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Elettronica

I segnali contengono informazioni: per estrale, losservatore deve effettuare una elaborazione del segnale,
attraverso un sistema elettronico. Perch questo sia possibile occorre quindi necessariamente convertire il
segnale in un segnale elettrico (una tensione o una corrente), attraverso dei trasduttori: un segnale quindi
una grandezza che varia nel tempo, che inoltre pu essere
rappresentata anche mediante il suo spettro in frequenza
(come somma di segnali sinusoidali di differenti frequenze
ed ampiezze). I segnali possono essere analogici o digitali, a
seconda se essi assumono molteplici valori in ampiezza in
diversi istanti di tempo o valori ben precisi. Un segnale
analogico pu essere trasformato in digitale mediante un campionamento.

Richiami sui circuiti lineari


Legge Ohm: V=RI
Principio di equivalenza tra generatori: i due generatori
coincidono con Vg=RIg
Leggi di Kirchhoff: 1) la somma algebrica delle correnti
entranti in un nodo del circuito uguale a zero:

2) la somma algebrica delle differenze di potenziale che sincontrano spostandosi su un circuito lungo una
linea chiusa e finita nulla. Le tensioni vanno prese positive se concordi con il verso di spostamento:

Teorema di Thevenin: un sistema lineare a una porta equivalente a una rete con un generatore di tensione e
una resistenza.
Teorema di Norton: un sistema lineare a una porta equivalente a una rete con un generatore di corrente e
una resistenza.
Generatori controllati: i valori delle grandezze elettriche sono legate ad unaltra grandezza elettrica presente
nel circuito.
Elementi reattivi
impedenza: z =

(risp. in frequenza)

Vc(0+)= Vc(0-) e Vc(t)= V()-[V()-V(0)]


Impedenza: z= (risp. in frequenza)

IL(0+)= IL(0-) e IL(t)= IL()-[IL ()-IL (0)]

Resistenze in serie: Req=R1+R2++Rn


Resistenze in parallelo:

+ +

Req=

1 2

1 +2

con =RC (al gradino)

con =RC (al gradino)

Amplificatori
La prima necessit nellelaborazione dei segnali quella di amplificarli (poich i trasduttori forniscono
segnali piccoli, di energie basse): ci avviene tramite un
amplificatore, che deve essere dotato di linearit per
evitare distorsioni del segnale.
Un tale amplificatore formato dalla relazione V0(t)= A
Vi(t) dove A, una costante, rappresenta il guadagno dellamplificatore. Lamplificatore di segnali una rete
due porte, e spesso viene rappresentato con un terminale in comune tra la porta in ingresso e quella di uscita,
detto massa del circuito. Un amplificatore riceve in ingresso un segnale Vi(t) e fornisce in uscita, attraverso
una resistenza di carica RL un segnale V0(t): si definisce guadagno di tensione la relazione Av =

definisce guadagno di potenza (che differenzia lamplificatore da un trasformatore) la relazione:

Ap =

( )
( )

con I0 =

(corrente fornita al carico da A).

Definendo inoltre il guadagno di corrente Ai =

. Si

si ricava che Ap= Av Ai.

Poich lenergia trasferita al carico maggiore di quella assorbita dal


generatore di segnale, evidente che debba essere fornita energia
addizionale allamplificatore: ci avviene tramite il collegamento di generatori in continua, detti
alimentatori.
Un amplificatore richiede due alimentatori: uno positivo di valore V1 (il cui polo negativo messo a massa)
e uno negativo di valore V2 (il cui polo positivo messo a massa). Essi erogano corrente, rispettivamente I1 e
I2, per cui la potenza fornita allamplificatore : Pdc= V1 I1 + V2 I2.
Indicando con Pdiss la potenza dissipata allinterno dellamplificatore, si ha il bilancio energetico:
Pdc +Pi= PL+Pdiss.
Dove PL (potenza fornita al carico). Siccome Pi (la potenza assorbita) di solito molto bassa, lefficienza
dellamplificatore definita come =

Un amplificatore lavora in regime lineare solo per un limitato intervallo di tensioni di ingresso e di uscita: se
alimentato da due generatori la tensione di uscita non pu superare un limite positivo L+ e uno negativo L-,
oltre i quali lamplificatore in saturazione. In particolare il segnale di ingresso deve essere mantenuto
nellintervallo

< Vi <

. Nella realt gli amplificatori presentano caratteristiche non sempre lineari: ad

esempio quelli alimentati da un solo generatore hanno il punto di lavoro decentrato rispetto allorigine. Per
ovviare a ci pur mantenendo lampiezza del segnale bassa, occorre polarizzare il circuito, applicando una
tensione costante vI che si somma alla tensione del segnale: vI(t)= VI+ vi (t); in uscita si avr v0(t)= V0+ v0
(t), cio V0(t)= Avvi (t), dove Av la pendenza lineare della caratteristica, cio =

in Q.

Esistono diversi tipi di amplificatori, ma in particolare ne vengono analizzati quattro: Lamplificatore di


tensione, di corrente, di transresistenza e di transconduttanza.
Lamplificatore di tensione costituito da un generatore di tensione controllato in tensione con un fattore di
amplificazione Av0, una resistenza di ingresso Ri e una
duscita R0. Usando la regola del partitore di tensione si ha
=

quindi il guadagno di tensione =

Affinch il guadagno non venga ridotto, la resistenza di uscita 0 deve essere molto pi piccola della
resistenza di carico ; inoltre poich = si ha = . detto guadagno di tensione a circuito
aperto. Quando la resistenza dingresso Ri ha valore finito, allingresso dellamplificatore presente un altro
partitore di tensione, quindi solo una frazione del segnale dingresso Vs arriva in ingresso allamplificatore,
cio =

, per cui per non perdere una parte del segnale dingresso, la resistenza di ingresso deve

essere molto maggiore di quella del generatore, cio (e 0 ). Un caso particolare il buffer di
tensione: uno stadio separatore da utilizzare quando e quindi quando si avrebbe una forte
attenuazione del segnale; in tal caso si utilizza questo tipo di amplificatore, con elevata resistenza dingresso
(tale che ) e una bassa resistenza di uscita (tale che 0 ), pur avendo un guadagno unitario
Vs.
Avs=1, ma tale che V0=

Il guadagno di tensione complessivo: =

V0=Vs

V0=
Vs,

se Ri, R00, 1.
Sebbene sia molto pi usato lamplificatore di tensione, importante anche lamplificatore di corrente: esso
costituito da un generatore di corrente controllato in
corrente con amplificatore Ais, Resistenza in ingresso Rie
di uscita R0. Usando la regola del partitore di corrente si
ottiene I0=

quindi il guadagno di corrente Ai = =

Per evitare perdita di guadagno, la resistenza di uscita R0 deve essere molto maggiore della resistenza di
carico RL; inoltre se RL=0 si ha = , quindi chiamata guadagno di corrente in corto circuito.
Anche in ingresso vi un partitore di corrente, e solo una sua frazione giunge in ingresso allamplificatore:
ii=

, quindi per non perdere parte del segnale di ingresso, la resistenza di ingresso deve essere molto

minore di quella del generatore, cio (e 0 ). Un caso particolare il buffer di corrente: si


utilizza uno stadio separatore quando si ha alta impedenza duscita ( ) con guadagno unitario, ma

Is.
tale che I0=
=

I0=Is

I0=
Is, se Ri 0, R0 , 1.

Vi sono infine lamplificatore di Transconduttanza, che ha un segnale di tensione in ingresso e fornisce un


segnale di corrente in uscita e il cui parametro di guadagno Gm detto transconduttanza di corto circuito
(amplificatore ideale per R0= Ri= ); e lamplificatore di transresistenza, he ha un segnale di corrente
in ingresso e fornisce un segnale di tensione in uscita e il cui parametro di guadagno Rm detto
transresistenza a circuito aperto (amplificatore ideale per R0= 0 Ri= 0).
I quattro modelli di amplificatori sono unidirezionali, cio, il segnale fluisce in una sola direzione,
dallingresso alluscita.

Individuare la risposta in frequenza di un amplificatore significa esaminare la sua risposta a segnali


dingresso sinusoidali di varia frequenza. Ad un ingresso di questo tipo corrisponde in uscita un segnale con
stessa frequenza , ma in generale unampiezza diversa V0 rispetto a quella del segnale dingresso Vi e uno
sfasamento : indicando con T() la funzione di
trasferimento dellamplificatore, si ha che la
risposta dellamplificatore completamente
descritta da |T()|=

e la fase T()= .

Quindi individuare la risposta in frequenza


significa ricavare questi due valori al variare della
frequenza . Lamplificazione rimane cosante in
un intervallo di frequenza tra L e

H, mentre al di sotto di L e al di sopra di H minore, poich il

guadagno decresce: tale intervallo detto larghezza di banda o banda passante. Un fattore di merito per
lamplificatore il prodotto :
(H-

L) * Am=costante.

Per determinare la risposta in frequenza di un amplificatore, utile conoscere quella delle reti STC, con una
singola costante di tempo: esse si possono dividere per lo
pi in due categorie, caratterizzate da risposte differenti;
passa-basso e passa-alto. Infatti, sapendo che entrambe
le funzioni di trasferimento si possono esprimere mediante
il partitore di tensione (formato da una resistenza e un
condensatore con impedenza al variare della frequenza:
Z=

), nel caso di una rete passa-basso diminuisce allaumentare della frequenza e tende a zero per che

tende allinfinito (quindi fa passare le basse frequenze attenuandole poco o non attenuandole, mentre attenua
quelle ad alta frequenza), invece nel caso di una rete passa-alto diminuisce con , annullandosi per =0. Nei
due casi, governati dalla costante di tempo =RC, si ha:

T(S)=

con 0=

0 |T| = 1, |T| = 0
1

Passa-Basso : = 0 |T| = 2 , |T| = 3

0 |T| = 0
=

T(S)=

con 0=

|T| =
0
0
Passa-Alto : = 0 |T| = 1 , |T| = 3
2

0 |T| = 1 , |T| = 0

= T(j)= +( )

= T(j)= ()

Gli amplificatori possono essere classificati in base alla forma della loro risposta in ampiezza; essi possono
essere accoppiati direttamente (per cui vengono amplificate anche le basse frequenze), accoppiati
capacitivamente (tramite condensatori, per cui amplificato solo un intervallo in frequenza)o possono essere
amplificati accordati ( che hanno come risposta un picco attorno ad una frequenza, le altre sono filtrate).

La controreazione (feedback) pu essere sia positiva che negativa. Nel progetto degli amplificatori la
controreazione negativa usata per avere delle propriet:
1)Stabilizzare il guadagno, cio rendere il guadagno meno sensibile alle variazioni del circuito (ad esempio
della temperatura).
2) Ridurre la distorsione: fa si che il segnale duscita sia direttamente proporzionale allingresso (cio il
guadagno indipendente dallampiezza).
3) Ridurre leffetto del rumore: minimizzare il contributo da parte dei segnali elettrici indesiderati.
4)Controllare le impedenze di ingresso e di uscita.
5) Estendere la banda passante dellamplificatore.
Tutti questi effetti positivi vengono ottenuti a prezzo di una riduzione del guadagno: tale fattore detto tasso
di controreazione (). Lamplificatore ad anello aperto
ha un guadagno A, quindi luscita X0 legata
allingresso Xi tramite la relazione: X0=A Xi. Luscita
inviata ad un carico e ad una rete di controreazione,
che produce una replica Xf delluscita: Xf = X0. Il
segnale di retroazione Xf viene sottratto a quello
fornito dal generatore Xs, per alterare il segnale di ingresso dellamplificatore: Xi=Xs-Xf (questa sottrazione
rende negativa la controreazione). Il guadagno dellamplificatore controreazionato si ottiene combinando le
equazioni: Af =

, dove la quantit A detta guadagno ad anello (che deve essere positiva se


1

controreazione negativa). Esso minore di un fattore 1+ A, se A1 allora Af =


cio dipende solo dalla

Xs, essendo Xf=


controreazione) e inoltre Xf =

Xs.

Per determinare analiticamente la stabilizzazione del guadagno si differenziano entrambi i membri


Af =

, ottenendo:

+
(+)

(+)

che, dividendola per lequazione di partenza porta a:

(+)

Si evince quindi che la variazione di Af (dovuta a variazioni del circuito) minore della variazione di A del
fattore di controreazione 1+ A, detto anche fattore di stabilizzazione.
Per quanto riguarda lallargamento della banda (ad esempio per un amplificatore di alte frequenze) si ha:
A(s) =

con che rappresenta il guadagno di banda intermedio e la frequenza di taglio allora

applicando a questo amplificatore la controreazione otteniamo un guadagno ad anello chiuso:


Af(s) =

()

+()

sostituendo A(s): Af(s) =

+ (+ )

Da cui si vede una diminuzione del guadagno a centro-banda ( + ).

E un aumento della frequenza di taglio ( = ( + ).


