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1
Introduzione
• Nello studio del transistor, fino ad ora, abbiamo considerato che i suoi
parametri fossero indipendenti dalla frequenza del segnale di
ingresso.
• Questo ci ha consentito di studiare le proprietà dei circuiti
amplificatori elementari. In questa parte del corso invece studieremo i
limiti di validità che i risultati ottenuti fino ad ora devono rispettare.
• Cosa dobbiamo aspettarci se la frequenza del segnale di ingresso
aumenta?
• Cosa dobbiamo aspettarci se la frequenza del segnale diminuisce
verso valori molto bassi?
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Circuiti passa-basso
R
• Un circuito passa-basso lascia
passare i segnali inalterati fino a + +
che la pulsazione non raggiunge 1
un determinato valore chiamato Vo(s) 𝑍𝐶 =
Vi(s) 𝑠𝐶
polo. - -
• Il più semplice circuito
passabasso è il cosiddetto filtro
R-C costituito dalla serie di una
resistenza e di un condensatore 𝑉𝑜 (𝑠) 1Τ𝑠𝐶 1
• Per i nostri scopi è utile studiare 𝐻 𝑠 = = =
questo circuito nel dominio di 𝑉𝑖 (𝑠) 𝑅 + 1Τ𝑠𝐶 𝑠𝑅𝐶 + 1
Laplace
3
Circuiti passa-basso
1
𝐻 𝑠 =
𝑠𝑅𝐶 + 1
• H(s) è detta funzione di trasferimento del circuito. Rappresenta il legame
tra la trasformata di Laplace dell’uscita e quella dell’ingresso.
• Ci accorgiamo che se |sRC|<<1, H(s) tende all’unità
• Passando nel dominio di Fourier, possiamo scrivere |jwRC|<<1 ovvero
w<<1/RC
• Ciò significa che se la pulsazione del segnale è << 1/RC il segnale non viene
modificato (|H(s)|=1). All’aumentare della pulsazione il segnale verra via-
via attenuato.
• wH=1/RC viene detto polo della funzione di trasferimento e quindi del
circuito
4
1
Circuiti passa-alto 𝑍𝐶 =
𝑠𝐶
• Un circuito pass-aalto lascia
passare i segnali inalterati a + +
partire da una certa pulsazione R
Vi(s) Vo(s)
che chiamiamo polo.
-
• Il più semplice circuito passa- -
altoè il cosiddetto filtro C-R
costituito dalla serie di un
condensatore e di un resistenza 𝑉𝑜 (𝑠) 𝑅 𝑠𝑅𝐶
• Per i nostri scopi è utile studiare 𝐻 𝑠 = = =
𝑉𝑖 (𝑠) 𝑅 + 1Τ𝑠𝐶 𝑠𝑅𝐶 + 1
questo circuito nel dominio di
Laplace
5
Circuiti passa-alto
𝑠𝑅𝐶
𝐻 𝑠 =
𝑠𝑅𝐶 + 1
• H(s) è detta funzione di trasferimento del circuito. Rappresenta il legame
tra la trasformata di Laplace dell’uscita e quella dell’ingresso.
• Ci accorgiamo che se |sRC|>>1, H(s) tende all’unità
• Passando nel dominio di Fourier, possiamo scrivere |jwRC|>>1 ovvero
w>>1/RC
• Ciò significa che se la pulsazione del segnale è >> 1/RC il segnale non viene
modificato (|H(s)|=1). Al diminuire della pulsazione il segnale verra via-via
attenuato.
• wL=1/RC viene detto polo della funzione di trasferimento e quindi del
circuito
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Risposta in frequenza degli amplificatori
• Nella quasi totalità dei circuiti
amplificatori si osserva una risposta in
frequenza con una forma simile a quella |H(s)|
riportata nella figura.
• Esiste una regione centrale, detta banda Av
passante, in cui i segnali vengono
soltanto amplificati del guadagno Av.
• Se la frequenza del segnale diminuisce,
ci si approssima alla frequenza fL detta banda passante
frequenza di taglio inferiore, a partire
dalla quale il guadagno si riduce
• Se la frequenza del segnale aumento, ci
si approssima alla frequenza fH, detta
frequenza di taglio superiore, a partire fL f
dalla quale il guadagno si riduce fH
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Risposta in frequenza degli amplificatori
• Possiamo dire che lo studio delle
configurazioni elementari che |H(s)|
abbiamo fatto nelle precedenti
lezioni ha riguardato la regione Av
della banda passante (o anche
detta delle medie frequenze)
• In questa fase siamo interessati a banda passante
valutare l’estensione di questa
regione, ovvero i limiti fL e fH.
