Filtri Attivi – Introduzione e celle del

primo ordine e cenni ai filtri del secondo

ordine
Filtri Attivi
 Nei sistemi elettronici è molto spesso necessario disporre di filtri (elettrico) in grado di
prelevare e amplificare una porzione dello spettro di un segnale sopprimendo le altre
componenti.

 Filtro elettrico: rete di componenti elettrici che elabora segnali (tipicamente tensioni)

 Possibilità di usare solo componenti passivi (filtri passivi) o sia attivi che passivi (filtri
attivi)
– Componente attivo (transistor, OpAmp, OTA, ecc...): può amplificare (aumentare la potenza di) un
segnale.
 Ingresso e uscita legati in maniera causale dalla cosidetta legge di elaborazione del
filtro

Rete
𝑥𝑥 𝑡𝑡 𝑦𝑦 𝑡𝑡
elettrica

2
Filtri Attivi
 Filtri non lineari
– P.e. reti neurali 𝑦𝑦 𝑡𝑡 = 𝐹𝐹 𝑥𝑥 𝑡𝑡 , 𝑡𝑡
– Se le non-linearità sono blande possono essere trattate per linearizzazione

 Filtri lineari tempo invarianti 𝑦𝑦 𝑡𝑡 = ℎ ∗ 𝑥𝑥 𝑡𝑡

– Caso più diffuso: esistono potenti strumenti matematici per l’analisi e la sintesi.
– Tipica rappresentazione del comportamento di un filtro lineare tempo invariante è
nel dominio delle frequenze
𝑌𝑌 𝑗𝑗ω = 𝐻𝐻 𝑗𝑗ω 𝑋𝑋 𝑗𝑗ω 𝑋𝑋, 𝑌𝑌, 𝐻𝐻 𝑗𝑗ω = ℱ[𝑥𝑥, 𝑦𝑦, ℎ 𝑡𝑡 ] 3
Filtri Attivi vs Filtri Passivi
 Filtri Passivi
– Possibilità di avere sistemi dinamici solo usando contemporaneamente almeno 2
tipi di componente (almeno un componente reattivo): R+C, R+L, L+C, R+L+C
– In realtà dato che R dissipa potenza, per evitare di degradare troppo SNR tra
ingresso e uscita per i filtri passivi si usavano solo L e C (le R erano parassite)

 Filtri Attivi
– Maggiore flessibilità: possibilità di realizzare filtri ad alte prestazioni con 1 solo tipo
di componente reattivo. Dato che L sono particolarmente ingombranti (e di fatto
irrealizzabili in circuiti integrati a meno di non essere a alta frequenza), si suano R e
C, oltre che dispositivi attivi (OP-AMP o OTA)

 Filtri a Componenti Discrete o Integrati?

– I componensi passivi discreti di precisione esistono e sono molto buoni i resistori e
abbstanza buoni i condensatori. Diverso è il discorso per relaizzazioni integrate,
dove è difficile realizzare reistori di precisione, metre è molto più facile farlo per
condensatori. 4
Realizzazione di induttori
 Problemi con i componeti parassiti
– R parassita particolarmente critica L
– Fattore di merito 𝑄𝑄𝐿𝐿 = ω 𝐿𝐿⁄𝑅𝑅
Cp
– In pratica 𝑄𝑄𝐿𝐿 < 1000
Rs
– 𝑄𝑄𝐿𝐿 cresce approx. con il quadrato delle dimensioni
geometriche → Per avere QL elevato, dimensioni elevate
(specialmente a bassa frequenza)

 Irradiamento e suscettibilità: Problemi di EMI

 Comportamenti non lineari

– Per grandi 𝐿𝐿 necessari nuclei metallici →
– Saturazione del nucleo + isteresi →
– Distorsione del segnale

5
Realizzazione integrata di induttori
 Struttura a spirale con film metallico
– Struttura apparentemente quasi planare, ma di fatto 3D

 Problemi
– In forma integrata solo induttori con L < 5-10 nH → Possibile uso solo in circuiti HF
– Al calare della distanza tra le tracce 𝑑𝑑𝐿𝐿 , aumento di capacità parassita in parallelo
all’induttanza
– Presenza di forti capacità e resistenze parassite verso il substrato
– Impossibile ottenere buoni fattori di merito, 𝑄𝑄𝐿𝐿 ≤ 10 (tipicamente)
– Necessarie tecnologie speciali per andare oltre
6
(p.e. Induttori “sospesi”)
Induttori indegrati: Bottom line
 Gli induttori sono un componente fortemente critico nella
realizzazione di filtri integrati (con l’eccezione dei circuiti HF e RF)
– Impossibile realizzare grandi induttanze in forma integrata
– Fattore di merito comunque sensibilmente limitato
– Possibile usare induttori integrati solo in circuiti HF e RF

 Impossibile realizzare filtri integrati per medie e basse frequenze

con induttori
 Conseguentemente è impossibile realizzare buoni filtri passivi
integrati per basse e medie frequenze

7
Induttori indegrati: Bottom line
 Gli induttori sono un componente fortemente critico nella
realizzazione di filtri integrati (con l’eccezione dei circuiti HF e RF)
– Impossibile realizzare grandi induttanze in forma integrata
– Fattore di merito comunque sensibilmente limitato
– Possibile usare induttori integrati solo in circuiti HF e RF

 Impossibile realizzare filtri integrati per medie e basse frequenze

con induttori
 Conseguentemente è impossibile realizzare buoni filtri passivi
integrati per basse e medie frequenze

8
Realizzazione di Condensatori
 Componenti Parassiti
– G parassita particolarmente importante Gp C
– Fattore di merito 𝑄𝑄𝐶𝐶 = ω 𝐶𝐶 ⁄𝐺𝐺
– In pratica 𝑄𝑄𝐶𝐶 anche > 10000

 Criticamente più basso solo in alcune tecnologie (p.e.

condensatori elettrolitici, che però non trovano impiego negli IC)
 Sostanzialmente indipendente dalle dimensioni geometriche

 Realizzazione integrata di condensatori? Dipende dalla particolare

tecnologia utilizzata (BJT vs CMOS)

9
Realizzazione di C Integrati (tec BJT)
 Uso della Capacità di Giunzione (Tipicamente BC)
– Uso in polarizzazione inversa
– Bassa accuratezza
– Forte dipendenza dalla tensione (non-linearità)
– Dipendenza da altri fenomeni ambientali (temperatura)

𝐶𝐶𝑗𝑗0
𝐶𝐶𝑗𝑗 = ε𝑆𝑆𝑆𝑆 𝑞𝑞𝑞𝑞 𝑁𝑁𝐴𝐴 𝑁𝑁𝐷𝐷 N
𝑉𝑉 𝐶𝐶𝑗𝑗0 = 𝑁𝑁 =
1 + 𝜙𝜙𝑅𝑅 2𝜙𝜙𝑏𝑏 𝑁𝑁𝐴𝐴 + 𝑁𝑁𝐷𝐷 P
𝑉𝑉𝑅𝑅
𝑏𝑏

𝑘𝑘𝑘𝑘 𝑁𝑁𝐴𝐴 𝑁𝑁𝐷𝐷

𝜙𝜙𝑏𝑏 = ln 2
𝑞𝑞 𝑛𝑛𝑖𝑖

 Sostanzialmente IMPOSSIBILE realizzare buoni condensatori

10
Realizzazione di C Integrati (tec MOS)
 Più possibilità:
1. Condensatori che usano 1 livello di Si poly e il substrato
2. Condensatori che usano 2 livello di Si poly (o di Metal)

1. Condensatori MOS
– Non lineari
– Perché nel processo CMOS la deposizione del Si-poly precede la realizzazione
delle diffusioni: impossibile realizzare un condensatore con Si_poly-SiO2-
Si_fortemente_drogato... al più si realizza un condensatore Si-poly-SiO2-
Si_blandamente_drogato, necessariamente non-lineare.
Si - poly
SiO2
Si - poly n+ n+
SiO2 Si
𝑝𝑝
Si
𝑝𝑝 Si-poly usato come maschera per la
diffusione (processo auto-allineato)

– Impossibile realizzare un sandwich con un armatura costituita

da silicio molto drogato a comportamento metallico... 11
Realizzazione di C Integrati (tec MOS)
2. Condensatori «lineari»
– usano 2 livelli di poly o di metallizzazione
– Ottimo controllo geometrico
– Presenza di capacità parassite: il condensatore è “appoggiato” sul substrato e
separato da esso da un ulteriore strato di ossido
– Mantenere spesso tale ossido aiuta a ridurre le capacità parassite
𝐴𝐴
𝐶𝐶 = ε𝑜𝑜𝑜𝑜
𝑡𝑡𝑜𝑜𝑜𝑜

12
 Tabella riassuntiva indici di merito C-integrati
Processo Tipo di capacità Capacità Accuratezza Stabilità in
specifica assoluta temperatura
(nF/cm2) (%) (%/°C)
Bipolare CBC 16 10 20×10-3
CEB 50 10 20×10-3
CCS 8 20 10×10-3
CMOS Metallo-Poly 12 10 2×10-3
Poly-Poly 56 2 2×10-3

