Negli ultimi due o tre decenni lelettronica allo stato solido, quella cio basata su dispositivi a

semiconduttore, ha inciso sempre pi profondamente sullorganizzazione del lavoro e sulla vita di

tutti i giorni, portando ad un rapido cambiamento della nostra societ. Allorigine di questa
rivoluzione stanno lapplicazione dei concetti della meccanica quantistica e una particolare classe di
materiali: i semiconduttori.
!esistenza di questi materiali era stata segnalata da Alessandro "olta gi nel #$%&, osservando che
un elettrometro si scarica con velocit diversa se uno dei suoi terminali viene toccato con materiali
diversi: i metalli lo scaricano istantaneamente, gli isolanti non lo scaricano e i semiconduttori lo
scaricano molto lentamente. '! questa una prima evidenza del diverso valore della resistivit di
queste tre classi di materiali, documentata storicamente ma non adeguatamente compresa. a prima
osservazione di un comportamento tipico dei semiconduttori dovuta a (arada) che nel #%*+
scopre che il solfuro d!argento, contrariamente ai metalli, accresce la sua conducibilit all!aumentare
della temperatura. Alla fine dell!,ttocento -ohan .. /ittorf riscontr0 in Ag
&
1 e 2u
&
1 un aumento
esponenziale di conducibilit con l!aumento della temperatura. 3uesto comportamento fece pensare
ad un!energia di attivazione per i portatori di corrente, ma per lungo tempo non ne fu chiara l!origine
e rimase incerto se i portatori fossero ioni o elettroni. 1olo grazie all!effetto /all 4#%$%5$67 si cap8
che i portatori nei semiconduttori erano elettroni.
Nel #%$+, .illoughb) 1mith scopr8 la fotoconducibilit, osservando che la resistivit del selenio
diminuisce quando il cristallo esposto alla luce. Nel #%$*, 9arl (. :raun scopr8 l!effetto
rettificante del contatto metallo5semiconduttore: la resistenza non segue la legge di ,hm, ma
dipende da valore e segno della tensione applicata, in modo da favorire il passaggio di corrente in
un verso e da inibirlo in quello opposto. e propriet rettificanti di strutture basate su
semiconduttori 4contatto metallo5semiconduttore prima e giunzione p5n poi7 costituirono lo stimolo
per lo studio e lo sviluppo di queste strutture, che si prevedeva potessero essere utilizzate per
rivelare e amplificare segnali. ;i fine ottocento l!invenzione della radio a galena, che si basava
proprio sulleffetto di rettificazione da parte di un sistema costituito da un contatto metallico su
galena 4<b17, e che permise di rivelare onde radio provenienti da un trasmettitore.
=uttavia queste prime osservazioni rimasero senza conseguenze o ricadute pratiche per lungo
tempo, poich> il successivo avvento delle valvole termoioniche 4la messa a punto del triodo del
#6?@7 mette a disposizione un sistema semplice e soprattutto affidabile per lamplificazione di
segnali elettrici 4essenziale nel settore sempre pi importante delle trasmissioni radio7 e per la
realizzazione di circuiti elettronici anche complessi. e valvole termoioniche tennero il campo per
oltre A? anni.
Nel corso della seconda guerra mondiale lattenzione dei ricercatori si era spostata su problematiche
pi direttamente connesse con lindustria bellica. Nel#6*& viene lanciato dallBniversit di <urdue
un progetto di ricerca sui semiconduttori con lobiettivo di produrre e testare diodi a
semiconduttore, al fine di produrre raddrizzatori a diodo come rivelatori per radar.
a conclusione della seconda guerra mondiale permise di concentrare risorse finanziarie e
intellettuali in direzioni differenti da quelle imposte dallo sforzo bellico. impegno per la soluzione
di problemi pratici, nel caso particolare il miglioramento delle prestazioni di sistemi per la
rivelazione, lamplificazione e la trasmissione di segnali radio o telefonici, cre0 sinergie tra ricerca
di base e sviluppo di tecnologie. "alvole e rel> elettromeccanici incominciano ad apparire poco
adeguati, dato lelevato consumo di potenza richiesto dalle valvole e la scarsa adattibilit dei rel> al
funzionamento a frequenze elevate. a necessit di sistemi veloci, compatti e con consumi ridotti
riporta alla luce le osservazioni di inizio secolo sulle propriet rettificanti del sistema metallo5
semiconduttore 4la definitiva comprensione e applicazione dei contatti di raddrizzamento ottenuta
tra la fine degli anni +?! e i primi anni *?!, indipendentemente, da .. 1chottC), N. (. Dott, :.
