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Aut or l zz, 2. 846 Tr l b. Bol ogoa
Dl r t t o r e Re s p o n s a b l l e
MONTUSCHI
GI USEPPE
TUTTI I DIRITTI RISERVATI
La riproduzione totale e
parziale dei testi, dei disegni, delle
caratteristiche
generali e
particolari del
presente manuale
rigorosamente
proibita per tutti i paesi'
Copvrisht 1960 in the ITALY
';-ATCMI
rllustnATA and SISTEMA
PRATrco
via T. Tasso 18 IIIOLA
(Ilologna)'
Atl riets reservecl. This handbook or any
parts thereof may
;;; b8-;"-p;;u.
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et de traduction,
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l;";;;;;Ar-.in
tambien
parcial de los, textos,.
grabados'
;tbr;;;' ci actnstl cas
dc l a
presente obra' est ri gurosa-
mende
brohibiclo
y ser
perseguido por la Ley'
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C o o p , T i p , G a l e a t l
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1 9 6 0
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L
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AVVENTO DEL TRANSISTORE
I
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I
I
,
La parola < Transistore > corre oggi sulla
bocca di molti.
Il profano che voglia vantare il suo appa-
recchio radio si limita a dire: < Il. mio un
apparecchio a transistori, e con tutta proba-
bilit ignora il significato di tale
parola o, tut-
talpi, sa che il transistore un qualchecosa
ehe sostituisce le valvole nei circuiti radio.
E non solo il
profano, ma anche una buona
parte di tecnici continua acl ignorare oggi I'in-
gtesso ufficiale e trionfale del transistore nel
campo della radiotecnica.
E' una
questione di pregiudizi? Forse.
I\Iolti tecnici temono infatti, nell'awicinarsi
a
questo nuovo rappresentan'te dell'elettronica,
di doversi sottoporre a chissa
quali studi o pro-
ve sperimentali difficili ed oscure
prima
di po-
ter acquistare, con il transistore,
quella fami-
liarit che, in anni di studi e
prove, hanno ac-
quisito, con la valvola termoionica.
Ma se
pensiamo per un momento che iI tran.
sistore soltanto un insieme di tre o
quattro
pezzettini di uno speciale cristallo, ai quali sono
uniti tre o quattro conduttori che costituiscono
i << terminali > del transistore stesso e lo con-
frontiamo con una valvola termoionica, cos
cornplessa nella sua struttura e cos esigente
nel suo impiego, verr da sorridere a chiunque.
Si
pu dire che il transistore un'opera
della natura, mentre Ia valvola termoioniea il
frutto di una lunga serie di elucubrazioni della
della mente dell'uomo.
Ed anche
questa volta la natura ci -stata
maestra di semplicit e ci ha rivolto un invito
che vale la pena di accettare e di seguire asso'
lutamente,
fl << Manual Transistor b che si aggtunge oggi alla lunga collana di pubblica-
zioni tecrnco-d,ioulgatiue ed,ite d,alle rwiste < La Tecnica lllustrata, e " Sistema
Praticor,
1rttr,
a
giusta ragone, considerarsi unlco al mondo nel suo genere.
La neeessit urgente di tutti i, tecllic, protessionisti o d,llettanti, di, po'sse-
d,ere un gtonhtuno di, cottsulrtazione rapi.da e sreu,ra, stto a
fornire
qu,alstasi no-
taia rcLati.aa a tutti tipi d,i tronsi,stori, oggi prod,o'tti dall'industria mondiale,
arnptamere
giustrficata dalle miglaia, d'i lettere
gi,unte, in proposito, alln no-
stro redazi,one.
Con
parttcol4;re motitso di, orgoglio, ad opera conclusa, ri'teniamo dn essere t'
pnim
o
po"ter contribuire, con successo, ad una.parte del.le-esigenze tecnt' che at-
hnli e a colmare altres una lacuna che s trascina ormai, d,a anni,
IL lungo e difficile lauoro di' indagini' e ri'cerche, che ha seueramente impe-
grwto Vopero dei nostrt, tecnr.c pe un peri,odo di tre anni, si stsolto attraaerso
un cammino irto di difti'col;t ed' impreuisti.
Nom sempre
presso Le industrie strani,ere d,ei pL lantani, paest
si ri,usci,ti ad
ottenere d,ati sicurt. e definitiui,
per essere alcuni ti,pi di transistori, ancora'mella
tase
sperimentale;
pur tuttaui,a ri,teniarno che i d,ati' essenzi.ali, i,n ogni, caso, siano
cunpresi nel presente manuale e che essx possol?,o mettere iL tecnico nelle condt-
zioni d,i
potemisoloere ogni problema
s
rli, superare ogni euentuale diffcolt rela-
th:a ai tronsistori, ed al, Loro impiego,
II "Manual Tronsistor " co'rnprende:
31
Una
parl e descri f t i va
general e sul l a t ecni ca e sul l ' i mpi ego dei t ransi sl ori ,
-
ampi ament e corredaf a di di segni ed i l l ust razi oni .
41
Una l unga seri e di t avol e f i guraf i ve i n cui appai o, no di segnat i , nel l oro aspet
v
to esteriore, tutti i transistori esistenti ed i loro collegamenfi.
O
il:r,|;::,:
sGquenza di tabelle recanti lufle te caraiterisfiche fecniche dei
Itrl Una serie di favole di comparazione ed equivalenza fra tutti i fipi di transi.
v
slori americrni, europei e
giapponcsi, in modo da permellere al tecnico una
rapida e sicura sosiiluzione di un tipo con allro pi comunemente reperibile
sul mercafo nazionale.
L.*-.-.....:- -.,--.. .=: ::-::..
- 1 -
L' INVENZIONE DEL TRANSISTORE
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{
Si pu affermare, senza tema di smentita,
che I'invenzione clel transistore dovuta sola-
mente ad un caso fortuito.
Fu nell'anno 1948 che, dopo la scoperta del
germanio,
fte scienziati americani: Bardeen,
Brittain e Shockley si accorsero ehe i cristalli
di
germanio potevano
comportarsi in modo si-
mile alle valvole amplificatrici.
Essi erano intenti a misurare la resistenza
ohmmica sulla superficie di un cristallo di
ger-
manio quando
si accorsero che, awicinando il
puntale positivo
di un ohmmetro al.
puntale
ne-
gativo
di un altro ohmmetro e premendo gli
altri due puntali
degli strumenti in due punti
della superfiee del cristallo, la corrente che
circolava tra i
puntali
di uno stesso strumento
passava
ne4'altro notevolmente amplificata.
L'amplificazione risultava tanto pi
sensibiie
quan'uo pi
vicini venivano mautenuti i due
puntali.
I tre scienziati americani si erano resi con
to che ci ehe awiene nell'alto vuoto delle
valvole, cio I'amplificazione di una corrente
elettronica, si verifica, bench in maniera assai
diversa, anche nell'interno dei cristalli di ger-
manro.
Il
germanio
un metallo raro scoperto nel
1938. Se esso si trova allo stato perfettamente
puro un isolante, quando invece vengono ag-
giunte ad esso delle tracee di << impurit >, co-
me possono
essere delle particelle di antimonio,
arsenico, alluminio o indio, il
germanio
diventa
un << semiconduttore >. Le impurit quindi
lo
rendono capace di lasciar passare la corrente
elettrica. senza farlo diventare un vero condut-
tore. come i metalli: esso himane una via di
mezzo tra
gli isolanti ed i conduttori, da cui
la parola < semieonduttore >.
Si era constatato
per
che, a seconda del
tipo di impurit aggiunta, il cristallo
presentava
delle caratteristiche elettriche ben diverse. In-
fatti se aI
germanio puro venivano aggiunte
delle
particelle di alluminio o indio, il cristallo
assumeva conduttivit
positiva. Ci significa
che se il
germanio viene inserito in serie ad
un contluttore a corrente alternata, attraverso
nd es.so
passano soltanto le semionde positive,
funzionando
quindi come un raddrizzatore di
corrente. In virt di
questo fatto appunto il cri
Unendo tra di loro due
pezzetti di
germa-
nio, uno del tipo < P >> ed uno del tipo << N >>,
si ottiene una eellula raddrizzatrice capace di
far luire la corrente in un solo senso.
Per
quanto abbiamo detto a proposito dei
clue tipi di
germanio, possiamo ben compren-
dere ora come la corrente erogata da una pila
possa fluire attraverso
questa cellula raddriz'
zatrice solo se iI morsetto
positivo viene colle-
gato al
germanio << P > ed il morsetto negativo
al
germani o <N> (fi g. 1)'
Invertendo i morsetti della
pila, la corrente
incontrerebbe una
grande resistenza e non riu-
scirebbe a passare.
In
questo modo riteniamo di aver interpre-
tato il fenomeno della semicontluttivit dei cri-
stalli.
GERMANI O <P> F GERMANI O
( ND
stallo di
germanio,
recante tracce di alluminio
o indio venne chiamato << Germanio P >.
Quando
invece al cristallo puro venivano ag-
giunte particelle
di antimonio o arsenico era
possibile
constatars che il germanio
acquistava
condutiivit negativa. Ci significa che se
que-
sto tipo di
germanio
viene posto in serie ad un
conduttore a coruente alternata, attraverso ad
esso passano
soltanto le semionde negallve.
Riassumendo perci quanto
detto dobbiamo
ricorclare che:
GERMANI O << P >r: i l
germani o recanl e l racce
di al l umi ni o o i ndi o. E' det f o
germani o
< P >r perch presenta una carenza di elet.
t roni l i beri ed qui ndi
a condut t i vi t
positiva.
GER|vIANIO << N >r: il germanio recanie tracce
di ant i rnoni o o arseni co. E' del t o
germa.
nio < N >: perch presenla
un eccesso di
el et t roni l i beri ed
qui ndi
a condul f i vi f
negaliva.
L' UNI ONE DEI DUE TI PI DI GERMANI O E LA CORRENTE ELET RI CA
STRUMEN I NO
I
I
=i
- 2 -
IL TRANSISTORE
Fig, 2
Il transistore altro non ehe uua sovrap-
posizione
di tre pezzetti
di cristallo di
germa-
nio, due dello stesso tipo ed uno di tipo oppo-
sto. Awemo in tal modo la possibilita
di co-
struire due tipi diversi di transistori: il PNp
ed il NPN (fig.
2 e fig. 3).
PNP: oltenuto con uno sfraio di germanio po.
sitivo, uno strato negafivo ed uno sfralo
posilivo (fie. 2).
A ciascuno dei tre strati di cristallo colle-
gato
un conduttore che costituisce il terminale
al
quale
va saldato il collegamento secondo lo
schema elettrico di impiego del transistore.
Risulta cos possibile
disporre di transistori
a conduttivit positiva (PNP)
e di transistori a
conduttivit negativa (l{PN), il che ci porta
a
considerare un'ulteriore differenza esistente fra
valvole termoioniche e transistori.
Una valvola infatti non pu
risultare che a
conduttivit negativa; infatti gli
elettroni ven.
gono
sempre emessi dal catodo e attirati dalla
placca
e per tale ragione alla placca
viene sem-
pre
applicata tensione positiva,
mentre sul col-
lettore del transistore (che
considereremo quale
placea)
saremo in presenza
di conduttivit ro-
sitiva o negativa a seconda della disposizioe
degli strati dei cristalli N e
p.
NPN: otl enufo con uno sl ral o di germani o
ne.
gafivo,
uno slrato positivo
ed uno strafo
negativo, (fiC'.
3).
Se il transislore risulta NpN (conduttivit
negativa) il collegamento awerr come nel caso
di una valvola e
precisamente:
-
emittore aI negativo della pila;
collettore
al positivo
della pila
stessa (fig.
I a destra).
Se il transistore risulta PNp
(conduttivit
positiva)
il collegamento risulter inverso e cio:
-
emiftore inserito al positivo
della pila;
colettore al negativo della stessa (fig.
I a
sinistra).
Il funzionamento di un transistore PNP e
di un transistore NPN risulta identico.
I TERMINALI DI UN TRANSISTORE
Le valvole termoioniche sono dotate di pie.
dini ai quali
sono collegati, internamente alla
valvola,
i vari elettrodi (plaeca,
catodo, griglia,
ecc.).
Qualdo
ci troviamo alle prese
con ilia
valvoia sconosciuta, di cui non conosciamo la
disposizione degli elettrodi rispetto ai piedini
dello zoecolo, facciamo ricorso ai
prontuari per
valvole. Dal prontuario possiamo
sapere a quale
piedino
corrisponde la placca,
a quale
la gfi-
glia,
ecc. I
La stessa cosa avviene anche per i transi.
stori, ma in maniera assai pi
semplice. In.
tanto, per essere i transistori sprowisti di fi-
lamento, le cose sono molto pi semplificate
in quanto
vengono gi
a mancare due condutto.
ri. Nella maggioranza dei casi i transistori sono
dotati di soli tre terminali (esistono peraltro,
- 3 -
. . -:...,^.t ..
come vedremo in seguito, transistori speciali
provvisti
di quattro
terminali).
I tre terminali prendono
il nome di:
-
Elyt-i-TTORE (paragonabile
al catodo della
valvola).
-
BASE (paragonabile
alla griglia
della val-
vola).
-
COLLETTORE (paragonabile
alla placea
del-
la valvola
-
vedi fig 4).
L'Emitiore cos chiamato perch
svolge
il compito di < emettere > le cariche elettri-
che che poi vanno a formare la corrente di
base e quella
di collettore.
L'emittore quindi pu
essere considertto co.
me un distributore di corrente. un elemento
cio comune aI funzionamento degli altri due.
I
I
Esso
paragonabile al catodo della valvola
termoionica che emette elettroni.
ll collettorc cos chiamato
perch rac-
ooglie la corrente amplificata del transistore e
potrebbe essere
paragonato alla placca della
valvola, sia che ad esso si applichi tensione
po-
sitiva
(Tipo NPN) che tensione negativa
(Ti-
po PNF).
La base. che costituisce I'elemenito interme-
dio del transistore, cos chiamata
perch su
di essa basato il funzionamento del transisto-
re; infatti la corrente amplificata nel colletto-
re dipende esclusivamente dalla corrente di
base.
Essa pu venire
paragonata alla griglia della
valvola termoionica,
COLLETTORE
EMTTTOSE
GRIGLIA
Fi s. 4
r"$
COME RICONOSCERE I TERMINALI
E
(emi ttore) -
B (Base)' C
(col l ettore)
Se non si conosee un sistema di classificazio-
ne a vista
per la determinazione della catego-
ria NPN o PNp, esiste
per un metodo
pratico
che ci
permette la facile individuazione dei tre
terminali E, B, C.
Suli'involucro esterno di ogni transistore
appare un puntino colorato, corriE)ondentemen-
te al
quale viene a trovarsi il collettore,
per cui
-
considerato come al centro dei tre risulti
sempre la base
-
I'opposto al colleftore risul-
ter I'emittore
(fig. 5).