Analogamente si calcola per le basse frequenza: in ogni caso si mantiene costante il prodotto
Banda*Guadagno.

A seconda del tipo di amplificatore vi il tipo di controreazione appropriato (in totale quindi quattro tipi).
Nel caso di un
amplificatore di tensione,
la grandezza da prelevare
in uscita una tensione,
quindi il segnale Xf deve
essere una tensione che
deve essere sommata a
quella del generatore di
segnale: una
controreazione serieparallelo (fig (a) ). In un
amplificatore di corrente, la grandezza da prelevare in uscita una corrente, quindi anche il segnale di
controreazione dovrebbe essere una corrente, da essere inserita in parallelo alla corrente del generatore: una
controreazione parallelo-serie (fig(b)). Infine per un amplificatore di transconduttanza, che ha in ingresso
una tensione e in uscita una corrente, si parla di controreazione serie-serie (fig(c)) mentre per un
amplificatore di transresistenza, che ha in ingresso una corrente e in uscita una tensione, si ha una
controreazione parallelo-parallelo (fig(d)).
La controreazione serie-parallelo inoltre porta ad un aumento della resistenza dingresso e ad una
diminuzione di quella duscita. Sia il guadagno ad anello chiuso Af =
sapendo che Vs =Vi+V0 = Vi+A Vi
Rif=

= Vi (1+ A) per la controreazione, si ha:

Allora sostituendo Vs: Rif =

(1+ A) = (1+ A) (cio maggiore del fattore 1+ A).

Mentre per individuare la resistenza di uscita, si pone Vs a zero e si applica una tensione di prova in uscita
allamplificatore (Vx):
R0f =

sapendo che Vx = Ix R0+ AVi = Ix R0 - A Vx , cio Vx (1+ A) = Ix R0

Allora ricavando e sostituendo Vx: R0f =

(minore per 1+ A ).

In generale per si ha che la relazione tra Rif e Ri (e R0f e R0) dipende solo dal metodo del confronto: il
confronto in serie quindi aumenta sempre la resistenza dingresso (o di uscita) e quello in parallelo
diminuisce (anche quella di uscita). Infatti, nel caso di controreazione serie-serie, sapendo che A =
=

e Af=

con calcoli analoghi ai precedenti si ricava che Rif = Ri ( + );

per calcolare la resistenza di uscita invece si pone Vs =0 e si interrompe il circuito di uscita e si applica una

corrente di prova It (al posto di Ri). in questo caso Vi= Vf = It ,

quindi ai capi dellamplificatore: V= (It - AVi) R0 = (It + It)R0 e, sapendo che R0f =

ricava R0f = ( + )R0 (un aumento della resistenza duscita, essendo serie-serie).
Infine, per la configurazione parallelo-parallelo (per cui si ha Af =

le resistenze sono pari a: Rif =

e R0f =

mentre per quella parallelo-serie ( per cui si ha Af =


R0f =( + ) R0.

, sostituendo V si

) le resistenze sono pari a: Rif =

Amplificatori operazionali
Lamplificatore operazionale ha tre terminali principali: due dingresso e uno duscita: a maggior parte di
essi inoltre richiese due alimentazioni in continua, quindi sono presenti altri due terminali, rispettivamente
connessi a una tensione positiva V+ e una negativa V-, che hanno massa in
comune: importante notare che nessun terminale dellamplificatore
operazionale connesso fisicamente a massa. Lamplificatore operazionale
ideale rileva la differenza tra i segnali di tensione applicati ai suoi due terminali
di ingresso (V2-V1), moltiplica tale differenza per un numero A e presenta in
uscita la tensione A (V2-V1) (V1 sta per tensione tra terminale 1 e massa,
analogamente a V2). Lamplificatore operazionale non assorbe corrente sui terminali dingresso (i1=0, i2=0 ),
cio la resistenza di ingresso di un amplificatore operazionale infinita (Ri= ); in uscita la tensione tra il
terminale e la massa sempre pari a A(V2-V1), indipendentemente dalla corrente fornita allimpedenza di
carica, cio la resistenza duscita nulla (R0=0). Luscita inoltre in fase con V2 (hanno lo stesso segno) ed
in opposizione di fase con V1 (hanno segno opposto): perci il
terminale 1 detto terminale di ingresso invertente, il terminale
2 detto terminale di ingresso non invertente. Lamplificatore
operazionale ideale a ingresso differenziale (V2-V1) e uscita
sbilanciata: se V2=V1, allora luscita V0 idealmente nulla
(questa propriet detta reiezione di modo comune). Inoltre,
caratterizzato da un guadagno che rimane costante da frequenza
zero fino ad una frequenza infinita: amplificano cio i segnali di
ogni frequenza con lo stesso guadagno (cio sono sempre saturi). Poich il guadagno A idealmente finito,
lamplificatore operazionale non viene usato nella configurazione ad anello aperto ma con una
controreazione dove una controreazione collega luscita con lingresso dellamplificatore opzionale.
In figura rappresentata una controreazione negativa: il resistore R2 connesso tra il terminale di uscita (3)
dellamplificatore ed il terminale di ingresso invertente (o
negativo). Se fosse stato connesso invece tra il terminale di
uscita e il terminale di ingresso non invertente sarebbe stata una
controreazione positiva. Il terminale 2 inoltre posto a massa ed
presente un resistore R1 tra il terminale 1 e il generatore di
segnale di tensione Vi; luscita presa tra il terminale 3 e massa.
Questo tipo di configurazione detto configurazione invertente (poich il guadagno ad anello chiuso
associato allingresso 1 negativo). Assumendo che lamplificatore sia ideale, si vuole analizzare il guadagno
ad anello chiuso G =

. Poich A , per definizione si ha V2-V1 =

= 0, e da ci segue che

V2 =
V1, cio la tensione V1 molto prossima a V2 essendo il guadagno A prossimo a infinito (si tratta di un
cortocircuito virtuale, cio qualsiasi tensione sia presente sul terminale 1 presente automaticamente anche
sul terminale 2); siccome il terminale 2 connesso a massa si ha V2=0, quindi V1=
0 ( il terminale una
massa virtuale, cio a tensione nulla anche se non fisicamente connesso a massa). La corrente i1 che
scorre su R1: i1= Vi*

non pu entrare nellamplificatore operazionale (essendo ideale ha impedenza

dingresso infinita), che quindi scorre attraverso R2 nel terminale 3(i2). Si ha quindi i1=i2, da ci:
V0 = V1i2R2 = 0

R2 = ( )R2, quindi il guadagno ad anello chiuso G =

dove il segno negativo

(config. invertente) indica in uscita uninversione del segnale (sfasamento 180): esso risulta dipendere solo
dai componenti passivi esterni R1 e R2 ed idealmente indipendente dal guadagno dellamplificatore
operazionale, poich A .

Nellipotesi che il guadagno ad anello aperto A sia finito, indicato con V0 la tensione duscita, la tensione tra
i due terminali dingresso dellamplificatore operazionale pari a

, ed in particolare poich lingresso

positivo connesso a massa, la tensione al terminale dingresso negativo pari a 0 . La corrente i1 che
scorre su R1 pari a: i1=
V0= i2R2+V1=

V0 = (1+

minima se 1+

=
da cui sapendo che i1= i2 (cio i1 scorre interamente

(
)R2 quindi V0 = quindi

( )

i2R2 =

) =

da cui il guadagno ad anello chiuso: G =

A. Infine si ha Rin=

= R1 (poich i1=

) e R0=0.

+ (+ )

su R2):

e la dipendenza di A

Invece di usare due resistori R1 e R2, si possono utilizzare due impedenze Z1 e Z2: in generale quindi la
funzione di trasferimento ad anello chiuso pari a

Come caso particolare si pu considerareZ1=R e Z2 =


Z1 un resistore e Z2 un condensatore), da cui
per frequenze reali S=J diventa

= 2.
1

) cio

che

. Questa

corrisponde ad una integrazione, cio V0(t) risulter integrale di


Vi(t): infatti, nel dominio del tempo si ha I1 =

()

Se allistante t=0 la tensione ai capi del condensatore VC, allora si ha: V0(t)= VC

1
()
0

con RC

costante di tempo di integrazione. Quindi V0(t) lintegrale nel tempo di


Vi(t), e la tensione V0 la condizione iniziale del processo: questo
circuito integrale invertente a causa del segno negativo associato alla
funzione ed detto integratore di Miller (o integratore invertente). Esso
ha una risposta in ampiezza che identica a una rete passa-basso per
con frequenza di taglio 0 nulla: ci significa che vi corrisponde un
guadagno ad anello chiuso infinito (cio per = 0 si ha A ). Per
rendere finito il suo valore occorre connettere una resistenza R2 di valore
elevato in parallelo al condensatore dellintegrale (che diventa per non
ideale), per cui si ha Z1=R1, Z2= R2 //

guadagno ad anello chiuso dellamplificatore.

1
R2+

1+2

Un altro caso particolare il circuito che compie operazione di derivazione; si ha per Z1=
un condensatore e Z2 un Resistore) da cui
frequenze reali S= J diventa

2
1

= , che per

dove

2
1

il

e Z2= R (cio Z1

= J : ci corrisponde ad

unoperazione di differenziazione.
Infatti si ha i1(t) = C

(t)

, da cui 0 () = i1(t)R = RC

(t)

. Questo

tipo di circuito detto quindi derivatore: ha una risposta in ampiezza


identica a quella della rete STC passa-alto, per con frequenza di taglio
infinita; maggiore la frequenza del segnale pi esso viene amplificato.
Ci rende il derivatore un amplificatore di rumore, poich le interferenze
hanno quasi sempre frequenza maggiore: affinch possa lavorare effettivamente come derivatore (e in
particolare solo per le basse frequenza, mentre per quelle alte si tratta di un amplificatore) occorre connettere
una piccola resistenza in serie al condensatore (che rende per il derivatore non ideale).

Come ultima applicazione della configurazione invertente si ha il


sommatore pesato. Si ha in questo circuito una resistenza Rf nellanello di
controreazione negativa, ma pi segnali di ingresso V1,V2,Vn applicati su
resistori R1,R2,Rn connessi al terminale invertente dellamplificatore
operazionale: poich esso ideale, presenta in ingresso massa virtuale,
quindi corrente i= i1+i2++in (con i1 =

, i2 =

scorrere in Rf. La tensione di uscita quindi pari a: 0 = 0 Rf = Rf = (

, , in =

1 +

) costretta a

2 + +

)cio

somma pesata degli ingressi.


La seconda configurazione possibile con una controreazione negativa la configurazione non invertente: in
questo caso il segnale di ingresso Vi applicato al terminale dingresso
positivo dellamplificatore operazionale mentre un terminale di R1
connesso a massa. Per determinare il guadagno ad anello chiuso
G=

si assume che lamplificatore operazionale ideale con guadagno

finito e corto circuito virtuale tra i terminali di ingressi, quindi


V2V1 =

= 0 per A , da cui V1= V2, dove V2 = Vi. La corrente

che scorre in R1 si pu determinare come: i1=

che , a causa dellimpedenza infinita dingresso

dellamplificatore operazionale, scorre interamente su R2. La tensione di uscita quindi


V0= Vi+I2R2 = Vi+

R2 da cui si ricava il guadagno ad anello chiuso G =

= 1+

2
1

: in particolare un

valore positivo, da cui il nome non invertente. Supponendo che il guadagno ad anello aperto sia finito, si ha
V2-V1 =

Sapendo che i1 =
ricava: V0 =

G=

1+ 2
1
1

1+ (1+ 2 )
1

, da cui essendo V2= Vi allora V1= Vi 0 .

V0 = [1+ (1 +

e che V0 = V1 +i2R2 = I1R1+I2R2 (con i1= i2) si

(R1+R2)= Vi(1+ 2 )

2
1

(1 +

2
1

)]= Vi(1+ 2 ) quindi il guadagno ad anello chiuso

e la dipendenza da A minima se 1 +

2
1

. Infine si ha Rin= e R2= 0.