;av)dov7 e d il via a unintensa attivit di ricerca. Bn ruolo fondamentale hanno avuto i laboratori
di ricerca industriale, tra cui quelli della :ell =elephone negli 1tati Bniti, dove la ricerca di nuove
soluzioni ai problemi citati diede origine a un grosso sforzo per la comprensione delle propriet
fisiche dei semiconduttori. Ei agli inizi del Novecento erano comparse le prime proposte di
interpretazione, anche se ancora non sistematiche n> organiche e solo nel #6&A5&@ furono tracciati i
fondamenti per un nuovo approccio allo studio dei materiali, che si sarebbe presto consolidato nella
disciplina della fisica dello stato solido. a meccanica quantistica, elaborata da 'rFin 1chrGdinger e
.erner /eisenberg per spiegare gli spettri atomici, era in linea di principio in grado di interpretare
tutte le interazioni tra gli atomi e diversi fisici proseguirono le ricerche in questa direzione. Hl primo
concetto introdotto dalla meccanica quantistica la quantizzazione dei livelli di energia degli stati
elettronici in bande di energia, E
n
4k7, dove il vettore k un numero d!onda 4kI&JK7 legato alla
lunghezza d!onda di de :roglie dell!elettrone 4IhKp, dove h la costante universale di <lancC e p
la quantit di moto dell!elettrone7 e assume un numero discreto di valori.
Nel #6&A <auli scopriva il fondamentale principio di esclusione, secondo cui due particelle con una
funzione d!onda antisimmetrica non possono occupare lo stesso stato quantico. a derivazione della
statistica cui obbediscono tali particelle, dette fermioni, risale al #6&@ e si deve a 'nrico
(ermi e a <. A. D. ;irac 4statistica (5;7L nel #6+# Alan .ilson dellBniversit di 2ambridge aveva
proposto una teoria a bande dei solidi descrivendo il comportamento dei semiconduttori nellambito
di questa teoria e aveva introdotto il concetto di impurezze donori e accettori. Nello stesso anno
/eisenberg spiegava il concetto di buca nei solidi introdotto da Mudolf <eierls nel #6&6,
introducendo il concetto di lacuna come quasi5particella di carica positiva che descrive gli stati
vuoti in una banda altrimenti piena. 1i riuscirono cos8 a capire i risultati di effetto /all anomalo di
9arl :aedeCer e di ,rso Dario 2orbino, noti dall!inizio del NN sec., che rivelavano portatori di
corrente con carica positiva. Nel #6*? apparve il famoso testo di (redericC 1eitz 4O=he modern
theor) of solids7, che presentava lo studio dei fenomeni fisici dei cristalli alla luce della meccanica
quantistica.
D.-. 9ell), allora direttore della ricerca e in seguito presidente dei laboratori :ell, cap8 che una rete
telefonica pi vasta e affidabile avrebbe richiesto commutatori elettronici piuttosto che
elettromeccanici e amplificatori migliori. 'gli form0 un gruppo di ricerca sui componenti allo stato
solido comprendente fisici teorici e sperimentali, un ingegnere e un chimico fisico, il quale lavorava
nel laboratorio insieme agli esperti di metallurgia. a citazione seguente tratta dallautorizzazione
al lavoro di questo gruppo:P a ricerca compiuta in questo caso ha come scopo quello di ottenere
una nuova conoscenza che possa essere utilizzata nello sviluppo di componenti e di elementi dei
sistemi di comunicazione completamente nuovi e perfezionatiP.