• Un circuito si dice a banda larga f
se fH>>fL (almeno due decadi). fL fH
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Banda di un amplificatore
• Si definisce larghezza di banda
(bandwidth, BW) dell’amplificatore, |H(s)|
o anche semplicemente banda di un
Av
amplificatore
𝐵𝑊 = 𝑓𝐻 − 𝑓𝐿
banda passante
• Nel caso di amplificatori a larga
banda possiamo approssimare la
larghezza di banda con la sola
frequenza di taglio superiore fL f
fH
𝐵𝑊 ≈ 𝑓𝐻
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Risposta in bassa ed alta frequenza
• Negli amplificatori a larga banda possiamo scomporre la risposta in
frequenza in tre contributi
𝐻 𝑠 = 𝐴𝑣 𝐻𝐿 (𝑠)𝐻𝐻 (𝑠)
|HL(s)| |HH(s)|
1 1
fL f fH f 10
Risposta in bassa ed alta frequenza
• Negli amplificatori a larga banda possiamo scomporre la risposta in
frequenza in tre contributi, tra di loro indipendenti.
𝐻 𝑠 = 𝐴𝑣 𝐻𝐿 (𝑠)𝐻𝐻 (𝑠)
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Esempio LTSpice
A esempio, se nel circuito in figura variamo il valore del condensatore posto sulla base C1, ad essere influenzata è
la sola parte in bassa frequenza della risposta del circuito. Stessa cosa vale per il condensatore C2 in uscita.
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Risposta in bassa frequenza del circuito ad
emettitore comune V CC
Rs CB rp vp gmvp ro RC CC
vs RL
R1// R2
RE CE Ciò e meno evidente per quanto
riguarda il condensatore CE, che si
trova in una maglia non percorsa
dal segnale 16
Circuito a piccolo segnale in bassa frequenza
Rs C B rp vp gmvp ro RC CC
vs RL
R1// R2
RE CE
Dal momento che abbiamo a che fare con un circuito lineare, potremmo con
facilità valutare la funzione di trasferimento del circuito calcolando il
rapporto tra Vo(s) e Vs(s). Basterà sostituire ai condensatori le loro
impedenze 1/sC e risolvere il circuito utilizzando le LKC e LKT. 18
Metodo delle costanti di tempo
• Dal momento che non siamo interessati alla conoscenza della intera
funzione di trasferimento ma ci accontentiamo di valutare la sola
frequenza di taglio inferiore fL, la teoria dei circuiti ci viene in aiuto
con un metodo approssimato, ma valido, per il calcolo di fL.
• Si tratta del metodo delle costanti di tempo in bassa frequenza, o
anche detto metodo delle costanti di tempo in corto circuito.
• Esso consiste nella valutazione della costante di tempo ti=RiCi
associata a ciascuna capacità (nel nostro circuito ce ne sono tre)
• Questo calcolo va fatto considerando una capacità alla volta,
sostituendo tutte le altre con dei corto-circuiti, e valutando la
resistenza equivalente vista ai suoi capi.
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Metodo delle costanti di tempo
𝑁
1
𝑓𝐿 ≈
𝑅𝑖 𝐶𝑖
1
+
Rs C B rp vp gmvp ro RC
Vs(s) RL Vo(s)
-
R1// R2
RE CE
𝜏𝐵 = 𝐶𝐵 𝑅𝑆 + R1||R2||rp 23
Le altre costanti di tempo
Rs rp vp gmvp ro RC CC
R1// R2 RL
ro RC CC
RL
Rs C B rp vp gmvp ro RC CC
RL
R1// R2
RE CE
Rs C B rp vp gmvp ro RC CC
RL
R1// R2
Vx
C B rp vp gmvp ro RC CC
RL
Rs||R1||R2
Vx
1 1 1
𝑓𝐿 ≈ + +
𝑅𝑒𝑞,𝐵 𝐶𝐵 𝑅𝑒𝑞,𝐶 𝐶𝐶 𝑅𝑒𝑞,𝐸 𝐶𝐸
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Modello in alta frequenza del transistor
Cm
b + c
Cp ro
vp
gmvp
-
e
Rs Cm
+
+
Cp ro RC RL
Vs(s) rp vp Vo(s)
gmvp
-
-
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Metodo delle costanti di tempo
• Dal momento che non siamo interessati alla conoscenza della intera
funzione di trasferimento ma ci accontentiamo di valutare la sola frequenza
di taglio superiore fH, la teoria dei circuiti ci viene in aiuto con un metodo
approssimato, ma valido, per il calcolo di fH.
