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TUTTI I DIRITTI RISERVATI

La riproduzione totale e parziale dei testi, dei disegni, delle
caratteristichegenerali e particolari del presente manuale
rigorosamenteproibita per tutti i paesi'
Copvrisht 1960 in the ITALY
';-ATCMI rllustnATA and SISTEMA PRATrco
via T. Tasso 18 IIIOLA (Ilologna)'
Atl riets reservecl.This handbook or any parts thereof may
;;; b8-;"-p;;u. itt anv form without written permission
of the publishers.
partielles
Tous droits de reproduction et de traduction, mme
rservs pour tous les PaYs.
Todos los derechosde reproduccin,traduccin y adaptacin
ieservados para todos los pase.s.-
l;";;;;;Ar-.in tambien parcial de los, textos,. grabados'
;tbr;;;'ciactnstlcas dc la presente obra' est rigurosa-
mende brohibiclo y ser perseguidopor la Ley' 0

Autorlzz, 2.846 Trlb. Bologoa

'rmola _ 1960
Coop, Tip, Galeatl
MONTUSCHI GIUSEPPE
Dlrttore Responsablle
 t
tI fl <<Manual Transistor b che si aggtunge oggi alla lunga collana di pubblica-
zioni tecrnco-d,ioulgatiue
Praticor,
ed,ite d,alle rwiste < La Tecnica lllustrata,
1rttr,a giusta ragone, considerarsi unlco al mondo nel suo genere.
e " Sistema
I
l La neeessit urgente di tutti i, tecllic, protessionisti o d,llettanti, di, po'sse-
t d,ere un gtonhtuno di, cottsulrtazione rapi.da e sreu,ra, stto a fornire qu,alstasi no-
taia rcLati.aa a tutti tipi d,i tronsi,stori, oggi prod,o'tti dall'industria mondiale,
arnptamere giustrficata dalle miglaia, d'i lettere gi,unte, in proposito, alln no-
stro redazi,one.
l.
Con parttcol4;re motitso di, orgoglio, ad opera conclusa, ri'teniamo dn essere t'
F pnim o po"ter contribuire, con successo, ad una.parte del.le-esigenze tecnt'che at-
t hnli e a colmare altres una lacuna che s trascina ormai, d,a anni,
F IL lungo e difficile lauoro di' indagini' e ri'cerche, che ha seueramente impe-
grwto Vopero dei nostrt, tecnr.c pe un peri,odo di tre anni, si stsolto attraaerso
un cammino irto di difti'col;t ed' impreuisti.
i Nom sempre presso Le industrie strani,ere d,ei pL lantani, paest si ri,usci,ti ad
L ottenere d,ati sicurt. e definitiui, per essere alcuni ti,pi di transistori, ancora'mella
tase sperimentale; pur tuttaui,a ri,teniarno che i d,ati' essenzi.ali, i,n ogni, caso, siano
cunpresi nel presente manuale e che essx possol?,o mettere iL tecnico nelle condt-
zioni d,i potemisoloere ogni problema s rli, superare ogni euentuale diffcolt rela-
: th:a ai tronsistori, ed al, Loro impiego,
II "Manual Tronsistor " co'rnprende:

31 Una parle descriftiva generale sulla tecnica e sull'impiego dei transislori,

-
ampiamente corredafa di disegni ed illustrazioni.

41 Una lunga serie di tavole figurafive in cui appaio,nodisegnati, nel loro aspet
v
to esteriore, tutti i transistori esistenti ed i loro collegamenfi.

sGquenza di tabelle recanti lufle te caraiterisfiche fecniche dei

O
il:r,|;::,:

Itrl Una serie di favole di comparazione ed equivalenza fra tutti i fipi di transi.
v
slori americrni, europei e giapponcsi, in modo da permellere al tecnico una
rapida e sicura sosiiluzione di un tipo con allro pi comunemente reperibile
sul mercafo nazionale.

AVVENTO DEL TRANSISTORE

La parola < Transistore > corre oggi sulla
bocca di molti.
Il profano che voglia vantare il suo appa-
recchio radio si limita a dire: < Il. mio un
apparecchio a transistori, e con tutta proba-
bilit ignora il significato di tale parola o, tut-
talpi, sa che il transistore un qualchecosa
ehe sostituisce le valvole nei circuiti radio.
E non solo il profano, ma anche una buona
parte di tecnici continua acl ignorare oggi I'in-
gtesso ufficiale e trionfale del transistore nel
campo della radiotecnica.
E' una questione di pregiudizi? Forse.
I\Iolti tecnici temono infatti, nell'awicinarsi
I a questo nuovo rappresentan'tedell'elettronica,
i di doversi sottoporre a chissa quali studi o pro-
ve sperimentali difficili ed oscure prima di po-
I
ter acquistare, con il transistore, quella fami-
I
, - 1 -
liarit che, in anni di studi e prove, hanno ac-
quisito, con la valvola termoionica.
Ma se pensiamo per un momento che iI tran.
sistore soltanto un insieme di tre o quattro
pezzettini di uno speciale cristallo, ai quali sono
uniti tre o quattro conduttori che costituiscono
i << terminali > del transistore stesso e lo con-
frontiamo con una valvola termoionica, cos
cornplessa nella sua struttura e cos esigente
nel suo impiego, verr da sorridere a chiunque.
Si pu dire che il transistore un'opera
della natura, mentre Ia valvola termoioniea il
frutto di una lunga serie di elucubrazionidella
della mente dell'uomo.
Ed anche questa volta la natura ci -stata
maestra di semplicit e ci ha rivolto un invito
che vale la pena di accettaree di seguire asso'
lutamente,

L.*-.-.....:--.,--.. ::-::..

L'INVENZIONEDEL TRANSISTORE
Si pu affermare, senza tema di smentita,
che I'invenzione clel transistore dovuta sola-
mente ad un caso fortuito.
Fu nell'anno 1948 che, dopo la scopertadel
germanio, fte scienziati americani: Bardeen,
Brittain e Shockley si accorsero ehe i cristalli
di germanio potevano comportarsi in modo si-
mile alle valvole amplificatrici.
Essi erano intenti a misurare la resistenza
ohmmica sulla superficie di un cristallo di ger-
manio quando si accorseroche, awicinando il
puntale positivo di un ohmmetro al. puntale ne-
gativo di un altro ohmmetro e premendo gli
GERMANIO <P> F GERMANIO (ND
Il germanio un metallo raro scoperto nel
1938. Se esso si trova allo stato perfettamente
puro un isolante, quando invece vengono ag-
giunte ad esso delle tracee di <<impurit >, co-
me possono essere delle particelle di antimonio,
arsenico, alluminio o indio, il germanio diventa
un <<semiconduttore >. Le impurit quindi lo
rendono capace di lasciar passare la corrente
elettrica. senza farlo diventare un vero condut-
tore. come i metalli: esso himane una via di
mezzo tra gli isolanti ed i conduttori, da cui
la parola < semieonduttore >.
Si era constatato per che, a seconda del
tipo di impurit aggiunta, il cristallo presentava
delle caratteristiche elettriche ben diverse. In-
fatti se aI germanio puro venivano aggiunte
delle particelle di alluminio o indio, il cristallo
assumeva conduttivit positiva. Ci significa
che se il germanio viene inserito in serie ad
un contluttore a corrente alternata, attraverso
nd es.so passano soltanto le semionde positive,
funzionando quindi come un raddrizzatore di
corrente. In virt di questo fatto appunto il cri
L ' U N I O N ED E I D U E T I P I D I G E R M A N I OE L A C O R R E N T E
Unendo tra di loro due pezzetti di germa-
nio, uno del tipo < P >>ed uno del tipo <<
si ottiene una eellula raddrizzatrice capace di
far luire la corrente in un solo senso.
Per quanto abbiamo detto a proposito dei
clue tipi di germanio, possiamoben compren-
dere ora come la corrente erogata da una pila
possa fluire attraverso questa cellula raddriz'
zatrice solo se iI morsetto positivo viene colle-
gato al germanio << P > ed il morsetto negativo
al germanio<N> (fig. 1)'
Invertendo i morsetti della pila, la corrente
incontrerebbeuna grande resistenzae non riu-
scirebbe a passare.
In questo modo riteniamo di aver interpre-
tato il fenomeno della semicontluttivitdei cri-
stalli.
- 2 -
I
I
=i
T
altri due puntali degli strumenti in due punti
della superfiee del cristallo, la corrente che
circolava tra i puntali di uno stesso strumento
I
passava ne4'altro notevolmente amplificata. !
L'amplificazionerisultava tanto pi sensibiie t
quan'uopi vicini venivano mautenuti i due )
puntali.
I tre scienziati americani si erano resi con
to che ci ehe awiene nell'alto vuoto delle
valvole, cio I'amplificazione di una corrente
elettronica, si verifica, bench in maniera assai Y
l!
diversa, anche nell'interno dei cristalli di ger- t
manro. .
stallo di germanio, recante tracce di alluminio
o indio venne chiamato <<Germanio P >.
Quando invece al cristallo puro venivano ag-
giunte particelle di antimonio o arsenico era
possibile constatars che il germanio acquistava tt
condutiivit negativa. Ci significa che se que-
sto tipo di germanio viene posto in serie ad un
conduttore a coruente alternata, attraverso ad
In
esso passano soltanto le semionde negallve. il
Riassumendo perci quanto detto dobbiamo -ti
ricorclare che: t
GERMANIO <<P >r: il germanio recanle lracce
di alluminio o indio. E' detfo germanio
< P >r perch presenta una carenza di elet.
troni liberi ed quindi a conduttivit
positiva.
GER|vIANIO <<N >r: il germanio recanie tracce
di antirnonio o arsenico. E' delto germa.
nio < N >: perch presenla un eccesso di
elettroni liberi ed quindi a condulfivif
negaliva.
ELETRICA
STRUMENINO
N >>,
I
l
I
{
 IL TRANSISTORE
Il transistore altro non ehe uua sovrap-
posizione di tre pezzetti di cristallo di germa-
nio, due dello stesso tipo ed uno di tipo oppo-
sto. Awemo in tal modo la possibilita di co-
struire due tipi diversi di transistori: il PNp
ed il NPN (fig. 2 e fig. 3).
PNP: oltenuto con uno sfraio di germanio po.
sitivo, uno strato negafivo ed uno sfralo
posilivo (fie. 2).
Fig, 2
A ciascunodei tre strati di cristallo colle-
gato un conduttore che costituisce il terminale
al quale va saldato il collegamentosecondolo
schema elettrico di impiego del transistore.
Risulta cos possibile disporre di transistori
a conduttivit positiva (PNP) e di transistori a
conduttivit negativa (l{PN), il che ci porta a
considerare un'ulteriore differenza esistente fra
valvole termoioniche e transistori.
Una valvola infatti non pu risultare che a
conduttivit negativa; infatti gli elettroni ven.
gono sempre emessi dal catodo e attirati dalla
I TERMINALI DI UN TRANSISTORE
Le valvole termoioniche sono dotate di pie.
dini ai quali sono collegati, internamente alla
valvola, i vari elettrodi (plaeca, catodo, griglia,
ecc.). Qualdo ci troviamo alle prese con ilia
valvoia sconosciuta,di cui non conosciamola
disposizione degli elettrodi rispetto ai piedini
dello zoecolo,facciamo ricorso ai prontuari per
valvole. Dal prontuario possiamosapere a quale
piedino corrisponde la placca, a quale la gfi-
glia, ecc.
La stessa cosa avviene anche per i transi.
stori, ma in maniera assai pi semplice. In.
tanto, per essere i transistori sprowisti di fi-
lamento, le cose sono molto pi semplificate
in quanto vengono gi a mancare due condutto.
ri. Nella maggioranzadei casi i transistori sono
I dotati di soli tre terminali (esistono peraltro,
- 3 -
. . -:...,^.t ..
placca e per tale ragione alla placca viene sem-
pre applicata tensione positiva, mentre sul col-
lettore del transistore (che considereremoquale
placea) saremo in presenzadi conduttivit ro-
sitiva o negativa a seconda della disposizioe
degli strati dei cristalli N e p.
NPN: otlenufo con uno slralo di germanione.
gafivo, uno slrato positivo ed uno strafo
negativo,(fiC'.3).
Se il transislore risulta NpN (conduttivit
negativa)il collegamentoawerr come nel caso
di una valvola e precisamente:
- emittore aI negativo della pila; collettore
al positivo della pila stessa (fig. I a destra).
Se il transistore risulta PNp (conduttivit
positiva)il collegamentorisulter inverso e cio:
- emiftore inserito al positivo della pila;
colettore al negativo della stessa (fig. I a
sinistra).
Il funzionamento di un transistore PNP e
di un transistore NPN risulta identico.
come vedremo in seguito, transistori speciali
provvisti di quattro terminali).
I tre terminali prendono il nome di:
- Elyt-i-TTORE(paragonabile al catodo della
valvola).
- BASE (paragonabile alla griglia della val-
vola).
- COLLETTORE(paragonabilealla placea del-
I
la valvola - vedi fig 4).
L'Emitiore cos chiamato perch svolge
il compito di < emettere > le cariche elettri-
che che poi vanno a formare la corrente di
base e quella di collettore.
L'emittore quindi pu essereconsidertto co.
me un distributore di corrente. un elemento
cio comune aI funzionamento degli altri due.
 I

Esso paragonabile al catodo della valvola

termoionica che emette elettroni.
COLLETTORE
r"
ll collettorc cos chiamato perch rac-
ooglie la corrente amplificata del transistore e
potrebbe essere paragonato alla placca della
valvola, sia che ad essosi applichi tensione po- EMTTTOSE
sitiva (Tipo NPN) che tensione negativa (Ti-
po PNF).
La base. che costituisce I'elemenito interme-
dio del transistore, cos chiamata perch su
di essa basato il funzionamento del transisto-
re; infatti la corrente amplificata nel colletto- GRIGLIA
re dipende esclusivamente dalla corrente di
base.
Essa pu venire paragonataalla griglia della
valvola termoionica, Fis. 4

COME RICONOSCERE I TERMINALI

E (emittore)- B (Base)' C (collettore)

Se non si conoseeun sistemadi classificazio- da quella presa in considerazione, pe,r cui rite-
ne a vista per la determinazionedella catego- nemmo opportuno e utile riportare le zoccola-
ria NPN o PNp, esiste per un metodo pratico ture. al fine di facilitare al Lettore il ricono'
che ci permette la facile individuazionedei tre scimento dei terminali (fig. 5).
terminali E, B, C.
Suli'involucro esterno di ogni transistore
appare un puntino colorato, corriE)ondentemen-
te al quale viene a trovarsi il collettore,per cui
- considerato come al centro dei tre risulti
sempre la base - I'opposto al colleftore risul-
ter I'emittore (fig. 5).
Ncl caso sull'involucro non esistessetraccia
del puntino colorato di riferimento, terremo
presente come - cousiderandoin ogni caso il
terminale centrale quale base - il pi distante
da quest'ultimo risulti iI colleltore ed evidente- I
mente il pi vicino sia I'emilfore.
Transistori di tipo speciale e di potenza di I
t
BF, presentanodisposizionedi terminali diversa Fig. 5 '

TIPo PNP oaI

COME DISTINGUERE PRATICAMENTE UN TRANSISTORE TIPO J{PN i
I
-i'
Ogni transistore porta impresso nel suo in- SE lL TRANSISTOREE' DEL TIPO PNP: col- I
I
volucro esterno una sigla caratteristica. Me' legando il puntale positivo dell'ohmmetro
diante questa sigla, facendo uso delle tabelle alla base del transistore e il purtale nega- I
{
incluse nel nostro manuale, possibile cono- tivo prima in uno e poi nell'altro terminale
scere se il transistore del tipo PNP o NPN. del transistore. si dovr misurare una bassa
Nel caso, tuttavia, che la sigla non fosse resistenza(fig. 6).
leggibile, oppure non _si abbia sottomanoil n0- Se invece si collega il puntale negativo
stio manual, si potr ricorrere ad un metodo del'hommetro alla base ed il puntale Xrosi-
empirico, assi semplice,per stabilire il tipo di tivo agli altri due terminali si dovr leggere +
transistore in esame. sullo strumento una resistenzaelevala. i
Il procedimento illustrato a figg. 6 e 7.
L'ohmmetro chLr si deve usare dovr avere SE lL TRANSITOREE' DEL TIPO NPN: eol-
una pila possibilmente da 1,5 volt, in quanto un legando il puntale positivo dello strumento
voltaggio superiore potrebbe comprom-ettereper alla base del transistore ed il puntale ne-
sempi il buon rendimento del transistore. gativo prima in uno e poi nell'altro trmi-
Questo genere di controllo consiste nel mi- --:.
j
surare la iesistenza esistente tra la base del nale del transistore, si dovr leggere sullo ' r l
j

transistore e gli altri due terminali. strumento una resislenza elevala Gig. 7).
I
t
-1 -

J
' l
I

8-c BAssA
RrstsTIN
AZ E - 8 s A S s AR [ : t s e
TN ZA
Fig.