Alla fine della guerra riparte con nuovo impulso presso i laboratori :ell il progetto sui
semiconduttori e viene nominato direttore del progetto .illiam 1hocCle). (anno parte del gruppo di
ricerca -ohn :ardeen e .alter :rattain. a natura semplice di silicio e germanio indusse a
concentrare gli sforzi su di essi: in quanto semiconduttori elementari, il legame covalente puro e
ben conosciuto da un punto di vista quanto5meccanico. ' :rattain in un suo articolo conclude: QHl
nostro lavoro era perci0 diretto verso una comprensione degli aspetti fondamentali del problema,
anche se eravamo ben consapevoli dellimportanza di un amplificatore a semiconduttore, ammesso
che fosse possibile realizzarlo.R
Hmportante fu quindi lattivit di -./. 1caff e /. 2. =heurer, anchessi appartenenti ai laboratori
:ell, che riuscirono a produrre silicio di qualit controllata mediante un processo di fusione in
vuotoL essi distinguevano il tipo di drogaggio dallodore 4se drogato n odora di fosforo7, poich> la
concentrazione delle impurezze era inferiore ai limiti di rivelazione dellepocaL determinarono
anche che gli elementi del HHH gruppo sono accettori e drogano p il materiale, mentre quelli del "
gruppo sono donori e drogano n. Mealizzarono inoltre la prima giunzione p5n. Hn conclusione, un
primo importante risultato dellattivit dei aboratori :ell la messa a punto di tecniche che
permettono di preparare silicio e germanio di tipo n o di tipo p con resisitivit controllata. 3uesto
evidenzia il fatto che il progresso nel campo dei dispositivi a semiconduttore dipende in grande
misura da una stretta cooperazione tra fisici, chimici e metallurgistiL infatti dalla capacit di
controllare il contenuto di impurezze 4il drogaggio7 e la regolarit della struttura cristallina discende
la possibilit di avere materiale adeguato per uno studio approfondito e per lo sviluppo di
applicazioni. Hn questarea della (isica, come pi in generale della 1cienza dei Dateriali, il
procedere della conoscenza scientifica e dello sviluppo tecnologico sono intimamente legati e non a
caso il ruolo di stimolo dellapplicazione tecnologica e limpegno del mondo industriale hanno
giocato un ruolo determinante nel progredire della conoscenza dei semiconduttori.
Mipercorriamo ora sinteticamente la strada che port0 il gruppo della :ell =elephone allinvenzione
del transistor e alla realizzazione del primo dispositivo. :rattain cercava di realizzare una struttura
metallo5isolante5semiconduttore che consentisse lamplificazione in modo efficace. idea era
semplice: applicando una tensione positiva allelettrodo metallico si sarebbe dovuto poter attrarre
elettroni nel semiconduttore, prendendoli dal circuito esterno. a resistenza del semiconduttore
sarebbe dovuta diminuire e la corrente elettrica quindi aumentare: si sarebbe cos8 potuto ottenere
lamplificazione del segnale applicato allelettrodo metallico. Hl dispositivo non funzion0: gli
elettroni erano effettivamente attratti nel germanio e addensati alla superficie, dove per0 restavano
intrappolati a causa della scarsa qualit della superficie stessa, rovinata dal taglio e dalla
lavorazione. idea per0 era assolutamente valida e oggi alla base di una intera famiglia di
dispositivi: i Qtransistor a effetto di campoR. a sperimentazione per0 continuavaL un errore
sperimentale port0 alla scoperta delleffetto di amplificazione cercato, anche se non mediante la
struttura prevista. Nel corso della ripulitura del cristallo di germanio, venne asportato il sottile strato
di isolante e il contatto metallico fu quindi realizzato direttamente sul semiconduttoreL questo diede
origine a un nuovo effetto che fu attentamente valutato e non semplicemente rigettato, in quanto
dovuto a un errore. "ennero applicati al germanio due contatti metallici a punta molto vicini:
lintensit della corrente circolante tra una delle due punte e un terzo contatto di massa aumentava
se allaltra punta veniva applicata una tensione. Hnoltre un segnale modulato inviato a una delle due
punte compariva amplificato allaltra: si era cos8 ottenuto leffetto di amplificazione di segnali
elettrici modulati a lungo cercato. a scoperta delleffetto sopra descritto e linvenzione del relativo
dispositivo valse a :ardeen, :rattain e 1chocCle) il premio Nobel per la (isica nel #6A@. Hl
dispositivo cos8 realizzato era fortemente instabile: il suo funzionamento dipendeva in modo critico
dalle caratteristiche e dalla distanza delle due punte metalliche, nonch> dalla qualit della superficie
del germanio. 'ra cio un dispositivo dal difficile utilizzo pratico. <ochi anni dopo la sua
invenzione venne abbandonato grazie alla scoperta del Qtransistor bipolare a giunzioneR, un
dispositivo basato interamente su semiconduttori e quindi pi solido e affidabile.