Ncl caso sull'involucro non esistesse traccia
del
puntino colorato di riferimento, terremo
presente come
-
cousiderando in ogni caso il
terminale centrale
quale base
-
il pi distante
da
quest'ultimo risulti iI colleltore ed evidente-
mente il pi vicino sia I'emilfore.
Transistori di tipo speciale e di
potenza di
BF,
presentano disposizione di terminali diversa
COME DISTINGUERE PRATICAMENTE UN
Ogni transistore
porta impresso nel suo in-
volucro esterno una sigla caratteristica. Me'
diante
questa sigla, facendo uso delle tabelle
incluse nel nostro manuale, possibile cono-
scere se il transistore del tipo PNP o NPN.
Nel caso, tuttavia, che la sigla non fosse
leggibile, oppure non
_si
abbia sottomano il n0-
stio manual, si
potr ricorrere ad un metodo
empirico, assi semplice,
per stabilire il tipo di
transistore in esame.
Il
procedimento
illustrato a figg. 6 e 7.
L'ohmmetro chLr si deve usare dovr avere
una
pila possibilmente da 1,5 volt, in quanto un
voltaggio superiore
potrebbe comprom-ettere
per
sempi il buon rendimento del transistore.
Questo
genere di controllo consiste nel mi-
surare la iesistenza esistente tra la base del
transistore e
gli altri due terminali.
da
quella presa in considerazione,
pe,r cui rite-
nemmo opportuno e utile riportare le zoccola-
ture. al fine di facilitare al Lettore il ricono'
scimento dei terminali
(fig. 5).
Fi g. 5
TRANSI STORE TI Po PNP oaI TI PO J{PN
SE l L TRANSISTORE E' DEL TIPO PNP: col -
legando il puntale positivo dell'ohmmetro
alla base del transistore e il purtale nega-
tivo prima in uno e poi nell'altro terminale
del transistore. si dovr misurare una bassa
resistenza (fig. 6).
Se invece si collega il
puntale
negativo
del'hommetro alla base ed il puntale
Xrosi-
tivo agli altri due terminali si dovr leggere
sullo strumento una resistenza elevala.
SE l L TRANSITORE E' DEL TIPO NPN: eol -
legando il puntale positivo dello strumento
alla base del transistore ed il
puntale ne-
gativo prima in uno e
poi nell'altro trmi-
nale del transistore, si dovr leggere sullo
strumento una resislenza elevala
Gig.
7).
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BAssA
Rr st sTI NZ A
E- 8 sASsA
R[ : t sT e NZ A
Fi g.
NPN
. E- B
ALTA R[ st sTr NZA
Fig. 7
B- C
ALTA RTSI STENZA
- 5 -
I

i
Se invece si collega il puntale negativo del-
lo strumento alla base ed il puntale positi-
vo agli altri due terminali del transistore
si dovr leggere sullo strumento una bassa re-
sistenza.
Negli scherni elettrici la distinzione fra i
transistori di tipo PNP e NPN molto sem-
plice. Il simbolo elettrico del transistore co-
stituitc da un piccolo
disco dentro il
quale ap-
paiono tre trattini. Il trattino
pi grosso sta
ad indicare la base, il trattino semplice indica
I'emittore ed il trattino recante la freccia in-
dica il collettore. Se la freccia di
questo
terzo
trattino rivolta verso la base si tratta di un
transistore del tipo PNP; se invece la freccia
rivolta verso l'esterno, cio opposta alla base, si
tratta di un transistore del tipo NPN
(fig. 8).
@_e
. PNP
NPN
Fi g. 8
COME SI PROVANO I TRANSISORI
Come per le valvole esiste uno strumento
chiamato
provavalvole
capace di segnalare Io
stato di.efficienza della valvola esaminata, cos
anche per
i transistori esiste uno strumento ana-
logo capa.ce di segnalare lo stato di efficienza
di un transistore. Se
questo strumento non
esistesse ancora sul mercato nazionale all'atto
della pubblicazione del presente manuale, con-
sigliamo il Lettore di ricorrere al N, 1, anno
1960, detla rivista < Sistema Pratico >>. In
que-
s,to numero della rivista viene ampiamente il-
lustrato
questo
tipo di strumento sotto il nome
di << Transistometro-Diodometro > ed il Lettore,
segrrendo l'articolo illustrativo ed i relativi sche-
mi riportati molto chiaramente, sar in grado
di potersi autocostrui re Io strumento.
Il Lettore, giunto a questo punto, si sar chie-
sto per quale motivo esistono
questi
due tipi
di transistori,
quando
si deve usare I'uno e
quando I'altro e
quali
differenze esistono
tra i due.
Per tali domande non esiste una risposta
tecni ca.
La differenze fra i dne tipi comporta sola-
mente un diverso collegamento della pila nei
circuiti in modo da far giungere la tensione
po
sitiva al colettore se iI transistore del tipo
I MPI EGO DE! TRANSI STORI NEI CI RCUI TI
Fi g. l 0
NPN e tensionq negativa se il transistore del
tipo PNP. L'impicgo clel transistore
nei eircuiti
radio risulta molto semplice. In fig. 9 rappre-
sentatc lo schema di impiego del transistore
tipo PNP, mentre in fig. 10 rappresentato
quello del tipo NPN.
Come si osserva in entrambe le figure.il se-
gnale da arnplifieare vifne applicato alla'base
del transistore ed esce amplificato dal collet-
tore.
1J
ii
j
I
Fi s. 9
- 6 -
i l I ORME DA OSSERVARE NELL' I MPI EGO DEI TRANSI STORI
Nel caso si applichi ad un transitore po-
larit diversa dalla richiesta. il medesimo facil-
mente andr fuori uso, per cui effettueremo con
attenzione e cognizione di causa i collegamenti
dcll' emittore e collettore del transistore ai ter-
minali della pila.
I transistori vengono danneggiati se inve-
st i t i da cal ore eccessi vor cos . nel caso dob-
biate
procedere alla saidatura dei terminali,
eviterete di ridurre
gli
stessi in lunghezza
-
cio non li accorcerete come visibile a fig. 11
-
o, nel caso I' accorciamento si rendesse necessa-
rio, opererete in maniera tale che il saldatore
non abbia a
permanere a lungo a contatto del
terminale (fig. 12); un sistema razionale da usa-
re nel corso di saldatnra dei terminali sar
quello di stringere i terminali stessi fra i bec-
chi di una
pinza, s che il calore venga assor-
bito e disperso dai becchi della pnza medesi-
ma (fig. 13).
Nel corso di funzionamento, il transistore
\ra soggetto a riscaldarsi, raggiungendo anche
i 40-50" centigracli. Terremo
presente al
pro-
posito come
pi
il transistore si riscalda,
,mi-
ore ri sul t i i l suo rendi ment o,
per cui
' sar
nostra cura non affogarlo fra
gli
altri com-
ponenti il complesso, bens sistemarlo in ma-
niera che I' aria ne lambisca I' involucro.
Nel caso speclfico di transistori di
potenza,
che a volte raggiungono temperatttre dell' or'
dine di 100" centigradi, useremo l' acco,rtezza di
applicarli su basette metalliche, al fine di con-
sentire ed anzi favorire la dispersione del ca-
l ore.
TRANSI STORE A PUNTE
Il transistore a
punte appartiene ormai alla
storia. Esso stato superato ormai dalla tecnica
e costiuisce soltanto un ricordo dei
primi
tran-
sistori costruiti subito clopo la scoperta della
serniconduttivit del
germanio.
Il transistore
a
punte . stato il
primo
transistore costruito
e messo in ccmmercio. Era costituito da un
pezzetto di
germanio sul
quale poggiavano due
punte di tungsteno
(fig.
14);il pezzetto di
germa-
nio corrispondeva alla base del moderno transi-
store, mentre le due punte metalliche funziona-
vano rispettivamente da emittore e collettore.
L' amplificazione con tale transistore era assai
bassa ed il transistore stesso si
presentava fragile
ed instabile. Questi
fatti conclussero i fisici
allo studio di un transistore
pi compatto e
pi u
sensj hi l e.
Pcrci I e due
punt -e met al l i che
venncr o i n scgui t o sosl i t ui t e con due
pl ast r l ne
di
germanio P ecl N rispettivamente'
TRANSISTORE A GIUNZIONE
Abbiamo visto precedentemente
come sta:
to possibile
ottenere due tipi diversi di cri"
stalli di
germanio:
il tipo P quando al
ger-
manio venivano associate tracce
,di
alluminio
o indio ed il tipo N quando le impurit ag-
giunte
erano antimonio od arsenico.
Le impurit di alluminio o indio aggiunte
al
germanio
hanno la facolt di captare elet-
troni dal
germanio
che, risultandone in tal mo-
do impoverito, acquista teoricamente una carica
positiva.
Le impurit di arsenico e antimonio ag-
giunte
al germanio hanno la facolt di cedere
al cristallo puro degli elettroni, conferendogli
in tal modo teoricamente una carica negativa.
Non si
pensi
assolutamente che i due tipi
di germanio
costituiscano singolarmente due
cariche elettriche, altrimenti sarebbe possibile
con essi costruire nna pila.
La verit che I'aggiunta di impurit al cri-
stallo provoca solamente, in seno ad esso, una
separazione di eariehe positive e negative che
sommate tra di loro si neutralizzano.
Il transistore a
giunzione
costituito da
due blocchetti di
germanio
della stessa
qua-
lit con interposto un altro blocchetto di
qua-
lit opposta. I tre blocchetti sono uniti tra di
loro mediante un procedimento
chimico.
. La piastrina
di
germanio posta
al centro
costituisce la base di questo
transistore. Con
questo procedimento quando
la piastrina inter-
posta
del tipo" N ed i due cristalli laterali
sono del tipo P si ha un transistore a
giun-
zione del tipo PNP (fig.
2 pag. 3).
Quando
invece la piastrina interposta del
tlpo P ed i due cristalli laterali sono del tipo N
si ha un transistore a giunzione
del tipo NPN
(fig.
e
pag.
3).
Questi
transistori appartengono al tipo
pi
diffuso ed utilizzato e trovano largo impiego sia
nei circuiti di bassa frequenza che in quelli
di media frequenza.
TRANSISTOR.E A BASE SOTTILE
(surface barrier)
I .
I
t
I transistori a
giunzione
ora descritti, pur
essendo malto pi stabili e pi robusti dei tran-
sistori a
punte, presentano
un
piccolo incon-
veniente e cio la loro frequenza limite molto
bassa; ci significa che un transistore a
giun-
zione non pu funzionare in circuiti ad alta
frequenza perch non riesee acl amplificare se-
gnali di frequenza elevata.
Assottigliando la base succede
per
che i
due strati che costituiscono l'emittore ed il
collettore, awieinandosi considerevolmente, si
comportano come Cue
placche di un conden-
satore. Una capacit troppo elevata tra emit-
tore e collettore riduce di molto il
potere am-
plificatore del transistore alle frequenze ele-
vate. Per diminuire
questa
capacit, molto dan-
nosa
per le alte frequenze, oltre che ridurre
lo srtrlessore della base, necessario diminuire
le dimensioni degli strati che costituiscono'l'e-
mittore ed il collettore.
Un transistore a base sottile costituito
quindi,
come si vede in fig. 15, da uno strato,
che costituisce la base, assottigliato al eentro,
e sopra il quale
si trovano due depositi molto
ridotti di
germanio
del tipo P ed N, che costi-
tuiscono I'emittore ed il collettore. uniti me-
diante
processo
elettrochimico e sufficienti a
ricevere le connessioni di un terminale.
In
questo
modo i due strati che costitui-
scono I'emittore ed il collettore, risultando di
dimensioni molto ridotte, riducono di molto la
capaeit del transistore, il
quale riesce ad am-
plificare
segnali ad alta frequenza sia nelle
onde corte come nelle cortissime.
D
Fi g. 15
I
I
!
- 8 -
,
J
r
Y
{
rl
t,
l
t
IRANSISTORE
A STRATO
AGGTUNTO (drifr)
supenort ai Z0 volt.
pertanto,
qualora
si vo
glia
usufruire di tensioni supriri i zO
-vtt
cio vo'lendo lavorare con iorti ten.sio"i
-*,
rransts[orl pertanto
vengono impiegati come
amplifieatori per l,alta frquenza
e"ome icit-
taton
nei circuiti radio FM ed in ouelli ner
iori- ai 20.volt.
pertanto,
qualora
si vo-
tl1l1*!oTi
.pertanto-
vengon impiegati
-come
cio, vo,lendo lavorare con ?orii teroioii
'iii
televisione.
ed in quelli per
.
E' stato detto precedentemente
che con: il
transrstore
a base sottile si riesee ad amplifi_
eare.segnali.
a freqgenze
elevate in quantoGso
possrecfe
.tutte
quelle
caratteristiche-necessarie
p-er
lunzronare
da amplificatore
di segnali ad
alta frequenza.
$oqhe
qqesto
transistore presenta
un incon-
veniente.
Infatti disponendo
i u" tiii niito
sottrle non Io si pu
far lavorare con tensioni
collettore (superiori
ai B0 volt), il;-;; ;o_
sfrurre un transistore
speciale, un transistore
c.he, pur
disponendo
di una base mii-lt-
trle. non presenti una elevata capacita
tra emit_
tore e collettore. Partendo
da u-n transistore
a
giunzio_ne
_si-
in_terposto
tra la ptaca
i-Use
e queila
clel collettore uno strato neutro, in
mo-do da allontanare
tra di loro U fiJriA'if
collettore.
Questo_,strato aggiunto
non altro ehe un
pezzetto
di.germalio puro (fig.
16) collesato
ad un terminale che nirmah-nte
iiene-p-oiro
a massa. In molti casi questo
strato viene-indi_
glto qon le lettere S, M o I
(strato
aggiunto o
massa).
In questo
tipo di transistori pertanto
com_
pare.
u! quarto
terminale. La successione dei
ternrinali quasi
sempre: E-B-S-C-
-.
I transistori
a stratb aggiunto possono
am.
plificare_
fa.eilmente,
a senda
df
-l;
il"-
quenzg
delt'ordine
di 60, 100, 400 MIIz.
uesti
I transistori
a strato aggiunto possono
es-
s.erc sia del-tlno eWe
ffig. 16I che del tipo NpN
(trg.
17). Nel primo
caso il transistoie sar
PNSP e nel seondo caso fSll.
_O.-ccorre
far presente per
che i transistori
< clnft > vengono scmpre e solamente indicati
con PNP e NPN, tralsciando Ia lettera S.
.
In molti schemi americani lo strato agsiunto
viene indicato con la lettera t e
pertito
si
possono
_trovare .
sigle del tipo
pNfp
o NpIN;
cr rrcorderemo
in tal modo, quando
ci trove-
rero alle prese
con tali transistori, che essi
sono del tipo << Drift > o << Strato ggiunto >.