NPN

B - C A L T AR T S I S T E N Z A . E - B A L T AR [ s t s T r N Z A
Fig. 7

- 5 -
 I

i
Se invece si collega il puntale negativo del- transistore del tipo PNP; se invece la freccia
lo strumento alla base ed il puntale positi- rivolta verso l'esterno,cio oppostaalla base,si
vo agli altri due terminali del transistore tratta di un transistore del tipo NPN (fig. 8).
si dovr leggere sullo strumento una bassa re-
sistenza.
Negli scherni elettrici la distinzione fra i
transistori di tipo PNP e NPN molto sem-
plice. Il simbolo elettrico del transistore co- @_e
stituitc da un piccolo disco dentro il quale ap-
paiono tre trattini. Il trattino pi grosso sta
ad indicare la base, il trattino semplice indica
I'emittore ed il trattino recante la freccia in- NPN
dica il collettore. Se la freccia di questo terzo .PNP
trattino rivolta verso la base si tratta di un Fig. 8

COME SI PROVANO I TRANSISORI

Come per le valvole esiste uno strumento
chiamato provavalvole capace di segnalare Io
stato di.efficienza della valvola esaminata,cos
ancheper i transistori esisteuno strumento ana-
logo capa.cedi segnalarelo stato di efficienza
di un transistore. Se questo strumento non
esistesseancora sul mercato nazionale all'atto
della pubblicazionedel presente manuale, con-
sigliamo il Lettore di ricorrere al N, 1, anno
1960, detla rivista < Sistema Pratico >>.In que-
s,to numero della rivista viene ampiamente il-
lustrato questo tipo di strumento sotto il nome
di <<Transistometro-Diodometro > ed il Lettore,
segrrendol'articolo illustrativo ed i relativi sche-
mi riportati molto chiaramente, sar in grado
di potersi autocostruireIo strumento.

IMPIEGO DE! TRANSISTORI NEI CIRCUITI

Il Lettore, giunto a questopunto, si sar chie-

sto per quale motivo esistono questi due tipi
di transistori, quando si deve usare I'uno e
quando I'altro e quali differenze esistono
tra i due.
Per tali domande non esiste una risposta
tecnica.
La differenze fra i dne tipi comporta sola-
mente un diverso collegamentodella pila nei
circuiti in modo da far giungere la tensionepo
sitiva al colettore se iI transistore del tipo

Fig. l0 1J
ii

NPN e tensionq negativa se il transistore del j

tipo PNP. L'impicgo clel transistore nei eircuiti I

radio risulta molto semplice.In fig. 9 rappre-

sentatc lo schema di impiego del transistore
tipo PNP, mentre in fig. 10 rappresentato
quello del tipo NPN.
Come si osservain entrambe le figure.il se-
gnale da arnplifieare vifne applicato alla'base
del transistore ed esce amplificato dal collet-
Fis. 9 tore.

- 6 -
 ilIORME DA OSSERVARE NELL'IMPIEGO DEI TRANSISTORI

Nel caso si applichi ad un transitore po- dine di 100" centigradi, useremo l'acco,rtezzadi
larit diversa dalla richiesta. il medesimo facil- applicarli su basette metalliche, al fine di con-
mente andr fuori uso, per cui effettueremo con sentire ed anzi favorire la dispersione del ca-
attenzione e cognizione di causa i collegamenti lore.
dcll'emittore e collettore del transistore ai ter-
minali della pila.
I transistori vengono danneggiati se inve-
stiti da calore eccessivor cos. nel caso dob-
biate procedere alla saidatura dei terminali,
eviterete di ridurre gli stessi in lunghezza -
cio non li accorcerete come visibile a fig. 11 -
o, nel caso I'accorciamento si rendesse necessa-
rio, opererete in maniera tale che il saldatore
non abbia a permanere a lungo a contatto del
terminale (fig. 12); un sistema razionale da usa-
re nel corso di saldatnra dei terminali sar
quello di stringere i terminali stessi fra i bec-
chi di una pinza, s che il calore venga assor-
bito e disperso dai becchi della pnza medesi-
ma (fig. 13).
Nel corso di funzionamento, il transistore
\ra soggetto a riscaldarsi, raggiungendo anche
i 40-50" centigracli. Terremo presente al pro-
posito come pi il transistore si riscalda, ,mi-
'sar
ore risulti il suo rendimento, per cui
nostra cura non affogarlo fra gli altri com-
ponenti il complesso, bens sistemarlo in ma-
niera che I'aria ne lambisca I'involucro.
Nel caso speclfico di transistori di potenza,
che a volte raggiungono temperatttre dell'or'

T R A N S I S T O RA
E PUNTE
Il transistore a punte appartiene ormai alla piu sensjhile. Pcrci Ie due punt-e metalliche
storia. Esso stato superato ormai dalla tecnica venncro in scguito soslituite con due plastrlne
e costiuisce soltanto un ricordo dei primi tran- di germanio P ecl N rispettivamente'
sistori costruiti subito clopo la scoperta della
serniconduttivit del germanio. Il transistore
a punte . stato il primo transistore costruito
e messo in ccmmercio. Era costituito da un
pezzetto di germanio sul quale poggiavano due
punte di tungsteno (fig. 14);il pezzetto di germa-
nio corrispondeva alla base del moderno transi-
store, mentre le due punte metalliche funziona-
vano rispettivamente da emittore e collettore.
L'amplificazione con tale transistore era assai
bassa ed il transistore stesso si presentava fragile
ed instabile. Questi fatti conclussero i fisici
allo studio di un transistore pi compatto e
 TRANSISTORE
A GIUNZIONE

Abbiamo visto precedentementecome sta: separazione di eariehe positive e negative che

to possibile ottenere due tipi diversi di cri"
stalli di germanio: il tipo P quando al ger-
manio venivano associatetracce ,di alluminio
o indio ed il tipo N quando le impurit ag-
giunte erano antimonio od arsenico.
Le impurit di alluminio o indio aggiunte
al germanio hanno la facolt di captare elet-
troni dal germanio che, risultandone in tal mo-
do impoverito, acquista teoricamente una carica
positiva.
Le impurit di arsenico e antimonio ag-
giunte al germanio hanno la facolt di cedere
al cristallo puro degli elettroni, conferendogli
in tal modo teoricamente una carica negativa.
Non si pensi assolutamenteche i due tipi
di germanio costituiscano singolarmente due
cariche elettriche, altrimenti sarebbe possibile
con essi costruire nna pila.
La verit che I'aggiunta di impurit al cri-
stallo provoca solamente,in seno ad esso,una
sommate tra di loro si neutralizzano.
Il transistore a giunzione costituito da
due blocchetti di germanio della stessa qua-
lit con interposto un altro blocchetto di qua-
lit opposta. I tre blocchetti sono uniti tra di
loro mediante un procedimento chimico.
. La piastrina di germanio posta al centro
costituisce la base di questo transistore. Con
questo procedimento quando la piastrina inter-
posta del tipo" N ed i due cristalli laterali
sono del tipo P si ha un transistore a giun-
zione del tipo PNP (fig. 2 pag. 3).
Quando invece la piastrina interposta del
tlpo P ed i due cristalli laterali sono del tipo N
si ha un transistore a giunzione del tipo NPN
(fig. e pag. 3).
!
Questi transistori appartengono al tipo pi
diffuso ed utilizzato e trovano largo impiego sia
nei circuiti di bassa frequenza che in quelli
di media frequenza.

TRANSISTOR.E A BASE SOTTILE

(surface barrier)

I transistori a giunzione ora descritti, pur diante processo elettrochimico e sufficienti a

essendomalto pi stabili e pi robusti dei tran- ricevere le connessionidi un terminale.
sistori a punte, presentano un piccolo incon- In questo modo i due strati che costitui-
veniente e cio la loro frequenzalimite molto scono I'emittore ed il collettore, risultando di
bassa; ci significa che un transistore a giun- dimensioni molto ridotte, riducono di molto la I.
zione non pu funzionare in circuiti ad alta capaeitdel transistore, il quale riesce ad am- I
frequenza perch non riesee acl amplificare se- plificare segnali ad alta frequenza sia nelle
gnali di frequenza elevata. onde corte come nelle cortissime. t
Assottigliando la base succede per che i
due strati che costituiscono l'emittore ed il
collettore, awieinandosi considerevolmente,si
comportano come Cue placche di un conden-
satore. Una capacit troppo elevata tra emit-
tore e collettore riduce di molto il potere am-
plificatore del transistore alle frequenze ele-
vate. Per diminuire questa capacit,molto dan-
nosa per le alte frequenze, oltre che ridurre
lo srtrlessore
della base, necessario diminuire I
le dimensioni degli strati che costituiscono'l'e-
mittore ed il collettore.
Un transistore a base sottile costituito
quindi, come si vede in fig. 15, da uno strato, D

che costituiscela base, assottigliatoal eentro,

e sopra il quale si trovano due depositi molto Fig. 15
ridotti di germanio del tipo P ed N, che costi-
tuiscono I'emittore ed il collettore. uniti me-

- 8 -

I ,
J
rY IRANSISTORE A STRATO AGGTUNTO(drifr)

. E' stato detto precedentemente che con: il glto qon le lettere S, M o I (strato aggiunto o
transrstore a base sottile si riesee ad amplifi_ massa).
{ eare.segnali.a freqgenzeelevate in quantoGso
possrecfe In questo tipo di transistori pertanto com_
rl .tutte quelle caratteristiche-necessarie pare. u! quarto terminale. La successionedei
p-er lunzronare da amplificatore di segnali ad ternrinali quasi
alta frequenza. sempre: E-B-S-C-
qqesto -. I transistori a stratb aggiunto possono
-l; am.
$oqhe transistore presenta un incon- plificare_
t, veniente. Infatti disponendo i u" tiii niito quenzg fa.eilmente, a senda df il"-
delt'ordine di 60, 100, 400 MIIz. uesti
l sottrle non Io si pu far lavorare con tensioni tl1l1*!oTi
supenort Z0 volt. pertanto, qualora si vo-
iori- ai 20.volt.
glia usufruire di tensioni supriri i zO-vtt vo
rransts[orl pertanto vengono
amplifieatori .pertanto-
-come
vengon impiegati come

t cio vo,lendo
cio, vo'lendo lavorare
lavorare con ?orii
iorti teroioii
ten.sio"i
collettore (superiori ai B0 volt), il;-;;
-*,
'iii
;o_
televisione.
I
per l,alta frquenza e"omeicit-
taton nei circuiti radio FM ed

transistori
ed in quelli
ouelli ner
per

sfrurre un transistore speciale, un transistore s.ercsia del-tlno a strato aggiunto possono es-
c.he, pur disponendo di una base mii-lt- eWe ffig. 16I che del tipo NpN
(trg. 17).
trle. non presenti una elevatacapacitatra emit_ PNSP e Nel primo caso il transistoie sar
tore e collettore. Partendo da u-n transistore a nel seondocaso fSll.
giunzio_ne in_terpostotra la ptaca i-Use _O.-ccorre far presente per che i transistori
_si- < clnft > vengono scmpre e solamente indicati
e queila clel collettore uno strato neutro, in con PNP e NPN, tralsciandoIa lettera S.
mo-doda allontanare tra di loro U fiJriA'if
collettore. . In molti schemi americani lo strato agsiunto
viene indicato con la lettera t e pertito si
Questo_,stratoaggiunto non altro ehe un possono
pezzetto di.germalio puro (fig. 16) collesato _trovare. sigle del tipo pNfp o NpIN;
cr rrcorderemo
ad un terminale che nirmah-nte iiene-p-oiro rero alle presein tal modo, quando ci trove-
a massa.In molti casi questo strato viene-indi_ sono del con tali transistori, che essi
tipo << Drift > o << Strato ggiunto>.

8 S 8 S

TRANSISTOREETRODO A GIUNZIONE
Nella parte deserittiva generale abbiamo valvole con un maggior
considerato il tra'sistore. analogamente ad una r[r]o, t-e.iioa,pentodo, numero di elettrodi
valvola triodo. Per risaput come esistano ecc.).
Cosi anctr'per i transistori si costruito

-q
PLACCA

GRIGLIAE
GRIGLIAl

CATODO

- 9 -
 I
I
un tipo a giunzione munito, di un quarto elet' Anche qtlesto tt'ansistore, come i tipi pre'
trodo. Questo quarto elettrodo pu essere pa- ceCenti, pu essei'e del tipo PNP o NPN.
ragonato alla griglia schermo della valvola ter'
moionica (fig. 18) e, come questa, esso riceve
unicamenteuna tensione di polarizzazionefissa
e non svolge alcuna azione di comando.
Con tale accorgimentosi ottiene in defini-
tiva una riduzione della resistenza di base e
della capacit tra emittore e collettore,-confe-
renclo al transistore quelle caratteristiche tali
da poterlo far fu:rzionare come amplificatore
ner le alte frequenze.
-
I transistori tctrodi dispongono di quattro
elettrodi denominati E-81-C-82(fig. 19). La ba-
se 2 (82) costitni'sceil quarto elettrodo che ri
ceve la polarizzezionefissa e che corlisponde-
rebbe all griglia schermo di una valvola elet-
tronica. Fie.19
I transistori tetrodi servono come arnplifi nl
catori di alta e media frequenza,per onde me'
die e corte.

T R A N S I S T O RAI D O P P I AB A S E
(unigiunzione)

In molti tipi di circuiti, nele calcolatrici

elettror:iehe,negli interruttori a tempo, in rel
elettronici. necessario uno speciale transi-
store, costituito sclamente da due strati PN
o NP. Gli elettro<ii di questo speciale transi-
store sono sempl'c tre. In luogo di emittore-
base-collettore,com' per i normali transistori,
troviamo come tel'minali un emittore, una ba'
se 1 ed una base 2
Per una migtiore comprensioneprendiamo
il transistore tetrodo di fig. 19 e togliamo ad
sso lcr strato che costituisce il collettore: il
rlsultato sar quello di ottenere un transistore
unigiunzione (fig. 20).

FOTOTRANSISTORE

Un'altra propriet interessantedel germanio Ccme si vede I'influenzadella luce ha una

quella di esseresensibilealla luce. I fototran-
sistori si comportanoin modo diverso dalle cel-
lule fotoelettriche.Infatti, mentre le cellule fo-
toelettriche quando vengono colpitg dalla luce
eroganocorrente, il fototransistore,colpito dalla
Iuce, fa variare solamentela sua resistenzain-
terna che diminuisce.
In altre parole iI fototransistore si com'
oorta come una resistenza di valor.'eelevato
h", u" colpita dalll luce, diminulsce di valore
lasciandosi attraversare facilmente dalla cor-
rente.
granCe importanza per i transistori e questo
pure il motivo per cui essi vengonocostruiti
con una protezione metallica, oppure ricoperti
da una speciale vcrnice nera che li protegga
dalla luee.
Nei fototransistori invece, pure essenilori-
coperti da una spr:cialevernice nera, viene la-
sciata srcopertauna piccola parte che co$itui-
sce la << finestra'> Ccstinata a ricevere le va-
riazioni di luce.