• Si tratta del metodo delle costanti di tempo in alta frequenza, o anche
detto metodo delle costanti di tempo a circuito aperto.
• Esso consiste nella valutazione della costante di tempo ti=RiCi associata alle
capacità (nel nostro circuito ce ne sono due)
• Questo calcolo va fatto considerando una capacità alla volta, sostituendo
tutte le altre con dei circuiti aperti, e valutando la resistenza equivalente
vista ai suoi capi.
• Prima di applicare questo risultato al circuito in esame, vediamo un altro
strumento molto utile: il Teorema di Miller.
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Metodo delle costanti di tempo
1 1
𝑓𝐻 ≈
2𝜋 σ𝑁
𝑖 𝑅𝑖 𝐶𝑖
K= -gmro||RL||RC 38
Calcolo di Cm1 e Cm2
• Dal momento che 𝑌1 = 𝑌(1 − 𝐾) dovrà essere 𝐶′𝜇1 = 𝐶𝜇 (1 − 𝐾)
𝑌 𝐶𝜇
• Dal momento che 𝑌2 = dovrà essere 𝐶′′𝜇2 =
(1 − 𝐾) (1−𝐾)
+ Cp+C’m C’’m
Vs(s) rp vp ro RC RL
gmvp
-
-
39
Valutazione di fH.
• Applichiamo adesso il metodo delle costanti tempo in alta frequenza.
Analizzeremo dapprima la maglia di ingresso, considerando la
capacità come un circuito C’’m aperto.
• Spegnamo il generatore di ingresso
C’’m
RS
+ Cp+C’m
rp vp ro RC RL
gmvp
-
40
Valutazione di fH.
• Le maglie sono tra di loro separate.
• La resistenza equivalente vista dalla capacità è semplicamente pari al
parallelo di RS e rp.
RS
+ Cp+C’m
rp vp ro RC RL
gmvp
-
41
Valutazione di fH.
Effetto moltiplicativo di Miller
• Si avrà quindi
𝜏1 = 𝑅𝑆 ||𝑟𝜋 𝐶𝜋 + 𝐶𝜇′ = 𝑅𝑆 ||𝑟𝜋 𝐶𝜋 + 𝐶𝜇 1 − 𝐾 = 𝑅𝑆 ||𝑟𝜋 𝐶𝜋 + 𝐶𝜇 1 + gmro||RL||RC
RS
+
rp vp Cp+C’m
-
42
Valutazione di fH.
• Valutiamo la maglia di uscita. Il generatore controllato è ovviamente
spento.
𝐶𝜇
• Si avrà 𝜏2 = 𝑟𝑜||𝑅𝐶 ||𝑅𝐿 𝐶𝜇 = 𝑟𝑜||𝑅𝐶 ||𝑅𝐿
′′
1−𝐾
RS
+ Cp+C’m
rp vp ro RC RL
C’’m
-
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Considerazioni conclusive
• L’effetto moltiplicativo di Miller suggerisce che la maglia di ingresso
domini la risposta in frequenza.
• In generale per la valutazione della fH possiamo utilizzare
l’espressione approssimata che deriva dall’applicazione del metodo
delle costanti di tempo in alta frequenza
1 1 1 1
𝑓𝐻 ≈ =
2𝜋 𝜏1 + 𝜏2 2𝜋 𝐶𝜇
𝑅𝑆 ||𝑟𝜋 𝐶𝜋 + 𝐶𝜇 1 + gmro||RL||RC + 𝑟𝑜||𝑅𝐶 ||𝑅𝐿
1−𝐾
44
Altre configurazioni
• Non studieremo la risposta in bassa frequenza delle altre
configurazioni elementari dal momento che la posizione dei tre
condensatori che separano la polarizzazione dal segnale è sempre la
stessa. Ne vedremo però qualche esempio durante la parte
esercitativa.
