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TECNOLOGIE DEI DISPOSITIVI DI POTENZA A

SEMICONDUTTORE.

1. INTRODUZIONE

Scopo di questa trattazione capire come le caratteristiche elettriche di un dispositivo di


potenza sono correlate alle grandezze fisiche interne ed al modo col quale il dispositivo stato
costruito.
Un altro obiettivo quello di avere una panoramica sulle tecnologie utilizzate da unindustria
microelettronica per realizzare i dispositivi.
Premettiamo che i transistor, sia esso bipolare sia a tecnologia MOS, nella maggior parte delle
applicazioni utilizzato come interruttore.
Deve pertanto avere opportune caratteristiche:
1) (Stato OFF) quando linterruttore aperto fra i suoi capi deve essere in grado di sopportare
una certa tensione che varia dai 50 1000, 2000 V , a seconda delle applicazioni in cui il

dispositivo sta lavorando;


2) (Stato ON) quando il dispositivo nella fase ON deve avere la capacit di far passare
correnti elevate con una bassissima caduta di tensione;
3) Nella transizione acceso spento (ON OFF) e viceversa sopporter unenergia dovuta
allincrocio corrente tensione, quindi sar soggetto a sollecitazioni energetiche molto forti
che deve essere in grado di sopportare. Quando il dispositivo commuta i due fenomeni
(elevate correnti e tensioni) possono distruggere il dispositivo:
Rottura secondaria diretta (ON);
Rottura secondaria inversa (OFF).

4) Vedremo infine come si potr ottimizzare la velocit di commutazione di un dispositivo di


potenza: questo ovviamente molto importante perch se il dispositivo deve operare ad alte
frequenze deve avere un tempo di commutazione molto basso. Parleremo in fine di un
dispositivo a funzionamento misto (met MOS e met bipolare) che si chiama IGBT.
Tutta la produzione microelettronica basata su delle fette di silicio ognuna delle quali ha una
matrice di righe e colonne cio divisa in tanti quadratini, ognuno dei quali un singolo
dispositivo che se buono verr assemblato in modo opportuno. Nella fetta vi sono altres dei
punti neri in corrispondenza dei dispositivi di scarto.
1

La fetta, completato il flusso di lavorazione, viene testata perch un dispositivo deve soddisfare
delle performance elettriche e successivamente rigata con una mola lungo le linee ottenendo
cos un certo numero di dispositivi buoni e alcuni di scarto.

2. TECNOLOGIE PER DISPOSITIVI BIPOLARI

Si analizzano, adesso, le tecnologie che sono usate per realizzare i dispositivi bipolari di
potenza, che sono:
-

EPIBASE;

MULTIEPITAXIAL MESA;

PLANARE.

La prima utilizzata per realizzare dispositivi essenzialmente lenti con un alto tempo di
commutazione (qualche s ). Hanno il vantaggio di essere molto robusti alla rottura secondaria
diretta, cio in accensione. Hanno per il limite: la massima tensione inversa che possono
sopportare circa 200 V e ci sono molte difficolt a poter integrare con questa tecnologia due o
pi transistori nello stesso chip, cio nella stessa piastrina.
La seconda invece non ha limiti di breakdown (si possono raggiungere i 2000 V ed oltre) per
ha la difficolt di poter integrare pi transistori nella stessa piastrina.
La terza presenta due grandissimi vantaggi:
-

grande facilit dintegrazione di pi transistori nella stessa piastrina;

si ottengono dispositivi pi affidabili: per esempio su 100.000 dispositivi che lavorano per
1000 ore, il numero di fallimenti, invece di essere 10 20 tipici delle altre tecnologie, sono

invece dellordine di 1 2 .

2.1 Epibase
Si parte da uno strato di silicio (fetta) che ha la caratteristica di essere drogata (se
vogliamo fare un transistor NPN) di tipo N + , in genere con antimonio oppure arsenico (in
termini di resistivit 10 20 cm ) ed ha inoltre uno spessore di 600m .
Il silicio, sotto opportune condizioni di temperatura e dambiente chimico, ha la
caratteristica che la struttura del cristallo cresce su dei piani reticolari con una
concentrazione che pu essere controllata; si pu cio, su questa fetta di silicio, crescere

10 20, 50 m di unaltra zona di silicio di resistivit nota. Per far questo dobbiamo
inserire la fetta in un ambiente ad alta temperatura (oltre 1000C ) e con particolari
condizioni di flussi di elementi: si dice che il silicio cresce epitassialmente. La crescita
controllata ovviamente sia come spessore sia come drogaggio; questultimo fatto
inserendo delle impurit dallesterno (fosforo pentavalente).