-10-
I I
Fig. Fig.
2l 22

PNP NPN PNP

1
B zF i s , B2 F i g . Fis.
24 25 26
;
I
NPN PNP PNP
t

Rappresentazioni simbolche l\\

\
I;
dei ?R,4NSISTORI B
Fis'
27

i
usate negli schem radioelettrc
PNP

- 2l - Rappresentazionesimbolica del transistore a giunzioneo a punte tipo PNP. Nella figura

Fig.
si n-otacome, per il tipo PNP, il trattino indicante I'emitiore porti, alla sua estremit
una freccia rivolta verso la base.
- 22 - Rappresentazionesimbolica del trasistore a giunzioneo a punte tipo NPN. Nella ffgura
Fig.
si n-otacome,per il tipo NPN, il trattino indicanteI'emiflore porti, alla sua estremit,una
freccia diretta verso I'esterno.
Fig. 23 - Rappresentazione simbolica del transistore a sfraio aggiunlo. In figura si nota il quarto
cogamento,indicato con la lettera S; in molti schemi questo collegamentoviene tal-
I volta volontariamente omesso(molte volte la lettera S sostituita con la lettera I). I1
a tipo rappresentato il PNP, come si vede dalla freccia posta nel trattino dell'emittore
.; e rivolta verso la base.
- 24 - Rapprewrtazione simbolica del transistoreletrodo. Con 81 si indica la base di controllo
Fig.
.? mentre con 82 si indica la base d polarizzazione. Il transistore tetrodo si pu distin-
guere pure con la sua sigla che quasi sempreprecedutadal numero 3 (esempio:3N23A
aNZS - 3N30, ecc.). In figura rappresentatoil tipo NPN come si pu facilm,elte no-
tare dalla frccia posta nel trattino dell'emittore e rivol,ta verso I'esterno del dischetto
nero.
{ - 25 - Rappresentazionesimbolica del transistore lefrodo che si differenzia da quella tappre-
Fig,
prsentatain figura 24 soltanto per il tipo che PNP come del resto si pu,facilmente

I'
, -
I
t
notare dalla frccia indicatrice posta nel trattino dell'em.iftore che rivolta verso la
base.
- 2 - Rappresentazionesimbolica del transistore< a doppiabase>>o <<
Fig. unigiunzione_>. In questo
tipo- di transistore manca il collettore ed i tre elettrodi sono costituiti dall'emittore e
I
i
da due basi.
t Fig.27
- - Rappresentazionesimbolica del fototransistore.La rappresentazione ar?aloga3 Suetl-q
de[ iransistore a giunzione;l'unica differenza, come si nota in figura, I'aggiunta di
una o pi frecce nella paite esterna e dirette verso il cerchietto nero:_queste frecce
stanno ad indicare il fascio di raggi luminosi che vanno ad eccitare il fototransistore.

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 GUIDA ALLA LETTURA DELLE TABELLE RELATIVE ALLE CARATTERISTIC}IE
DEI TRANSISTORI

Le tabelle relative alle caratteristiche dei Appl.

- Elettr. Transistore adatto per bassa fre'
transistori sono divtse in dodici colonne. quenza,ma costruito specificatamenteper le
calcolatriei elettroniche.
l" Colonna
Appl. Varie. Transistore adatto per bassa fre-
Nella prima colonna sono eleucate' i4 or- quenza ehe pu servire per diversi scoai;
dine numrieo ed alfabetieo,le sigle di identi' ad esempio come oscillatore di BF, AF'.MF
ficazione di tutti i transistori. a secondadella sua frequenza limite di la-
voro.
?" Colonna
MlX. Transistore da utilizzate come miscela'
Nella secondacolonna indicato il tipo di tore nello stadio convertitore di una sup+
transisto,re (PNP - NPN). La conoscenzadi tlue- reterodina; questo transistore funziona an'
sto elemento fondamentale agli effetti del che ottimamnte come amplificatore di AF.
colljegamentodelle polarit dell'alimentatore.
per AF costruito per essere
Praticamente nel tipo PNP il coilettore va MF. Transistore
polo negativo della pila e I'emit- impiegato qual amplificatore di media fre-
collegato al qunr in n circuito supereterodina.
tore al positivo; nel tipo NPN invece il collet-
tore va collegato al polo positivo e I'emittore COMM. Transistore adatto per calcolatrici elet-
al polo negativo. troniche che pu servire in molti casi come
amplificatore di BF ecl oscillatore di BF-
3' Colonna
BF al silicone. Transistore adatto per BF e
Nella terza colonna indicata la destina' norrnalmente usato come transistore di po-
zione di impiego del transistore. Viene indi tenza. Questo tipo di transistore anzich
cato cio se il transistore adatto per l'alta al germanio costruito al silicio. Ha il van'
frequenza oppure per la media o per la bassa taggio di poter sopportare temperature su'
frequenza, oppure se destinato ad usi speciali. periori anche ai 1000 C.
Le abbreviazioniindicate sono le seguenti:
FOTOTRANSISTORE.E' un transistore sensi
AF. Transistore adatto a funzionare in eircuiti bile alla luce. Viene utilizzato in luogo di
atl alta freqttenza, come anrplifieatore ed cellule fotoelettriche.
oscillatore. VHF. Transistore adatto come amplifieatore ed
oscillatore per freqtlenze utr,tragorte {nor-
OX . OSC. Transistcre adatto ad essereimpie- malmente impiegato nei ricevitori TV ed
gato com oscillatore in alta frequenza; pu FM).
anche peraltro funzionare quale amplifica'
tore in alta frequenza. Oscill. Sincr. TV. Transistore molto utilizzato
nei circuiti di sincronismoTV'
BF. Transistore praticamente ttsato per tutti Eleftr. AV. Tlansistore utilizzato nelle
quei montaggi tlove occorra amplificare una Calc. calcolatrici elettroniche. Pu essere anche
tensione a basse frequenza. utlizzato nei circuiti a bassa frequenza.
BF-preannplif.Transistore da usare in preva' Confatore AV - Transistore costruito per cal'
lenza come prearlplificatore di bassa fre- colatrici elettroniche che pu anehe essere
quenza in quanto dotato di basso nrmore usato in BF.
di fondo. Comm. Conf. HV. Transistore per calcolatrici
elettroniche.
BF finale. Transitoreper circuiti a bassa fre-
quenzadi meilie potenzada rrsarecome am- 4' Colonna (tensionemassima al collettore).
plificatore finale singolo od in circuiti in In questa colonna viene indicato il valore
controfase (push-pull). massim della tensione che si pu applicare
al collettore. Esso costituisce il valore della
BF.potenza. Transrslore di BF cspace di ero' tnsione di punta mentre in normali eondizioni
gare una elevata potenza di uscita e da di lavoro la-tensione da applicars al eollettore
dow superare la met del valore da noi
impiegare quale amplificatore ffnale sin- non in questa colonna.
golo od in circuiti in controfase (push-pull). indicato
5" Colonna (eorrente massimaal collettore)-
BF-militare. Transistore di bassafrequenza im- Nella qriinta colonna indicato il valore
picgato dalle fcrze armate. massimo dila corrente di collettore; anche in
 questo caso occorre dire che in normal condi_ esprimono in mIV la potenza d'uscita. in bassa
zioni di lavoro la corrente di co,llettore norado- frequenza, di un transisto.re. Con qiesti dati
vr superare la met del valore indicato in ci si pu rendere conto se un transistore do-
questa colonna. tato di potenza sufficiente a pilotare un altro
" Colonna (dissipazionein milliwatt del col_ transistore o a far funzionare- un altoparlante.
lettore). In molti casi essendotroppo picco,la l misura
Tutti i numeri indicati in questa fatta in milliwatt si - preferito esprimere
- colonna
indican,o in milliwatt il valore della potenza la potenza in watt. Cos ad esempio -watttiovando
dissipata in calore dal collettore. Nei ^.asi-iile-
in
scrittg bW si deve intendere b e non
cui la potenza dissipata assume valore 5 milliwatt.
vante, accanto al numero riportata la let_
tera W' che sta ad indicare la rnisura in watt, ll' Colonna (connessionidel transistore)
Le potenze indicate si riferiscono ad una Normalmente si crede che le connessioni
temperatura ambiente di 2b" e ad una appl_ dei transistori siano tutte disposte nello stesso
cazione corretta dei transistori. euesti.'' se ordine lr-B-C- (emittore-base-collettore). Le con-
sprovvisti di aleite di raffreddament, dovran_ nessioni di molti transistori sono disposte in-
no essere applicati sopra piastre di raffredda_ vece in modo diverso tanto da potel creare
mento e, in ogni caso, sia le alette che le pia- co-nfusionenon solo al principianfe ma anche
all'esperto.
stre non dovranno mai superare i 80..
Il numero indicato in questa colonna cor-
Sono esclusi cla questi accotgimenti i tran- risponde
allo zoccolo figurato nelle tabelle.
sistori al silicio che possono funzionare a tem_ In certi casi per si leggeranno due nu-
perature anche superiori ai 100o. meri affiancati. Questi due numeri si riferi-
7" Colonna.(Frequenzalimite di lavoro in MIIz). scono a due transistori, con relative connes-
In questa colonna espressala frequenza sioni, disegnati uno di fianco all'altro nelle
massima di lavoro alla quale si pu fai fun- tabelle, i quali, pur avendo la stessa sigla di
zionare il transistore per ottener da esso,il riconoscimentoe pur presentandole stesseca-
massimo rendimento. euesto elemento molto ratteristiche, sono costruiti da case diverse e
importante ai fini di impiego del transistore presentano quindi una conformazione esteriore
specialmenteper i tipi ad tta frequenza. In diversa, un involucro, cio, di forma non stan-
Dassa rrequenza questo dato acquista impor. dardizzata.
-amplificaiori
ta-nzape-r_la _progettazionedegli In molti casi in questa colonna stato o
ad alta fedelt. messo il numero di conispondenza con le ta-
vole. Ci dovuto al fatto-che le case costrut-
8" Colonna (coefficente di amplificazione). trici non ci hanno inviato il disegno. Tuttavia
_ In questa colonna indicat il coeffiente il Lettore, avendo sottomano il tiansistore di
di amplificazione dei transistori. Tale dato cui vuol conoscerele connessioni.
molto im.portante ai fini delle progettazioni de- tavole figurative, potr essere dicuro scorrendole
gli amplificatori di bassafreqenla per sapre vare la flgura di tro.
del suo transistore, e le ref,a-
se un transistore amplifica pi di un altro-. tive connessioni. Nelle tavole figurative infatti
9" Colonna (guadagnoin decibel). sono 4isegnati tutti indistintamente i transi-
I numeri indicati in questa colonna espri- stori di produzione mondiale.
mono in decibel il rapporto tra la tensioae el l2n Colonna (casa costruttrice),
segnale. di bas,safrequenza alla sua uscita e In questa colonna sono indicate le sigte
la tensrone del segnale di alta frequenza alla corrispondenti alla casa costruttrice del trn-
sua entrata. sistore.
Nel caso di fonorivelatori, per tensione di Ques,to- dato, che a tutta prima potrebbe
entrata-s'intende quella a bassafrequenza fnr semDraredi relativa importanza,costituiscein-
nita dal fonorivelatore stesso. euest rapporto vece un motivo, di grande interesse, Volendo
prende il nome di guadagno dell'apparecchi infatti possedereun determinato tipo di tran-
radlo. sistore, di cui l'abituale fornitore 3ia sprwi_
sto, oppure dovendo sostituire un traniistore
10" Colonna (potenza d'uscita in milliwatt). con uno identico, conoscendoI'indirizzo della
Tutti i numeri indicati in questa colonna casa costruttrice, lo si po,trsempre richiedere.

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2Nt5 npn I

npn AF-MF 20 10 0,8 6 Western Elec.

2Nt6
2Nt7 npn ox. Mtx 20 10 2 6 Western Elec.

2NI8F pnp Finalc BF 30 800 15W 0,4 40 26

2[lr18FA pnp Finale BF 30 800 1500 0,4 40 32 90

2NI9F pfip Preampl. BF 20 35 50 0,4 40 35

pnp Appl. Elettr. 20 20 0,4 Western Elec.
2N2l
pnp BF 20 10 4,4 1ry'sslsln Elec.
2N21A
pnlp Commutazionc 100 20 L20 4,4 Western Elec.
2N22
pnp Commulazionc 50 40 80 0,4 Western Elec.
2N23
pnp BF 30 25 12,O 0,4 Western Elec.
2f.{24
'Western Elec.
2Ni25 pnp BF 50 30 200 0,4
pnp Commufazionc 30 40 90 a,4 Western Elec.
2N26
2N27 npn BF 35 100 50 1 77 Western Elec.

npn BF 30 100 50 0,5 7L Western Elec.

2N28
2N29 npn BF 35 30 50 1 7l Western EIec.

2N30 pnP BF 30 n 100 2 L7 e""""1 El".tti.

2N31 pnp Ox 30 , 100 2 General Electric

pnp Appl. Elettr. 40 I 50 , 7 2t ICA
2N32
q 4 RCA
2l-{324 pnp Appl. Eletfr. 40 8 50 2l

pnp B,I 7 30 50 22 R,CA

2N33 Ox
p{rp BF 40 50 50 0, 40 40 10 6 GE-RCA-SYlv.
2N34
pnp BF 25 I 50 0,6 40 Transit.-RCA
2N344
MF 40 50 50 0 , t 40 40 10 6 RCA - Sylvania
2N35 npn
pnp 20 8 50 O,B 40 40 7t CBS - T?ans.
2N36 BF
B 50 0,6 3 6 36 'n CBS - Trans.
2N37 pnp BF 20
2N38 pnp BF 20 B 50 0,5 32 32 a1 CBS - Trans,

2l.l38A pnp BF 20 B 50 0,8 34 34 7r CBS - Trans.

pnP BF 30 50 1 39 Fretco - GE
2ht39
'r Fretco - GE
2N40 pnp Appl. Varie 30 50 3B

2N4t pnp tsF 25 15 50 0,7 40 A

72 Transitron-RCA

pnp BF 30 v+o 1 , 3 33 L4 GE - Transitron

2N'[3

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4A t4 GT.-GE-USA
2!S44 BF Militarc
GE-cT-Thom.
2hr44A
GE-cT-Thom.
2N45
GE-GT-Thom.
2N42
Gec - Frecto
2N46
RCA
2N47
Philco
2r{48
Philco
?N49
Philco
2N50
Clevite - Trans.
?hl5t
Clevite - Trans.
2il{52
Cievite - Trans.
2r{53
Cievite - rans.
2r{54
IMestinghouse
2N55
Westinghouse
2N56
Westinghouse
2N57
Wes,tinghouse
2tI59
Westinghouse
2N59A
Wes,tinghouse
2N598
Westinghouse
2N59C
Westinghouse
2NO 'Westinghouse
2NOA
lVestinghorise
2NOB
\{estinghouse
2NOC
Westinghouse
2NI
Westinghouse
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Westinghouse
2NIB
Westinghouse
2NIC
Westinghouse
2N62 App!ie. varie
Phileo
2N63
Rayth. - Ftetco
2N/.
Fretco -
2N65
Fretco - GT
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2N67 pnp EF Pofenza 25 1500 2W 0,4 23 7L Sylvania - WE

2N68 pnp BF Poienza 25 1500 2W 0,4 23 23 750 32 Sylvania - WE

2N9 Pnp BM-MF 20 10 0,4 Western Electrie

2N7l pnp BF Potenza 50 250 1W 0,2 9E 25 400 Westinghouse

2N72 pnp Applie. Elettr. 40 20 50 2,5 RCA,

2N73 pnp ommufazione 50 200 0,1 Westinghouse

2N74 pnp Commutazione 50 200 0,1 Westinghouse

2N75 pnp Comnnufazione 20 200 0,1 Westinghouse
2N7 PNP AF . OX. MF 20 10 150 0,1 34 38 GE
2N77 pnP BF 25 15 26 0, 44 44, 72 RCA

2N78 npn Comnrutazione 15 20 65 I 27 22 14-53 Fivre RCA GE

2N79 pnP BF .tu 50 35 0,7 44 72 RCA

2Nr80 pn,p EF 25 8 50 0,5 BO 7r CBS - Hytrqn

2N8l pnp BF 20 15 50 0,4 60 GE

2N82 pnp BF 20 15 35 0,4 60 25 CBS - Hytron

2N83 pnp BF Potenza 60 1,54 10w 0,4 I 30 900 Transitron

2N83A pnp BF Polenza 60 1,54 10w a,4 I 18 900 Transitron
2N84 p{tp BF Pofenza 56 1,54 10w 0,4 t2 32 400 Transitron
2.184A pn'p BF Potenza 56 1,54 10w 0,4 18 400 Transitron
2N85 pnp BF 4A 100 750 0'8 40 30 Transitron
2N8 Pnp BF 60 100 750 0,8 20 26 Transitron
2N87 pnp BF 30 100 750 0,8 20 26 Transitron
2N88 pnP BF t2 10 25 0,5 25 36 Transitron

2N89 pnp BF L2 10 25 0,5 25 36 Transitron

2N90 pnp BF t2 10 26 0,5 40 26 Transitrn
2N90C pnp BF 20 Transitron
N,9t pnp Applic. Elett. 15 10 5@ 0,? 26 Transitron
2N9IA pnp Applic. Eletf. 20 Transitron

2N92 pnp Applic. Elet"t. 25 10 500 0,7 30 Transitron

2N924 Applic. Elel"t. 20 Transitron

Pnp
2N93 npn MIX.AF-OX 25 10 50 3,5 Radio RecePtor

2N94 npn AF-OX-tvllx 2A D 30 a 25 32 100 6 Sylvania

2N94A npn AF.OX"MIX 20 t 30 6 25 35 100 6 Sylvania

2N95 npn BF Potenza

.)R
1500 2W a,4 23 23 750 32 Sylvania

-22-
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2N9 pnp BF 30 20 50 0,5 RCA