8 S
8 S
TRANSISTORE ETRODO A GIUNZIONE
Nella parte
deserittiva generale
abbiamo
valvole con un
considerato
il tra'sistore. analogamente ad una
r[r]o, t-e.iioa,
valvola triodo. Per risaput come esistano Cosi anctr'
maggior numero di elettrodi
pentodo,
ecc.).
per
i transistori si costruito
PLACCA
-q
CATODO
- 9 -
GRI GLI Al
GRI GLI AE
un tipo a
giunzione munito, di un quarto elet'
trodo.
Questo
quarto elettrodo
pu
essere
pa-
ragonato alla
griglia schermo della valvola ter'
moionica
(fig. 18) e, come
questa, esso riceve
unicamente una tensione di
polarizzazione fissa
e non svolge alcuna azione di comando.
Con tale accorgimento si ottiene in defini-
tiva una riduzione della resistenza di base e
della capacit tra emittore e collettore,-confe-
renclo al transistore
quelle caratteristiche tali
da
poterlo far fu:rzionare come amplificatore
ner le alte frequenze.
I transistori
-
tctrodi dispongono di
quattro
elettrodi denominati E-81-C-82
(fig.
19). La ba-
se 2
(82)
costitni'sce il
quarto elettrodo che ri
ceve la
polarizzezione fissa e che corlisponde-
rebbe all
griglia schermo di una valvola elet-
troni ca.
I transistori tetrodi servono come arnplifi
catori di alta e media frequenza,
per onde me'
di e e corte.
Anche
qtlesto tt' ansistore, come i tipi
pre'
ceCenti,
pu essei' e del tipo PNP o NPN.
I
I
Fi e. 19
n l
TRANSI STORI A DOPPI A BASE
(uni gi unzi one)
FOTOTRANSISTORE
In molti tipi di circuiti, nele calcolatrici
elettror:iehe, negli interruttori a tempo, in rel
elettronici. necessario uno speciale transi-
store, costituito sclamente da due strati PN
o NP. Gli elettro<ii di
questo speciale transi-
store sono sempl'c tre. In luogo di emittore-
base-collettore, com' per
i normali transistori,
troviamo come tel'minali un emittore, una ba'
se 1 ed una base 2
Per una migtiore comprensione
prendiamo
il transistore tetrodo di fig. 19 e togliamo ad
sso lcr strato che costituisce il collettore: il
rlsultato sar
quello di ottenere un transistore
unigiunzione
(fig. 20).
Un'altra
propriet interessante del
germanio

quella di essere sensibile alla luce. I fototran-
sistori si comportano in modo diverso dalle cel-
lule fotoelettriche. Infatti, mentre le cellule fo-
toelettriche
quando vengono colpitg dalla luce
erogano corrente, il fototransistore, colpito dalla
Iuce, fa variare solamente la sua resistenza in-
terna che diminuisce.
In altre parole iI fototransistore si com'
oorta come una resistenza di valor.'e elevato
h", u" colpita dalll luce, diminulsce di valore
lasciandosi attraversare facilmente dalla cor-
rente.
Ccme si vede I' i nfl uenza del l a l uce ha una
granCe importanza
per
i transistori e
questo

pure il motivo per cui essi vengono costruiti
con una protezione metallica, oppure ricoperti
da una speciale vcrnice nera che li
protegga
dalla luee.
Nei fototransistori invece,
pure essenilo ri-
coperti da una spr:ciale vernice nera, viene la-
sciata srcoperta una
piccola parte che co$itui-
sce la << finestra
'>
Ccstinata a ricevere le va-
riazioni di luce.
- 1 0 -
I I
;
I
t
I
;
i
1
Fi g.
2l
PNP
Fi g.
22
NPN
P N P
Bz
Fi s,
24
N P N
B 2
Fi g.
25
P N P
Fi s.
26
P N P
Rappre sentazioni simb olche
dei ?R,4NSISTORI
usate negli schem radioelettrc
l\\
\
B
Fi s'
27
PNP
Fig. 2l
-
Rappresentazione simbolica del transistore a giunzione o a
punte tipo PNP. Nella figura
-
si n-ota come, per il tipo PNP, il trattino indicante I'emitiore porti, alla sua estremit
una freccia rivolta verso la base.
Fig. 22
-
Rappresentazione simbolica del trasistore a giunzione o a punte tipo NPN. Nella ffgura
-
si n-ota come, per il tipo NPN, il trattino indicante I'emiflore
porti, alla sua estremit, una
freccia diretta verso I'esterno.
Fig. 23
-
Rappresentazione simbolica del transistore a sfraio aggiunlo. In figura si nota il quarto
cogamento, indicato con la lettera S; in molti schemi questo collegamento viene tal-
volta volontariamente omesso
(molte volte la lettera S sostituita con la lettera I). I1
tipo rappresentato il PNP, come si vede dalla freccia posta nel trattino dell'emittore
e rivolta verso la base.
Fig. 24
-
Rapprewrtazione simbolica del transistore letrodo. Con 81 si indica la base di controllo
-
mentre con 82 si indica la base d
polarizzazione.
Il transistore tetrodo si
pu distin-
guere pure con la sua sigla che
quasi
sempre preceduta dal numero 3
(esempio:
3N23A
aNZS
-
3N30, ecc.). In figura rappresentato il tipo NPN come si pu facilm,elte no-
tare dalla frccia
posta nel trattino dell'emittore e rivol,ta verso I'esterno del dischetto
nero.
Fig, 25
-
Rappresentazione simbolica del transistore lefrodo che si differenzia da
quella tappre-
-
prsentata in figura 24 soltanto
per il tipo che PNP come del resto si
pu, facilmente
notare dalla frccia indicatrice
posta
nel trattino dell'em.iftore che rivolta verso la
base.
Fig. 2
-
Rappresentazione simbolica del transistore
< a doppia base >> o << unigiunzione_>. In
questo
-
tipo- di transistore manca il collettore ed i tre elettrodi sono costituiti dall'emittore e
da due basi.
Fig.27
-
Rappresentazione simbolica del fototransistore. La rappresentazione ar?aloga
3
Suetl-q
-
de[ iransistore a giunzione; l'unica differenza, come si nota in figura, I'aggiunta di
una o pi frecce nella paite
esterna e dirette verso il cerchietto nero:_queste
frecce
stanno ad indicare il fascio di raggi luminosi che vanno ad eccitare il fototransistore.
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a
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- 1 1
-
GUIDA ALLA LETTURA DELLE TABELLE RELATIVE ALLE CARATTERISTIC}IE
DEI TRANSISTORI
Le tabelle relative alle caratteristiche dei
transistori sono divtse in dodici colonne.
l " Col onna
Nella
prima colonna sono eleucate'
i4
or-
dine numrieo ed alfabetieo, le sigle di identi'
ficazione di tutti i transistori.
?" Col onna
Nella seconda colonna indicato il tipo di
transisto,re
(PNP -
NPN). La conoscenza di tlue-
sto elemento fondamentale agli effetti del
colljegamento delle
polarit dell'alimentatore.
Praticamente nel tipo PNP il coilettore va
collegato al
polo negativo della
pila e I'emit-
tore al
positivo; nel tipo NPN invece il collet-
tore va collegato al
polo positivo e I'emittore
al
polo negativo.
3' Col onna
Nella terza colonna indicata la destina'
zione di impiego del transistore. Viene indi
cato cio se il transistore adatto
per l'alta
frequenza oppure
per la media o per la bassa
frequenza, oppure se destinato ad usi speciali.
Le abbreviazioni indicate sono le seguenti:
AF. Transistore adatto a funzionare in eircuiti
atl alta freqttenza, come anrplifieatore ed
oscillatore.
OX
.
OSC. Transistcre adatto ad essere impie-
gato
com oscillatore in alta frequenza;
pu
anche
peraltro funzionare
quale amplifica'
tore in alta frequenza.
BF. Transistore
praticamente ttsato
per tutti
quei montaggi tlove occorra amplificare una
tensione a basse frequenza.
BF-preannplif. Transistore da usare in preva'
lenza come
prearlplificatore di bassa fre-
quenza in
quanto dotato di basso nrmore
di fondo.
BF finale. Transitore
per circuiti a bassa fre-
quenza
di meilie
potenza da rrsare come am-
plificatore finale singolo od in circuiti in
controfase
(push-pull).
BF.potenza. Transrslore di BF cspace di ero'
gare una elevata
potenza di uscita e da
impiegare
quale amplificatore ffnale sin-
golo od in circuiti in controfase
(push-pull).
BF-militare. Transistore di bassa frequenza im-
picgato dalle fcrze armate.
Appl. Elettr. Transistore adatto
per bassa fre'
-
quenza, ma costruito specificatamente
per le
calcolatriei elettroniche.
Appl. Varie. Transistore adatto
per
bassa fre-
quenza ehe pu servire
per diversi scoai;
ad esempio come oscillatore di BF, AF'.MF
a seconda della sua frequenza limite di la-
voro.
MlX. Transistore da utilizzate come miscela'
tore nello stadio convertitore di una sup+
reterodina;
questo transistore funziona an'
che ottimamnte come amplificatore di AF.
MF. Transistore
per AF costruito
per essere
impiegato
qual amplificatore di media fre-
qunr in n circuito supereterodina.
COMM. Transistore adatto
per
calcolatrici elet-
troniche che
pu servire in molti casi come
amplificatore di BF ecl oscillatore di BF-
BF al silicone. Transistore adatto
per BF e
norrnalmente usato come transistore di
po-
tenza.
Questo
tipo di transistore anzich
al germanio costruito al silicio. Ha il van'
taggio di
poter sopportare temperature su'
periori anche ai 1000 C.
FOTOTRANSISTORE.
E' un transistore sensi
bile alla luce. Viene utilizzato in luogo di
cellule fotoelettriche.
VHF. Transistore adatto come amplifieatore ed
oscillatore
per freqtlenze utr,tragorte {nor-
malmente impiegato nei ricevitori TV ed
FM).
Oscill. Sincr. TV. Transistore molto utilizzato
nei circuiti di sincronismo TV'
Calc. Eleftr. AV. Tlansistore utilizzato nelle
calcolatrici elettroniche. Pu essere anche
utlizzato nei circuiti a bassa frequenza.
Confatore AV
-
Transistore costruito
per cal'
colatrici elettroniche che
pu anehe essere
usato in BF.
Comm. Conf. HV. Transistore
per calcolatrici
elettroniche.
4' Colonna
(tensione massima al collettore).
In
questa colonna viene indicato il valore
massim della tensione che si
pu applicare
al collettore. Esso costituisce il valore della
tnsione di
punta mentre in normali eondizioni
di lavoro la-tensione da applicars al eollettore
non dow superare la met del valore da noi
indicato in
questa colonna.
5" Colonna (eorrente massima al collettore)-
Nella
qriinta colonna indicato il valore
massimo dila corrente di collettore; anche in
questo
caso occorre dire che in normal condi_
zioni di lavoro la corrente di co,llettore nora do-
vr superare la met del valore indicato in
questa
colonna.
" Colonna (dissipazione
in milliwatt
del col_
lettore).
Tutti i numeri indicati in questa
colonna
indican,o in milliwatt il valore
-
della
potenza
dissipata in calore dal collettore.
Nei
^.asi
in
cui la potenza
dissipata assume valore
-iile-
vante, accanto
al numero riportata la let_
tera W' che sta ad indicare la rnisura in watt,
Le potenze
indicate si riferiscono
ad una
temperatura ambiente di 2b" e ad una appl_
cazione corretta dei transistori.
euesti.'' se
sprovvisti di aleite di raffreddament,
dovran_
no essere applicati sopra piastre
di raffredda_
mento e, in ogni caso, sia le alette che le pia-
stre non dovranno mai superare i 80..
Sono esclusi cla questi
accotgimenti
i tran-
sistori al silicio che possono
funzionare
a tem_
perature
anche superiori ai 100o.
7" Colonna
.(Frequenza
limite di lavoro in MIIz).
In questa
colonna espressa la frequenza
massima di lavoro alla quale
si pu
fai fun-
zionare il transistore per
ottener da esso, il
massimo rendimento.
euesto elemento molto
importante ai fini di impiego del transistore
specialmente per
i tipi ad tta frequenza. In
Dassa rrequenza questo
dato acquista impor.
ta-nza pe-r
_la _progettazione
degli
-amplificaiori
ad alta fedelt.
8" Colonna (coefficente
di amplificazione).
_
In questa
colonna indicat il coeffiente
di amplificazione
dei transistori. Tale dato
molto im.portante
ai fini delle progettazioni
de-
gli
amplificatori
di bassa freqenla per
sapre
se un transistore amplifica pi
di un altro-.
9" Colonna (guadagno
in decibel).
I numeri indicati in questa
colonna espri-
mono in decibel il rapporto tra la tensioae el
segnale. di bas,sa frequenza
alla sua uscita e
la tensrone del segnale di alta frequenza alla
sua entrata.
Nel caso di fonorivelatori, per
tensione di
entrata- s'intende quella
a bassa frequenza fnr
nita dal fonorivelatore
stesso.
euest
rapporto
prende
il nome di guadagno
dell'apparecchi
radl o.
10" Colonna (potenza
d'uscita in milliwatt).
Tutti i numeri indicati in
questa
colonna
esprimono in mIV la potenza
d'uscita. in bassa
frequenza, di un transisto.re. Con
qiesti
dati
ci si
pu
rendere conto se un transistore do-
tato di potenza
sufficiente a pilotare
un altro
transistore o a far funzionare- un altoparlante.
In molti casi essendo troppo picco,la
l misura
fatta in milliwatt
si - preferito
esprimere
la potenza
in watt. Cos ad esempio tiovando
scrittg bW si deve intendere
b
-watt
e non
5 milliwatt.
ll' Colonna
(connessioni
del transistore)
Normalmente
si crede che le connessioni
dei transistori
siano tutte disposte nello stesso
ordine lr-B-C- (emittore-base-collettore).
Le con-
nessioni di molti transistori sono disposte in-
vece in modo diverso tanto da potel
creare
co-nfusione non solo al principianfe
ma anche
all'esperto.
Il numero indicato in questa
colonna cor-
risponde allo zoccolo figurato nelle tabelle.
In certi casi per
si leggeranno
due nu-
meri affiancati.
Questi
due numeri si riferi-
scono a due transistori, con relative connes-
sioni, disegnati uno di fianco all'altro nelle
tabelle, i quali, pur
avendo la stessa sigla di
riconoscimento
e pur presentando
le stesse ca-
ratteristiche, sono costruiti da case diverse e
presentano quindi
una conformazione esteriore
diversa, un involucro, cio, di forma non stan-
dardizzata.