 Con i condensatori poly-poly:

– Ottima capacità specifica
– Ottima linearità e accuratezza assoluta
– Ottima stabilità in temperatura

13
Possibili cause di imprecisione
 Variazione casuale nel profilo dei bordi (litografia)
Δ𝑊𝑊/2 𝑊𝑊𝑊𝑊
𝐶𝐶 = ϵ𝑜𝑜𝑜𝑜 = 𝐶𝐶𝑜𝑜𝑜𝑜 𝑊𝑊𝑊𝑊
𝑡𝑡𝑜𝑜𝑜𝑜
Δ𝑊𝑊 Δ𝐿𝐿
Δ𝐶𝐶 = 𝐶𝐶𝑜𝑜𝑜𝑜 Δ𝑊𝑊 · 𝐿𝐿 + Δ𝐿𝐿 · 𝑊𝑊 = 𝐶𝐶 +
𝑊𝑊 𝑊𝑊 𝐿𝐿

Δ𝐿𝐿/2 𝐿𝐿 Δ𝐿𝐿/2 Δ𝐶𝐶 Δ𝑊𝑊 Δ𝐿𝐿

= +
Δ𝑊𝑊/2 𝐶𝐶 𝑊𝑊 𝐿𝐿

– Ricordare la definizione di varianza e la varianza di combinazione lineare di

grandezze statisticamente indipendenti

𝑍𝑍 = 𝑎𝑎𝑎𝑎 + 𝑏𝑏𝑏𝑏
+∞

σ𝑋𝑋2 ≝ � 𝑥𝑥 − 𝐸𝐸 𝑋𝑋 2ρ
𝑋𝑋 𝑥𝑥 𝑑𝑑𝑑𝑑 = 𝐸𝐸 𝑋𝑋 2 − 𝐸𝐸 2 𝑋𝑋
σ2𝑍𝑍 = 𝑎𝑎2 σ𝑋𝑋2 + 𝑏𝑏2 σ2𝑌𝑌
−∞

14
Possibili cause di imprecisione
– Assumendo Δ𝑊𝑊 e Δ𝐿𝐿 statisticamente indipendenti
– Assumendo 𝜎𝜎𝑊𝑊 = 𝜎𝜎𝐿𝐿 (errori di processo isotropi)

1 2 1 2 1 1
σ2𝐶𝐶 = 𝐶𝐶 2 σ + σ = 𝐶𝐶 2 2
σ +
𝑊𝑊 2 𝑊𝑊 𝐿𝐿2 𝐿𝐿 𝐿𝐿
𝐿𝐿2 𝑊𝑊 2

– Ricordando che è fissata la capacità nominale 𝐶𝐶 e quindi l’area nominale 𝐴𝐴 =

𝑊𝑊 · 𝐿𝐿
2
1 𝐶𝐶𝑜𝑜𝑜𝑜
σ2𝐶𝐶 = 𝐶𝐶 2 σ2𝐿𝐿 2
+ 2 𝐿𝐿2
𝐿𝐿 𝐶𝐶

– Per minimizzare in L si annulla la derivata

𝑑𝑑σ2𝐶𝐶 2 𝐶𝐶 2
𝑜𝑜𝑜𝑜
= 𝐶𝐶 2 σ2𝐿𝐿 − 3 + 2 2 𝐿𝐿
𝑑𝑑𝑑𝑑 𝐿𝐿 𝐶𝐶

2
2 𝐶𝐶𝑜𝑜𝑜𝑜 𝐶𝐶
− 3 + 2 2 𝐿𝐿 = 0 ⇒ 𝐿𝐿2 = = 𝐿𝐿𝐿𝐿 ⇒ 𝑳𝑳 = 𝑾𝑾
𝐿𝐿 𝐶𝐶 𝐶𝐶𝑜𝑜𝑜𝑜 15
Possibili cause di imprecisione
Quindi: Si hanno fluttuazioni stocastiche minime per i condensatori
quadrati (In generale per le forme che minimizzano il perimetro a parità di area)

 In queste condizioni, l’incertezza relativa è:

σ𝐶𝐶 1 1 2 σ𝐿𝐿
= σ𝐿𝐿 2 + 2 = σ𝐿𝐿 2 = 2
𝐶𝐶 𝐿𝐿 𝑊𝑊 𝐿𝐿 𝐿𝐿

 Spesso è interessante conoscere la precisione relativa tra due capacità (matching) e

quindi la precisione nel fissare il rapporto tra due capacità (capiremo poi il perchè)
– Assumiamo che 𝐶𝐶𝑜𝑜𝑜𝑜 sia la stessa

𝐶𝐶1 = 𝐶𝐶𝑜𝑜𝑜𝑜 𝐿𝐿1 𝑊𝑊1 𝐶𝐶1

α= Senza perdita di generalità sia α > 1
𝐶𝐶2
𝐶𝐶2 = 𝐶𝐶𝑜𝑜𝑜𝑜 𝐿𝐿2 𝑊𝑊2

16
Possibili cause di imprecisione
 Usando le formule dei differenziali...

1 𝐶𝐶1 Δα Δ𝐶𝐶1 Δ𝐶𝐶2

Δα = Δ𝐶𝐶1 − 2 Δ𝐶𝐶2 = −
𝐶𝐶2 𝐶𝐶2 α 𝐶𝐶1 𝐶𝐶2

Δα Δ𝑊𝑊1 Δ𝐿𝐿1 Δ𝑊𝑊2 Δ𝐿𝐿2

= + − −
α 𝑊𝑊1 𝐿𝐿1 𝑊𝑊2 𝐿𝐿2

 Assumendo fluttuazioni indipendenti su tutti i parametri geometrici e varianze

analoghe... (σ2𝑊𝑊1 =σ2𝑊𝑊2 =σ2𝐿𝐿1 =σ2𝐿𝐿2 )

1 2 1 2 1 2 1 2 2 σ2
1 1 1 1
σ2α = α2 σ + σ + σ + σ = α + + +
𝑊𝑊12 𝑊𝑊1 𝐿𝐿21 𝐿𝐿1 𝑊𝑊22 𝑊𝑊2 𝐿𝐿22 𝐿𝐿2 𝐿𝐿
𝑊𝑊12 𝐿𝐿21 𝑊𝑊22 𝐿𝐿22

σα 1 1 1 1
= σ𝐿𝐿 + + +
α 𝑊𝑊12 𝐿𝐿21 𝑊𝑊22 𝐿𝐿22

17
Possibili cause di imprecisione
𝐴𝐴1
 Fissato 𝐴𝐴1 = 𝑊𝑊1 · 𝐿𝐿1 , 𝐴𝐴2 = 𝑊𝑊2 · 𝐿𝐿2 e = 𝛼𝛼, con procedimento analogo al
𝐴𝐴2
precedente si ottiene un minimo per
𝐿𝐿
𝐿𝐿1 = 𝑊𝑊1 = 𝐿𝐿, 𝐿𝐿2 = 𝑊𝑊2 =
α

 L’incertezza relativa minima è

σα σΔ𝐿𝐿
= 2 1+α
α 𝐿𝐿

 Quindi
– Ancora una volta l’ottimo si raggiunge per condensatori quadrati (o a perimetro
minimo)
– È più facile ottenere un buon matching tra condensatori di medesima capacità
che di capacità diversa (𝛼𝛼 = 1)

18
Possibili cause di imprecisione
 Errore di undercut (sistematico)
– Le dimensioni reali delle armature sono inferiori a quelle disegnate
W1
ΔX/2 W2
ΔX/2
L1 L2 Δ𝑋𝑋 > 0

ΔX/2 ΔX/2

– Sostanzialmente impossibile compensare l’errore di undercut per il singolo

condensatore
– Bisognerebbe pre-disegnarlo di dimensioni superiori, ma l’undercut non è ben
ripetibile e caratterizzato

– Possibile tuttavia rendere il rapporto tra capacità indipendente dall’undercut

19
Possibili cause di imprecisione
– Rapporto tra capacità = rapporto tra le aree è vincolato

𝐿𝐿1 𝑊𝑊1 𝐿𝐿1 − Δ𝑋𝑋 𝑊𝑊1 − Δ𝑋𝑋 𝐿𝐿1eff 𝑊𝑊1eff

α𝐴𝐴nom = α𝐴𝐴eff = ≜
𝐿𝐿2 𝑊𝑊2 𝐿𝐿2 − Δ𝑋𝑋 𝑊𝑊2 − Δ𝑋𝑋 𝐿𝐿2eff 𝑊𝑊2eff

– Gradi di libertà: valori di Wi e Li delle 2 capacità e

conseguentemente rapporto tra i perimetri

𝐿𝐿1 + 𝑊𝑊1
α𝑃𝑃nom =
𝐿𝐿2 + 𝑊𝑊2

– Ipotesi: Δ𝑋𝑋 molto piccolo rispetto a 𝑊𝑊 e a 𝐿𝐿

– Possibile approssimare 𝛼𝛼𝐴𝐴eff con uno sviluppo in serie troncato al
prim’ordine

