnd -Vee Regione
Vout=-Vee ("0") o Vout=Vcc ("1") comparatore
Regione
• Il problema del rumore amplificatore
– Se V+ è piccolo, basta poco rumore per
continuare a commutare
• I morsetti V+ e V- sono simmetrici
5
Il comparatore particolare circuito Di utilizzo dell'amplificatore
pongo l'inoresso V a massa

pongo il mio ingresso Vin suo morsetto Vi
SE Vin 0 out tua e quivi l'uscita e positiva
se un 0 out Vee e x i negativa
la regione ai amplificazione e risona a rumore ovvero la zona

in cui l'uscita non va al massimo E piccolissima
quanto vale il rumore elettronico

si norma si considera pari a 100mV quivi sono i santi
si parla a elettronica a basso rumore
NEL nostro caso ci troveremo sempre in zona ai rumore
per questo motivo sani come ingresso una Sinusoise sul
suo fronte voteremo un brusco su e giù
PER Fare un BUON componente vado quivi a Fare quella

che è detta reazione positiva o retroazione
percorso che collega l'uscita agli incressi
si parla i positiva se il
reazione
wwwes
wwwname colecamento avviene da uscita ad ingresso
e.mnae
era positivo viceversa si parla di reazione
negativa
Differenza tra retroazione positiva e negativa

Ricordiamo il funzionamento se Vi V Aurora in uscita
t.io Vcc se vi v i uscita ta Wee
vediamo cosa successe nei 2 casi con la retroazione
caso con retroazione positiva
Vt 7 V in uscita no va 70
attraverso la retroazione
vaso as aumentare il valore di Vt E luna
aumento il divario con v
la retroazione mi porta verso la saturazione
Anne se magari inizialmente vi era i pochissimo
superiore A V
V in uscita ho una tensione venatura che va a

azsassare Vi spineti così l'uscita verso
la saturazioni negativa
la retroazione positiva spinge sempre verso la saturazione
aumenta so lo sbilanciamento tra Gli ingressi
Analizziamo questo circuito

Nelli ingressi non entra corrente luna V vs
e Vt partitore si tensione si va su 12
rispetto ad Rn e R2
Vt Vo Ri
cnn.no 3 Ri fRitR2 Ritira
ottengo me Vt Vo 13
Applico un serra variabile Vs in incresso a V i

SE Vs ti
o Vcc e vcc.BE quindi aumentarispetto A prima
Se vs Vt
vo Vee e Vt Vee 13 e quindi diminuisce
Quello cue ottengo nel complesso e un comparatore con isteresi

l'isteresi comportamento
e un cue separa quindi se io
parto per Esempio da UNA Us molto neoativa e tale
cue vs LUX ho are Vo Va in uscita
la soglia con la quale vs si va a confrontare E B
quindi rimane Vs B l'uscita e Voice non spae'na
vs supera la doccia o B'Vcc e punsi v Vt omerico
che l'uscita diventa vo Vee 20 tale valore relativo va
a diminuire la renren.co negativo
la nuova soglia da osservare B Vee con Us are
ora e
rimane macciare seno sogna Remsen così l'uscita negativa
se Us dovesse minare fino a scernere sono B vee si
ripeterebbe il Processo inverso con l'uscita che diventerebbe V p.ve
E la nuova soglia B
N questo modo riesco a risolvere il problema del Rumore vena
costruzione see comparatore infatti
senza retroazione SE Vin è prossima amo 0 tuo rumore e
Quindi l'usura continua a commutare tra
cc e Vee infatti mi basta una Piccola
alterazione seni increase per passare s.ae
caso v al caso Vi V
esempio zu
su
volt
un I vini
su
analizziamo
cosasuccesse
su
a recisamente
i auestazona
out
su
aparte
la parte positiva e
negativa superiore
èsuperiore
nel caso be dovesse avvenire ciò no rumore
Suv zona a
saturazione
o
un
su
var
su
nella realtà però c'e il problema del rumore

5mV
i
µN É ee
enw s
qIeeIIEIn
su
vai
su
Con retroazione caso positivo ho creato una isteresi
la quale costituisce una Finestra di immunita
contro il rumore
infatti se vs e negativo non è surriciente
che aventi è ma deve superare la soglia
P per cambiare il segno devi uscita
E viceversa
Quasi tutti i Condanatori Si usano con l'isteresi
400hL
nn
Ri V
un
Viveur
volt R2
R2 Vi Vat 20,01 Vat
Ritrae
vini
cosa succede nel punto critico

ovvero quando UN Attraversa lo 0
sono
50mV
7
Vt la goccia oscura tra I 50mV
50mV
su
Vai per calcolare vari seno consiserare avare

Ut infatti ora la soglia non e piu OU
ma vi 0,01 var
su
questo sistema è motore perciò la socia cornuta tra 2 valori

diversi Sonu e quivi ho bisogno di un rumore molto
gran e per ansare a distorcere l'uscita
creo un isteresi
Comparatore con isteresi (reazione positiva)
• La reazione positiva è un percorso tra l’uscita e l’ingresso V+
– Se V+>V- allora l’uscita è positiva e va ad aumentare V+ incrementando lo
sbilanciamento tra gli ingressi (analogamente se V+<V-)
• Circuito con isteresi (reazione positiva)
– Nell’ingresso + non entra corrente e V+ = Vo·R1/(R1+R2) = Vo·β
– Se Vs<V+ allora Vo = Vcc e V+ = Vcc·β
– Se Vs>V+ = Vcc·β allora Vo = -Vee e V+ = -Vee·β e quindi se anche il
rumore porta Vs < Vcc·β questo non provoca commutazione in quanto si
commuta solo per Vs < -Vee·β
6
Amplificatore invertente di tensione (reazione negativa)
•La reazione negativa è un percorso tra l’uscita e l’ingresso V-
– Se V+>V- allora l’uscita è positiva e va ad aumentare V- riducendo lo
sbilanciamento tra gli ingressi (analogamente se V+<V-)
• Vo = - Vs·R2/R1 (salvo situazioni di saturazione, dove V+ <> V-)
– Non entra corrente nel terminale meno di ingresso, quindi la corrente I2
scorre in R1 e in R2 I2 = (Vs-0)/R1 = Vs/R1 I2 = (0-Vo)/R2 = -Vo/R2
– Sostituendo si ottiene Vo = -Vs·R2/R1 (Vs connesso all'ingresso - )
• Sostituendo impedenze alle resistenze si ha Vo = - Vs·Z2/Z1
– Se Z2 è una capacità si ha Vo = -Vs·Z2/R1 = -Vs/jwRC = -(1/RC)∫Vs
7
Reazione negativa percorso tra l'uscita era il percorso V
se ipotizzo cue Vt V Aiiora vai 0 ma in questo
morso riuscita aumenta la tensione si v avvicinano va a Vt
e
reazione positiva aumenta cossicanciamento tra Vt e v
reazione negativa sminuisce lo sananciamento tra Vt e il
µ
in approssimazione possiamo dire che con reazione negativa il
morsetto il va ad inseguire la tensione dei morsetto Vt
quindi le 2 tensioni sono praticamente uguali cio a
meno del fatto cue l'Uscita sia in saturazione se no
saturazione quasi non vale
esempio
R
Irie un Ricorsiamo me
v
la corrente
Ut e E
Un Re Ira
mini var
on Reazione negativa Vi V 0
daro cue vi e
A massa
ti
si parla i massa
virtuale
ha quivi cue
I D Irie Ira
ma Iei Vat V var
Ri ri ricorso ne vale Ir Ira
il
E Ira K Vin vini
R2 Vat UN
Ri 122
il circuito si comporta sia amplificatore e vai vini Ri

Invertene in quanto canaia in seon era 122
amplifica i Ruiz voite nn
È possibile
considerare il circuito anche con le innerenze ovvero
sostituendo ri e R2 con Zi e Zz ateneo
Vat Vw Zi
Zz
I Esattamente come viso per il partitore posso sostituire con
le inserenze
out vini 2C Vin Kdue un 1

R Zaza l 12 It Juice
non Vai Juve
nn
C
considerami sono Ivar ottengo
la fase non mi
lvoutl lvi l.nl interessa
aiutarci
tornando al Nostro circuito considerando un condensatore

Al Posto ai Ri no me
out Vin 7C Vw I
Zr jwc.tl
calcolo ancora
Ivan1 vivi I
WRC
FILTRI
Abbiamo Già visto che il circuito RC si comporta come un
Filtro per le alte infatti
frequenze se sò come ingresso
una sinusoire a bassa Frequenza me la ritrovo in uscita
identica SE invece so in ingresso una sinusoise ad alta frequenza
me la ritrovo in uscita attenuata era un pò in ritardo
posto verificare che il circuito con reazione neoativa si comporta

allo stesso morso
sorge spontanee una sovrana rescue sarei scomodare l'ammiratore

se posso usare circuiti più semplici
es
uomo cue volt 1 vini
3
di fato notai ottenere questo risultato con un partitore
in 2okrvov.mn
Vai Vin 10h Vin 1
10kt 2 10hr0m 3
Problemi del circuito

supponiamo a volerlo usare per aumentare un inferenza
ho il problema che la out cambia a valore perme
l'impedenza è in parallelo con la resistenza
wean verso un nuovo partitore ora
zone vai
vini nn
10h z
10kHz 10h Z Vate lontre in
onta 10in 2 troia
tonta
conclusero
il circuito non va sene se vogliamo aumentare un carico impedenza
con una specifica tensione var
dovrei trovare un circuito che sia tale da non variare la
out una volta me vaso a concorre il carico
Possiamo comunque notareche i posteri si hanno per Basse

maesenze con alte in esente la air senza è minima e
quindi si puo usare annue questo circuito la dkr.us looks
Proviamo una sanzione con l'amplificatore operazionale
voler
un
Ie per quanto se.to prima to me
vini 30ns
mm vai
Ir vai I Vin
tout 3
Aggiungo l'impedenza a carico

cambia qualcosa aiia Vat
verificavamo come assiamo ricavato la relazione ai vari
Abbiamo zero we Ii Ia cio vale ancora

anime se tuo agguato 2 sì E valso
I Vai 0
10in
Il Vai un
Iz 0 vini
2
non 30in
volte
j.vn
30in la reazione e
valida anime
con 2
la corrente È data dati ammificatore oro

in 2
corrente d'uscita Ior
ricordo che All interno Dell'amplificatore ho un generatore si
tensione ove riesce A mantenere var costante inspersentemente
dalla corrente richiesta
ti
posso anno fornire la corrente rimesta senza variare
out fin tanto cue vale la seguente relazione
tout Ist Iz Imax corrente massima

aeliamm.ie canone
ipotesi sei esempio

Imax 100mA quanto vale Ia
So cue Vee VOUTL ivcc.at SU Vat C 5W
Ii Vai 0,5mA Iz 100nA 0,5mA 99,5mA

10h unico vincono incastro
il vincolo è rispettato se Z JV 2 Su 5052

99,5nA 100mA
Conclusione
il vantaggio Deli amplificatore cue Posso usarlo
e per
un Qualsiasi tipo di carico purché rispetti il vincolo visto
iv B
amplificatore circuito attivo devo aumentarlo per ottenere
Quanto visto
È È Ì IÌ
more circuito passivo non EO Alimentario
Possiamo anno usarlo come un generatore di tensione Questo

Grazie all alta resistenza in ingresso es Alia sasso resistenza
in uscita
v3 2
Come far fronte Avi inversione devi uscita
E sifriciente aggiungere un 2 amplificatore
con resistenze a una valore
ra ro
nn mmm
Vin ri
120
mm vai
mmm Vo
t
Vai RZ.vn Vo Ro vai vai 122 VN

Ri 120 Ri
bicorsiamo ore si paria o un com oriente aumentato free Va

Quindi tutti i segnali vii Vai Vo sono compresi tra
questi 2 valori
Amplificatore non invertente di tensione
• Vo = Vs·(1+R2/R1) (salvo situazioni di saturazione)
– Non entra corrente nei terminali di ingresso (i+ = i- = 0)
– C’è retroazione negativa (V+ = V- = Vs, Vid=0)
– Per la legge del partitore V- = Vs = Vo·R1/(R2+R1)
– Esplicitando rispetto a Vo si ottiene Vo = Vs(R2+R1)/R1 = Vs(1+R2/R1)
– Guadagno sempre > 1
• NOTA: comparatore con isteresi e amplificatore non invertente
sono molto simili, cambia solo la polarità della retroazione
Ira
Ian
8
amplificatore non invertente
Ingresso su Vt
retroazione negativa V insegue vi V stessa tensione
si va
la corrente I Entra in un morsetto I è

neve 2 resistenze scorre la stessa corrente
ho quindi un partitone
V1 Vat Ri
Ritter
ma vi è la tensione si ingresso ho quindi Una Relazione

non invertente tra tensione s'uscita e a ingresso
Invertenso Ottengo vai Va ut

PI
posso notare subito
are a ramare si
ammirazione e
sensore 1
NON Posso Fare quello cue facevo prima in quanto ora

ho sempre un amplificazione non posso ottenere Fattori 21
Esempio n.rs sistonoequivalente
su
partitore è
vini
var ri
su Elevazioni caratteristiche
Int R
It I_ 0
reazioneneoativa vi v UN
Irap R2 Iri Inez
Ricorre
R2 511oz Ir vout.vn tra Un
Rr Rr
e
Rzvat RZ.vwtri.vn vate vii Ritter
122
Ottengo me
Vate vii 5
SE UN 0,6 V vota 3W
SE un Iv out
SE UN 1,5W Volt JVe non 7,5N infatti non

posso eccedere la TENSIONE si alimentazione
Siamo nel caso di saturazione
Eq Vate vii I ritira non È
più valida
EQ E vera sono se dicelvoutltvc.co
Applicazione piùcomune
Amplificatore a guadagno 1 (buffer) se li amour latore op
periasros.tw
usato
a unarazione
ientra
• Vo = V- = V+ = Vs
– Utilizzato come adattatore di impedenza
(Amplificatore reale: Rin>1MΩ, Rout~Ω, A~106)
– Esempio applicativo: dato un generatore di tensione a 10V con resistenza
di uscita di 20Ω pilotare un carico variabile da 100Ω a 1kΩ facendo in modo
che la tensione ai capi del carico sia 10V±5%
9
Reazione negativa V
ma la reazione è realizzata con un cortocircuito Vat K vt.VN

il Fattore di annificazione DEL circuito è 1
molto utile per ottenere un generatore di tensione che

non abbia il Problema devi impedenza si carica visto in
Precedenza
Reazione negativa V Ut Vo V Ut Un Vo UN
cortocircuito U Voi
ma a cosa serve un dispositivo di questo tipo
Esempio applicativo
2oz voi iovt.si 9svevoutldo.su

mm
10 I 12 10052c 10001
generatore
reale gen bene
resistenza
di fatto a siamo sistemato un partitore calcoliamo quindi voti

Vat dai R
R trar
verifichiamo i casi estremi
se R 1002 Vat 8,3W

se R 10001 Vat 9,8W
nel 1 caso non va BENE Nel 2 si
COME posso fare per risolvere il problema
collego il generatore reale ad un BUFFER di tensione
zar
nun t
da
10010007oz
l'ammiratore si comporta resistenza altissima e quasi non

fa entrare corrente ai morsetti calcolando quindi Vi ottengo
Ut 1W 201 Ian 10W dato che tout a

la tensione si uscita Vo sara uguale a Vx tale tensione
sara amicizia sul carico
IL BUFFER disaccoppia resistenze che se no sazessero

le
accordate da un circuito di emettitore quindi la tensione
d'uscita direi E dati ingresso e non sa carico resistiva
Sommatore invertente
nei
esen
nanna
sono resistenze
non aversi
• Vo = -V1·R3/R1 – V2·R3/R2 (salvo situazioni di saturazione)