In conclusione su questo strato N + si cresce uno strato N (cio con una resistivit
dellordine di 5 10 cm , lo spessore di circa 10 20 m ) che costituisce il collettore
del transistor.
Dopo di ci con la stessa tecnica ma cambiando drogante (boro trivalente) si cresce del
silicio P (spessore di circa 10 20 m , la resistivit pi o meno dello stesso ordine)
creando dunque una giunzione P N .
Poi la fetta massa in un forno con temperature tra i 900 1200 C in ambiente
dossigeno, in queste condizioni crescer dellossido di silicio (SiO2 ) ; controllando la
temperatura ed il flusso dossigeno si pu controllare lo spessore dellossido (circa 1m ).
Indi si opera la cosiddetta fototecnica, in altre parole sullossido si deposita un materiale
fotosensibile detto resist, sulla fetta si mette una maschera che presenta delle zone scure e
delle zone chiare e che il progettista ha opportunamente disegnato in fase di progettazione.
Sillumina il tutto e nella zona dove la luce ha colpito il fotoresist le caratteristiche
chimiche dello stesso cambiano completamente. Immergendo la fetta in una soluzione
chimica che attaccher solamente il resist nella zona che non stata colpita dalla luce, si
ottiene come risultato finale una zona coperta da resist ed una zona in cui non esiste pi e
che prende forma dal disegno fatto sulla maschera.
Simmerge nuovamente la fetta in una soluzione che ha lo scopo solamente di attaccare
lossido, ma non il resist che rimasto ottenendo cos una zona in cui sul silicio c
dellossido e del resist. Immergendo il tutto in una soluzione che attacca solo il resist e non
il silicio si ottiene alla fine: zone in cui la fetta coperta da ossido di silicio e zone
scoperte che si possono ulteriormente drogare.
Attualmente tutti i drogaggi si realizzano mediante impianto ionico, cio ioni di fosforo
vengono accelerati contro la superficie di silicio con una certa energia. Secondo il valore
denergia questi ioni entrano nel silicio ad una certa profondit (0,5m ) , mentre quelli che
colpiscono lossido vengono fermati.
Mettendo la fetta nuovamente in un forno ad alta temperatura, il drogante che ritrova in
superficie si diffonde (anche fino a 10 m ). Si cosi ottenuta una zona di tipo N molto
drogata, in corrispondenza della finestra creata in precedenza, che sar lemettitore del
dispositivo. Il transistor dunque creato.
Esistono, in ogni caso, delle difficolt reali che sincontrano durante il processo.
Si gi affermato che la zona di tipo P (ossia la base) non stata ottenuta tramite una
fotolitografia in una zona della fetta, ma si trova su tutta la fetta stessa, questo vuol dire
4

che tutti i transistor che sono stati realizzati hanno in comune tutte le basi e non solo i
collettori. Si pone allora il problema di separare le basi fra un transistor e laltro. Lunico
modo quello di asportare, lungo il perimetro dogni dispositivo, una quantit di silicio. Si
fa quella che si chiama fototecnica MESA, in pratica si protegge tutto con ossido, si
aprono soltanto due finestre lungo la periferia del dispositivo e si fa un attacco nel silicio
che deve superare la giunzione base collettore.
Questo attacco nel silicio circonda tutto il dispositivo ed isola una base dallaltra, pertanto
tutti i singoli dispositivi sono fisicamente isolati, almeno per quanto riguarda la base, ci
necessario appunto perch la tecnologia prevede una base per via epitassiale.
In questo modo la giunzione rimane scoperta e per proteggerla, su questo canale detto
MESA, depositato un passivante. Rimane dunque da aprire i contatti ed effettuare le
metallizzazioni.
Altro aspetto e che tra base e collettore, quando il dispositivo spento (OFF) tutta la
tensione sopportata dalla giunzione, che quellinversa.

20

-3

10 cm
19

-3

10 cm

15

16

N+

-3

10 10 cm

N-

P5
10

10

fig. 1 Profilo concentrazioni per processo Epibase

Crescita epitassiale
(N)
collettore
N
N

Epitax (P)
+ ossido
SiO
N
2

P
N

Fototecnica
P

N
N

Impianto ionico

e
P
N

+ forno
b
N
c

fig. 2 Procedimento Epibase

2.2 Distribuzione del campo elettrico


Si esamina adesso la distribuzione del campo elettrico nelle giunzioni utilizzando la legge
di Poisson. Essa afferma che la pendenza del campo elettrico proporzionale alla sua
concentrazione N , infatti se q la carica dellelettrone ed la costante dielettrica, si ha:
dE ( x ) qN
=

dx

(2.2.1)

Questo significa che se c uno strato molto drogato la pendenza molto forte, se invece
c uno strato molto resistivo (poco drogato) molto piccola. Uno strato quindi pi

resistivo pi tiene la tensione. Allora partendo da questa legge si pu vedere come si


