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Fisica 2

Esame scritto del 23/01/2015

Corso di Laurea Ingegneria Elettronica e Informatica

Esercizio 1: Una particella  si trova in quiete ad una distanza d = 100 µm da un piano metallico verticale mantenuto
++

a potenziale nullo.

Calcolare le componenti del campo 𝐸⃑ in un generico punto P del semispazio che contiene la particella  . Si
++
i.
consiglia di utilizzare il metodo della carica immagine.

ii. Calcolare la forza elettrostatica 𝐹⃗ che agisce sulla particella.

iii. Calcolare la distribuzione superficiale di carica 𝜎(𝑦) sul piano mantenuto a potenziale nullo.

iv. Calcolare la carica totale 𝑞𝑖𝑛𝑑 indotta sul piano mantenuto a potenziale nullo.

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Fisica 2

Esame scritto del 23/01/2015

Corso di Laurea Ingegneria Elettronica e Informatica


2
Esercizio 2: In un condensatore piano, le cui armatura hanno ciascuna superficie S = 100 cm , e sono poste a distanza
d = 1 cm, viene inserita parallelamente alle armature una lamina metallica di spessore  = 0.5 mm ed uguale
superficie. Successivamente, una delle zone in cui risulta diviso il condensatore viene riempita con olio di costante
dielettrica relativa 𝜖𝑟 = 3.32. La tensione ai capi del condensatore vale V = 100 V e la lamina interposta si trova ad una
distanza a = 6 mm da una delle due armature.

i. Calcolare la capacità del sistema.

ii. Calcolare la carica accumulata su ciascuna delle armature.

iii. ⃑ , 𝐸⃑ e 𝑃⃑ nella regione in cui è presente l’aria e in cui è presente l’olio.


Il modulo dei campi 𝐷

iv. Calcolare l’energia accumulata sotto forma di energia potenziale elettrostatica.

v. Calcolare la forza che agisce sulla lamina sapendo che il condensatore opera a tensione costante.

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Fisica 2

Esame scritto del 23/01/2015

Corso di Laurea Ingegneria Elettronica e Informatica

Esercizio 3: Una spira quadrata di lato l = 1 m è incernierata lungo uno dei suoi lati all’asse 𝑧⃗, mentre quelli
perpendicolari a detto asse formano con la direzione positiva dell’asse 𝑦⃗ un angolo  = 35° . Tale spira è percorsa da
una corrente i0 = 1.8 A nella direzione indicata in figura. Nello spazio è presente un campo magnetico 𝐵 ⃑⃗ = 𝐵0 𝑦̂ con B0
= 100 G.

i. Calcolare la forza che agisce su ciascuno dei lati liberi della spira.

ii. Calcolare modulo, direzione e verso del momento della forza risultante rispetto all’asse 𝑧⃗.

iii. ⃑⃗ attraverso la spira e individuare l’angolo per cui tale flusso è massimo.
Calcolare il flusso del campo 𝐵

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Fisica 2

Esame scritto del 23/01/2015

Corso di Laurea Ingegneria Elettronica e Informatica

y Ex. 1 Ex. 2 z
Ex. 3

P  (x,y) i0
r1
 ++
x
 y
d
x

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Fisica 2

Esame scritto del 23/01/2015

Corso di Laurea Ingegneria Elettronica e Informatica

Elettrostatica
Teorema di Gauss applicato al campo D
Legge di Coulomb
⃑⃗ ∙ 𝑛̂ 𝑑𝑠 = 𝑞𝑙𝑖𝑏
∬ 𝐷
1 𝑞1 𝑞2
𝐹⃗ = 𝑟̂ 𝑆
4𝜋𝜖0 𝑟 2
Campo P di polarizzazione
Campo generato da una carica puntiforme
⃑P⃗ = ϵ0 χE
⃑⃗
1 𝑞
𝐸⃑⃗ = 𝑟̂
4𝜋𝜖0 𝑟 2 Densità superficiale di carica di polarizzazione

Potenziale generato da una carica puntiforme σp = ⃑P⃗ ∙ n̂


1 𝑞
𝑉= Densità volumetrica di carica di polarizzazione
4𝜋𝜖0 𝑟
⃑⃗ ∙ ⃑P⃗
ρp = −∇
Teorema di Gauss
𝑞𝑡𝑜𝑡 Energia elettrostatica in un condensatore
∬ 𝐸⃑⃗ ∙ 𝑛̂ 𝑑𝑠 =
𝑆 𝜖0 1 2 1 𝑄2
Uel = CV =
2 2 𝐶
Campo generato da un piano carico
𝜎 Forza a carica costante
|𝐸⃑⃗ | = 𝜕𝑈𝑡𝑜𝑡 𝜕𝑈𝑒𝑙
2𝜖0 ⃑⃗ = −
F 𝑥̂ = − 𝑥̂
𝜕𝑥 𝜕𝑥
Campo generato da un filo carico di lunghezza
infinita Forza a potenziale costante
𝜆 𝜕𝑈𝑡𝑜𝑡 𝜕𝑈𝑒𝑙
𝐸⃑⃗ = 𝑟̂ ⃑F⃗ = − 𝑥̂ = + 𝑥̂
2𝜋𝜖0 𝑟 𝜕𝑥 𝜕𝑥

