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GaN per circuiti ad alta frequenza di nuova

generazione
09/12/2021

Di Redazione Fare Elettronica

Traduzione dall’articolo GaN Enables Next-Generation High-Frequency Circuits di Tom

Ribarich/Power Electronics News

Un modo per ottenere una migliore densità di potenza è aumentare

la frequenza di
commutazione così da ridurre al minimo i componenti passivi
mantenendo comunque o
addirittura migliorando l’efficienza dei circuiti stessi.

Una soluzione per ottenere una migliore densità di potenza sarebbe

aumentare la frequenza di
commutazione per ridurre al minimo i componenti
passivi, come trasformatori, filtri EMI,
condensatori bulk e condensatori di
uscita, mantenendone o migliorandone altresì l’efficienza.
Tra le soluzioni
high-speed proposte dagli accademici dal 1996 vi è il flyback active-clamp
(ACF)
rivelatasi poi con scarse prestazioni di commutazione del silicio (QGD, Trr, COSS) per
non parlare
poi della complessità del sistema e del costo dello stesso.

Il nitruro di gallio (GaN), invece, possiamo definirlo un materiale ad “ampio bandgap” perché
offre un bandgap elettronico tre volte più grande del silicio, il che significa che il GaN può gestire
campi elettrici dieci volte più forti e fornire un’elevata potenza con chip notevolmente più piccoli.

Dunque con transistor molto più piccoli e percorsi di corrente più brevi, si riescono ad ottenere
nel sistema resistenza (RDS(on)) e capacità (QGD, COSS, zero Trr) bassissime, ed altresì una
velocità di commutazione fino a 100 volte più veloce. Per fornire prestazioni effettive in linea con
le promesse del GaN, gli IC di alimentazione GaN integrano monoliticamente l’alimentazione
GaN (FET) e l’azionamento per controllare e proteggere l’interruttore di alimentazione GaN high-
speed.

Vengono presentate tre nuove versioni: 50-W pulsed ACF,

300-W CrCM totem-pole PFC e 1-kW
half-bridge LLC.

Pulsed ACF: Eliminazione del

condensatore elettrolitico bulk
La soluzione di riduzione in blocco dei condensatori, o la loro completa rimozione dal sistema, è
stata un obiettivo sfuggente per molti anni, con scarso o addirittura nessun successo. La
potenza nominale del condensatore bulk (µF) è determinata dalla potenza di uscita richiesta,
dalla tensione e dalla frequenza di linea AC.

La valutazione è un atto di bilanciamento tra la carica del condensatore in ogni ciclo di linea AC
e la scarica per fornire la potenza di uscita necessaria, il tutto mantenendo un livello di tensione
di mantenimento DC minimo (~ 400 V) necessario per fornire una tensione di uscita DC
costante. L’aumento della frequenza di commutazione dello stadio di conversione di potenza in
sé non ha alcun effetto sulla dimensione del condensatore bulk, quindi non beneficia dello
stesso rapporto di riduzione frequency-to-size che otteniamo con i magneti.

Tuttavia, se cambiamo i requisiti di uscita del convertitore

da una tensione DC strettamente
regolata a una tensione AC rettificata, allora
possiamo cambiare le regole del gioco. Con
un’uscita a impulsi, possiamo avere
una tensione del condensatore bulk AC rettificata, che
consente di ridurre
notevolmente il valore della capacità del condensatore bulk e la tensione del
bus DC può seguire direttamente la tensione della linea AC rettificata. Per i
caricabatterie rapidi
per smartphone, è accettabile una corrente pulsata,
soprattutto se gli algoritmi di carica della
batteria del telefono sono
leggermente modificati per accettare la forma d’onda della tensione
pulsata.

Per soddisfare il nuovo requisito di tensione di uscita a impulsi, la topologia ACF può convertire
in modo efficiente la tensione del bus AC rettificata in una tensione di uscita a corrente continua
ad impulsi. Il flyback QR tradizionale è semplice ed economico, ma presenta “interruttori rigidi”
durante le condizioni di linea alta.

Le topologie LLC risonanti forniscono il funzionamento ZVS sull’intero intervallo di carico, ma

dipendono da una tensione del bus DC ad intervallo limitato. La topologia ACF offre il meglio di
entrambi i mondi consentendo il funzionamento ZVS sull’intera linea e un ampio intervallo di
carico e tensione.

Rispetto al flyback QR tradizionale, la topologia ACF include un interruttore high-side aggiuntivo

e un condensatore per spostare la tensione del nodo commutato (VSW) sul binario opposto
durante il tempo morto e ottenere un ZVS. Megahertz ACF che utilizza circuiti integrati di
alimentazione GaN è stato approvato accademicamente nel 2016 ed è stato reso disponibile per
l’industria con l’introduzione nel mercato nel 2018 del controller PWM UCC2878x ACF di TI. Il
GaN consente il funzionamento ACF ad alta frequenza e si traduce in una drastica riduzione
delle dimensioni del trasformatore; ad esempio, da un trasformatore basato su bobina RM10 alto
22 mm da 50 kHz ad un trasformatore planare EI25 sottile 8 mm da 500 kHz, come mostrato
nella Figura 1.