– Non entra corrente nel terminale meno di ingresso (i- = 0)
– Retroazione negativa quindi V- = V+ = gnd
– I1 = V1/R1 I2 = V2/R2 I3 = -Vo/R3 I1 + I2 = I3
– Sostituendo Vo = -V1·R3/R1 –V2·R3/R2 (sovrapposizione degli effetti)
– Verificare il sommatore a tre termini
s
T.cz
10
variante sen amplificatore invertente NO
mare CIRCUITI NON
Io da sapere A
Ri Ii
i mm out memoria VIENE
msn.no
122 Ia dato con la
a 2 mm Richiesta o
commento
vale sempre I It D no corrente nei morsetti

reazione negativa Ve L
ma Vi 0 V 0
Calcolo Io
Io Vat 0
120
In
1 0 vi
Ri
Iz
Il 0 v2
R2
e un naso con 4 terminali ma in Ut non c'e corrente

ho 3 terminali
da Luc Io In IZ
µ
voi vi va
120 Ri 122
Vate vn Ro Uz 120 122 Vi Ri Vr

R2 R 122
Porco ora Rs 122 i

120 vi Vz s Sommatore invertenti
Volt Se R2 ri altrimenti
R e un sommatorepesato
invertente
E possibile votare anche che vale la sovrapposizione seon Effetti

infatti eliminando Un oppure vz si ottiene rispettivamente me
NO Uzi out Ro.vn NO V1 Vai Ro v2

Ri Ra
t
sempre per questo principio potrei anche aggiungere un 30 incresso V
Sottrattore (invertente)
• Vo = -(V1-V2)·R2/R1 (salvo situazioni di saturazione)
– Non entra corrente nei terminali di ingresso (i- = i+ = 0)
– Retroazione negativa, quindi V+ = V-
– V+ = V2·R2/(R1+R2) I1 = I2 e quindi (V1-V+)/R1 = (V+-Vo)/R2
– da cui si ha V1·R2-V+·R2=V+·R1-Vo·R1
– esplicitando rispetto a Vo si ha Vo = (V+·(R1+R2) - R2·V1)/R1
– Sostituendo V+ si ottiene Vo = (V2·R2-V1·R2)/R1 = -(V1-V2)·R2/R1
R3
ri
11
Sottratore invertente
R2 I It 0
un
rene Neo
in Utenti
me vai
nn t
R
ru
differenza rispetto al solito Ut non è a massa ma posso

comunque calcolarla
Luc V2 Vt Vt Vt V2 Vt I R3 vt R4 vztru.vt.it
123 124 124 123 124.123
tir try 124 V2 ut 124 2 V Retroaz
1237124 recativa
caccola le correnti
Iz Vat v In v Vi
R2 R
sa che ho che IZ II
ottengo
out V K vi ri.vout ri.ktrz.k rz.vn rit R2 V Rav
R2 Ra
ma so che V 124 Vz
1231124
1 out Ritter 124 VZ rz.vn

1231124
out fritte 124 Vz RZ.vn

R3tR4 te ti
Forniva assastanza complessa PER QUESTO si cerca di utilizzare
resistenze simili
Porvoo Rs 123 e 122 124
out 122 vz Vr Sottratore
www.n
e raccoa.eu
Rr il seno
Caratteristica E assastanza simmetrico strutturalmente tra te
SOVRAPPOSIZIONE degli Effetti

cosa succede se
annullo 2 torno al solito amplificatore irriverente
Vat R2 Vr Vr
Ri
annullo 1
calcolo Ut me e UGUALE a V i
Vo V1 R2 Vedi passaggi
R SU SLIDE
Sottrattore (inv.): sovrapposizione degli effetti
• Il circuito può essere studiato con la sovrapposizione degli effetti,
prima annullando V2 e poi annullando V1
• V2=0 -> V+ = 0 -> V- = 0 -> Vo = -V1·R2/R1
• V1=0 -> V+ = V1·R2/(R1+R2) = V- . Dato che non entra corrente
nell'ingresso -, allora (Vo-V-)/R2 = V-/R1 e sostituendo V- si ottiene
Vo = V1·R2/R1
• Sommando si ottiene
12
Sottrattore (invertente): uso differenziale
• Lo schema sotto indicato oggi viene poco usato come sottrattore
invertente, ma è molto usato come "amplificatore differenziale"
per misure di tensione non riferite a gnd.
• Come misurare la differenza di potenziale ai capi di una
resistenza in cui nessuno dei due capi è a gnd? Con un amplificatore
differenziale, che ha un effetto di carico pari a R1+R2, con R1,R2 >
104Ohm). A destra amplificatore da strumentazione (IRgain = IR1,Rgain,R1 )
Vout=-VAB(R3/R2) e VAB/(2R1+Rgain)=Vin/Rgain)
A
B
nonauesto
13
Il Sottrattore invertente E un circuito molto importante a
causa Della sua simmetria Questo serene può evolvere nel
cosiddetto amplificatore differenziale ovvero che fa la
differenza
verifiniamone l'importanza
dato il circuito
vogiio saperequanta corrente
scorre New imperenza
misura molto più
un oir eicuerisae.to
sua misura seria
tensione
Per misurare la corrente neri una resistenza nova piccona

es 101 e misuro la tensione usando un circuito sonatore
mm
mm
nn t
questo perme il circuito Sottratore mi sa la caduta si tensione

su carico senza over utilizzare il riferimento a massa
in realta E avra ease si un circuito piu complessa
concetti cnn.ve sa capire

Sottrarre viene utilizzato fare misure di differenza
per
di potenziale l'amplificatore da Strumentazione usato
annesso per misura si inerenza al potenziale ha
ricorressi a altissima impedenza in naso sa mai
essere perturbativo
Esercizio: calcolare l’uscita nei diversi casi
• Vcc = +5V Vee = -5V R1 = 1kΩ R2 = 2kΩ Vs = +1V
– Vo = -Vs·R2/R1 = -2V
• Vcc = +5V Vee = -5V R1 = 1kΩ R2 = 2kΩ Vs = +3V
– Vo = -Vs·R2/R1 = -6V ma non è possibile avere segnali fuori dal range di
alimentazione, Vo=-5V e (Vs-V-)/R1=(V-+5V)/R2 quindi V-=0,33V<>V+)
• Vcc = +5V Vee = -5V R1 = 1kΩ R2 = 2kΩ con un
condensatore C = 10nF in parallelo a R2 e Vs = +2V
– Se l’ingresso è in DC la presenza del condensatore è ininfluente (ZC=∞)
– Se invece si ha un ingresso in AC, allora
Vo = -Vs·Z2/R1 dove Z2 = R2/(1+jwC·R2)
in DC (w=0) si ha il risultato di prima R2
per w=2πf>0 il guadagno G cala
(azione filtrante Vo = -G·Vs) R1 +Vcc
C·R2 = 20µs = τ V-
Vo
MOD(G) = (R2/R1)/(1+(w·τ)2) Vs +- V+
-Vee
Gnd
14
Esercizio rzeznr.mn
vai se vs IV
Rutter
VS mm Vat
2 morsi
o ricorso che out Un orrore lo Ricavo

ri
out 0 Iz In 0 vs Vai e 22 US
Ra ri ten
e
s IV Vate 2 Vs IV
ricordiamo che l'alimentazione e 5W quasi boni volta che
trovo un risultato mi semo cineserie se e vero me
E Voi l Vee in questo caso il risultato

e valido
out 2W
caso con vs SU
Vat 2W GV
mi arie SU L Vari LSU No il risultato non
e anno vai 0
l'annificatore e quindi µ saturazione ovvero potreste non

essere ii vero che vi V oppure cue Volt nov sirena
dava corrente etc ovvero non ho più il funzionamento lineare
HO quindi che vai 5

in saturazione non ho più linearità luna KEV infatti Voi non
me ai i
Vt E noto calcolo K
Us V K vai 3kV Kttv GU ZU tv 5

121 122 1h 2in 3K 1 v 0,33W
altro Esercizio amplificatore con capacita
G 10mF
ramo Zz
r vi one
Rieti passare
vs impesenze
a
vs
Mn vai za vai
21 121
1hr22
Il 2 Zr c Zar 7C
2 razza
con Zizze 122
2 e 1
Juve
r wc tra
R2 I 1t wc.kz
Juve
annificatore invertente Vota _Vs _Vs R2 1

Rn ttjwrz.co
SE applico Vs Zuse continua w 0 ateneo
Vari Us 122 e Liv il condensatore in

ri continua e ui circuito aperto
se applico Vs Siri con frequenza Fs ed ampiezza ZV
calcolo in modo ai Vari

Nati Ius 122 1
121 1 4N irons
considero i tempi
9
R2 C 2 103.10.10 20.10 0 20µs
Chiamo 4 2µs 20µs 2 Fs 125µs
Le Fs se Fs fa Vai Vs 22
ti
ho1kHz
se f fa Vate vs
fino
Quindi Più lo SQUILIBRIO tra fs e fa E piu
orari E E
not si tassiamo quindi fatto un
attenua filtro che
per piccole frequenze lascia passare il SEGNALE come se
la capacita non ci fosse per frequenze elevate rispetto
a Fo amore inscita viene attenuata 1 un fattore
come si è calcolato fa
partiamo dal termine 1
itizr.rz.c.r.sk
Semantico usando 2 R2 C 20µs
Ottengo 1
1 tizi rays.fm
definisco una frequenza fa me definisco come
1 1 1 1
fa 8kHz
217.2 2N 20µs 6,28 20µs 125µs
Ottengo
1
ne p
Questo circuito è un Filtro si usa per limitare
che l'effetto
del rumore a alte frequenze cue può essere molto scomodo
Esercizio: calcolare l’uscita nei diversi casi
• Vcc=+5V Vee=-5V R1=1kΩ R2=2kΩ V1=+2V V2=1V
– si tratta di un sottrattore invertente Vo = -(V1-V2)·R2/R1 salvo saturazione
– Vo = -(2-1)·2/1 = -2V
• Vcc=+5V Vee=-5V R1=1kΩ R2=2kΩ V1=+4V V2=1V
– si tratta di un sottrattore invertente Vo = -(V1-V2)·R2/R1 salvo saturazione
– Vo = -(4-1)·2/1 = -6V ma -6V è fuori dall’intervallo di alimentazione quindi
l’amplificatore è in saturazione e l’uscita vale Vee = -5V
Fano a voce
15
OSSERVAZIONI e NOTE
• Se l'amplificatore è alimentato tra –Vee e +Vcc non può ricevere
segnali in ingresso fuori da questo range e produce un'uscita
compresa tra circa –(Vee+0,7V) e + (Vcc-0,7V) a meno che non si
tratti di un dispositivo rail2rail (uscita tra –Vee e +Vcc)
• Esistono amplificatori operazionali che privilegiano una delle
caratteristiche (amplificazione elevata, velocità, impedenza di
ingresso, ecc. ) a discapito delle altre.
• Esistono amplificatori operazionali (come il uA741) ed esistono
dispositivi "comparatori" (come il LM311) che hanno l'uscita con
un transistor a collettore aperto (scelgo la tensione di "1" con la rete
di polarizzazione esterna del collettore)
• Esistono dispositivi singoli (come il uA741 e il LM311) e doppi e
quadrupli (come il LF347 e il LM339)
• Esistono dispositivi ad alimentazione singola (LM358), più semplici
da usare nei sistemi che integrano dispositivi analogici e digitali
16

Fondamenti di
Elettronica, Sez.5
Alessandra Flammini
030-3715627 Lunedì 16:30-18:30

Logiche a interruttori,
famiglie bipolari e CMOS
5 10 20
Uso dei transistori (BJT o MOS)

reazione we
sempreuna are
È

me misaun cnn.oaonor.us
I transistori in zona lineare sono utilizzati come amplificatori

– un amplificatore ideale di tensione ha elevata impedenza di ingresso e

bassa impedenza di uscita

– un amplificatore ideale di tensione è in grado di mantenere la tensione

voluta scambiando qualsiasi corrente

– un amplificatore con guadagno elevatissimo è un comparatore ossia ha

tensione di uscita tra i due estremi di alimentazione (una piccola tensione

positiva viene amplificata a +Vcc, una piccola tensione negativa va a –Vcc)

•
I transistori in zona di interdizione e saturazione sono utilizzati

come

interruttori

– un transistore in zona di interdizione (e nella limitrofa zona attiva) ha una

corrente IC (o ID) molto piccola e quindi si comporta come una resistenza di

valore molto elevato (interruttore aperto)

– un transistore in zona di saturazione (e nella limitrofa zona attiva) ha una

corrente IC (o ID) molto grande e quindi si comporta come una resistenza di

valore molto basso (interruttore chiuso)

– Con gli interruttori si realizzano funzioni a logica digitale

Utilizzo del transistore come interruttore
consideriamo il transistore Bipolare N P N es il
transistore N nos a arricchimento
C D
B G affermo che entrambi
o possono essere considerati
E 5 Equivalenti ad un interruttore
l'interruttore e fatto così
CI avvisi a seconda scena base o seccate
posso avere un comportamento tra
BIG nettare era emettitore oppure tra Rain
e source che non fa passare corrente
Els transistore interdetto oppure che fa
transistore in
passare corrente
saturazione
BIT o nos interrato NON passa corrente
BIT o nos in saturazione passa corrente
modello molto semplificato in realtà non e esattamente così
84020
i segnali sono delle tensioni variabili che possono
essere variabili tra un valore minimo e massimo
min e Umax
in genere questi 2 segnali sono tricamere l'assenza
di alimentazione ed alimentazione
min Grid Umax Voc
un segnale vo variare in naso continuo tra questi 2
valori
UmaxNcc
vita
Univ
Cina
c Elettronica araldica e aveva ne considera Vito VA
anche se la loro si Erevan si tensione e molto limitata
chiamo invece elettronica ionale aveva me essa una
soglia qualunque essa sia tra Unni e Umax ed
intense come N.to cio Che e al di sotto della
Soglia intense invece 1 tutto cio me e Al di sopra
dela soglia
S è diffusa macciarmente perme moito piu robusta
dal punto di vista del rumore variazioni sante
Al rumore non danno problemi usando soglie adeguate
Elettronica analogica basata SUGLI amplificatori Operazionali
i quali Sfruttano i transistor in mosacita lineare
IN laboratorio a siamo utilizzato il transistor nel
seguente modo
SU
RC
Rb ce out SE il transistore lavora in zona lineare varia
non se è in saturazione rimane fisso costante opv
tra
Ib
Oav
Ricordiamo il funzionamento in saturazione
Ib Ic 1 Controlla
coniazione p
la corrente Max si ha in corrispondenza oeuavcemw

no che
i.ias.ro
Jv
Io sarebbe Ice Ucc ke son Uce
Rc Rc
cenni nn è ar
e quindi facile narrare in saturazione il dispositivo basta Ib
ma
Ib v.v 0 tv Ic se vaie tale coazione sono
Rb sicuro a essere in saturazione
molto facile sa realizzare
IN SATURAZIONE no me Vce elice sai 0,2
Quando lavoro in ZONA lineare no cue Vat vale sonno me

camere a ricavano.am
i ne
5v t c.RC JV p.TK Un 97W
out p.IB.Rct5V Rb
nel caso lineare Quindi la tensione d'uscita
dipende dall ingresso Vin me e l'unica incognita veri espressione o vai
nella saturazione l'uscita dipende a sogna ora aveva ai incresso
cnn.eu
SE Vin 30,7 i
il transistore consoce e vate Vce sat
Altrimenti il transistore e spento e Ic D E vat.SU
in saturazione e un interruttore sono una soglia ho 0 vai in uscita
In realtàmovessi me però considero 0
sopra una certa societa ho su in uscita sano cue Iced es no Vae.su c.Rc
uscita binaria

caso lineare l'uscita out si eroe sali incresso In
caso di saturazione l'uscita wait sirena da vini sono a soglia
ciò mi sa un'uscita binaria
SE Un 0,7 V Vai cessi ON TO wo.co
se Vin 0,7 volte su 1 Logico
il transistore in saturazione e un interruttore
l'interruttore è programmabile alla base
Ube sogna interruttore arioso passa corrente Ie
Use L sogna interruttore aperto non passa corrente Ice
Inoltre la saturazione è molto facile sa ottenere
ovviamente le resistenze Rb es Rc vanno simensionate per Far
valere sempre la consizione a saturazione Icl IEP
l'interruttore puo essere raro con entrambi transistor

i

Transistore come interruttore

Bipolare npn

– equivale ad un interruttore che si chiude e fa passare una corrente Ic

se si applica tra base ed emettitore una tensione Vbe>Vt 0.6V

Vantaggi: per
non considero
auestanona

– Elevate correnti in gioco (veloce, potente), Semplicità tecnologica

Svantaggi:

– Elevate correnti in gioco (dissipazione)

– Richiede resistenze (ingombranti su Si) per il controllo delle correnti

(Una resistenza in polisilicio cristallino occupa 1000 volte un transistore)

- Ha una tensione di uscita non nulla anche “a vuoto” (Vce,sat 0,3V)

annoconsuma a me ma a voce
•
NMOS arricchimento

– equivale ad un interruttore che si chiude e fa passare una corrente Id se si

applica tra gate e source una tensione Vgs>Vt 1V con Vds>0

Vantaggi:

– Può agire come una resistenza (regione ohmica) (non servono resistenze)

– Non richiede corrente in ingresso consumapoco

– Non ha tensione di uscita “a vuoto” (Vds 0V)

Svantaggi: = =

– Elevata capacità d’ingresso (ritardo sul comando)

Logica ed Elettronica, logiche elementari

Logica binaria

– (“0”, “1”), (spento, acceso), (assenza, presenza), interruttore

+V Out

né ma
se aannoe

e

Gnd

•
Logica attiva alta e attiva bassa, uscite "forti" e "deboli"

(un'uscita digitale è "forte" se la tensione di uscita varia poco al variare di Iout)

Logica di uscita attiva alta Logica di uscita attiva bassa

+V Out Out Out +V Out
+V +V

1
2 3 4

A) B) A) B)
am ma
wwwmu

Gnd sia.ae Gnd

Gnd Gnd

Azione = “modifico switch” -> Out=“1” Azione = “modifico switch” -> Out=“0”

A) “1” forte, “0” debole (I dipende da R) A) “0” forte, “1” debole (I dipende da R)

B) “0” forte, “1” debole (I dipende da R) B) “1” forte, “0” debole (I dipende da R)
amo Fondamenti di elettronica digitale, A. Flammini 4

caso aperto
Ion
SU e a
vout R.int o spensente sa correnti lo 0 e des.ae
potesse accadere cue lui vi sia una
persone corrente di cui non so il verso
il
Novi R tout ho una teocera
influenza
caso Caluso
1 Forte
SU Vari 1 ns.renren.ae sa correnti
Io ma non influenza Voi
SÌ
E deboli
uscite Forti
Forte la tensione in uscita è uguale ama tensione che avrei
da un generatore ideale o tensione non spense quasi
sana corrente s'uscita Ioi rane interruttore chiuso
sezione l'uscita si comporta come un generatore reale a
tensione l'usura è mantenuta as un certo valore
compatibilmente con la corrente d'uscita taroerio

piùin oen.me iseraè se a tensione riusciravaria
a a sina.us
variare rosei.no
e ssaexiusutae zaeusun.e ass.ssm
s aaouesnemvaeo
Logica d'uscita attiva alta e bassa
Anna alta faccio l'azione ed ottengo 1 in uscita
Anna Bassa Quan o faccio Azione faremo pulsante mastico
lo switch l'uscita e 0
vest Slide sopra
1 logica attiva alta con 1 Forte e 0 debole
2 logica attiva alta con 0 forte e 1 sensore
vedi sopra
N.rs più bassa E la resistenza uscita e migiiore e la
forza sei semole o uscita mi avvicino al consortamento
a un generatore ideale


Logica binaria


+V Out

Gnd
•
Logica bipolare (sottocaso della logica binaria)

sempre swar.amaversa

– (“-1”, “+1”), (“destra”, “sinistra”), deviatore a 2 poli o

– un deviatore si realizza con due interruttori

– in un deviatore scorre sempre corrente !Sel

+V

Sel

Sel
+V

sia v are Out -V Out

sono forti -V
realizzazione

er.aeva
meme

transistorme
lavorano in

Gnd sauna Gnd orazione
dea a ease

Logica attiva alta o attiva bassa?
Fondamenti di elettronica digitale, A. Flammini 5

Introduco 2 tempi
i 2 interruttori non funzionano istantaneamente
da quando so Use a avanza Effettivamente scorre corrente nel
Conero re tale tesoro e ero tempo si accensione
tesoro 1 Spegnimento tempo tra Quai 0 tocco Use a quando non
scorre più corrente nel camerone
Solitamente
tempo accensione tempo spegnimento
più lento a spegnersi cue a accendersi
configurazioni strane entrambi accessi o spenti
in questo caso si parla di logica complementare non Aiwa
alta o Bassa
e uscire sono entrambe forti
Logica ed Elettronica, logiche complesse

•
Logica multilivello
aumentoaiia velocità

– (“0”, “1”, “2”, …”n”), simbolo a n valori, deviatore a n poli aamaser meno
innovazione

•
Logica parallela

– codifica istantanea di n logiche binarie indipendenti (tanti interruttori)

•
Logica seriale

– codifica sequenziale, cadenzata nel tempo, di n logiche binarie

elementari (tanti interruttori sequenziati nel tempo)

V1
V2 Out

V3 Out

V4
V5

….

+V
b1 b2….bn

+V Gnd

Gnd b1 b2….bn Gnd

Multilivello Parallela Seriale

•Esempio:

Gigabit Ethernet 1000BaseT menounpò

a turo

– 4 fili (doppini) a 5 livelli (54 = 625 codici) a 125Mbaud (PAM-5)

SERIALE VS Parallelo
parallelo
1 0 svaniscono
bz 1 ho bisogno si 2 ein
Tibet
seriale
ba ba ba svantaggio
HO bisogno di più tempo
2 That
ulteriore possibilita multilivello
in un singolo tempo sit posso trasferire in qualcosa
tra 00 01 10,11 4 liven usando un solo filo
E trasportano 2 sit in 1 tempo o sit
00 ou
01 Ev per dividere i 4 livelli
io 3 e far fronte al
11 4 SU rumore posso stabilire
1 bit seme soave
415 Liv su
un
3 io 2 sv 3su
mi
1,5 01 Iv zu
00 a o.su

Logica

binaria


Ingresso

Ingresso Ingresso
Uscita (bit)

Uscita (bit) +V

+V

Uscita? Rb Ra

Ra

Gnd

Gnd

Circuito A Circuito B Circuito C

circuito areale

•
Nel circuito A non c’è alimentazione e non c’è uscita: nonva bene

•
Nel circuito B c’è alimentazione (+V, gnd) e un’uscita in tensione

– A cosa serve la resistenza Ra? A non mettere in cto cto +V e Gnd a aiv me

– Quando si può dire che l’uscita è a “0” o è a “1”? “1”≈+V “0”≈Gnd I

•Nel

circuito C appare la resistenza Rb dell’interruttore

– Perché è necessario che Rb<<Ra? Perché se interruttore ON devo avere +V

– L’uscita varia “circa” tra +V e gnd ma con quali correnti? Dipendono da R

Circuito
caso
reale infami non posso avere una resistenza niuna per la saturazione
v Rb
amm Vat
ra
ri f Cna
interruttore aperto OFF Vat Ra Ira e 0 se tra poco elevata
interruttore curioso an out V Ra partitore
Rat Rb
na vocio associare cure tv Ra 1 RareRattab
rattelo I
Rb Ra
Quinn la resistenza serie o.eu interruttore

deve essere molto più piccola sera resistenza di polarizzazione
così sa ottenere me se l'interruttore e cuneo ma in meno logico 1

tu
ovvero

La logica binaria tratta un trasferimento di informazioni

– Il modello comportamentale è una tabella della verità (Look-up Table, LUT)

Ingresso Porta Uscita

(informazione) Logica (informazione)

L’elettronica digitale tratta un trasferimento di segnali elettrici

– Il modello comportamentale è molto più complesso

(correnti, tensioni, ritardi di propagazione, il concetto di alimentazione)

Vp

Ip

Iin Iout

Ingresso Stadio di Porta Stadio di Uscita

(segnale) ingresso Logica uscita (segnale)

Vin Vout

gnd

Tpd

abbiamo bisogno di modelli per i nostri ais os.tw
nascevo logico ho un informazione in ingresso via i uscita
E posso definire l'uscita come funzione deviincresso
Ad es mesiante una tastiera deiia verità
misero elettronico il nostro cacico dev'essere incapsulato in un
modello cue non ragiona sù in termini
informazione ma bensì in termini ai seaman
tutti i Nostri sispositivi hanno bisogno di una tensione o
alimentazione Vp power da tale tensione il dispositivo
assorbe una corrente o alimentazione Ip power
Ip o viene evocata davi alimentazione E Può uscire ovunque
o viene ricevuta sana mossa te può arrivare sia ovunque
in ogni caso attraversa il dispositivo
il SEGNALE di ingresso e contraddistinto da una tensione si
incresso Vin risolto sua massa e sa una corrente anoresso I
il segnale d'uscita e serenito da una tensione d'uscita wait
rispetto aiia massa e una corrente riuscira tout
descritto e Moreno elettrico il quale e ben
Avevo il
distinto dal meseno logico il quale tratta informazioni
anziane segnali
ii nascevo elettrico oltre ai segnali di incresso era uscita tiene
conto se seaman me comprensorio avare

a alimentazione
la massa
ritardo si propagazione amico una variazione sui noresso
es osservo una variazione sui uscita tali variazioni non
Sono innestate ma Sono affette sa un ritardo ovvero il
tempo di propagazione Tpp
Logica ed Elettronica, logica a interruttori

•
Ipotizziamo interruttori ideali (resistenza nulla o infinita) Vp

esistonoaversi arati Vp
Vp

Rh

Rh Rh Io

Vp Vp

Out Out

Io

In In Rh In In

Out Out Io

Out

Rl Io Rl In Rl Rl

a Gnd b Gnd c Gnd d Gnd e Gnd

a Identità, “1” forte (Vo = Vp, Io infinita), “0” debole (Vo = Rl·Io)

b Identità, “1” meno forte (Vo=(Vp-Io·R)/2 se Rl=Rh=R, ma Vo=Vp/2 se Io=0), “0” come a

c NOT, “0’” forte (Vo = gnd, Io infinita), “1” debole (Vo = Vp - Rh·Io)

d NOT, “0” meno forte (Vo=(Vp+Io·R)/2 se Rl=Rh=R, ma Vo=Vp/2 se Io=0),“1” come c

e NOT, “1” “0” simmetrici se Rl=Rh (Vo=Rl·Io se Out=“0”, Vo=Vp-Rh·Io se ”1”)

Un

livello di uscita è “forte” se la tensione di uscita dipende poco dal numero dei carichi (Io)

2 Gia analizzato in precedenza
Sistema in logica attiva alta fazione Vat
1 Forte è debole
se ho inazione Vo Up Io esce da Out
SE ne ho l'azione 0 la corrente entra da out
e va verso la terra era no me va Io.ru
l conevamento a massa sensale pianse sa Io
ancone questo gia visto
SE c'e l'azione Vo 1 logica attiva Alia
se non c è l'azione V 0
h collegamento avi alimentazione
no azione VO RL.IO l'interruttore e aereo e la
corrente entra da out E va in Re
0 Erode
la corrente
tu v'azione l'interruttore è arioso va
pari alimentazione attraversando Rh AL
PUNTO in cui prendo l'out
ra OUT PUÒ entrare avute una corrente

2 correnti
FAI riferiamo
µ Questo caso devo avere uscita 1 ma voi vale
VO Di Up Vp
I Rb URL 1 meno forte
rettati
circuito attivo basso con 0 moito forte es 1 aeque
Vat Up Io 12h nel caso si 1 1 debole
ma
qual'È la funzione logica si questi circuiti
2 SE no azione l'oscena e 1 altrimenti è 0
Funzione identita sono me l'azione equivale I minorenni
AZIONE 1 in uscita altrimenti 0 Funzione identita
C azione uscita a 0
NO azione uscita Ha 1
8 funzione i Not
CIRCUITO di
SE l'interruttore è aperto l'uscita e Ad 1 E vale
Vai Vp Rb Io coi Io ne esce sa Out
SE ho l'AZIONE l'uscita e A 0 e vale
OUT VP.tl a grid Rl Rltrh Recitals
Retta
d
d e C si assomigliano
molto
Circuito E
HO 2 interruttori più costoso ma molti VANTAGGI
Rl e Rh possono essere vivaci

i 2 interruttori lavorano in Opposizione si rase se non faccio
azione interruttore sopra si cause e avevo sotto si rap
anno non c'e mai Coauzione tra alimentazione e massa
rosa me invece c'è nei circuiti precedenti e me genera consumo
n Questo caso la corrente scerse da Vp attraverso Rb E
va verso out
Vo Vp Rh Io
se faccio l'azione ho sopra aperto e sono cn.us no quindi
Vo RL.IO
con Io me entra out
to
quindi realizzato una not
no azione uscita a 1 CON incresso 0
AZIONE istita A 0 CON ingresso 1
simmetrica e
con Il vantaggio cue l'uscita e bilanciata
coi corrente si assorbimento interno nulla
LE 2 uscite sono uguali e simmetriche Basta solo
scegliere Rc Rh
Possibili problemi
Simmetria tra livelli è scomodo lavorare con 1 torte e
0 DEBOLE o viceversa l'ultimo circuito
mi da sia 0 me 1 304 ma in
modo uguale la sessavezza può
essere variata AGEN sue resistenze
era caso i C
PER fare uno 0 non troppo resole devo scegliere
Eh piccolo ma SE faccio cio va a ostinare
moltissima potenza l'uscita E 1

quando
P Vp
RT
Gli squilibri possono essere problematici per ottenere Selman Forti
cue si norma sono resa no si sono ai
cosi


•
Ipotizziamo interruttori ideali (resistenza nulla o infinita) Vp

Vp Vp

Rh

Rh Rh Io
Vp Vp

Io Out Out

In In Rh In In

Out Out Io

Out

Rl Io Rl In Rl Rl

a b c Gnd d Gnd e Gnd

Gnd Gnd

•
Negli schemi a interruttori, anche con interruttori ideali,

– la tensione di uscita dipende dalla corrente di uscita Io (a “0” e/o a “1”)

– Io è erogata dal dispositivo (Out=“1”) o assorbita (Out=“0”)

– Io corrisponde circa alla somma delle correnti ILi richieste dai “carichi” Li

– i “carichi” sono altri dispositivi digitali -> modello dello stadio di ingresso?