Teorema di Coulomb (campo in prossimità di un


conduttore carico)
Costanti universali
𝜎
|𝐸⃑⃗ | = 𝑚
𝜖0 𝑐 = 2.9979 × 108 [ ]
𝑠
Capacità di un condensatore piano 𝑚
𝑔 = 9.806 [ 2 ]
𝑆 𝑠
𝐶 = 𝜀0 𝜀𝑟
𝑑
𝑚𝑒 = 9.109 × 10−31 [𝑘𝑔]
Campo E in un condensatore piano
𝑚𝑝 = 1.673 × 10−27 [𝑘𝑔]
𝑉 𝜎 𝑞
|𝐸⃑⃗ | = = =
𝑑 𝜀0 𝜀𝑟 𝑆 ∙ 𝜀0 𝜀𝑟 𝑚𝑛 = 1.674 × 10−27 [𝑘𝑔]

Campo D in un mezzo isotropo e omogeneo 𝑒 = 1.602 × 10−19 [𝐶]


⃑⃗ = 𝜀0 𝐸⃑⃗ + 𝑃⃑⃗ = 𝜀0 (1 + 𝜒)𝐸⃑⃗ = 𝜀0 𝜀𝑟 𝐸⃑⃗
𝐷 𝐹
𝜖0 = 8.854 × 10−12 [ ]
𝑚
Campo D in un condensatore piano
𝑞 𝐻
⃑⃗| = 𝜎𝑙𝑖𝑏 = 𝑙𝑖𝑏
|𝐷 𝜇0 = 4𝜋 × 10−7 [ ]
𝑆 𝑚

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Esame scritto del 23/01/2015

Corso di Laurea Ingegneria Elettronica e Informatica

𝑚𝑒𝑧𝑧𝑜 𝑖𝑠𝑜𝑡𝑟𝑜𝑝𝑜
Magnetismo
⃑⃗ = 𝜇0 (𝐻
𝐵 ⃑⃑⃗) →𝑠𝑒𝑛𝑧𝑎 𝑖𝑠𝑡𝑒𝑟𝑒𝑠𝑖
⃑⃗ + 𝑀
Prima legge di Laplace ⃑⃗+𝜇0 𝜒𝑚 𝐻
= 𝜇0 𝐻 ⃑⃗ ∶= 𝜇0 𝜇𝑟 𝐻
⃑⃗

𝜇0 𝑑𝑙⃗ × 𝑟̂
⃑⃗ =
𝑑𝐵 𝑖∙ Vettore magnetizzazione
4𝜋 𝑟2
∑ ⃑⃑⃑⃗
𝜇𝑖
⃑⃑⃗ =
𝑀
Seconda legge di Laplace 𝑁