How high frequency drives smaller passive components, 50-W fast-charger example: ~100-kHz
traditional bobbin (22 mm high) (left) and ~500-kHz planar transformer (8 mm) (right)

La riduzione delle dimensioni grazie all’aumento della

frequenza e al funzionamento ad impulsi
(eliminazione dei condensatori bulk) ha
portato, nel 2020, all’introduzione del caricabatterie
rapido ultrasottile da
50 W basato su GaN-power-IC di Oppo. Questo è stato un perfetto
esempio di
combinazione del GaN con un nuovo sistema di partizionamento in grado di
ridurre
le dimensioni e il profilo del convertitore ed infine in grado di
creare un’esperienza del tutto
nuova per l’utente e pronta all’uso.

PFC ad alta frequenza,

senza il ponte
Le topologie PFC convenzionali per applicazioni di media potenza (da 100 a 500 W) includono
un raddrizzatore a ponte di ingresso seguito da un convertitore boost tradizionale. Quando
l’interruttore boost viene attivato e disattivato a una data frequenza di commutazione, i tempi di
attivazione e disattivazione sono controllati in modo tale che la corrente di ingresso della linea
AC segua la stessa forma e fase della tensione di linea AC e la tensione di uscita del bus DC sia
mantenuta a un livello costante.

In condizioni di ingresso a 90 VAC e a pieno carico, questo circuito può raggiungere efficienze
pari circa al 96%. Il convertitore boost stesso può essere reso molto efficiente, ma le perdite del
ponte di ingresso AC sono molto elevate, e ciò può causare gravi estremi termici ed una scarsa
efficienza complessiva.

Il “bridgeless totem-pole” entra nella topologia di PFC.

Nei circuiti PFC convenzionali con un raddrizzatore AC standard, in qualsiasi momento, due
diodi del ponte di ingresso sono sempre in conduzione e generano >50% delle perdite totali del
circuito PFC.

Negli ultimi decenni, sono stati studiati molti circuiti PFC bridgeless nel tentativo di eliminare il
raddrizzatore a ponte di ingresso ed aumentare l’efficienza del sistema, ma pochi sono usciti dal
laboratorio e sono entrati nel mercato tradizionale, principalmente a causa della maggiore
complessità e dei costi. Queste topologie includono il classico totem-pole bridgeless, semi-
bridgeless e bidirectional bridgeless.

Ognuna di queste topologie ha il proprio insieme di pro e contro, ma nessuna di esse è la

soluzione perfetta. Sebbene siano stati implementati progetti basati su microcontrollori per data
center SMPS multi-kilowatt, le perdite in standby sono state troppo elevate per soddisfare i
requisiti del mercato consumer come DoE Level IV ed Euro CoC Tier 2.

iFigure 2: 300-W CrCM totem-pole PFC schematic and efficiency data

Con l’emergere di nuovi controller nel 2021, il totem bridgeless

CrCM ad alta frequenza sta
emergendo come una topologia abbastanza popolare a
causa della bassa EMI, oltre alla
semplificazione di rilevamento della tensione
e della corrente da parte del controller. Le velocità
di commutazione possono
essere aumentate fino a 10×, da una frequenza fissa da 50 kHz CCM
a una
frequenza di 200-500 kHz per funzionamento CrCM totem-pole, la bassa capacità
di
uscita di GaN (COSS) offre un risultato ad alta efficienza.

DC/DC ad alta frequenza: 6

volte la
potenza con GaN
Per i convertitori di tensione a uscita fissa
nell’intervallo di potenza da 100 a 3.000 W, la scelta
del convertitore DC/DC a
valle è in genere uno stadio risonante LLC con ingresso ~400 V DC. Il
bus da
400 V può provenire da uno stadio PFC a monte all’interno di un SMPS AC/DC
racchiuso
o può essere la guida di distribuzione principale in un’installazione
HVDC.

La topologia LLC ha diversi vantaggi che includono il

funzionamento ZVS, l’alta efficienza e
l’elevata densità di potenza, e il
funzionamento ZVS rende questo convertitore una piattaforma
ideale per
aumentare la frequenza di commutazione e ridurre le dimensioni del magnete
utilizzando un gruppo propulsore ad alta velocità.

Nel fattore di forma quarter-brick standard del settore

(DOSA), i migliori design basati su silicio
raggiungono i 150 W. Utilizzando
circuiti integrati di potenza GaN e aumentando la frequenza di
commutazione
DC/DC di 3 volte da 275 kHz a 830 kHz, la potenza nominale può essere
aumentata
fino a 6× ad un massimo di 1 kW.

Figure 3: 400-V input DOSA quarter-brick DC/DC converters: best-in-class Si-based, 275 kHz, 150 W (left) and GaN-
based 830 kHz reaching 1 kW (density power) (right)

GaN ad alta velocità per

applicazioni ad
alta frequenza
Queste sono solo alcune delle vaste potenzialità applicative, con le quali i circuiti integrati di
potenza GaN potranno andare a rivoluzionare il mondo nell’elettronica di potenza. Man mano
che le frequenze operative aumentano e le dimensioni dei magneti diminuiscono, l’intero
ecosistema continuerà ad evolversi, inclusi materiali magnetici aggiornati, nuovi progetti di
trasformatori planari, tecnologie di condensatori più piccoli, nuove topologie di circuiti e materiali
termici migliorati.

I risultati di tali applicazioni saranno sicuramente maggior efficienza, maggiore robustezza, nuovi
fattori di forma dell’adattatore di alimentazione ed in definitiva costi inferiori.

Traduzione dall’articolo GaN Enables Next-Generation High-Frequency Circuits di Tom

Ribarich/Power Electronics News