𝑑𝑑α𝐴𝐴eff
α𝐴𝐴eff = α𝐴𝐴nom + ∣0 Δ𝑋𝑋 + 𝑂𝑂 Δ𝑋𝑋 2
𝑑𝑑Δ𝑋𝑋

20
Possibili cause di imprecisione
𝑑𝑑α𝐴𝐴eff 𝐿𝐿1eff +𝑊𝑊1eff 𝐿𝐿2eff 𝑊𝑊2eff − 𝐿𝐿2eff +𝑊𝑊2eff 𝐿𝐿1eff 𝑊𝑊1eff
� =− 2 �
𝑑𝑑Δ𝑋𝑋 0 𝐿𝐿2eff 𝑊𝑊2eff
0
𝐿𝐿2 𝑊𝑊2 𝐿𝐿1 + 𝑊𝑊1 − 𝐿𝐿1 𝑊𝑊1 𝐿𝐿2 + 𝑊𝑊2
=−
𝐿𝐿22 𝑊𝑊22
𝐿𝐿2 𝑊𝑊2 α𝑃𝑃 𝐿𝐿2 + 𝑊𝑊2 − α𝐴𝐴 𝐿𝐿2 𝑊𝑊2 𝐿𝐿2 + 𝑊𝑊2 α𝐴𝐴 − α𝑃𝑃 𝐿𝐿2 + 𝑊𝑊2
=− =
𝐿𝐿22 𝑊𝑊22 𝐿𝐿2 𝑊𝑊2

– Si annulla per 𝛼𝛼𝐴𝐴 = 𝛼𝛼𝑃𝑃 . Questo implica che l’errore sul rapporto di
capacità dovuto all’undercut viene compensato al 1° ordine.

– Come possiamo ottenere 𝛼𝛼𝐴𝐴 = 𝛼𝛼𝑃𝑃 ? Con una opportuna strategia di

layout

21
Strategia di Layout
 A partire da un esempio, con 3 capacità 𝐶𝐶1 , 𝐶𝐶2 , 𝐶𝐶3

 Ipotesi:
– 𝐶𝐶1 capacità più piccola
– Assunta come capacità unitaria 𝐶𝐶𝑈𝑈
– Realizzazione con 2 livelli di Si-poly
– 𝐶𝐶1 viene realizzata con un condensatore quadrato
– Poly 2: b×b e Poly 1: (b+a)×(b+a)
– Parametro a: minima sovrapposizione tra poly 1 e poly 2 consentita dalle regole
di layout della tecnologia (In ogni caso la capacità è data dall’area affacciata e
quindi da b×b)
22
Strategia di Layout
 1° CASO
– Realizzazione di una capacità multipla esatta di 𝐶𝐶𝑈𝑈
𝐶𝐶3
– Esempio: = 𝑘𝑘, 𝑘𝑘 ∈ ℕ (p.e. 𝑘𝑘 = 3)
𝐶𝐶𝑈𝑈
– Il layout è realizzato per pura replicazione:
– 𝐶𝐶3 viene realizzata mettendo in // 𝑘𝑘 condensatori tipo 𝐶𝐶𝑈𝑈
– La replicazione garantisce che il rapporto tra le aree sia pari al rapporto tra i
perimetri

 2° CASO
– Realizzazione di una capacità non multipla esatta di 𝐶𝐶𝑈𝑈
– Esempio: 𝐶𝐶2 /𝐶𝐶𝑈𝑈 = 𝑘𝑘 + 𝛿𝛿 with 𝑘𝑘 ∈ ℕ, 𝛿𝛿 ∈ ℝ, 𝛿𝛿 < 1
– Il layout è realizzato per replicazione, per quanto possibile:
– 𝐶𝐶2 viene realizzata mettendo in // 𝑘𝑘 − 1 condensatori tipo 𝐶𝐶𝑈𝑈 e poi mettendo in
parallelo un ulteriore condensatore di capacità 1 + 𝛿𝛿 𝐶𝐶𝑈𝑈

23
Strategia di Layout
 2° CASO (cont)
– Dimensionamento del condensatore di capacità 1 + 𝛿𝛿 𝐶𝐶𝑈𝑈
– Dimensioni disegnate: 𝑐𝑐 × 𝑑𝑑 [nota: non è quadrato!]

𝐴𝐴1+δ 𝑐𝑐 · 𝑑𝑑
= 2 =1+δ
𝐴𝐴𝑢𝑢 𝑏𝑏
𝑃𝑃1+δ 𝑐𝑐 + 𝑑𝑑 𝑐𝑐 = 𝑏𝑏 1 + δ + δ2 + δ
= =1+δ �
𝑃𝑃𝑢𝑢 2b 𝑑𝑑 = 𝑏𝑏 1 + δ − δ2 + δ

– Compensazione perfetta dell’undercut

– Quasi tutti i condensatori sono quadrati (comunque buona minimizzazione
dell’errore dovuto alle variazioni random nei bordi

24
Errori dovuti a “gradienti spaziali dei parametri”
 Sulla superficie del chip possibili variazioni
graduali (lente) dei parametri di processo
– Variazioni nello spessore degli ossidi + variazioni
nei drogaggi, ecc...
– Effetti “tipo gradiente”
 Minimizzazione degli effetti di bassa
frequenza spaziale ancora attraverso
tecniche di layout
 Per settare con precisione il rapporto tra 2
capacità 𝐶𝐶1 e 𝐶𝐶2 , entrambe sono realizzate
attraverso il parallelo di condensatori
elementari
 I condensatori elementari che corrispondono
a 𝐶𝐶1 e 𝐶𝐶2 sono disposti in maniera da avere
lo stesso baricentro
25
Alcune conclusioni sui condensatori integrati
 I condensatori sono il “miglior” componente passivo di cui si dispone nel
progetto di IC
– Ottima linearità per i condensatori poly-poly (e met-met)
– Ottima possibilità di minimizzare gli effetti delle variazioni aleatorie nei bordi
– Effetti tanto minori tanto più sono grandi le capacità realizzate
– Ottima possibilità di matching tra diverse capacità (compensando gli effetti
dell’undercut)
– Bassa dipendenza da parametri ambientali e in particolare dalla temperatura,
soprattutto per il matching
 Vincolo superiore sui valori di capacità realizzabili, legato all’area su chip
e alla max capacità specifica (Tipicamente limite di decine di pF)

26
Realizzazione di resistori
 Idea di base:
– elemento sagomato di materiale “resistivo”

Xj 𝐿𝐿 𝐿𝐿
𝑅𝑅 = ρ = ρ
𝑆𝑆 𝑊𝑊𝑋𝑋𝑗𝑗
L
W

– Lo spessore di sheet Xj è una variabile definita dai tecnologi di

processo, non a disposizione del progettista!
 Espressione “normalizzata” delle caratteristiche del
materiale: ρ
– Resistenza di quadro 𝑅𝑅□ = 𝑅𝑅 = 𝑅𝑅□ · 𝑛𝑛□
𝑋𝑋𝑗𝑗

27
Realizzazione di resistori
 Materiali: diverse possibilità
– Metallizzazione, poly, poly speciali ad alta resistenza, diffusioni, well, ecc...
– La tecnologia influenza le possibilità a disposizione
– Esempio: tecnologia bipolare, diffusione di base (tipo p, poco drogata, più resistiva
delle altre diffusioni)

𝑅𝑅□ ≃ 150Ω
28
Realizzazione di resistori
 Molte possibili cause di imprecisione quando ci si affida alle diffusioni:
– Resistività: dipende dai drogaggi, impossibile da controllare con precisione
superiore al 10%
– Dimensioni: il progettista fissa le dimensioni di maschera, ma: le diffusioni si
estendono “sotto” la maschera (fenomeno circa proporzionale alla profondità di
diffusione)

𝑊𝑊eff ≃ 𝑊𝑊nom + 0.8𝑋𝑋𝑗𝑗

– Fenomeno trascurabile solo se 𝑊𝑊𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛𝑛 è grande

– Criticità nel realizzare resistori di resistenza elevata che richiedono W piccolo
– La necessità di introdurre contatti limita il controllo anche sulla lunghezza del
resistore (che non può essere più piccola di tanto…)
– Thumb rule: + ½ □ per ogni contatto

29
Realizzazione di resistori
 Necessità di layout “furbi” per realizzare resistori di resistenza elevata
– Strutture a “serpentina”

Mantenere in
polarizzazione
inversa la
giunzione tra la
diffusione di
base e quella di
collettore (n-epi)
per avere
isolamento

