Chapitre II : Structure de bandes

Chapitre II : Structure de bandes

II.1 Structure électronique des éléments
II.2- Structure de bandes des matériaux solides
II.2.1- Introduction
II.2.2- Notion de bandes d'énergie
I.2.2.1- Introduction
II.2.2.2- Bandes d’énergie d’un cristal de longueur finie
II.2.2.3- Modèle de Kroning et Penney :
II.3 Notion de densité d’états
II.4 Notion de trou et concept de masse effective
II.4.1- Conduction par électron ou par trou
II.4.2- Notion de Masse effective
II.5 Structure de bandes des principaux semi-conducteurs

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Chapitre II : Structure de bandes

II.1 Structure électronique des éléments
D’après les principes fondamentaux (Heisenberg, Pauli…), les états énergétiques des électrons
dans un atome ne peuvent varier que de façon discontinue (quantification de l’énergie). Ceux-ci ne
peuvent donc occuper qu’une suite discrète d’états caractérisés par les valeurs correspondantes
de quatre nombres quantiques.
13.6Z 2
Wn  
n2
La classification des éléments nécessite, afin de pouvoir différentier l’ensemble d’entre eux,
l’utilisation de quatre nombres:
Le nombre quantique principal n => 1, 2, 3, définit la couche du tableau de Mendeleïev (K, L, M, N,
…),
Le nombre quantique orbital (secondaire) l => 0, 1, …, n-1 ; définit la sous couche (s, p, d, f, g, …),
Le nombre quantique magnétique m => -l…0…+l ,
Le nombre quantique de spin s => +1/2 ou –1/2.
Les deux premiers nombres (n,l) définissent les niveaux d’énergie alors que l’ensemble des trois
premiers (n, l, m) caractérisent les états quantiques. Ces derniers peuvent comporter deux
électrons de spin antiparallèle.
On peut donc, à partir de ces considérations, dresser un tableau faisant apparaître le nombre
d’électrons possibles par couche (Tableau II.1).

Couche n Sous l m s Nombre Nombre Nombre

couche d’états d’électrons d’électrons
quantiqu par état par couche
es
K 1 s 0 0 1/2,1/2 1 2 2
L 2 s 0 0 -1/2,1/2 1 2 8
P 1 -1,0,1 3 6
M 3 s 0 0 1 2
P 1 -1,0,1 -1/2,1/2 3 6 18
d 2 -2,-1,0,1,2 5 10
Tableau II.1 : Définition des de quatre nombres quantiques et du nombre d’électrons possibles
par couche.
Exemple :
Silicium Z=14 (14 électrons) n=3, l=0, 1, 2, m= -2, -1, 0,1,2
1s2, 2s2, 2p6, 3s2, 3p2

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II.2- Structure de bandes des matériaux solides

II.2.1- Introduction
Les semi-conducteurs et les métaux ont une structure cristalline, c'est-à-dire que les atomes ou
molécules sont groupés en réseaux régulièrement disposés dans l'espace. Ainsi, le silicium, le
germanium et le carbone cristallisent selon un réseau cubique diamant tel que représenté par la
figure II.1.

Figure II.1 : réseau cubique

diamant du silicium.

Dans ces réseaux la distance inter atomique étant faible (de l'ordre de quelques Å) les atomes ne
peuvent plus être considérés comme isolés et il en résulte des interactions (de nature
électrostatique entre les divers atomes).
Nous savons que dans un atome isolé, c'est-à-dire très éloigné des autres atomes comme c’est le
cas dans les gaz, les électrons occupent des niveaux d’énergie bien déterminés (figure II.2).
D'après le principe d'exclusion de PAULI, chaque niveau d'énergie permis est occupé par deux
électrons de spin opposé et il ne peut accueillir d'autres électrons.
E

r
1
/ 2
n=2 E1 = 13,6 eV
r 2p
s
n=1 1
Figure II.2 s

3
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Pour un atome isolé, le potentiel d’interaction est assez faible. Lorsqu’on rapproche deux atomes
à une distance telle que les fonctions d’onde des électrons liés à un atome soient perturbées par la
présence d’un autre atome, chaque niveau d’énergie de l’atome isolé se dédouble en 02 niveaux
très rapprochés (figure II.3).

Figure II.3

La résolution de l’équation de Schrödinger pour le double puits quantique que représentent les
deux noyaux montre que la levée de dégénérescence entre les deux niveaux d’énergie des deux
atomes considérés séparément mène à deux niveaux couplés, l’un dit liant, de plus basse énergie,
et l’autre, dit anti-liant, de plus haute énergie.

II.2.2- Notion de bandes d'énergie

I.2.2.1- Introduction
La théorie des bandes d'énergie permet d'expliquer le comportement électrique de certains
matériaux, et de donner entre autres l'origine physique de la différence entre isolant, conducteur
et semi-conducteur. Pour comprendre les propriétés électroniques des matériaux semi-
conducteurs, il faut étudier le comportement des électrons dans ces matériaux. La première étape
est de déterminer l'état des électrons à l'équilibre thermodynamique dans le cristal à l'aide de la
mécanique quantique. Le nombre de particules mises en jeu (électrons et noyaux de tous les
atomes présents dans un volume donné de cristal) est en fait beaucoup trop grand et amène à un
nombre d'équations tellement énorme qu'il est impossible de résoudre rigoureusement le
problème. En effet, le nombre de variables par unité de volume du cristal est donné par : 3(Z+1)N
avec N nombre d'atomes par unité de volume et Z numéro atomique des atomes du cristal.