– le architetture simmetriche (come “e”) assicurano piena complementarietà


•
Modello statico del dispositivo (interruttori ideali)

Modello elettrico statico del

dispositivo con funzione F

(maggior dettaglio)
F(In) menzione
Ip

In F

Vp

Rip Rop

Modello logico del

Iil Ioh

Funzione

In F(In)

logica

Vp NOT(F)
Ip Iih

Iol

Ii Io
F(In)

In I F O Vih Rig Rog Voh

no

Vi Vo (/Vil) (/Vol)

ase i o
me inno Gnd

gnd

Modello elettrico statico del
Vih = Iih*Rig Vil = Vp – Iil*Rip

Voh = Vp - Ioh*Rop Vol = Iol*Rog



nasello logico trama informazioni
Moreno elettrico consideriamo l'alimentazione i termini si
tensione rispetto ama massa E corrente o
assorbita davi alimentazione o restituita alla massa
Poi abbiamo uno o più terminali d'ingresso
ciascuno caratterizzato da tensione e corrente
d'ingresso
abbiamo anime uno o piu terminali s'uscita
anch'essi caratterizzati da correnti e tensioni
d'uscita
Ipotizziamo il caso più semplice 1 incresso 1 uscita
consideriamo lo schema E ore e queiio che funziona meglio
ne assiamo uno in uscita era uno in entrata es entrambi fanno uno
1 essa agisce sui 2 interruttori

ingresso arrivo una tensione
circuito a sx
unseen avevo sotto es amen aveva sopra
n n
Se applico 0 voi ho nessuna azione sugli interruttori
Avevo sotto rimane aperto e avevo sopra causa
applico 0 e una tensione vicina a avena a terra
ho pero la tensione di alimentazione che mi sa una
IP cue entra neiia resistenza Rip es esce
sai increase sano me l'interruttore sopra è chiuso e
avevo sono aperto
annoi la corrente alimentazione corrisponde Ana
corrente si incresso quando l'incresso è sasso
Applico 1 sopra aperto sono chiuso
Dani incresso avro una corrente Iib che entrera
Nena resistenza Rig
l'ingresso sara qualcosa si simile a Vp
posso OEvifinire 4 relazioni
quanto vale Vita
se aprico 1 in inorresso ingresso alto tra interruttori aperto
sopra E causo sotto ho quasi una corrente entrante setta Iib
Quasi la tensione Vin e
Vibe Iib
Rig
SE invece consisero l'incasso basso 0
interruttori fermi aperto sotto Chiuso sopra Quindi
la corrente si alimentazione Ip attraversa Rip Ed
esce dal dispositivo in uscita cnn.no tale corrente
Iii incresso Lower
la tensione in ingresso la cnn.no Uil incesso Lower
Uil vale
il Vp Rip l saluti
USCITE
1 non faccio azioni interruttore chiuso sopra era aperto sotto
no una corrente Iab output mici che entra in ROP
la tensione non e
Voti Up toh Rap
dato cue interruttore sono e aperto
0 sono chiuso sopra aperto
Vol vate
entra corrente ci uscira Iol in Roy
Va Ioc Rog
morsero molto facile le reazioni cue levano correnti e
tensioni d uscita sono tute lineari ovvero lecci ai 0hm
basate su una resistenza s'usera e una a ingresso
Abbiamo così visto il modello statico per i ipositivi aiutaci
A basse frequenze
statico perché consideriamo il tempo di apertura e
chiusura degli interruttori niuno
dal momento che ho uno stimino in Noresso in uscita ho
immediatamente la commutazione
121020

FUNZIONE LOGICA
consideriamo per esempio una AND
A siamo sento che l'uscita e aumentata tra Va e Cina inoltre
vi sono 2 transistors complementari
va va
Ripa
Rap
N1 ini
out out
ao ma
Riga
Roco
vi
SE tu r immagino di avere 0 Aurora in out ho 1
infatti 0 significa che non agisco sugli interruttori quindi
l'interruttore sono e aperto e noi no conegamento con la massa
invece l'interruttore sopra e Chiuso ed ho quindi un collegamento
con inumentazione l'out e As 1
considerando invece 1 in avviene l'esatto opposto gli
interruttori si azionano E qui no 0 su out
ii B
l'alimentazione Uci e l 1 ionale e la massa lo 0 beate
Quindi per quanto detto in uscita prima sei 2 transistors no
out negato l'uscita e il valore negato see risultato della F logica
ingressi ini e in
Ariane per ciascuno sei 2 ingressi tuo 2 transistor
ma annoi a resistenze per ciascuno che mi permettono ai capire
com'e il russo pena corrente
Ù1 se n ingresso no 0 l'interruttore su massa e Aperto mentre
avevo sei alimentazione e chiuso
la corrente scene aeraverso Ripi ED Andra sui incresso
Processo analogo avviene per l'ingresso inizi con le
resistenze Rip 2 E Riaz
Noi vogliamo realizzare una aria Ovvero volevamo avere
Out ini IN 2
nella scatola dovrò avere una nana dato che tu uscita
no OUT
vena funzione usino sempre E

ciò spiega perche
gli ingressi non subiscono la negazione perciò creo un corto circuito
che collega incresso sua f conca in uscita invece no
Ritorniamo al Modena elettrico
se in ingresso tra 1 gli interruttori si AZIONANO avevo
sotto si chiuse E pieno sopra si apre
no quindi Una tensione Vin prossima aiia tensione di
alimentazione
la corrente Iib può scorrere sono meno resistenza sono daro
che interruttore sopra e aperto
v h Iib Ry
Gli
se in NGresso Ho interruttori non hanno niuna ma
Sono aperto e sopra chiuso
scorre corrente Iii sono in Rip
ai
vii Vp Iii Rip e sara un valore vicino a massa
PER l'uscita tuo w Processo analogo
Convenzioni

•
Simboli per tensioni e correnti

questi simboli rappresentano sempre con estremi

•
Livelli di tensione

– Vol = massima tensione di uscita quando l’uscita è a “0”

– Voh = minima tensione di uscita quando l’uscita è a “1”

– Vil = massima tensione che, applicata all’ingresso, è riconosciuta come “0”

– Vih = minima tensione che, applicata all’ingresso, è riconosciuta come “1”

– (Vp = tensione di alimentazione -definita all’interno di tolleranze-)

•
Livelli di corrente

– Iol = massima corrente di uscita (entrante) quando l’uscita è a “0” (@Vol)

– Ioh = massima corrente di uscita (uscente) quando l’uscita è a “1” (@Voh)

– Iil = massima corrente di ingresso (uscente) quando l’ingresso è a “0”

– Iih = massima corrente di ingresso (entrante) quando l’ingresso è a “1”

– (Ip = max. corrente scambiata con Vp e/o gnd -corrente di alimentazione-)


scala delle tensioni
1 ideale
Un
puo
gia 0 iene
IN OUT
si veh
quivi Quai parla si Va e si paria rispettivamente

del livello si tensione massimo e msn.no Per
Ottenere uno è o un 1 in ricresso
lo Stesso vale in uscita quando si parla di Vol E VOL
nn r
Va e Gus sono invece il livello massimo e minimo per 1 0
E raprresentano i casi ideali
per correnti
le invece SI Parla solo al corrente massima
la quale si presenta sono in caso di tensione massima

•Modello

statico del dispositivo Out Vp In

significato

dei livelli di tensione “1” in

uscita Voh “1” in

ingresso
Vp Ip Vih

Ii Io Zona di

F(In) Vs incertezza
In I F O

Vi Vo Vil

“0” in Vol “0” in

gnd uscita ingresso

Gnd

Uno “0” (“1”) generato da una porta logica equivale ad una

tensione

tra Gnd e Vol (tra Voh e Vcc) e a scambiare una corrente

tra

0 e Iol (Ioh)
•
Applicare uno “0” (“1”) in ingresso ad una porta logica equivale ad

applicare

una tensione tra Gnd e Vil (tra Vih e Vcc) e a scambiare

una

corrente tra 0 e Iil (Iih). L’uscita deve essere un buon “0” (“1”)

quindi Vol<Vil (Voh>Vih)


SIGNIFICATO DEI livelli di TENSIONE
consideriamo il circuito
prima assiamo visto la scala sene
ha tensioni Dal Punto di vista del 10
NO componente
ne ora vogliamo vedere son
punto si vista del coueoam.in
to uscira incresso ovvero
volevamo vedere i liven da
mantenere Per far stare
uscira un certo valore
venga riconosciuta come tale
Anne mi ricredo anime
i Preoccumano dell'interfacciamento con la presenza i rumore
tra dispositivi
scala delle tensioni ribaltata Per quanto semo
i 0
n
caso in uscita

per essere sicuri si ricevere 0 anche

in ingresso nonostante il rumore

il
lo IN ingresso deve incutere tutti

Possibili valori seno 0 in uscita

ma non solo ho 0 in uscita deve

essere più piccolo si avevo in wore

si una stanza tale Da poter

tollerare il Rumore

l'analogo avviene per l 1
viene inoltre definita una zona 1 incertezza Per far fronte
a rumori molto forti Guasti sei componenti etc
Tutti i valori presenti in Questa fascia sono considerati
indeterminati NE 0 ne 1
definisco inoltre una tensione si sogna Vs la Quale e
comoda Per gli interruttori tower i transistor
nei casi visti Fin ora abbiamo Us 0,7 V ma neiia realtà
non e un valore fisso dipende arme sana corrente
neiia realtà più che un valore e un range
possiamo stabilire un margine si 100mV sopra e sotto Quindi Uh e
Uil ostano da Us di almeno 100mV

un po essere Al massimo 0,6 e Vin dev'essere
Almeno 0,8


….

•
Modello statico del dispositivo, parametri statici

•
Immunità al rumore (indispensabile al corretto funzionamento)

– massimo rumore che può essere sommato/sottratto all’uscita

– Vn = min ( Vil-Vol , Voh-Vih) Normalmente Vn > 0,1 V
•
FAN-OUT statico (indispensabile al corretto funzionamento)

– Numero massimo di carichi che possono essere connessi ad un dispositivo

– Nmax = min (Ioh/Iih , Iol/Iil) Normalmente Nmax > 10

•
Modello dinamico semplificato del dispositivo

•
I ritardi si modellizzano con condensatori la cui carica e scarica
produce

il ritardo (V = Q/C I = dQ/dt)

– piccole correnti caricano lentamente il condensatore

– nei circuiti equivalenti RC, elevate resistenze caricano lentamente il

condensatore (τ=RC)

•
Tutti i dispositivi elettronici introducono un ritardo

Partiamo
da una domanda
l'uscita a un componente viene correttamente canta sai
componenti connessi
analizziamo questo problema azionato a vista della tensione
e deiia corrente
tensione
Assiamo visto la scala sette tensioni
va i
definisco
1 immunita sei rumore
pp
µ voti e l'amarezza o rumore Che posso ansare
un
a sommare su un segnale senza impedire
T.IEe'zza
il corretto trasferimento sei informazione
no
I
volpini
o
Uni non Voti Vita
no max Uil Vol
Grae 0 matematicamente l'immunità Al rumore fu e
out
JUN min Voti Viti Uil Vol
e senno
Voti LIV viti 3,5 Uomo vii t.SU
luna quando sono a 1 Posso accingere un rumore di 0,5
con 0,6W riuscita potrebbe finire nella zona di incertezza
uscita 0 poniamo che l'uscita sia 0,5W E il rumore 0,9W
mi ritrovo con 1,4W non ho prosthesis il sistema
lo vede come 0
ma se il rumore Fosse 1,3W Ritrovo 1,8W ii uscita
sono in Zona o i certezza
corrente
corsideriamo questo Moreno
un ricordiamo come è raro il mascara

1
Ion I
2tin
In ingresso Ion esce da out passava da top
ho un 1 in ingresso quindi Iib
va rumore
rap tua scerse in Rig E va sana terra
trip
ÈÌ
fI
possiamo are Ioh Iih

Rig

DOVE Vita E
Rig sono valori dati dal costruttore
I b sax e sara
Iihmax Vibrar Va
Rig rig
QU'Noi Iib ma la sa il costruttore dato che È lui a sapere
il valore di Rif lo Posso vedere dal catalogo
caso peggiore Iib Iib sax
supponiamo ora questo modena il 1 dispositivo pilota più dispositivi
Iib
1
Ion
Pt da Lilt
Iib
o Ids Iihorttihn.tt II ha
t.in µ
Ione Iihs
cnet.ihnouaae.se
sara www.wan.reauzzn.in
toh N Iib non mi interessa

se si paria a
voi or o an
i umori deiie
resistenze sono
inoperanti sana
funzione svolta
cosa succede se attacco così tanti componenti che
v Iib Iohnax
Noi sappiamo cue Voti e sara a una certa Ida
se il dispositivo in uscita non pilota noia l'uscita e
tensione di alimentazione
SE invece IONIO la tensione s'ostina a livello alto
inizia a scendere dato cue aumenta la casata su top
Ali aumentare toh ovvero mano a mano me lo vaso a
aggiungere carini in uscita
Quando ho così tanti carichi da superare la Idris Aurora

non è più garantita la Uds qui i toni i ragionamenti
fatti soni immunità e rumore saltano E la scala a tensione
varia
QUIN i quali E il No Max ai componenti N
Ne Iohnar tale valore è setto Fan OUT
Iib non avro un FUN OUT Per i 1 eo uno per
lo 0
FUN out numero massimo ai dispositivi che posso aiutare vale
Fini OUT mini IONI b Ia il
i t.at 1 i f out
per per 0
riassunto l'interfacciamento e un problema si tensioni
e ai correnti
Il mio dispositivo pilota dev’essere in grado di dare delle tensioni e dare o assorbire correnti che
siano in grado di trasferire correttamente l’informazione anche in presenza di rumore e con un
numero di carichi diverso da 1
I valori tipici di immunità di rumore sono di almeno 100mV
Il valore tipico di componenti che vado a pilotare è di almeno 10
L’immunità è bassa perché il rumore può essere “curato” attraverso vari filtri che ne diminuiscono
l’entità, invece il fun out è alto perché una volta raggiunta la massima corrente che può essere
fornita possibile non si può far nulla
MODELLO dinamico
modello statico correnti E tensioni tassiamo rappresentato con
le resistenze 2 in 2 out
nooenoowam.co i ritardi vengono moseleizzati con conservatori
questo Perche il consentatore mi sa sei a rara
in mm out
con l'oscilloscopio assiamo visto che questo
circuito introduce sei rinarsi
vir f
out vi µ
tensione our
riconosciuta
Q lunga il momento in cui il stonate va ad 1 c'E sicuramente
la capacita nel mar dei semini digitali permette di rappresentare
i ritardi usiamo quindi un nasello con seme capacità per
rappresentare anche i ritardi
come si FA
l'ingresso finisce su un interruttore pensiamo a un nos
il nos ha una capacita sul gate cue E rappresentata
tra Gate e source
consideriamo tale modello per il rispositivo onorato
abbiamo poi il classico mostro che rappresenta l'out
equivalente a
Fin
Cin
Rig
1 sovrapposizione effetti
Lit prima rope rig mi danno il vivevo

delle tensioni
rap e Chi mi danno in ritardo
inoltre ricordiamo me Rig rap

Altrimenti
non funzionerebbe nulla circuito simile a queiio visto prima
a causa della tensione di partitore ritardo sono Ana corrente cue scorre
come
visto All'inizio cosinaaverevpr.ve Nena capacità
importante sa ricordare
le capacita si oppongono aiie variazioni di tensione
Ve Ne e I dal dt
il tempo con cui si carica e scarica una capacità
aperse sana corrente piccole correnti stomacano piccoli
trasferimenti si carica nel tempo e

qui i no un
caricamento lento viceversa orario correre vanno
caricamenti Veloci
in conclusione il modello dinamico dirferisce sa quello
statico per l'utilizzo di capacità D'ingresso
per lanosaevizzazione dei ritardi
Logica ed Elettronica, la logica a interruttori

