UNIPOLARNI TRANZISTORI

( Tranzistori sa efektom polja )

ta su unopolarni tranzistor:
Aktivni element sa tri prikljuka ulazni, izlazni i zajedniki prikljuak
promjenom napona u ulaznom kruguupravlja se str. u izlaznom krugu primjena: pojaalo, sklopka prednost: beskonaan ulazni otpor upravljanje bez gubitaka

Nazivi i tipovi:
Nazivi: unipolarni tranzistor str. vodi samo jedan tip nosilaca
tranzistor sa efektom polja elektrinim poljem (naponom) u ulazom krugu modulie poluprovodniki otpornik u izlaznom krugu. FET skraenica eng. naziva Fild Effect Transistor

Tipovi:
JFET - spojni FET MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor FET

Struktura MOSFET-a
Struktura N-kanalnog MOSFET-a Prikljuci: uvod S (eng. Source) odvod D (eng. Drain) upravljaka elektroda G (eng. Gate) podloga B (eng. Body) Dimenzije budieg kanala: L - duina W - irina

Struktura MOSFET-a
za N kanal: p podloga Osnovi dio strukture MOS

M metal (eng. Metal)

O oksid SiO2 (eng. Oxide) S poluvodi (eng. Semiconductor)

Str. MOS strukture IG=0

Prikljuak napona UDS:

Napon UDS > 0 inverzno polarizuje PN spoj odvod podloga Izmeu ulaza i izlaza ne tee str. Uz mali UDS - jednake irine osiromaenih slojeva na stranama ulaza i izlaza

Uticaj napona U

GS

formiranje kanala

Napon UGS > 0 na povrinu podloge ispod oksida privlai elektrone i odbija upljine Uz dovoljno velik UGS > 0 povrina postaje N-tip inverzni sloj N kanal Stvaranjem N kanala izmeu ulaza i izlaza formira se poluprovodniki provodnik N tipa UGS napon praga

Rad uz mali napon UDS

Rad uz vei napon UDS suavanje kanala

Poveanjem napona UDS nastaje pad napona u kanalu

Koncentraciju elektrona u kanalu odreuje: na strani ulaza UGS na strani izlaza UDG =UGS - UDS

Kanal se prema izlazu suava otpor kanala raste

Rad uz ve napon UDS - zatvaranje kanala

Za napon UDSS= UGS UGSO

UGD = UGSO na strani izvoda kanal se zatvara

Promjena str.

ID

sa naponom UDS
Za male napone UDS str. ID raste linearno sa UDS linearno podruije Za vee napone UDS < UGS UGSO otpor kanala raste; str. ID raste sporije sa UDS triodno podruije Za UDS = UGS UGSO kanal se zatvara, str. dosee max vrijednost IDs Za UDS > UGS UGSO kanal je zatvoren; ID =const podruije zasienja

Izlazne karakteristike
Triodno podruije

Podruije zasienja

Linearno podruije

Prenosne karakteristike
za UDS = 3V podruije zasienja
za UDS = 1V podruije zasienja i triodno podruije za poduije zasienja nelinearna prenosna karakteristika

Veza prenosnih i izlaznih

karakteristika

Prenosne karakteristike mogu se konstruisati iz izlazni karakteristika

Tipovi N kanalnog MOSFET-a

Obogaeni tip kanal se stvara pozitivnim naponom

Osiromaeni tip vodi str. uz ; kanal se zatvara negativnim naponom

N kanalni MOSFET vodi str. uz

Elektrini simboli N kanalnog MOSFET-a

Puna crta izmeu ulaza i izlaza postojanje kanala uz

Isprekidana crta izmeu ulaza i izlaza izostanak kanala uz strelica od p-podloge prema N - kanalu

P kanlni MOSFET

tehnoloki presjek jednak presjeku N kanalnog MOSFET-a uz zamjenu tipova primjesa za P kanalni n podloga

Elektrini simboli P- kanalnog MOSFETa

Tipovi P kanalnog MOSFET-a

str. ID negativna Obogaeni tip kanal se stvara negativnim naponom UGS = UGSO osiromaeni tip - vodi str. uz UGS = OV; kanal se zatvara pozitivnim naponom UGS = UGSO P kanalni MOSFET vodi str. uz UGS < UGSO

Izlazne karakteristike P kanalnog MOSFET-a

Struktura spojnog FET-a

Prikljuci: uvod S odvod D upravljaka elektroda G druga upr.elektroda G2 Kanal: L duina W irina 2a tehnoloka debljina

Elektrini simboli JFET-a

strelica od p-tipa prema n-tipu poluprovodnika za N kanalni od P-upravljake elektrode prema N kanalu za P kanalni od P-kanala prema N-upravljakoj elektrodi

Napon Dodira i linearno podruije rada

UGS < 0 inverzno polarizuje PNspoj. Uz mali UDS zanemarljiv pad napona u kanalu. Poveanjem iznosa UGS osiromaena podruija se ire. Za UGS = UP kanal se zatvara. UP napon dodira za mali napon UDS JFET je linearni otpornik

Rad uz vei napon UDS

Poveanjem napona UDS nastaje pad napona u kanalu PN-spoj upravljaka elektroda kanal jae inverzno polarizovan na strani izlaza. Kanal se prema izlazu suavaraste otpor kanala

Str. ID sve sporije raste sa naponom UDS triodno podruije

Zatvaranje kanala

Za napon UDSS = UGS UGD = UP kanal se na strani izlaza zatvara Struja dostie maksimalnu vrijednost ID=IDS podruije zasienja

Modulacija duine kanala

Taka dodira pomjera se prema ulazu.
Kanal se suava. U kanalu elektroni se ubrzavaju naponom UDS=UDSS=UGS-UP

Karakteristike JFET-a

IDSS maksimalna str. JFET-a za UDS = UDSS < UGS - UP triodno podruije za UDS = UDSS > UGS - UP podruije zasienja

JFET u podruiju zasienja

Umjesto tanog i nepraktinog izraza u analizi koristi se jednostavniji izraz

Puna crta taan izraz Crtkano jednostavniji izraz

Temperaturna svojstva FET-ova

JFET porastom temperature smanjuje se pokretljivost i suavaju osiromaeni slojevi MOSFET porastom temperature smanjuje se K i UGSO

Kod obe vrste FET-ova porastom temperature pri manjim strujama str. ID se poveava, a pri veim se smanjuje

Proboji FET-ova
JFET Lavinski proboj spoja odvod kanal ; uz probojni napon UB proboj nastupa uz UDS= UB + UGS MOSFET Lavinski proboj spoja odvodpodloga proboj oksida

Dinamiki parametri FET-a

Opisuju odnose malih izmjeninih veliina u reimu malih signala. Uz mali signal:

Model FET-a za mali signal

Model za visoke frekvencije

Kapaciteti Cgs i Cdg: za MSFET kapacitet MOS strukture za JFET kapacitet inverzno polarizovanih PN - spojeva

Grafiko odreivanje dinamikih parametara (1)

Strmina:

Grafiko odreivanje dinamikih parametara (2)

Izlazni dinamiki otpor:

Analitiko odreivanje dinamikih parametara (1)

Strmina: JFET

MOSFET

Analitiko odreivanje dinamikih parametara (2)

Izlazni dinamiki otpor: Model nagiba izlaznih karakteristika u podruiju zasienja

KRAJ

Radila: Dragana Barac II2