Nel caso in cui si voglia avere un trasformatore di impedenza o un amplificatore di potenza anzich un
amplificatore di tensione possibile trasformare questa configurazione in un buffer: imponendo R1= e
R2= 0 si ottiene un amplificatore a guadagno unitario, e questo tipo di circuito detto inseguitore di tensione,
per il quale nel caso ideale si ha V0= Vi, Rin= e R0= 0.
Nella realt il guadagno differenziale ad anello aperto di un amplificatore operazionale non infinito, ma
elevato per le basse frequenze e diminuisce con laumentare della frequenza (comportamento passa-basso,
amplificatori operazionali compensati internamente). Si ha A(s)=
A(j )=

j
1+

1+

cio per frequenze reali S=j :

. Per frequenze il guadagno si approssima con A(j )=

0
j

da cui si evince che il

guadagno diventa unitario per una frequenza = 0 detta banda di guadagno unitario (che si indica

anche con ft=


0

). Analizzando quindi la risposta in frequenza degli amplificatori ad anello chiuso si ricava:

2
1
1

1+ (1+ 2 )
1

1+ 2

1
1

1+ (1+ 2 )
1

da cui sostituendo A(j ) e con 0 1 +

2
1

da cui sostituendo A(j ) e con 0 1 +

2
1

diventa:

diventa:

1+

1
j

/[1+ 2 ]
1
2
1+
1
j
1+

/[1+ 2 ]
1

Configurazione
invertente
Configurazione
non invertente

Generatori di segnale e generatori di forme donda


spesso si presenta la necessit di avere segnali con forme donda standard: per ottenerli si possono utilizzare
due diversi approcci, cio utilizzare un anello di controreazione positiva oppure modellando onde triangolari
(fornite da appositi generatori). Nel primo caso si usa un amplificatore ed una rete selettiva in frequenza
connessa ad un anello di controreazione positiva. Il guadagno ad anello chiuso in questo caso
Af(s) =

()

1()()

da cui il guadagno ad anello (ignorando il segnale negativo): L(s) =A(s) () da cui

lequazione caratteristica 1L(s) =0. Se questo quindi risulta essere pari a 1 (A = 1), si ha Af=, per cui
il circuito presenta uscita finita in presenza di ingresso nullo (definizione di oscillatore), per cui per fornire
oscillazioni sinusoidali deve essere L(J0 )= A(J0 )(J0 )=1 (oscillazioni di frequenza 0 ) si ha infatti (con
Xs=0): Xf= 0 , con AXf= 0 si ha A Xf= 0 da cui =1. Gli oscillatori non lineari fanno uso di una
speciale classe di circuiti, detti multivibratori.
Il multivibratore bistabile ha due stati stabili e si muove da uno stato
allaltro mediante opportuno impulso di eccitazione definito Trigger,
motivo per cui il multivibratore bistabile anche noto come trigger di
Schmitt. Si tratta di un amplificatore operazionale controreazionale
positivamente. Supposto V+ inizialmente nullo, ad un suo incremento
positivo corrisponde un aumento del segnale di uscita V0: il partitore di tensione riporta sul terminale di
ingresso positivo V+ una frazione =

(1 +2 )

del segnale in uscita V0 che, se A > 1, sar maggiore

dellincremento originario di V+ ; questo processo rigenerativo continua fino a portare in saturazione


positiva lamplificatore operazionale al livello L+, quindi V+ diventa

+ 1

(1 +2 )

. Se invece di un incremento

positivo + avesse ricevuto un incremento negativo, lamplificatore operazionale sarebbe finito in

saturazione negativa con V0 =L- e V+ =

(1 +2 )

Per far cambiare stato al circuito bistabile possibile applicare una tensione di ingresso o sul terminale
invertente o su quello non invertente. Nel primo caso, supponendo che V0 si trovi al livello L+ e V+ a L+ , la
tensione Vi non ha effetto fino a che non si supera il valore di V+, cio L+ oltre il quale si forma una
tensione negativa tra i terminali di ingresso, amplificata in uscita o riportata in ingresso tramite processo
rigenerativo fino a che il circuito cambia completamente stato; analogamente se V0=L- e V+= L- lingresso
Vi non ha effetto fino a che non scende sotto il valore L- (tale segnale di ingresso pu anche essere solo un
impulso, per dare via al processo). Sia che per tensioni di ingresso L-<Vi< L+ luscita pu essere L+ o L- ,
a seconda dello stato in cui si trova il circuito, quindi luscita si determina dal precedente segnale di ingresso
(elemento di memoria). Nel secondo caso invece si ha + =

(1 +2 )

+ 0

(1 +2 )

per cui se V0= L+ per far

commutare il circuito Vi deve assumere valori negativi per far diventare V+ negativa: tale soglia si ottiene
sostituendo V0 = L+ e V+=0 , ricavando = VTL = L+

1
2

. Analogamente se V0 = L- si ottiene VTH = L-

1
2

Questo tipo di circuito pu essere utilizzato come un comparatore, che funziona in modo ottimale anche in

presenza di interferenze (grazie allintervallo) VTL<Vi< VTH ).


Un multivibratore astabile si ottiene collegando un circuito RC in
controreazione al multivibratore bistabile invertente. Supponendo che si trovi
nello stato L+ , il condensatore si carica verso questo livello attraverso il
resistore R, quindi la tensione ai capi di C cresce esponenzialmente verso L+
con costante di tempo = RC , fino a raggiungere la soglia positiva VTH:
successivamente il multivibratore bistabile commuta stato, e ci porta il
condensatore a scaricarsi e la sua tensione V- decrescer esponenzialmente

verso L-, fino a raggiungere la soglia negativa VTL (che porta ad una nuova commutazione di stato, e quindi
ad un nuovo ciclo). In questo modo possibile formare delle onde quadre (che variano al variare di C e R),
ma possibile avere anche delle onde triangolari, sostituendo il circuito passo-basso RC con un integratore
che carica e scarica linearmente il condensatore.

Infine si ha il multivibratore monostabile, che ha uno stato stabile, nel quale pu rimanere indefinitamente e
uno stato quasi-stabile in cui si porta in seguito ad un impulso di Trigger, restandovi per un intervallo di
tempo predeterminato uguale alla durata desiderata dellimpulso di uscita: alla fine il multivibratore
monostabile ritorna nel suo stato stabile, in attesa di un altro segnale di Trigger.
Diodi
molte operazioni di elaborazione dei segnali possono essere implementate solo attraverso circuiti non lineari:
il pi semplice e fondamentale elemento di un circuito non lineare il diodo componente a due terminali
come un resistore, che per presenta una relazione corrente tensione (i-V) non lineare. Dal punto di vista
ideale il comportamento del diodo il seguente: se viene applicata una tensione negativa allora non scorre
alcuna corrente ed il diodo si comporta come un circuito aperto (diodo polarizzante inversamente, viene
detto interdetto), mentre se viene fatta scorrere corrente
positiva ai suoi capi vi una caduta di potenziale nulla,
cio il diodo si comporta come un cortocircuito (diodo
polarizzante direttamente, viene detto in conduzione). Il
circuito esterno deve essere progettato in modo da
limitare a valori predeterminati la corrente che scorre e la tensione inversa. Il terminale positivo del diodo
detto anodo, quello negativo catodo, e presenta una funzione caratteristica lineare a tratti.
Dal punto di vista reale, la curva caratteristica del diodo formata da
tre diverse regioni; quella di polarizzazione diretta (per V>0), quella di
polarizzazione inversa (per V<0) e la regione di breakdown,
determinata pe V< Vz. Nella regione di polarizzazione diretta,
quando la tensione ai capi del diodo positiva, la caratteristica i-V si

pu approssimare con i=IS( 1): IS una costante dipendente dai


parametri costruttivi del diodo (e dellarea della giunzione) e dalla
temperatura ed chiamata corrente di saturazione inversa; la tensione una costante detta tensione

termica definita come =

(con K costante di Boltzmann, T temperatura assoluta, q valore assoluto della

carica dellelettrone); la costante n assume il valore 1 o il valore 2 in base al materiale e alla struttura fisica
del diodo. La corrente per valori di tensione minori di circa 0.5V trascurabile (detta tensione di soglia);
successivamente subisce un rapido incremento, tanto che un diodo in piena conduzione ha la tensione ai suoi
capi in campo ristretto, circa tra 0.6V e 0.8V, per cui viene assunto che qualunque sia la corrente in
conduzione, ai capi del diodo vi una tensione pari a 0.7V.
Si entra nella regione di polarizzazione inversa quando la tensione ai capi del diodo diventa negativa: quindi
se V<0 ed ampiezza maggiore di VT il termine esponenziale diventa trascurabile per cui la corrente dei
diodi in questo caso i= S, cio la corrente in direzione inversa una costante pari ad S (fortemente
variabile con la temperatura). Infine si entra nella regione di breakdown se lampiezza della tensione inversa
supera un valore di soglia tipico del particolare diodo, detto tensione di breakdown, indicata con VZ (dove Z
sta per Zener). La corrente inversa cresce rapidamente mentre il corrispondente aumento della tensione ai
capi del diodo rimane piuttosto contenuto (la potenza dissipata deve essere regolata dal circuito esterno).

Per analizzare il funzionamento del diodo nei circuiti si prenda in considerazione


quello figura a lato formato da un generatore di tensione continua VDD una
resistenza R e un diodo: si vuole determinare la corrente ID che scorre nel diodo e
la tensione VD ai suoi capi. Il diodo polarizzato direttamente e assume

VDD 0,5 . La corrente nel diodo pi grande di S e si ha: D IS( ). Lequazione alla maglia che
governa il circuito : VDD= RID+VD, cio ID= VDD

per cui si hanno due equazioni nelle due incognite ID e

VD; per ottenere la soluzione si pu usare lanalisi iterativa (usando iterativamente le equazioni ID= VDD
e V21 = 2,3

2
1

fino ad ottenere risultati simili ai precedenti. La seconda equazione si ottiene a

partire da D IS( ) calcolata in due tensioni di VD, V1 e V2 e poi


facendone il rapporto) oppure lanalisi grafica: questultima si ricava
riportando nel piano iV le curve che descrivono le due equazioni che
governano il circuito e individuandone lintersezione nel punto q, detto
punto di lavoro, cio tra la caratteristica del diodo e la retta di carico.
La natura non lineare del diodo comunque complica lanalisi dei circuiti che li contengono, perci occorre
determinare una relazione lineare che ne determini il comportamento. Un primo tentativo quello di
approssimare la curva esponenziale con due semirette, la
linea A con pendenza nulla e la linea B con pendenza

=
= 0
>0
oppure B:
cio: A: B:

= +

Il circuito corrispondente un interruttore aperto per lo stato
A, un generatore di tensione con resistenza rD per lo stato B. Un modello ancora pi semplice pu essere
ottenuto mediante una semiretta verticale che approssimi la parte pi rapidamente crescente della curva
esponenziale, cio il diodo mostra una caduta di potenziale costante (per lo stato B: > 0 = ): il
circuito equivalente corrispondente un interruttore per lo stato A e un generatore di tensione per lo stato B.
In alcune applicazioni un diodo viene polarizzato mentre un segnale alternato viene sovrapposto alle quantit
in continua: in questo caso la migliore rappresentazione del diodo ottenuto mediante una resistenza uguale
allinverso della pendenza della tangente alla caratteristica nel punto di lavoro. Si prenda in considerazione
un circuito in cui a una tensione continua VD applicata al diodo viene sovrapposto un segnale variabile nel
tempo vd(t). In assenza del segnale, la tensione ai capi del diodo pari proprio a VD e condurr una corrente

continua ID = IS( ); quando viene applicato il segnale, ai capi del diodo si avr
vD(t)=VD+vd(t) e la corrente corrispondente pari a:
iD(t)= IS(

()

)= IS(

+v (t)

)= ID+

vd(t) = ID+id(t) con id(t) =

Vd(t), componente di

segnale della corrente direttamente proporzionale alla tensione di segnale Vd(t). Il rapporto
tra Id(t) e Vd(t) viene detta conduttanza per piccoli segnali, e il suo inverso detto resistenza per piccoli

segnali: rd=
rd= 1

. In particolare risulta che la pendenza della curva del diodo per i=ID pari a

. La retta tangente si pu esprimere come iD =

cio risulta

(VD VD0), dove VD0 la sua intersezione

con lasse x di V. A questa equazione corrisponde un circuito equivalente contenente un diodo, da cui si
ricava: rdiD= VD VD0 VD= rd iD +VD0= (ID+iD)rd + VD0= VD+idrd. per illustrare lapplicazione del modello
del diodo per piccoli segnali si consideri un circuito in cui presente una tensione del segnale VS in serie ad
un generatore di tensione continua VDD ( in cui il diodo polarizzato
direttamente, presenta ai suoi capi una tensione VD0 e una resistenza rd).
Lequazione alla maglia porta a VDD+VS=iDR+VD0+iDrd quindi
VDD+vS=(ID+iD)R+VD0+(ID+iD)rd= IDR+ (VD0+IDrd) +id(R+rd) con
VD=VD0+ID+rd. Da ci possibile separare le componenti in continua da
quelle di segnale, da cui: VDD= IDR+VD e vS= id (R+rd).