inizio e le prime fasi dellevoluzione dei dispositivi elettronici, a partire dai dispositivi discreti
4diodi e transistor7 per giungere ai circuiti integrati su scala sempre pi larga, sono stati vertiginosi.
Nel #6A&, poco dopo la scoperta del transistor, stato ipotizzatoda ricercatori del Mo)al Madar
'stablishment in Eran :retagna che un blocco di semiconduttore possa essere usato per formare
tutti gli elementi di un circuito elettrico: questa la prima intuizione della possibilit di realizzare
circuiti integrati. <oco dopo, nel #6A* viene annunciato dalla =eSas Hnstruments il primo transistor
basato sul silicio e nello stesso anno, con la decisione di 1hocCle) di lasciare i laboratori :ell e di
fondare la 1hocCle) 1emiconductor aborator), nasce di fatto la 1ilicon "alle), una regione della
2alifornia dove si concentrano le pi dinamiche ditte di semiconduttori e calcolatori.
Hl salto di qualit, dovuto a un netto cambiamento di prospettiva nel progetto di dispositivi a
semiconduttore si ha per0 alla fine degli anni 1essanta quando viene prodotto il primo circuito
integrato. 3uesta realizzazione ottenuta contemporaneamente nel #6A6 da due importanti industrie
di semiconduttori: la =eSas Hnstruments, che realizz0 il dispositivo su germanio, e la (airchild
1emiconductor, che invece utilizz0 silicio. Negli stessi anni la proposta di utilizzare ossido di silicio
come strato passivante e disolamento in strutture integrate segna laffermazione definitiva del
silicio e costituisce un passaggio importante nella storia della microelettronica. Bn nuovo
importante passo nellevoluzione dei circuiti integrati avviene negli stessi anni e consiste
nellintroduzione della tecnologia D,1 4Detallo5,ssido51emiconduttore7, resa possibile dalle
propriet dellossido di silicio, stabile, resistente e impermeabile a agenti esterni 4ci0 non vale per
lossido di germanio che solubile in acqua7.
Nel #6@$ fa la sua comparsa sul mercato un altro colosso della microelettronica, lHN='
2orporation.
Hl cammino della microelettronica in continua accelerazione. e innovazioni fondamentali per lo
sviluppo dellelettronica moderna sono frutto di incessanti ricerche e spinte innovative, alla base
delle quali vi lapplicazione di un semplice concetto: la digitalizzazione dei segnali. H <ersonal
2omputer permettono laccesso a un numero notevole di servizi o, collegandosi a Hnternet, a una
straordinaria fonte di informazioni. ,ltre che nei calcolatori, i chip di silicio trovano applicazione in
innumerevoli settori che fanno parte della nostra vita quotidiana 4automobili, elettrodomestici,
sistemi di sicurezza7 e nel controllo di grandi processi industriali. Hl loro costo talmente
competitivo che vengono impiegati anche quando non si riesce a sfruttare pi del #?T o &?T delle
loro potenzialitU
Nel settore delle telecomunicazioni la tecnologia analogica, usata da buona parte degli attuali
sistemi di trasmissione viene progressivamente sostituita, sotto la spinta del progresso della
microelettronica, dalla tecnologia digitale. Hl passaggio alla tecnologia completamente digitale sta
portando a strumenti di comunicazione con maggiore funzionalit, minori dimensioni e consumi di
energia inferiori: i telefoni portatili e gli altri dispositivi radio sono in sostanza calcolatori in
miniatura dotati di alcuni circuiti elettronici per trasmettere e ricevere segnali radio.
