Forze e campi elettrici

Conduttori Permettono agli elettroni di muoversi Contatto

Materiali Isolanti Non permettono agli elettroni di muoversi Strofinio
Semiconduttori Manipolabili su tutti i livelli
Rivelatori di carica i.e.: elettroscopio a foglie
Carica fondamentale |𝑒| = 1,602 ∗ 10−19 𝐶 𝐶 = 𝐶𝑜𝑢𝑙𝑜𝑚𝑏
Quantità di carica 𝑞𝑒 = 𝑒(𝑒𝑙𝑒𝑡𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒 ) = −𝑒 𝑞𝑒 = 𝑒(𝑝𝑟𝑜𝑡𝑜𝑛𝑒 ) = +𝑒
Conduttore Induzione Tramite la messa a terra
Elettrizzazione a distanza Molecole apolari //
Isolante Polarizzazione
Molecole polari Orientamento
𝑞1 𝑞2
Mezzo 𝐹∝𝑘 2
𝑟
Legge di Coulomb 𝑞1 𝑞2 𝑘 = 8,99 ∗ 109 𝑁𝑚 2 /𝐶 2
Vuoto 𝐹=𝑘 2
𝑟
1
Vuoto 𝜀0 = = 8,85 ∗ 10−12 𝐶 2 /𝑁𝑚 2
4𝜋𝑘
Costante dielettrica / Permittività 𝐹
Mezzo 𝜀=
𝐹𝑚
𝑄
Volumica 𝜌 = 𝐶/𝑚3
𝑉
𝑄
Densità di carica Superficiale 𝜎 = 𝐶/𝑚 2
𝐴
𝑄
Lineare 𝜆 = 𝐶/𝑚
𝐿
𝑞𝑄
Distribuzione di carica in una sfera 𝐹=𝑘 2 𝑄 = 𝜎𝐴 𝐴 = 4𝜋𝑅2 𝑄 = 𝜎4𝜋𝑅2
𝑟
Campo di forze la cui intensità varia per ogni punto dello spazio
Intensità proporzionale alla carica di prova
Campo elettrico
𝐹 𝑞 > 0 → 𝑠𝑡𝑒𝑠𝑠𝑜 𝑣𝑒𝑟𝑠𝑜
𝐸⃗ = 𝑁/𝐶 𝐹 = 𝑞𝐸⃗ 𝑞 < 0 → 𝑣𝑒𝑟𝑠𝑜 𝑜𝑝𝑝𝑜𝑠𝑡𝑜
𝑞0
𝑞𝑞0
𝐹 𝑘 2 𝑞
Carica puntiforme 𝐸= = 𝑟 =𝑘 2
𝑞0 𝑞0 𝑟
𝐸𝑡𝑜𝑡,𝑥 = 𝐸1,𝑥 + 𝐸2,𝑥 = +𝐸 cos 𝜃 + 𝐸 cos 𝜃 = 2𝐸 cos 𝜃
Sovrapposizione di campi
𝐸𝑡𝑜𝑡,𝑦 = 𝐸1,𝑦 + 𝐸2,𝑦 = −𝐸 sin 𝜃 + 𝐸 sin 𝜃 = 0
o Stessa direzione e tangenti a 𝐸⃗
Linee di campo
o Partono da 𝑒 + /∞; Arrivano a 𝑒 − /∞
Vettore Φ(𝑉 ⃗)=𝑉 ⃗ 𝐴 = 𝑉𝐴 cos 𝜃 𝐴 = vettore superficie
Campo Φ(𝐸⃗ ) = 𝐸𝐴 cos 𝜃 |𝐴| = area della superficie
Flusso Σ𝑄
Mezzo Φ(𝐸⃗ ) =
𝜀
Teorema di Gauss Σ𝑄 In qualunque superficie chiusa
Vuoto Φ(𝐸⃗ ) =
𝜀0
𝜆
Lineare infinita 𝐸=
2𝜋𝑟𝜀0
𝜎
Distribuzione di carica Lamina sottile 𝐸=
2𝜀0
𝜎
Condensatore piano 𝐸 =
𝜀0
Cariche in eccesso distribuite sulla superficie
Interno 𝐸=0
1 𝑄
Sfera carica Conduttrice Superficie 𝐸=
Campo 4𝜋𝜀0 𝑅2
1 𝑄
Esterno 𝐸= 𝑟>𝑅
4𝜋𝜀0 𝑟 2