La curva i-v molto rapida nella regione di breakdown e la caduta di potenziale pressoch costante associata
ad essa suggerisce che i diodi funzionanti nella regione di breakdown possano essere usati nel progetto di
regolatori di tensione (circuiti che devono fornire una tensione costante e continua tra i suoi terminali di
uscita): questo tipo di diodo viene chiamato diodo zener, in cui la corrente scorre entrando nel catodo, ed il
catodo positivo rispetto allanodo, quindi IZ e VZ risultano avere valori positivi. In risposta
ad una variazione della corrente, la tensione dello zener cambia di valore che dipende
da tramite la relazione = dove linverso della pendenza della curva ed detta
resistenza dinamica dello zener (pi piccola minore la pendenza della curva e il diodo
ideale). Il circuito equivalente pu essere rappresentato da un generatore di tensione e resistenza in serie
.
Uno dei pi importanti campi di applicazione dei diodi
quello del progetto di circuiti raddrizzatori: il diodo
rettificatore un blocco costitutivo essenziale per gli
alimentatori in continua che forniscono potenza agli
apparati elettronici. Il primo blocco il trasformatore di potenza, che con un opportuno cambio di spire

2
1

si

riduce la tensione di ingresso per ottenere il valore desiderato alluscita dellalimentatore: esso collegato al
rettificatore a diodi, che converte la sinusoide di ingresso vS in unuscita monopolare; questultima avendo
ancora natura pulsante e non essendo quindi adatta a fungere da sorgente, viene filtrata con un filtro che ne
diminuisce le variazioni in ampiezza; infine per stabilizzare la tensione viene utilizzato un regolatore di
tensione. Il rettificatore pu essere a mezzonda, che utilizza mezzo periodo della sinusoide dingresso
(essendo costituite da un solenoide, viene preso in considerazione solo il semi-periodo che la polarizza
direttamente, infatti quando polarizzato inversamente non passa corrente), con laccortezza che il segnale
dingresso non abbia una tensione di picco che mandi in breakdown il diodo, oppure a doppia semionda, che
utilizza lintero periodo della sinusoide di ingresso invertendo londa nel semi-periodo in cui negativa
(utilizzando due diodi connessi a due ingressi uguali in modo che risultino alternativamente uno polarizzato
direttamente e uno inversamente oppure utilizzando quattro diodi in una configurazione a ponte, per con un
solo ingresso). Il filtro invece si ottiene collegando un condensatore in parallelo alla resistenza di carico RL:
esso si carica fino alla massima tensione del segnale dingresso e successivamente comincia a scaricarsi
attraverso RL fino a che la tensione del segnale di ingresso supera quella attuale del condensatore, quindi si
ricarica nuovamente fino al picco massimo. Per evitare che la tensione duscita decresca troppo rapidamente
si ricava una costante di tempo CR molto grande e tale che CR , dove T il periodo della sinusoide di
ingresso. Il regolatore di tensione infine si ottiene con un diodo zener in parallelo al carico.
Il diodo fondamentalmente una giunzione pn: formata da un materiale semiconduttore p a stretto contatto
con un semiconduttore di tipo n (si tratta di due zone di differente drogaggio di uno stesso materiale
semiconduttore, ad esempio il silicio), alle cui estremit, cio ai terminali
del diodo, sono presenti due contatti metallici. Un cristallo di silicio puro
ha una struttura regolare in cui gli atomi sono trattenuti in posizione da
legami covalenti formati dai quattro elettroni di valenza propri degli atomi
di silicio: per poter avere elettroni liberi, occorre fornirgli energia sufficiente per abbandonare latomo di
origine, spezzando il legame covalente e in questo modo si riscontra nellatomo stesso la presenza di una
carica positiva uguale in modulo a quella dellelettrone, lasciata scoperta detta lacuna. Sia gli elettroni liberi
che le lacune si muovono casualmente lungo tutta la struttura del cristallo (le lacune vengono colmate da
elettroni di altri atomi vicini, che a loro volta creano altre lacune, determinando lo spostamento):
allequilibrio termico la concentrazione di elettroni liberi n uguale alla concentrazione di lacune p. Il
movimento avviene tramite il meccanismo della diffusione e della deriva: la diffusione associata al moto
causale dovuto allagitazione termica (della regione ad alta concentrazione a quella con minore
concentrazione) che da vita alla corrente di diffusione, mentre la deriva si verifica quando viene applicato un
campo elettrico ai capi di un campione di silicio, dando vita alla corrente di deriva.

Il drogaggio di un cristallo di silicio per trasformarlo in tipo p (dove le lacune sono maggioritarie) oppure in
tipo n (dove gli elettroni sono maggioritari) si ottiene introducendo in esso un piccolo numero di atomi di
impurezze: rispettivamente riducendo atomi trivalenti NA ( che allequilibrio termico portano ad avere un
2
numero PPNA di lacune e, poich nPPP=
un numero di elettroni np =

) e atomi pentavalenti ND

2
(che allequilibrio termico portano ad avere un numero nn ND di elettroni e, poich nnPn=
, un numero

di lacune pn=

). In un diodo a giunzione con i terminali esterni non connessi, le lacune diffondono

attraverso la giunzione del lato p verso il lato n e analogamente gli elettroni dal
lato n verso il lato p: queste due componenti si sommano per formare la
corrente di diffusione ID, la cui direzione va da p ad n. Le lacune che diffondono
verso la zona n si ricombinano con alcuni degli elettroni maggioritari presenti in
quella zona ed escono di scena; ci comporta la scomparsa di alcuni elettroni
liberi dal materiale di tipo n, che lascia scoperta una corrispondente carica
positiva disposta in una regione lungo la giunzione (dove avviene la ricombinazione), e analogamente
succede per gli elettroni che diffondono verso la zona p. Si forma cio una regione svuotata dai portatori da
ambo le parti della giunzione, con il materiale n carico positivamente e quello p negativamente; le cariche ai
lati della regione di svuotamento fanno in modo che si stabilisca un campo elettrico nella regione stessa che
agisce come barriera per la corrente di diffusione ID. presente inoltre una corrente di deriva IS: alcune delle
lacune generate termicamente si muovono per diffusione fino al bordo della regione di svuotamento,
dopodich il campo elettrico formatosi le spazza via verso laltra estremit nel lato p, e analogamente
succede per gli elettroni che si formano nel materiale p; la somma di queste due componenti crea la corrente
di deriva IS, la cui direzione va dalla regione n alla regione p. Se i terminali esterni non sono connessi, non
pu esistere corrente esterna: quindi per mezzo della tensione di barriera, si ha ID=IS, e la tensione ai morsetti
sar nulla. Leffetto della polarizzazione inversa (attraverso ad esempio un generatore di corrente I, che va
dal materiale p verso quello n, cui generata quindi una tensione inversa) quello di portare gli elettroni ad
abbandonare il materiale p attraverso il circuito esterno: ci provoca un aumento del numero delle cariche
localizzate positive che rimangono scoperte nel materiale n e un aumento delle cariche localizzate negative
nel materiale p, quindi un aumento della regione di svuotamento e quindi un aumento della barriera di
potenziale, con la conseguente diminuzione della corrente di diffusione ID, allequilibrio si avr una corrente
inversa pari a I=IS-SD. Se si applica una corrente I>IS (o una tensione V maggiore di VZ), la giunzione sfocia
nella zona di breakdown: i meccanismi relativi possibili sono due, leffetto zener (il campo elettrico aumenta
al punto di poter rompere legami covalenti e generare coppie elettrone-lagune che vengono spazzati nelle
zone opposte dal campo elettrico stesso, contribuendo alla corrente I) e leffetto valanga (il campo elettrico
agisce sui portatori minoritari della regione svuotata, fornendo loro energia sufficiente per spezzare i legami
degli atomi che vanno ad urtare). La polarizzazione diretta invece produce con un processo analogo un
assottigliamento della regione di svuotamento, quindi una riduzione della barriera di potenziale. Ci permette
ad un numero maggiore di lacune e di elettroni di attraversarla, portando ad un aumento della corrente di
diffusione ID, e allequilibrio si avr una corrente pari a I=ID-IS.

Transistor
Il transistor ad effetto di campo (FET) si basa sul principio del campo elettrico per controllare un flusso di
corrente: inoltre, poich tale corrente dovuta a un solo tipo di portatori (elettroni o lacune) noto anche
come transistor unipolare, in particolare viene utilizzato un transistor di tipo
metallo-ossido-semiconduttore (MOS), e la sua configurazione pi usata quella
ad arricchimento. In questo caso il transistor realizzato su un substrato di tipo
p, e in esso ricavate due regioni di tipo n fortemente drogate (n+),indicate come
source e drain; sulla superficie viene fatto crescere uno stato di biossido di
silicio, ottimo isolante elettrico, e su di esso viene posto del metallo per ottenere
lelettrodo di gate (analogamente per source, drain e substrato, detto body), che
elettricamente isolato dal corpo del dispositivo. Il substrato forma giunzioni pn con le regioni di source e di
drain, che normalmente sono polarizzate inversamente: la corrente che scorre tra queste due regioni pu
essere controllata dalla tensione applicata al gate (per la regione di canale sono importanti la lunghezza L e la
larghezza W) quando sul gate non viene applicata una tensione di polarizzazione, tra drain e source sono
presenti due diodi in serie connessione dorso a dorso, che impediscono il passaggio di corrente anche quando
viene applicata una tensione DS: se si applica una tensione positiva sul gate GS, applicata tra gate e source,
con drain e source connessi a massa, le lacune libere nella regione sotto il gate vengono spinte verso il basso,
lasciando quindi scoperte delle cariche negative; contemporaneamente vengono attirati nella medesima
regioni elettroni dalle zone n+. in prossimit della superficie del substrato si viene a creare quindi una regione
n che collega source e drain, quindi applicando una tensione DS, attraverso questa regione n potr scorrere
una corrente trasportata dagli elettroni: questa configurazione detta Mosfet a canale n o transistor Nmos. Il
valore di GS per cui nella regione di canale si accumula un numero di elettroni liberi sufficiente per formare
il canale di conduzione chiamato tensione di soglia (threshuld) Vt: essa permette quindi la creazione di un
campo elettrico verticale tra gate e substrato (che agiscono come maglie di un condensatore). Ora avendo
indotto il canale, una tensione positiva DS molto piccola fa scorrere una corrente iD in verso opposto agli
elettroni che viaggiano dal source al drain, la sua intensit dipende dalla densit degli elettroni nel canale,
che a sua volta dipende dalla tensione GS (in particolare se GS=Vt, il canale appena creato e la corrente
trascurabile, mentre per valori GS>Vt il canale diventa pi spesso) e nello specifico la corrente iD

proporzionale alleccesso della tensione di gate: GSVt e anche alla tensione DS. In questo caso il mosfet
sta funzionando come una resistenza lineare il cui valore controllato
da GS: per GSVt la resistenza infinita (la corrente nulla) e

decresce non appena GS supera Vt, i valori per i quali il canale viene
arricchito (per questo motivo detto Mosfet di arricchimento); inoltre

si ha IS=ID. Se si mantiene costante GS ad un valore superiore di Vt e se


si aumenta DS, si osserva che DS si presenta come caduta di potenziale,
cio lungo il canale a partire dal source la tensione cresce da zero a DS,
perci la tensione tra gate e i vari punti del canale diminuisce dal valore GS (che assume allestremit
source) fino a GSDS (che assume allestremit drain); di conseguenza, poich
lo spessore del canale dipende da questa tensione, il canale n on sar pi
uniforme, ma avr spessore maggiore in corrispondenza del source minore
vicino al drain, e allaumentare di DS il canale diventa sempre pi appuntito ( e
la sua resistenza aumenta corrispondentemente, la relazione non pi lineare).
Se DS aumentata fino ad avere GS- DS=Vt e quindi DS= GSVt, lo spessore
del canale allestremit di drain diminuisce fino quasi ad annullarsi e si dice che il canale in pinch-off
(strozzato): aumentandola ulteriormente, DS produce un effetto nullo sul canale, e la corrente si mantiene
costante al valore raggiunto, e si dice che il mosfet entra nella regione di saturazione (da osservare che ad
ogni valore di GS>Vt corrisponde un diverso valore di DS che porta il transistor in saturazione), mentre per
valori DS< GSVt si in regione di triodo.

