Il transistor ad effetto di campo (fet) è un transistor da un cristallo di semi conduttore drogato di tipo P o tipo N in cui la corrente viene mediante

un campo elettrico. Il transistor

JFET modula la conducibilità del canale conduttivo controllando lo spessore della zona di svuotamento di una giunzione PN. Polarizzando inversamente la giunzione la zona di
svuotamento si allarga modificando la forma geometrica del canale conduttivo e modulandone la conducibilità. I terminali collegati al semiconduttore vengono chiamati DRAIN e
SURCE e corrispondono rispettivamente al collettore e all’ emettitore del transistor bipolare, il terminale che consente di controllare la conducibilità del canale si chiama gate e
corrisponde alla base del transistor. Nei JFET la corrente fra gli elettrodi di SURCE e di DRAIN è controllata dalla tensione inversa applicata all’elettrodo di gate che modifica la
conducibilità del canale.
I transistor a effetto di campo sono quindi dispositivi controllati in tensione e unidirezionali. Il transistor presenta tre zone di funzionamento.
Zona ohmica il JFET si comporta come una resistenza la cui sezione dipende da gate e SURCE Zona attiva il canale conduttivo si chiude e la corrente di DRAIN viene utilizzata per
realizzare un’amplificatore lineare
Zona di breakdown viene raggiunta quando la tensione fra DRAIN e SURCE provoca la chiusura completa del canale.

MOSFET il campo elettrico agisce sul semiconduttore drogato di tipo p o tipo n in due modi; o creando un canale conduttivo o sottraendo cariche ad un canale conduttivo creato
durante il processo di fabbricazione
MOSFET ad arricchimento applicando una tensione Vgs si richiamano i portatori di carica che formano uno strato di inversione di carica cioè il canale conduttivo tra DRAIN e SURCE. Il
canale per bassi valori di Vds si comporta in modo resistivo aumentando il valore della Vds applicata e restringendo la zona DRAIN fino a chiuderla ad un valore detto di pinch-off
Nel MOSFET a svuotamento la tensione positiva o negativa applicata al gate può in funzione del tipo di canale allontanare o richiamare portatori di carica da un canale un canale
conduttivo realizzato durante la fabbricazione