II.2.2.2- Bandes d’énergie d’un cristal de longueur finie

Seule la mécanique quantique permet de traiter en détail les bandes d'énergie des électrons d'un
cristal, on envisage ici uniquement une approche phénoménologique
Un solide cristallin peut être considéré comme un assemblage d’ions définis comme des particules
formées du noyau d’un atome, de tous les électrons qui lui sont rigidement liés et d’électrons
quasi libres faiblement liés au noyau, appelés électrons de valence. Ces électrons de valence
sont à la fois soumis à des forces attractives de la part des ions cristallins, représentés par un
potentiel ayant la périodicité du cristal, et à des forces répulsives de la part des autres électrons de
valence. Ces forces répulsives sont difficilement représentables du fait de l’ignorance des positions
occupées par ces électrons. Hartee-Fock ont levé cette difficulté en assimilant ces forces à un
champ électrostatique appelé champ auto cohérent et possédant la périodicité du cristal.
Dans le cas d’un atome avec n électrons de valence, la charge de l’ion cristallin est de  ne ,le
potentiel d’interaction entre cet ion et un électron de valence sera donné par :
n.e 2
v(r)  
r
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Dans le cas d’une chaîne linéaire d’atomes, le potentiel sera représenté par la courbe ci-dessous
(figure II.4). L’allure de ce potentiel est en général assez complexe, aussi dans la suite nous
considérerons un modèle de potentiel ayant des puits en créneaux comme une représentation
approchée du potentiel en cloche.
Si la distance entre atomes devient très faible, ce qui est le cas lorsque nous assemblons N atomes
pour former un cristal, la perturbation devient très élevée provoquant un recouvrement des
bandes d’énergie (figure II.4). Chaque niveau de l’atome isolé donne naissance à une bande
d’énergie constituée en fait par des niveaux discrets très rapprochés. Pour les électrons fortement
liés, les niveaux d’énergie de l’atome isolé sont très peu modifiés et la bande correspondante est
très étroite. Pour les niveaux d’énergie supérieurs, correspondant aux électrons faiblement liés
(électrons de valence), la bande est beaucoup plus large, tel que indiqué par la figure II.5.

Figure II.4

De la même manière, si on augmente le nombre N d’atomes couplés pour former un cristal, on

comprend intuitivement que le couplage entre tous les niveaux individuels sur chaque atome va
former un ensemble de N états (une « bande d’énergie »). La bande d’énergie électronique dans
un cristal résulte donc de l’hybridation des niveaux individuels des atomes qui composent le
cristal.

Figure II.5

Lorsque les distances inter-atomiques deviennent suffisamment faibles l'ensemble du cristal

devient un système électronique qui obéit au principe d'exclusion de Pauli. On a donc, une
dégénérescence des états d'énergie. Cette dégénérescence se traduit par la démultiplication des
niveaux d’énergie correspondants aux sous-couches s et p en N sous-niveaux qui constituent
autant d’états d’énergie possible pour les électrons. Ces N états distincts constituent une bande
d'énergie. On a donc 2 états -----> 2 N états (figure II.6).
On note l'existence d'une bande d'énergie appelée bande interdite qui ne comprend aucun état
possible. Lorsque la distance inter-atomique décroît encore, on a affaire à ce que l'on appelle des
interactions fortes et l'on obtient la structure représentée à la figure 6).

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 Chapitre II : Structure de bandes

Figure II.6

Les électrons d’un atome isolé prennent des niveaux discrets d’énergie (figure (I.4)), qui sont en
fait constitués de sous-niveaux (ou sous-couches) ; mais lorsqu’on rapproche deux atomes ces
niveaux (ou sous-niveaux) vont se dédoubler. En étendant ce raisonnement à N atomes, cette
dégénérescence fait apparaître des bandes d’énergie permises, qui peuvent s’interpénétrer et se
séparer à nouveau lorsque la distance inter-atomique diminue, donnant des bandes d'énergie
interdite, de largeur EG (Gap).

Figure I.4 Représentations de l’atome de Silicium faisant apparaître les niveaux d’énergie et leurs
occupations par les électrons.