 Attenzione: struttura non lineare, densità di corrente non costante per

effetto delle zone di curva
– Come stimare la resistenza complessiva della struttura?
– Thumb rule: il □ d’angolo vale 0.6 □
30
Realizzazione di resistori in tecnologia CMOS
 Possibilità
– Diffusione di source e drain
• Scarsa precisione, molto drogato - resistività molto bassa
– Polisilicio di gate
• Scarsa precisione, molto drogato – resistività molto bassa
– Well
• Scarsa precisione
– Livello “ad hoc” di Si-poly a basso drogaggio ed elevata resistività
• Processi digitali: assente il Si-poly resistivo. Possibile realizzare solo resistori di valore
basso e di precisione modesta
• Processi analogici: presente il Si-poly resistivo possibile realizzare resistori di valore
basso e medio a buona precisione

31
 Tabella riassuntiva di indici di merito

Processo Tipo di resistore R□ Accuratezza Stabilità in

(Ω/□) assoluta temperatura
(%) (%/°C)
Bipolare Diffusione di 150 10 120×10-3
base
Diffusione di 10 20 20×10-3
emettitore
Epi-layer 1000 10 300×10-3
Metal 50×10-3 20 10×10-3
CMOS Diffusione di 20--50 20 200×10-3
source/drain
Well 2500 20 300×10-3
Poly gate 50 20 200×10-3
Poly resistivo 1500 1 50×10-3
Metal 50×10-3 20 10×10-3

32
Resistori CMOS attivi
 Uso di un transistor CMOS in regione lineare

VD ID 1 2
𝐼𝐼𝐷𝐷 = β𝑛𝑛 𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 − 𝑉𝑉𝑇𝑇𝐻𝐻𝑁𝑁 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 − 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷
2
VG
Se VDS è piccolo (≪VGS - VTN), il termine di 2° ordine è trascurabile
VSS 2
VS 𝐼𝐼𝐷𝐷 = β𝑛𝑛 𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 − 𝑉𝑉𝑇𝑇𝐻𝐻𝑁𝑁 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷 + 𝑂𝑂 𝑉𝑉𝐷𝐷𝐷𝐷

𝑊𝑊
𝐺𝐺eq = 𝐾𝐾𝑛𝑛 𝑉𝑉 − 𝑉𝑉𝑇𝑇𝐻𝐻𝑁𝑁 Possibilità di ottenere valori di R fino a circa 50 kΩ
𝐿𝐿 𝐺𝐺𝐺𝐺

– Vantaggi:
• Il resistore è controllabile elettronicamente
– Svantaggi:
• Il controllo elettronico è difficoltoso se il resistore viene usato “fuori massa”
• Modesta linearità

33
Nonidealità nei Resistori CMOS attivi
 Nonlinearità
1. Effetto ovvio di VDS: se VDS non è piccolo, il termine di 2° ordine associato
diventa percepibile
2. Effetto body se il resistore viene usato fuori massa

𝑉𝑉𝑇𝑇𝐻𝐻𝑁𝑁 = 𝑉𝑉𝑇𝑇𝐻𝐻𝑁𝑁0 + γ𝑁𝑁 ( 2Φ𝐹𝐹 + 𝑉𝑉𝑆𝑆𝑆𝑆 − 2Φ𝐹𝐹 )

 Imprecisioni nei resistori attivi

– Effetto di VDS e effetto body
– Dispersione nel valore della tensione di soglia (Tanto più piccolo tanto più è grande il
transistor)
– Tipicamente ΔR/R anche del 25%
– Forte dipendenza dalla temperatura
 Dipendenza di 𝑉𝑉𝑇𝑇𝑇𝑇 e 𝐾𝐾𝑛𝑛 da 𝑇𝑇, dovuta al fatto che il comportamento è
basato sulle densità di carica libera, dipendenti dalla temperatura
 Coefficienti di temperatura su 𝑅𝑅 di circa 0.5%/°𝐶𝐶
34
Alcune conclusioni sui resistori integrati
1. I resistori sono un potenziale componente critico nella realizzazione di
filtri integrati

2. Bassa precisione, se non si dispone di un processo ad-hoc con poly

resistivo

3. Difficoltà nel realizzare resistori di valore elevato nei processi bipolari e

nei processi MOS senza poly resistivo (a meno di ricorrere a resistori
attivi)

4. Area occupata elevata (a meno di ricorre a resistori attivi)

5. Coefficienti di temperatura elevati nei processi senza poly resistivo

35
Generalità sui filtri
 Nei sistemi elettronici è molto spesso necessario disporre di filtri in grado di prelevare e
amplificare una porzione dello spettro di un segnale sopprimendo le altre componenti.
 Ci sono fondamentalmente 4 tipi di filtri ideali che ha senso considerare

𝑓𝑓𝑐𝑐 =frequenza di taglio

𝑓𝑓𝑙𝑙 =frequenza di taglio

inferiore

𝑓𝑓ℎ =frequenza di taglio

superiore
36
Generalità sui filtri

𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 (𝑡𝑡) H(s) 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 (𝑡𝑡)

 Sintesi nello spazio degli stati

𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 𝑠𝑠 ∑𝑚𝑚
𝑖𝑖=0 𝑎𝑎𝑖𝑖 𝑠𝑠
𝑖𝑖
𝑁𝑁(𝑠𝑠)
𝐻𝐻 𝑠𝑠 = = 𝑛𝑛 = 𝑚𝑚 ≤ 𝑛𝑛
𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 (𝑠𝑠) ∑𝑖𝑖=0 𝑏𝑏𝑗𝑗 𝑠𝑠 𝑗𝑗 𝐷𝐷(𝑠𝑠)

 Sintesi per decomposizione in celle del primo e del secondo ordine in cascata

𝑁𝑁(𝑠𝑠) 𝑁𝑁1 (𝑠𝑠) 𝑁𝑁2 (𝑠𝑠) 𝑁𝑁ℎ (𝑠𝑠)

𝐻𝐻 𝑠𝑠 = = … 𝐷𝐷1 𝑠𝑠 , 𝐷𝐷2 𝑠𝑠 , … 𝐷𝐷ℎ 𝑠𝑠 di primo o
𝐷𝐷(𝑠𝑠) 𝐷𝐷1 (𝑠𝑠) 𝐷𝐷2 (𝑠𝑠) 𝐷𝐷ℎ (𝑠𝑠) secondo ordine

𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔 𝑁𝑁𝑙𝑙 𝑠𝑠 ≤ 𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔𝑔(𝐷𝐷𝑙𝑙 𝑠𝑠 )

37
Filtri Attivi (con OP-AMP)
 Nei sistemi elettronici è molto spesso necessario disporre di filtri in grado di prelevare e
amplificare una porzione dello spettro di un segnale sopprimendo le altre componenti.
 E’ possibile implementare filtri attivi utilizzando amplificatori operazionali ed elementi
reattivi (condensatori).
Filtro passa-basso Filtro passa-banda Filtro passa-alto

𝑓𝑓0 𝑓𝑓1 𝑓𝑓2 𝑓𝑓0

Banda Passante: 𝑓𝑓 < 𝑓𝑓0 Banda Passante: 𝑓𝑓1 < 𝑓𝑓 < 𝑓𝑓2 Banda Passante: 𝑓𝑓 > 𝑓𝑓1
LPF BPF HPF
𝑋𝑋(𝑠𝑠) 𝑌𝑌(𝑠𝑠) 𝑋𝑋(𝑠𝑠) 𝑌𝑌(𝑠𝑠) 𝑋𝑋(𝑠𝑠) 𝑌𝑌(𝑠𝑠)

38
Filtro Passa-Basso del I ordine (invertente)
𝑅𝑅2
�
𝑅𝑅1 𝑑𝑑𝑑𝑑
𝑍𝑍1

1
𝑓𝑓0 =
2𝜋𝜋𝑅𝑅2 𝐶𝐶
1
Banda Passante: 𝑓𝑓 < 𝑓𝑓0 =
2𝜋𝜋𝑅𝑅2 𝐶𝐶

𝑅𝑅2 1
𝐻𝐻 𝑠𝑠 = −
𝑍𝑍2 𝑅𝑅1 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅2 𝐶𝐶
Analisi nel dominio della frequenza:
−1 LPF
1
�𝑠𝑠𝑠𝑠 + �
𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 𝑠𝑠 𝑍𝑍2 𝑅𝑅2 𝑅𝑅2 1 𝑋𝑋(𝑠𝑠) 𝑌𝑌(𝑠𝑠)
𝐻𝐻 𝑠𝑠 = =− =− =−
𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 (𝑠𝑠) 𝑍𝑍1 𝑅𝑅1 𝑅𝑅1 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅2 𝐶𝐶

39
Filtro Passa-Basso del I ordine
 Considerando anche la fase 𝑉𝑉2 (𝑗𝑗𝑗𝑗) 𝑅𝑅2 1
𝐻𝐻 𝑗𝑗𝑗𝑗 = =−
𝑉𝑉1 (𝑗𝑗𝑗𝑗) 𝑅𝑅1 1 + 𝑗𝑗𝑗𝑗𝑅𝑅2 𝐶𝐶

40
Integratore Invertente
 Si può considerare ottenuto dal precedente assumento 𝑅𝑅2 ⟶ ∞

𝑍𝑍2
𝑉𝑉2 = − 𝑉𝑉1
𝑍𝑍1
𝑍𝑍1 = 𝑅𝑅1
1
𝑍𝑍2 =
𝑗𝑗ω𝐶𝐶

1
𝑉𝑉2 = − 𝑉𝑉
𝑗𝑗ω𝑅𝑅1 𝐶𝐶 1

 Come un passa-basso con frequenza di taglio “infinitamente bassa”...