2N97 npn MF 30 10 50 0,5 38 38 7t Germanium
2N974 npn MF 40 10 50 0,5 38 3B 7t Germanium
2N98 npn MF 40 10 50 0,8 47 47 7L Germanium
2N98A npn MF 40 10 50 O,B 47 7l Germanium
2N99 npn MF 40 10 50 3,5 47
tf 7L Germanium
2Nt00 flrp|1 MF 40 10 50 5 53 53 71-73 Germanium
2N101 pnp BF Potenz 25 l,5A 1W 0,4 23 23 750 7t-73 Sylvania
2NI(N npn tsF 25 1,5A. 1W n4 23 23 750 77 Sylvania
2N103 npn MF 35 10 50 4,7! 33 35 71 Germanium
2Nt04 pnp BF 30 50 150 33 4t
v,l 27 RCA
2Nt05 pnp t5F 25 15 35 0,?l 42 42 72 RCA
2N106 pnp tsF Preamplif. 20 10 100 0,8 28 36 7L Raytheon
2N!07 pnp BF 12 L0 50 0,6 20 3B 5L-L4 GE
2Nr08 pnp BF Finale 20 15 50 0,7 7L CBS Hytron
2NI09 pnp BF 25 70 150 30 33 27 Syl.-RCA-GT
2 N tr 0 pnp Commutazione 50 50 2@ 1,5 'Western
7L Electr.
2NIII pnp MF AF 15 200 150 3 33 30 35 Clevite - Rayth,
2NIIIA pnp MF L5 200 150 33 Clevite - Rayth.
2NiIt2 pnp MF 15 200 150 5 35 35 Clevite - Rayth.
2Nil2A pnp MF 15 200 150 5 35 Raytheon
2Nll3 pnp U I F .A F 6 5 100 10 33 35 7L heon-Trans.
2 N tt 4 pnp MIX AF. omm. 6 100 20 65 33
b 7L Raytheon GT
2Nt r5 pnp BF Potenzo 32 1,54 2W 0,4 AmpereX
2Nil pnp BF 2A 10 40 0,7 1 8 34 6 CBS- Hytron
2 N II 7 npn BF 30 25 150 1 6 Texas
2 N lt 8 npn BF 30 25 150 2 6
2Nl l9 npn BF 30 25 150 2 6 Texas
2Nr20 npn 8F 45 25 150 7 6 Texas
2N123 pnp AF - MF -Comm. 15 125 150 I 30 r+7 GE
2Nr24 npn A F . M F . B F 10 8 50 a 40 71 Texas
2N125 npn A F . M F . g F 10 8 50 5 40 7l
2Nt26 npn AF MF BF 10 I 50 5 00 7l Texas
2N127 npn AF.&TF"BF 10 B 50 5 7l Texas
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10 o 30 65 73 Philco
2NI28 pnp AF-MF
4,5 o 30 30 73 Philco
2Nt29 pn'p AF
22 10 85 0,6 39 39 71 General T?ans.
2N130 pnp BF
40 100 100 4,7 40 7I Haytneon u'
2NI3OA pnp AF-BF
30 10 85 0,8 41 4t 6 Raytheon
2NI3I pnp BF
pnp BF 30 100 100 O,B 42 6 Raytheou
3tA
pnp BF t2 10 85 1,3 42 42 6 Raytheon
2N132
pnp AF 2A 100 100 t q 44 6 Ral'15*ott
2Nr32A
15 10 85 0,8 36 36 6 Raytheon
2Nr33 pnp BF Preamplif.
BF 20 100 100 0,8 38 6 Raytheon
2 N l 3 3 A ,pnp
pnp AF-MF 20 50 100 29 29 t4-7 GE - Fivre
2{I35
pnp 20 50 100 D1
31 14 GE - Fivre
2{t3 AF.MF

2{ I 37 pnp AF.MF 10 50 100 7 33 33 t4 Fiwe

L2 20 50 30 30 50 71 Raytheon
2N138 pnp tsF Finale
'ir
2 N I 3 8 A pnp BF Finale 30 100 150 r,3 29 30 50 Raytheon

30 100 100 I 29 6 Raytheon

2 N l 3 8 B pnP BF Finale
'tA
15 80 0' 30 30 27 RCA
2N39 pnp M F - A F
16 15 35 n 27 30 27 RCA
2Nt40 pnp Mtx-AF-OX
pnp BF Potenza 60 800 4W 0,4 18 26 31 Sylvania
2Nt4l
60 800 4W 0,4 26 26 31 Sylvania
2Nr42 npn. BF Pofenza
pnp BF Foenza 60 800 4W o 4 . 26 26 600 31-73 Sylvania
2N143
60 800 4\il 0,4 28 26 600 31 Sylvania
2!I44 nPn BF Fofenza
2A 5 65 A
30 30 6 Texas
2N145 npn MF-AF-MIX
20 D 65 r, 33 35 6 Texas
2Nt4 nPn MF-AF"MIX
65 36 36 6 Texas
2N147 npn MF 'AF . MIX 20 D I

16 D 65 0,5 32 7L Texas
2NT48 npn MF-AF
32 c 65 0,5 32 71" Texas
2NI48A nPn MF-AF
16 5 65 0,5 35 7l exas
2N149 npn MF-AF"MIX
32 D 65 0,5 35 7t Texas
2 N l 4 9 A npn AF-MF-MIX
16 5 65 0,5 38 7T Texas
2N150 npn AF-!!tF"Mlx
32 5 65 0,5 3B 1L Texas
2rt504 npn MF
20 10 r4 IlIallory
2Nrl5t pnp BF
0,1 Mallory |
2hr152 pnP 8F Fofenza 30
30 0,1 Mallory
2NI53 pnp BF Fofenza

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2NT54 pnp BF Po enza 30
Mallorv
2N155 Pn,p BF Pertenza 30 3 A 8,5W 0,15 30 33 2 A 39 Sylv. - CBS
2NT5 pnp BF Potenza 3 0 3 A g,5w n 1 R 33 33 2 A cBs
2Nn57 pnp BF Pofenza 60 3 A B,5W 0,1 20
CBS
2B{157A pnp BF Potenza 90 3 A B,5W o 1 20
CBS
Pnp BF Potenza 60 3 A B,5W 0,15 37 37 2 A CBS
2N,t58A pnp BF Pcienza 80 A 8,5W 0 , 1 5 36 llRs
2Nt59 pnp Comrnutazione 50 10 80 2 Sprague
pnp Appl. Elett. 30
Sprague
npn fvlF 40 25 150 .Jlt 71
2 N l 6 0 A npn MF 40l 25 r50 ,54
7l Germ.anium
npn AF 40 25 150 5 lsz 7L Germanium
npn AF 40 25 150 ,n
7l Germanium
npn AF 4A 25 150 B 38 Germanium
2rt2A- n p n AF 40 25 150 I 3B Germanium
npn AF 40 25 150 n 40 Germanium
2 N l 6 3 A npn AF 40 25 150 6 40 Germanium
npn MIX A F - MF 1.3 20 65 39 25 Germaniu
25{I5 npn MF.AF 15 20 65 5 36 25 Germanium
2Nr npn AF . Cemrnufaz. 6 20 2!t 5 25 72 GE
npn AF - Conn*nufaz. 30 'tc
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65 1+3 GE
npn MF 15 20 55 6 28 32 3 GE
npn F{tr!X-A:.0X"fE{F 1,5 20 65 I 28 t4 GE
?Nt9 npn rF.Rtv.tsF 15 20 65 I 27 26 t4 GE
npn BF 15 20 65 0 .), 29 L4 GE RCA
npn M F - B F 20
0 25 22 22 14 u.Ei
2N172 npn MF. AF . OX 16 a oa 22 22 o exas - GE
?t{I73 pnp BF Polenza 60 1 3 4 4W o 40 Delco
pnp BF Poienza BO 1 3 4 4W I
39 Delco
2Nt74A pnp 8F Pefenza 80 1 5 A 85W a Delco
z$tI 75 pnp BF 10 2 j,85
50 43 43 27 RCA
Pn'P BF Pofenza 40 3A 10\ry 25 35 2W 30 Il{otorola - Svl
2N178 pnp BF Fofenza 40 3A 10w 30 2W 39 &fotorola
pnp BF Pofenza 4A 60 32 300 Motorola

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2Nr80 pnp BF Finale 20 25 150 0,7 50 34 10 7L CBS

2 N I8 T pnp 9F Finale 30 38 250 0,7 34 37 65 7r CBS

2NI82 npn Commutazione 25 10 100 2,5 25 7L CBS

2htI83 npn Cornmutazione 25 10 100 5 40 71 CBS l{ytron

2N184 npn Comrnufazione 25 10 100 10 60 7l CBS

2Nt 85 pnp BF Finale 20 150 150 0,4 26 6 Texas

2NI8 Pnp BF Finale 25 200 100 0,8 28 28 51 GE - Thomson

2Nl86A pnp BF Finale 25 200 200 0,8 28 30 L4 GE - Thomson

2Nr87 pnp BF Finale 25 200 100 t 30 30 t4 GE - Thomson

2Nl87A pnp EF Finale 25 200 200 1 30 32 14 GE - Thomson

2NI88 pnp BF Finale 25 200 100 t,2 32 32 90 t4 GE - Thomson
2 N I 8 8 A pnp BF Finale 25 200 200 1 q
32 34 t4 GE - Thomson
2Nr89 pnp BF 25 50 'tD
0,8 37 87 14 GE - Thomson
2N190 pnp BF 25 50 75 I
39 39 L4 GE - Thornson
2NI9I pnp BF 25 50 75 L,2 4L 4L 14 GE - Thomson
2NI92 pnp BF 25 50 76 1,5 43 43 t4 GE - Thomson
50 2 'tc 6 Sylvania
2N193 npn OX-MF.AF 1 F 50
2NI94 nPn MIX-MF.AF 15 50 50 2 15 15 6 Sylvania

2Nt94A npn ndF 20 100 50 2 20 6 Sylvania

2N195 pnp BF t2 30 200 Transistor

2Nl9 pnp BF 25 30 200 Transistor
2F,ll97 pnp EF 25 30 200 Transistor
2ilr198 pnp BF 25 30 200 Transistor
2hrl99 pnp BF 25 30 200 Transistor
2N200 pnp BF 25 30 350 Transistor
2N204 pnp BF,MF 25 100 350 Transistor
2r205 pnp AF.MF 15 100 350 Transistor
'ID
2N20 pnp BF-MF 30 50 O,B 47 35 7L RCA
2N207 pnp EF-MF L2 20 50 2 73 Philco

?N2O7A pnp EF t2 20 50 2 73 Philco

2N2078 Pnp tsF t2 20 50 , 73 Philco

2t{21I npn OX.&lF.AF 10 50 40 2 10 Sylvania

2N2t2 npn MIX . AF 10 50 50 22 22 6 Sylvania I

?f92I3 npn Rtr 40 100 50 o 1 39 6 Sylvania

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2 N 2 1 3 A pnp 25 40 100 150 10 3B 6 Sylvania
2N214 npn BF Finale 40 'to 125 0,6 26 26 200 6 Sylvania
2N2t4M Pnp BF 40 ta t25 0,6 6 Sylvania
2r{2t5 Pnp I B F 30 50 150 0,7 33 27 RCA
2N2I6 npn B F - A F . M F 15 50 50 2 26 26 6 Sylvania
2N217 pnP EIF :5 70 50 0,7 .1t, 27 RCA
2N2l8 pnp MF 15 80 6.80 3 0 27 RCA
2N2t9 pnp MIX . AF A E
15 80 10 ?t
27 RCA
2N220 pnp BF 10 2 50 0,8 43 27 RCA
2N222 pnp Appl. Varie 30 General Trans.
2N223 pnp EF 1B 150 200 0,6 73 Philco
2N224 Pnp BF Finale 9E 150 250 0,5 73 Philco
2N225 pnp BF Finale 25 150 250 0,5 73 Philco
2N226 pnp BF Finale 30 150 250 0,4 73 Philco
2N227 pnp BF Finale JU 150 250 0,4 Philco
2N228 npn BF Finale 40 50 50 0,6 23 zts 100 6 Sylvania
2N229 n,pn BF AF 12 40 50 a 15 6 Sylvania
2N230 pnp BF Folenza 30 2A 15W 0,1 Mallory
2N231 pnp AF 45 3 I 20 73 Philco
2N2gl pnp AF 45 3 I 30 73 Philco
2N233 npn AF.MF 10 50 50 ? 4,5 6 Sylvania
2N233A npn AF 10 50 50 J 6 Sylvania
2N234 pnp BF Polenza 30 3A 25W 25 Bendix
2N234A pnp BF Pofenza 30 3A 25W 25 Bendix
2N235 pnp BF Pofenza 40 3A 25W ilendix
2N235A pnp BF Potenza 40 3A 25W 40 Bendix
2N2358 p n p BF Pofenza 40 3A 25W 60 39 Bendix - Sylv.
2N236 pnp BF Po,tenza 40 3A 25W Bendix
2N23B pnp BF Fsienza 40 3A 25W 60 Bendix
2t237 pnp BF Pofenza 4
20 1"50 0,5 42 7l Marvelco
2N23S pnP BF Pafenza 20 50 0,4 .5 I 6 Texas
2N240 pnp Somrnutazione D 15 30 50 73 PhiIco
2r{24I pnp BF Finale 25 200 100 l o
JD L4 GE I

2N24tA pnp BF Finale qR

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2N242 pnp BF Pofenza 41 2A 20w 4,7 30 33 500 39 Sylvania

2h{?43 npn BF dl Silicone 60 60 750 20 30 71, Texas

?h{a44 npn BF cl 9ilicone 60 60 750 4A U 7l Texas
2v4247 pnP .AF - MF t2 10 BO JU ?ry 40 15 RCA
2N24S pnp BF 30 50 6 Texas
2r{249 pnp AF 2 200 350 0.4 Texas
2N!250 pnp SF Pofenza 30 2^ 12W t1 60 39 Texas
2r{251 pnp BF Fefenza 60 2A 12W 0.1 39 Texas
2F{?52 pnp N1IX . MF 16 30 28 6 Texas
${253 n'pn ftAF - MlX T2 5 65 32 6 Texas
2r{?54 npn MF . MIX 20 5 65 6 Texas
?N255 pnp tsF Fefenza 15 3A 1500 0,2 iu 24 1W 3S CBS - Sylvania

2N25 pnp BF Polenza 30 ? 1500 32 27 2W CBS

2N257 pnp EF Potenza 40 2A 2W 0,7 60 3 0 5W 39 Clev. - Sylvania

?N258 pnp AF .L5 4 Fhilco

2N260 pnp BF 10 50 200 I , B 38 77 Philco Clevite

2{?04 pnp tsF 30 50 200 1 R 38 7l Philco Clevite

'tD 200 1,8 36 77
2N2l pnp BF 50 Clevite

2N262 pnp bF 10 50 200 D 40 71 Clevite

2N?2A pnp BF 30 50 200 40 7l Clevite

2N23 npn AF 40 20 !25 100 Texas

2N265 pnp BF 25 50 'lc
45 *3 14 GE - Thomson

2N267 pnp .rt E t2 10 80 30 t 7L Clevite - RCA

2{268 pnp BF Fofenza BO 2W At^z ^ 28 32 Ctrevite- RCA

2N2684 pnp EF Fotenza 60 2W 20 32 Clevite - RCA
2Fr?69 pnp Commufazione 24 100 120 12 72 RCA
2$,1?70 Bnp BF Finale OR
150 250 25 35 34 60 7T RCA