Dans le cas du silicium (1s2 2s2 2p6 3s2 3p2) où le dernier niveau occupé possède 06 places dont
deux seulement sont occupées, il faudra tenir compte du recouvrement des bandes 3s et 3p. En
effet, les 02 électrons 3s et les 02 électrons 3p forment une bande pleine dite Bande de Valence
comptant 04 électrons par atome. Les 04 places restantes sur le niveau 3p se regroupent en une
bande vide appelée Bande de Conduction séparée par une bande appelée Bande interdite

La figure (I.5) illustre le cas des semi-conducteurs du groupe IV (cas du Silicium) : la bande
supérieure est appelée "Bande de Conduction" et, à 0 K, ne contient pas d’électrons
contrairement à la bande inférieure, appelée ²Bande de Valence², qui contient 4N électrons (donc
qui est la dernière bande pleine). Entre ces deux bandes se trouve une zone de largeur EG (en J ou
en eV) interdite aux électrons et appelée ²Bande Interdite² ou ²Gap². Le fait que ces deux bandes
(BC ou BV) soient entièrement pleines ou vides implique que la conduction électrique ne peut
exister.

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 Chapitre II : Structure de bandes

Figure I.5

Une deuxième approche, plus abstraite, mène au même résultat. Elle utilise le théorème de Bloch,
qui stipule que, dans un potentiel périodique, toutes les solutions de l’équation de Schrödinger
sont des fonctions dites de Bloch, c’est-à-dire qu’il existe un vecteur k permettant d’écrire :
 k (r)  U k (r). exp(ik.r)
où Uk(r) est une fonction périodique avec les mêmes périodes que le potentiel. Les fonctions
d’ondes des électrons dans un cristal parfait (périodique, infini, sans défaut ...) sont donc
simplement le produit entre une onde plane et une fonction périodique.
On peut donc chercher à résoudre, pour un k donné, l’équation de Schrödinger. On va ainsi
trouver, pour ce k donné, une équation qui porte sur les fonctions périodiques U k (r ) . C’est là que
le problème a été simplifié d’une manière monumentale. Alors que l’équation de Schrödinger
cherche des solutions dans tout l’espace des fonctions à priori, le théorème de Bloch permet de
réduire le problème en tirant profit de la périodicité du potentiel : pour chaque vecteur k, on
cherche maintenant des solutions dans l’espace des fonctions périodiques. Par continuité entre les
différents k, on construit ainsi un ensemble dénombrable de bandes d’énergie que l’on représente
sous la forme d’une relation de dispersion E(k) appelé aussi diagramme ou structure de bande. On
retrouve ainsi le concept de bandes d’énergie permise et interdite.

II.2.2.3- Modèle de Kroning et Penney :


Kroning et Penney ont explicité le potentiel V(r) , dont la variation est en général complexe, en
introduisant un modèle pour l’espace unidimensionnel le potentiel V(x ) avec conservation de la
périodicité. V(x ) est considéré comme une suite de fonction de Dirac (x ) agissant comme une
limite d’une fonction périodique en créneaux.
Dans ce cas, l’équation de Schrödinger stationnaire à une dimension spatiale est de la forme :
 2 d(x )
  V.(x )  E.(x )
2m dx 2
La résolution de cette équation fournit les fonctions d’onde représentant les états stationnaires
des électrons dans le S-C. Elle permet donc en principe de connaître les propriétés électroniques
des S-C. L’équation de Schrödinger stationnaire est une équation aux valeurs propres aux dérivées
partielles dont l’énergie E constitue la valeur propre.
Dans le cas du réseau cristallin unidimensionnel le potentiel a la forme d’une simple fonction
périodique (figure II.7) : V a b
Région I : V0
 2 d I (x )
  E. I (x )
2m dx 2
Figure II.7
Région II :
 2 d II (x ) I II
 2
 V0 . II (x )  E. II (x ) x
2m dx
-b 0 a-b a
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 Chapitre II : Structure de bandes

Les solutions de ces deux équations sont de la forme :

U I (x)  A. exp(ix)  B. exp(ix) et U II (x)  C. exp(x)  D. exp(x)
1/ 2 1/2
 2m.E   2m.(V0  E ) 
avec     et     ( V0  E )
 
2
  2 
La détermination des constantes A, B, C et D se fait en tenant compte de la continuité en x  0 et
x  a  b pour U(x ) et U ' (x ) et de la périodicité (période : a).
Tenant compte des conditions de continuité :
dU I dU II
U I (0)  U II (0) et 
dx x  0 dx x  0
Les solutions de l’équation de Schrödinger obéissent au théorème de Bloch :
       
 k (r)  U k (r). exp(ik.r) avec U k (r)  U k (r  T) où T : vecteur de translation du réseau
En tenant compte des conditions de périodicité du potentiel V(x), on pourra écrire :
 k (x  a)  U k (x). expik.(x  a)   k (x) . exp( ik.a)
On aura :  II ( b)   I (a  b).exp(ik.a) et
d II d I
 .exp( ik.a)
dx x   b dx x  a  b
On aura ainsi quatre équations homogènes, dont les solutions sont relatives à un déterminant nul.
Après développement, on aboutit à la relation suivante :
P sin.(a  b)  2 .(a  b).b
 cos .(a  b)  cos k.(a  b) avec P  lim
.(a  b) b0 2
V0  

Qui s’écrit comme :

P sin(.a) m.V0 .b
 cos(.a)  cos(k.a) avec P 
.a a
P sin(.a)
Posons : F(.a)   cos(.a)
.a
Pour que l’égalité soit satisfaite, il ne faudrait prendre en considération que les valeurs de .a
pour lesquelles la fonction F(.a) est comprise entre -1 et +1.
Les valeurs permises de .a sont celles indiquées par les traits forts de la figure II.8.