In molti casi in questa
colonna stato o
messo il numero di conispondenza con le ta-
vole. Ci dovuto al fatto-che le case costrut-
trici non ci hanno inviato il disegno. Tuttavia
il Lettore, avendo sottomano il tiansistore di
cui vuol conoscere le connessioni. scorrendo le
tavole figurative, potr
essere dicuro di tro.
vare la flgura del suo transistore,
e le ref,a-
tive connessioni. Nelle tavole figurative infatti
sono
4isegnati
tutti indistintamente
i transi-
stori di produzione
mondiale.
l2n Colonna (casa
costruttrice),
In questa
colonna sono indicate le sigte
corrispondenti
alla casa costruttrice
del trn-
sistore.
Ques,to
-
dato, che a tutta prima potrebbe
semDrare di relativa importanza,
costituisce in-
vece un motivo, di grande
interesse, Volendo
infatti possedere
un determinato
tipo di tran-
sistore, di cui l'abituale fornitore
3ia sprwi_
sto, oppure dovendo sostituire un traniistore
con uno identico,
conoscendo I'indirizzo della
casa costruttrice, lo si po,tr
sempre richiedere.
Per possedere
un' ampi a e compl eta raccol ta
di schemi radi o-el ettri ci .
i mpi eganti
escl usi vamente
transi stori ,
acqui state 0gni mese, presso
i l vostro gi ornafai o,
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Western Elec.
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20 10 I
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2Nt 6 npn A F - M F
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2Nt 7 npn o x . Mt x
20 10 2
6 Western
Elec.
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pnp Fi nal c BF 30 800 15W 0,4 40 26
2[lr18FA
pnp Fi nal e BF 30 800 1500 0,4 40 32 90
2NI 9F
pfi p Preampl . BF 20 35 50 0,4
40 35
2N2l
pnp Appl. Elettr. 20 20 0,4
Western
Elec.
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pnp BF 20 10 4,4
1ry'sslsln
Elec.
Western Elec.
2N22
pnlp Commutazionc 100 20 L20 4,4
2N23
pnp Commulazionc 50 40 80 0,4
Western
Elec.
2f.{24
pnp BF 30 25 12,O 0,4
Western
Elec.
2Ni25
pnp BF 50 30 200 0,4
'Western
Elec.
Western Elec.
2N26
pnp Commufazionc 30 40 90 a,4
2N27 npn BF 35 100 50
1
77 Western
Elec.
2N28 npn
BF 30 100 50 0,5
7L Western Elec.
2N29 npn BF 35 30 50 1
7l Western EIec.
e""""1 El".tti.
2N30
pnP BF
30
n
100 2 L7
2N31
pnp Ox
30 , 100 2
General Electric
2N32
pnp Appl. Elettr. 40 I 50
, 7
2t
ICA
2l-{324
pnp Appl. Eletfr.
40 8 50
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2l
RCA
R,CA
2N33
pnp Ox
B,I 7 30 50 22
2N34
p{rp BF
40 50 50 0, 40 40 10 6 GE- RCA- SYl v.
2N344
pnp BF 25 I 50 0,6 40
Transit.-RCA
2N35 npn MF
40 50 50 0, t 40 40 10 6 RCA
-
Sylvania
CBS
-
T?ans.
2N36
pnp BF
20 8 50 O,B 40 40 7t
2N37
pnp BF
20 B 50 0,6 36 36
'n
CBS
-
Trans.
2N38
pnp BF 20 B 50 0,5 32 32
a 1
CBS
-
Trans,
2l.l38A
pnp BF 20 B 50 0,8 34 34 7r CBS
-
Trans.
2ht39
pnP BF 30 50
1
39
Fretco
-
GE
2N40
pnp Appl . Vari e 30 50
'r
3B
Fretco
-
GE
2N4t
pnp tsF 25 15 50 0,7 40
A
72 Transitron-RCA
2N' [3
pnp BF
30 v+o 1, 3 33
L4 GE
-
Transitron
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2N47
2N43A pnp
2!S44
2hr44A
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2N50
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2il{52
2r{53
2r{54
2N55
2N56
2N57
2tI59
2N59A
2N598
2N59C
2NO
2NOA
2NOB
2NOC
2NI
2N6I A
2NI B
2NI C
2N62
2N63
2N65
Funzionamento
BF Mi l i t are
Fabbri cani e
t4 GT . - GE - US A
GE- cT- Thom.
GE- cT- Thom.
GE- GT- Thom.
Gec
-
Frecto
RCA
Philco
Philco
Philco
Clevite
-
Trans.
Clevite
-
Trans.
Cievite
-
Trans.
Cievite
-
rans.
IMestinghouse
Westinghouse
Westinghouse
Wes,tinghouse
Westinghouse
Wes,tinghouse
Westinghouse
Westinghouse
'Westinghouse
lVestinghorise
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Westinghouse
Westinghouse
Westinghouse
Westinghouse
Westinghouse
Phileo
Rayth.
-
Ftetco
Fretco -
Fretco -
GT
2N/.
BF Mi l i t arc
App! i e. vari e
2N6
SF Pofenza
_ 1 1
lVestern Elect.
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Fabbricanfe
Max.
2N67
pnp EF Pofenza 25 1500 2W 0,4 23 7L Sylvania
-
WE
2N68
pnp BF Poienza 25 1500 2W 0,4 23 23 750 32 Sylvania
-
WE
2N9
Pnp
B M- MF 20 10 0,4
Western Electrie
2N7l
pnp BF Potenza 50 250 1W 0,2
9 E
25 400 Westinghouse
2N72
pnp Appl i e. El et t r. 40 20 50 2,5
RCA,
2N73
pnp ommufazione 50 200 0,1
Westinghouse
2N74
pnp Commut azi one 50 200 0,1
Westinghouse
2N75
pnp Comnnufazione 20 200 0,1
Westinghouse
2N7
PNP
A F
.
OX . MF 20 10 150 0,1 34 38
GE
2N77 pnP BF 25 15 26 0, 44 44, 72 RCA
2N78 npn Comnrut azi one 15 20 65 I 27 22 14-53Fivre RCA GE
2N79 pnP
BF .tu 50 35 0,7 44 72 RCA
2Nr80 pn,p
EF 25 8 50 0,5 BO
7r CBS
-
Hytrqn
2N8l pnp BF 20 15 50 0,4 60
GE
2N82 pnp
BF 20 15 35 0,4 60 25
CBS
-
Hytron
2N83 pnp
BF Potenza 60 1,54 10w 0,4 I 30 900
Transitron
2N83A pnp BF Polenza 60 1,54 10w a,4 I 18 900
Transitron
2N84 p{tp
BF Pofenza 56 1,54 10w 0,4 t2 32 400
Transitron
2.184A pn'p BF Potenza 56 1,54 10w 0,4 18 400 Transitron
2N85 pnp BF 4A 100 750 0' 8 40 30
Transitron
2N8
Pnp
BF 60 100 750 0,8 20 26
Transitron
2N87
pnp BF 30 100 750 0,8 20 26
Transitron
2N88 pnP BF t2 10 25 0,5 25 36
Transitron
Transitron
2N89
pnp BF L2 10 25 0,5 25 36
2N90 pnp BF t2 10 26 0,5 40 26
Transitrn
2N90C
pnp BF 20
Transitron
N,9t pnp Appl i c. El et t . 15 10 5@ 0,? 26
Transitron
2N9I A pnp Appl i c. El et f . 20
Transitron
2N92 pnp Applic. Elet"t. 25 10 500 0,7 30
Transitron
2N924
Pnp
Applic. Elel"t. 20
Transitron
2N93 npn M I X . A F - O X 25 10 50 3,5
Radio RecePtor
2N94 npn A F - O X - t v l l x 2A D 30
a
25 32 100 6 Sylvania
2N94A npn A F . O X " M I X 20 t 30 6 25 35 100 6 Sylvania
2N95 npn BF Potenza
. )R
1500 2W a,4 23 23 750 32 Sylvania
- 2 2 -
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9 G
Fabbricanfe
2N9 pnp
BF 30 20 50 0,5
RCA
2N97 npn MF 30 10 50 0,5 38 38
7t Germanium
2N974 npn MF 40 10 50 0,5 38 3B
7t Germanium
2N98 npn MF
40 10 50 0,8 47 47
7L Germanium
2N98A npn MF
40 10 50 O,B 47
7l Germanium
2N99 npn MF
40 10 50 3, 5 t f 47
7L Germanium
2Nt 00 flrp|1 MF
40 10 50 5 53 53 71-73 Germanium
2N101 pnp
BF Potenz
25 l , 5A 1W 0,4 23 23 750 7t-73 Sylvania
2NI (N npn tsF
25 1,5A. 1W n 4
23 23 750 77 Sylvania
2N103
2Nt04
npn MF
35 10 50 4,7! 33 35 71 Germanium
pnp
BF
30 50 150 v , l 33 4t 27 RCA
2Nt 05 pnp t 5F
25 15 35 0,?l 42 42
72 RCA
2N106 pnp
tsF Preampl i f. 20 10 100 0,8 28 36 7L Raytheon
2N! 07 pnp
BF
12 L0 50 0,6 20 3B
5L-L4 GE
2Nr 08 pnp BF Fi nal e
20 15 50 0,7
7L CBS Hytron
2NI 09 pnp
BF
25 70 150 30 33 27 S y l . - RCA - GT
2Nt r 0 pnp
Commutazione
50 50 2@ 1,5
7L
'Western
Electr.
2NI I I pnp
MF AF
15 200 150 3 33 30 35 Clevite
-
Rayth,
2NI I I A pnp
MF
L5 200 150 33
Clevite
-
Rayth.
2NiI t2 pnp
MF
15 200 150 5 35 35 Clevite
-
Rayth.
2Ni l 2A pnp
MF
15 200 150 5 35
Raytheon
2Nl l 3 pnp
UI F. AF
6 5 100 10 33 35 7L heon-Trans.
2Nt t 4 pnp
MI X AF. omm.
6 b 100 20 65 33 7L Raytheon GT
2Nt r5 pnp
BF Potenzo
32 1,54 2W 0,4
AmpereX
2Ni l pnp
BF
2A 10 40 0,7 18 34 6 CBS
-
Hytron
2NI I 7 npn BF
30 25 150 1
6 Texas
2Nl t 8 npn BF
30 25 150 2
6
2Nl l 9 npn BF
30 25 150 2
6 Texas
2Nr20 npn 8F
45 25 150 7
6 Texas
2N123 pnp
AF -
MF
- Comm.
15 125 150
I 30 r+7 GE
2Nr24
npn A F . M F . B F
10 8 50
a
40
71 Texas
2N125
npn A F . M F . g F
10 8 50 5 40
7l
2Nt 26
npn AF MF BF 10 I 50 5 00 7l Texas
2N127
npn A F . & T F " B F
10 B 50 5
7l Texas
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Funzionamento
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Fabbri canl e
2NI 28
pnp A F - M F
10 o 30 65
73 Philco
2Nt 29
pn'p AF
4,5 o 30 30
73 Philco
2N130
pnp BF
22 10 85 0,6 39 39 71 General T?ans.
2NI3OA
pnp A F - B F
40 100 100 4,7 40
7I Haytneon
u'
2NI 3I
pnp BF
30 10 85 0,8 41 4t
6 Raytheon
3t A
pnp BF
30 100 100 O,B 42 6 Raytheou
2N132
pnp BF
t2 10 85 1,3 42 42 6 Raytheon
2Nr32A
pnp AF
2A 100 100
t q
44
6 Ral'15*ott
2Nr33
pnp BF Preampl i f .
15 10 85 0,8 36 36
6 Raytheon
2Nl 33A ,pnp BF
20 100 100 0,8 38
6 Raytheon
2{ I35
pnp A F - M F
20 50 100 29 29 t4-7 GE
-
Fivre
2{t3
2{ I 37
pnp A F . M F
20 50 100
D 1
31
14 GE
-
Fivre
pnp A F . M F
10 50 100 7 33 33
t4 Fiwe
2N138
pnp t sF Fi nal e L2 20 50
30 30 50 71
Raytheon
2NI 38A
pnp BF Fi nal e 30 100 150 r , 3 29 30 50
' i r
Raytheon
2Nl 38B
pnP BF Fi nal e
30 100 100
I
29
6 Raytheon
2N 39
pnp M F - A F
' t A
15 80 0' 30 30
27 RCA
2Nt 40
pnp M t x - A F - O X
16 15 35
n
27 30 27 RCA
2Nt 4l
pnp BF Potenza
60 800
4W 0,4 18 26 31 Sylvania
2Nr42
npn. BF Pofenza
60 800
4W 0,4 26 26 31 Sylvania
2N143
2!I44
pnp BF Foenza
60 800 4W
o4.
26 26 600 31-73 Sylvania
nPn BF Fofenza
60 800 4\il 0,4 28 26 600
31 Sylvania
2N145 npn M F - A F - M I X
2A 5 65
A
30 30
6 Texas
2Nt 4 nPn M F - A F " M I X
20 D 65 r, 33 35
6 Texas
2N147
2NT48
npn MF
' AF .
MI X 20 D 65 I 36 36 6 Texas
npn M F - A F
16 D 65 0,5 32
7L Texas
2NI48A nPn
M F - A F
32 c 65 0,5 32 71"
Texas
2N149
npn M F - A F " M I X
16 5 65 0,5 35
7l exas
2Nl 49A npn
A F - M F - M I X
32 D 65 0,5 35
7t Texas
2N150
npn
A F - ! ! t F " Ml x
16 5 65 0,5 38
7T Texas
2rt504 npn MF
32 5 65 0,5 3B
1L Texas
2Nrl 5t
pnp BF
20 10
r 4 IlIallory
2hr 1 52
pnP 8F Fofenza
30
0,1
Mallory
|
2NI 53
pnp BF Fofenza
30
0,1
Mallory
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Fabbri canl e
2NT54 pnp
BF Po enza
30
Mallorv
2N155
Pn,p BF Pertenza
30 3 A 8,5W
0,15 30 33 2 A 39 Sylv.
-
CBS
2NT5 pnp
BF Potenza
30 3 A
g,5w n 1 R
33 33 2 A
cBs
2Nn57 pnp
BF Pofenza
60 3 A B,5W
0,1 20
CBS
2B{157A pnp
BF Potenza
90 3 A B,5W o 1
20
CBS
Pnp BF Potenza
60 3 A B,5W
0,15 37 37 2 A
CBS
2N,t58A pnp
BF Pcienza
80 A 8,5W
0, 15
36
llRs
2Nt 59 pnp
Comrnut azi one
50 10 80 2
Sprague
pnp
Appl . El et t .