Un mosfet ad arricchimento a canale p realizzato su un substrato di tipo n con regioni p+ per il drain e il
source: funziona nella stessa maniera di un componente a canale n tranne per il fatto che GS e DS sono

negative e la tensione di soglia Vt negativa. La tecnologia PMOS (soppiantata da quella NMOS pi veloce
ed economica) viene utilizzata nei circuiti a MOS complementari o CMOS, che impiega transistor MOS di
entrambi i tipi: mentre il PMOS implementato direttamente nel
substrato di tipo n, il transistor NMOS fabbricato in una regione p
appositamente creata, chiamata pozzo P. possibile anche unaltra
configurazione con un substrato di tipo p e con il transistor di tipo p
realizzato in un pozzo di tipo n.
Il simbolo circuitale piuttosto descrittivo: viene principalmente usato
quello semplificato, in cui il substrato B collegato al source S, lelettrodo di gate G staccato dalla linea
del canale per rappresentare il fatto che isolato dal corpo del
componente, mentre la freccia indica la direzione normale del
flusso di corrente, distingue il source dal drain e indica la polarit
del dispositivo (in questo caso a canale n). Le caratteristiche iD DS, che sono una famiglia di curve per diversi valori di VGS,
indicano che esistono tre regioni di funzionamento: la regione di
interdizione (cut-off), la regione di triodo e la regione di saturazione. La
regione di saturazione viene usata se il FET deve lavorare come un
amplificatore, mentre le regioni di triodo e di interdizione sono utilizzate per
farlo lavorare come interruttore. Il transistor in cut-off quando GS<Vt: per
farlo lavorare nella regione di triodo occorre prima indurre un canale
(GSVt ) e poi mantenere VDS abbastanza piccola da non provocare la

strozzatura del canale, assicurando che la tensione tra gate e drain sia GD>Vt cio sapendo che

GD= GS=SD= GSDS, deve risultare: GSDS>Vt da cui DS< GS Vt. Nella regione di triodo, le

2
caratteristiche iD- DS possono essere descritte approssimativamente dalla relazione iD=K[2(GS-Vt) DS-
]
1

in cui K= ( ) un parametro proprio del componente, con costante fisica detta mobilit
2

dellelettrone, capacit del condensatore tra il gate e il substrato L la lunghezza del canale e W la
1

larghezza; siccome la quantit una costante, il parametro K determinato dal fattore . Se DS


2

2
piccola tale da poter trascurare il termine
le caratteristiche in prossimit dellorigine sono descritte da

iD 2( GS-Vt) DS, cio da una relazione lineare attraverso una resistenza DS=

= [2( V )]1

controllata da GS. Per far lavorare il Mosfet nella regione di saturazione occorre innanzitutto indurre un

canale (GSVt) che deve essere poi strozzato allestremit di drain portando DS ad un valore tale che la

tensione tra il gate e il drain sia sotto Vt: GDVt cio, scritto in termini di DS, DS GSVt. Il confine tra
regione di triodo e regione di saturazione descritto da DS= V , quindi sostituendo questo valore
nellequazione della curva caratteristica si ottiene il valore di saturazione della corrente iD: iD=K( V )2
che in particolare indipendente dalla tensione di drain ed determinato dalla tensione di gate
secondo una relazione quadratica. Un Mosfet in saturazione quindi si comporta come un generatore ideale di
corrente il cui calore controllato da . Va per
considerato il fatto che la completa indipendenza
di iD da in saturazione unidealizzazione
basata sulla premessa che, una volta strozzato il
canale, ulteriori incrementi di non abbiano
effetti sul canale: in realt aumentando il punto in cui si verifica la strozzatura si sposta verso il source,
perci la lunghezza del canale si riduce dando luogo ad una modulazione della lunghezza del canale.
Poich K inversamente proporzionale alla lunghezza L, al crescere di si verifica un aumento di K e
quindi di iD: questa piccola dipendenza lineare di iD da si pu esprimere mediante un fattore 1+
tramite iD=K( V )2 (1+ ) dove la costante positiva un parametro proprio del Mosfet.

Le caratteristiche in saturazione, che hanno andamento rettilineo.

Intrinsecano lasse DS in un unico punto =

= VA, dove VA una

tensione positiva caratteristica del transistor. La modulazione di lunghezza del


canale fa si che la resistenza duscita in saturazione assuma un valore finito,
dato da 0 =

= [K( V )2 ]1 che pu essere approssimato con 0 [ ]1 dove la

corrente corrispondente al particolare valore di per cui 0 stato calcolato. Si pu anche scrivere come
0

; nel circuito equivalente per grandi segnali (vedi sopra) occorre quindi porre una resistenza 0 in

parallelo al generatore di corrente. Per quanto riguarda il Mosfet a canale P, le considerazioni sono analoghe:
per indurre un canale necessario una tensione di gate pi negativa di , cio ; ed una tensione di
drain pi negativa della tensione si source. Per ottenere il funzionamento nella regione di triodo si deve avere
DS GSVt; la corrente data dalla stessa equazione valida per gli NMOS:

2
] tenendo conto che , e sono negative e che K= ( ), dove
iD=K[( V )2
1

, la mobilit delle lacune nel canale indotto . Per lavorare in saturazione invece deve essere
2

DS GSVt e la corrente data dalla stessa equazione valida per gli NMOS:
iD=K( V )2 (1+ ). In molte applicazioni il substrato B connesso allelettrodo di source in modo da
mantenere sempre in polarizzazione inversa la giunzione pn tra il substrato e il canale indotto; nei circuiti
integrati tuttavia il substrato comune a molti transistor MOS, e per mantenere questa giunzione il substrato
viene connesso allalimentazione pi negativa in un circuito NMOS e a quella pi positiva in un circuito
PMOS, introducendo cos una tensione di polarizzazione inversa tra il source e il substrato VSB che influenza
il funzionamento del dispositivo. Per esempio, ponendo il substrato NMOS ad una tensione negativa rispetto
al source, la polarizzazione inversa fa allargare la zona di svuotamento riducendo quindi lo spessore del
canale, e per far tornare la situazione come in precedenza occorre aumentare GS: in pratica SB porta ad un
cambiamento della tensione di soglia, secondo la legge: Vt=Vt0+[2 + 2 ], (con Vt0 tensione

di soglia per = 0, parametro del processo e parametro fisico): da ci si osserva che un aumento di
porta ad un incremento di , che a sua volta porta ad un incremento di , con invariata. Il substrato
si comporta quindi come un altro gate per il Mosfet, dando luogo al fenomeno di body effect. Va infine
considerato che sia che K sono sensibili alla temperatura ( allaumentare della temperatura leffetto
complessivo di ridurre la corrente ) e che a tensioni elevate possono verificarsi fenomeni di breakdown a
valanga tra drain e substrato, di punch-through (perforazione) del canale nella zona di svuotamento e di
breakdown dellossido (in questo caso si rompe il componente).

Il Mosfet a svuotamento ha una struttura simile a quella del Mosfet ad arricchimento, ma con unimportante
differenza: Il Mosfet a svuotamento ha un canale realizzato fisicamente. In un transistor a canale n quindi
presente alla sommit del substrato p una regione di tipo n che connette le regioni n+ di source e drain, perci
in presenza di una tensione DS la corrente iD pu scorrere anche se GS=0. Comunque la profondit e
conducibilit del canale possono essere controllati da GS: applicando una tensione GS positiva vengono
attratti altri elettroni nel canale, che risulta arricchito, mentre applicando una tensione GS negativa gli
elettroni vengono allontanati dal canale, rendendolo pi sottile e
facendone diminuire la conducibilit (fino ad una tensione di
soglia per la quale il canale completamente svuotato e iD ridotta
a zero anche in presenza di DS). Le caratteristiche IDDS sono
simili a quelle del componente ad arricchimento. Nel simbolo
circuitale presente una zona annerita per indicare la presenza di
una canale permanente. Come anche nel Mosfet ad arricchimento presente unidentica dipendenza di iD da
VDS; anche in questo caso inoltre, per funzionare nella regione di triodo deve valere:
DS V , e per funzionare nella regione di
saturazione deve valere: DS V . Le
caratteristiche corrente-tensione del Mosfet a
svuotamento sono descritte dalle stesse equazioni per
il componente ad arricchimento con la sola differenza
che V negativo (per la configurazione a canale n): un altro parametro che
descrive il mosfet a svuotamento il calore della corrente di drain in saturazione per = 0, indicato con
. Il funzionamento dei transistor PMOS a svuotamento del tutto analogo con la differenza che la
polarit di tutte le tensioni (compresa V ) sono invertite.
I transistor ad effetto di campo possono essere utilizzati come amplificatori. Si prenda un Mosfet a canale n
ad arricchimento polarizzato idealmente da una batteria : a tale tensione continua tra gate e source
sovrapposto un segnale variabile nel tempo che quello che si desidera amplificare. La tensione
istantanea complesiva tra gate e source quindi = + : in ogni istante il punto di lavoro si trover
sulla curva iD corrispondente al particolare valore di ed determinato dal e in base alla
relazione = che si pu scrivere come =

. Questa unequazione

rappresentabile attraverso una retta sul piano iD che interseca lasse delle
ascisse in corrispondenza del valore ed ha una pendenza uguale a

(poich

la resistenza di carico dellamplificatore questa retta detta retta di carico): il


punto di lavoro istantaneo del Mosfet si trover
quindi allintersezione tra questa retta e la curva
iD relativa al valore istantaneo di con
coordinate iD . In particolare in assenza del segnale di ingresso
il Mosfet si trover nel punto contrassegnato con Q, che viene chiamato
punto di polarizzazione in continua o punto di riposo: quando si applica
londa triangolare il punto di lavoro istantaneo si muove lungo la
retta di carico in corrispondenza della tensione istantanea complessiva
. Tale andamento rappresentato sia dalla forma donda risultante
della corrente (alla corrente continua ID sovrapposta una componente iD
variabile nel tempo) che da quella della tensione (sovrapposta alla corrente in continua do presente una
componente di segnale, a forma triangolare), che in particolare costituisce il segnale duscita e risulta una
replica amplificata del segnale dingresso.

Scegliendo opportunamente il punto di lavoro Q e mantenendo piccola lampiezza del segnale dingresso
possibile quindi ottenere un amplificatore quasi lineare con un Mosfet: per far ci il punto di lavoro stato
confinato nella regione di saturazione, dove il Mosfet lavora come generatore di corrente controllato da :
se si permette al punto di lavoro di lasciare questa regione (ad esempio usando una resistenza RD molto
grande tale punto entra nella regione di triodo) si possono verificare notevoli distorsioni non lineari in uscita.
Dal punto di vista algebrico, quando il segnale dingresso viene posto a zero, la corrente continua di drain
ID e la tensione continua di drain (o semplicemente se il source collegato a massa) sono date dalle
relazioni: ID=K( V )2 e VD=VDDRDID (trascurando la modulazione di canale); quando il segnale viene
sovrapposto a la tensione istantanea complessiva tra gate e source pari a = + e
corrispondentemente la corrente istantanea complessiva :
2

iD=K( V )2 = K + V =
2
dove il primo termine la
= K( V )2 + 2( V ) +
componente in continua della corrente, il secondo termine rappresenta
una componente direttamente proporzionale al segnale di ingresso ,
mentre lultima componente, che proporzionale al quadrato del segnale
di ingresso, rappresenta un termine di distorsione non lineare, quindi non
desiderata; per ridurre la distorsione il segnale di ingresso deve soddisfare la condizione di piccolo segnale,
cio 2( V ), in questo modo possibile trascurare lultimo termine ed esprimere iD come
iD=ID+ dove la corrente di segnale data da = 2( V ) . La costante che mette in relazione

con la transconduttanza : =

ha che =

|
=

valore di K si ricava:

= 2( V ). Si osserva che iD = K( V )2 quindi si

cio la pendenza della caratteristica iD nel punto di lavoro. Sostituendo il

= ( )( ) ( V ): ci indica che dipende dal rapporto

del transistor, quindi per ottenere

una trasconduttanza grande il dispositivo deve essere corto e largo; inoltre proporzionale alla differenza
di tensione = V ma se si aumenta per aumentare diminuisce la dinamica del segnale

duscita. Unaltra espressione utile della transconduttanza pu essere ottenuta sostituendo al posto di
( V ) e poi sostituendo nuovamente K con

( )
2

da cui risulta

= 2 . possibile esprimere la tensione complessiva del

circuito come VD=VDDRDiD ; la componente di segnale della tensione di


drain quindi : = = da cuisi deduce che il
guadagno di tensione dato da =

= . Il segno negativo

indica che il segnale duscita sfasato di 180 rispetto al segnale dingresso . importante notare
inoltre che , nellipotesi di piccoli segnali, le quantit di segnale ( e ) si trovano sovrapposte a quelle
continue ( ), per cui possibile separare i calcoli in continua relativi alla polarizzazione da quelli sui
segnali. il FET in pratica si comporta come un generatore di corrente controllato in tensione: riceve un
segnale tra gate e source e fornisce una corrente sul terminale di drain (sia la resistenza di ingresso
che quella di uscita sono molto alte e si possono assumere come infinite). Nellanalisi di un amplificatore
FET, il Fet pu essere sostituito dal circuito equivalente, lasciando invariato il resto del circuito tranne per il
fatto che i generatori di tensione continua vengono sostituiti con dei cortocircuiti: per includere leffetto di
modulazione della lunghezza del canale si introduce una resistenza 0 =

| |

in parallelo al generatore

controllato. importante notare che i parametri ed 0 dipendono dal punto di lavoro in continua del Fet

ed il guadagno diventa:

= ( //0 ).