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 Chapitre II : Structure de bandes

Figure II.8

2m.E 1 / 2
A travers la relation :   ( ) , elles correspondent aux valeurs permises (bandes
2
n.
d’énergie permises) de l’énergie. Les valeurs permises de .a correspondent aux valeurs de
a
k.
Lorsque P est petit, les bandes interdites tendent à disparaître. Lorsque P tend vers l’infini, les
bandes permises se réduisent aux points n. ( n  1,2,3,......... . ). Le spectre d’énergie
n 2 .h 2
devient discret : E 
8m.a
Cette courbe de dispersion fait apparaître la notion de bandes
d’énergie permises et interdites qui est à l’origine des
propriétés de conduction des S-C (figure II.9). Pour bien
comprendre pourquoi l’existence de bandes interdites
conditionne les propriétés de conduction, il suffit de
considérer le nombre d’électrons que peut contenir une
bande permise. A cette fin nous utilisons une fois de plus le
comptage des états dans l’espace réciproque k. Le nombre
d’états possibles occupés par les électrons est donné par la
2 Figure II.9
largeur de la bande permise divisée la largeur de la cellule
a
2
élémentaire , le tout multiplié par 2 pour le nombre de
L
spins.

II.3 Notion de densité d’états

On peut calculer ensuite le nombre de places disponibles (occupées ou non) par les électrons
(dans la BC) et les trous (dans la BV). Cette densité d’états s’obtient par exemple pour les électrons
(dans la BC) en écrivant :
nC(E)dE = nombre d’états (par m3) dans la tranche d’énergie E, E + dE

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 Chapitre II : Structure de bandes

soit : n C (E)dE = g(k)d3k

où par définition, g(k) est la densité d’états électroniques dans l’espace réciproque (espace des k).
Dans un espace à trois dimensions cette densité est égale à 2/(2)3. On en déduit l’expression de
la densité d’états dans l’approximation des bandes paraboliques en utilisant le fait que les surfaces
isoénergétiques (E = constante), si mn est isotrope, sont des sphères dans l’espace des k
2
( d k = 4k .dk ), dE =
3 2
k.dk ) :
mn
3/2
1  2mn 
n C (E ) = 2  2 
(E - E C )1/2
2   
De même pour les trous dans la bande de valence, on obtient comme densité d’états :
3/2
1  2mp 
n V (E ) =  2  (E V - E)1/2
2 
2   

II.4 Notion de trou et concept de masse effective

Si la notion d’électron est bien connue, celle de trou est spécifique des matériaux présentant une
structure de bandes telle que celle des semiconducteurs.; alternance de bandes permises et
interdites.

Supposons en effet que l’on apporte au matériau une énergie E > E G. La radiation va échanger son
énergie avec le matériau et permettre de faire passer un électron de la bande de valence vers la
bande de conduction. Ce départ va donner naissance à un « trou » dans la bande de valence.
L’apport d’énergie peut donc, en satisfaisant la condition définie ci dessus, casser une liaison
faisant ainsi apparaître une liaison manquante (trou) et un électron libre. Ces deux entités vont
pouvoir, sous l’action d’une force extérieure (champ électrique), se déplacer donnant naissance à
des courants électriques. Ces charges étant de type opposé et se déplaçant en sens contraire
donnent naissance à des courants additifs.

II.4.1- Conduction par électron ou par trou

Figure II.8. Transition d’un électron de la BV vers la BC.

On peut briser une liaison de valence si on apporte une énergie (thermique ou lumineuse)
suffisante: on arrache ainsi un ou plusieurs électrons (précédemment engagés dans ces liaisons).
Ceci revient, dans le modèle de bandes d’énergie utilisé, à faire passer ce ou ces électrons de la
bande de valence à un état situé dans la bande de conduction (à un niveau dépendant de l’apport

10
 Chapitre II : Structure de bandes

d’énergie) : l’électron est libre (il ne participe plus à une liaison cristalline) et peut, par contre,
participer à la conduction électrique (figures II.8 et II.9). Il se comporte comme une particule
quasi-libre dans le semi-conducteur car il y subit l’influence du réseau. On représente cette
particule (électron) quasi-libre par une quasi-particule libre en lui affectant une masse effective m n
différente de la masse m0 de l’électron libre dans le vide.

Figure II.9. Apparition d’un électron et d’un trou libre lors d’une rupture de liaison covalente.