30
Sprague
npn fvlF
40 25 150
.Jlt
71
2Nl 60A npn MF
4 0 l 2 5 r50
,54
7l Germ.anium
npn A F
40 25
150 5
l s z
7L Germanium
npn
AF
40 25 150
, n
7l Germanium
npn AF
4A 25 150 B 38
Germanium
2rt2A- npn
AF
40 25 150
I 3B
Germanium
npn AF
40 25 150
n
40
Germanium
2Nl 63A
npn AF
40 25 150
6 40
Germanium
npn MI X A F - MF 1.3 20 65
39 25
Germani u
25{I5
npn M F . A F
15 20 65 5 36 25
Germanium
2Nr
npn AF .
Cemrnufaz.
6 20 2!t 5
25
72 GE
npn AF
-
Conn*nufaz.
30
' t c
65
o
65 1+3 GE
npn
MF
15 20 55 6 28 32
3 GE
npn F{tr!X-A:.0X"fE{F
1,5 20 65 I 28
t4 GE
?Nt 9 npn r F . Rt v . t s F
15 20 65 I 27 26
t4 GE
npn BF
15 20
65
0
.),
29
L4 GE RCA
npn
M F - B F
0 20 25
22 22 14 u.Ei
2N172 npn
MF . A F
.
OX
16 a oa
22 22
o exas
-
GE
?t{I73 pnp
BF Polenza
60 1 3 4 4W
o 40
Del co
pnp
BF Poienza
BO 134 4W
I
39
Delco
2Nt74A pnp
8F Pefenza
80 1 5 A 85W a
Del co
z$t I 75 pnp
BF
10 2 50
j,85
43 43
27 RCA
Pn'P
BF Pofenza
40
3 A 10\ry
25 35 2W 30 Il{otorola -
Svl
2N178 pnp
BF Fofenza
40 3 A 10w
30 2W 39 &fotorola
pnp
BF Pofenza
4A 60
32 300
Motorola
_ 2 5 _
Tr
- - T
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Fabbri canf e
2Nr 80
pnp BF Fi nal e 20 25 150 0,7 50 34 10 7L CBS
2NI 8T
pnp 9F Fi nal e 30 38 250 0,7 34 37 65 7r CBS
2NI 82 npn Commut azi one 25 10 100 2,5 25 7L CBS
CBS l{ytron
2htI 83 npn Cornmutazione
25 10 100 5 40 71
2N184 npn Comrnufazione
25 10 100 10 60 7l CBS
2Nt 85
pnp BF Fi nal e 20 150 150 0,4 26 6 Texas
2NI 8
Pnp
BF Fi nal e 25 200 100 0,8 28 28 51 GE
-
Thomson
2Nl 86A
pnp BF Fi nal e 25 200 200 0,8 28 30 L4 GE
-
Thomson
2Nr87
pnp BF Fi nal e 25 200 100 t 30 30 t4 GE
-
Thomson
2Nl 87A
pnp EF Fi nal e 25 200 200 1 30 32 14 GE
-
Thomson
2NI 88
pnp BF Fi nal e 25 200 100 t,2 32 32 90 t4 GE
-
Thomson
2NI 88A
pnp BF Fi nal e 25 200 200
1 q
32 34 t4 GE
-
Thomson
2Nr 89 pnp BF 25 50
' t D
0,8 37 87 14 GE
-
Thomson
2N190
pnp BF 25 50 75
I
39 39 L4 GE
-
Thornson
2NI 9I
pnp BF 25 50 75 L,2 4L 4L 14 GE
-
Thomson
2NI 92 pnp BF 25 50 76 1,5 43 43 t4 GE
-
Thomson
2N193 npn O X - M F . A F
1 F
50 50 2
' t c
6 Sylvania
2NI 94 nPn M I X - M F . A F 15 50 50 2 15 15 6 Sylvania
2Nt94A npn ndF 20 100 50 2 20
6 Sylvania
2N195 pnp BF t2 30 200
Transistor
2Nl 9 pnp BF 25 30 200
Transistor
2F, l l 97 pnp EF 25 30 200
Transistor
2ilr198
pnp BF 25 30 200
Transistor
2hrl 99 pnp BF 25 30 200
Transistor
2N200
pnp BF 25 30 350
Transistor
2N204
pnp B F , M F 25 100 350
Transistor
2r205 pnp A F . M F 15 100 350 Transistor
2N20
pnp B F - M F 30 50
' I D
O, B 47 35 7L RCA
2N207
pnp E F - M F L2 20 50 2 73 Philco
?N2O7A
pnp EF t 2 20 50 2 73 Philco
2N2078
Pnp
tsF t2 20 50
,
73 Philco
2t { 21I npn O X . & l F . A F 10 50 40 2 10 Sylvania
2N2t 2 npn MI X
.
AF 10 50 50 22 22 6 Sylvania
I
?f 92I 3 npn
Rt r
40 100 50
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39 6 Sylvania

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2N213A pnp
25 40 100 150 10 3B 6 Sylvania
2N214 npn BF Fi nal e 40
' t o
125 0,6 26 26 200 6 Sylvania
2N2t4M
Pnp
BF 40 t a t25 0,6 6 Sylvania
2r{2t5
Pnp
I B F
30 50 150 0,7 33 27 RCA
2N2I 6
2N217
npn B F - A F . M F
15 50 50 2 26 26 6 Sylvania
pnP EI F :5 70 50 0,7 .1 t, 27 RCA
2N2l 8 pnp MF 15 80 6.80 30 27 RCA
2N2t 9 pnp
MI X
.
AF
A E
15 80 10
? t
27 RCA
2N220 pnp BF 10 2 50 0,8 43 27 RCA
2N222 pnp
Appl . Var i e 30 General Trans.
2N223 pnp
EF 1B 150 200 0,6 73 Philco
2N224
Pnp
BF Fi nal e
9 E
150 250 0,5 73 Philco
2N225 pnp
BF Fi nal e 25 150 250 0,5 73 Philco
2N226 pnp
BF Fi nal e 30 150 250 0,4 73 Philco
2N227 pnp
BF Fi nal e JU 150 250 0,4 Philco
2N228 npn BF Fi nal e 40 50 50 0,6 23 zts 100 6 Sylvania
2N229 n,pn BF AF 12 40 50
a
15 6 Sylvania
2N230 pnp
BF Folenza
30 2 A 15W 0,1 Mallory
2N231 pnp
AF
45 3 I 20 73 Philco
2N2gl pnp
AF
45 3 I 30 73 Philco
2N233 npn A F . M F
10 50 50
?
4,5 6 Sylvania
2N233A npn AF
10 50 50 J 6 Sylvania
2N234 pnp
BF Polenza
30 3 A 25W 25 Bendix
2N234A pnp
BF Pofenza
30 3 A 25W 25 Bendix
2N235 pnp
BF Pofenza 40 3 A 25W ilendix
2N235A pnp
BF Potenza 40 3 A 25W 40 Bendix
2N2358 pnp BF Pofenza 40 3 A 25W 60 39 Bendix
-
Sylv.
2N236 pnp BF Po,tenza 40 3 A 25W
Bendix
2N23B pnp
BF Fsienza 40 3 A 25W
60 Bendix
2t237 pnp BF Pofenza
4
20 1"50 0,5 42 7l Marvelco
2N23S pnP
BF Pafenza 20 50 0,4 .5 I 6 Texas
2N240 pnp
Somrnutazione D 15 30 50 73 PhiIco
2r{24I pnp BF Fi nal e 25 200 100
l o
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2N24tA pnp BF Fi nal e
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2N242
pnp BF Pofenza
41 2 A 20w 4,7 30 33 500 39 Sylvania
2h{?43 npn BF d l Si l i cone 60 60 750 20 30 71, Texas
?h{a44
2v4247
npn BF c l 9i l i cone 60 60 750 4A U 7l Texas
pnP .AF
-
MF t2 10 BO
J U
?ry
40 15 RCA
2N24S
pnp BF
30 50 6 Texas
2r{249
pnp AF 2 200 350 0.4 Texas
2N!250
pnp SF Pofenza 30 2 ^ 12W
t 1
60 39 Texas
2r{251
pnp BF Fefenza 60 2 A 12W 0.1 39 Texas
2F{?52
pnp N1IX
.
MF 16 30 28 6 Texas
${253 n'pn ftAF
-
MlX T2 5 65 32 6 Texas
Texas
2r{?54 npn MF
.
MI X 20 5 65 6
?N255
pnp tsF Fefenza 15 3A 1500 0,2 i u 24 1W 3S CBS
-
Sylvania
2N25
pnp BF Polenza 30
?
1500 32 27 2W CBS
2N257
pnp EF Potenza 40 2 A 2W 0,7 60 30 5W 39 Clev.
-
Sylvania
?N258
pnp AF .L5
4 Fhilco
2N260
pnp BF 10 50 200 I , B 38 77 Philco Clevite
2{?04
pnp tsF 30 50 200
1 R
38 7l Philco Clevite
2N2l
pnp BF
' t D
50 200 1, 8 36 77 Clevite
2N262
pnp b F 10 50 200 D 40 71 Clevite
2N?2A
pnp BF 30 50 200 40 7l Clevite
2N23 npn AF 40 20 !25 100
Texas
2N265
pnp BF 25 50
' l c
45 * 3 14 GE
-
Thomson
2N267
pnp
.rt E
t 2 10 80 30 t 7L Clevite
-
RCA
2{268
pnp BF Fofenza BO 2W
At^z ^
28 32 Ctrevite
- RCA
2N2684
pnp EF Fotenza 60 2W 20 32 Clevite
-
RCA
2Fr?69 pnp Commuf azi one 24 100 120 12 72 RCA
2$,1?70
Bnp
BF Fi nal e
O R
150 250 25 35 34 60 7T RCA
2N271
pnp AF 10 200 150 1t| 2S 7l R.aytheon
2Nr27lA
pnp IVIF
I U 200 150 10
{ o
7t Raytheon
2N272
pnp ,gF JT 100 150 1 12 7t Raytheon
2rs?73
pnp
AF 30 100 150 29 7l Raytheon
2N274
pnp A F 35 10 80 30 +c 73 RCA
2N277
pnp BF Fotenza 40 1 2 4 55\ry 0,5 34
Delco
I
?ha278 pnp EF Foienza 1 2 4 55\ry 0,5 34
Delco
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2N279 pnp
BF
20 10 125
0,3
7l Amperex
?N281
pnp
BF
BF
20 10 725 0,3
71 Amperex
pnp
16 50
0,35 34 3B
7t Amperex
pnp
10
50 167 0,35 23
390 7T Arnperex
pnp
BF
20 10 r25
0,5
71 Amperex
pnp
ox Q9
L25 t25 0,35
71 Amperex
pnp
ox
60 125 L25 0,35
71 Amperex
pn,p
BF Fotenza
40 300 25W
Bendix
pnp
tsF Fofenza
40 300 25W Kc 38
Bendix
2N290 pnp
RF Pofenza
70 t 2A 55W
2 -
0w 5W Deico
pnp
EF
25 200 180 fta 31 50 500 7r-6 Texas
21,1292
npn M F . A F
15 20 65
t55 36 22 GE
npn
MF AF
15 20 65 I 28 30 22 GE
pnp
BF
25 200
300
6 Texas
pnp
Potenza
BF
60 2 A 25W
0,4 30
29 Svlvani
2N297 pnp
BF Pofenza
50 5 A 35W
5Kc
Clevite
2N297A pnp
BF Pofenza
50 5 A 35W
0,5
Clevite
pnp
AF
4,t
5 20
90 20
74 Phileo
2N300 pnp
AF
4,a
5 20 85
74 Phileo
pnp
BF Pofenza
40 2 A 1l W
33 3. 2,7\{ 39 iCA
pnp
BF Pofenza
40 2 A 1l W
33 32
.i
n'a\
39 RCA
pnp
Vari e
60 2 A 11\4/
7
7L RCA
-
Rsvfh
2N'303 pnp
Vari e
10 200 150
14
7l RCA
-
Ravfh
2N306 npn tsF
15
50 0,6 34
6 Svl veni
pnp
EF Pofenza
35 1 A 10w
0,3 30 2A r.5w 39 vl vani a
?N3O7A pnp
BF Pofenza
35 2 A r.7w
30
so-
n 9
22
39 Sylvania
2N308 pnp
f\,lF
-
MIX
20 5
39
6 Texas
2N3(}9 pnp
M F . M I X . A F
20 5
4L
6 Texas
2N310 pnp
MF
.
MI X
30
30
28 37
6 Texas
2N3l I
pnp
Comrnuf azi one
15 20( . J
25
72 GT
-
Motorola
2N3I 2 npn Comrnufazione
15 20{
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50
72 Sytrvania -
GT
2N3I 3 npn MF AF
2C 65 o 36
GE
I
2N3r 4
npn M F . A F
15 20 65 B 39 39
GE
pnp
Commuf azi one
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72 GT
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2N316
pnp Cornmutaz!one
10 200
100 t2
12 GT
2N317
pnp Commui azi one
6 200 100 20
72 GT
2N318
pnp Fot o Transi sf ori
t2 2A 50 0, 75
24 GT
2N319
pnp BF
20, 200 240 2 33 30 50 52-56
2ilr320
pnP 6 F
20 200
240
240'