2N271 pnp AF 1 0 200 150 1t| 2S 7l R.aytheon

2Nr27lA pnp IVIF IU 200 150 10 {o 7t Raytheon

2N272 pnp ,gF JT 100 150 1 12 7t Raytheon

2rs?73 pnp AF 30 100 150 29 7l Raytheon

2N274 pnp AF 35 10 80 30 +c 73 RCA

I
2N277 pnp BF Fotenza 40 1 2 4 55\ry 0,5 34 Delco

?ha278 pnp EF Foienza 1 2 4 55\ry 0,5 34 Delco

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Fabbricante
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2N279 pnp BF 20 10 125 0,3 7l Amperex
pnp BF 20 10 725 0,3 71 Amperex
?N281 pnp BF 16 50 0,35 34 3B 7t Amperex
pnp 10 50 167 0,35 23 390 7T Arnperex
pnp BF 20 10 r25 0,5 71 Amperex
pnp ox Q9
L25 t25 0,35 71 Amperex
pnp ox 60 125 L25 0,35 71 Amperex
pn,p BF Fotenza 40 300 25W Bendix
pnp tsF Fofenza 40 300 25W Kc 38 Bendix
2N290 pnp RF Pofenza 70 t 2 A 55W 2-
0w 5W Deico
pnp EF 25 200 180 fta 31 50 500 7r-6 Texas
21,1292 npn MF.AF 15 20 65 t55 36 22 GE
npn MF AF 15 20 65 I 28 30 22 GE
pnp BF 25 200 300 6 Texas
pnp Potenza BF 60 2A 25W 0,4 30 29 Svlvani
2N297 pnp BF Pofenza 50 5A 35W 5Kc Clevite
2N297A pnp BF Pofenza 50 5A 35W 0,5 Clevite
pnp AF 4,t 5 20 90 20 74 Phileo
2N300 pnp AF 4,a 5 20 85 74 Phileo
pnp BF Pofenza 40 2A 1lW 33 3. 2,7\{ 39 iCA
pnp BF Pofenza 40 2A 1lW 33 32 .i n'a\
39 RCA
pnp Varie 60 2A 11\4/ 7 7L RCA - Rsvfh
2N'303 pnp Varie 1 0 200 150 14 7l RCA - Ravfh
2N306 npn tsF 15 50 0,6 34 6 Svlveni
pnp EF Pofenza 35 1A 10w 0,3 3 0 2A r.5w 39 vlvania
?N3O7A pnp BF Pofenza 35 2A r.7w n 9
22 39 Sylvania
2N308 pnp f\,lF - MIX 20 5 30 39 6 Texas
2N3(}9 pnp MF.MIX.AF 20 5 so- 4L 6 Texas
2N310 pnp MF . MIX 30 30 28 37 6 Texas
2 N 3 lI pnp Comrnufazione 15 20( . J
25 72 GT - Motorola
2N3I2 npn Comrnufazione 15 20{ .ID
50 72 Sytrvania- GT
2N3I3 npn MF AF 2C 65 o 36 GE I

2N3r4 npn MF.AF 15 20 65 B 39 39 GE

pnp Commufazione | 15 100 72 GT
 coL!EII ORE P I
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rans Tipo Funzionamenio

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Fabbricante

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pnp 10 200 100 t2 12 GT

2N316 Cornmutaz!one
6 200 100 20 72 GT
2N317 pnp Commuiazione
t2 2A 50 0,75 24 GT
2N318 pnp Foto Transisfori
2 0 , 200 240 2 33 30 50 52-56
2N319 pnp BF
20 200 240 2,5 48 31 50 52 GE
2ilr320 pnP 6F

pnp
.-)n 200 240' ;t 48 32 50 52
2N321 EF
100 140 2 70 48 52 GE
2N322 pnp EF
to 100 r40 O K
90 80 52 GE
2N323 pnp BF
16 100 140 a 80 95 52 GE
2P'I324 pnp BF
35 2A 12W Sylvania
2N325 pnp BF Po?enza
pnp 35 2 A 7W 0,2 3B Sylvania - CBS
2N32 BF Potenza
pnp tsF 50 100 335 0,3 30 72 Raytheon
2N327
'U 100 350 0,2 72 Raytheon
2r{3274 pnP BF
pnP SF Potenza 35 100 335 0,35 at 72 Raytheon
2N328
pnp BF 50 100 350 0,3 30 72 Raytheon
?!{028A
pnp BF 30 100 335 0 , 6 34 72 Raytheon
2N329
pnp BF 100 350 0,5 72 Raytheon
2N3294
45 50 335 0 , 5 30 72 Raytheon
2N330 pn,p tsF
pnp 50 100 350 0,5 34 72 Raytheon
2N3304 BF
200 200 AA 72 RCA
2N331 pnp BF 30
25 150 l4 54-64 GE Texas
BF-Commutazione 45
I

2N332 npn I

BF-Comnnutazione 4.5 25 150 2 t4 54-64 GE Texas

2N333 npn
25 150 B 13 42 54 GE Texas
2N334 npn !F
4r5 25 150 A
13 72 Texas GE
?N335 npn EF
25 150 15 12142 54 GE Texas
?"t336 npn EF-Commufazione 45
45 20 125 1 0 55 72 GE Texas
?hr337 npn BF
npn Comrnulazione-BF 45 20 125 2A 99 72 GE Texas
?N338
60 1W 15 30 72 GE Texas
2N339 npn BF Fofenza DD

1W 3 0 1 3 0 300 72 GE Texas
i
I
2N'340 npn BF 85 50
l_
l 72 GE Texas
2[1341 npn BF 125 40 1W I
30
60 60 1W 30 72 GE Texas
2N342 npn EF Fsfenza
60 60 1W 30 72 GE Texas
2N343 npn BF Pofenza
pnp AF. MF c 40 50 73 Philco
2N344 D

I 2{345 pnp AF-MF D 40 50 73 PhiIco

-30-
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Irno.luo"|I i$ 5r t"l
2t{346 pnp AF-MF D D 40 95 1B 13 Philco
pnp AF.MF 40 3A 10w 0,5 30 3 1 4\M 39 Texas - Motnr
2N351 pnp BF Polenza 40 3A 1Ory 0.5 QO
33 4'w 39
2N352 pnp BF Polenza 40 2 A 25W 0,1 3U 2,5r1 lC\ 40 Philco
pnp EF Polenza 40 2A 30tr/ 0,7 30 5W t 0\4i 40 Philco
2N354 pn,p BF 25 ':hilco
50 150 B 73
2N,355 pnp BF 10 50 150 8 78 ilhilco - Texas
npn Commulazione 1a 100 L20 t 32 4W 72 GT-RCA-Sv
2N357 npn Commtriazione 15 100 r20 6 30 72 GT-RCA-Syl.
npn Commufazione 12 100 120 o 30 72 GT - RCA
2N32 pnp BF 20 400 168 1r, 100 72 Raytheon
pnp BF 40 400 160 1 t 50 72 Raytheon
nPn BF 30 50 150 2,5 72 Texas
2N35 npn BF 30 50 | 150 3 72 Texas
2N36 npn BF 30 50 150 3,5 72 Texas
Pnp BF 30 50 150 0,7 72 Texas
pnp BF 30 50 150 4,4 72 Texas
2N39 pnp BF 30 50 150 | 1,3 72 Texas
2N370 pnp AF 24 30 80 3 0 3 1 7l RCA
2N371 pnp ox - Mtx 24 20 80 30 J,() 7T RCA
pnp ox . Mtx 241 20 80 30 2,5 7l RCA
2N373 pnp Mtx 24 10 BO 30 40 71 RCA
pnp MF 24 10 80 3 0 40 7t RCA
2N375 pnp Commutazione BO 3 A 45W 0,10 39 Motorola
pnp BF Pofenza 40 3 A 1o\ry 5Kc 35 4W 39 Motorola - RCA
npn Cornmutazione 20 | 200 150 5 72 Sylvania
2N378 pnp BF Pofenza 40 5A 50\4/ 5Kc Tung Sol
pnp BF Pofenza BO 5 A 50w 5Kc Tung Sol
pnp EF Pofenza 60 5A 50w /llc Tung SoI
pnp BF Finale 25 200 200 1 31 500 60 Tung Sol
2N382 pnp BF Finale 25 20( 200 1 , 5 33 Tung Sol
pnp BF Finale 25 20c 200 ctr
60 Tung Sol o
pnp BF-VI.IF.VAF 30 10 120 100 15 34 RCA
npn lComrnutazione I ZS ^
150 72 Sylvania
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Max.I o
60 3A 12W 0,7 40 Philco
2N386 pnp BF Finale
pnp tsF Finale BO 3 A l 12W 0,6 40 Philco
2N387
!omnnufazlone 2A 200| 150 B 72 Sylvania
2N388 npn
60 2AI BsW 49 Texas
2N389 npn BF Finale
60 5 A l ? 0 w 0,6 Delco
?$,t392 pnp BF Finale
6 501 50 40 73 Philco
2h{393 Pnp Commulazione
1 0 2001 150 5,5 150 52 GE
?N394 pnp Ccmmutazione
1 5 200 150 7 52 GE
?hr395 pnp Conrnnutazione
Comrnufazione 20 2001 150 7 52 GE
2N396 pnp
1 5 2501 150 10 52 GE
?N397 pnp ommutazione
pnp Cornmutazione 10i 1101 50 60 52 RCA
2N398
pnp EF Pofenza 40 3Al 25rtr 6Kc 33 Bendix
2N399
3 6 50 Bendix
2hr400 pnp BF
3 o 40 Bendix
2N4004 pnp BF
40 3 Al25W | 0,8 30 39 Eendrx - l'YrY
2N40t pnp SF
20 150 180 6 37 72 Westinghouse
?N4(n pnp BF
20 200 180 0,85 ao 72 Westingnouse
2hr403 pnp BF
24 1001 r20 GE RCA
2N404 pnp Commutazione
18 35 150 0,65 43 27 RCA
2!{405 pnp BF Psfenza
1B 35 150 u , 6 5 43 27 RCA
20t40 pnp tsF Potenza
150 65 33 21 I RCA
2N407 p " pl a r l 1 B 70
65133 27 lRcA
z h r + o el p n p l n r I 1Bl 70 150
80 6,7I 38 27 | RCA
?{409 I pnp liur | 13 I D
80 e 1 3B 2? I RCA
2{410 pnp lmr I 13 I D
at 2? IRCA
?ilr41I pnp lr'ntx- AF - ox i 13 I D 80 5,10
32 27 RCA
2M4't2 pnp lzuttx- AF - ox 13 15 80
33 72 Raytheon
I i8 | 2oo
2rq413 pnp lar 150 t 6

1 5 200 150 2 , 5 33 72 Raytneon

?hr4t3A p n p I M F
1 R 200 150 7 16 72 Raytheon
?B{414 pnp AF
200 150 2 , 5 33 72 Raytheon
2 N 4 1 4 4 pnp MF
10 200 150 n 35 72 Raytneon
?ht4l5 pnp IOSC
150 1 0 30 12 Raytneon
? N 4 1 5 A pnp AAF 10 200
12 200 150 10 20 12 Raytheon
2N416 pnp J{F

2A 27 18 Kaytn. - rung,
fN4'17 AF 2A 150
lPnP

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Fabbricante
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2N49 pnp Potenza 40 3 A 12W 0,3 4

2N420 pnp Commutazione 40 5A 25W 0,5 45 39 Sylvania
trsaro; pnp Commutazione 25 50
pnp Commufazione 25 50 39 Ravtheon
2N422 pnp BF 20 100 150 O,B 38 72 Raytheon
2N424 npn BF Potenza 30 2 A 4W 20 49 Texas
pnp Commulazione 30 1A 150 2,5 72 Ravfh - Mofnn
2N42 pnp Commufazione 30 1A 150 3 72 Ravth- - Mnfnr
2N427 pnp Commufazione 30 1A 150 5 72 Ravth. - Mofor
2N428 pnp Commutazionc 30 1A 150 10 72 Rayth. - Motor.
n,Pn Applic. varic 10 30 100 25 72 Rayth.
2N431 npn AF . B F 30 30 100 23
npn AF - B F 30 30 100 25
2N433 npn AF . BF 30 30 100 28
2N434 npn AF . B F 30 30 100 20
npn Corrmutazione 25 100 2,5 72 CBS
2N438A npn Applic. varie 25 150 150 25 72 cBs
2N439 npn Appl. varie 20 100 5 30 72 cRs
2N439A npn Commufazione 2A 150 D GT
2N440 npn Commulazione 25 100 10 72 cBs
npn Commutazione 25 150 10 72 GT
npn Commutazione 25 120 0,5 72 GT
npn Commutazione 20 100 r,
72 GT
npn Commutazione 20 100 5 72 GT
2N447 npn Commufazionc 16 100 I 72 GT
npn MF 15 20 65 5 23 GE
2N449 npn MF 15 20 65 B 24 GE
pnp gommulazione.AF
30 30 150 25 t4 GE
npn BF Potenza oo 5A B5W 0,4 4 56 GE
npn BF Potenza 65 2A B5W 0,4 2,5 56 GE
npn BF Pofenz.6 2A
OD 85Iry 0,4 6 56 GE
2N454 npn BF Pofenza 40 5A 50w 0,4 10 56 GE
pnp BF Potenza 60 5A 50w 39 Texas
pnp IBF pofenza
8 0 15 A l o o w 39 Texas
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N Fabbricante

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2N458 pnp BF Potenza 60 5 A 50 39 Texas

2N459 pnp BF Potenza 60 5A 50 0,5 Tung Sol

pnp BF Potenza 45 400 200 t,2 34 72 Tung SoI
2N40
2N4l pnp BF Potenza 45 400 200 t,2 37 7 Tung Sol

2N42 pnP Commufazione 40 200 150 0,5 75 Philco

2N43 pnp BF Potenza 60 5A 37W 4 Wesferh E[ec.

2N464 pnP BF 40 100 150 0r7 40 18 Rayth. - Motor.

2N45 pnp BF 30 100 150 0,8 42 18 Rayth. - Motor.

2N4 pnp BF 20 100 150 1 M 18 Rayth. - Motor.

2N467 pnP BF 15 100 150 7 , 2 45 18 Rayth. - Motor.

2N49 pnp Pholo transistore 15 50 I 72 GT

2N481 pnp osc. t2 20 150 3 72 Raytheon

2N492 pnp MF t2 20 150 3'5 72 Raytheon

2N493 pnP MF 12 20 150 5,5 72 Raytheon

2N484 pnp MF 12 20 150 10 72 Raytheon

2N485 pnp OX.AF L2 10 150 7,5 72 Raytheon

2N48 pnp OX t2 10 150 t2 72 Raytheon

2N489 nPn o5c. 45 ?0 450 0,9 55-64 GE

2N490 npn osc. 60 70 600 0,7 55-64 GE

npn osc. 60 50 350 0,8 55-64 GE

2N49t
2N492 npn osc. 60 50 350 0,? 55-64 GE

2N494 npn osc. 60 50 350 0,65 55-64 GE

2N495 pnp AF.OX 25 50 150 15 150 64-55 Philco

pnp Commutazione 10 50 150 15 72 Philco

2N49
npn BF Finale 60 200 4W 72 Texas - Philco
2N497
npn BF Finale 100 200 4W 72 Texas - Philco
2N498
pnp OX.AF.VHF 1B 50 75 100 10 35 72 Texas - Philco
2N499
2N50() VHF 20 50 76 500 72 Philco
Pnp
2N50t pnp ComJrutazione 15 50 50 300 72 Philco

2N502 pnp VHF 20 50 70 200 8 72 Philco

pnp VHF 20 50 26 100 1 1 72 Fhilco

2N503
2N504 pnp AF ox MF 25 50 50 50 73 Philco

2N50 pnp BF 40 100 50 0,6 7L Sylvania

2N507 pnp BF 40 100 50 0,6 7t Sylvania

-34-
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Tipo Funzionamenlo

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2N508 pnp BF Finale 16 100 14t0 3,5 62 GE
2N509 pn'p AF 30 40 225 750 72 W'estern EIec.
npn MF 18 10 50 2 23 6 Svlvania
] 2N5t6 npn
It" npn
MF
MF
1B
1B 10
10 50 2 25 6 Sylvania
50
tI 2N5t8
2N519
pnp
pnp
Appl. varie t2 725 150
2
11
27 6 Sylvania

Commufazione 15
I 100 a 72 GT
I 2N520 pnF

pnp
Commutazione
Commulazione
L2
10
100 72 GT
100 B 72 GT
pnp Commutazione 18 100 15 72 GT
pnp Commufazione 16 100 2l 72 G
pnp BF +5 500 225 2 52 GE
2N525 pnp BF 45 500 225 2,5 52 GE
pnp BF 45 500 225 3 52 GE
pnp BF 45 500 225 3,3 52 GE
2N529 pnp BF 15 100 2,5 72 GT
PnP BF 15 100 3 72 GT
pnp BF 15 100 3,5 72 GT
ZN5JZ pnp BF 15 100 + 72 GT
2N533 pnp BF 15 100 4,5 72 GT
pnp BF 50 25 25 2 T3 Philco
pnp BF 20 20 50 2 73 Philco
2Ns35A pnp BF 20 20 50 2 73 Philco
pnp BF 20 20 50 2 73 Philco
pnp Commufazione 20 30 50 1 73 Philco
pnp BF Pofenza BO 10w 0'8 Minneannli
pnp BF Pofenza 80 10w 0,8
pnp BF Potenza 80 10w 0,7 Minneanol
pnp BF Potenza 80 10w 0,7 Minnoqnnli
2N540 pnp BF Potenza BO 1oltr 0,6 Minneaoolis
pnp BF Potenza 80 10w 0,6
2N544 pnp AF 24 10 80 30 30,4 71 RCA I

npn Comm.-OX-BF 30 500 72 Transitron

pnp BF BO 4 A 12W 0,8 20 Delco

-35-
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20 3 A 40w 0,8 20 Motorola