II.4.2- Notion de Masse effective

Dans le même temps qu’apparaît un électron libre dans la bande de conduction (devenu libre en
brisant une liaison), apparaît une case (place) vide dans la bande de valence (correspondant à une
liaison non assurée) qui peut être occupée par un autre électron de la BV (participant auparavant
à une autre liaison covalente). Ce phénomène est illustré à la figure (II.9). A cette place vide (qu’on
appelle trou) est affectée une charge positive +q (son déplacement sera opposé à celui des
électrons lors de l’application d’un champ électrique). La bande de valence étant toujours quasi-
pleine (de N-1 électrons de valence), l’étude du mouvement des particules dans cette bande sera
simplifiée en ne considérant que le mouvement du trou auquel on affectera une masse effective
mp.
Au voisinage d’un extremum des bandes (BV ou BC), on peut approcher les relations de dispersion
E(k) par un développement limité : par exemple au voisinage d’un minimum de la BC (appelé
vallée) on pourra écrire :

ou, ce qui est équivalent (avec la quantité de mouvement)

p2
(approximation parabolique de la bande de conduction) ; avec l’énergie cinétique d’un
2m m
électron libre. Ainsi l’énergie supplémentaire (par rapport à E C) des électrons est une énergie
cinétique et on déduit par identification que la masse effective des électrons dans la vallée
considérée est donnée par :
  2E p  2
mn    qui est l’inverse de la courbure de E(p). m *  
 p2    2 
   2 
 k 
Ce résultat est très important. Il met à nouveau en évidence l'importance de la notion de masse
effective, qui dépend donc de la courbure de la relation de dispersion ε(k). Elle peut être aussi bien
négative que positive.

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 Chapitre II : Structure de bandes

II.5 Structure de bandes des principaux semi-conducteurs

Déterminer la structure de bande d’un cristal, c’est trouver la correspondance entre énergie et
vecteur d’onde en tout point de la première zone de Brillouin.
Plusieurs méthodes de calcul, essentiellement numériques, ont été développées pour les cristaux
réels.
La description des extrema des bandes de valence et de conduction est une donnée de base pour
l’étude des propriétés de transport, mais aussi des propriétés optiques, des semiconducteurs.

Figure 11 : Structure de bandes du Si. Figure II.11 : Structure de

bandes de GaAs

Qualitativement, les structures de bande des semiconducteurs diffèrent essentiellement par la

bande de conduction. En effet, tous les semiconducteurs ont le maximum de leur bande de
valence au centre de la zone de Brillouin, ce qui n’est pas toujours le cas du minimum de la bande
de conduction.

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 Chapitre II : Structure de bandes

I.2 Semiconducteurs en équilibre thermodynamique

I.2.1- Semi-conducteur intrinsèque
Un semiconducteur dit intrinsèque est un matériau idéal ne possédant ni défaut physique ni
défaut chimique. Un tel monocristal possède une structure de type tétraédrique, c'est à dire que
chaque atome est entouré symétriquement de 4 atomes. Cette structure tridimensionnelle ne se
prêtant pas à une représentation aisée on représente, conventionnellement, cet arrangement à
l'aide d'un modèle plan pour expliquer les propriétés.
Dans un semi conducteur la bande interdite, séparant la bande de valence et la bande de
conduction, va jouer un rôle important.
A 0K tous les électrons sont dans la bande de valence BV; à T>0K certains ayant une énergie >Ec se
libèrent et passent dans la bande de conduction BC. Tout atome ayant perdu un électron devient
un ion positif qui va aisément capturer un électron d'un atome voisin lorsqu'il passera dans
l'espace commun aux deux atomes et l'on constate donc un déplacement apparent du manque
d'électron. Par abus de langage on dit : que le trou équivalent à une charge mobile +q se déplace
dans la bande de valence.
La mécanique quantique nous permet d'apprécier la densité des niveaux pouvant être occupés en
fonction de l'énergie De(E) et tout particulièrement au voisinage des limites inférieures (telle E c
pour la bande dite de conduction) et supérieures (telle E v pour la bande dite de valence) des
bandes d'énergie (Fig. I.9)

Fig.I.9 : Expression de la densité des niveaux permis au voisinage des limites de bandes permises.

Pour connaître le remplissage des niveaux il nous faut une autre information et ce sont les
physiciens Fermi et Dirac qui vont nous aider en nous fournissant la probabilité d'occupation d'un
niveau d'énergie en fonction de l'énergie de ce niveau et de la température (Fig. I.10).

Figure I.10 : Fonction de distribution

de Fermi Dirac : Evolution avec la
température.

On peut alors calculer le nombre d'électrons présents dans une tranche d'énergie entre E et E+dE
qui s'exprime par : dn = 2 f(E,T) De(E) dE

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 Chapitre II : Structure de bandes

Ce qui intégré entre Ec et l'infini permet de déterminer la concentration n d'électrons dans une
bande de conduction supposée s'étendre jusqu'à l'infini. Mais, ainsi que le montre la figure I.11,
dans la bande dite de conduction BC les niveaux effectivement occupés sont en nombre très vite
voisin de zéro dès qu'on s'éloigne un peu du bas de la bande de conduction. Notons que la surface
correspondant aux niveaux occupés dans la bande de conduction est équivalente à celle
correspondant aux niveaux vides de la bande de valence. Une avant dernière remarque, dans un
semiconducteur pur (intrinsèque) le niveau de Fermi se trouve sensiblement au milieu de la bande
interdite.