Nel progetto di un amplificatore a FET occorre innanzitutto ricercare una polarizzazione prevedibile e
stabile: gli schemi di polarizzazione che vengono usati sono due. Si pu ottenere una polarizzazione
utilizzando la controreazione ottenuta mediante resistenza di
source, sia per un circuito ad alimentazione singola, sia ad
alimentazione doppia. Nel primo caso, con il partitore di tensione si
ha il gate alimentato dalla tensione costante: =

1 +2

che , in assenza di viene applicata direttamente tra gate e source,


e la corrispondente corrente ID dipender fortemente da , K e

; inserendo si ottiene: = + , cio =

. Nel secondo caso il funzionamento

lo stesso, a patto di sostituire con , per cui vale lequazione =

. In entrambi i casi

assunto che il valore di fosse stato scelto in modo tale che il dispositivo funzionasse in saturazione:
= K( V )2 . Si pu ottenere una polarizzazione utilizzando la controreazione tra gate e drain: cio
viene connesso tra gate e drain una resistenza , usualmente di valore elevato, per cui essendo IG=0 , la
tensione continua di gate sar uguale alla tensione continua di drain = . Dal
circuito a lato si ricava che = , cio =

e ,

risolvendo questa equazione insieme a quella che descrive il luogo dei punti
= , cio = K( V )2 , si ricavano i valori di e nel punto di
lavoro. In entrambi i casi gli aumenti indesiderati di sono quindi bilanciati
dalle cadute di tensione su e .

Le configurazioni fondamentali con cui pu essere realizzato un amplificatore usando FET sono tre, e
ognuna offre vantaggi peculiari: in tutti e tre i casi comunque viene
utilizzato lo stesso schema di polarizzazione, cio un generatore di corrente
continua connesso allalimentazione continua, un resistore che connette
il gate a massa, fissando cos V0 a zero , una resistenza che collega il
drain allalimentazione positiva, che assicura che il transistor funzioni
sempre nella regione di saturazione. La configurazione source comune si
ottiene connettendo lelettrodo
Y a massa, il segnale dingresso viene connesso al gate e la
resistenza di carico al drain (nel circuito equivalente il generatore
di corrente di polarizzazione sostituito da un circuito aperto): in
questo caso si ha RIN= RG, ROUT= RD//r0 e il guadagno pari a
=

= ( // //0 ) o a circuito aperto senza tener conto di 0 = ( //0 ); il

guadagno quindi si pu ottenere mediante il partitore di tensione:


= 0

. La configurazione a gate comune si ottiene

connettendo lelettrodo X a massa, il segnale di ingresso viene


connesso al source e la resistenza di carico al drain; trascurando
momentaneamente 0 si osserva che Vgs=Vi , dunque dal

generatore di segnale viene assorbita una corrente gmVi quindi la

resistenza di ingresso semplicemente

; osservando che la corrente di drain gmVgs= gmVi e quindi

V0=gm ( // ), il guadagno di tensione =


r0 si ha RIN=

e ROUT= //0 e il guadagno pari a

= gm( // ), invece tenendo conto della resistenza

= gm( // //0 ) che si differenzia dalla configurazione


precedente dal fatto che non c inversione di segno. Infine la
configurazione a drain comune si ottiene connettendo lelettrodo Z a
massa, il segnale di ingresso viene connesso al gate e la resistenza di
carico al source: la resistenza di ingresso RIN=RG, mentre la
resistenza duscita pu essere trovata cortocircuitando la sorgente di segnale Vi e applicando la tensione di
prova VY al source; in questo caso Vgs= VY , iY=gmVgs+
(se 0

allora ROUT

1+(

1
)
0

= gmVY +

quindi si ha ROUT =

). Per quanto riguarda il guadagno di tensione senza contare RL si ha

V0=VS=gmVgs0 e sapendo che Vi=Vgs+V0 si ricava Vi=

AV0=

mentre il guadagno di tensione =

+ 0 quindi il guadagno ad anello aperto

0
+

// 0

Gli amplificatori integrati in tecnologia Mos utilizzano altri transistor Mos come elementi di carico, al posto
dei resistori: vengono impiegate due diverse tecnologie, cio gli NMos (ad arricchimento e svuotamento) e i
CMos (ad arricchimento). Nel primo caso vengono utilizzati due elementi di carico, cio MosFet ad
arricchimento con il drain collegato al
gate ed il MosFet a svuotamento con il
gate collegato al source; il primo
transistor caratterizzato da una
caratteristica iv: i= K(v V )2 ed

sempre in saturazione (con resistenza

), mentre il secondo per essere in saturazione, la tensione tra i due

terminali deve superare tensione di soglia; poich nella regione di triodo


2
= IDSS. Tenendo conto della modulazione di canale invece si ha
i= (2 2 ), per v= si ha i=

2
(1+ ). Per quanto riguarda lamplificatore NMOS con carico ad arricchimento occorre notare che
i

la corrente iD1 la stessa che scorre nel componente di carico Q2, che VDS1=V0 e che VGS1=Vi. Alle

caratteristiche statiche di Q1 viene sovrapposta la curva di carico cos la caratteristica di trasferimento risulta
data dai punti di intersezione della curva di carico con le curve caratteristiche iD1VDS1; la curva risultante

mostra tre regioni ben definite. Nella regione I il transistor pilota Q1 in interdizione , poich Vi<Vt1 mentre

Q2 in saturazione, quindi la tensione ai suoi capi Vt2 e la tensione duscita VDDVt2, nella regione II Q1
in saturazione e la curva risulta
lineare; infine nella regione III Q1 entra
nella regione di triodo. Nellipotesi che
in saturazione entrambi i dispositivi
abbiano resistenza infinita (cio curve
caratteristiche orizzontali) e che

abbiano stessa tensione di soglia Vt, si ha che, quando Q1 in


saturazione: iD1= K1 (1 V ) e poich iD1= iD2= iD e 1 = , lequazione si pu scrivere come:
2

iD= K1 ( V )2 . Il funzionamento di Q2 descritto da iD= K 2 (2 V )2 che, poich 2 = 0 , si


pu riscrivere come iD= K 2 ( 0 V )2 . Combinando queste due equazioni si ottiene:
0 = +

K1
K2

V 1 V che la relazione tra V e V0 relativa alla regione II; il guadagno


K

dellamplificatore : A =

K1
K2

quindi fissato una volta scelte le geometriche dei due

componenti, e per avere un guadagno elevato Q1 deve essere corto e largo e Q2 lungo e stretto. Dal punto di
vista circuitale, poich la caduta di tensione ai capi del generatore di corrente gm2VGS2 VGS2, questo pu
essere sostituito da una resistenza
duscita: 0 = gm1VGS1
01 02 sono molto maggior di

allora si ha AV=

1
2

quindi si ha la tensione

//01 //02 ; poich

2
0

VGS1= Vi il guadagno =

2 +
K

1
1
+
01 02

che riconduce a A = 1 .
K2

e se

Occorre tener presente per che Q1 e Q2 condividono lo stesso substrato, normalmente collegato
allalimentazione pi negativa, quindi per Q2 il substrato al potenziale di massa mentre il source non lo , e
risente dunque delleffetto body poich il substrato non collegato al source e si presenta una tensione tra
body e source VBS che da luogo ad una componente della corrente di drain
indicata come gmb VBS. Poich iD dipende da VBS attraverso la dipendenza
di Vt da VBS, si ricava che gmb=gm. A lato presente il circuito
equivalente di un Mosfet in cui il substrato non collegato al source.
Prendendo quindi in considerazione leffetto body per
lamplificatore con carico ad arricchimento occorre tener
conto di un generatore controllato gmb2VBS2 che pu
essere sostituito da una resistenza
capi vi una tensione 2 quindi si ha : 0 = 1 1 [
1

01 = : =

(2 +2 +

1
1
+ )
01 02

Assumendo che 01 e 02 siano pi grandi rispetto a

//

poich ai suoi

//01 //02 ] da cui essendo

si pu approssimare con =

(2 +2 )

1 1

2 1+

cio il guadagno ridotto. Un amplificatore Nmos con carico a svuotamento ha caratteristiche superiori
rispetto a quello con carico ad arricchimento. Dalla caratteristica
risultante (che si pu individuare come nel caso del carico ad
arricchimento) si possono individuare 4 regioni diverse: nella
regione I, per Vi<VtE dove VtE la
soglia del transistor Q1 il transistor Q1
interdetto mentre Q2 in triodo,
finch 0 < VDD|V | dopo tale valore si entra nella regione III dove
entrambi i transistor sono in saturazione e hanno resistenza di uscita elevata,
che da luogo a guadagno elevato; infine nella regione IV Q1 in triodo mentre
Q2 in saturazione, quando 0 diventa minore di Vi di una quantit VtE. Se lamplificatore viene polarizzato

in modo da funzionare nella regione III, allora il guadagno pari a: =

= 1 [01 //02 ]. Nella

pratica per, tenendo conto delleffetto body nel transistor Q2, si ottiene un guadagno pi basso: tra il

substrato ed il source di Q2 compare un segnale di tensione

si ha la tensione duscita 0 = 1 1 [
=
=

= 1 [

1
2

1 1
2

pari a 0 . Nel circuito equivalente, il generatore di corrente


2 VBS2 pu essere sostituito da una resistenza

//01 //02 ] e poich 1 = Vi il guadagno:

//01 //02 ]. Poich in generale

cio =

ad arricchimento di un fattore

1+

pi piccola di 01 e 02 , si ha

quindi

quindi il guadagno maggiore rispetto a quello con carico

Sia nei circuiti Nmos che Cmos viene prodotta una corrente
continua di riferimento stabile e prevedibile, utilizzata per
ottenere correnti continue ad essa proporzionali con cui
polarizzare i vari transistor: lelemento che fornisce tali correnti
continue lo specchio di corrente, Esso formato da due Mosfet
ad arricchimento Q1 e Q2 con medesima tensione di soglia :

Q1 pilotato dalla corrente di riferimento IREF, mentre la corrente duscita I0 presa sul drain di Q2 , che
deve essere in saturazione. Per Q1 si ha IREF = K1 ( V )2 e poich Q2 in parallelo a Q1 essi hanno la
stessa tensione , quindi: I0 = K 2 ( V )2 , trascurando la resistenza duscita; combinando le equazioni

si ha I0 = IREF

K2
K1

, quindi idealmente I0 multiplo di IREF con un valore determinato dalla geometria

dei componenti (in pratica per solo se la tensione sul drain di Q2 uguale a ). Questa configurazione
viene usata per gli amplificatori Cmos (disponibili sia a
canale sia a canale , realizzati in modo da eliminare

leffetto body): in questo circuito Q1 e Q2 sono componenti a


canale collegati a specchio di corrente e pilotati dalla

corrente IREF, quindi Q2 si comporta come generatore di


corrente; funziona nella regione di saturazione se la tensione
sul suo drain risulta pi bassa di quella del suo source ( ) di una quantit
almeno pari a | | e, una volta in saturazione Q2 ha unelevata
resistenza duscita 02 =

|1 |

(Q2 il carico attivo del transistor Q1). Dalla

caratteristica di trasferimento risultante si osservano quattro distinte regioni di


funzionamento: nella regione I Q1 interdetto, nella regione II Q1 in

saturazione e Q2 in triodo, nella regione III sia Q1 che Q2 sono in saturazione mentre nella regione IV Q1 in
triodo e Q2 in saturazione. Nella regione III, che quella di interesse, il guadagno
=

= 1 [01 //02 ] e, poich Q1 funziona con una corrente continua in polarizzazione uguale a

, si ha: 1 = (2 ) .
1

Sapendo inoltre che 01 = 02 =

|1 |

si ottiene =

|1 |

Circuiti Digitali
In un circuito digitale i segnali assumono un numero limitato di valori, e quelli pi comuni utilizzano due
soli valori: il livello alto e il livello basso, indicati con i simboli 1 e 0: in generale per, per tener conto
di tutti gli effetti che possono cambiare i livelli della tensione di segnale, alle variabili binarie vengono
assegnati due intervalli di tensione distinti ( compreso tra VL1 e VL2 per lo 0 logico e VH1 e VH2 per l1
logico) , separati da un intervallo di indeterminazione in cui si suppone che la tensione non possa mai cadere.
I circuiti integrati sono classificati in diverse famiglie (principalmente la Nmos e la Cmos) e la scelta di una
famiglia logica si basa su diverse considerazioni: flessibilit logica, velocit di funzionamento, disponibilit
di funzioni complesse, immunit al rumore, intervallo di temperature di funzionamento, potenza dissipata e
costo. Secondo la loro complessit si ricavano quattro tipi di circuiti integrati: SSI, MSI ,LSI, VLSI. Il
componente base che tratta i segnali H e L linvertitore logico, che un interruttore controllato in tensione:
linterruttore collegato tra i punti 2 e 3 controllato dal segnale
di ingresso applicato tra i punti 1 e 3 (il terminale 3 connesso a
massa), mentre la tensione duscita prelevata tra il terminale 2
e massa. Quando bassa linterruttore aperto e 0 alta
(pari a V+) mentre se alta linterruttore chiuso e luscita
bassa ( implementa loperazione NOT di inversione). Dal punto
di vista reale per occorre tener presente vari aspetti: lelettrodo di ingresso assorbe un po di corrente dal
generatore che lo pilota; linterruttore non ideale, ma quando chiuso non si comporta come un
cortocircuito ma presenta una resistenza di chiusura finita e, a volte, una caduta di tensione aggiuntiva,
quindi 0 non sar esattamente 0; linterruttore non commuta istintivamente, nel senso che gli invertitori reali
non mostrano una soglia di commutazione ben definita. In una caratteristica di trasferimento ideale, la
tensione di soglia =