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Collettore comune in HF
• Prima di iniziare l’analisi del Rs Cm
circuito possiamo fare alcune
semplificazioni +
Vs Cp rp vp gmvp ro
• Spostiamo ro in parallelo
sull’emettitore -
• Ci ccorgiamo che Cm è +
collegata tra la base e la RE||RL Vo
massa -
46
Collettore comune in HF
• Iniziamo con il Rs
valutare l’impedenza
vista tra base e massa +
Cp rp vp gmvp ro
del transistor. Cm
-
• Chiamiamo Zp
l’impedenza data dal +
parallelo di rp e Cp. ro||RE||RL Vo
• Possiamo applicare la
prima regola di -
riflesisone
generalizzata
𝑍𝑖𝑛 = 𝑍𝜋 + ro||RE||RL 1 + 𝑔𝑚 𝑍𝜋 47
Elaboriamo il risultato appena ottenuto
𝑍𝑖𝑛 = 𝑍𝜋 + ro||RE||RL 1 + 𝑔𝑚 𝑍𝜋
𝑍𝑖𝑛 = 𝑍𝜋 1 + 𝑔𝑚 ro||RE||RL + RE||RL||ro
• E’ una resistenza
48
Collettore comune in HF
Rs
Cp/(1+gmR*L)
Cm
rp(1+gmR*L)
Cm Cp/(1+gmR*L) rp(1+gmR*L)
𝐶𝜋 ∗
𝜏𝐻 = 𝐶𝜇 + 𝑅 || 𝑟 1 + 𝑔 𝑅
1 + 𝑔𝑚 𝑅𝐿∗ 𝑆 𝜋 𝑚 𝐿
50
Base comune in HF
• L’analisi del circuito a Cm
base comune in HF è +
molto semplice se ci +
Cp rp vp gmvp RC RL Vo
accorgiamo che Cp è
collegata tra emettitore - -
e massa mentre Cm si
RE Rs
trova tra collettore e
Vs
massa.
51
Base comune in HF +
gmvp Cm RC RL Vo
-
-
Rs
Vp Cp rp RE 𝜏𝜇 = 𝐶𝜇 𝑅𝐶 ||𝑅𝐿
+ Vs
1
𝜏𝜋 ≈ 𝐶𝜋
𝑔𝑚 52
VCC
RB1 RC
∞ VCC=10V
VC=5kW
RS CB=1mF RL=50kW
Q1 RB=530kW
vs(t) CC=1mF RS=50W
+ RE=150W
RE RL BF=100
- VA=100V
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VCC=10V
VCC
VCC RC=5kW
RB RB=530kW
RC CC RS=10kW
CB RE=430W
RS
Q1 RL=10kW
VBE1 Q2 RL
VBE2 bF=100
vs(t)
RE VA=100V
CB=CC=1mF
Cp=20Cm=400pF
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Studio della polarizzazione: VCC
VCC
• Per calcolare IB1, criviamo una LKT RB
partendo da VCC ed includendo le due RC
giunzioni base-emettitore dei transistor:
Q1
VBE1 Q2
VBE2
RE
55
Studio della polarizzazione: VCC
VCC
• A partire da IB1, calcoliamo IC1 e IE1. RB
RC
Q1
VBE1 Q2
VBE2
RE
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Calcolo dei parametri differenziali
• A partire dalle correnti di base e collettore appena calcolate,
possiamo valutare i parametri differenziali dei due transistor.
• Per Q1 si ha:
• Per Q2 si ha:
Calcolo di Rin e Rout
Rs La resistenza ro1 si ristrova tra
+ massa ed emettitore, quindi
gm1vp1 la possiamo spostare in
vs rp1 vp1 ro1 parallelo ad RE.
-
+
gm2vp2
RE rp2 vp2 ro2 RC RL
Rin
-
Per valutare Rin possiamo
applicare la prima regola di Rout
riflessione:
58
Calcolo di Av.
Rs
+
gm1vp1
vs rp1 vp1
-
+
gm2vp2
vp2 RL*
RE*
-
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Calcolo di Av.
Rs
+
gm1vp1
vs rp1 vp1
-
+
gm2vp2
vp2 RL*
RE*
-
Sostituendo questa equazione nelle altre due
otteniamo vo e vs in funzione della sola vp1
60
Calcolo di Av.
61
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