Funzioni logiche realizzate mediante interruttori

Vp Vp

Vp

In1

In NOT(In) In1 NAND(In1,In2)

usciraa è solose

i a were sono

NOR(In1,In2)

In2 In2

Gnd

Funzionerealizzata

NOT

Gnd Gnd

Funzionerealizzata Funzionerealizzata

NAND NOR

NOTA, porta NAND: Vol e Ioh sono differenti da Vol e Ioh della porta NOT

NOTA, porta NOR: Voh e Iol sono differenti da Voh e Iol della porta NOT

PORTA Nana è solo se i 2 wore sono 1 altrimenti 1
uscira Canevari as 1 con 2 interruttori chiusi in parallelo
X v r 0 con una serie di 2 interruttori aperti
uscita ed N1 e in 2 Sono as 1 ovvero faccio
scartare turn on interruttori
tuttavia questa e una brutta nana
se in ingresso tuo 00 ho il doppio seno corrente in
uscita rispetto a quando ho 01 o 10
t il naso giusto mettere Sion ingressi e sulle uscite

e si
le porte not come visto prima in modo tale che
correnti e tensioni non oisensano sana funzione logica
realizzata
NOR 1 I 2 incress sono a 0
Con gli interruttori si realizzano funzioni logiche

•
Definizione di Famiglia logica

– Insieme di dispositivi SSI e MSI che permettono di realizzare la maggior parte

delle funzioni logiche e che sono accumunati da criteri progettuali simili e uno

stesso processo tecnologico

– Stessi livelli di tensione e di corrente, stesse caratteristiche di assorbimento

– Stessi tempi di salita e discesa

Classificazione Transistors Dispositivi tipici

piccoiascala a interazione

SSI (Small Scale Integration) <200 porte logiche

MSI (Medium “ “) da 200 a 2000 contatori

LSI (Large “ “) da 2000 a 20000 dispositivi periferici

VLSI (Very Large “ “) da 20000 a 200000 processori, memorie

ULSI (Ultra Large “ “) > 200000 processori evoluti

classificazione rene avesse

Famae oimè Fama sua
base se no ai transistors


Anche il diodo è un interruttore

sono una certasana si cause
•
Logiche a diodi sono i n n e apre

Il diodo è un interruttore senza comando V=VAB=VA-VB

I

– Applico una tensione V -> scorre una corrente I A B

– I = Io(eV/(n∙Vt)-1)

Vt = KT/q = T/11600 ≈ 26mV (T=300°K) I V

Io ~ nA (raddoppia per dT=10°C)

n ~ 2 per diodi al Si Rd I
A B

– Interruttore aperto se I ~ Io ~ nA
+ -

– Interruttore chiuso se I ~ mA

– 1mA=Io(eV/(n∙Vt)-1) -> (1mA+1nA)/1nA~eV/(n∙Vt) V

-> V/52mV~ln106 -> V = Vs ~ 0.7V ripasso Vs

del dio 0
•
Modello semplificato del diodo

– I ~ 0 per V<Vs ~ 0.7V



Vp

A A

C = A AND B C = A OR B

B

B

Gnd

circuito vince il minore g µ ae
consideravano in logica sondeana ragionamenti ANALOGHI
con incaessi 0 e 1 Fungerà Ana Ana
da porta and avro 1 sono
quarzo i 2 ingressi sono 1
Altrimenti vince sempre 0 minore
Ma il diodo non funziona (no logiche a diodi)

•
Logiche a diodi

emerso in sere e porre asiora
•
perché la logica a diodi non ha dispositivi nonuo ni il menorazionamento

– un dispositivo è fatto da tante porte elementari

– calcolo dei livelli di tensione (Vp = 3V)
in Vp

Se Vi < (Vp-Vs) allora Vo = Vi + Vs

altrimenti Vo = Vp C = A AND B

B

•
Cosa succede se applico A = “0” e B,C,D = Vp?

– Porta AND a 4 ingressi realizzata con 3 porte AND a due ingressi

Vp

Vp D

Vp C OUT = A∙B∙C∙D

2 r.nu

B visocomeanero
ma
i
avereo L’uscita a ~ 2,1V

errore

A causa
mare
a an a
oeuan.am
I Oavwww me
vnon aw sinota
sua
noooo ancora
ancora nero
in
www.s
cosa
Sarebbe vista come “1”
(Vol > Vil!!!)

rene a ssocianoao no aimicaco nero maiwww.m.o.ae r.o.an
i wwwam manon io o es

cui si non percui non ho
t.amone no cue a darsi
Modello e dispositivi reali

•
Famiglie logiche bipolari

Il transistore bipolare (Bipolar Junction Transistor)

– Interdizione: Vbe<Vs, Ic<Icbo

– Zona attiva: Vbe~Vs, Ic=h(FE)*Ib

– Saturazione: Ic< h(FE)*Ib

Ic

Ic

ON

Rces

Ib

Cout

Vce
Vbe Cin Sat.

OFF
Att.

Vbe
•
Comportamento approssimato
•
Regioni ON (Ic~mA) e OFF Int.


Consideriamo il transistore, vogliamo fornirne un modello
In precedenza abbiamo già visto una modellizzazione per il transistore, ovvero il modello con il
generatore di corrente, tuttavia in quel caso il transistore funzionava tra interdizione e regione di
polarizzazione attiva diretta; in questo caso vogliamo invece farlo funzionare tra interdizione e
saturazione, quindi il modello cambia
Modello: ho un interruttore con una resistenza che mi permette di avere una Vce che dipenda da Ic:
se Ic è piccola anche Vce lo è, viceversa se Ic è grande anche Vce lo sarà
Le capacità di ingresso e di uscita (Cin e Cout) sono molto piccole nei transistori bipolari e quindi
essi risultano molto più veloci dei MOS

•
Le prime famiglie logiche bipolari, RTL A

RTL (Resistor Transistor Logic)

– La porta NOT richiede l’integrazione di due resistenze, Rb e Rc

– VA=Vout=“1”, transistore “interdetto” (Vcc-VA)/Rc=(VA-Vbe,sat)/Rb

– V =Vout=“0”, transistore in saturazione (Vcc-V )/Rc + N·Iil < Ic,max
A A

– Saturazione: Ic<Ib*hFE Ib=(Vin–Vbe,sat)/Rb Ic=(Vcc–Vce,sat)/Rc

– La capacità di carico Cl=ΣCin si scarica velocemente sul transistore in

conduzione (Rce,sat<100Ω) ma si carica lentamente su Rc (Rc>>100Ω)

– I dispositivi RTL dissipano potenza statica quando Vout=“0” (Iccl>Icch)

Vcc Vcc Vcc Vcc

Rc Rc Rc Rc

Vout Vout

Vout Vout

Vin Rb B

A A B

A

Vout=NOT(A)=!A Vout=!(A&B) Vout=!(A+B)


Con il transistore bipolare abbiamo la prima famiglia logica: la famiglia logica RTL (resistor transistor
logic):
Per rendere il dispositivo il più semplice possibile, questa famiglia adotta come porta NOT quella
che abbiamo visto in laboratorio: transistore bipolare + resistenza di base + resistenza di collettore,
in ingresso applico un segnale bipolare (o vicino a massa o vicino alla tensione di alimentazione):
Se l’ingresso è vicino a massa il transistore non conduce ed in uscita ho 1 (segnale Vcc), dato che il
transistore si comporta da interruttore aperto
Se l’ingresso e vicino all’alimentazione il transistore va in saturazione, dato che scorre una corrente
di base notevole, la corrente di collettore non riesce a seguire Beta*Ib e quindi il transistore va in
saturazione; il transistore è quindi un interruttore chiuso che cortocircuita a massa
ca va a saturazione e
moito ricca posso
quivi
considerava 0 navale
sarà amare il valore ai Vat
Mettendo in serie o parallelo gli interruttori/transistor riesco a realizzare anche le altre logiche
combinatorie (not, nor, nand)
Come già detto però, ciò viene fatto per realizzare solo la funzione logica all’interno del modello
visto inizialmente, in modo da mantenere l’indipendenza di tensioni e correnti dalla funzione logica
realizzata
Esercizio i va Dati
0,7 soglia
Rc Vin 0,8 V mi stacco_i uoos.ir
out
il 0,5 v
Rb
µ non quanto valgono Iib e lil
IPOTIZZIAMO un ingresso ad 1 se no l'ingresso ad 1 anima no
va un ingresso di tipo viti quindi scorse una
corrente Iib in Rb
Rc Ion Al transistore Arriva 1 esso consoce e
out quindi Use D tu non 7name
Rb
IN un ateneo are Iib Vita 0,7 Rb

s n Rb 2
vai
Iib r
O.tv
une
per trovare i valori massimi seno usare Vil e viti calcolo Iib min
minimi
Iib nn Vita 017W 0,8 OAV 100mV
Rb Rb Rb
per trovare il valore massimo devo prendere il valore
massimo di tensione Ovvero l'alimentazione es 3
Iib mai 2,3W
Rb
suina www.ss
pensione
Rc toh
oh spense sai no_i carini
eo se transistore
spento
caso di ingresso a 0 Nil
per avere 0 seno avere un valore tra e 0,5W in
modo tale che il transistore non conduca
va
la corrente Iii e praticamente niuna
Rc e la corrente sei transistore spento
out
0 Rb Iii e Io Quanto vale tensioneVa
li nn www.owo.wor.is
Vol Vce sat 0,3
t un
valore massimo per avere 0
Ho cue Uil Vol e quindi sono sicuro di aver rispettato
l immunità al rumore la quale vale 200mV Per il valore A 0
rosa
Id cue è la corrente me entra sa out quando l'uscita e A 0
vale
Iole IC.mx massima corrente si satura
i limiti pel Progetto sono dati e rumore E sai FUN out
nota limiti El progetto

i
o Voti vita
Non vita Shiva immunità Al rumore per il seons.ee
o Fun
Imax
N.Iihnafn.FI
µ non
Voti va Rc toh Vinto Zu all
Vcc IV Rc oh Rc Idc ZU
oh
max
10 2 su Rc 23 2 Rc e 2
ftp.b Rb Rb 23
N sva.ee
realizzare una famiglia logica basata su

Al di là del risultato numerico: abbiamo detto che vogliamo reazionarie
ma
questa porta not, quindi tutti i miei dispositivi (che siano porte and, or etc), avranno come stadio di
ingresso una resistenza di base di valore Rb ed un transistore ad emettitore comune, inoltre avranno
come stadio di uscita un transistor bjt con l’uscita presa sul collettore ed una resistenza Rc
collegata a 3V
Voglio che per i dispositivi di questa famiglia, l’immunità al rumore sia di 200mV e che il fun-out sia
10; per ottenere queste condizioni (avendo Vih=0,8V e Vil=0,5V) devo dimensionare le resistenze in
modo tale che siano in rapporto Rc/Rb <2/23
L’altra condizione, che mi permette di dimensionare Rb ed Rc è la condizione di saturazione: voglio

che il transistore sia in saturazione e che quindi Ib >Beta*Ic; Ib la conosco, infatti Ib = Vin - 0,7/Rb, e
deve sempre essere maggiore di Beta * Ic
Dove Ic Idem N til
ma I L ao e quindi questa condizione è sempre rispettata
Riassumendo, da questa famiglia logica posso vedere che:
Se parli di famiglia logica vuol dire che qualunque funzione avrà sempre lo stesso stadio di ingresso
ed uscita, inoltre dovrò avere le stesse tensioni di alimentazione, le stesse Vol, Voh, Ioh etc
Impongo anche la famiglia logica abbia una certa immunità al rumore, un certo fun-out, queste
caratteristiche impongono determinati vincoli sui vincoli delle resistenze
15 10
riassunto
i dispositivi reali sono rappresentati mediante un modello avevo con
i 2 transistor 4 resistenze es una funzione nociva
esempio
dato un dispositivo fisico reale nano
indipendentemente sa come è fatto
sappiamo cue Ha un Alimentazione
ed una massa
noi annoiamo a studiare il suo interfacciamento con Gli Altri
dispositivi vogliamo essere sicuri che un flusso informativo
Si propaga correttamente mediante dei SEGNALI
studiano quivi i segnali le tensioni E le correnti in
uscita eo incresso dai dispositivi
ingresso Parco di 4 caratteristiche elettriche

per
corrente a ingresso a meno Alto Iib
e i r r a Basso I L
tensione si ingresso A livello alto viti

v e i n basso Uil
lo stesso è raro per le uscite
toh
IOL
Voti
Vol
Attraverso lo studio di questi parametri riesco a capire se il
flusso informativo si propaga correttamente o meno
per lo stuolo si Questo interfacciamento ogni COMPONENTE E
moseleizzato così
HA
esempio famiglia Rtl e molto semplice quindi sono per questo
caso cerchiamo di capire come E faro dentro un componente
lo Porta not RTL
sappiamo che tutti Hanno alimentazione e massa
non vedo nuiia Che assomigli
out Al modello come faccio a
capire quali sono le resistenze
un Rip Ric rap e

Roy
1 i
ipotizziamo avere 0 in
di
nel Moreno no me l'interruttore www.esso sono è aperto
avevo sopra cuius o
3 out
1nA
nn
n i
l tua
dev'essereviale ora non far scattare
l'interruttore lui al massimo
0 SV 0,4W
pian
dal lineare passiamo sera me

modem vil vp rip.IR
ma noi assiamo seno me non scorre correre son Canevari
verso la base Iii e Via non c e un vero levare
tra Uil E I eaan.noar.erme.io a soso.no six
in.rs
learn
ora anno corrente
µ
Il
Moreno ci verra conosco in futuro ma non e adatto
a rappresentare dispositivi RTL
caso con 1 in ingresso
sopra si apre e sono si chiuse
t.in out
I b
1nA t.ae
N mm a
Rb d
voi
h vita
aereo
dev'essere si amero 0,7
da 04mi Vita b
Rif calcolo Iib
vih opvi I.is amen

sare.eu
Rb
transistor www.er
LE 2 relazioni si assomigliano
A meno del 0,7in
Posso quasi ire me la
Rb corrisponde circa avra
rig
rip sara invece perché abbiamo se.to Che sali altra parte
la corrente non scende
verifichiamo lo stadio di Uscita
in uscita ho 1 APRO sopra E Cuneo sono

se no 1 il transistor con ce avevo seno not ar
Roy
vol e data sana UCE a saturazione a 0,3
la Id
Quando ho in ingresso uno 0 il transistor è spento e avrai
la corrente scerse sana resistenza verso l'uscita
la resistenza ai camerone coincise con Rap
top Voti Va Rap toh
out
Ia
N a
nn
Rb
voi
Interfacciamento del dispositivo reale e sei nasello

Del modello abbiamo chiarito tutti i livelli di tensioni e le correnti in ingresso ed uscita, per quanto
riguarda la famiglia RTL abbiamo quindi i seguenti valori:
Rtl
It'LIO CINA
il 0,5W
viti 0,8W
Iib IB Vita 0,7
Vol 0,3 v Rif
Id Vol Vol Ion Iib
Roba Robinson
Voglio studiare l’interfacciamento: se l’uscita va a pilotare, per esempio, altri 3 dispositivi in

ingresso, l’interfacciamento funziona ?
porta not
avevo minore
1 esce 0 t.i.io per

nostromono
vdetd.rdo.edu
resistenza
sirena
a saturazione transistor
Anche se avessi collegato 30 dispositivi anziché 3, l’uscita non sarebbe cambiata => l’uscita non
dipende da N, ovvero il numero di carichi, cioè i dispositivi pilotati
si Parla di interfacciamento Forte avanzo iuscita
NON spende da
Ora PONGO O anziche 1 in incresto
il transistore è spento quindi i uscita tra
Iohen.Iihvoh
vcc Iob.rope
ÌIµÌÀ
vcc N.Iih.ROo
l'uscita ripensi Fortemente da N
per oraria Voti scerse
Grazie al modello possiamo quindi studiare l’interfacciamento dei dispositivi senza dover guardare
come sono fatti dentro
v s
in rtl ho quasi me
Rb
Riga
Rap Rc
Roy 0
Rip O
ESERCIZIO SU interfacciamento