41
Osservazioni
 L’impedenza di ingresso è finita e resistiva (R1)
 L’integratore è un blocco funzionale ideale
– Qualunque implementazione pratica si comporta come un filtro passa-basso con
frequenza di taglio estremamente bassa, ma non infinitamente bassa.
 Nel filtro passa basso
1
– la pulsazione di taglio è 𝜔𝜔0 =
𝑅𝑅2 𝐶𝐶
– il guadagno a bassa frequenza (in banda) è 𝐴𝐴0 = −𝑅𝑅2 /𝑅𝑅1
– Lo sfasamento va da 180° (in banda) a 90° (fuori banda)
 Nel filtro integratore
– Non c’è frequenza di taglio (è infinitamente bassa)
1
– Alla frequenza 𝜔𝜔0 = il guadagno è unitario
𝑅𝑅1 𝐶𝐶
– A frequenze infinitamente basse (prossime a 0 Hz) il guadagno diventa (idealmente)
infinito (quindi ci sono i problemi che abbiamo visto sul guadagno di anello)
– Lo sfasamento è sempre di 90°
42
Filtro Passa-Basso del I ordine (non invertente)

𝑍𝑍2 𝑍𝑍4
𝑉𝑉2 = 1 + 𝑉𝑉
𝑍𝑍1 𝑍𝑍3 + 𝑍𝑍4 1

𝑍𝑍1 = 𝑅𝑅1 ; 𝑍𝑍2 = 𝑅𝑅2 ; 𝑍𝑍3 = 𝑅𝑅3 ;

1
𝑍𝑍4 =
𝑗𝑗ω𝐶𝐶

𝑅𝑅2 1
𝑉𝑉2 = 1 + 𝑉𝑉
𝑅𝑅1 1 + 𝑗𝑗ω𝑅𝑅3 𝐶𝐶 1

43
Osservazioni
1 + 𝑗𝑗ω𝑅𝑅3 𝐶𝐶
 L’impedenza di ingresso è finita e reattiva 𝑍𝑍3 + 𝑍𝑍4 =
𝑗𝑗ω𝐶𝐶
 la pulsazione di taglio è 𝜔𝜔0 = 1/(𝑅𝑅3 𝐶𝐶)
𝑅𝑅2
 il guadagno a bassa frequenza (in banda) è 𝐴𝐴0 = 1 +
𝑅𝑅1
 Lo sfasamento va da 0° (in banda) a -90° (fuori banda)
 Da questa architettura non è possibile ottenere un integratore

44
Filtro Passa-Basso del I ordine (non invertente) - II

𝑍𝑍2
𝑉𝑉2 = 1 + 𝑉𝑉
𝑍𝑍1 1

𝑍𝑍1 = 𝑅𝑅1
1 𝑅𝑅2
𝑍𝑍2 = 𝑅𝑅2 ∥ =
𝑗𝑗ω𝐶𝐶 1 + 𝑗𝑗ω𝑅𝑅2 𝐶𝐶

𝑅𝑅2 1 + 𝑗𝑗ω𝑅𝑅𝑝𝑝 𝐶𝐶
𝑉𝑉2 = 1 + 𝑉𝑉
𝑅𝑅1 1 + 𝑗𝑗ω𝑅𝑅2 𝐶𝐶 1

con 𝑅𝑅𝑝𝑝 = 𝑅𝑅1 ||𝑅𝑅2 < 𝑅𝑅2 45

Osservazioni
 L’attenuazione ad alta frequenza non è infinita
– Si passa da un guadagno pari a 1 + 𝑅𝑅2 /𝑅𝑅1 in banda passante...
– … ad un guadagno pari a 1 in banda oscura
– Quindi questo schema può essere usato solo quando servono guadagni significativi
in banda passante (es., > 100), altrimenti la differenza tra il guadagno in banda
passante e in banda oscura è troppo modesta
 Due frequenze caratteristiche
– Una, che corrisponde ad un polo, è 𝜔𝜔0 =1/(𝑅𝑅2 𝐶𝐶)
– Una, che corrisponde ad uno zero, è 𝜔𝜔1 =1/(𝑅𝑅𝑝𝑝 𝐶𝐶)
– Siccome è certamente 𝑅𝑅𝑝𝑝 < 𝑅𝑅2 , allora 𝜔𝜔1 >𝜔𝜔0
– Cioè si ha necessariamente un comportamento di tipo passa-basso
 L’impedenza di ingresso è infinita
 Per 𝑅𝑅2 ↦ ∞ si ottiene un comportamento assimilabile a quello di un
integratore sino alla frequenza 𝜔𝜔1 =1/(𝑅𝑅𝑝𝑝 𝐶𝐶)=1/(𝑅𝑅1 𝐶𝐶)

46
Filtro Passa-Alto del I ordine
𝑅𝑅2
�
𝑍𝑍1 𝑅𝑅1 𝑑𝑑𝑑𝑑

1
𝑓𝑓0 =
2𝜋𝜋𝑅𝑅1 𝐶𝐶
1
Banda Passante: 𝑓𝑓 > 𝑓𝑓0 =
2𝜋𝜋𝑅𝑅1 𝐶𝐶

𝑍𝑍2 𝑠𝑠𝐶𝐶𝑅𝑅2
𝐻𝐻 𝑠𝑠 = −
1 + 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑅𝑅1
Analisi nel dominio della frequenza: HPF
𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 𝑠𝑠 𝑍𝑍2 𝑅𝑅2 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑅𝑅2
𝐻𝐻 𝑠𝑠 = =− =− =− 𝑋𝑋(𝑠𝑠) 𝑌𝑌(𝑠𝑠)
𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 (𝑠𝑠) 𝑍𝑍1 1 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅1 𝐶𝐶
+ 𝑅𝑅1
𝑠𝑠𝑠𝑠

47
Filtro Passa-Alto del I ordine
 Considerando anche la fase 𝑉𝑉2 (𝑗𝑗𝑗𝑗) 𝑗𝑗𝑗𝑗𝑅𝑅2 𝐶𝐶
𝐻𝐻 𝑗𝑗𝑗𝑗 = =−
𝑉𝑉1 (𝑗𝑗𝑗𝑗) 1 + 𝑗𝑗𝑗𝑗𝑅𝑅1 𝐶𝐶

48
Derivatore Invertente
 Si può considerare ottenuto dal precedente assumento 𝑅𝑅1 ⟶ 0

𝑍𝑍2
𝑉𝑉2 = − 𝑉𝑉1
𝑍𝑍1
1
𝑍𝑍1 =
𝑗𝑗ω𝐶𝐶

𝑍𝑍2 = 𝑅𝑅2

𝑉𝑉2 = −𝑗𝑗ω𝑅𝑅2 𝐶𝐶𝑉𝑉1

 Come un passa-alto con frequenza di taglio “infinitamente alta”... 49

Osservazioni
 L’impedenza di ingresso è finita e reattiva (Z1=1/ 𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗 )
 Il derivatore è un blocco funzionale ideale
– Qualunque implementazione pratica si comporta come un filtro passa-alto con
frequenza di taglio molto alta, ma non infinitamente alta.
 Nel filtro passa alto
1
– la pulsazione di taglio è 𝜔𝜔0 =
𝑅𝑅2 𝐶𝐶
– il guadagno ad alta frequenza (in banda) è 𝐴𝐴0 = −𝑅𝑅2 /𝑅𝑅1
– Lo sfasamento va da -90° (fuori banda) a -180° (in banda)
 Nel filtro derivatore
– Non c’è frequenza di taglio (è infinitamente alta)
1
– Alla pulsazione 𝜔𝜔0 = il guadagno è unitario
𝑅𝑅2 𝐶𝐶
– A frequenze infinitamente alte il guadagno diventa (idealmente) infinito (quindi ci
sono i problemi che abbiamo visto sul guadagno di anello)
– Lo sfasamento è sempre di -90°
50
Filtro Passa-Alto del I ordine (non invertente)

𝑍𝑍2 𝑍𝑍4
𝑉𝑉2 = 1 + 𝑉𝑉
𝑍𝑍1 𝑍𝑍3 + 𝑍𝑍4 1

𝑍𝑍2 = 𝑅𝑅2 ; 𝑍𝑍3 = 𝑅𝑅3 ; 𝑍𝑍4 = 𝑅𝑅4

1
𝑍𝑍1 =
𝑗𝑗ω𝐶𝐶

𝑅𝑅2 𝑗𝑗ω𝑅𝑅4 𝐶𝐶
𝑉𝑉2 = 1 + 𝑉𝑉
𝑅𝑅1 1 + 𝑗𝑗ω𝑅𝑅4 𝐶𝐶 1

51
Osservazioni
1 + 𝑗𝑗ω𝑅𝑅4 𝐶𝐶
 L’impedenza di ingresso è finita e reattiva 𝑍𝑍3 + 𝑍𝑍4 =
𝑗𝑗ω𝐶𝐶
 la pulsazione di taglio è 𝜔𝜔0 = 1/(𝑅𝑅4 𝐶𝐶)
𝑅𝑅2
 il guadagno a bassa frequenza (in banda) è 𝐴𝐴0 = 1 +
𝑅𝑅1
 Lo sfasamento va da 0° (in banda) a 90° (fuori banda)
 Da questa architettura non è possibile ottenere un derivatore