Il chip di silicio, con i suoi milioni di circuiti elementari sopra una superficie delle dimensioni
di un'unghia, l'elemento di base per la costruzione di quella che viene oggi chiamata
l'autostrada dell'informazione, percorsa dai giganteschi calcolatori e dai personal computer.
A cavallo tra gli anni 2inquanta e 1essanta nasceva anche il laser, un amplificatore di luce basato
sull!emissione stimolata di radiazione coerente. <ur essendo stato concepito per la fisica atomica,
esso pu0 essere realizzato anche utilizzando le propriet di interazione della radiazione con la
materia nei semiconduttori. 1i svilupparono cos8 i diodi emettitori di luce 4';7 e i laser a
semiconduttore.
a tecnologia elettronica ormai basata sul silicio, ma si sono rivelate possibilit interessanti e
fenomeni nuovi nei tipi pi vari di semiconduttori. =utto ci0 ha dato origine a quella che oggi viene
chiamata scienza dei materiali, che da un lato mira allo studio dei materiali esistenti e dall!altro alla
ricerca di nuovi materiali dotati di propriet interessanti, per la fisica fondamentale e per la
tecnologia.
Nel corso della ricerca di nuovi materiali, eo 'saCi e Maphael =su realizzarono per primi negli
anni 1ettanta strutture ordinate stabili di tipo voluto, che non esistono in natura, depositando su un
substrato cristallino atomi diversi in opportuna sequenza. Hl controllo delle strutture pu0 essere
ottenuto a livello atomico, per cui si pu0 parlare di nanostrutture artificiali, le quali realizzano effetti
fisici importanti come la quantizzazione da confinamento, l!effetto tunnel, il trasporto balistico e
cos8 via. e loro propriet rendono possibili le costruzioni pi diverse, nelle quali gli atomi non
sono altro che i mattoni e le pietre di edifici di illimitata complessit. (ederico 2apasso ha coniato
l!espressione ingegneria della struttura a bande, per definire quello che oggi il terreno pi nuovo e
promettente nello studio dei semiconduttori.
Per concludere questa sintetica presentazione dei principali passaggi che hanno portato alla nascita
e allo sviluppo della moderna elettronica allo stato solido, prendo spunto da alcune considerazioni
proposte da 1.D. 1ze, autore di uno dei pi diffusi testi di fisica dei dispositivi a semiconduttore.
1ze riporta alcune affermazioni che mettono in evidenza come il campo dellelettronica in generale,
e dei dispositivi a semiconduttore in particolare, sia sempre stato in cos8 rapida evoluzione che molti
concetti usati oggi possono apparire obsoleti domani. =utto questo avviene grazie a una continua
interazione costruttiva di ricerca di base, spinta allinnovazione e allo sviluppo tecnologico, come lo
stesso 1ze evidenzia nel primo capitolo del testo citato, quando afferma: QV perci0 importante
capire i processi fisici fondamentali e possedere una adeguata base di fisica e di matematica per
assimilare e apprezzare un campo tanto dinamico e coglierne la sfida.R
Le prime a essere realizzate sono stati i superreticoli, costituiti da strati di pi piani atomici di un
tipo di semiconduttore alternati a strati di un altro tipo di semiconduttore. Altre nanostrutture sono
quelle a dimensionalit ridotta, in cui la periodicit rotta in una, due o tre direzioni. Nel primo
caso si hanno i cosiddetti pozzi quantici (QW, Quantum wells), in cui nella direzione di crescita un
semiconduttore coninato in un semiconduttore di!erso, con "ap di ener"ia ma""iore. Nel
secondo caso si hanno i fili quantici (QWW, Quantum well wires), in cui la struttura ori"inaria
mantenuta in una sola direzione e "li elettroni sono coninati nelle altre due. #i sono anche ottenuti
i punti quantici (Q$, Quantum dots), in cui un semiconduttore di piccola dimensione coninato
all%interno di un semiconduttore di!erso con "ap ma""iore. &utte queste nanostrutture e altre che
possono essere costruite realizzano eetti isici importanti quali la quantizzazione da
coninamento, l%eetto tunnel, il trasporto 'alistico e cos( !ia. Le loro propriet rendono possi'ili le
costruzioni pi di!erse, nelle quali "li atomi non sono altro che i mattoni e le pietre di ediici di
illimitata complessit. )ederico *apasso ha coniato l%espressione in"e"neria della struttura a
'ande, per deinire quello che o""i il terreno pi nuo!o e promettente nello studio dei
semiconduttori.