2N554 pnP EF
pnp BF 40 3A 40w 0,8 34 35 2W 39 Motorola
2N555
Cornmufazione 25 200 100 50 7Z Sylvania
2F.r55 npn
npn Cornmutazione 2Q 20c 100 30 72 Sylvania
2N557
npn Connmutazione 15 20t 100 30 72 Sylvania
2N558
15 5( 150 72 Western Elec.
2N559 pnp Commufazione
bU 5A 50w 0,5 24,6 RCA
2N5l pnP BF Potenza
25 30t 150 0,8 7L GT
2{53 pnp EF
pnp BF 25 30( 120 0,8 72 G
2N564
pnp tsF , 30( 150 7L GT
2N55
pnP tsF 2t 30( t20 I 72 GT
2N56 I

25 30( 150 1,5 7t GT

2N57 pnp BF
25 30( t20 1 , 5 120 72 GT
2N568 pnp BF
2{ 30( 150 t. 7L GT
2N59 pnp BF
2Q 30( t20 I 72 GT
2N570 pnp BF
150 3 7L GT
2N571 pnP BF 10 30(
30( 120 72 GT
2?t572 pnp BF I

25W 0,6 ivLrnneapous

2N574 pnp BF Potenza 6C 154
25W 0,6 Il[inneaPolrs
2N5744 pnp EF Pofenza BO 154
60 L5A 25W 0,5 lv1inneapofis
2N575 pnp BF Potenza
BO 154 25W 0,5 lrnneapous
2N5754 pnp &F Potenza
20 40c 200 5 72 Sylvanla
2N57 npn Cornmufazione
40( 200 5 72 Sylvania
2N5764 npn Commutazione 2t
2t 1 26 u, 7l
?N577 pnp Photo lransisfore
L20 5 3 7Z RCA"
2r.t578 pnp Commutazione 2A 40t
40( t20 I 72 RCA
2N579 pnp Commutazione t4
'2 RCA
pnp srnvnuiazione t4 40( L20 t5
2580
80 8 12 RCA.
2hr58l pnp Cemmufazione 1 10(
14 72 RCA
2N582 pnp Comrnuiazione
A A
I: 10c 120
l5 20( 150 7'
2N583 pnp Commulazione
t4 100 120 L4 72 RCA
2ht584 pnp Commutazione
24 20( 120 3 72 RCA
2N585 npn Conrmutazione
45 25( 260 7L RCA
2N58 pnp ommulazione
20 150 30 72 Sylvania
2N587 npn Commutazione

-36-

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73 Philco
2N589 pnp BF Fotenza i00 3A 37Wle 40 Philco
2N59t pnp EF 32 20 50 | o,? 41 72 RCA
2N59? pnp Ccrnmulazione 20 125 | 0,4 72 GT
2N593 pnp Cemrnutazione 30 125 | 0,6 GT
2N594 pnp ornmufazione 20 100 | 1,5 GT
2ht595 pnp Comrnutazione 15 10013 GT
2N596 pnp f emmutazione 10 10015 GT
2N597 pnp e cmnrulazione 40 400 250 3 72 Philco
2ru598 pnp Commutazione 40 400 250 5 72 Philco
?N599 pnp Connmufazione 3 0 400 250 1B 72 Philco
2il!600 pnP e arnmulazione 20 400 750 72 Philco
?t",r602 pnp Commufazione 20 720 72 GT
2N603 pnp Cosnmurtazione 20 r20 72 GT
2f.!604 pnp Com.rnulazione 20 120 72 GT
2N05 pnp AF 15 12A 20 72 GT
pnp AF 15 120 25 72 GT
2hl607 pnp AF 15 120 30 72 G
2N08 pnp /\F 15 120 35 72 GT
pnp BF Finale 20 200 180 30 72 Westinghouse
2NIO pnp BF Finale 20 200 180 28 72 Westinghouse
pnp BF Finale 20 200 180 26 72 Westinghouse
pnp BF 20 150 180 0 , 6 37 72 Westinghouse
npn BF Finale 2A 200 180 0,85 32 72 Westinghor.rse
pnP MF 15 150 125 .J 26 72 Westinghouse
2NI5 pnp Mf 1 5 150 t25 5 34 72 Westinghouse
2NI6 pnp BF t2 150 r25 I 20 72 Westinghouse
2r{617 Pnp nF
1 2 150 r25 7 . 5 30 72 Westinghouse
pnp BF. Commufaz. 80 3A 45W 0,5 39 Motorola
npn BF 40 100 337 0,2 Raytheon
2N20 npn SF 30 100 337 0,35 Raytheon
2N2I npn BF 20 100 337 c,50 Raytheon ,
2N622 npn 2A 100 337 4,25 34 72 Raytheon
2N623 pnp AF.OX.TV 30 40 200 15 72 Texas
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2N624 pnp BF 10 10 100 12,5 20 72 Sylvania

2N625 npn Commutazione 30 2,5W 50 72 Sylvania

2N626 npn BF Potenza 30 3A 10w 0,7 RCA

2N627 npn BF Pofenza 40 104 50w 39 Motorola

2N28 nPn EF Potenza 60 10A' 50\M 39 Motorola

2N629 npn tsF Pofenza BO 104 50w 39 Motorola

2N30 npn BF, Potenza 100 104 50w 39 Motorola

2N3I pnp 8F Finale 20 50 170 1,5 35 72 Raytheon
2N632 pnp BF 24 50 150 I 25 72 Raytheon

2N33 pnp BF Finale 30 50 160 0,8 25 72 Raytheon

2N634 npn Connmulazione 20 300 150 5 52 GE

2N35 npn Commutazionc 20 300 150 10 52 GE

2N3 npn Commutazione 20 300 150 15 52 GE

2N637 pnp BF Pofenza 40 5A 25W 45 Bendix

2N37A pnp BF Pofenza 70 5A 25W 45 Bendix

2N378 Pnp BF Potenza BO 5A 25W 45 Bendix

2N638 pnp BF Potenza 40 5A 25W 30 Bendix

2N384 pnp BF Pofenza 70 5A 25W 30 Bendix

2N388 pnp BF Pofenza 80 5A 25W 30 Bendix

pnp BF Potenza 40 5A 25rw 23 Bendix

2N639
2N394 pnp BF Potenza 80 5A 25W 23 Bendix

pnp BO 5A 25W 43 Bendix

2N398 Commutazione
2N640 pnp AF 34 10 80 42 28 7L RCA

2N47 pnp AF 34 10 80 42 28 71 RCA

2N42 pnp osc. 29 100 120 20 72 RCA

2N43 pnp Commulazionc 29 100 120 20 1ia RCA
2N44 pnp Commufazione 29 100 t20 60 1 RCA

pnp Commutazione 29 100 t20 54 72 RCA"

2N45
2N47 pnp BF 10 50 100 54 72 RCA

pnp BF 80 5A 25W 23 RCA

2N49
2N50 pnp BF 25 250 250 42 18 Motorola

pnp BF 25 250 200 2,5 M 18 Motorola

2N5I
2N52 BF 25 250 200 3 46 18 Motorola
Pn'P
2N53 pnp BF 15 250 200 2 42 18 Motorola

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2N54 pnp BF 1 5 250 200 , r
44 18 Motorola
2N55 pnp BF 15 250 200 3 46 18 Motorola
2N56 npn BF 60 200 4W 10 I Texas
2!U57 npn BF 100 200 4W T4 I Texas
2N58 pnp Commutazione 16 1A 175 2,5 72 Raytheon
2N59 pnp Commulazione t4 1A 1?5 5 72 Raytheon
pnp Commutazione 20 1A 175 10 72 Raytheon
pnp Commufazione 19 1A 175 15 72 Raytheon
2N662 pnp Comnrutazione 20 1A 175 4 72 Raytheon
2N5 pnp EF Pofenza BO 5A 35W 0,20 Delco
pnp BF Polenza 40 3A 10w 40 2W 39 Motorola
2N670 pnp BF 40 2A 300 0,6 72 Philco
pnp BF Potenza 40 2A 1W 0,5 4t Philco
2N672 pnp BF Polenza 25 2L 300 0,6 Philco
2N677 pnp lAppl. varie 15 75 40
2N677A pnp Appl. varie 1 5 t26 40
2N6778 pn'p Appl. varie 1 5 250 40
2N677C pnp Appl. varie 15 250 40
2N678 pnp Appl. varie _tD 76 ID
2N678A pnp Appl. varie 1 5 r25 75
2N788 pnp App!. varie 15 250 75
2N78C pnp l\ppl. varie 15 250 ID
2N679 npn Commulazione 20 150 2 72 Sylvania
2N95 pnp Commutazione 15 20 50 61 Motorola
2N700 pnp VHF. AF . OX 30 a 50 600 I 61 Motorola
2N705 pnP Interruflore 15 50 52
2Nl0t0 npn BF 10 2 2A ID 72 RCA
2NI0l7 pnp ommutazione 1 0 400 150 15 72 Raytheon
2Nt02l pnp BF Pofenza 100 5 A 50w Texas
2Nt022 pnp BF Pofenza r20 5 A 50w Texas
2Nlt43 pnp AF 15 50 18
2Nt05 pnp Commutazione 50 300 240 0.5 GE
2Nr057 pnp Commutazione +D 300 24A 0.5 GE
2Nr058 npn osc. 20 50 50 4 22,5 7L Sylvania
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,**, n'pn B F F i n a l c 15 100 180 40 25 72 Sylvania

2Nt07 npn BF Pofenza 30 500 5W o,75 72 RCA

2Nr08 npn BF 30 1,5A' 1o\ry 0,5 RCA

2Nt069 npn BF 45 4A 50w 0,5 RCA

2N1070 npn BF 40 4A 50w 0,5 RCA

2Nr086 npn osc. 10 20 65 B 24 GE

2N npn 05c. 10 20 65 B 24 GE
2Nt087 npn osc. 10 20 65 5 72 GE
2N1090 npn Cornmufazione 1 5 400 120 tct 72 RCA
2Nt09l n,Fi Cornmulazions L2 400 t20 20 72 RCA
2N1092 npn BF 30 500 2W 0,75 72 RCA
2Nt097 pnp BF Finale 26 100 140 GE
2Nr098 'pnp BF Finale 20 100 t40 GE
2 N tI 0 l npn BF Finale 25 100 180 0,10 7L Sylvania
2Nlt(n npn BF Finale 25 100 180 0,10 Sylvania

2 N II 2 l npn MF 1"5 20 65 O,B GE

2[.ll123 pnp Commulazione 40 400 750 3 72 Philco

2Nr144 pnp BF Finale 26 100 140 GE

2NI r45 pnP BF Finale 26 100 140 GE
2 N tI 8 pnp BF Foienza 50 5A 45W 0,10 37 DLC
'lD GE
2 N I 1 9 8 npn Commulazione 25 65 1,5

2'49 npn AF . MIX 15 29 Giappon

2T50 npn tvlF 15 29 Giappone

2T5l npn BF 20 29 Giappone
2T52 npn Comm. Cont. HV 15 200 100 29 Giappone I
I
2T63 n'ptr AF.BF 20 29 Giappone

2T64 npn AF 15 29 Giappone

265 npn BF 20 29 Giappone

2T66 npn M F - A F 15 29 Giappone
273 npn AF 15 29 Giappone
2T76 npn MF 15 29 Giappone
2T201 pnp AF . MIX 15 29 Giappone

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Max. Max. 6
2T5t9 npn 15 29 Giappone

3Nl8 pnp AF 30 a Sylvania

3Nt9 pnp AF 30 5 Sylvania
3N20 pnp AF 30 S1'lvania
3N2l pnp Commutazione 60 5 100 Sylvania
3N22 npn AF 15 D 15 Western Elee-
3N23 npn A F . V I D E O . O } 30 5 50 L4 L2 Germanium
3Nr23A npn A F - V I D E O . O } 30 5 50 35 12 T4 Germanium
3N238 npn A F - V I D E O . O X 30 50 20 11 15 Germanium
3N23C npn AF . VIDEO o) 30 D 50 70 I r7 Germanium
3${25 pnp AF . VHF 15 2 26 200 2 Texas
3N25/ pnp AF . VHF 15 , 25 200 z Texas
3N29 npn Tetrodi AF 16 2A 50 40 10 10 GE
3N30 nrpn Tetrodi AF 16 20 50 80 10 10 GE
3N3I npn Tetrodi AF 16 20 50 BO 1 0 10 GE
3N32 npn AF Tetrodo Silic 30 10 125 4,3 20 72 Texas
3N33 npn AF Tefrodo Silic 30 10 L25 L2 18 72 Texas
3N34 npn AF 30 20 125 100 16 72 Texas
3N35 npn AF 30 20 L25 150 72 Texas
3N3 nPn AF 16 20 30 50 57 GE
3N37 npn AF 16 20 30 90 57 GE
3N300 npn VIDEO 30 a 50 t7

4JDIA3 BF 30 10 200 0,5

4JDI45 Commulazione 30 10 200 0,5
4JDIA BF 45 10 IC 0,5
4JDIAI pnp NF 45 1 155 0,5 15
4JDI83 pnp Appl. varie 45 20 200 0,9 L4 GE
4 J D I8 3 pnp Commulazione 30 1A 200 O,B 14 GE
4JDI84 pnp .Appl. varie 45 20 200 0,8 14 GE
4JDI84 pnp Commulazione 30 1A 200 0,8 14 GE
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4J04A4 GE

4J04AS GE

Thomson
30Tt
3lTt Thomson

32TI Thomson

33Tl Thomson

34Tl Thomson

35Tl Thomson

36Tl Thomson

37l Mlx-AF.OX Thomson

988T1 BF Finale Tho,mson

99lTt Thomson

8tR GT

I09R GT
200 Texas

201 Texas

202 Texas

204A. Texas

206 Texas

207 BF Texas

208 BF Texas

2t0 Texas

220 MF Texas

221 MF Texas

222 Texas
223 Texas
224 Texas

225 Texas

227 Texas

228 Texas

229 Texas
Texas

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235 pnp MF-AF 10 a 100 3 25 30 35 Texas
3@ pnp BF 30 10 100 0,5 70 20 38 27 Texas
30r pnp BF 30 10 100 0,5 70 20 38 27 Texas
302 pnp BF 30 10 100 u,b 70 20 38 27 Texas
3r0 Pnp BF.AF 20 10 100 1 ' 90 42 38 27 Texas
320 npn MF 20 Nucleonic
330 pnp BF 20 Nucleonic
340 pnp BF 20 Nucleonic
350 pnp BF 20 Texas
352 pnP BF Potenza 30 10 50 0,5 70 20 38 27 Texas
353 pnp BF Polenza 20 10 50 0,5 70 20 38 27 Texas
354 pnp tsF Poienza 30 20 40 30 50 Texas
355 npn BF 20 2W Texas
440CE pnp BF Potenza 25 1A 16W DD I\lallory
44rCE pnp BF Polenza 30 2A 16\ry 20 1\(allory
442CE pnp BF Pofenza 25 500 3W 35 Mallory
501 npn AF.OX-MIX 15 250 Texas
700 npn BF 20 Texas
721 pnp BF 20 Raytheon
722 pnP BF 20 Raytheon
725 pnp BF 20 Raytheon
727 pnp BF 20 Raytheon
751 pn,p B F 20 Raytheon
759 pnp AF 20 Raytheon
70 pnp AF 20 Raytheon
760R pnp BF 20 10
7IR pnp EF 20 10
782 npn AF-OX.MIX 15 720 Texas
800 npn Fofo - Transistore 20 D 65 r.00 42 6 Texas
830 npn Mtx. AF. Ox 20 10 45 15 4A 2l Texas
903 nPn B F 30 25 150 I 13 6 Iexas
904 npn BF 30 25 150 , 25 6 Iexas
9044 npn BF 30 25 150 8 40 6 Iexas
905 npn BF 30 25 150 2 50 6 Iexas
 l c cI!.LETTORE

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ransistorel Tipo I Funzionamento
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F
ct
l
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Fabbricante