1
2

+ ; al di sotto di

essa i segnali sono interpretati come bassi e


luscita + , al di sopra sono considerati alti e
luscita nulla. Nella caratteristica reale la
tensione di soglia non pi ben definita ed esiste
una regione di transizione tra gli stati alto e basso, mentre i livelli di uscita alto (0 ) e basso (0 ) non sono
pari a + e 0V. Le tre regioni distinte sono quindi: ingresso basso ( <1 ), nella regione di transizione
(1 < <1 ), in ingresso alto ( > 1 ): le tensioni minori di 1 sono interpretate come 0 logico (quindi
1 il massimo valore ammesso per lo 0 logico) e analogamente tensioni dingresso maggiori di 1 sono
interpretate come 1 logico (quindi 1 il minimo valore ammesso per l1 logico).
Un grosso vantaggio dei circuiti digitali binari la tolleranza alle variazioni del segnale dingresso, cio
unimmunit al rumore (segnali indesiderati): la differenza NMH=0 1 definita margine di rumore
all1 logico (cio luscita di una porta non viene modificata dal rumore sovrapposto fin quando lampiezza
della tensione di rumore non supera la soglia 0 1 ) e la differenza NML=0 1 definita margine
di rumore allo 0 logico (con 0 minima tensione duscita per il valore alto, 1 minima tensione dingresso
riconosciuta come 1 logico, 0 massima tensione duscita a livello basso e 1 massima tensione dingresso
riconosciuta come 0 logico); per massimizzare i margini di rumore dovrebbe essere 1 = 1 = (un valore
al centro dellintervallo 0 0 ) quindi che la regione di transizione sia caratterizzata da un guadagno
elevato, e la commutazione dovrebbe avvenire al centro dellesecuzione logica, quindi con 0 pi piccola
possibile e 0 pi elevata possibile (fino a V+).
Un parametro di interesse nella progettazione dei circuiti logici la potenza dissipata, che permette di
stabilire la corrente che lalimentatore deve essere in grado di fornire al circuito; essa formata da due
componenti. La potenza statica quella dissipata quando il circuito non cambia: se 0 = 1 allora =0 e
quindi la potenza dissipata nulla, mentre se 0 = 0 allora =

e quindi la potenza dissipata + ;

se si assume che mediamente la porta si trovi per met del tempo in ciascuno dei due stati, la potenza statica
media dissipata

1
2

. Per la potenza dinamica si considera un carico capacitivo : assumendo che

inizialmente lingresso sia alto e linterruttore sia chiuso, la capacit inizialmente scarica; rendendo
basso, linterruttore si apre e 0 cresce verso + con legge esponenziale.

La corrente di carica scorrer attraverso R producendo dissipazione: sapendo che lenergia assorbita
dallalimentatore : + = + = + (con = + carica fornita al condensatore), da cui
risulta pari a ( + )2 e che al termine della transizione lenergia immagazzinata nel condensatore
1

(
2

+ 2

) , in totale lenergia dissipata

(
2

+ 2

) . Successivamente, riportando ad un valore alto,

linterruttore si chiude e la capacit si scarica sulla resistenza dellinterruttore, che quindi dissipa potenza
pari a quella accumulata dal condensatore, cio

(
2

+ 2

) : in un ciclo completo quindi la potenza dissipata

( + )2 ( e pari a ( + )2 se i cicli sono ). A causa dei fenomeni dinamici associati alla commutazione
di un transistor, linterruttore non pu rispondere istantaneamente a ; inoltre la capacit di carico alluscita
rende la forma donda 0 diversa da quella di un impulso ideale ed presente anche un ritardo tra gli impulsi
dingresso e di uscita, definito come ritardo di propagazione, vi sono diversi modi per esprimere tale ritardo:
di solito viene fornito il tempo che intercorre tra listante in cui la forma donda in ingresso assume il 50%
del valore finale e listante in cui la forma donda duscita raggiunge il 50% del
corrispondente valore finale; questi tempi sono indicati come e , per
cui il ritardo di propagazione si definisce come loro valor medio:
=

1
2

( + ), mentre i tempi di salita e di discensa vengono misurati tra

il 10% e il 90% della transizione. Ci che si desidera un basso consumo di


potenza e un basso tempo di ritardo, ma queste due caratteristiche sono in contrasto tra loro, poich si riduce
la dissipazione diminuendo la corrente di alimentazione, ma aumentando cos il ritardo della portata: un
fattore di merito quindi il prodotto potenza-ritardo, definito come DP= (pi basso pi efficiente).

Per quanto riguarda linvertitore Nmos con carico ad arricchimento, quando il segnale dingresso si trova
allo 0 logico, cio ad una tensione minore della tensione di soglia 1 di 1 , questultimo si trova in
interdizione e la tensione duscita risulta alta, con il valore:
= 2 , cio luscita minore di del fattore 2 (
un difetto: riduce lescursione di tensione tra gli stati e il margine
di rumore), mentre se al valore 1 logico, cio pari a
2 . Luscita risulta 0 (1 in triodo e 2 in saturazione).
La pendenza della caratteristica nella regione di transizione pari a

1
2

dove =

1
2

detto rapporto geometrico, quindi deve avere una regione di transizione stretta

(e margine di rumore accettabile) deve essere almeno > 8. Leffetto body significativo solo quando 0
alto e provoca semplicemente una riduzione del valore di 0 . Per quanto riguarda il funzionamento
dinamico, si pone una capacit di carico C (in cui sono fatti conglobare tutti i vari effetti capacitivi per
semplicit) e si assume che limpulso dingresso sia ideale, con tempi di salita e di discesa nulla: prima che
venga applicato limpulso di ingresso, si ha = 0 e 0 = 0 , quindi linvertitore lavora nel punto B e i
condensatore carico al valore 0 . Quando va al valore alto 0 , il transistor 1 entra in regione attiva e,
poich il condensatore non si scarica istantaneamente, il punto di lavoro salta da B a D; 1 assorbe una
corrente alta, scaricando il condensatore, e il punto di lavoro si sposta lungo la curva verso il punto A, dove
0 = 0 . Il ritardo di propagazione il tempo impiegato dal punto di lavoro per passare da D a N:
poich la corrente di scarica del condensatore in
ogni istante la differenza tra 1 e 2 , il suo
valore medio pari a =

1 ()+ 1 () 2 ()

quindi si pu calcolare il ritardo di propagazione:


=

1
2

[0 (0 +0 ]

. Successivamente, quando

scende al valore 0 , 1 si spegne immediatamente e la capacit C viene


caricata dalla corrente fornita da 2 , ed il punto di lavoro si sposta da A verso B: sapendo che la corrente

media di carica : =

2 ()+ 2 ()
2

si ricava =

1
2

[ (0 +0 )0 ]

. Il ritardo di propagazione pu

quindi essere individuato facendo la media dei valore trovati per e . Il prodotto ritardo-potenza
della famiglia logica Nmos con carico ad arricchimento pu essere calcolato moltiplicando il ritardo di
1

( =0)

propagazione per la potenza dissipata staticamente (pari a 0


5

2 ( )2 , quindi =
8

0.8

2 ( )

): assumendo 0 0, si ha che
1

da cui, poich , si ricava che ;

siccome per 0 0 la dissipazione media di potenza :

1
2

)2

2 ( si ottiene il prodotto

ritardo-potenza: 0.2 ( ), e pu quindi essere ridotto diminuendo C oppure ( ma


diminuendo si riduce lescursione del segnale ed il margine di rumore).

Un invertitore Nmos con carico a svuotamento ha un guadagno pi elevato, con caratteristica di


trasferimento pi brusca e margini di rumore migliorati, ottenuti inoltre usando un fattore di forma
minore: il prezzo da pagare un passo aggiuntivo del
processo. In questo caso per ha un ruolo importante
leffetto-body, che non permette al carico a svuotamento di
funzionare come generatore di corrente costante per un
considerevole intervallo di 0 (e quindi una caratteristica di
trasferimento caratterizzata da una repentina transizione tra
gli stati. Analiticamente la corrente nel carico a svuotamento data da 2 = 2 | |2 per 0 | | e
2 = 2 [2 | | ( 0 ) ( 0 )2 ] per 0 | |. Per quanto riguarda i margini di rumore,
si ha che 0 = ; per individuare 0 , si pone = 0 (quindi 0 = 0 ) e lo si ricava da 1 = 2 ,
cio 1 [2 (1 1 )1 0 2 ]= 2 (2 2 )2 con 2 = 0; per ottenere 1 si deriva 0 rispetto
a a partire sempre da 1 = 2 imponendo = 1 e

= 1; analogamente per ottenere 1 si deriva

0 rispetto a a partire sempre da 1 = 2 e sostituendo = 1 e

= 1 (avendo cos due equazioni

in due incognite come prima). Dal punto di vista del funzionamento dinamico, in presenza di una capacit C,
i ritardi di propagazione e possono essere calcolati determinando le correnti medie per caricare e

scaricare il condensatore, come nel caso precedente, da cui


0
2

( 0 )
22 (2 )2

; il carico a svuotamento fornisce

0
2

( 0 )

21 ( 1 )2

correnti pi alte su un intervallo 0 pi ampio, consentendo di


caricare la capacit pi velocemente e di avere un ritardo
leggermente minore. Sapendo inoltre la dissipazione statica media
1

(paria a 2 |2 |2 ), si ricava il prodotto ritardo-potenza che


2

circa pari a: DP

2
8

dove una frazione minore ma prossima

allunit, che tiene conto delle variazioni di 2 con 0 .


Rispetto allinvertitore con carico ad arricchimento, linvertitore Nmos con carico a svuotamento
caratterizzato da un margine di rumore pi alto e una maggiore velocit di funzionamento, pur occupando
area minore: per questo i circuiti logici e di memoria
Nmos utilizzano questa tecnologia. Il funzionamento di
una porta NOR in tecnologia Nmos con carico a
svuotamento il seguente: se la tensione ad uno dei
qualsiasi terminali dingresso alta (a ) allora il
transistor corrispondente in conduzione e la tensione
duscita bassa (0 ); luscita risulta alta ( ) solo se i
due ingressi sono contemporaneamente bassi (e i transistor interdetti). Nella porta NAND invece i transistor
di ingresso sono in serie e non in parallelo: luscita passa solo quando entrambi i transistor sono in
conduzione, cio quando tutti e due gli ingressi sono contemporaneamente alti. Nelle porte NAND, per
mantenere la tensione duscita al valore 0 quando i transistor sono in conduzione, questi devono avere
larghezza doppia di quella del transistor invertitore, in modo che presentino lo stesso rapporto

parit di ingressi una porta NAND occupa pi spazio di una porta NOR.

quindi a

La tecnologia CMOS quella pi diffusa per i circuiti logici. LInvertitore Cmos utilizza due Mosfet ad
arricchimento accoppiati: uno a canale n, e laltro a canale P, : il substrato di ogni FET collegato al
suo source e quindi leffetto-body non presente. Si considera il transistor come transistor pilota e il
transistor come carico: nel caso in cui = , il punto
di lavoro si trover allintersezione fra la curva caratteristica
per con = (con = 0 ), e la curva
di carico di per = 0 e, poich < e
la curva di carico sar a corrente quasi nulla, sar
caratterizzato da una corrente quasi nulla e tensione duscita
prossima a 0; ci significa che la dissipazione di potenza molto piccola (si ha ON e OFF). Quando
invece = 0, funziona con = 0, quindi la sua curva
caratteristica una retta a corrente nulla, mentre per
la curva di carico funziona per = ; nel punto di lavoro
quindi la tensione circa e la corrente che scorre quasi
nulla, quindi anche in questo caso la dissipazione di potenza
molto contenuta. Linvertitore CMOS si comporta come un elemento logico ideale: la tensione duscita
quasi uguale a 0 e , mentre la potenza dissipata quasi nulla. Per individuare la caratteristica di
trasferimento completa occorre individuare i punti critici della risultante curva; a tal proposito occorre tener
presente le relazioni di (cio: = [2 ( )0 0 2 ] per 0 e
= ( )2 per 0 )
e di (cio: = [2 ( | |)( 0 ) ( 0 )2 ]
per 0 + | | e = ( | |2 ) per 0 + | | ), sapendo che generalmente si
ha = | | = e = = K (cos linvertitore pu erogare la stessa corrente in entrambe le
direzioni). La caratteristica di trasferimento pu essere divisa in
cinque segmenti, corrispondenti a cinque diversi modi di
funzionamento di e (fino ad A, OFF; da A a B, in
saturazione e in triodo; da B a C entrambi in saturazione; da C a
D in triodo e in saturazione, dopo D OFF);
trascurando la resistenza duscita finita, il segmento BC verticale e
il guadagno in questa regione infinito, con 0 () =