52
Filtro Passa-Alto del I ordine (non invertente) - II

𝑍𝑍2
𝑉𝑉2 = 1 + 𝑉𝑉
𝑍𝑍1 1

𝑍𝑍2 = 𝑅𝑅2
1 1 + 𝑗𝑗ω𝑅𝑅1 𝐶𝐶
𝑍𝑍1 = 𝑅𝑅1 + =
𝑗𝑗ω𝐶𝐶 𝑗𝑗ω𝑅𝑅𝐶𝐶

1 + 𝑗𝑗ω𝑅𝑅𝑠𝑠 𝐶𝐶
𝑉𝑉2 = 𝑉𝑉
1 + 𝑗𝑗ω𝑅𝑅1 𝐶𝐶 1

con 𝑅𝑅𝑠𝑠 = 𝑅𝑅1 + 𝑅𝑅2 < 𝑅𝑅2 53

Osservazioni
 L’attenuazione ad alta frequenza non è infinita
– Si passa da un guadagno pari a 1 + 𝑅𝑅2 /𝑅𝑅1 in banda passante...
– … ad un guadagno pari a 1 in banda oscura
– Quindi questo schema può essere usato solo quando servono guadagni significativi
in banda passante (es., > 100), altrimenti la differenza tra il guadagno in banda
passante e in banda oscura è troppo modesta
 Due frequenze caratteristiche
– Una, che corrisponde ad un zero, è 𝜔𝜔0 =1/(𝑅𝑅𝑠𝑠 𝐶𝐶)
– Una, che corrisponde ad uno polo, è 𝜔𝜔1 =1/(𝑅𝑅1 𝐶𝐶)
– Siccome è certamente 𝑅𝑅𝑠𝑠 > 𝑅𝑅1 , allora 𝜔𝜔1 >𝜔𝜔0
– Cioè si ha necessariamente un comportamento di tipo passa-alto
 L’impedenza di ingresso è infinita
 Per 𝑅𝑅1 ↦ 0 si ottiene un comportamento assimilabile a quello di un
derivatore a partire dalla frequenza 𝜔𝜔0 =1/(𝑅𝑅𝑠𝑠 𝐶𝐶)=1/(𝑅𝑅2 𝐶𝐶)

54
Schemi che combinano elaborazioni statiche e filtraggio
 Esempio

 Fatta salva la sostituzione di impedenze a resistenze, l’architettura è la

medesima del sommatore invertente. Quindi:
𝑍𝑍2 𝑍𝑍2 1 𝑅𝑅2 𝑅𝑅2
𝑉𝑉2 = − 𝑉𝑉1A + 𝑉𝑉 𝑉𝑉2 = − 𝑉𝑉 + 𝑉𝑉
𝑍𝑍1A 𝑍𝑍2A 2A 1 + 𝑗𝑗ω𝑅𝑅2 𝐶𝐶 𝑅𝑅1A 1A 𝑅𝑅1A 1B

𝑍𝑍1A = 𝑅𝑅1A ; 𝑍𝑍1B = 𝑅𝑅1B

1 𝑅𝑅2
𝑍𝑍2 = 𝑅𝑅2 ∥ =
𝑗𝑗ω𝐶𝐶 1 + 𝑗𝑗ω𝑅𝑅2 𝐶𝐶
55
Schemi che combinano elaborazioni statiche e filtraggio

Possibilità di differenziare le
risposte in ampiezza (2
curve traslate l’una rispetto
all’altra), ma comunque la
risposta in fase è sempre la
medesima.

 Osservazioni:
– L’impedenza di ingresso è finita e resistiva come per un tradizionale sommatore
(𝑅𝑅1𝐴𝐴 e 𝑅𝑅1𝐵𝐵 )
– Si ha un unica frequenza di taglio 𝜔𝜔0 =1/(𝑅𝑅2 𝐶𝐶)
– Per 𝑅𝑅2 ↦ ∞ si ottiene un sommatore-integratore invertente
Filtro Rotatore di Fase (Passa Tutto)
𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖

𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜
𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖
𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜

𝑍𝑍2 𝑍𝑍4 𝑍𝑍2 1

𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 = 𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 1+ − 𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 𝑍𝑍1 = 𝑅𝑅2 , 𝑍𝑍2 = 𝑅𝑅2 , 𝑍𝑍3 = 𝑅𝑅1 , 𝑍𝑍4 =
𝑍𝑍1 𝑍𝑍3 + 𝑍𝑍4 𝑍𝑍1 𝑠𝑠𝑠𝑠

𝑅𝑅2 1/𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗 𝑅𝑅2 2 1 − 𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗𝑅𝑅1

𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 = 𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 1 + − 𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 = 𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 − 1 = 𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖
𝑅𝑅2 𝑅𝑅1 + 1/𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗 𝑅𝑅2 1 + 𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗𝑅𝑅1 1 + 𝑗𝑗𝑗𝑗𝐶𝐶𝑅𝑅1

𝟏𝟏 − 𝒋𝒋𝒋𝒋𝒋𝒋𝑹𝑹𝟏𝟏 1 + 𝜔𝜔𝜔𝜔𝑅𝑅1 2 𝐻𝐻 𝑗𝑗0 = 1

𝑯𝑯 𝒋𝒋𝒋𝒋 = 𝐻𝐻 𝑗𝑗𝑗𝑗 = =1 𝐻𝐻 𝑗𝑗𝜔𝜔 = −1 𝜔𝜔 ↦ ∞
𝟏𝟏 + 𝒋𝒋𝒋𝒋𝑪𝑪𝑹𝑹𝟏𝟏 1 + 𝜔𝜔𝜔𝜔𝑅𝑅1 2

57
Filtro Rotatore di Fase (Passa Tutto)

Costante diagramma
di ampliezza e
rotazione di fase in
ritardo di 180 gradi
dovuta alla presenza
di un polo reale
negativo e una zero
reale poisitivo alla
medesima frequenza

 Osservazioni:
– L’impedenza di ingresso è finita e complessa
𝑅𝑅
𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 − 𝑉𝑉+ 𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 (1 + 𝑅𝑅1 )
2
𝐼𝐼𝑖𝑖𝑖𝑖 = + , 𝑉𝑉+ = , 𝐼𝐼𝑖𝑖𝑖𝑖 =
𝑅𝑅1 + 1/𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗 𝑅𝑅2 1 + 𝑗𝑗𝑗𝑗𝐶𝐶𝑅𝑅1 𝑅𝑅1 + 1/𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗

– Si hanno due frequenza di taglio coincidenti per zero e polo a 𝜔𝜔0 =1/(𝑅𝑅1 𝐶𝐶)
Filtri ad Op-Amp in Cascata
 La cascata di più filtri ad amplificatore operazionale è ovviamente un
filtro...
 Grazie al fatto che l’impedenza di uscita di uno stadio ad amplificatore
operazionale è (idealmente) nulla la funzione di trasferimento complessiva
si ottiene banalmente come prodotto delle funzioni di trasferimento dei
singoli stadi...

LPF LPF
𝑋𝑋(𝑠𝑠) 𝑌𝑌(𝑠𝑠)
𝐻𝐻2 𝑠𝑠 = 𝐻𝐻12 (𝑠𝑠)

𝐻𝐻1 𝑠𝑠 𝐻𝐻1 𝑠𝑠

59
Filtri ad Op-Amp in Cascata
 Il collegamento in cascata non dà luogo ad effetti di carico: 𝐻𝐻2 𝑠𝑠 = 𝐻𝐻12 (𝑠𝑠).

𝑅𝑅2 1 𝑅𝑅2 1
𝐻𝐻1 𝑠𝑠 = − 𝐻𝐻1 𝑠𝑠 = −
𝑅𝑅1 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅2 𝐶𝐶 𝑅𝑅1 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅2 𝐶𝐶

2 LPF LPF
𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 𝑅𝑅2 1 𝑋𝑋(𝑠𝑠) 𝑌𝑌(𝑠𝑠)
𝐻𝐻2 𝑠𝑠 = =� � 2
= 𝐻𝐻12 𝑠𝑠
𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 𝑅𝑅1 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅2 𝐶𝐶

𝐻𝐻1 𝑠𝑠 𝐻𝐻1 𝑠𝑠

60
Filtri Attivi vs. Filtri Passivi
 E’ possibile realizzare funzioni di filtraggio anche utilizzando circuiti puramente passivi
Filtro passivo RC passa-basso
𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 1
𝐻𝐻 𝑠𝑠 = =
𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 1 + 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠
- Il massimo guadagno in banda passante è 0dB
- Non è unidirezionale e dà luogo ad effetti di carico