Figure I.11 : Représentation des niveaux occupés et vides dans un semiconducteur

On remarque aussi que, dès lors que la température augmente, le nombre de niveaux occupés
dans la bande de conduction augmente (en raison de l'évolution de la fonction de répartition) ce
qui revient à dire que des électrons sont passés de la bande de valence à celle de conduction et
donc que la conductibilité du semiconducteur s'est améliorée.
La concentration en électrons se déduit de la connaissance de la densité d'états et de la
probabilité d'occupation.
2 EF  EC EF  EC
n .( 2m et .KT) 3/ 2
exp( )  N C . exp( ) avec N C  2.51019 cm 3
h3 KT KT
De même qu'on a pu déterminer une masse effective m e de l'électron dans le semiconducteur, on
peut définir une masse effective mh des trous dans la bande de valence. Notons que par nécessité,
il y a dans un semiconducteur intrinsèque autant de trous dans la bande de valence que
d'électrons dans la bande de conduction, ainsi si l'on appelle p la concentration en trous on aura n
= p. Et en faisant le même raisonnement pour les trous que pour les électrons on peut montrer
que
2 E  EV E  EV
p  3 .(2m t .KT) 3 / 2 exp( V )  N V . exp( V )
h KT KT
EV  EC
on en déduit : np  N C N V exp( )
KT
or n  p et l'on écrit n.p  n i2 en appelant conductivité intrinsèque la quantité
EG
n i  ( N C N V )1/ 2 exp(  ).
2KT
A partir des expressions de n et de p on peut en tirer le niveau de Fermi
1 3 m
EF  (E V  E C )  .KT.Log( t )
2 4 me

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 Chapitre II : Structure de bandes

Aux températures usuelles la quantité kT est petite et le second terme peut-être négligé en
première approximation et le niveau de Fermi se trouve donc au milieu de la bande interdite.
En examinant l'expression de ni on voit que le terme entre crochets, variant en T puissance 3/2,
varie peu vis à vis du terme exponentiel, donc la conductivité d'un semiconducteur intrinsèque
varie sensiblement comme une exponentielle en -1/T ce qui différencie sensiblement les
semiconducteurs des métaux lesquels voient leur résistivité varier sensiblement
proportionnellement à T (figure I.12). Cependant si la température vient à croître fortement
(plusieurs centaines de °C) le terme en T3/2 va finir par varier plus vite que le terme exponentiel et
le semiconducteur verra alors une variation de sa résistivité de type métallique ce qui ne
présentera plus d'intérêt pratique : les semiconducteurs ne pourront donc être exploités qu'à des
températures proches de l'ambiante, dès lors qu'ils seront traversés par des courants importants,
générant un effet Joule conséquent, on sera donc contraint de les refroidir pour limiter leur
température à des valeurs acceptables pour lesquelles leurs propriétés restent convenables. Cette
contrainte explique la présence de radiateurs et de ventilateurs dans nombre de dispositifs à
semiconducteurs.

Figure I.12 : Evolution de la

Figure 13 : Variations
concentration intrinsèque de
avec lala
concentration
température. intrinsèque en
fonction de la température.

I.2.2- Semiconducteur extrinsèque

Un semi-conducteur intrinsèque possède une faible conductivité, due principalement à la faible
population de porteurs : on peut fortement accroître cette conductivité en ajoutant, en très faible
proportion (seulement 1 atome pour 106 à 108 atomes de semiconducteur), un atome d'impureté
appelé dopant. Selon le type d'atome dopant, on augmentera la conductivité par électrons (semi-
conducteur dopé N) ou par trous (semi-conducteur dopé P). Le semi-conducteur ainsi dopé
s'appelle semi-conducteur extrinsèque : à température ambiante, presque toutes ses propriétés
électriques ne dépendent que de l'atome dopant et de sa concentration.
Pour comprendre comment fonctionne le dopage, il faut se souvenir que le Silicium, comme le
Germanium et le Carbone, forment avec leurs voisins des liaisons covalentes, et que leur
tétravalence (due au fait qu'ils possèdent 4 électrons sur la dernière couche) leur permet de
former 4 liaisons. Le dopage consiste alors à introduire, en petite quantité, un atome d'impureté :
Phosphore, Bore, Antimoine, etc., qui vient, si tout se passe bien, prendre la place occupée par un
atome de Silicium (par substitution) : l'atome d'impureté occupe alors les liaisons de l'atome de
Silicium (qui est éjecté). On voit d'ores et déjà que l'atome d'impureté doit posséder une taille
semblable à celle du Silicium pour que la substitution fonctionne correctement, et c'est là une des
principales difficultés dans le choix d'un dopant.
Pour réaliser un dopage de type N, on ajoute au Silicium (mais il
en va de même avec le Germanium et les composés III-V ou II-
IV comme l'Arséniure de Gallium) un atome de la colonne V,