•
Le prime famiglie logiche bipolari, RTL

Vcc
•
Calcolo livelli logici pilotando n carichi

Vcc=3V,

Rc kΩ, Rb kΩ, h(FE)=50, Vce,sat=0.2V Rc

Vout

•Uscita

a “0” (transistore ON): Vin Rb

– Vol = Vce,sat = 0.2V 0,3V

– Iol > Iil 0

– Ic = (Vcc-Vol)/Rc mA a 0A

– Iih = Ib > Ic/hFE 0.1mA datocuesiamoin saturazione

– Vih = Vbe,sat + Rb·Ib 0.8V Vcc

Vcc

Rc
•Uscita

a “1” (transistore OFF): Rc Vout

– Voh = Vcc-Rc·Ioh > Vih o.su Vout Vin Rb

– Ioh > n·Iih
Vin Rb

– Iil = Ib μA (correnti di perdita)

– Vil < Vs + Rb·Ib 0.6V

•Se

si fissa Voh = 1.2V e Rc = 1kΩ

– 1.2V = 3V-1kΩ·n·Iih n 18

toh


•
Le prime famiglie logiche bipolari, DTL

Diminuzione Iih rispetto a RTL (“1” debole, Voh dipende molto da Ioh)
•
Introduzione del carico attivo (schema a sinistra)

Vcc Vcc

R1 Rc Vcc R Rc

Vcc Vo

Vcc D2 D1
R2 ViA

T1

T2 Vo ViB P

D1 R3
Vo ViA

P T1

T1 ViB Gnd

R3

Gnd

Se T2=D2, R=R1+R2 (schema semplificato a dx) -> Porta NAND

•
OUT=“1” -> Ic = (Vcc-Vce,sat)/Rc + N(Vcc-Vd,sat-Vce,sat)/R -> R grande
•
OUT=“0” -> T1 deve avere sufficiente corrente in base per saturare -> R piccola

2a Famiglia logica cerca 1 Ovviare ai problemi sella Rtl
Abbiamo detto che la RTL in uscita ha lo 0 forte e scambia poca corrente in ingresso quando c’è
uno 0, tutti i problemi si accumulano invece sull’1: 1 è debole ed in più le correnti assorbite dai
carichi sono notevoli, in quanto sono le correnti che servono alla base per andare in saturazione
Possibile possanza dato lo schema DTL commentario
Analizziamo la lo schema non e sa sapere a memoria
piovra di Dx
Il modello dell’uscita è rimasto invariato: la RC è l’equivalente della Rop, la Rog invece è un
cortocircuito ( di fatto sarebbe la resistenza di saturazione del transistor, che però abbiamo detto
essere di soli 10 ohm)
Le differenze si hanno nello stadio di ingresso: è stata aggiunta una logica a diodi (infatti DTL sta per
diod transistor logic), l’obiettivo di questa rete in ingresso è di avere correnti in ingresso anche
elevate quando l’ingresso è 0, ma che siano invece assolutamente piccole quando l’ingresso è ad 1
Possiamo notare che lo schema a diodi è lo schema vince il minore, quindi scorre corrente solo nel
minore : se metto in ingresso 1, entrambi i diodi sono polarizzati inversamente e quindi non
assorbono corrente, se invece metto 0 allora scende corrente dalla resistenza R che va poi verso i
diodi
Pensando al nostro modello, la resistenza R equivale quindi alla resistenza Rip
Rig invece è infinita, infatti se pongo 1 in ingresso trovo la resistenza del diodo inverso
Lo stadio di ingresso è quindi detto stadio di inversione
Il diodo ha una sua caduta di tensione, quindi se volessi fare la relazione tra Vil e Iil non è proprio
esatta come quella del nostro modello, che diceva : Vil= Vcc - Rip*Iil, in questo caso ho che Vil =
Vcc - Rip*Iil -0,7V
Quindi tra il punto P e gli ingressi troviamo una caduta di 0,7V
Il diodo D2 serve proprio per compensare la caduta di 0,7V: il diodo di D2 si ritrova ad essere come
un grande circuito vince il minore, ovvero la corrente che scende dalla resistenza R o se ne va verso
gli ingressi o se ne va sul diodo D2, andrà su D2 solamente quando sui 2 ingressi ci saranno dei
valori maggiori del catodo di D2, quindi la tensione di soglia sarà la tensione del catodo di D2, ma
sappiamo anche che la soglia è quel valore che fa condurre o meno il transistor : so che sulla base
la soglia è circa 0,7V, su D1 ho un’altra caduta di 0,7V, quindi la soglia sul catodo di D2 sarà di circa
1,4V (nell’RTL la soglia era di 0,7V)
non un
www.nnw.ae
a sono
Riassumendo : dato che ho un grosso circuito vince il minore, se in ingresso ho tensioni più alte di
1,4V allora la corrente della resistenza R se ne va verso D2 e D1 ed accende il transistore T1,
dandomi in uscita 0, ovvero se in ingresso ho due 1 in uscita ho 0
Se invece in ViA, o in ViB, o in entrambi ho una tensione inferiore ad 1,4V allora quello diventa il
punto minore (che vince) e la corrente che scorre in R se ne va verso il relativo ingresso
Abbiamo così creato un sistema di ingresso che non scambia corrente quando c’è 1 e scambia
corrente quando c’è 0, il che è molto meglio rispetto ad RTL
Ma a cosa serve la resistenza R3?
Serve per la dinamica, poniamo come esempio il caso in cui essa non ci sia ed in ingresso io abbia
1 e 1: la corrente di R va in D2 e D1 ed accende T1 , supponiamo che ad un certo punto 1 dei 2
ingressi vada a 0, avrei quindi che la corrente di R va sugli ingressi, ma su D1 c’erano 0,7V che
devono scaricarsi (ovvero le cariche che ci sono sulla base): da D1 non possono passare a causa
dell’alta impedenza , quindi si scaricherebbero molto lentamente , quindi anche il transistor si
spegnerebbe molto lentamente
R3 serve proprio a scaricare velocemente T1
Possiamo notare che quella realizzata è una porta NAND
IL CARICO ATTIVO:
il carico, in generale, è una resistenza
Il carico è pesante se la resistenza è piccola, viceversa è pesante
Il carico attivo è una resistenza che ha 2 valori diversi a seconda che io sia nello stato logico 0
oppure nello stato logico 1
Osserviamo R: vogliamo che essa sia piccola, in modo che riesca a fornire sufficiente corrente a T1
nonostante la perdita su R3
Tuttavia non può essere eccessivamente piccola, altrimenti quando sull’ingresso ho 0 otterrei una
corrente troppo elevata
Vorrei quindi una R piccola quando sugli ingressi ho 1, una R grande quando invece ho almeno uno
0 sugli ingressi
Al posto di R Sostituisco un altro circuito : R1 + R2 + T2 (vedi figura di SX) , in modo da ottenere

una resistenza grande quando la corrente va verso sinistra (ingressi) ed una resistenza piccola
quando la corrente va verso destra
La corrente va verso destra quando T2 è acceso , ma T2 dal punto di vista del circuito di Dx, non è
diverso da D2, questo perché stiamo usando la giunzione base - emettitore , ma la corrente la fissa
R1: ho quindi una resistenza R1 quando la corrente va verso destra (R1 è quindi piccola)
Quando invece la corrente va verso sinistra, è perché T2 è spento , la resistenza vista dal circuito è
quindi data da R1 + R2
Questo insieme di 2 resistenza è un transistor è quindi detto carico attivo perché equivale ad una
resistenza R di valore variabile a seconda che la corrente vada verso sinistra o destra (ovvero a
seconda dello stato logico)

•
La più famosa famiglia logica bipolare, TTL

T1 in tecnologia multiemettitore (AND)

•
Valori resistivi tipici (Vcc=5V)

– R1 4k , R2 1.6k , R3 1k , R4 130 Vcc

•
Carico attivo in uscita (Rout = R4,T4,D1) R1 R2 R4

Rout grande se l’uscita è a “0” Vcc

(Iol grande) T4 R

Rout piccola se l’uscita è a “1”
D1

(Tplh piccolo) ViA Vo
T2

ViB T1 T1
•
Stadio di uscita “totem-pole” T3
•
T3 e T4 lavorano in opposizione di fase R3

•
T4 opera in regione attiva

(deve essere veloce a spegnersi)
•
Senza D1, se T2=ON allora T3=ON

e anche T4=ON (percorso a bassa impedenza)


Difetti di DTL: Rc non può essere troppo piccola perché altrimenti va a pesare sulla corrente di
collettore di T1 quando T1 è accesso e non può essere troppo grande perché deve fornire corrente
ai carichi
Il TTL ha quindi introdotto una specie di carico attivo al posto di Rc
Abbiamo T3 e T4 che lavorano in opposizione di fase, quando uno è acceso l’altro è spento
Abbiamo quindi che la corrente non scende mai lungo il ramo evidenziato in giallo, in questo modo
ho un miglioramento in termini di consumo di potenza
Con il TTL R4 può essere piccola, infatti da R4 non scende mai una corrente che va ad agire sul
collettore di T3, quindi sul collettore di T3 arrivano esclusivamente le correnti dall’esterno ,
velocizzando così il suo spegnimento
In ingresso abbiamo un transistore multiemettitore che lavora in regione attiva - inversa (mai visto
nulla di ciò ) , considereremo quindi questo transistore come il circuito vince il minore del DTL, che
agirà nello stesso modo
Anche la soglia non cambia, che rimane a 1,4V
T2 ha un doppio scopo: far fronte alla caduta di 0,7V in ingresso (come DTL) e gestire l’alternanza di
T4 e T3 : quando T2 conduce esso inietta corrente nella base di T3, quindi anche quest’ultimo
conduce, impedendo però la conduzione di T4
Se invece T2 è spento, nessuno manda corrente in T3 (che rimane spento ) ed il transistore T4 si

prende tutta la corrente che scende da R4, andando così a condurre
Rimane da capire solo a cosa serve il diodo D1:
Immaginiamo di avere uno 0 in ingresso, quindi T2 è spento e tutta la corrente va verso l’ingresso ,
ma se T2 è spento lo è anche T3 , mentre T4 è acceso dato che tutta la corrente di R2 va nella sua
base
Ne consegue quindi che Vout = Vcc - R4*Iout - (Vce di T4)
Per fare questo calcolo ho usato il ramo di R4, posso però usare anche il ramo di R2:
Vout = Vcc - R2* (I di base di T4) - (Vbe di T4) che in approssimazione diventa = Vcc - 0,7V
Caso con in ingresso degli 1:
Ottengo che T2 e T3 sono on
Vout = Vce di saturazione di T3 = 0,3V/0,2V
Il transistore T4 si ritrova in base 0,7 + 0,2 = 0,9V, mentre sull’emettitore ho 0,2V => T4 conduce , il
che non va bene , se ho in ingresso un 1 in uscita devo avere 0
Inserisco quindi un diodo per limitare la tensione tra emettitore e base di T4 , il quale potrebbe
essere inserito in 2 posti diversi:
Lo inserisco in 1: se ho 0,2 sul catodo allora sull’animo ho 0,9V , così T4 è spento, dato che in
posizione 2 ho 0,2V
Lo inserisco in 2: ho 0,9 sull’’anodo e quindi mi ritrovo 0,2 sul catodo , che con il 0,2 su Vout mi
rendono T4 spento
Tuttavia il diodo in 1 mi va a modificare la Vout : Vout = Vcc - R2 * Ib4 - Vd - Vbe di T4 = Vcc - 1,4V
Con l’aggiunta del diodo in 1, la caduta tra il nodo di R2 - T4 e Vout diventa di 1,4V (prima era solo
di 0,7), impedendo così a T4 di condurre
Altro “trucco”: T4 viene fatto lavorare in regione attiva, ciò perché T3 è veloce ad accendersi, se T4
non è veloce a spegnersi ho un momento in cui T3 e T4 conducono entrambi
Voglio quindi che T4 sia in regione attiva in modo tale che lo spegnimento sia più veloce ( il punto di
lavoro deve spostarsi di meno)

•

ViA = “0” Vcc

T1=Diretto, T2=OFF, T3=OFF, T4=ON R1 R2 R4

Ic1 0, Ie1 Ib1 (Vcc-Vbe,sat-Vol)/R1 Vcc

Vo = Vcc – R2*Ib4 – Vbe4-Vd 3.6V T4 R

(T4 in regione attiva -> Vbe4 0.7V, Ib4 0

D1

ViA T2 Vo
•
ViA = “1”, 0.7<Vb2<1.4V ViB T1
T3
T1

T1=Inverso, T2=ON, T3=OFF, T4=ON
R3

Vb4 decresce e fa scendere Vout

Vo decresce con dVout/dVb2 -R2/R3

ViA = “1”, Vb2=1.4V Vo

T1=Inverso, T2=ON, T3=ON, T4=ON 3.6V

Vo scende a Vce,sat e T4 si deve spegnere!

•
ViA = “1”, Vb2>1.4V(=Vsoglia) Vb2

1.3V

T1=Inverso, T2=ON, T3=ON, T4=OFF 0.6V


Vcc
•

R1 R2 R4

Esercizio
•
Calcolo dei livelli di tensione e corrente Vcc

R1 4k , R2 1.6k , R3 1k , R4 130 T4 R

Vcc=5V D1
ViA T2 Vo

•
Uscita a “0” (transistore T3 ON) ViB T1
T3
T1

Vol Vce,sat = 0.2V R3

Iol = Ic,max – Icbo > n*Iil

Iih = Icbo < 10 A

Vih = 2Vbe,sat > 1.4V 1.5V

•
Uscita a “1” (transistore T3 OFF) 5V

IH

Voh = Vcc – R2*Ib4 – Vbe4-Vd

Vcc-Vd-Vce-R4*Ioh > Vih (tip. Voh 3V) O
n
H

Ioh > n*Iih (tip. n>10)

OL

Iil = (Vcc-Vce,sat-Vd,sat)/R1 1mA

Vil < 1.4V 50m

1.3V IL A

NOTA: Iccl > Icch



•

HTTL (High Speed TTL)

•

–Riduzione dei valori resistivi -> aumento dei consumi

• LTTL (Low-power TTL)

–Aumento dei valori resistivi -> Riduzione delle prestazioni

• STTL (Schottky TTL)

–Utilizzo di transistori Schottky

(diodo Schottky metallo-semiconduttore,

Vd 0.35V, tp 5ps)
• LSTTL (Low-power Schottky TTL)

• FTTL (Fast –Fairchild Advanced Schottky TTL- TTL)

• ASTTL (Advanced Schottky TTL)

• ALSTTL (Advanced Low-power Schottky TTL)



•
Famiglia logica bipolare LSTTL

valori
vani
mmm t.me

•
Caratteristiche statiche pietà i
SIGLA

MIN. TYP. MAX. CONDIZIONI

Vih 2V

Vil 0.8V

Ioh -0.4mA

Iol 8.0mA

Voh 2.7V 3.4V Vcc=min.,Vil=max., Ioh=max.

Vol 0.35V 0.5V " " Vih=min., Iol=max.

