CURVA SFORZO-DEFORMAZIONE

Una tipica curva sforzo-deformazione di leghe non-ferrose (Al, Cu, ...):

Il carico di snervamento (o yield strength) rappresenta il valore dello sforzo a cui le dislocazioni iniziano a
muoversi e si ha dunque l'inizio della deformazione plastica.
La deformazione plastica si ha mediante il processo di scorrimento.
DISLOCAZIONI

Le dislocazioni sono difetti di linea attorno alla quale si ha un disallineamento delle posizioni degli atomi
rispetto al reticolo perfetto:

DISLOCAZIONE A SPIGOLO DISLOCAZIONE A VITE

DISLOCAZIONE MISTA
CARATTERISTICHE DELLE DISLOCAZIONI

Sono introdotte durante la solidificazione, la deformazione plastica e da stress termici.

Attorno alla linea della dislocazione si ha deformazione del reticolo (lattice strain).
Nel caso della dislocazione a spigolo, ad esempio, lo stress è compressivo sopra la linea (dove gli atomi sono
più vicini tra loro), ed è di trazione sotto la linea (dove gli atomi sono più distanziati rispetto alle posizioni che
hanno nel reticolo perfetto):
MOVIMENTO DELLE DISLOCAZIONI
Lo sforzo di taglio, , è necessario per mettere in moto le dislocazioni, il cui moto avviene preferenzialmente
sui piani di massimo impacchettamento atomico e lungo le direzioni con massima densità lineare di atomi.
Nella figura si noti come, sotto l'applicazione di , il semipiano si sposti da sinistra a destra mediante
successiva e ripetuta rottura di legami:

SISTEMI DI SCORRIMENTO
Il processo tramite il quale si ha deformazione plastica è detto scorrimento.
Il piano di scorrimento (o slip plane) è quello con la massima densità di impacchettamento,ovvero con la
maggior densità di atomi per unità di superficie. La direzione di scorrimento è quella con la maggiore densità
lineare di atomi. Un sistema di scorrimento è quindi rappresentato dalla combinazione di piani e direzioni di
scorrimento.
SISTEMI DI SCORRIMENTO IN ALCUNI CRISTALLI
ESEMPIO: nei metalli fcc, lo scorrimento avviene sui piani {111} lungo le direzioni <110>.
DUTTILITA' E NUMERO DI SISTEMI DI SCORRIMENTO

I metalli che posseggono il maggior numero di sistemi di scorrimento sono piuttosto duttili in quanto una
notevole quantità di deformazione plastica è normalmente possibile lungo i vari sistemi.

A temperatura ambiente, la duttilità segue l'ordine:

FCC > BCC > HCP

Per la deformazione plastica è necessario uno sforzo di taglio.

Lo scorrimento (il processo di messa in movimento delle dislocazioni) comincia

quando lo sforzo di taglio (shear stress, ) sul piano di scorrimento e lungo la
direzione di scorrimento raggiunge un valore ben definito, detto sforzo critico di
taglio.

Lo sforzo richiesto per provocare lo scorrimento nei cristalli singoli dipende da:
1. struttura cristallina (bcc, fcc, hcp, …);
2. tipo di legame tra gli atomi;
3. temperatura a cui avviene la deformazione;
4. orientazione dei piani attivi di scorrimento rispetto alla direzione dello
sforzo.
 CURVA SFORZO-DEFORMAZIONE PER UN CRISTALLO SINGOLO

La curva sforzo-deformazione di un cristallo singolo ha tre stadi

distinti:

- Dopo lo snervamento, nello stadio I si ha l’ easy glide con basso

incrudimento;
- lo stadio II è caratterizzato da una pressoché costante velocità di
incrudimento, piuttosto indipendente dalla velocità di
deformazione (strain rate) e dalla temperatura;
- lo stadio III è molto sensibile dalla rate ed è caratterizzato da
una diminuzione della velocità di incrudimento.

LEGGE DI SCHMID

Schmid speculò che per i cristalli singoli:

 il carico di snervamento iniziale varia da campione a campione a seconda della posizione del reticolo
cristallino rispetto all’asse di trazione;
 è lo sforzo di taglio risolto lungo la direzione di scorrimento sul piano di scorrimento che dà inizio alla
deformazione plastica;
 lo snervamento inizia su un sistema di scorrimento quando lo sforzo di taglio raggiunge un valore critico,
adeguato a mettere in movimento la dislocazione.
Consideriamo un provino cilindrico di Mg monocristallino.