2,5 48 31 50 52 GE
2N321
pnp EF
.-)n
200
;t 48 32 50 52
2N322
pnp EF
100
140 2 70
48
52 GE
2N323
pnp BF
t o 100 r40
O K
90 80
52 GE
2P'I324
pnp BF
16 100 140
a
80 95
52 GE
2N325
pnp BF Po?enza
35 2 A 12W
Sylvania
2N32
2N327
pnp BF Potenza
35 2 A 7W 0,2
3B Sylvania
-
CBS
pnp tsF
50 100 335 0,3 30
72 Raytheon
2r{3274
pnP BF
' U 100 350 0,2
72 Raytheon
2N328
pnP SF Potenza
35 100 335 0,35
at
72 Raytheon
?!{028A
pnp BF
50 100 350 0,3 30
72 Raytheon
2N329
pnp BF
30 100 335 0, 6 34
72 Raytheon
2N3294
pnp BF
100 350 0,5
72 Raytheon
2N330
pn,p tsF
45 50 335 0, 5 30
72 Raytheon
2N3304
pnp BF
50 100 350 0,5 34
72 Raytheon
2N331
pnp BF
30 200 200
150
A A
72
RCA
2N332 npn BF-Commut azi one
45 25
I
I l 4
54-64 GE Texas
2N333 npn BF-Comnn utazione
4.5
25 150 2 t4
54-64 GE Texas
2N334 npn !F
25 150 B 13 42
54 GE Texas
?N335 npn EF
4r5
25 150
150
A
13
72 Texas GE
?"t336 npn EF-Commuf azi one
45 25
15 1 2 1 4 2
54 GE Texas
?hr337 npn BF
45 20 125 10 55
72 GE Texas
?N338 npn Comrnulazione-B F 45 20 125 2A 99
72 GE Texas
2N339
2N'340
npn BF Fofenza DD 60 1W 15 30
72 GE Texas
npn BF
85 50 1W
l_
3 0 1 3 0300 72 GE Texas
2[1341 npn BF
125 40 1W
1W
l
I
30
72
GE Texas
2N342 npn EF Fsfenza
60 60
30
72
GE Texas
2N343 npn BF Pofenza
60 60 1W
30
72 GE Texas
2N344
pnp A F . MF
D c 40 50
73 Philco
2{345
pnp A F - M F
D
40 50
73 PhiIco
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2t{346 pnp
A F - M F
D D 40
95 1B
13 Philco
pnp
A F . M F
40
3 A 10w 0,5 30 31 4\M 39 Texas
-
Motnr
2N351 pnp
BF Polenza
40 3 A 1Ory
0.5
Q O
33 4'w 39
2N352 pnp
BF Polenza
40 2 A 25W
0,1 3U 2,5r1l C\ 40 Philco
pnp
EF Polenza
40 2 A
30tr/
0,7 30 5W t 0\4i 40 Philco
2N354 pn,p
BF
25
50 150
B
73
' : hi l co
2N,355 pnp
BF
10 50 150
8
78 ilhilco
-
Texas
npn
Commul azi one
1a 100 L20 t
32 4W
72 G T - R C A - S v
2N357
npn
Commt r i azi one
15 100 r20
6 30
72 GT - RCA - S y l .
npn
Commuf azi one
12 100 120 o
30
72 GT
-
RCA
2N32 pnp
BF
20 400 168
1 r ,
100
72 Raytheon
pnp
BF
40 400 160 1 t
50
72 Raytheon
nPn BF
30 50 150 2,5
72 Texas
2N35
npn BF
30 50
| 150 3
72 Texas
2N36
npn BF
30 50 150 3,5
72 Texas
Pnp BF
30 50 150 0,7
72 Texas
pnp
BF
30 50 150
4,4
72 Texas
2N39 pnp
BF
30 50 150
|
1,3
72 Texas
2N370 pnp
AF
24 30 80 30 31
7l RCA
2N371 pnp
ox
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Mt x
24 20 80 30 J, ( )
7T RCA
pnp
ox
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Mt x
241 20 80
30 2,5
7l RCA
2N373 pnp
Mt x
24 10 BO 30 40
71 RCA
pnp
MF
24 10 80 30 40
7t RCA
2N375 pnp
Commut azi one
BO 3 A 45W 0, 10
39 Motorola
pnp
BF Pofenza
40 3 A 1o\ry 5Kc 35 4W 39 Motorola
-
RCA
npn Cornmutazione
20
| 200 150 5
72 Sylvania
2N378 pnp
BF Pofenza
40 5 A 50\4/ 5Kc
Tung Sol
pnp
BF Pofenza
BO 5 A 50w 5Kc
Tung Sol
pnp
EF Pofenza
60 5 A 50w /llc
Tung SoI
pnp
BF Fi nal e
25 200 200 1 31 500 60 Tung Sol
2N382 pnp
BF Fi nal e
25 20( 200
1, 5 33
Tung Sol
pnp
BF Fi nal e
25 20c 200
ct r
60 Tung Sol
o
pnp
B F - V I . I F . V A F
30 10 120 100 15 34
RCA
npn
l Comrnutazi one
I ZS
150
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72 Sylvania
Trans
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pnp BF Fi nal e
60 3 A 12W 0,7
40 Philco
2N387
pnp t sF Fi nal e
BO 3 Al 12W 0,6
40 Philco
2N388
npn ! omnnuf azl one
2A 200 | 150 B
72 Sylvania
2N389
npn BF Fi nal e
60 2AI BsW
49 Texas
?$,t392
pnp BF Fi nal e
60 5Al ?0w 0,6
Delco
2h{393 Pnp
Commulazione
6 501 50 40
73 Philco
?N394
?hr395
pnp Ccmmutazione
10 2001 150 5,5
150 52 GE
pnp Conrnnutazione
15 200 150 7
52 GE
2N396
pnp Comrnufazione
20 2001 150
7 52 GE
?N397
pnp ommut azi one
15 2501 150 10
52 GE
2N398
2N399
pnp Cornmutazione
10i 1101 50 60
52 RCA
pnp EF Pofenza
40 3Al 25rtr 6Kc 33
Bendix
2hr400
pnp BF
3 6 50
Bendix
2N4004
pnp BF
3 o 40
Bendix
2N40t
pnp SF
40 3 Al 25W |
0,8 30
39 Eendrx
-
l'YrY
?N4(n
pnp BF
20 150 180 6 37
72 Westinghouse
2hr403
pnp BF
20 200 180 0, 85
ao
72 Westingnouse
2N404
pnp Commut azi one
24 1001 r20
GE RCA
2!{405
pnp BF Psfenza
18 35 150 0,65 43
27 RCA
20t40
pnp tsF Potenza
1B 35 150 u, 65 43
27 RCA
2N407
p " p
l a r l 1 B
70
150 65 33
21 I RCA
zhr +oe
l pnp l nr I
1Bl 70
150 6 5 1 3 3
27 l RcA
?{409 I
pnp
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13 I D 80 6,7
I
38
27 |
RCA
2{410
pnp
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13 I D 80
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2? I RCA
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pnp
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AF
-
ox
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13 I D 80 5, 10
at 2? I RCA
2M4' t2
pnp
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AF
-
ox 13 15 80 32
27 RCA
2rq413
pnp
l ar I
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2oo 150
t 6
33
72
Raytheon
?hr4t3A
pnp
I MF
15 200 150 2, 5 33
72 Raytneon
?B{414
pnp AF
1 R
200 150 7 16
72 Raytheon
2N4144
pnp MF
200 150 2, 5 33
72 Raytheon
?ht4l 5
pnp
I OSC
10 200
150
n
35
72 Raytneon
?N415A
pnp AAF
10 200 150 10 30
12 Raytneon
2N416
pnp J{ F
12 200 150 10 20
12 Raytheon
f N4' 17
l PnP
AF
2A
150 2A 27
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2N49
2N420
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pnp
Potenza
40 3 A 12W
0,3 4
pnp
Commut azi one
Commut azi one
40 5A 25W
0,5 45
39 Sylvania
pnp
25
50
pnp
Commuf azi one
25
50
39 Ravtheon
2N422 pnp
BF
20 100 150
O,B 38
72 Raytheon
2N424
npn BF Potenza
30 2 A 4W
20
49 Texas
pnp
Commul azi one
30 1A 150
2,5
72 Ravfh - Mofnn
2N42 pnp
Commuf azi one
30 1A 150
3
72 Ravth- - Mnfnr
2N427 pnp
Commuf azi one
30 1A 150
5
72 Ravth. - Mofor
2N428 pnp
Commut azi onc
30 1A 150
10
72 Rayth. -
Motor.
n,Pn Appl i c.
vari c
10 30 100
25
72 Rayth.
2N431
npn A F . B F
30 30 100
23
npn A F - B F
30 30 100
25
2N433
npn A F . B F
30 30 100
28
2N434
npn A F . B F
30 30 100
20
npn Corrmutazione
25
100
2,5
72 CBS
2N438A
npn Appl i c.
vari e
25 150 150
25
72 cBs
2N439
npn Appl . vari e
20
100
5 30
72 cRs
2N439A
npn Commuf azi one
2A
150 D
GT
2N440
npn Commul azi one
25
100 10
72 cBs
npn Commut azi one
25
150
10
72 GT
npn Commutazione
25
120 0,5
72 GT
npn Commutazione
20
100
r,
72 GT
npn Commutazione
20
100 5
72 GT
2N447
npn Commuf azi onc
16
100
I
72 GT
npn MF
MF
15 20
65 5 23
GE
2N449
npn
15 20
65 B 24
GE
pnp gommulazione.AF
30 30
150 25
t4 GE
npn BF Potenza
oo 5 A B5W
0,4 4
56 GE
npn BF Potenza
65 2 A B5W
0,4 2,5
56 GE
npn BF Pofenz.6
OD 2 A 85Iry
0,4 6
56
GE
2N454
npn BF Pofenza
40 5 A 50w
0,4 10
56 GE
pnp
BF Potenza
60 5 A 50w
39 Texas
pnp
I BF
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39 Texas
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2N458
pnp BF Potenza 60 5 A 50
39 Texas
2N459
pnp BF Potenza
60 5 A 50 0,5
Tung Sol
2N40
pnp BF Potenza 45 400 200 t,2 34
72 Tung SoI
2N4l
pnp BF Potenza
45 400 200 t,2 37 7 Tung Sol
2N42
pnP Commufazione
40 200 150 0,5 75 Philco
2N43
pnp BF Potenza
60 5 A 37W 4 Wesferh E[ec.
2N464
pnP BF
40 100 150 0r7 40 18 Rayth.
-
Motor.
2N45
pnp BF
30 100 150 0,8 42 18 Rayth.
-
Motor.
2N4
pnp BF
20 100 150 1 M 18 Rayth.
-
Motor.
2N467
pnP BF
15 100 150 7, 2 45 18 Rayth.
-
Motor.
2N49
pnp Pholo transistore
15 50 I 72 GT
2N481
pnp osc.
t2 20 150 3 72 Raytheon
2N492
pnp MF
t2 20 150 3' 5 72 Raytheon
2N493
pnP MF
12 20 150 5,5 72 Raytheon
2N484
pnp MF
12 20 150 10
72 Raytheon
2N485
pnp O X . A F
L2 10 150 7,5 72 Raytheon
2N48
pnp OX
t2 10 150 t 2 72 Raytheon
2N489 nPn o5c.
45 ?0 450 0,9 55-64 GE
GE
2N490 npn osc.
60 70 600 0,7
55-64
2N49t
npn osc.
60 50 350 0,8
55-64 GE
2N492
npn osc.
60 50 350 0,?
55-64 GE
2N494 npn
osc. 60 50 350 0,65
55-64 GE
2N495
pnp A F . O X 25 50 150 15
150 64-55 Philco
2N49
pnp Commutazione
10 50 150 15 72 Philco
2N497 npn BF Fi nal e
60 200 4W
72 Texas
-
Philco
2N498 npn BF Fi nal e
100 200 4W
72 Texas
-
Philco
2N499
pnp O X . A F . V H F
1B 50 75 100 10 35 72 Texas
-
Philco
2N50() Pnp
VHF 20 50 76 500
72 Philco
2N50t
pnp ComJrutazione 15 50 50 300
72 Philco
2N502
pnp VHF 20 50 70 200 8 72 Philco
2N503
pnp VHF
20 50 26 100 11 72
Fhilco
2N504
pnp AF ox MF 25 50 50 50 73 Philco
2N50
pnp BF
40 100 50 0,6 7L Sylvania
2N507
pnp BF
40 100 50 0,6 7t Sylvania
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2N508 pnp
BF Fi nal e
16 100
14t0
3,5
62 GE
2N509 pn'p
AF
30 40 225
750
72 W'estern EIec.
npn MF
18 10 50 2 23
6 Svlvania
2N5t 6
npn MF
1B 10 50 2 25
6 Sylvania
npn MF
1B 10
50 2 27
6 Sylvania
2N5t 8 pnp
Appl . vari e
t2 725 150
11
2N519 pnp
Commufazione
15
100 a
72 GT
2N520 pnF
Commutazione
L2
100
72 GT
pnp
Commulazione
10
100
B
72 GT
pnp
Commutazione
18
100 15
72 GT
pnp
Commufazione
16
100 2l
72 G
pnp
BF
+5
500 225
2
52 GE
2N525 pnp
BF
45 500 225
2,5
52 GE
pnp
BF
45 500 225
3
52 GE
pnp
BF
45
500 225
3,3
52 GE
2N529 pnp
BF
15
100
2,5
72 GT
PnP
BF
15
100 3
72 GT
pnp
BF
15
100 3,5
72 GT
ZN5JZ pnp
BF
15
100 +
72 GT
2N533 pnp
BF
15
100 4,5
72 GT
pnp
BF
50 25 25
2
T3 Philco
pnp
BF
20 20
50 2
73 Philco
2Ns35A pnp
BF
20 20
50 2
73 Philco
pnp
BF
20 20
50
2
73 Philco
pnp
Commufazione
20 30 50
1
73 Philco
pnp
BF Pofenza
BO
10w
0'8
Mi nneannl i
pnp
BF Pofenza
80
10w
0,8
pnp
BF Potenza
80
10w
0,7
Mi nneanol
pnp
BF Potenza
80
10w
0,7
Mi nnoqnnl i
2N540 pnp
BF Potenza
BO
1oltr
0,6
Minneaoolis
pnp
BF Potenza
80
10w
0,6
2N544 pnp
AF
24 10 80
30 30,4
71
I
RCA
npn C o m m . - O X - B F
30 500
72 Transitron
pnp
BF
BO 4 A
12W
0,8 20
Delco
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2N554
pnP EF
20 3 A 40w 0,8 20
Motorola
2N555
pnp BF
40 3 A 40w 0,8 34 35 2W 39 Motorola
2F.r55 npn Cornmufazione
25 200 100 50
7Z Sylvania
2N557
npn Cornmut azi one
2Q 20c 100 30
72 Sylvania
2N558
npn Connmutazione
15 20t 100 30
72 Sylvania
2N559
pnp Commuf azi one
15 5( 150
72
Western Elec.
2N5l
pnP BF Potenza
bU 5 A 50w 0,5 24,6
RCA
2{53
pnp EF
25 30t 150 0,8
7L GT
2N564
pnp BF
25 30( 120 0,8
72 G
2N55
pnp tsF
,
30( 150
7L
GT
2N56
pnP tsF 2t 30( t20
I
I
72
GT
2N57
pnp BF
25 30( 150 1, 5
7t
GT
2N568
pnp BF
25 30( t20 1, 5120
72 GT
2N59
pnp BF
2{ 30( 150
t. 7L GT
2N570
pnp BF
2Q 30( t20
I 72 GT
2N571
pnP BF
10 30( 150 3
7L
GT
2?t572
pnp BF
I 30( 120
72 GT
2N574
pnp BF Potenza 6C 154 25W 0,6
ivLrnneapous
2N5744
pnp EF Pofenza BO 154 25W 0,6
Il[inneaPolrs
2N575
pnp BF Potenza
60 L5A 25W 0,5
lv1inneapofis
2N5754
pnp &F Potenza
BO 154 25W 0,5
lrnneapous
2N57
npn
Cornmufazione
20 40c 200 5
72
Syl vanl a
2N5764
npn Commut azi one
2t 40( 200 5
72
Sylvania
?N577
pnp Photo lransisfore
2t
1
26 u,
7l
2r.t578
pnp Commut azi one
2A 40t L20 5 3
7Z
RCA"
2N579
pnp Commut azi one
t4 40( t20 I
72
RCA
2580
pnp srnvnuiazione
t4 40( L20 t5
'2
RCA
2hr58l
pnp Cemmuf azi one
1 10(
80 8
12
RCA.