9t0 npn BF 30 25 150 o 6 Texas

925 npn AF ox 15 30 Texas
926 npn AF-OX 30 10 725 Texas
951 npn BF Pofenza 50 60 750 t7 Texas
q52 npn tsF Poie'nza BO 50 750 17 Texas
953 nPn BF Pofenza 120 4C 750 40 Texas
970 npn BF Fotenza 120 14C 8W 20 Texas
1033 pnp BF Potenza 26 1t 50 0,5 1 A 20 38 ,n Clevite
I 034 pnp BF Potenza 26 1 50 0,5 'tu 20 3B 27 Clevite
't035 27
pnp BF Po*enza 26 1 50 0,5 70 20 3B Clevite
'I03 pnP BF Potenza 26 1 50 0 , 5 70 20 38 27 Clevite

r 320 pnP BF Polenza 26 1t 50 7A ,(r 3B q4

.tn
r 330 pnp BF Potenza 26 1( DU 0 , 5 70 20 38 Clevite

r 340 pnp EF Potenza 26 1( 50 0 , 5 70 2A 38 27 Clevite

I 350 pnp tsF Fotenza 26 1 50 0,5 7{) 20 38 27 Clevite
't30 50 20 38 Clevite
pnp BF Polenza 26 1( 0,5
r 390 pnp AF MF 15 20 6 40 50 2t Clevite
r400 pnp AF-MF ID _tt 20 6 40 50 2l Clevite

14t0 pnp AF.MF I I 20 6 4A 50 2t Clevite

r 609 npn Clevite

A pnp BF 1l
AA pnp BF 1

AAA pnp BF IO

AO pnp BF ID 0,4 Nat. Aicraft

AI pnp BF 15 4,4 Nat. Aicraft
A2 pnp SF 15 0,4 Nat. Aicraft
35 n Clev. Intermet.
AOt pnp NRF-OX.MIX 35 1
At98 pnp Appl. varie 10( I rza TE-KA-DE
AR5 pnp BF Polenza 3(
AR6 pnp BF Fotcnza 3(

-44-

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 COLLETTORE I O
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Bl78
Bt79

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Minneapolis

lVlinneapolis
BF di Potenza
Minneapolis

CKIS
cKl4
cKl6
cKtT
BF l-ow Noise
cK25 Appl. varie
cK25 Appl. varie
cK27 Appl. varie

CK4
cK65
CK
cK67

25 | 101 80 | 0,4
 .B
col.LETlroRE I N g E og . 'g= ' = o
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R
Fabbricenta

(ro
M*l' M * l EI
pnp 20 10 30 1,2 90 42 Raytheon
cK725 BF di Potenza
cK726 Pn,P BF 25
cK727 pnp BF Preamplif. 16 10 30 0,8 25 36 Raytheou

CK75I pnp B F (AF) 30 10 L,2 t4 23 50 Raytheon

cK754 pnp tsF 10 100 100 1,2 00

cK759 pnp AF-MF 10 10 20 3 25 30 50 2l Raytheon

pnp AF . MF. OX 10 100 R 40 35 Raytheon

cK70 D

cK7l pnp AF . MF. OX 10 D 100 10 45 35 Raytheon

cK762 pnp &1tx - AF 10 5 100 20 65 36 Raytheon

cK766 pnp AF 10 10 45 10 45 2l Raytheon

cK766A pnp AF 10 10 1D 10 45 2l Raytheon

cK78 pnp M I X . M F . A F 15 100 150 2,6 20 Raytheon

cK780 pnp BF 10 0,7

cK781 pnp BF 10 0,7
cK782 pnp Preamplif. BF 10 0,7
cK783 pn.p BF di Pofenza 20 0,4
cK784 pnp Freampl. BF 10 0,7
cK785 pnp BF di Folenza 10 0,4
cK790 pnp BF 20 200 200 0,4 L4 6 Raytleon

cK79l pnp BF 20 200 200 0,6 24 6 Raytheon

cK792 pnp BF 20 6 Raytheon

cK793 pnp BF 20 200 200 0'B 1 6 Raytheon

pnp BF 20 150 130 0,5 L2 Raytheon

cK870
130 0,6 20 Raytheon
cK87l pnp BF 1 5 150 F
I

cK882 pnp AF. BF 15 50 75 1 t 90 2t Raytheon

20 10 25 t,4 .20 ?f,. Raytheon

cK888 pnp BF Pofenza

cQt pnp BF 40 150 0,5 30 Naz. Marvelco

iI cTPl002 pnp B F
cTPl003 pnP
d i Potenza
BF di Potenza
40
40
40 8A 2W
0,1
0,1
0r1 40
Clevite
Clev. Intermet.
Clev. Intermet.

t
cTPl004 pnp BF di Potenza
40 8A 2W 0,1 40 Clev. Intermet.
cTPl005 pnp BF di Potenza
CTPT006pnp BF di Pofenza 4A B A 2W I o,r 40 I
t
-46-
 COLLETTORE

'l
s'
Md.lMd. I i5
;lei
Fabbricanle

BF di Poienza
Intermetall
BF di Potenza
Intermetall
Intermetall
Intermetall

BF di Poienza

BF Appl. varie

Tung Sol I

_47 _
F
fi

COLLETTORE

Funzionamento
rl
fl
: E EI 5
Fabbricante

DRIOI
DRI09
DRI29
DRI30
DRISI
DRT32
DRI,{
DRl49
DRI50 BF di Potenza
DRI54
DR.l55

EW5I
EW53
EW58
EW59 BF di Potenza | 40

Gt0
GII
GIIA
 coL L E TTORE o
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Tr Tipo Funzionamenlo
Clr o +
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9 0
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5 3 O
s.o A ('so :;t E r p . S gU
R Fabbricante
F (, L C
5u. c
o E u"5
Ma. Mu, o
(,E ; d
o 3;
GA52609 npn E!E
2A 0,4 Wesfern EI
GA52829 pn'p BF 20 o4
G452829 pnp A,ppl. varie 20 0,4 Western Elec.
G452837 pnp Appl. varie 2A 0,4 Western Elec.
G452996 p n p Appl. varie 2A
Western Elec.

GETI pnp B F di Potenza 12 20 50 0,5 Gec

GET2 pnP EF di Potenza 30 150 200 0,5 42 BO 65 Gec
GETS pnp tsF di Potenza 30 250 150 I 55 28 60 oa Gec
pnp FF di Poienza 30 250 150 55 2S 60 65 Gec
GET5 pnp BF di Pofenza 40 350 300 a,g UU 200 69 Gec
GET pnp tsF di Potenza 1 5 250 150 1 CE 28 65 Gec
&ET7 pnp BF di Potenza 15 BA 2W 40 Gec
GETS pnp BF di Fofcnza 30 8A 2W 40 Gec
GETIO pnp eommutazione 40 500 300 1,1 69 GEC
GETI5 pnp EF Finale 1 5 350 300 0,9 60 2t r00 60 Gec
GETI pnp EF Finale 30 350 300 0,9 60 23 200 69 Gec
GET2O pnp BF.Commutazione 30 500 300 1 . 1 55 29 60 69 -iec
G E T I 0 2 pnp &F 30 150 200 0,5 42 BO B GEC
GETl03 pnp BF Fe*enza 30 254 150 I 55 2BI60 oc Gec
GETI04 pnp EF Fofenza 30 250 150 I 55 29160 OD Gec
G E T T 0 5 pnp EF Fotenza 40 350 300 0,s 23 200
U 69 Gec
GETlO pnp BF 15 250 150 I 55 28 65 Gec
G E T I I O pnp Cernn'luazione 40 500 300 rrr 69 Gec
G E T IT 3 pnp BF Finale 15 150 200 80
D 65 Gec
G E T I I 4 pnp EF Poienza 1.5 250 150 1 55 25 60 65 Gec
G E T II 5 pnp BF Finale 15 350 300 0,9 60 27 200 69 Gec
GETI pnp EF Finale 30 350 300 0,9 60 23 200 69 Gec
G E T I 2 0 pnp B F.om.mutazione 30 500 300 1.1 28
a3 60 69 Gec
GET57I pnp BF di Potenza 16 3A 10w ?w 39 Gec
GEf572 pnp tsF ,i Polenza 32 800 10w 4 39 Gec
GET573 pnp tsF di Potenza 60 500 10w 4W 39 Gec
GET87I p n p AF-Commufazione 1 5 25 DD 5 U 65 Gec
GET872 pnp AF-Commr.rfazione L2 25 D 10 60 65 Gec
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COLLETORE .=O
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Tipo Funzionamento 9 0 E } t o !,! r"=l gR Fabbricante
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Mar. Ma:. a ' o. I

12 10 35 35 65 Gec
GET873 pnp M F . A F DD

OX . MIX. AF L2 10 55 1 0 40 20 65 Gec
GT874 pnp

10 10 26 0,3 42 TE - KA. DE
GFT2O pnp BF
pnp 15 10 50 0,3 90 2L TE-KA-DE
GFT2I BF
pnp 12 0,1 1]E-KA-DE
GFT26 EF Folenza
pnp 16 10 50 0,5 42 TE-KA-DE
GFT32 EF Potenza
15 10 4 15 40 TE-KA-D.U
GFT44 pnp ox-Mlx-AF
pnp 15 25 40 TE-KA-DE
GFT45 BF Potenza
L2 2A 4W 0,1 TE-KA-DE
GFT2OOpnp BF Poienza
30 rlA 12W 50 TE - KA. DIj
GFT4OI2 p n p BF Pofema

pnp 25 100 LZ5, o,4 28 36 General Trans.

GTI4 BF
L2 50 90 0,4 28 36 General rans.
GTT4H pn,p tsF Miniatura
pnp BF 25 100 100 0,4 45 40 General Ttans.
GT2O
pnp BF Miniatura L2 50 90 0,4 42 40 General Trans.
GT20H
pnp BF 6 30 0,4 45 36 General TTans.
GT24
pnp BF 25 100 125 0,6 15 34 General Trans.
GT34
50 200 150 10 32 General rans.
GT34HV Pnp Commulazione
GT34HV pnp Appl. varie 20 0,4 General rans.

pnp 100 200 t25 18 General

GT34N Neon Luce
pnp R.iv. BF 40 200 L2 15 32 General rans.
GT34S
45 200 t26 0,4 40 40 General rans.
GT35 npn Ltr

0,4 General ITanS'

GT38 pnp tsF 2A
'rrans.
t2 20 50 r00 42 24 General
GT pnp Fototrans
GTV4 pnp 25 100 t25 0,4 ' t c 42 General rans'

pnp BF 25 100 t25 0,4 50 44 General rans.

Gf75
pnp EF 25 100 L25 0,4 'JO 42 General rans.
GTSI
pnp BF Miniatura t2 50 90 0,4 BO 42 General Trans'
GTSIH
BF 25 200 150 0,4 .20 M General rans'
GTSIHS PnP
25 100 125 0,4 50 46 General Taans'
GT82 pnp BF
25 200 125 0,4 35 40 General Trans.
GT83 pnp Conlafore BF
25 200 t25 0,5 28 36 General Trans.
GT87 pnp Coniatore BF
25 200 t25 65 42 General Trans.
GT88 Pnp SF
 COLLETTORE
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Funzionarnenlo q o 56' f2a'
Transistore T i p o E > ! G.=
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FII pnp EF Fotenza 60 800 80w 0,4 10 r,5w NT.K.R.

pnp BF Fotenza 60 1,44 20w 0,4 20 2A l,5W 1\{.K.R.

*42
60 350 5W 0,4 1 6 L7 1W M.K.R.
r-{3 pnp tsF Fotenza
60 0,1 M.K.R.
${34 Pn,P BF Polenza
pnp tsF Pstenza 60 500 5W 0,4 2L 20 M.K.R.
Hi[
60 0,1 M.K.R.
H4A Pnp BF Fotenza
pnp EF Potenza 60 8A 20w 0,1 L4 1 6 2,5\4 M.K.R.
H5
pnp BF Fofenza 60 8A 20w 0,1 t4 16 2,5\ M.K.R.
H6
F{7 pnP BF Fotenza 60 8A 20w 0,1 14 16 2,5W

!4?00E pnp BF Fotenza 28 t000

t"tAl pnp triF 20 10 50 a,4 40 40 CBS Nat. CRA

.t42 $tr 20 10 50 0,4 30 37 CBS Nat. CF'A

Bnp
pnp EF 20 L2 50 0,4 35 CBS tIat. CRA
F{43
pnp BF 20 10 50 {1,4 40 40 CBS l{at. CRA
HAE
20 10 50 0,4 30 37 CBS Nat. CR^A
HA9 pnp EF
pnp 20 L2 50 n4 35 CBS Nat. CIIA
HAlO BF
BF 20 0,4 Hughes
HA500l npn
20 0,4 Hughes
E{As{XD nPn B F
20 0,4 Hughes
HA5003 nrPn E F
2A 0,4 Hughes
!{A501| nFn SF
BF 20 0,4 Hughes
HA50l4 nFn
60 100 500 0,5 500 Hughes
E{A75OI pnP BF Silicone
60 100 500 0,9 t00 5 Ilughes
${A7502 pnp RF 5i!icone
110 100 500 0,5 500 D Ilughes
t-tA7503 pnp BF Silicone
20 500 500 0,5 500 D Hughes
!-tA7505 pnp f,iF Siliconc
F{A7506 pnp EF Silicone c 500 500 0,5 500 5 Hughes
60 100 500 0,5 Hughes
F{i7508 pnp EF
20 100 500 1,5 500 o Ilughes
F{A7507 pnp EF Silicone

pnp Commutazione 20 10 50 0,7 45 40 c.B.s.

F|cl
pnp SF Potenza 30 0,1 c.B.s.
$.rDt97

15 50 5 Marvelco
!-lFl pnp AF
 COLLETTORE

Transistore Funzionamenlo
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Ms.
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National C.R.A.
National C.R.A.
r-ts4 National C.R.A.

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Nat. Mal.-Aicraf
tF2
Nat. Mal.-Aicraf
Nat. Mal.-Aicraf

Malvelco-Aicraf
Nat. Malvelco
Nat. Mal.-Aicraf
Nat. Mal.-Aieraf
 COLLETTORE

Tipo Funzionamenlo
o
g
O +
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F >

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C *
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t g ot
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g

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t:l'gr
rl5*
Fabbricante

L5t08 Philco
L 5 II 3 L Philco
L 5 II 4 L Fhilco
L5il Phileo
L5T2I Philco
L5122 Philco
LTst4 CBS
LT5I5L cBs
LT5t5 cBs

Mistral - Microf.
Nlistral - Microf.
Mistral - Microf.
Mistral - Microf.

ox.Mtx.MF Mistral - Microf.

Mistral - Microf.
Mistral - Microf.

ll{o'torola
Mo'torola
Motorola
Motorola
Mc.torola
 COLLETTORE

HEIet
o
tr
O +
I rpo Funzionamenlo 6 o
Fabbricante
r >
o
F

M*

Motorola
Motorola
Motorola
]\tlotorola
l\{otorola
ll{otorola
Motorola
MN32
Motorola
MN48
Motorola
Motorola

4NBL
Mll9

NPN3

Philips
oc7 Philips
ocl0 Philips
ocil Philips
oct2 Philips
oct5 Miniwatt
Philips
OCIG
oct9 Radiotechnique
Philips-I\{iniw.