Filtro passa-basso attivo

𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 𝑅𝑅2 1
𝐻𝐻 𝑠𝑠 = =−
𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 𝑅𝑅1 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅2 𝐶𝐶

- Può amplificare il segnale in banda |𝐻𝐻 𝑗𝑗𝑗𝑗 |𝑑𝑑𝑑𝑑 >0dB

- E’ unidirezionale e l’uscita si comporta come un
generatore ideale di tensione si comporta come
un blocco funzionale

61
Filtri Attivi vs. Filtri Passivi
 Filtri passivi in cascata: 𝐻𝐻2 𝑠𝑠 ≠ 𝐻𝐻12 (𝑠𝑠) per gli effetti di carico
1 1
𝐻𝐻1 𝑠𝑠 = 𝐻𝐻1 𝑠𝑠 =
1 + 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠 1 + 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠

1 1 1 LPF LPF
∥ �𝑅𝑅 +
𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑠𝑠𝑠𝑠 � 𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑦𝑦(𝑡𝑡)
𝐻𝐻2 𝑠𝑠 = = × 𝑥𝑥(𝑡𝑡)
𝑉𝑉𝑖𝑖𝑖𝑖 1 1 1
𝑅𝑅 + 𝑠𝑠𝑠𝑠 ∥ �𝑅𝑅 + 𝑠𝑠𝑠𝑠 � 𝑅𝑅 +
𝑠𝑠𝑠𝑠
1 𝐻𝐻1 𝑠𝑠 𝐻𝐻1 𝑠𝑠
= 2 2 2 ≠ 𝐻𝐻12 (𝑠𝑠) I filtri passivi non si comportano in generale
𝑅𝑅 𝐶𝐶 𝑠𝑠 + 3𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅 + 1 come blocchi funzionali analogici

62
Filtri ad Op-Amp in Cascata: II esempio
 Il collegamento in cascata non dà luogo ad effetti di carico: 𝐻𝐻2 𝑠𝑠 = 𝐻𝐻12 (𝑠𝑠). Cascata
passa-basso + passa-alto

𝑅𝑅2 1 𝑗𝑗ω𝑅𝑅4 𝐶𝐶2

𝑉𝑉2 = − 𝑉𝑉 𝑉𝑉3 = − 𝑉𝑉
𝑅𝑅1 1 + 𝑗𝑗ω𝑅𝑅2 𝐶𝐶1 1 1 + 𝑗𝑗ω𝑅𝑅3 𝐶𝐶2 2

𝑅𝑅2 𝑗𝑗ω𝑅𝑅4 𝐶𝐶2

𝑉𝑉3 = 𝑉𝑉
𝑅𝑅1 1 + 𝑗𝑗ω𝑅𝑅2 𝐶𝐶1 1 + 𝑗𝑗ω𝑅𝑅3 𝐶𝐶2 1

 Il risultato è un filtro passa-banda del secondo ordine non-invertente

63
Filtri ad Op-Amp in Cascata: II esempio

 Due frequenze di taglio...

– Assumendo 𝑅𝑅2 𝐶𝐶1 > 𝑅𝑅3 𝐶𝐶2

1 1
𝜔𝜔0 = < 𝜔𝜔1 =
𝑅𝑅2 𝐶𝐶1 𝑅𝑅3 𝐶𝐶2
– Le frequenze di taglio si scambiano se 𝑅𝑅2 𝐶𝐶1 < 𝑅𝑅3 𝐶𝐶2
64
Attenzione!!
 Se tra i due stadi si frappongono altri elementi diventa indispensabile
tener conto dell’impedenza di ingresso dello stadio a valle
 Esempio:

𝑅𝑅2 1 𝑗𝑗ω𝑅𝑅4 𝐶𝐶2

𝑉𝑉2 = − 𝑉𝑉 𝑉𝑉4 = − 𝑉𝑉
𝑅𝑅1 1 + 𝑗𝑗ω𝑅𝑅2 𝐶𝐶1 1 1 + 𝑗𝑗ω𝑅𝑅3 𝐶𝐶2 3
𝑅𝑅𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖
𝑉𝑉3 = 𝑉𝑉
𝑅𝑅𝑋𝑋 + 𝑅𝑅𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖 2

1 1+𝑗𝑗ω𝑅𝑅3 𝐶𝐶2
 Con 𝑅𝑅𝑖𝑖𝑖𝑖2 impedenza di ingresso del II stadio = 𝑅𝑅3 + =
𝑗𝑗𝑗𝑗𝐶𝐶2 𝑗𝑗ω𝐶𝐶2
65
Filtri del II ordine
 Mettendo in cascata 2 filtri del 1° ordine del tipo di quelli mostrati si
ottiene un filtro del 2° ordine
 Attenzione:
– Con questa strategia è impossibile ottenere un filtro del second’ordine con poli
complessi coniugati e risposta risonante
 Quindi occorrono architetture specifiche per avere uno stadio del 2°
ordine con poli complessi coniugati

66
Filtro Passa-Banda del II ordine (poli reali, banda larga)

𝑍𝑍1 𝑓𝑓1 =
1
𝑓𝑓2 =
1
2𝜋𝜋𝑅𝑅1 𝐶𝐶1 2𝜋𝜋𝑅𝑅2 𝐶𝐶2
Banda Passante: 𝑓𝑓1 < 𝑓𝑓 < 𝑓𝑓2

𝑠𝑠𝐶𝐶1 1
𝐻𝐻 𝑠𝑠 = −
𝑍𝑍2 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅1 𝐶𝐶1 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅2 𝐶𝐶2
Analisi nel dominio della frequenza: BPF
−1
1
�𝑠𝑠𝐶𝐶2 +
𝑅𝑅2
� 𝑋𝑋(𝑠𝑠) 𝑌𝑌(𝑠𝑠)
𝑍𝑍2 𝑠𝑠𝑅𝑅2 𝐶𝐶1 1
𝐻𝐻 𝑠𝑠 = − = − =−
𝑍𝑍1 1 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅1 𝐶𝐶1 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅2 𝐶𝐶2
+ 𝑅𝑅1
𝑠𝑠𝐶𝐶1

67
Filtro Passa-Banda del II ordine (poli reali, banda larga)

𝑍𝑍1 𝑓𝑓1 =
1
𝑓𝑓2 =
1
2𝜋𝜋𝑅𝑅1 𝐶𝐶1 2𝜋𝜋𝑅𝑅2 𝐶𝐶2
Banda Passante: 𝑓𝑓1 < 𝑓𝑓 < 𝑓𝑓2

𝑠𝑠𝐶𝐶1 1
𝐻𝐻 𝑠𝑠 = −
𝑍𝑍2 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅1 𝐶𝐶1 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅2 𝐶𝐶2
Analisi nel dominio della frequenza: BPF
−1
1
�𝑠𝑠𝐶𝐶2 +
𝑅𝑅2
� 𝑋𝑋(𝑠𝑠) 𝑌𝑌(𝑠𝑠)
𝑍𝑍2 𝑠𝑠𝑅𝑅2 𝐶𝐶1 1
𝐻𝐻 𝑠𝑠 = − = − =−
𝑍𝑍1 1 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅1 𝐶𝐶1 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅2 𝐶𝐶2
+ 𝑅𝑅1
𝑠𝑠𝐶𝐶1

68
Esercizio (I)
Determinare l’espressione della tensione di uscita 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 (𝑠𝑠) in funzione dei segnali d’ingresso
𝑉𝑉1 (𝑠𝑠) e 𝑉𝑉2 (𝑠𝑠). Tracciare i diagrammi di Bode in modulo e fase della funzione di
𝑉𝑉 𝑠𝑠
trasferimento 𝐻𝐻 𝑠𝑠 = 𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑠𝑠 � 𝑅𝑅1 = 10kΩ 𝑅𝑅6 = 120kΩ
𝑉𝑉1 𝑉𝑉2 =0
𝑅𝑅2 = 7.5kΩ 𝑅𝑅7 = 10kΩ
𝑅𝑅3 = 12kΩ 𝑅𝑅8 = 12kΩ
𝑅𝑅4 = 12kΩ 𝑅𝑅9 = 112.4kΩ
𝑅𝑅5 = 12kΩ 𝐶𝐶 = 4.7nF

69
Esercizio (II)

𝑽𝑽𝒐𝒐𝒐𝒐𝒐𝒐𝒐𝒐 𝑅𝑅5
Collegato solo ad 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 = 𝑉𝑉2 1+
Ingressi esterni 𝑅𝑅4

In R3 non passa corrente, il circuito nella linea tratteggiata si riconduce ad un amplificatore di

tensione non invertente e si può esprimere la tensione di uscita 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 in funzione di 𝑉𝑉2

71
Esercizio (III)

𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 ′
𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 = 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 ′′
+ 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜

𝑉𝑉1 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜

Scriviamo l’uscita 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 sovrapponendo gli effetti dell’ingresso 𝑉𝑉1 e di 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜1 calcolato prima
(il primo operazionale si comporta come un generatore di tensione 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 alla porta d’uscita)

72
Esercizio (IV)

0𝑉𝑉
perché i+=0

𝑍𝑍

1 𝑠𝑠𝑅𝑅6 𝑅𝑅7 𝐶𝐶 + 𝑅𝑅6

𝑍𝑍 = 𝑅𝑅6 ∥ + 𝑅𝑅7 =
𝑠𝑠𝑠𝑠 1 + 𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑅𝑅6 + 𝑅𝑅7
Contributo di 𝑉𝑉1
- 𝑅𝑅1 è in parallelo ad un generatore ideale di tensione ed è pertanto ininfluente
- In 𝑅𝑅2 non scorre corrente, per cui la caduta di tensione ai suoi capi è nulla.
- Sostituendo 𝐶𝐶, 𝑅𝑅6 ed 𝑅𝑅7 con 𝑍𝑍 ci si riconduce ad un amplificatore di tensione non invertente.
- L’uscita dell’operazionale ideale non dà luogo ad effetti di carico e pertanto 𝑅𝑅9 è ininfluente.