Il piano basale della cella elementare esagonale sia disposto a 45° rispetto all’asse del cilindro.
Applichiamo uno sforzo di “trazione”.
Per sollecitazioni (stress) inferiori a 100 p.s.i. il cristallo si deforma elasticamente, ovvero non acquisisce
alcuna deformazione permanente.

Al di sopra del punto di snervamento ( ≈ 100 p.s.i.) inizia la deformazione plastica e il cristallo va incontro
ad una deformazione (allungamento nel caso di sforzi di trazione) “permanente”.
Lo scorrimento delle dislocazioni avviene in modo massimo con la formazione di gradini (slip bands)
osservabili al microscopio ottico.

Per poter essere osservati al MO, i gradini devono essere di circa 2 µm e poiché ogni dislocazione provoca una deformazione
pari a circa un paio di Å, almeno 10000 dislocazioni devono essere passate sul piano di scorrimento per ciascuna slip band
osservabile.
Se i piani basali del Mg sono orientati diversamente da 45° rispetto all’asse del provino, si osserva che è
necessario uno sforzo > 100 p.s.i. per iniziare la deformazione plastica (permanente). Ciò perché occorre
considerare lo sforzo critico di taglio e come questo dipenda dallo sforzo assiale che agisce sulla barra
cilindrica.



Sia F la forza di trazione assiale e sia A0 la sezione del provino cilindrico (lo sforzo risulta pertanto = F/A0).
Sia A1 l’area del piano di scorrimento, ossia il piano su cui agisce la forza di taglio Fr. Definiamo con φ e  gli
angoli rispettivamente tra la forza assiale F e la normale al piano A1 e tra F e la direzione di scorrimento.
Affinché le dislocazioni vengano messe in movimento nel sistema di scorrimento, la forza deve produrre uno
sforzo di taglio critico:

forza di taglio F
r   r
area di taglio (area del piano di scorrimento) A1

La componente di taglio Fr è legata alla forza assiale dalla relazione

Fr = F cos;
l’area del piano di scorrimento è
A1=A0/cosφ.
Pertanto:

Fr F cos  F
r    cos  cos     cos  cos     m
A 1 A 0 / cos  A 0

che è chiamata Legge di Schmid (il prodotto cosλ·cosφ = m è il fattore di Schmid), che possiamo anche
scrivere come r/m .
Il massimo valore dello sforzo critico di taglio si ha per  =  = 45° (cos 45° = 2 / 2 ) e quindi r = ½ .
Dalla Legge di Schmid segue che lo sforzo critico è nullo quando il piano di scorrimento è perpendicolare o
parallelo allo sforzo esterno; in tali condizioni non si ha scorrimento.
La figura mostra l’evidenza sperimentale della legge di
Schmid nel caso del Mg (esagonale), ovvero il carico di
snervamento c aumenta se l’orientazione del piano di
scorrimento (piano basale) rispetto all’asse di trazione
non è quella “ottimale”, a 45°.

Se il piano di scorrimento tende a stare a 90° rispetto

all’asse di trazione, il carico per mettere in movimento le
dislocazioni cresce notevolmente.
Nei materiali policristallini la direzione dello scorrimento varia da un grano all’altro a causa della
orientazione cristallografica casuale.

Condizioni di deformazione plastica progressiva di un materiale policristallino avente diversi fattori di Schmid.
I grani con la orientazione 1 saranno i primi a vedere raggiunta la condizione di messa in movimento delle
dislocazioni.
Alluminio policristallino deformato plasticamente; si notino le bande di scorrimento
all’interno di ogni grano, aventi differente orientazione nei vari grani.
GEMINAZIONE (Twinning)