0 () =

+ e

. Per determinare 1 basta osservare che in

triodo e in saturazione, quindi eguagliare le rispettive correnti


ottenendo: = cio 2 ( )0 0 2 = ( )2 ; derivare entrambi i membri rispetto a
: 2( )

che 0 = 1
quindi 1 =

1
8

+ 20 20

= 2 ( ) da cui, sostituendo = 1 e

= 1 si ricava

. Sostituendo questo valore nellequazione di partenza e imponendo = 1 si ottiene

(5 2 ) . Per calcolare 1 si procede in maniera analoga oppure si pu usare la

relazione di simmetria: 1

1 utilizzando 1 ; 1 = (3 + 2 ); a questo punto


8

possibile calcolare i margini di rumore N = 0 1 e N = 1 0 (che, per la simmetria,


risultano uguali). Da notare che mentre linvertitore cambia stato, attraverso la connessione in serie dei due

Mos scorre corrente (il cui picco =

); questa corrente provoca dissipazioni di potenza nel

funzionamento dinamico, che significativa quando linvertitore connesso a una capacit ci carico C, per
2
, con frequenza con cui commuta linvertitore.
cui si ha: = C

In presenza di carichi capacitivi, linvertitore Cmos presenta tempi di salita e discesa uguali, essendo il
circuito simmetrico, per cui basta considerare uno solo dei processi di
commutazione, considerando come ingresso un impulso ideale: si
suppone allistante t = 0 la tensione duscita uguale a e il
condensatore carico a tale valore; allistante t=0, limpulso dingresso
passa da = 0 = 0 a = 0 = mandando in interdizione.
Il punto di lavoro per t=0+ il punto E, in cui si trova in saturazione e
fa scorrere un corrente molto grande; scaricando C, la corrente rimane
costante finch 0 = (punto F), e questa prima porzione di scarica

1 =

( ( )
( )2

( )2

. Oltre il punto F il transistor sempre OFF mentre entra nella

regione di triodo; questaltra porzione di intervallo di scarica descritta da = 0 e, poich


= [2 ( )0 0 2 ] con = , si ricava:

trovare il tempo necessario perch 0 scenda da al punto di mezzo

membri, ottenendo 2 =

2 ( )

ln

3 4

0.8

0
0 2

0
2( )2

. Per

, si integrano entrambi i

. Sommando i due termini ottenuti si ricava il ritardo

complessivo e, sapendo che di solito 0.2 , si semplifica con: =


=

2( )

0.8

(analogamente si ha

). Il prodotto ritardo-potenza direttamente proporzionale alla velocit di commutazione e pu

essere ridotto lavorando a basse frequenze, oltre a poter diminuire la capacit di carico e la tensione di
alimentazione come per gli Nmos.
Le porte logiche Cmos si ottengono modificando il circuito di base dellinvertitore: considerando la porta
NOR, il cuore della porta
linvertitore 1 2 e la porta
ottenuta aggiungendo il Mosfet 3 a
canale n in parallelo e il Mosfet 4 a
canale P in serie (per ogni ingresso
addizionale), mentre la porta NAND
ottenuta collegando un Mosfet a
canale n in serie ed un Mosfet a canale p in Parallelo (per ogni ingresso addizionale). Luscita del primo
circuito alta ( ) se sia 2 che 4 sono in conduzione, cio quando A e B sono contemporaneamente
bassi, mentre nel secondo circuito luscita bassa solo quando 1 e 3 sono entrambi in conduzione, cio
quando A e B sono entrambi alti. In generale quindi le porte Cmos occupano area maggiore di quelle Nmos;
inoltre si realizzano porte Cmos in modo che eroghino stessa corrente in entrambe le direzioni, occorre tener
conto che transistor in parallelo forniscono una corrente che somma delle singole fornite mentre transistor
in serie forniscono la stessa corrente che fornirebbe un solo transistor, quindi per una porta NOR deve essere:

( ) 2( ) e per una NAND: ( )

( ) .

La memoria una parte molto importante dei sistemi digitali; i circuiti logici con memoria sono chiamati
circuiti sequenziali, cio luscita dipende non dolo dal valore attuale degli ingressi ma anche da quelli
precedenti ( necessario un generatore di temporizzazione, il clock). Lelemento di memoria fondamentale
il latch (bistabile), formato da due invertitori interallacciati, 1 e 2 , che formano una
controreazione positiva. Per studiarne il funzionamento si pu interrompere lanello e
applicare un ingresso ad uno dei due invertitore, ad esempio il segnale a 1 : la
caratteristica di trasferimento di in funzione di suddivisa in tre segmenti, di cui

quello centrale rappresenta la transizione (se lanello chiuso si ha la retta


= ) e i punti di lavoro sono A e C, che sono stabili, cio il latch vi rimane
per un tempo indefinito, e B che instabile; infatti se fosse polarizzato nel
punto B, con un aumento di si avrebbe un aumento di (pari al prodotto
per il guadagno 1 ) che, applicato a 2 , porterebbe ad un ulteriore aumento
di segnale nel punto Z: legato a attraverso il guadagno di anello nel punto B (dato dalla pendenza
della curva nel punto B) e aumenta finch il punto di lavoro si sposta su C (dove il guadagno danello 0);
con una diminuzione di invece il punto di lavoro si sarebbe spostato su A. Nel punto C alto,
basso, basso e alto, mentre nel punto A i valori sono invertiti; se si considerano come uscita i punti
X e Z si osserva che il latch un circuito bistabile con due diverse uscite complementari, e pu mantenere in
memoria un solo bit di informazione: attraverso un meccanismo di trigger il latch forzato a cambiare stato e
il latch unito al circuito di trigger forma un flip-flop. Il pi semplice flip-flop quello set-reset (SR), formato
da due porte NOR incrociate; il secondo ingresso di ciascuna porta serve come ingresso forzante, il set S
porta lo stato ad 1 e il reset R porta lo stato a 0; luscita memorizza 1 quando alto e basso, mentre
memorizza 0 se basso e alto. Se S=1, R=0 allora luscita 1; se S=0, R=1 allora luscita 0; se S=0,
R=0, il flip-flop mantiene lo stato precedente; la combinazione S=1, R=1 non consentito poich porta il
flip-flop in uno stato indefinito. possibile realizzare un flip-flop SR anche utilizzando due porte NAND.
Un tipo di flip-flop particolare il flip-flop D in tecnologia Cmos; sono presenti due ingressi, cio lingresso
del dato (D) e di clock (C) e le due uscite e ; quando il clock basso il flip-flop a riposo e qualunque
cambiamento su D non produce effetti, mentre se il clock alto il flip-flop acquisisce il valore sulla linea D
(alcuni contengono gli ingressi di set e reset). formato da due flip-flop SR, chiamati master e slave, formati
da due porte NOR e una di trasmissione inserita nellanello di controreazione; sono presenti anche una porta
di trasmissione tra lingresso D e il master e una porta di trasmissione tra il master e lo slave. Quando il
clock basso lo slave isolato dal master ed il suo anello chiuso, consentendogli di mantenere lo stato,
mentre, lanello del master aperto e la sua uscita il complemento di D, mentre quando il clock alto il
master viene scollegato dallingresso D e il suo anello chiuso, mentre lanello dello slave viene aperto e
riceve luscita del master, quindi luscita assume valore complementare a (quindi il valore di D).

La memoria di un computer pu essere divisa in due parti, memoria principale e memoria di massa; la
memoria principale, ad accesso pi rapido, di solito una memoria ad accesso casuale (RAM), con tempo di
accesso in scrittura e lettura indipendenti dalla localizzazione dellinformazione (mentre la memoria di massa
di solito di tipo sequenziale). Il cuore di un chip di memoria costituito dalle celle in cui sono
immagazzinati i bit, cio ogni cella di memoria un circuito capace di immagazzinare un bit, e sono
organizzate in matrice quadrata (ogni cella selezionata rendendo alti la riga e la colonna corrispondente,
queste sono selezionate attraverso i rispettivi decoder). Gli ingressi di indirizzo di un chip RAM sono di
solito interfacciati attraverso un inverter: ad esempio in un RAM Nmos
vengono utilizzati i circuiti con carico a svuotamento, che forniscono in
uscita il bit dingresso e il suo complemento. Ogni decoder dindirizzo
di solito un circuito combinatorio,
come la porta NOR: la sua uscita
connessa a una riga di memoria (se
un decoder per li indirizzi di memoria di riga) ed i suoi ingressi
saranno connessi alla opportuna combinazione dei bit dingresso e dei
loro complementi. Esistono due tipi di RAM Mos: statiche e dinamiche.
Le prime utilizzano come celle di memoria dei flip-flop, mentre le seconde memorizzano dati su delle
capacit. La cella di una RAM statica formata da un flip-flop che contiene due invertitori accoppiati in
modo incrociato e da due transistor di accesso e , che si accendono quando viene selezionata la riga
; la
corrispondente e connettono il flip-flop sia alla linea di colonna D sia alla linea di colonna negata
viene fornito allamplificatore di lettura dalla colonna (uno per colonna),
tensione di segnale tra D e
lunico attivo, e la sua uscita verr connessa alla linea data-output, di uscita dei dati, del chip (operazione di
(il bit e il suo complemento) e i
lettura). I dati che devono essere scritti sono trasferiti sulle linee D e
transistor e i transistor in conduzione e li portano i ingresso al flip-flop (operazione di scrittura). Da
sono quindi determinati dalle
osservare che i tempi di salita e di discesa dei segnali delle linee D e
stesse: questi
correnti che scorrono nei transistor dei flip-flop, e dalle capacit delle linee D e
contribuiscono al tempo di accesso in RAM. Le RAM statiche possono mantenere il loro contenuto
indefinitamente, e non essenziale per il funzionamento il clock. In una RAM dinamica uno zero logico
rappresentato da assenza di carica, quindi una tensione prossima allo zero, sul condensatore, mentre un 1
logico rappresentato da una tensione prossima a quella di alimentazione. A causa di effetti di perdita, il
condensatore tende a perdere la sua carica, quindi per il concetto funzionamento della RAM dinamica si usa
loperazione di refresh (le celle vengono lette e riscritte) ogni 2-4 ms, e ci implica la presenza di un clock.
Ogni cella formata da un solo Mosfet ad arricchimento a canale n, transistor di accesso, e da un
condensatore di memoria: in fase di lettura, il condensatore connesso alla corrispettiva linea D, quindi in
parallelo alla sua capacit; se viene letto 1 la tensione sulla capacit di linea subisce un incremento, che viene
amplificato e portato in uscita, altrimenti rimane invariata. Il segnale amplificato viene anche re-impostato
sul condensatore di memoria, ripristinando il livello originale, e in questo modo vengono rinfrescate tute le
celle della riga selezionata. La fase di scrittura analoga, cio nel memorizzare il dato su una cella, tute le
celle di riga vengono rinfrescate.

Le memorie di sola lettura (ROM) invece contengono dei dati fissi, mantengono le informazioni anche in
assenza di alimentazione: pu essere vista come un circuito combinatorio in cui lingresso linsieme dei bit
di indirizzo e luscita linsieme dei bit letti nella localizzazione indirizzata. Una ROM in tecnologia Mosfet
formata da una matrice di transistor ad arricchimento i cui gate sono connessi alla rispettiva riga. I source
sono a massa e i drain alle linee di bit: ogni linea di bit connessa allalimentazione attraverso un transistor
di carico a svuotamento. Allinterno delle celle che memorizzano uno 0 presente un Mosfet, mentre nelle
celle che memorizzano 1 non presente alcun dispositivo: portando a livello alto la tensione di riga infatti i
transistor andranno in conduzione, portando a 0 la loro uscita, mentre quelle senza transistor rimarranno alla
tensione di alimentazione grazie al transistor di carico a svuotamento. Questo comunque un tipo di ROM
determinato al momento di fabbricazione (quindi personalizzato); esistono delle ROM programmabili a
maschera, in cui la superficie rivestita da uno strato di alluminio e quindi viene asportato selettivamente,
lasciando il metallo solo dove si desiderano delle connessioni: si tratta di ROM programmabili nellultima
fase di programmazione. Vi sono poi le PROM, programmabili dallutilizzatore ma una sola volta, bruciando
i fusibili desiderati attraverso una forte corrente. Le EPROM sono ROM cancellabili, quindi programmabili
un numero di volte indefinito: ogni cella costituita da un Mosfet ad arricchimento a canale n, con due gate,
uno dei quali non elettricamente connesso a nessunaltra parte del circuito e per questo chiamato gate
fluttuante (che mantiene intrappolata la carica al suo interno anche in assenza di alimentazione, una volta
programmato- se c carica allora uno 0 logico, altrimenti se il transistor interdetto un 1 logico): per
cancellare la programmazione (quindi eliminare la carica immagazzinata) occorre usare luce ultravioletta per
un tempo prefissato, che fornisce energia agli elettroni intrappolati sufficiente a superare la barriera di
potenziale e tornare nel substrato.