15
 Chapitre II : Structure de bandes

par exemple le Phosphore, qui est pentavalent (Figure I.13). Le

cinquième électron ne peut pas former de liaison de valence, et
se trouve de fait dans un état faiblement lié à l'atome de
Phosphore : sa fonction d'onde est très étalée (en générale de
l'ordre de plusieurs distances inter-atomiques), et il faut voir le
système davantage comme un couple électron-phosphore
ionisé vu la distance moyenne entre l'électron et l'ion P +.
Une très faible énergie est nécessaire pour détacher cet électron : généralement, l'énergie
d'agitation thermique est suffisante, et l'électron passe très vite dans la bande de conduction :
l'atome pentavalent est appelé atome donneur car il apporte des électrons au réseau.
Le niveau d'énergie ED occupé par le cinquième électron est très proche de la bande de conduction
: il est situé dans la bande interdite (logique, puisque l'électron est malgré tout attaché au
Phosphore, et ne conduit pas), mais l’énergie à franchir pour atteindre la B.C. est suffisamment
faible (de l'ordre de 0;04eV à comparer au gap de 1;12eV de la bande interdite) pour que, à
température ambiante (où l'énergie d'agitation thermique est de l'ordre de kT= 0;026eV ), le
niveau d'énergie ED soit quasiment vide : la majorité les électrons se retrouvent dans la bande de
conduction (ou se trouvaient déjà quelques électrons fournis par le Silicium). Généralement, la
concentration en atome donneurs est de l'ordre de 10 19 cm-3 : la quantité d'électrons fournis à la
B.C. par le dopant est donc largement supérieure (de plusieurs ordres de grandeur) à la
concentration intrinsèque d’électrons présents dans la BC.
Si l'impureté comporte seulement 3 électrons de valence (atome accepteur d'électron) c'est le
processus inverse qui se produit. L'additif récupère volontiers un électron supplémentaire ce qui
crée un trou peu lié supplémentaire (de niveau énergétique juste supérieur au niveau du haut de
la bande de valence du semiconducteur).
Un calcul permet dans le cas du semiconducteur extrinsèque de calculer la modification apportée
au niveau de Fermi par l'additif. On montre ainsi que pour un semiconducteur de type N :
NC
E F  E C  KT.Log( )
ND
C'est à dire que le niveau de Fermi se trouve proche du bas de la bande de conduction et non plus
au milieu de la bande interdite. Dans le cas d'un matériau dopé P le niveau de Fermi se trouverait
au contraire diminué et proche du haut de la bande de valence selon la relation
NV
E F  E V  KT.Log( )
NA
Dans les deux cas on voit qu'une augmentation de température tendra à ramener le niveau au
milieu de la bande interdite, transformant alors le matériau en matériau intrinsèque. La limite de
température est évidemment théoriquement augmentée avec la valeur de N a ou Nd mais d'autres
contraintes interdisent un dopage élevé pour les applications et par conséquent la limite d'emploi
en température des semiconducteurs restera modeste.

III.2.2- Les dopants (niveaux superficiels)

e
L’électron fournit se déplace dans le potentiel coulombien de l’ion de l’atome donneur.
r0
Pour calculer l’énergie de liaison de l’atome donneur, la théorie de Bohr de l’atome d’hydrogène
peut facilement être appliquée moyennant des modifications qui tiennent compte de la constante
diélectrique du milieu et de la masse effective d’un électron dans le potentiel périodique du cristal
Le modèle planétaire de Bohr permet de déterminer les niveaux d’énergie dans le cas de
l’atome de Bohr :

16
 Chapitre II : Structure de bandes

e2 m 0 .v 2
 : électron sur une orbite autour du noyau
4  0 r 2 rn
Quantification du moment cinétique : m 0 rn v  n.
4  0  2
Rayon de la 1ère orbite de Bohr : r0 
m 0 e2
Les niveaux d'énergie de l'atome d'hydrogène sont donnés par :
4
1 m0e
En  m0 v 2  E P  
2 2(4 0 ) 2 (n. 2 ) 2
1
qui s'écrivent aussi comme: E n   .R y
n2

où R y  13.6eV est l'énergie de Rydberg. En effectuant les substitutions pour les masses
effectives et la constante diélectrique, les niveaux d'énergie pour l'impureté s'écrivent:
1
En   2
.R *y
n
Cette renormalisation va conduire, dans les cas pratiques, à une forte réduction de l'énergie de
m*
Rydberg. Par exemple, dans le GaAs, E R y  5.5meV (avec  r  13 et
*
 0.067 ).
m0
L'énergie d’ionisation de l'impureté est donc nettement plus faible que l'énergie thermique à
température ambiante. Pour cette raison, en très bonne approximation, on peut considérer
que toutes les impuretés sont ionisées dans le GaAs à température ambiante.
L’application de ces résultats au germanium et au silicium est compliquée par l’anisotropie de la
masse effective des porteurs de charge. Vu que l’influence de la constante relative  r est
beaucoup plus importante que celle de la masse effective, nous pouvons déterminer avec une
bonne approximation les niveaux liés à l’impureté en prenant m*  0.2m0 .
Le tableau ci-dessous donne les valeurs expérimentales de E D et E A pour les principaux
éléments dopants, dans le silicium et le germanium.
P As Sb B Al Ga
Si 0.045 0.049 0.039 0.045 0.045 0.065
Ge 0.0120 0.0127 0.0096 0.0104 0.0102 0.0108
Les énergies calculées sont faibles, largement plus faibles que celle relative à la largeur de la
bande interdite. Ceci justifie leur appellation de niveaux "peu profonds" ou "shallow
donors/acceptors". Il est facile d'activer ces impuretés à température ambiante.
Dans le semiconducteur, le rayon de l’orbite associée au niveau n est exprimé par :
rn m0
 r n2
r0 m*
On pourra, à titre de comparaison, montrer que le rayon de la 1 ère orbite de Bohr est de l’ordre
o o
de 80 A pour le germanium et de 30 A pour le silicium. Ces valeurs indiquent que les orbites
d’impuretés dopantes se chevauchent pour des concentrations relativement faibles.