RIFERIMENTI BIBLIOGRAFICI
Nello scrivere queste note ho preso spunto dal cd-rom 1947-1997
dal Transistor ad Internet, curato da Lorenzo Pavesi del Dipartimento
di Fisica dellUniversit di Trento, da cui ho tratto anche alcune figure.
Il cd-rom, particolarmente utile per approfondire gli argomenti
trattati, acquistabile presso la Segreteria del Dipartimento di Fisica
dellUniversit di Trento (tel. 0461 881504).
Altri testi di consultazione:
A. Frova, La rivoluzione elettronica, Editori Riuniti, Roma 1981,
unintroduzione alla fisica dei dispositivi con utili rimandi storici.
M. Guzzi, Introduzione allo studio di semiconduttori e dispositivi a
semiconduttore, C.U.S.L., Milano 1987.
S.M. Sze, Fisica dei dispositivi a semiconduttore, Tamburini, Milano 1973.
R.S. Muller e T.I. Kamins, Dispositivi elettronici nei circuiti integrati,
Boringhieri, Torino 1982.
(ranco :assani. 1emiconduttori. 'nciclopedia della 1cienza e della =ecnica 4Hnternet7, &??$
4consultato #? giugno &?#*7. ;isponibile allindirizzo:
http:KKFFF.treccani.itKenciclopediaKsemiconduttoriW4'nciclopedia5della51cienza5e5della5=ecnica7K.
1pencer .eart. a seconda rivoluzione scientifica: fisica e chimica. a fisica dello stato solido.
1toria della 1cienza, &??* 4consultato #? giugno &?#*7. ;isponibile allindirizzo:
http:KKFFF.treccani.itKenciclopediaKla5seconda5rivoluzione5scientifica5fisica5e5chimica5la5fisica5
dello5stato5solidoW41toria5della51cienza7K.
fonte : icroelettronica ! "aco# illman, $rvin %ra#el
Nel caso di un capitolo di un libro
Cartabellotta A. La formazione residenziale degli operatori sanitari (Internet). In:
Pressato L, Cartabellotta A,
Bernini et al. L!educazione continua in medicina. "oma: Il Pensiero #cientifico
$ditore, %&&'. (pubblicato
(arzo %&&') consultato: (arzo %&&'). *isponibile all!indirizzo:
+ttp:,,---.pensiero.it,ecm
Nel caso di un articolo da una ri.ista
Cruz AA, Coel+o "P, Lucc+esi (C. /pper e0elid s+ape and position in t+e association
of ra.es! disease
and m0ast+enia gra.is. *igital 1 2p+talmol (Internet). %&&& (modificato 3& maggio
%&&3) consultato %& giugno
%&&%))4(3): (circa 4 paragrafi). *isponibile all!indirizzo:
+ttp:,,---.d5o.+ar.ard.edu,meei,2A,Cruz,2A.+tml
Nel caso di una +omepage
Pensiero.it (Internet). "oma: Il Pensiero #cientifico $ditore) 36678%&&' (consultato %&
marzo %&&').
*isponibile all!indirizzo
+ttp:,,---.pensiero.it