g m Lr
C E
Lf
Dr
D1
generatore DC Cf R
Cr
Figura 1: ZVS
Figura 2: forme d’onda della corrente in Lr e della tensione ai capi di Cr in funzione del tempo
Il funzionamento del convertitore può essere diviso in quattro intervalli come è possibile notare
osservando la figura 2.
1) t0<t<t1
Cr Lr
2) t1<t<t2
Cr Lr
Io
Dopo l’istante t1, dal momento che la tensione Vc supera la Vd, il diodo D1 diventa polarizzato
direttamente. Quando iL passa per lo zero e vL raggiunge il suo picco pari a Vd+Z0I0, essendo
Z0=√(Lr/Cr). All’istante in cui vC=Vd, iL=-I0.
In t2 la tensione sul condensatore raggiunge lo zero e non inverte la sua polarità grazie alla presenza
del diodo Dr il quale inizia a condurre. Affinchè la tensione vada a zero naturalmente è necessario
che sia rispettata la disuguaglianza Z0I0>Vd. Nel caso in cui la condizione non sia rispettata
l’energia immagazzinata nel condensatore Cr verrebbe dissipata nello switch.
3) t2<t<t3
g m
C E
IGBT Lr
D1
Dr
Cr
Dopo t2, la presenza del diodo Dr, ipotizzato ideale, garantisce tensione nulla sul condensatore e
switch creando la condizione ottimale per una commutazione a tensione e corrente nulle. Una volta
applicata la tensione di gate, la corrente in Lr sale linearmente fino a diventare positiva, e quindi
condotta dallo switch.
4)t3<t<t4
g m
C E
IGBT Lr
In t3 iL raggiunge I0 e il diodo di freewheelling D1 si spegne. Dal momento che la corrente nel diodo
raggiunge lo zero con una pendenza lieve non ci sono problemi legati al recovery inverso.
L’IGBT conduce I0 finchè è mantenuto acceso dal controllo. In t4 lo switch viene spento ed inizia il
ciclo successivo. Regolando l’ampiezza dell’intervallo temporale t3-t4 si ha la possibilità di variare
l’ampiezza della tensione media sul carico.
La figura 7 riporta la configurazione utilizzata per effettuare le simulazioni finalizzate alla
determinazione dei valori di capacità e di induttanza, non che della strategia di controllo, necessarie
per poter variare la tensione media su un dato carico avendo un frequenza di prima armonica nel
range dei MHz.
Dal momento che la frequenza della prima armonica di tensione sul carico risulta simile alla
frequenza di risonanza di Lr e Cr [ωr=1/√(Lr/Cr)], risulta evidente che i parametri parassiti dei
dispositivi a semiconduttore e dei collegamenti devono essere tenuti in conto nell’effettuare il
dimensionamento.
Figura 7:
Nella presente trattazione, al fine di semplificare le simulazioni, i componenti sono stati idealizzati;
si tenga presente che i valori qui ottenuti si ottengono, nella realtà, mediante un’opportuna
composizione dei parametri parassiti con quelli dei componenti discreti.
In fase preliminare è necessario stabilire dei valori di primo tentativo di Lr e Cr tenendo presente
che:
ωr=1/√(Lr/Cr)
Z0I0>Vd essendo Z0=√(Lr/Cr).
Per stabilire la strategia di controllo si tenga presente che, come precedentemente illustrato, la
tensione di gate deve essere fornita al passaggio per lo zero della tensione generata dalla libera
oscillazione di Lr e Cr (con riferimento al circuito di figura 4) e deve essere mantenuta per un
tempo opportuno che dipende dal valor medio della tensione voluta sul carico. Il dispositivo
ottimale, tra quelli presenti nella libreria di Simuink, per pilotare l’IGBT, risulta essere il generatore
di impulsi. Come si può notare in figura 8 lo switch viene acceso all’istante in cui la tensione ai suoi
capi passa per lo zero.
Figura 8: tensione di gate; corrente in Lr; tensione sul carico; tensione sullo switch (in ordine dall’alto verso
il basso)
La figura 9 mostra lo spettro armonico della tensione sul carico fino alla massima frequenza ritenuta
significativa.
In figura 10 si esegue uno zoom alle “basse” frequenze mettendo così in evidenza come la prima
armonica di tensione si trovi alla frequenza di 40 MHz.
Figura 10: zoom dello spettro armonico della tensione sul carico