La geminazione è un altro meccanismo possibile per la deformazione plastica, comunemente osservato

nei metalli hcp.
Una parte del reticolo è deformata in modo da formare
un'immagine speculare del reticolo non deformato ad esso
adiacente.
La geminazione avviene lungo piani di geminazione e in
una direzione specifica, la direzione di geminazione.
La figura a lato mostra, nel caso di uno sforzo assiale di trazione,
il risultato del movimento di atomi (a) per scorrimento di
dislocazioni o (b) mediante geminazione per deformazione. Lo
scorrimento avviene per ripetuti passaggi di dislocazioni su
specifici piani. Nel caso di un cristallo singolo, nei primi stadi
della deformazione lo scorrimento si verifica su un singolo
sistema (un piano e una direzione di scorrimento, come qui
mostrato), con poca o nulla interferenza tra singole dislocazioni.
Nel caso della geminazione per deformazione (deformation
twinning), si ha invece il simultaneo e rapido spostamento di
atomi vicini, tutti nella stessa direzione, con conseguente
spostamento del reticolo, benché in questo caso la regione
interessata alla deformazione viene ad assumere una
orientazione cristallografica diversa da quella iniziale. Infatti, la
struttura è l'immagine speculare di quella iniziale, essendo lo
"specchio" il piano di geminazione.
DIFFERENZE TRA slip & twinning

1. Nello scorrimento, gli atomi su un lato del piano di scorrimento percorrono tutti una stessa distanza, mentre
nella geminazione gli atomi percorrono distanze maggiori all'aumentare della distanza dal piano di
geminazione;
2. lo scorrimento lascia gradini (bande) mentre la geminazione lascia piccole ma ben definite regioni del cristallo
deformato:

3. La geminazione coinvolge una piccola frazione del volume totale del cristallo, e conseguentemente la quantità
di deformazione è piccola.
4. I cambiamenti di orientazione reticolare causati dalla geminazione possono posizionare nuovi sistemi di
scorrimento con orientazione favorevole rispetto alla componente di taglio dello sforzo, permettendo così di
attivare ulteriore scorrimento.
5. La geminazione è importante nelle strutture hcp a causa del loro minore numero di sistemi di scorrimento.
La geminazione per deformazione avviene nei metalli hcp (Zn, Mg, Ti) a T ambiente, nei bcc (Fe, Mo, W, Ta) a temperature
molto basse; o in alcuni metalli bcc a T ambiente, ma ad alte velocità di deformazione. I metalli fcc hanno poca tendenza alla
geminazione per deformazione.
MECCANISMI DI RAFFORZAMENTO DEI METALLI

La deformazione plastica avviene per movimento di un gran numero di dislocazioni.

Pertanto, il rafforzamento dei materiali metallici si basa su un semplice principio:
limitare o ostacolare il moto delle dislocazioni permette di rendere un materiale
metallico più resistente e più duro.

I meccanismi di rafforzamento per metalli costituiti da una singola fase sono:

1. alligazione per formazione di soluzione solida;

2. incrudimento;
3. indurimento per precipitazione;
4. diminuzione delle dimensioni medie dei grani (aumento della superficie di bordo
grano per volume unitario di solido).
1) Rafforzamento per soluzione solida
I metalli puri sono sempre meno duri e meno resistenti delle leghe composte dallo stesso metallo base. Questo
perché gli atomi di impurezze, che sostituiscono gli atomi del reticolo base, inducono deformazioni reticolari
(lattice strain) nel loro intorno.

Il lattice strain degli atomi di impurezze interagisce con la deformazione intorno alla linea della dislocazione, il
cui movimento risulta conseguentemente ostacolato.
2) Incrudimento
L'incrudimento è quel fenomeno attraverso il quale un metallo duttile diventa più duro e resistente
a seguito di deformazione plastica a T ambiente.
Infatti, a seguito della deformazione la densità delle dislocazioni (d) aumenta:
 metallo non deformato: d ≈ 103 mm/mm3;
 metallo deformato: 104 < d  1010 mm/mm3.
Il movimento delle dislocazioni è ostacolato dalla presenza dei campi di deformazione delle altre dislocazioni;
ciò causa un aumento dello sforzo necessario per il movimento.

 aumenta l'incrudimento;
 il carico di snervamento (yield strength)
aumenta;
 la resistenza a trazione aumenta;
 la duttilità (% di elongazione o % di
strizione) diminuisce.
Tipiche lavorazioni che inducono deformazione plastica in un metallo:
3) Indurimento per precipitazione
Le dislocazioni interagiscono con i precipitati di seconde fasi all'interno della matrice.
I precipitati duri (ad es. i carburi) sono difficili da attraversare.