2N582
pnp Comrnuiazione
A A
I : 10c 120 14
72
RCA
2N583
pnp Commulazione
l 5 20( 150
7'
2ht584
pnp Commutazione
t4 100 120 L4
72 RCA
2N585
npn Conrmutazione
24 20( 120 3
72 RCA
2N58
pnp ommulazione
45 25( 260
7L RCA
2N587 npn Commutazione
20
150 30
72 Sylvania
- 3 6 -
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COLLETTORE
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2.{588 pnp VHF
2A 50 ao
I
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73 Philco
2N589 pnp
BF Fotenza
i 00 3A 3 7 W l e
40 Philco
2N59t pnp
EF
32 20 50
|
o,? 41
72 RCA
2N59? pnp
Ccrnmul azi one
20
125
|
0,4
72 GT
2N593 pnp
Cemrnut azi one
30
125
|
0,6
GT
2N594 pnp
ornmuf azi one
20
100
|
1,5
GT
2ht595 pnp
Comrnutazione
15
1 0 0 1 3
GT
2N596 pnp
f emmut azi one
10
1 0 0 1 5
GT
2N597 pnp
e cmnrulazione
40 400 250 3
72 Philco
2ru598 pnp
Commut azi one 40 400 250 5
72 Philco
?N599 pnp
Connmuf azi one
30 400 250 1B
72 Philco
2il!600 pnP
e arnmulazione
20 400 750
72 Philco
?t",r602
2N603
pnp
Commuf azi one
20 720
72 GT
pnp
Cosnmurt azi one
20 r20
72 GT
2f.!604 pnp
Com.rnulazione
20 120
72 GT
2N05 pnp
AF
15
12A
20
72 GT
pnp
AF
15
120
25
72 GT
2hl607 pnp
AF
15
120
30
72 G
2N08 pnp
/\F
15
120
35
72 GT
pnp
BF Fi nal e
20 200 180
30
72 Westinghouse
2NI O pnp
BF Fi nal e
20 200 180
28
72 Westinghouse
pnp
BF Fi nal e
20 200 180
26
72 Westinghouse
pnp
BF
20 150 180 0, 6 37
72 Westinghouse
npn BF Fi nal e
2A 200 180 0,85 32
72 Westinghor.rse
pnP
MF
15 150 125 .J 26
72 Westinghouse
2NI 5 pnp
Mf
BF
15 150 t25 5 34
72 Westinghouse
2NI 6 pnp
t2 150 r25
I 20
72 Westinghouse
2r{617
Pnp
nF
12 150 r25
7. 5 30
72 Westinghouse
pnp
BF. Commuf az.
80 3A 45W 0,5
39 Motorola
npn BF
40 100 337
0,2
Raytheon
2N20
npn S F
30 100 337 0,35
Raytheon
2N2I
2N622
npn BF
20 100 337 c,50
Raytheon
,
npn
2A 100 337 4,25 34
72 Raytheon
2N623 pnp
A F . O X . T V
30
40 200 15 72 Texas
f-:
Tipo Funzi onament o
col
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N

E?
Fabbricanfe
2N624
pnp BF 10 10 100 12,5 20 72 Sylvania
2N625 npn Commutazione 30 2,5W 50
72 Sylvania
2N626 npn BF Potenza 30 3A 10w 0,7
RCA
2N627 npn BF Pofenza 40 104 50w
39 Motorola
2N28 nPn EF Potenza 60 10A' 50\M
39 Motorola
2N629 npn tsF Pofenza BO 104 50w
39 Motorola
2N30 npn BF, Potenza 100 104 50w
39 Motorola
2N3I pnp 8F Fi nal e 20 50 170 1,5 35 72 Raytheon
2N632
pnp BF 24 50 150 I 25 72 Raytheon
2N33
pnp BF Fi nal e 30 50 160 0,8 25 72 Raytheon
2N634 npn Connmulazione 20 300 150 5 52 GE
2N35 npn Commutazi onc 20 300 150 10
52 GE
2N3 npn Commutazione
20 300 150 15
52 GE
2N637
pnp BF Pofenza 40 5A 25W 45
Bendix
2N37A
pnp BF Pofenza 70 5A 25W 45
Bendix
Bendix
2N378
Pnp
BF Potenza BO 5A 25W 45
2N638
pnp BF Potenza 40 5A 25W 30
Bendix
2N384
pnp BF Pofenza 70 5A 25W 30
Bendix
2N388
pnp BF Pofenza 80 5A 25W 30
Bendix
2N639
pnp BF Potenza
40 5A 25rw 23
Bendix
2N394
pnp BF Potenza
80 5A 25W 23
Bendix
2N398
pnp Commutazione
BO 5A 25W 43
Bendix
2N640
pnp AF
34 10 80 42 28 7L RCA
2N47
pnp AF
34 10 80 42 28 71 RCA
2N42
pnp osc.
29 100 120 20 72 RCA
2N43
pnp Commulazionc 29 100 120 20 1ia RCA
2N44
pnp Commufazione
29 100 t20 60 1 RCA
2N45
pnp Commut azi one
29 100 t20 54 72 RCA"
2N47
pnp BF
10 50 100 54 72 RCA
2N49
pnp BF
80 5 A 25W 23
RCA
2N50
pnp BF
25 250 250 42 18 Motorola
2N5I
pnp BF 25 250 200 2,5 M 18 Motorola
2N52 Pn'P
BF
25 250 200 3 46 18 Motorola
2N53
pnp BF
15 250 200 2 42 18 Motorola
L
Funzionamento
COLLETORE
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2N54 pnp
BF
15 250 200
, r
44
18 Motorola
2N55 pnp
BF
15 250 200 3 46
18 Motorola
2N56 npn BF
60 200 4W 10
I Texas
2!U57 npn BF
100 200 4W T4
I Texas
2N58 pnp
Commut azi one
16 1A 175 2,5
72 Raytheon
2N59 pnp
Commul azi one
t4 1A
1?5 5
72 Raytheon
pnp
Commutazi one
20 1A 175 10
72 Raytheon
pnp
Commufazione
Comnrutazione
19 1A 175
15
72 Raytheon
2N662 pnp
20 1A 175 4
72 Raytheon
2N5 pnp
EF Pofenza
BO 5A 35W 0,20
Delco
pnp
BF Polenza
40
3A 10w
40
2W 39 Motorola
2N670 pnp
BF
40
2A 300 0,6
72 Philco
2N672
pnp
BF Potenza
40 2A 1W 0,5
4t Philco
pnp
BF Pol enza
25 2L 300
0,6
Philco
2N677 pnp
l Appl .
var i e
15 75
40
2N677A pnp
Appl . vari e
15 t26
40
2N6778 pn'p
Appl . vari e 15 250
40
2N677C pnp
Appl . vari e
15 250 40
2N678 pnp
Appl . vari e _tD
76 I D
2N678A pnp
Appl . vari e 15 r25
75
2N788 pnp
App! . vari e
15 250
75
2N78C pnp
l \ ppl . vari e
15 250
I D
2N679
npn Commul azi one
20
150 2
72 Sylvania
2N95 pnp
Commut azi one
15 20 50
61 Motorola
2N700 pnp
VHF. AF
.
OX 30 a 50 600 I
61 Motorola
2N705 pnP
I nt erruf l ore 15 50
52
2Nl 0t 0 npn BF
10 2 2A I D
72 RCA
2NI 0l 7 pnp
ommut azi one
10 400 150 15
72 Raytheon
2Nt02l pnp
BF Pofenza
100 5 A 50w
Texas
2Nt022 pnp
BF Pofenza
r20 5 A 50w
Texas
2Nl t 43 pnp
AF
15 50
18
2Nt 05 pnp
Commut azi one 50 300 240 0.5
GE
2Nr057 pnp
Commut azi one +D 300 24A 0.5
GE
2Nr058 npn osc.
20 50 50 4 22,5
7L Sylvania
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Tipo Funzionamento
co
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Fabbricante
Ma:r.
, **, n'pn BF Fi nal c 15 100 180 40 25 72 Sylvania
2Nt07 npn BF Pofenza 30 500 5W o,75 72 RCA
2Nr08 npn BF 30 1,5A' 1o\ry 0,5
RCA
2Nt069 npn BF 45 4A 50w 0,5
RCA
2N1070 npn BF 40 4A 50w 0,5
RCA
2Nr086 npn osc. 10 20 65 B 24
GE
2N npn 05c. 10 20 65 B 24 GE
2Nt087 npn osc. 10 20 65 5 72 GE
2N1090 npn Cornmufazione 15 400 120
t ct
72 RCA
2Nt 09l n,Fi Cornmulazions L2 400 t20 20
72 RCA
2N1092 npn BF 30 500 2W 0,75
72 RCA
2Nt097
pnp BF Fi nal e 26 100 140
GE
2Nr098
' pnp
BF Fi nal e 20 100 t40
GE
2Nt I 0l npn BF Fi nal e 25 100 180 0,10
7L Sylvania
2Nl t ( n npn BF Fi nal e 25 100 180 0,10
Sylvania
2NI I 2l npn MF 1"5 20 65 O,B
GE
2[.l l 123
pnp Commul azi one 40 400 750 3
72 Philco
2Nr 144
pnp BF Fi nal e 26 100 140 GE
2NI r45 pnP BF Fi nal e 26 100 140 GE
2Nt I 8 pnp BF Foienza 50 5A 45W 0,10 37 DLC
2NI 198 npn Commul azi one 25
' l D
65 1,5 GE
2'49 npn AF
.
MI X 15
29 Giappon
2T50 npn tvlF 15
29 Giappone
2T5l npn BF 20
29 Giappone
2T52 npn Comm. Cont . HV 15 200 100 29 Giappone
2T63 n'ptr A F . B F 20
29 Giappone
2T64 npn AF 15 29 Giappone
265 npn BF 20
29 Giappone
2T66 npn M F - A F 15
29 Giappone
273 npn AF 15
29 Giappone
2T76 npn MF 15
29 Giappone
2T201
pnp AF . MIX 15
29 Giappone
I
I
L
_ 4 0 _
l r I rpo Funzi onament o
COLLETTORE
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2T5t 9 npn
15
29 Giappone
3Nl 8 pnp
AF 30 a
Sylvania
3Nt 9 pnp
AF 30 5
Sylvania
3N20 pnp
AF
30
S1' lvania
3N2l pnp
Commut azi one
60 5 100
Sylvania
3N22 npn AF 15 D 15
Western Elee-
3N23 npn A F . V I D E O . O } 30 5 50 L4 L2
Germanium
3Nr23A npn A F - V I D E O . O } 30 5 50 35 12 T4
Germanium
3N238 npn A F - V I D E O . O X 30
50 20 1 1 15
Germanium
3N23C npn AF . VI DEO o) 30 D 50
70 I r7
Germanium
3${25 pnp
AF
.
VHF
15 2 26 200
2 Texas
3N25/ pnp
AF
.
VHF 15
,
25 200
z Texas
3N29 npn Tetrodi AF 16 2A 50 40 10 10
GE
3N30 nrpn Tetrodi AF
16 20 50 80 10 10 GE
3N3I npn Tet rodi AF 16 20 50 BO 10 10
GE
3N32 npn AF Tet rodo Si l i c 30 10 125 4,3 20 72 Texas
3N33 npn AF Tef rodo Si l i c 30 10 L25 L2 18 72 Texas
3N34 npn AF
30 20 125 100 16 72 Texas
3N35 npn AF
30 20 L25 150
72 Texas
3N3 nPn AF
16 20 30 50 57 GE
3N37 npn AF
16 20 30 90 57 GE
3N300 npn VI DEO
30 a 50 t7
4JDIA3 BF
30 10 200 0,5
4JDI 45 Commul azi one 30 10 200 0,5
4JDI A BF 45 10 IC 0,5
4JDIAI pnp N F
45 1 155 0,5 15
4JDI 83 pnp
Appl . vari e 45 20 200 0,9
L4 GE
4JDI 83 pnp
Commul azi one 30 1A 200 O,B
14 GE
4JDI 84 pnp
. Appl . vari e 45 20 200 0,8
14 GE
4JDI 84 pnp
Commul azi one
30 1A 200 0, 8
14 GE
Transi sf ore
4J04A4
4J04AS
30Tt
3l Tt
32TI
33Tl
34Tl
35Tl
36Tl
37l
988T1
99l Tt
8t R
I09R
202
204A.
207
208
222
223
227
228
Funzionamento
MF
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Texas
Texas
Texas
Texas
Texas
Texas
Texas
Texas
Texas
Texas
Texas
Texas
Texas
Texas
Texas
Texas
Texas
- 4 2 -
GE
GT
GT
200
201
206
MF
2t 0
220
221
224
225
M l x - A F . O X
BF Fi nal e
BF
BF
229
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Tipo
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Fabbri cant e
235 pnp
M F - A F
10 a 100 3 25 30 35 Texas
3@ pnp
BF
30 10 100 0,5 70 20 38 27 Texas
30r pnp
BF
30 10 100 0,5 70 20 38 27 Texas
302 pnp
BF
30 10 100 u, b 70 20 38 27 Texas
3r 0
320
Pnp
B F . A F
20 10 100
1 '
90 42 38 27 Texas
npn MF
20
Nucleonic
330 pnp
BF
20
Nucleonic
340 pnp
BF
20
Nucleonic
350
352
pnp
BF
20
Texas
pnP
BF Potenza
30 10 50 0,5 70 20 38 27 Texas
353 pnp
BF Polenza
20 10 50 0,5 70 20 38 27 Texas
354 pnp
tsF Poienza
30 20
40 30 50 Texas
355
npn BF
20
2W Texas
440CE pnp
BF Potenza
25 1 A 16W DD
I\lallory
44rCE pnp
BF Polenza
30 2 A 16\ry
20 1\(allory
442CE pnp
BF Pofenza
25 500 3W
35 Mallory
501 npn A F . O X - MI X
15
250
Texas
700
npn BF
20
Texas
721 pnp
BF
20
Raytheon
722 pnP
BF
20
Raytheon
725 pnp
BF
20
Raytheon
727 pnp
BF
20
Raytheon
751 pn,p
BF
20
Raytheon
759 pnp
AF
20
Raytheon
70 pnp
AF
20
Raytheon
760R pnp
BF
20 10
7I R pnp
EF
20 10
782
800
npn A F - O X . M I X
15
720
Texas
npn Fofo
-
Transistore
20 D 65 r.00 42 6 Texas
Texas
830 npn Mt x
.