73
Esercizio (V)

0𝑉𝑉
perché i+=0

𝑍𝑍

1 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅7 𝐶𝐶
𝑍𝑍 = 𝑅𝑅6 ∥ + 𝑅𝑅7 = 𝑅𝑅6
Contributo di 𝑉𝑉1 𝑠𝑠𝑠𝑠 1 + 𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑅𝑅6 + 𝑅𝑅7

′
𝑅𝑅8 1 𝑠𝑠(𝑅𝑅6 𝑅𝑅7 + 𝑅𝑅8 𝑅𝑅6 + 𝑅𝑅8 𝑅𝑅7 )𝐶𝐶 + 𝑅𝑅8 + 𝑅𝑅6
𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 = 𝑉𝑉1 1+ = 𝑉𝑉1
𝑍𝑍 𝑅𝑅6 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅7 𝐶𝐶

74
Esercizio (VI)

0𝑉𝑉
perché i+=0

𝑍𝑍

Contributo di 𝑉𝑉1
𝑅𝑅6 𝑅𝑅7 + 𝑅𝑅8 𝑅𝑅6 + 𝑅𝑅8 𝑅𝑅7
𝑅𝑅8 𝑅𝑅8 1 + 𝑠𝑠 𝐶𝐶
′ 𝑅𝑅8 + 𝑅𝑅6
𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 = 𝑉𝑉1 1 + = 1+ 𝑉𝑉1
𝑍𝑍 𝑅𝑅6 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅7 𝐶𝐶

75
Esercizio (VII)

0𝑉𝑉
perché i+=0

𝑍𝑍

Contributo di 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜1

- 𝑅𝑅1 è cortocircuitata dal generatore 𝑉𝑉1 spento;

- in 𝑅𝑅2 non passa corrente.
- Entrambi i resistori 𝑅𝑅1 e 𝑅𝑅2 sono ininfluenti e 𝑣𝑣 + = 0V

76
Esercizio (VIII)
0𝑉𝑉

0𝑉𝑉
perché i+=0

𝑍𝑍

Contributo di 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜1

Ci si riconduce ad un amplificatore invertente (l’uscita dell’operazionale ideale si comporta

come un generatore di tensione e non risente degli effetti di carico, per cui R9 è ininfluente)

77
Esercizio (IX)

0𝑉𝑉
perché i+=0

𝑍𝑍

Contributo di 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜1 1 𝑠𝑠𝑅𝑅6 𝑅𝑅7 𝐶𝐶 + 𝑅𝑅6

𝑍𝑍 = 𝑅𝑅6 ∥ + 𝑅𝑅7 =
𝑠𝑠𝑠𝑠 1 + 𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑅𝑅6 + 𝑅𝑅7

′′
𝑅𝑅8 𝑅𝑅8 1 + 𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑅𝑅6 + 𝑅𝑅7
𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 = − 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 = − 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜
𝑍𝑍 𝑅𝑅6 𝑠𝑠𝑅𝑅7 𝐶𝐶 + 1

78
Esercizio (X)

0𝑉𝑉
perché i+=0

𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 = 𝑉𝑉2 1 +
𝑅𝑅5 𝑍𝑍
𝑅𝑅4

Contributo di 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜1 1 𝑠𝑠𝑅𝑅6 𝑅𝑅7 𝐶𝐶 + 𝑅𝑅6

𝑍𝑍 = 𝑅𝑅6 ∥ + 𝑅𝑅7 =
𝑠𝑠𝑠𝑠 1 + 𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑅𝑅6 + 𝑅𝑅7
′′
𝑅𝑅8 𝑅𝑅8 1 + 𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑅𝑅6 + 𝑅𝑅7 𝑅𝑅5
𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 =− 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 = − 1+ 𝑉𝑉2
𝑍𝑍 𝑅𝑅6 𝑠𝑠𝑅𝑅7 𝐶𝐶 + 1 𝑅𝑅4

79
Esercizio: Soluzione

′ ′′
𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 = 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 + 𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜

𝑅𝑅6 𝑅𝑅7 + 𝑅𝑅8 𝑅𝑅6 + 𝑅𝑅8 𝑅𝑅7

𝑅𝑅8 1 + 𝑠𝑠 𝐶𝐶 𝑅𝑅8 1 + 𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑅𝑅6 + 𝑅𝑅7 𝑅𝑅5
𝑅𝑅8 + 𝑅𝑅6
𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 = 1+ 𝑉𝑉1 − 1+ 𝑉𝑉
𝑅𝑅6 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅7 𝐶𝐶 𝑅𝑅6 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅7 𝐶𝐶 𝑅𝑅4 2

80
Esercizio: Diagrammi di Bode (II)
𝑅𝑅6 𝑅𝑅7 + 𝑅𝑅8 𝑅𝑅6 + 𝑅𝑅8 𝑅𝑅7
𝑅𝑅8 1 + 𝑠𝑠 𝐶𝐶 𝑅𝑅8 1 + 𝑠𝑠𝑠𝑠 𝑅𝑅6 + 𝑅𝑅7 𝑅𝑅5
𝑅𝑅8 + 𝑅𝑅6
𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 = 1 + 𝑉𝑉1 − 1+ 𝑉𝑉
𝑅𝑅6 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅7 𝐶𝐶 𝑅𝑅6 1 + 𝑠𝑠𝑅𝑅7 𝐶𝐶 𝑅𝑅4 2
𝑅𝑅 𝑅𝑅 +𝑅𝑅 𝑅𝑅 +𝑅𝑅 𝑅𝑅
𝑅𝑅8 1+𝑠𝑠 6 7 𝑅𝑅 8+𝑅𝑅6 8 7 𝐶𝐶
𝑉𝑉𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜𝑜 𝑠𝑠 Singolarità: 1 zero ed 1 polo:
𝐻𝐻 𝑠𝑠 = � = 1+ 8 6
𝑉𝑉1 𝑠𝑠 𝑉𝑉 =0
2
𝑅𝑅6 1+𝑠𝑠𝑅𝑅7 𝐶𝐶

Forma canonica Valori numerici

𝑠𝑠 𝑅𝑅6 = 120kΩ
1−
𝑠𝑠𝑧𝑧 𝑅𝑅7 = 10kΩ
𝐻𝐻 𝑠𝑠 = 𝑘𝑘 𝑠𝑠 𝑉𝑉1
1− 𝑅𝑅8 = 120kΩ
𝑠𝑠𝑝𝑝 𝐶𝐶 = 4.7nF
𝑅𝑅8
𝑘𝑘 = 1 + =2
𝑅𝑅6
𝑅𝑅6 𝑅𝑅7 +𝑅𝑅8 𝑅𝑅6 +𝑅𝑅8 𝑅𝑅7 −1
𝑠𝑠𝑧𝑧 = − � 𝐶𝐶 � = −3.039 krad/s → 𝑓𝑓𝑧𝑧 = 483Hz
𝑅𝑅8 +𝑅𝑅6
𝑠𝑠𝑝𝑝 = − (𝑅𝑅7 𝐶𝐶 )−1 = −21.27 krad/s → 𝑓𝑓𝑝𝑝 = 3.38kHz
𝑓𝑓 → 0: (C circuito aperto) 𝑓𝑓 → ∞ : (C corto circuito)
𝑠𝑠𝑝𝑝
𝐻𝐻 𝑓𝑓 = 𝑘𝑘 = 2 (6dB) 𝐻𝐻 𝑓𝑓 = 𝑘𝑘 = 14 (23dB)
𝑠𝑠𝑧𝑧

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Esercizio: Diagrammi di Bode (I)

𝑓𝑓𝑝𝑝 = 3.38𝑘𝑘𝑘𝑘𝑘𝑘

𝑓𝑓𝑝𝑝 = 3.38𝑘𝑘𝑘𝑘𝑘𝑘

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