1
y 
S

E' un meccanismo di rafforzamento nelle leghe di alluminio, titanio, superleghe a base Ni.
È preferibile avere, a parità di frazione volumica di precipitati nel solido, precipitati di minore
dimensione in quanto ciò comporta una minore interdistanza media S:

Dopo che la dislocazione ha superato i precipitati, rimane intorno a loro un loop (Orowan loop)
I precipitati possono essere coerenti, ovvero avere la stessa orientazione cristallografica della
matrice senza misfit, semicoerenti, quando all'interfaccia tra le due fasi (matrice e precipitato) con
diverso parametro reticolare si formano dislocazioni, oppure incoerenti.

coerente semicoerente incoerente

Le dislocazioni all' interfaccia tra matrice e precipitato semicoerente sono

riconducibili al misfit tra i due reticoli, definito dallo strain (v. formula a
lato), dove a e a sono le spaziature interplanari, in assenza di stress, dei
piani che si affacciano all'interfaccia tra le fasi  e .

All'aumentare del misfit l'interdistanza delle dislocazioni deve diminuire.

Precipitato semicoerente di Al2Cu di ca. 15 nm in lega Al-Cu
4) Riduzione delle dimensioni dei grani
 I bordi grano sono barriere per lo scorrimento
(moto delle dislocazioni);
 Minore la dimensione dei grani, maggiore è il
numero di barriere per unità di volume;
 I metalli con grano più fine sono più resistenti,
più duri e più tenaci.

Effetto del grain size sul carico di snervamento, y:

 y  0  k  d 1 2 Legge di Hall-Petch

N.B.: la legge di Hall-Petch non vale nel casi di grani estremamente grossolani o estremamente fini (nm)

Le dimensioni dei grani possono essere aggiustate

 agendo sulla velocità di solidificazione dal fuso (fase liquida),

 per deformazione plastica seguita da apposito trattamento termico.
Riduzione del grano per deformazione plastica e trattamento termico
INCRUDIMENTO (a T ambiente)  riscaldamento ad alta T
 il trattamento a caldo che rende meno duro il metallo si chiama ricottura (annealing);
 durante l'annealing la struttura del metallo subisce una serie di modificazioni, dette:

 recovery (o recupero);
 ricristallizzazione;
 crescita del grano.
RECOVERY:

In questa fase una parte dell'energia

immagazzinata durante la deformazione a freddo
è rilasciata mediante annichilazione delle
dislocazioni (di segno opposto) messe in
movimento dall'energia termica (diffusione).
La densità delle dislocazioni si riduce e si
producono nuove configurazioni delle
dislocazioni, caratterizzate da una minore energia
di deformazione residua.

Il recovery dei metalli produce bordi di grano a

basso angolo. Il processo prende il nome di
poligonizzazione.
Un array di dislocazioni a spigolo (vedi fig. c della slide precedente) genera un bordo grano di
basso angolo. Infatti, due reticoli con differenza di orientazione pari a un (piccolo) angolo  sono
possibili grazie a un array di dislocazioni a spigolo, come nella figura sotto a sinistra.

La relazione tra l'angolo , la distanza interplanare b e l'interdistanza media tra le dislocazioni, D,

è:
b
D 
θ
Confronto tra bordi grano a basso e alto angolo
RICRISTALLIZZAZIONE:

In questa fase si ha la formazione di nuovi grani equiassici non deformati con bassa densità di
dislocazioni, analoghi ai grani pre-esistenti, prima della fase di lavorazione a freddo.
La ricristallizzazione porta ad un affinamento della struttura a grani.

La T a cui avviene la ricristallizzazione, alla quale il processo

può dirsi completo in 1 h circa, è detta temperatura di ricristallizzazione.
La temperatura di ricristallizzazione dipende da
 entità dell'incrudimento,
 dimensioni iniziali dei grani,
 composizione della lega.
CRESCITA DEL GRANO

Dopo la ricristallizzazione, i nuovi grani non-deformati continuano a crescere ad alta T.

Con il passare del tempo di trattamento termico, i grani più grandi "mangiano" quelli più piccoli.
La driving force di questo processo è la diminuzione dell'area di bordo grano, cui è associata
un'energia di eccesso. La crescita del grano diminuisce quindi l'energia del solido.

La crescita del grano procede mediante migrazione dei bordi grano, ovvero diffusione a corto raggio di atomi da un lato
all'altro del bordo.
Rappresentazione schematica della crescita del grano

Una relazione empirica per descrivere l'evoluzione

temporale delle dimensioni medie dei grani è la
seguente:

dn  d0n  kt

dove d è la dimensione al tempo t, e k una costante

dipendente dalla T. Il coefficiente n è tipicamente ≈ 2.