AF. Ox 20 10 45 15 4A 2l
903 nPn BF
30 25 150 I 13
6 Iexas
904 npn BF
30 25 150
,
25
6 Iexas
9044 npn BF
30 25 150 8 40
6 Iexas
905
npn BF
30 25 150 2 50 6 Iexas
ransi st orel Ti po
I
Funzi onament o
l c c
l r t
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926 npn A F - O X 30 10 725
Texas
951 npn BF Pofenza 50 60 750 t7 Texas
q52
npn tsF Poie' nza BO 50 750 17
Texas
953 nPn BF Pofenza 120 4C 750 40 Texas
970 npn BF Fotenza 120 14C 8W 20
Texas
1 033
pnp BF Pot enza 26 1t 50 0,5 1A 20 38
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Clevite
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pnp BF Po*enza 26
1
50 0,5 70 20 3B 27 Clevite
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pnP BF Pot enza 26 1 50 0, 5 70 20 38 27 Clevite
r 320
pnP BF Pol enza 26 1t 50 7A
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pnp BF Pot enza 26 1( DU 0, 5 70 20 38
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Clevite
r 340
pnp EF Pot enza 26 1( 50 0, 5 70 2A 38 27 Clevite
I 350 pnp tsF Fotenza 26 1 50 0,5 7{) 20 38 27 Clevite
' t30
pnp BF Pol enza 26 1( 50 0,5 20 38 Clevite
r 390
pnp AF MF 15 20 6 40 50 2t Clevite
r400
pnp A F - M F I D _tt 20 6 40 50 2l Clevite
Clevite
14t 0
pnp A F . M F I I 20 6 4A 50 2t
r 609 npn Clevite
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pnp BF 1l
AA pnp BF
1
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pnp
BF
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pnp BF
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pnp BF
15 4,4 Nat. Aicraft
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pnp SF 15 0,4 Nat. Aicraft
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Clev. Intermet.
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Fabbricenta
cK725
pnp BF di Potenza 20 10 30 1,2 90 42
Raytheon
cK726
Pn,P
BF 25
cK727
pnp BF Preamplif. 16 10 30 0,8 25 36
Raytheou
CK75I
pnp BF
(AF) 30 10 L,2 t4 23 50 Raytheon
cK754
pnp tsF
10 100 100 1,2 00
cK759
pnp A F - M F
10 10 20 3 25 30 50 2l Raytheon
cK70
pnp AF
.
MF. OX 10 D 100
R
40 35
Raytheon
cK7l
pnp AF
.
MF. OX 10 D 100 10 45 35
Raytheon
cK762
pnp &1tx
-
AF 10 5 100 20 65 36
Raytheon
cK766
pnp AF 10 10 45 10 45
2l Raytheon
cK766A
pnp AF 10 10 1D 10 45 2l Raytheon
cK78
pnp MI X. MF
.
AF 15 100 150 2,6 20
Raytheon
cK780
pnp BF 10 0,7
cK781
pnp BF 10 0,7
cK782
pnp Pr eampl i f . BF 10 0,7
cK783
pn.p BF di Pofenza 20 0,4
cK784
pnp Freampl . BF 10 0,7
cK785
pnp BF di Folenza 10 0,4
cK790
pnp BF
20 200 200 0,4 L4
6 Raytleon
cK79l
pnp BF 20 200 200 0,6 24
6 Raytheon
cK792
cK793
pnp BF 20
6 Raytheon
pnp BF 20 200 200 0'B 16
Raytheon
cK870
pnp BF
20 150 130 0,5 L2
Raytheon
cK87l
pnp BF
15 150 130 0,6 20
Raytheon
cK882
pnp A F . B F 15 50 75
1 t
90
2t Raytheon
cK888
pnp BF Pofenza 20 10 25 t,4 .20
?f,. Raytheon
cQt
pnp BF
40 150 0,5 30
Naz. Marvelco
cTPl 002
pnp BF di Potenza
40
0,1
Clevite
cTPl 003
pnP BF di Potenza 40 0,1
Clev. Intermet.
cTPl004
pnp BF di Potenza 40 8 A 2W 0r1 40
Clev. Intermet.
cTPl005
pnp BF di Potenza
40 8 A 2W 0,1 40
Clev. Intermet.
CTPT006
pnp BF di Pofenza
4A B A 2W
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BF di Potenza
BF di Poienza
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Intermetall
Intermetall
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DRI54
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EW59
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BF di Potenza
BF di Potenza |
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Fabbricante
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Wesfern EI
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BF
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G452829 pnp
A,ppl.
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20
0,4
Western Elec.
G452837 pnp
Appl . vari e
2A
0,4
Western Elec.
G452996 pnp
Appl . vari e
2A
Western Elec.
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BF di Potenza 12 20 50 0,5
Gec
GET2 pnP
EF di Potenza 30 150 200
0,5 42
BO 65 Gec
GETS pnp
tsF di Potenza
30 250 150
I 55 28 60 oa
Gec
pnp
FF di Poienza
30 250 150
55 2S 60 65
Gec
GET5 pnp
BF di Pofenza
40 350 300
a,g UU
200 69
Gec
GET pnp
tsF di Potenza
15 250 150 1 CE 28
65 Gec
&ET7 pnp
BF di Potenza
15 BA 2W
40
Gec
GETS pnp
BF di Fofcnza
30 8A 2W
40
Gec
GETI O pnp eommut azi one
40 500 300
1, 1
69 GEC
GETI 5 pnp EF Fi nal e 15 350 300 0,9 60 2t r00 60 Gec
GETI pnp EF Fi nal e 30 350 300
0,9 60 23 200 69 Gec
GET2O pnp BF. Commut azi one 30 500 300 1. 1 55 29 60 69 -iec
GETI 02 pnp
&F 30 150 200 0,5 42 BO
B GEC
GETl 03 pnp BF Fe*enza 30 254 150 I 55 2 B I 6 0
oc
Gec
GETI04 pnp EF Fofenza
30 250 150 I 55 2 9 1 6 0
OD
Gec
GETT05 pnp EF Fotenza 40 350 300 0,s U 23 200 69
Gec
GETl O pnp BF 15 250 150
I 55 28 65
Gec
GETI I O pnp
Cernn' luazione 40 500 300 r r r
69
Gec
GETI T3 pnp
BF Fi nal e 15 150 200
D 80 65
Gec
GETI I 4 pnp
EF Poienza
1.5 250 150 1 55 25 60 65
Gec
GETI I 5 pnp
BF Fi nal e
15 350 300 0,9 60 27 200 69 Gec
GETI I pnp
EF Fi nal e
30 350 300 0,9 60 23 200 69
Gec
GETI 20 pnp
B F.om.m utazione
30 500 300 1. 1 a3 28 60 69
Gec
GET57I pnp
BF di Potenza
16 3A 10w
?w 39
Gec
GEf572 pnp
tsF,i Polenza
32 800 10w
4 39
Gec
GET573 pnp
tsF di Potenza
60 500 10w
4W 39 Gec
GET87I pnp
AF-Commuf azi one
15 25 DD 5 U
65
Gec
GET872 pnp
AF-Commr.rfazione
L2 25 D
10 60
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Gec
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pnp M F . A F
12 10 DD 35 35 65 Gec
GT874
pnp OX
.
MI X. AF L2 10 55 10 40 20 65 Gec
GFT2O
pnp BF
10 10 26 0,3 42
TE
-
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pnp BF
15 10 50 0,3 90
2L T E - K A - D E
GFT26
pnp EF Folenza
12
0,1
1 ] E - K A - D E
GFT32
pnp EF Potenza
16 10 50 0,5
42
T E - K A - D E
GFT44
pnp
o x - Ml x - A F
15 10 4 15
40
T E - K A - D . U
GFT45
pnp BF Potenza 15 25
40
T E - K A - D E
GFT2OO
pnp BF Poienza
L2 2A 4W 0,1
T E - K A - D E
GFT4OI2
pnp BF Pofema
30 rlA 12W
50
TE
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pnp BF
25 100 LZ5, o,4 28 36
General
Trans.
GTT4H
pn,p tsF Mi ni atura L2 50 90 0,4 28 36
General
rans.
GT2O
pnp BF 25 100 100 0,4 45 40
General Ttans.
GT20H
pnp BF Mi ni at ura L2 50 90 0,4 42 40
General
Trans.
GT24
pnp BF 6 30 0,4 45 36
General TTans.
GT34
pnp BF 25 100 125 0,6 15 34
General
Trans.
GT34HV
Pnp
Commulazione 50 200 150
10 32
General
rans.
GT34HV
pnp Appl . vari e 20
0,4
General
rans.
GT34N
pnp Neon Luce 100 200 t25
18
General
GT34S
pnp R.iv. BF 40 200 L2 15 32
General
rans.
GT35 npn Ltr
45 200 t26 0,4 40 40
General rans.
GT38
pnp tsF
2A 0,4
General
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GT
pnp Fototrans
t2 20 50
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24 General
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pnp 25 100 t25 0,4
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General
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Gf75
pnp BF 25 100 t25 0,4 50 44
General rans.
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pnp EF 25 100 L25 0,4
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General
rans.
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General Trans'
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BF 25 200 150 0,4 .20 M
General rans'
GT82
pnp BF
25 100 125 0,4 50 46
General Taans'
GT83
pnp Conlafore BF 25 200 125 0,4 35 40
General Trans.
GT87
pnp Coni at ore BF 25 200 t25 0,5 28 36
General
Trans.
GT88
Pnp
SF
25 200 t25
65 42
General Trans.
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60 1,44 20w 0,4 20 2A l,5W
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pnp tsF Fotenza
60 350 5W 0,4 16 L7 1W
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BF Polenza
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M.K.R.
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pnp tsF Pstenza
60 500 5W 0,4 2L 20
M.K.R.
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BF Fotenza
60
0,1
M.K.R.
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pnp EF Potenza
60 8A 20w 0,1 L4 16 2,5\4 M.K.R.
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pnp BF Fofenza
60 8A 20w 0,1 t4 16 2,5\ M.K.R.
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pnP BF Fotenza
60 8A 20w 0,1 14 16 2,5W
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pnp BF Fotenza 28
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pnp RF 5i ! i cone 60 100 500 0,9
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pnp BF Si l i cone 110 100 500 0,5
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pnp EF Si l i cone
c 500 500 0,5
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pnp EF
60 100 500 0,5
Hughes
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pnp EF Si l i cone 20 100 500 1, 5
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pnp Commut azi one
20 10 50 0,7 45 40
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pnp SF Potenza
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c.B.s.
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Philips
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oc28 pnp
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60 6A 12W 60 39 Philips-Miniw.
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BF Pofenza 30 1,4A' 2W 36 39 Philips-Miniw.
oc32 pnp BF 30 30 1W West.-Interrnet.
oe33 pnp
BF 20 10 50 4,2 29 Nucleonics-Int.
oc34 pnp BF 20 10 50 8,2 42 Nucleonics-Int.
oc35 pnp
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39 Philips
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39 Philips
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oc4 pnr9 e crnrnu . rapi de 20 100
2L Philips-Miniw.
oc47 pnp
eommuf . rapi de 2A 100
2L Fhilips-Miniw.
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Ampefes
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oc80 pnP
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TEXAS I NSTRUMENTS Lt C.
(Abbr.
Texas-Tex. )
INGHILTERRA: Dallas Road Beldfort.
TE- KA DE
GERI{ANIA: Nuremburg 2.
TEL EFUNKEN
GERITANIA: Um Donau.
I TALI A: Pl e Bacon: 3
-
Mi l ano.
THOMSON-HOUSTON
(Abbr.
Thomson- Thom. )
FRANCIA: N41 rue L' Admiral-Mouchez. Paris
13.
TRANSI TRO . , ! CORF.
(Abbr.
Transi f ron-Transi l . .
Trans, )
AMERICA:
a03-407
l,{ain St. Melrose 76 Mass.
TUNG"SOL (, Abbr. Tuns-S. )
AMERICA: 35 8th Avenue Newark 4. N. J.
WESTFRN ELECTR. I C CO.
AMERI CA: 195 Brodwav. New York.
.
WESTI NGHOUSE
AMERICA: New York.
ITALIA: Neon Scolari
-
\ria San Zeno B
-
Milano.
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constata ogg_ come non aolo gter
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l" granile inlu,stria ma pu,re per
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Ie attiai,t minori
-
artigiana.to,
- agricol,tura, ecc,
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I'assol'ui,ntento
l4itt,*
ilei compiti di tratsoro richieila conoscen-e
tem.iche che uanno oltre il concetto del
*mpl ae sl per l eggel e e scri yere.
Ci ri troai anto cos
-
i u, catnpo nazi onal e
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a doaet'
fronteggiare
il, triste squ,il,ibtio
(zsistente
,ft'a
esi4lenza d,i rich,iesta e inpre-
paroeone di oJJbrta.
-
I calti d,'irtdttstria
necessitano di specialiat e di qualficati,
mentt'e
fra.
le ntasse laroratrici
1toch,.i
sono
aol,ot'o in posst:sso del, m,inimo di istruaione
necessari a o rnatrtenersi ctl passo col costante
er;ol,xet's.i rlella teotiru.
-
fn Italia le sole pub-
bl i tnzi otri a i trl i t' i :zo l eori co-cul ,tut,al e che
si,atzo rrllu portdta dcll'olteruio, d.ell,o shtrlente,
ilell,'impieguto e del teanir:o souo rytcll,e elite a
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Con i rtel l i gente e pi tcevol e fbrmn vol gnri zzom
presorrti l meusi l nrente progeftl
ed el nborazi onl che
dnl l e pi i r cl ementati trozi oni di radi o condncono nl e
compl esse real i zznzi oni i n cnl npo TV, non tral nsrri l ndo
di i ntesi rc i l
(rnrrpo
del l a fbtogrnfi a, tl el l a chi ni ca,
dcl h rneccani cl , del moi l el l l smo. tl el l ' arredl nrcl o. i l el l n
ngr i col t ur r r . del l a cl cci a e. del l n, pese&
. ecc. , ecc.
I,A'TION|OA II,Lf-STIIA'tr,I
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Offre ti l ettol i i tul i uni di nttntenersi nl corronte del l e
novi t i l ssol i l te di tecni rri l . Le eol l nl l orazi oi , che pel ' -
vertgol o da ogni parfe del rnonro, r.i sul tnno corrednte
dni pi i r arnpi scrt.i zi fi rtogrnfi ci .
s L A TEONI OA I L L US' I RAI t AD i l me n s i l e
che, txrn i nteressauti corri spondenze, coutri bui see
i n rnnni era fatti vt nl ftl di l Tusi ouc di qucl l a cul tura
t ecr r i r : a che si i spi r n l l l e esi genzo i l e l n vi t a
modernl ,
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Il i sul ta pertnnto i ncl i i petsabi l e a ehi
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i nenda mantenersi nggi ornal o con gl i svi l uppi oon-
ti rrui dr' l l a tecni ct l el mondo.

S E L n * Z I ONE P I i A I I I Ol t
( a r . . . . r a I c -
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iI compendio ili progetti railio, TY, foto-ottica,
moo-a,trtomobilisuo, chirnica, rrrerla,mento, pesc* e caccia, ecc.,
che completo, amicehendola, la rrccolta di
"SISTDMA
PRI,TICO".