A partir des expressions de n et de p on peut en tirer le niveau de Fermi

1 3 m
EF  (E V  E C )  .KT.Log( t )
2 4 me

17
 Chapitre II : Structure de bandes

Aux températures usuelles la quantité kT est petite et le second terme peut-être négligé en
première

III.3 Calcul de la densité des porteurs libres et du niveau de Fermi dans les semiconducteurs
extrinsèques : Comportement de la concentration des porteurs libres avec la température
Dans le cas complètement général, il est nécessaire de résoudre l'équation de la neutralité du

cristal: ND  p  NA  n avec n   D(E).f
EC
e (E).dE

Sachant que la concentration nD d’électrons occupant le niveau donneur E D est donnée par :
n D  ND  ND  ND .f D (E D )
1 1
ND  ND .(1   ND .
1  E  EF   E  ED 
1  exp D  1  2. exp F 
2  kT   kT 
Quant à la concentration n A d’électrons occupant le niveau accepteur E A , elle est donnée
par :
n A  N A  NA  NA .f A (E A )
1 1
N A  N A .(1   NA .
1  E  EA   E  EF 
1  exp F  1  2. exp A 
2  kT   kT 
L'équation fondamentale à résoudre est:
1 1 n 2i
ND .  p  NA .  n Avec p  .
 EF  ED   EA  EF  n
1  2. exp  1  2. exp 
 kT   kT 

Dans le cas d’un semiconducteur de type n : ND >> N A et n >> p , l’équation à résoudre se

réduit à :
 E  EC  1
NC . exp F   ND .
 kT   E  ED 
1  2. exp F 
 kT 
 EF 
En posant : U  exp  , l’équation précédente devient :
 kT 
1 E  N  E  EC 
U2  .U. exp D   D . exp D 0
2  kT  2NC  kT 
La résolution de cette équation du 2ème degré permet de déterminer l’évolution en fonction de
la température du niveau de Fermi :.
E  1  E  8ND  E  ED 
U  exp F    . exp D  1  1  exp C  .
 kT  4  kT   NC  kT  
La densité de porteurs est donnée par :

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 Chapitre II : Structure de bandes

 E  EC  E  ED E  EC
n  NC . exp F   NC . exp( F ). exp( D )
 kT  kT kT
NC  8ND E  ED   E  EC 
 .1  1  exp( C ) . exp D 
4  NC kT   kT 

8ND  E  ED  N C ND  E  ED 
 TBT : exp C    1  n exp  C  ;
NC  kT  2  2kT 
E  E C kT  ND 
EF  D  Log( )
2 2  2N C 
8ND  E  ED 
 HT : exp C    1  n  ND : toutes les impuretés sont ionisées
NC  kT 
N
E F  E C  kT.(Log( D )
NC
 THT : toutes les impuretés sont ionisées ( ND  ND ), la contribution des porteurs
intrinsèques ne sera pas négligée
n2 n2
ND  p  n avec p  i  N D  i  n  n 2  n.ND  n 2i  0
n n
N  2n  2n
La solution trouvée s’écrit : n  D .1  1  ( i ) 2  avec ( i ) 2   1  n  n i et
2  N D  ND
EC  EV 3kT  m *t 
EF    Log ( ) : semiconducteur intrinsèque
2 4  m e* 
Sur la figure III.5, nous montrons l’évolution, en fonction de la température, du niveau de Fermi
par rapport au niveau donneur.

Figure III.5 : Evolution en fonction de la température de la position du niveau de Fermi dans le

silicium dopé au phosphore ( E C  E D  0.045eV ) avec ND  1016 at / cm 3 .

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 Chapitre II : Structure de bandes

A T=0 K, le niveau de Fermi se trouve au milieu de l’intervalle E D , E C  . Au fur et à mesure que

la température augmente, le niveau de Fermi tend vers le niveau intrinsèque dans la région où
la contribution des porteurs de charge des atomes de la matrice devient prépondérante par
rapport aux porteurs de charges dus à l’ionisation des atomes dopants tel que montré dans la
figure III.6.

Figure III.6 : Evolution en fonction de la température de la concentration de porteurs libres

dans le silicium dopé au phosphore ( E C  E D  0.045eV ) avec ND  1016 at / cm 3 .

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