𝑑𝐹⃗ = 𝑖 ∙ 𝑑𝑙⃗ × 𝐵
⃑⃗ Densità volumetrica di corrente di magnetizzazione

Legge di Biot-Savart 𝑗𝑚 = ⃑∇⃗ × 𝑀


⃑⃑⃗

𝜇0 𝑑𝑙⃗ × 𝑟̂ Densità superficiale di corrente di magnetizzazione


⃑⃗ =
𝐵 ∫ 𝑖∙
4𝜋 𝑟2
𝑐𝑖𝑟𝑐𝑢𝑖𝑡𝑜 jms = ⃑M
⃑⃑⃗ × 𝑛̂

Forza di Lorentz Condizioni di continuità dei campi B e H


𝐹⃗ = 𝑞𝑣⃗ × 𝐵
⃑⃗ all’interfaccia
𝐵1⊥ = 𝐵2⊥
Flusso del vettore induzione magnetica
𝐻1∥ = 𝐻2∥
⃑⃗) = ∬ 𝐵
Φ(𝐵 ⃑⃗ ∙ 𝑛̂ 𝑑𝑠
𝑆 Circuiti magnetici (legge di “rifrazione” del campo
B)
Legge di Faraday-Newmann-Lenz tan 𝜃1 𝜇0 𝜇𝑟1 𝜇𝑟1
= = = 𝑐𝑜𝑠𝑡.
∂Φ(𝐵⃑⃗) tan 𝜃2 𝜇0 𝜇𝑟2 𝜇𝑟2
𝑉𝑖 = −
𝜕𝑡
Legge di Hopkinson
Teorema di Ampere ⃑⃗) ∙ ℜ
𝑓. 𝑚. 𝑚. = Φ(𝐵
⃑⃗ ∙ 𝑑𝑙⃗ = 𝜇0 ∙ ∑(𝑖𝑐 + 𝑖𝑑 )
∮𝐵
Riluttanza magnetica
𝛾
𝑑𝑙
ℜ=∮
⃑⃗ ∙ 𝑑𝑙⃗ = ∑ 𝑖𝑐
∮𝐻 𝜇0 𝜇𝑟 ∙ 𝑆
𝛾
𝛾
Riluttanze in serie
Equazioni di Maxwell
ℜ𝑡𝑜𝑡 = ∑ ℜ𝑖
𝜕𝐸⃑⃗
⃑∇⃗ × 𝐵
⃑⃗ = 𝜇0 (𝑗⃗ + 𝜀0 )
𝜕𝑡
Riluttanze in parallelo
⃑⃗
𝜕𝐵 1
⃑∇⃗ × 𝐸⃑⃗ = − ℜ𝑡𝑜𝑡 =
𝜕𝑡 1 1 1
+ + +⋯
ℜ1 ℜ2 ℜ3
⃑⃗ ∙ 𝐵
∇ ⃑⃗ = 0
Densità volumetrica di energia del campo
𝜌 magnetico
⃑⃗ ∙ 𝐸⃑⃗ = 𝑡𝑜𝑡

𝜀0 1
𝑢= ⃑H
⃑⃗ ∙ 𝐵
⃑⃗
2
Campi ausiliari D e H
𝑚𝑒𝑧𝑧𝑜 𝑖𝑠𝑜𝑡𝑟𝑜𝑝𝑜
𝑐𝑎𝑚𝑝𝑜 𝐸 𝑝𝑖𝑐𝑐𝑜𝑙𝑜
⃑⃗ = 𝜀0 𝐸⃑⃗ + 𝑃⃑⃗ →
𝐷 = 𝜀0 𝐸⃑⃗ +𝜀0 𝜒𝐸⃑⃗ ∶= 𝜀0 𝜀𝑟 𝐸⃑⃗
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Corso di Laurea Ingegneria Elettronica e Informatica

Densità volumetrica di energia del campo elettro- Pressione di radiazione


magnetico
1 Densità volumetrica di quantità di moto
𝑢= ⃑⃑⃗ ∙ 𝐵
(H ⃑⃗ + E
⃑⃗ ∙ 𝐷
⃑⃗)
2 𝑢0 1
𝑝= 𝑆̂ = 𝜀0 𝐸⃑⃗ × 𝐵
⃑⃗ = 𝑆⃗
𝑐 𝑐2
Autoflusso in un solenoide
Impulso ceduto nel tempo dt
⃑⃗) = 𝑁 ∬ 𝐵
ΦA (𝐵 ⃑⃗ ∙ 𝑛̂ 𝑑𝑠
𝑑𝑃 = 𝑝𝐴𝑐 𝑑𝑡
𝑆

Pressione di radiazione
Coefficiente di autoinduzione in un solenoide
⃑⃗) 𝑆⃗
ΦA (𝐵 𝑃𝑟𝑎𝑑 = 𝑢0 (1 + 𝑘) = (1 + 𝑘)
L= 𝑐
i

Energia magnetica in un solenoide


1 1 Valor medio della pressione di radiazione
𝑈𝑀 = 𝑙 ∙ 𝑆 ∙ ⃑H
⃑⃗ ∙ 𝐵
⃑⃗ = 𝐿𝑖 2
2 2
〈𝑆⃗〉 𝐼
〈𝑃𝑟𝑎𝑑 〉 = (1 + 𝑘) = (1 + 𝑘)
Forza magnetica a corrente costante 𝑐 𝑐
𝜕𝑈𝑡𝑜𝑡 𝜕𝑈𝑀
|𝐹⃗ | = − =
𝜕𝑥 𝜕𝑥

Forza magnetica a flusso costante


𝜕𝑈𝑡𝑜𝑡 𝜕𝑈𝑀
|𝐹⃗ | = − =−
𝜕𝑥 𝜕𝑥

Campo B in un solenoide toroidale


𝜇0 𝜇𝑟 𝑁𝑖
⃑⃗| =
|𝐵
𝑙

Campo H in un solenoide toroidale


𝑁𝑖
⃑⃗| =
|𝐻
𝑙

Capacità di un condensatore piano


𝑆
𝐶 = 𝜀0 𝜀𝑟
𝑑

Campo E in un condensatore piano


𝑉 𝜎 𝑞
|𝐸⃑⃗ | = = =
𝑑 𝜀0 𝜀𝑟 𝑆 ∙ 𝜀0 𝜀𝑟

Campo D in un condensatore piano


𝑞
⃑⃗| = 𝜎 =
|𝐷
𝑆

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