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g
Fabbricante

M"* I-i-r.* l . : E
|I.'j t, ;!o
o 3;
ac26 pnp AF 20 10 50 0,2 Philips
oc27 pnp tsF Pelenza 3,54 12W 0,4 90 39 Philips-Miniw.
oc28 pnp crnmufazione o 6A 12\4r 50 39 Philips-Miniw.
ac29 pnp Comnnu*azicne 60 6A 12W 60 39 Philips-Miniw.
oc30 pnp BF Pofenza 30 1,4A' 2W 36 39 Philips-Miniw.
oc32 pnp BF 30 30 1W West.-Interrnet.
oe33 pnp BF 20 10 50 4,2 29 Nucleonics-Int.
oc34 pnp BF 20 10 50 8,2 42 Nucleonics-Int.
oc35 pnp Csffirnutazionc 30 6A 12W 39 Philips
oe36 ptlp Comn'lutazionc 30 6A 12W 39 Philips
oc37 pnp .App9,varie zfr 0,1 Philips
oc44 pnp ,alx-AF-ox l5 10 45 15 40 2L Phitrips-Miniw.
oc45 pnp AF.MF 15 10 20 n 40 50 21 Philips-Miniw.
oc4 pnr9 e crnrnu. rapide 20 100 2L Philips-Miniw.
oc47 pnp eommuf. rapide 2A 100 2L Fhilips-Miniw.
oc50 pnp 20 125 Ampefes
ocsr pnp A.ppl; varie 10 t20 q 6
Amperes
oc57 pnp EF &liniatr.rra It) 10 u , a 50 2B Amperes-Miniw.
oc58 pnp EF ldnialura l0 0.{ 70 28 Amperes-Miniw.
oc59 pnp c 10 n ( 100 28 Ampere-Miniw.
oc0 pnp SF Miniafura l"o 5 10 0 , 1 100 28 Amperes-Miniw.
oc5 pnp BF. 16 10 0,3 30 3 Amperes
oc6 pnp RF Mlniafura 16 f,0 94
30 3 Amperes
oe 70 pnp $F IL., 0,3 30 2l Philips-Amper.
c7'! pnp BF 20 IU 25 n ! 47 2L Philips-Amper.
ac72 pnp &F Potenza 30 10 50 u , a 70 2A 3B 27 Philips-Amper.
oc73 pnp FF U 10 65 0,5 Valv. dmperes
oc74 pnp RF Felenza 30 300 550 100 I20 27 Philips
*
oc75 pnp BF 30 'IO

I
50 0 , ? 90 21 Philips
ocv6 pnp Conrmsi, Fleftr. 32 20t 100 0,1: 70 27 AmperesValu
ac77 pnp Cornnrut, Elcftr. 60 20c 200 u, 70 2T lWiniw.-Philips
oc80 pnP
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oI39 npn Caleo!. F!eft. AV 20 200 21 Miniw.
oct40 npn Caleol" Eleff. AV 20 204 26 Miniw,-Philips :
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pnp Oscill. frlX 20 10 70 15
0c!70 pnp Oscill. MIX - VHF 20 10 60 l5 phiri
Min
pnp Oscill. fuilli " \r,l-lF 20 5 60 0,4
oc22l pnp IJF
20
pnp BF 20
pnp EJF
20
Intermetall
Pnp RF di P*fenza 30
lnt. II
Pnp BF 10 10 25 0,3 30 2l
pnp
10 10 0,3 A
2L lntennetall
pnp Cornm. Eleffr. 2A0 100 0 , 1 '70 27 Intermel.all
pnp tsF d! Fofenza 10 10 DR
0,3 A'
t l 2l Intermpf ell
pnp tsF di Miniafure 16 10 50 0,4 20 3B 27
pnp SF di Miniafura l0 ln 25 0,4 30 27
Pnp SF di Mniafura 10 rtt Q
fiA 30 40 3
pnp BF di Miniafura o 10 n4. 50 28
pnp AF-MF 15 10 20 a 40 40 2t
oc400 pnp AF-MIX-OX 15 10 45 40 30 2l Intermetall
pnp '!n
Ia' AF 1 ;
45 1 0 40 20 2l [ntermetall
oe430 pnp BF 16 l0 50 n4 70 15 38 2't Intermetail
pnp BF 16
I 10 50 4,4 70 15 3B 27 Intermetall
pnp EF
I 60 200 200 4,4 70 15 27 f prmof cll
pnp BF 16 10 50 4,4 70 15 3B 27 lnterrnpf.:ll
pnp BF
a 16 10 50 0,4 70 15 3B 27 Intermetall
pnp EF 20 20 50 0,3 35
t Telefunken
pnp BF 9n
2A 50 0,5 42 Telefunken
oc02s pnp EF 20 20 100 U.D 42 Telefunken'
l pn,p Preamplif. BF 20 50 iJ,5 42
oc04 Telefunken
pnp RF 20 20 50 0,7 48 Telefunken
0c604s pnp BF Potenza 2A 300 550 1,5 100 120 27 Telefunken
0c05 pnp EF 20
Telefunken
pnp AF.MIX.MF 20 30 35 Telefunken r
oc6t3 Pnp AF . MIX 15 10 45 4A Telefunken
l'np BF 2C 20 25 1 0,5 -
42 Telefunken
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R.Rr0 12 50 Radio R R

RR1 pnp MIX. AF " GX 12 i0 50 15 2L Radio R R

RR.t2 pnp f'.{tx.AF - OX ti 10 50 1 E 2L Radio R R

RR.JI4 pnp BF 10 50 n 28 2L Radio R R

seRJ20 pnp BF 94 10 50 c 4,5 2L Radio R R

RRJ34 pnp 10 50 0,3 l 5 2l Radio R R

RRJX4 pnp BF I\4!niatura 16 5 20 0 , 5 28 28 Radio R, R

RRJZ2O pnp BF Minieture 16 20 0,5 28 Radio R R

F{R.JZ34 p n P EF 16 10 20 0,3 1 0 3 Radio R R

R{J238 pnp BF Miniatura 10 5 20 0.5 r.0 28 Radio R R

58100 pnp 8RF-F$IX-AF 16 10 40 90 30 73 Fhilco

pnp AF M.F 40 50 73 Philco

5R'l0I IJ

pn,p AF " T"4F

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5810?
s8103 pnp AF-MF 5 5 20 95 1B ?3 Philco

ss200 pnp AF . VFIF 4,5 5 10 22 73

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soI pnp Appl. varie

pnp Appl. varie 0,1 Nat. Aircraft

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pnp BF 20 0,3 50 Russia
slF

20 0,3 50 Russia
stD pnp BF
pnp A F . M F 20 0,3 50 Russia
5'EG
20 0,3 100 Russia
s'!v pnp AF.MF
c" pnp ABpl. varie 20 0,1 l{at. Aircraft

pnp Mtx " ox 30 10 100 0,5 Russia

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pnp 10 0,3 100 Russia
S?A
s2B pnp AF.MF 10 0,3 50 Russia

s2ts pnp SJlIX OX 20 6 50 1,5 Russia

5AG pnp iltx-ox 20 6 50 1,5 Russia

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52V pnp AF MF OX 10 0,3 50 iussia

sFTt0t pnp BF 24 150 100 30 30 csF

sFt02 pnp 24 150 100 50 30 CSF
5 F T T 0 3 pnp BF 150 100 80 30 CSF
5FTt04 pnp BF 150 100 BO CSF
5FTl06 pnp MF AF 1B 50 80 30 30 30 CSF
sFTt07 pnp M F 18 50 B9 50
B 50 30 csF
sFTt08 pnp ftXF. AAIX 1B 50 50 10 80 30 CSF
S F T Ii 3 pnp EF di Potenza 30 3A 25W 40 40 36 CSF
s F T tl 4 pnp #r o r Pafenza 60 3A 25W 4A 40 36 CSF
s F T tl 5 npn A4F-AF.OX 40 10 120 30 60 2 30 CSF
s F T tt 6 pnp tvlF.AF-OX 24 10 LzA 30 60 2 30 CSF
sFTlt7 npn OX.MF 24 10 r20 30 60 30 CSF
S F T TI 8 npn $,4rx. ox 24 10 120 30 60 30 CSF
sFTtt9 npn T"'1F- AF 24 10 L20 30 60 2 30 CSF
sFTr20 npn MIX. AF 24 10 L20 30 60 2 30 CSF
5FTt2t Pnp BF Finale 24 250 150 30 30 csF.
5FTl22 pnp DF Finale 2 4 250 150 50 30 CSF
sFTl23 pnp 3F Finale 24 250 150 80 30 csF
5FT!24 pnp BF Pofenza ,A
500 350 30 CSF
sFTl25 pnp EF Polenza 500 350 70 CSF
sFTl26 pnp AF MF 250 5 30 c.s.F.
sFT!27 pnp AF-MF 24 250 50 c.s.F.
SFTI28 pnp AF-MF qA
250 1 0 BO c.s.F.
sFTl30 pnP BF Potenza 24 500 550 30 25 csF
5FTI3I Pnp BF Fotenza 500 550 70 25 csF
sFT't4t pnp F-Commr.riazione 45 250 200 0,8 30 c.s.F.
SFTI42 pnp 3F-Commufazionc 45 250 200 1 50 c.s.F. I
SFTt jf3 pnp 3F-Cornmufazione 45 500 350 0,8 30 c.s.F.
gFTl44 Pnp F-Commutazione 45 500 350 50 ,S.F
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sFTt46 S.F.
sFTl50 SF

SPI Sprague
sP2 Sprague
sP3 Sprague
5P8A Sprague
5P8B Sprague
sPSC Sprague

Scientific

Tl9 National Un.

T20 National lin.
T2IA Un.
TAl6IA National Un.
T34A National Un.
T34B National Un.

T34C National Un.

T34D National Un.

T34E National Un.

T34F National Un.

T't00t Philco
Tt00 Philco

T t 0 tI Philco

Tr032 Philco
Tr033 Philco
TIO4O Philco
Tt04l Phileo
T1050 Philco
TI I59 Philco
TI2IO Philco
T1222 Philco

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Tr223 npn AF.MIX-OX 20

Tr360 pnP AF 45 3 I 30 73
Tt36l pnp AF 45 3 I 30 73
Tt5t pnp AF.TV 40 Philco
Tr559 pnp MF TV 40 Philco
Tt593 pnp Ampiif. Video 40 Philco
T1594 pnP Ampl. Fin. Video 40 Philco
Tr 595 pnp M F Suono Video 40 Philco
Tt59 pnp Separafr. 5incr.T\ 40 Philco
T1597 Pn'P OX-TV 40 Philco
Tt598 pnp Discrim,in. suono 40 Philco
Tr599 pnp - Sinor..TV 40
Osci{1. Philco
Tr00 pnp MIX. TV 40 Philco
TTOI pnp Finale TV 40 Philco
T1602 pnp Finale TV 40 Philco

TBI04 pnp BF 10 10 25 0,3 + t 59 Ediswan

TF65 pnp BF I 10 10 0,3 20 I7 Siemens

I
TF5l30 pnp BF 30 10 10 0,3 30 17 Siemens
F65/60 pnp BF 60 200 200 0,2 00 t7 Siemens
TFsM pnp EF o 10 10 0,3 20 Siemens
pnp E F 30 10 10 0,3 30 Siemens
TF65/ pnp bF 60 200 200 0,2 00 l7 Siemens
TF68 pnp AF . MtX. OX 15 10 45 15 40 Siemens
TFTO npn 3F - Commutaa 20 10 100 0,25 1 6 30 19 Siemens
TFTI npn EF - Commutaa 20 10 100 0,4 49 35 19 Siemens
TF72 n,pn BF - Commutaz. 20 10 0,4 Siemens
TF75 pnp BF Finale 1 3 250 250 0,4 30 L7 Siemens
TF77 pnp BF di Potenza 1 6 500 500 0,1 46 Siemens
TF77/30 pnp F di Potenza 32 600 600 0,1 46 Siemens
TF77/60 pnp F di Potenza 60 46 Jiemens
TF78 pnP 3F di Pofenza 20 300 550 1,5 00 46 remens
TF78/30 pnp 3F di Potenza 30 46 iiemens

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Max.

TFTE/30 pnp EF di Pofenza 60 46 Siemens

TFSO pnP SF di Potenza 15 ,54 4,5W 0.1 46 Siemens
TF80/30 pnp BF di Potenza It u,5A 4,5W 0,1 46 Siemens
TF80/0 pnp tsF di F*rfcnza 46 Siemens
TF85 pnp 5r cli Potenza 30 4000 8,4 46 Siemens
TFgO pnp BF di Potenza 1 5 3,54 12W fiA 46 Siemens
TF90/30 pnP *F di Fotenzr 30 ],54 12W 0,4 46 Siemens
TF90/60 pnp F di Fo*enza 60 l,5A 12W 46 Sicmeas

T$.{5501 pnp BF Polenza 30 LA 3W 0,1 15 Siemens

TF{p35 npn ILF - MF 30 25 50 3 10 Thomson
Tr-rP36 npn AF.MF 30 26 50 20 ?homson
TEIP44 pnp L!F Finale 24 400 Thomson
TF{P45 pnp ilF Finale 2A 12W 30 Thomson
T*4P46 pnp f;F Finale 30 4E l"2w 30 Thomson
THP47 pnp SF Finale 60 2A 12W 30 Thomson
Tr"rP50 pnp SF Flnale 3 0 2,54 DW 40 Thomson

TF{P51 pnp EF Finale 50 2,54 5W 40 homson

Tt"{FS2 pnp BF Finale 60 2,54 5W 40 Thomson
TFlp6'l npn MF.AF 15 25 Thomson

T14P62 npn MF.AF 15 25 35 Thomson

TJI pnp BF 30 200 70 Stand.-TelePh.

TJz pnp BF 30 200 70 Stand.-TeIeph.

TJ3 pnp BF 30 200 70 Stand.-Teleph.

'"JP?1 AF-MF 30 120 z
'IO csF
npfi

TJP22 npn AF-MF 30 L20 150 CSF

TJP4'I npn AF.MF 30 120 q 'lD csF

TJP42 npn AF-MF 30 120 4 150 CSF
TJP2 npn AF.MF 30 t20 A
150 CSF

TJP63 npn AF.MF 30 120 4 250 CSF

TMT pnP Applic. Elctfric. 30

-64-
 Tipo I Funzionamonlo

f'ls' Fabbricentc

Stand.-Teleph.
Stand.-Teleph.

Stand.-Teleph.
Stand.-Teleph.
Stand.-Teleph.

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xAt0t Ediswan
XAI02 AF"MtX-OX Ediswan

XAl03 Ediswan

XBI03 Ediswan
xcl0l Ediswan
XD5O8I Westinghouse
xD5082 Westinghouse
XFI,IO Minneapolis

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||5t pnp BF 10 10 25 0,3 47 Russia
il5D pnp EF 10 10 25 0,3 30 Russia
ilb pnp EF di Potenza 16 10 50 0,5 70 50 Russia
ilB pnP BF di Potenza 16 10 50 0,5 70 50 Russia
l t t pnp BF di Pofenza 16 10 50 0,5 70 50 Russia
il6D pnp EF di Polenza 16 10 50 0,5 70 50 Russia
il7 pnp BF 10 10 26 0,3 47 Russia

illA pnp BF 10 10 25 0,3 30 Russia

Itb pnp BF 10 10 25 0,3 30 Russia
||lr pnp BF 10 10 25 0,3 30 Russia
iltD pnp EF 10 10 25 0,3 30 Russia
illE pnp BF 10 10 25 0,3 30 Russia
iltx pnp BF 10 10 25 0,3 30 Russia
illN pnp BF 10 10 25 0,3 30 Russia
il24 pnp BF 10 0,4 15 Russia
il2b pnp Commutazione 32 200 100 1 , 1 5 70 Russia
il3A pnp BF Polenza 30 2W
,44 36 50 Russia
il3b pnp BF Potenza 30 L,4L 2W 36 50 Russia
lt3B Pnp BF Polenza 30 4A 2W 36 50 Russia
n4b pnp BF Potenza 30 0,1 50 Russia
lt4b pnp BF di Potenza 30 0,1 50 Russia
il4r pnp BF di Potenza 30 0,1 50 Russia
il4D pnp BF di Pofenza 30 0,1 50 Russia
II5A pnp BF 10 l0 25 0,3 30 50 Russia
il5b pnp BF 10 10 25 0,3 30 50 Russia

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AMERICA: Red. Banck Div.. 201. Westwocd
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AMERICA: 100, Endicott St. Danvers, l'fass.
ITALIA: Via Durini 1 - Milano.
CLEVITE TRANSISTOR PR.ODUCTS (Abbr.
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ITALIA: Eme, Via Annunziata 31 Milano.
GENERAL ELETRIC Co. (Abbr. Gec)
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London W. C. 2.
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Trans.-GT)
AMERICA: 130, 90th Ave, Richmond Hill 18,
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AMERICA: 26, Cornelison Ave, Metuchen,
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delphia 44, Penn.
Ii!'ALIA: Pzza Cavour 1 - Milano.
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trTALIA: Piazza IY Novembre 3 Milano.
RADIO CORFoRATIoN OF A|{ERICA (Abbr.
RCA)
AMERICA: Somerville N. J.
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Modrone 21 - Milano
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AMERICA: 251, West 19th St. New York.
RAYTHEON MAN. CO. (Abbr. Rayth.)
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GERMAMA: Halske A. G. - Berlin.
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Trans,)
AMERICA: a03-407l,{ain St. Melrose 76 Mass.
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AMERICA: 195 Brodwav. New York.
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WESTINGHOUSE
AMERICA: New York.
ITALIA: Neon Scolari - \ria San Zeno B -
Milano.
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tem.iche che uanno oltre il concetto del
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necessitano di specialiat e di qualficati,

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aol,ot'o in posst:sso del, m,inimo di istruaione
necessaria o rnatrtenersi ctlpasso col costante
er;ol,xet's.irlella teotiru. - fn Italia le sole pub-
blitnziotri a itrlit'i:zo leorico-cul,tut,ale che
si,atzorrllu portdta dcll'olteruio, d.ell,oshtrlente,
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