Iih 20 A Vcc=max., Vin=2.7V

Iil -0.4mA " " Vin=0.4V

Icch 0.8mA 1.6mA Vcc=max., Vin=0V

Iccl 2.4mA 4.4mA " " Vin=4.5V

•Caratteristiche

dinamiche temo.name
www.oniaaan.oi.su
cnn.a.am
passano
sasso
i

Test conditions Tplh,typ Tplh,max Tphl,typ Tphl,max

MITSUBISHI Vcc=5V Cl=15pF 6ns 15ns 5ns 15ns O

TEXAS

Vcc=5V Cl=15pF
FAIRCHILD Vcc=5V Cl=10pF
9ns
-
15ns
10ns
9ns
-
lì
15ns aurea
10ns


ns.oitenoorisultati maiori serve
usano un carico capacitivominore
esercizio
ricavare
immunita Al rumore Al livello alto Voti Viti
per calmarla userò i valori minimi 2,7 2 0 tv
immunita al rumore Al livello basso Uil Vol 0,8 0.5 0,3
immunità Al rumore mia 0,7N 0,3W 0,3N
Come capire se 1 e 0 sono forti o serali
Guardiamo vol tra il vi massimo e avevo tipico c'E una
differenza di 150mV la quale e moito piccola requivale
Quasi al rumore 100mV
la differenza tra Voti tipica e aveva minima e invece si
ciò significa che voti può
0,7V ovvero è molto elevata

variare parecchio in base aiia Ion
1 E debole permei la tensione a uscita può variare

al variare Eva corrente può variare a 0,7
d'uscita
lo 0 E forte perme la tensione varia moito
poco 150mV
quanto VALE il fun out A LU 0 e 1
In
v Fun Out 8mA 20
il 0,4nA
v b Il E negativa eo Id è positiva perme per
convenzione si considerano positive le correnti
entranti Negative queue uscenti
v 1 Fw out toh 20
Iib
quivi con un dispositivo TTL posso nuotare fino
A 20 dispositivi

•

peggiorare

i a serveper contrariare
•
Indice di merito = prodotto Tpd*Pd le avesser.amcuewo.me

consumano umori
senno me maw.a.ioerosso

Circuito integrato 74XX00 (4 porte NAND)

potenzaassioma
iena sina.am
Serie

Tpd porta NOT (ns) Pd (mW) Indice di merito (pJ)

74

(TTL std) 10 10 100

74S

3 19 57
74LS

9.5 2 19

74AS

1.5 20 30
74ALS

4 1 4

minore è vivace

e mi i positivoma
restano mionor



Source
Gate
Drain
•
NMOS ad arricchimento = =
n n

NMOS
•
NMOS arricchimento Substrato p

ZONA FUNZIONAMENTO Vgs Vds Id

INTERDIZIONE <Vt 0

OHMICA (TRIODO) >Vt <Vgs-Vt k(Vgs-Vt)Vds Vds/Ron

SATURAZIONE >Vt >Vgs-Vt (k/2)(Vgs-Vt)2/2

– Capacità d’ingresso ~ 10pF (lento). Più veloce ad accendersi che a spegnersi

– V=Q/C piccole cariche possono produrre sovratensioni elevate!

(ElectroStatic Discharge)
realizzazione cnn.ro

a suosenorenren.n.us
www.sina.no neva comeresistenza

Vp Vcc Vcc

Id

[mA] Rh

Vgs-Vt=3V
Vout

0,1 Vgs-Vt=2V Out

Vin

In

3 Vds [V]

Gnd NOT NMOS con
NOT NMOS ad arricchimento

carico a svuotamento


•
CMOS (Complementary MOS)

L’elemento CMOS consta di due MOSFET ad arricchimento con canali a

polarità

opposta (NMOS e PMOS) che lavorano in opposizione di fase

– Maggiore velocità di commutazione e simmetria dei tempi (Tphl Tplh)

– Compensazione termica, dissipazione di potenza statica trascurabile (Vcc*Il)

– Ottime caratteristiche statiche (Voh Vcc, Vol gnd, Iih Iil 0, Vs (Voh+Vol)/2)

IN
Vcc OUT Gnd

Source Gate Gate
Drain Source Drain

p p n n

PMOS NMOS

Substrato n Substrato p

Vcc

Vcc

PMOS –conduce con “0” sul gate-
amm

Vin Vout Vin Vout

NMOS –conduce con “1” sul gate-


Il CMOS è fatto da 2 mos ad arricchimento, uno incapsulato nell’altro
Ho un n-mos classico, accanto ad esso creo un altro pozzetto che si comporta da substrato n,
realizzo così un transistor p-mos ad arricchimento utilizzando i processi già visti in precedenza
Il transistore p funzuina in modo complementare rispetto a quello n:
n crea il canale se c’è una tensione di gate rispetto al source di un certo tipo, il p mos realizzerà il
canale se tale tensione invece non c’è
(oppure c’è opposta)
meno un panino
me sina.eu
not
l
consumo in a no
comeva venazione
sen i nos
Se quindi sulla tensione di ingresso applico un livello 1, nmos conduce e pmos non conduce, se
applico un livello 0 avviene l’opposto
Riesco così ad ottenere un componente con 2 transistore/interruttori che lavorano in opposizione di

fase, inoltre posso fare in modo che il transistore non abbia bisogno di resistenze, essendo esso un
mos si comporta già di per se da resistenza (nmos: ho una resistenza bassissima se applico 1 sulla
relativa base, viceversa ho resistenza altissima se applico 0)
Altro vantaggio: la struttura di questo componente è facilissima da costruire: faccio il substrato p,

poi metto l’ossido, poi la maschera , tolgo l’ossido ed espongo al drogante, per poi lavare tutto e
ricominciare; lo faccio 3 volte in modo da creare per primo il substrato p, poi i 3 pozzi n ed infine i 2
pozzi p
Inoltre le uscite logiche sono quasi ideali: Voh = Vcc e Vol = gnd
La tensione di soglia è la metà tra massa ed alimentazione : Vs = (Voh + Vol) / 2 -> componente
simmetrico
Il fun out è elevatissimo dato che le correnti in ingresso sono praticamente nulle
L’immunità al rumore è anch’essa elevatissima dato che le uscite sono forti ed ideali
Non c’è mai possibilità di conduzione tra alimentazione e massa, quindi anche la dissipazione di
potenza è bassissima, può avvenire solo nel caso della commutazione ma molto brevemente

•

•
Il CMOS, rispetto alle soluzioni MOS, ha notevoli vantaggi
•
Il CMOS, rispetto alle soluzioni BJT presenta:

– Maggiore densità di integrazione e range di alimentazione (non integra resistenze)

– Dissipazione statica trascurabile (non assorbe corrente in ingresso, non ha mai

percorsi di conduzione statica tra alimentazione e massa in uscita)

– Comportamento simmetrico ("0" e "1" hanno livelli elettrici complementari)

– Migliore comportamento termico (compensazioni termiche)
•
Sono più lenti e sensibili alle scariche elettrostatiche (Cin = Cgate)

– La Cin rende il dispositivo più lento del bipolare, per cui si cerca di fare C piccole

– V=Q/C ma se C è molto piccola, un piccolo spostamento di cariche genera una V

molto elevata (ESD Electro Scaric Discharge)
Unico

difetto



•
CMOS (Complementary MOS) e LATCH-UP

Altro

ocarina roseema sei catch up
•
Avvicinando il transistore NMOS al PMOS (circuiti integrati) si
sicreanoatransno A euna
a
creano

transistori bipolari parassiti (LATCH-UP)trono areo
eviceversa ra
separate arti
•
Se i transistori bipolari (BJT) innescano un percorso di conduzione,

si
crea una corrente di corto circuito che può portare alla distruzione
del

componente 2possibilerimedio
•
Drogaggi di guardia per limitare la probabilità di innesco dei BJT

se
eviene
n
spentono aie

in u
nessuno
corso www.ea.assam.eoe

Vcc gnd Vcc ma aumentano
emassa me
G out G nazione nn
am sina.ae

S D D S asms

p p B n n A I

n B

p gnd

progresso n varipromessivena risati e

cunicaarenarimane a lentezza


•

Regione “a” : Vin<Vt, I=0, PMOS zona ohmica, NMOS off, Vout=Vdd
•
Regione “b” : PMOS zona ohmica (triodo), NMOS saturazione
•
Regione “c” : PMOS saturazione, NMOS saturazione (massimo consumo)
•
Regione “d” : PMOS saturazione, NMOS zona ohmica (triodo)

•
Regione “e” : Vin>Vdd-|Vt|, I=0, NMOS zona ohmica, PMOS off,Vout=0
•
NOTA: il consumo durante la commutazione si modellizza bene mediante Cpd

(una corrente limitata nel tempo corrisponde ad un trasferimento di carica)

Vout

a

Vdd Vdd b

Vin Vout c

Vdd-Vt Vin
Vt



•
Famiglie logiche CMOS

4000/4000B (Buffered) (1967)

•

–Ampio range di alimentazione (da 3V a 18V). Rispetto ai TTL è

più lenta ( 10 volte) ma consuma meno ( 1/3)
• 74C (CMOS pin-compatibile TTL)

• 74HC (High Speed CMOS)

–Competitiva rispetto ai 74LS

• 74HCT (High Speed CMOS TTL compatible)

–Si può interfacciare ai TTL (Vil e Vih uguali ai TTL)

• 74AC (Advanced CMOS)

–Tecnologia con tempi di commutazione 1ns e dissipazione di

potenza “CMOS”

• 74AC11

–(rinuncia alla compatibilità pin-to-pin per migliorare la

distribuzione della Vcc)
• 74ACT (Advanced CMOS TTL compatible)



•
Famiglia 74HC

Caratteristiche statiche ideali

2V < Vcc < 6V (Nella famiglia TTL compatibile Vcc=5V 10%)

Voh=99%Vcc Vol=1%Vcc Vih=70%Vcc Vil=30%Vcc Vs=50%Vcc

Ioh = Iol = 4mA Iih = Iil = 1 A lesimmetrica
correnti sono

e
•
Assorbimento di potenza

Icc(74LS00) 5mA (valore medio tra Icch e Iccl)

Icc(74HC00) 5 A (f < 10kHz) Icc(74AC00) 0.2 A (f < 10kHz)

Icc(74HC00) 5mA (f 10MHz) Icc(74AC00) 0.4mA (f 10MHz)

•
Caratteristiche dinamiche

Tphl Tplh 20ns, Tempi di propagazione circa doppi rispetto ai 74LS

Famiglie logiche CMOS

Serie

Il Cin Cpd Tpd Fmax

(Vdd=5V, T=25°C,Cl=50pF)
4000B

1 A 10pF 30pF 250ns,max 2MHz
74HC

1 A 10pF 30pF 25ns,max 25MHz

74AC 1 A 4pF 20pF 8ns,max 40MHz



•
Interfacciamento TTL CMOS (Vp = 5V)

TTL CMOS
Parametro

74XX 74LSXX 74ALSXX 74HCXX 74HCTXX
Iih(max)

40 A 20 A 20 A 1 A 1 A
Iil(max)

1.6mA 400 A 100 A 1 A 1 A

Ioh(max) 400 A 400 A 400 A 4mA 4mA

Iol(max) 16mA 8mA 8mA 4mA 4mA

Vih(min)

2.0V 2.0V 2.0V 3.5V 2.0V
Vil(max)

0.8V 0.8V 0.8V 1.5V 0.8V
Voh(min)

2.4V 2.7V 2.5V 4.9V 4.9V
Vol(max)

0.4V 0.5V 0.5V 0.1V 0.1V

Non

si rispettano le condizioni di immunità al rumore quando un dispositivo TTL

pilota

un ricevitore CMOS

Nota:

verificare FANOUT e Immunità al rumore Vn:
-
da TTL a TTL (74LSXX, FANOUT=20, Vn=0,3V)
-
da CMOS a CMOS (74HCXX, FANOUT=4000, Vn=1,4V)

-
da CMOS a TTL (FANOUT=10, Vn=1,0V) O.tv
-
da TTL a CMOS (FANOUT=400, Vn=-0,8V)


si possono creare problemi qua o si tenta a interfacciare
dispositivi Cmos e bipolari tra loro
la Enos pilota Ttlun
i possibili problemi possono Essere il Eun out E
immunità Al rumore
c nos tre
FAN out s min

III È
Iontano MA
a voi no proscessi
In MA ii Alto
the
ma iv sasso devo stare Attento ma interraccian
euro 1 A 1 ci può essere
devo stare a me un c nos non
aerea nuotare tana Ttl Potrei
avere pro mi
Possibile sanzione see Problema
metto un'interfaccia tre tra il Cmos e tutti gli
Altri TTL in nooo me il cmos sesso aumentare
1 Solo Ttl
immunita Al rumore min fvoh vih.vn vol
trucco per ricordarselo fare il disegno
saraceni our.in i sensi in

noresso wran.eu essereme
oramai serene senno con severe
anime e rumore
e
vohcvihevotc.vn
LE tensioni si uscita del Cmos sono perfette ovvero sono
la tensione si Alimentazione e la massa noi ci possono
essere protein
faccio io saremo i
nero
la ev
ciò e immunita al rumore

aie e elevatissima
conclusione l'interfacciamento a cmos a ttl potreste
darmi qualche problema con il Eun out A live.no
basso ma comunque risolubile mesiante un
ovvero un dispositivo Ttl con funzione

surfer
nociva si identita
Interfacciamento inverso
Ttl c nos
FUN out
min
III È
le correnti si incresso El C nos sono circa In c no 0
non Avrò mai problemi il denominatore
Iii e Iib e piccolissima
immunita al rumore vinto
il C Mos ha una tensione si sogna di vs va
2 vii 30
Considerando SU Vine 3,5
Vs Va 2,5
2 vii 1 SU
Vol I Grid
il Ttl 0 Forte ma problemi

Ttl
I 1 debole possibili problemi i quali non
essere
potranno risolti
passiamo ai conti penso come riferimento la famiglia 7411C
per i Cmos
interfacciamento tra Ttl ovviamente funziona
b Famiglia 74h5 calcolo il FUN out
F Oti toh 400mA 20 F Ol Id 8mA 20
in zona til 40hr17
immunita al rumore
oh Vin 0,7 Per il Cv Alto
Uil Vol 0,3 per il vv basso
Interfacciamento c nos C nos
FUN OUT 4000
immunità Al rumore 4,9W 3.5 1,4 Lv Alto
1 SU 0,1 1,4 passo
I
vivaci mirar e
componente simmetrico
interfacciamenti avi interno seme stesse taniche
sono molto buoni
Da Cnos a TTL
FUN out Iohannis 4mA 200 per lu Alto
II htt 20µA
Idem 4mA 10 PER LU sasso
Iii Ttl 400µA
non e Altissimo ma Posso
risolvere con Buffer TTL
immunita al rumore
0hCmos Vitti 2,9 per µ Alto
il tre_Velenose 0 FU 0,1 0,7 per v passo
Da TTL a c nos
Eun out
v Alto Inoltre 8mA 8000
il Cmos 1nA
v Basso Ion Ttl 400 400
Iib Cmos 1
Immunita al rumore
ii alto Voti tu Vitigno 2,7 v 3,5 0,8 relativa
Non va bene
iv Basso Vincono _Volta 1 SU 0,5W IV
A causa sevi immunità al rumore negativa al V alto
l'interfacciamento Ttl Cmos non può essere Fatto
no no immunita al rumore garantita
t a iv Pratica funziona soio me ora sto considerando
il caso pescare pero non è sempre Garantita
la correttezza

•
Interfacciamento TTL CMOS (Vp = 5V)

Resistenza

di pull-up Rp

Rp,max = (Vcc-Voh’)/(n·Iih)

Vcc Vcc

Rp,min = (Vcc-Vol)/(Iol-n·Iil)

Interdice il “totem-pole” (T4 sempre OFF) Rp

Esercizio
Problema:

Si dimensioni Rp tr TTL (74LS) Vcc
e
CMOS (74HC) se ci sono 5 carichi CMOS T4

Con

immunità al rumore in “1” Vnh = 0.2V

aand
Soluzione

v.n.vn
neurone
viivino
La

resistenza serve a fornire corrente agli n
carichi

senza "caricare" il transistore dello voti

stadio di uscita (effetto "open collector")

Rmax = (Vcc-Voh’)/(n·Iih)

Vih’=Vih(CMOS)+Vnh=3.7V, n·Iih=5 A

-> Rmax=(5V-3.7V)/5 A=260k
Rmin

= (Vcc-Vol)/(Iol-n·Iil)

Vol=Vol(LSTTL) e Iol=Iol(LSTTL) TTL totem-pole CMOS input

n·Iil= corrente tot. dei carichi = 5 A

-> Rmin=(5V-0.5V)/(8mA-5 A)= 563

Nota:

Valori prossimi a Rmin consentono migliori prestazioni

si ha quivi Quando devo interfacciare un Ttl sa un
il problema
Cmos sa solo nel caso se vi alto
soluzione meno una resistenza connessa avi alimentazione
detta resistenza ai pull UP Disarmiamo iworessoas.la Ttl
Questa resistenza fa si che quando in uscita sai
Ttl ho lu 1 sara e sta a sarà corrente ai carichi
come dimensionare la resistenza Rp
essa seu essere abbastanza piccola sa sarà corrente ai
carichi la quale e n Iib ma qui un limite superiore
c vai am
Faccio il calcolo p
Vcc Voti b Iib Rpsax vice voti
Rpmax D I b
inoltre RP non può essere troppo piccola perche mi ritrovo
con una corrente in uscita par Ttl es una sana resistenza
rischio quindi si superare la soglia del valore a 0
quando mi uscira seno avere 0

la somma sene 2 correnti dev'essere minore si IOL
Vcc vol
RP in
Id n Il
Valori prossimi A 12mi
IV
B consentono migliori prestazioni
provare a svolgere l'esercizio usa valori visti neiia tabella si tassa

•
Famiglie logiche più recenti

Pochi sviluppi nelle famiglie bipolari

La famiglia AS (metà degli anni 80) non ha subito importanti evoluzioni

Non si prevede l’introduzione di famiglie bipolari a 3.3V

La famiglia ALS non ha avuto il successo sperato (poco competitiva con AC)

Generazioni di famiglia logiche CMOS

1)
AC, ACT, FCT.

Dispositivi senza controllo di slew-rate e con problemi di diafonia e disturbi

sull’alimentazione
2)
ACQ, ACTQ, FCT-T.

Dispositivi con controllo di slew-rate e livelli in tensione simili ai TTL
3)
LVQ, LVC. Dispositivi ottimizzati per alimentazione a 3.3V

Tecniche

di progettazione tradizionale avanzata
Circuiti

stampati doppia faccia (zoccolo) multistrato (SMT)

Disturbi segnale alimentazione

Dinamica

prestazioni elevate prestaz. controllate

36 00

i ironianonsonomortiesistono ae arise cnos amori

in nos umane evantano

velocementecorrentielevate amara ariuscirea connotare
•
Famiglie logiche BICMOS (Bipolar-CMOS)

Dispositivi BiCMOS (anni 90)

Combina la tecnologia AC (stadi di ingresso e funzionali) e AS (stadi di uscita

con possibilità di commutazione rapida di correnti "elevate" -20-30mA-)

•
Famiglia più famosa = BCT

Molto utilizzata per il pilotaggio di bus (bus driver)

Elevate correnti di uscita (da 24mA a 64mA)

•
Famiglia “Advanced” = ABT

Controllo dello slew-rate di uscita
•
Famiglia con alimentazione a 3.3V = LVT (TTL compatibile)

•
Famiglia a 3.3V fully-TTL-compatible (in ingresso e uscita)= LCX

Vcc=5V HC/LS ALS/AS/AC ABT

Vcc=3V LVX LCX LVT



•
Famiglie logiche più recenti

Caratteristiche di un componente di media complessità (octal

buffer

74XX240) nelle condizioni peggiori di alimentazione e

temperatura

Serie

Tpd(ns) Vil,max Vih,min Vol,max Voh,min

AS
7.0 0.8 2.0 0.55 2.4
FAST

9.0 0.8 2.0 0.55 2.4
AC
(Vcc=5V) 8.0 1.35 3.15 0.1 4.4

AC
(Vcc=3.3V) 10.0 - - - -
ACT

(Vcc=5V) 7.5 0.8 2.0 0.5 3.7
ACT

(Vcc=3.3V)9.5 - - - -
BCT

6.4 0.8 2.0 0.55 2.2

LVT 4.5 0.8 2.0 0.5 2.2



•
Famiglie logiche più recenti, statica

Serie Vil Vih Vol Voh Iil Iih Iol Ioh Icc(H-L) Vcc

LS(Motorola) 0.8V 2.0V 0.5V 2.7V -.4mA 20 A 8mA -.4mA 1.6mA-4.4mA 5V 10%
ALS(Texas)

0.8V 2.0V 0.5V 2.5V -.1mA 20 A 8mA -.4mA .85mA-3mA 5V 10%
FAST(Mot.)

0.8V 2.0V 0.5V 2.5V -.6mA 20 A 8mA -.4mA 2.8mA-10mA 5V 10%
AS(Texas) 0.8V 2.0V 0.5V 2.7V -.5mA 20 A 20mA -2mA 3.2mA-17mA 5V 10%

HC(Motorola) 1.5V 3.5V 0.1V 4.9V -1 A 1 A 4mA -4mA 1 A 2V 6V

HCT(Mot.) 0.8V 2.0V 0.1V 4.9V -1 A 1 A 4mA -4mA 1 A 2V 6V

AC(Texas) 1.5V 3.5V 0.5V 4.3V -1 A 1 A 24mA -24mA 40 A 3V 5.5V

ACT(Texas.)

0.8V 2.0V 0.5V 4.3V -1 A 1 A 24mA -24mA 40 A 5V 10%
BCT(Texas.)’

0.8V 2.0V 0.55V 2.0V* -1mA 20 A 64mA -15mA 40mA-80mA 5V 10%
ABT(Nation.)’ 0.8V 2.0V 0.55V 2.0V* -5 A 5 A 64mA -32mA 50 A-30mA 5V 10%

LVT(Nation.)’ 0.8V 2.0V 0.55V 2.0V* -5 A 10 A 64mA -32mA .2mA-17mA 2V 3.6V

LVX(Nation.) 0.8V 2.0V 0.36V 2.6V -1 A 1 A 4mA -4mA 20 A 2V 3.6V

LCX(Nation.) 0.8V 2.0V 0.55V 2.2V -5 A 5 A 24mA -24mA 10 A 2V 3.6V

*
Dato per Vcc=min.
Se
Vcc=tipico (5V/3V) le caratteristiche Voh aumenta di circa il 10% (Voh 2.2V).

‘74XX244 (buffer ottale), altrimenti 74XX00 (4 porte NAND)

Livelli TTL: meno diafonia, meno Pd,dinamica, meno dI/dt, meno disturbi



•
Famiglie logiche più recenti, dinamica

Serie Cpd Tplhmax Tphlmax Tplhtyp Tphltyp Clo Cin Trise Tfall Fmax

LS(Motorola) - 15ns 15ns 9ns 10ns 15pF 5pF 6ns 6ns 40MHz
ALS(Texas)

- 11ns 8ns 3ns* 2ns* 50pF 5pF 3ns 3ns 70MHz
FAST(Mot.)

- 6ns 5.3ns 2.4ns* 1.5ns* 50pF 5pF 2ns 2ns 125MHz
AS(Texas) - 4.5ns 4ns 1ns* 1ns* 50pF 5pF 1.2ns 1.2ns 200MHz

HC(Mot. 22pF 15ns 15ns - - 50pF 10pF 15ns 15ns 25MHz

HCT(Mot.) 22pF 17ns 16ns - - 50pF 10pF 15ns 15ns 20MHz

AC(Texas) 33pF 7.4ns 6.8ns 1.5ns* 1.5ns* 50pF 3.5pF 3ns 3ns 125MHz
ACT(Texas)

23pF 12.3ns 8.8ns 1.5ns* 1.5ns* 50pF 3.5pF 3ns 3ns 100MHz
BCT(Texas.)’

- 5ns 5.5ns 0.7ns* 1.4ns* 50pF 3.5pF 2.5ns 2.5ns 70MHz
ABT(Nation.)’ - 3.6ns 3.6ns 1ns* 1ns* 50pF 5pF 2.5ns 2.5ns 100MHz

LVT(Nation.)’ - 5ns 5.5ns 0.7ns* 1.4ns* 50pF 3.5pF 2.5ns 2.5ns 70MHz

LVX(Nat.) 19pF 12.5ns 16ns 7.9ns 6.6ns 50pF 10pF 2.5ns 2.5ns 70MHz

LCX(Nat.) 25pF 6ns 6ns 1.5ns* 1.5ns* 50pF 7pF 2.5ns 2.5ns 150MHz

*
Dato per Vcc=min.

‘74XX244 (buffer ottale), altrimenti 74XX00 (4 porte NAND)

Fmax da 74XX74 (Typ. Fmax≈2/(Tphl+Tplh)



Funzioni logiche realizzate mediante interruttori

internarewww.eoea.ertocorrissaoeain.ms
causa e
e a i e nos

Vp

Vp Vp

Vp

In1

In In In1

In2

Gnd In2

Gnd

NOT e I Gnd
Gnd t NAND i

•
AND = serie degli interruttori

•
OR = parallelo degli interruttori



Funzioni logiche realizzate con interruttori CMOS (FCMOS)

•
Data una funzione F, la realizzazione FCMOS consta di

–Un “pull-up” realizzato a PMOS che implementa F

–Un “pull-down” realizzato a NMOS che implementa NOT(F)=!F

•
Si considerano solo MOS ad arricchimento

–PMOS = interruttore che si chiude con “0” sul gate (logica negata)

–NMOS = interruttore che si chiude con “1” sul gate (logica vera)

•
AND = & = serie degli interruttori

•
OR = + = parallelo degli interruttori

Vcc

•
NOT = ! = porta elementare PMOS –conduce con “0” sul gate-

Vin Vout

NMOS –conduce con “1” sul gate-


Domanda: come faccio in logica cmos a progettare circuiti che non siano la porta not o la porta
nand?
Si utilizza la logica di progettazione FCMOS:
Qualunque sia la funzione logica che voglio realizzare, posso vedere come una macro rete di pull-up
(quindi connessa all’alimentazione) che implementa la funzione F, quindi quando F è vera chiudo la
conduzione all’alimentazione; la realizzo interamente con transistori p-mos
Realizzo poi una grossa rete di pull-down (ovvero connessa a massa), che realizzo tutta con n-mos,
che implementa F negata
Mantengo poi la logica che la and è la serie degli interruttori e la or è il parallelo
Esempio di progettazione di una funzione logica in logica CMOS: voglio realizzare F = A + !B

Logica Fully-CMOS (FCMOS)

F = !(!A&B) = A + !B F = A&!Sel + B&Sel

reterenna
sipuniva

cue e

Vdd

!A !B

Sel !Sel

F

F

!A Sel

!A
A
!B !Sel

B

Gnd


Progettazione: ho un or, quindi devo fare un parallelo, esso sarà tra !B ed A
Nella rete di pull-up però uso transistori p-mos, quindi che negano, prendo quindi gli ingressi dei 2
transitori e li nego, gli ingressi che quindi dò sono !A e B
Realizzazione della rete di pull-down: applico de Morgan ad F per ottenere !F:
!F = !A & B => noto che gli ingressi !A e B li ho già

• L’elemento switch Vdd
F = A&!Sel + B&Sel !A !B
Sel !Sel
!Pass F
!Pass !A Sel
!B !Sel
Gnd
Pass
Pass
I
B
!Sel
Sel F
A
Richiede adattamento
d’ingresso e di uscita (buffer) !Sel

l'Elemento switch
se pass lo switch non consoce tra 0 sono es 1 sopra

ma sopra con uno con 0
Se pass 1 conduco sia sopra che sotto
i
veri elemento sw.tn no sia transistore ri nos che c nos ma
che ora non lavorano più in opposizione di case funzionano
in concordanza di fase

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14 09 20

Fondamenti di elettronica, A. Flammini, AA2020-2021

Fondamenti di elettronica, A. Flammini 1

Fondamenti di elettronica, A. Flammini 3

Fondamenti di elettronica, A. Flammini 4

Fondamenti di elettronica, A. Flammini 5

• Note: la resistenza è la capacità di opporsi alla corrente

• Corrente al nodo • Tensione di maglia

• NOTA: i generatori di tensione si possono mettere in serie e in

• Ci sono vari modi per risolvere un circuito

Fondamenti di elettronica, A. Flammini 17

• La tensione v è pari alla differenza tra la tensione del polo + e il

Fondamenti di elettronica, A. Flammini 18

• La tensione v si ricava da Vab secondo la legge del partitore e

possoavereavesse soluzioni alcuneoeweeuauwanm.ss.sn

Fondamenti di elettronica, A. Flammini 20

Fondamenti di elettronica, A. Flammini 21

Fondamenti di elettronica, A. Flammini 22

Fondamenti di elettronica, A. Flammini 24

Fondamenti di elettronica, A. Flammini 26

Fondamenti di elettronica, A. Flammini 27

il conservatore èunserratoio a carica

Fondamenti di elettronica, A. Flammini 28

Fondamenti di elettronica, A. Flammini 30

Calcolare la costante di tempo τ e la frequenza di taglio fC

• Nel dominio delle frequenze,

valido sia in Ac che ac

out ZC.vn JK.hn V

Fondamenti di elettronica, A. Flammini 32

Fondamenti di elettronica, A. Flammini 33

Ho creato una tensione costante memorizzo la tensione di picco

Fondamenti di elettronica, A. Flammini, AA2020-2021

Assenza di polarizzazione Polarizzazione diretta Polarizzazione inversa

• Il diodo in polarizzazione diretta è V=VAB=VA-VB

governato da una legge esponenziale anooo

• Modello semplificato del diodo

• Il diodo in polarizzazione diretta accumula delle cariche

HA diverse caratteristiche Fondamentali

SE utilizzo una Polarizzazione inversa il materiale si oppone al

la relazione che lega corrente E tensione e I Io e 1

Io corrente di polarizzazione indiretta

Quan o la tensione e molto di gran E si h.VE v n.ve

la tensione da cui il diodo entra in conduzione e sera vs il cui

per i suoi commerciali E 0,7W ma ciò dipende

nostro semplificato see diodo

il diodo ha 2 moralità di funzionamento in fase sua tensione

in alcuni casi posso sem c.ie care ulteriormente la consolazione

µ presenza di Polarizzazione sirena il doso si comporta

cambiavano la polarizzazione il campo al Comportamento

poi inversa paar.az sirena

non e vero che per poi inversa ho sempre Ied

esistono diverse Famiglie si siasi

dorso che Funziona in modalità inversa

usano in Polarizzazione inversa es Per pannelli solari

• Raddrizzatore a semionda Gnd

quando la tensione E Vs Aurora non scorre corrente E

Quan o l'ingresso raggiunge vs il Joao va in consuzione e

la tensione sul carico sara

esistono avene sistemi che con dosi Posizionati

circuito rilevatore di ricco

E un circuito formato da un es un condensatore

Circuito come prima ma con conservatore al posto

in realta noi però sappiamo cue anche se il dorso e

• Circuito "vince il minore" +V