distribuisce il campo elettrico tra la base ed il collettore.
In particolare se si droga poco la base, ci pu essere un campo elettrico tale che la
depletion della base possa raggiungere lemettitore, cio se non si riesce a dimensionare
opportunamente questa base ed essa ha una resistivit molto alta, la pendenza del campo
elettrico pu essere tale che questo raggiunga lemettitore. Se ci avviene si ha un
fenomeno di temperatura che si chiama punch trough ed il dispositivo non pu pi
sopportare la tensione ( come se avessimo fatto un cortocircuito tra la base e
lemettitore). Questo il motivo per il quale i dispositivi che sono realizzati con una base
per via epitassiale e non diffusa, caratterizzati, quindi, da basi che non possono essere
molto drogate, hanno un limite alla tensione che possono sopportare, per questa tecnologia
il limite circa 200 V .
Se volessimo integrare, con questa tecnologia, due semplici transistor in un'unica piastrina,
in configurazione Darlington, e realizzare tra le basi dei due transistor una resistenza,
essendo queste tutte in comune, per realizzarle si costretti a fare un attacco MESA nel
silicio, che in questo caso enorme, in modo che tra le due basi ci sia una resistenza.
Questo dimostra quale sia la difficolt nel realizzare con una struttura non planare, cio di
tipo MESA, unintegrazione anche semplice; infatti realizzare su una fetta di silicio tutti
questi attacchi chimici la rende pi fragile. Inoltre la stessa piastrina quando sottoposta
ad affidabilit a causa di tali attacchi, ha un numero di fallimenti che superiore rispetto
quelli di unaltra tecnologia ad esempio quella planare.

2.3 Tecnologia MULTIEPI MESA


Tale tecnologia simile a quella epibase con la differenza, per, che il limite di tensione di
breakdown sale fino a 2000 V .
Si parte, al solito, dallo stesso substrato molto drogato N + , quindi si cresce il collettore
per via epitassiale (per un transistor da 1000 V il collettore avr una resistivit ed uno
spessore pi alti rispetto a quello a 100 V ; infatti la resistivit dellordine di
50 60 cm , lo spessore invece dellordine di 70 80, 100 m ), si cresce, a questo

punto la base esattamente come nellaltra tecnologia.


Dopo aver cresciuto la base a concentrazione costante tramite una tecnica di fotolitografia,
si apre una finestra e si diffonde su di essa unaltra base ad alta concentrazione, si fa cio
un impianto di boro ad alta dose e si diffonde.

La base dunque formata da due layer: una ad alto drogaggio; laltra a drogaggio costante
(che rappresenta lunica differenza con laltra tecnologia), indi si realizza lemettitore
nella stessa maniera completando la realizzazione.
Le principali differenze tra le due tecnologie gi viste sono:
1) Differenza nello spessore e nella concentrazione del collettore (vogliamo raggiungere
tensioni pi elevate);
2) Introduzione di uno strato di base diffuso su quello a concentrazione costante.
La differenza del profilo della base ha la funzione di aumentare la resistivit con una
conseguente diminuzione del campo elettrico che non potr arriva allemettitore
consentendo al transistor di avere tensioni di breakdown pi elevate. Si cosi risolto il
problema del punch, ma resta quello della difficolt dintegrazione.

2.4 Tecnologia Planare


La tecnologia Planare la pi versatile. Si parte dal solito substrato, ma la crescita
epitassiale usata solo per il collettore. Viene poi depositato dellossido attraverso cui
viene formata una prima finestra che serve a creare, per diffusione, la base P + e dopo altre
per formare lemettitore N + + .
La base, con questa tecnologia, non si estende per tutta la lunghezza del dispositivo, ma
racchiusa entro il collettore e la giunzione che resta allesterno si trova in superficie dove
facile realizzare una copertura dossido termico che un passivante migliore del vetro.
La giunzione base collettore (P + N ) , che quella che deve sopportare le elevate
tensioni, per la tecnica con cui stata realizzata portata in superficie, ha cio un suo
raggio di curvatura e parte della superficie.
Questo significa che protetta da un ossido termico che cresce quando labbiamo diffusa,
a differenza di quando avveniva con le altre tecnologie dove la giunzione base collettore
era protetta lungo il canale MESA da un passivante che non era chimicamente puro.
Se si opera una sezione si ottiene un emettitore diffuso uguale agli altri, una base
solamente diffusa, il collettore ed infine il substrato.
In questo modo quando si applica una tensione tra base e collettore si ha:
1) Poich la base molto drogata il campo elettrico va subito a zero, quindi non sopporta
alcuna tensione, ma tutta la tensione applicata sopportata dal collettore. Questo
significa che il campo elettrico in un transistor planare non pu raggiungere
lemettitore; teoricamente si possono raggiungere tensioni elevate a piacere;
2) Tutto il campo elettrico sopportato dal collettore;
3) Non essendoci attacchi chimici nel silicio lintegrazione di pi transistor, allinterno
della stessa piastrina, estremamente semplice.

3. TENSIONE DI BREAKDOWN

Si considera adesso la capacit che ha, nel caso di un transistor, la giunzione base collettore a
poter sopportare tensioni quando polarizzata in inversa.

3.1 Effetto valanga


Tutte le giunzioni dei dispositivi di potenza, siano esse base collettore, ma anche
emettitore base, rompono la tensione di breakdown per il meccanismo della
moltiplicazione a valanga.

Applicando, dallesterno, alla giunzione un C.E., cio una tensione in modo tale che venga
polarizzata in inversa, si trasferisce una certa energia ad un elettrone fra un urto ed il
successivo. Lenergia trasferta allelettrone data dalla seguente:

Edx

= ENERGIA

(3.1.1)

tra _ un _ urto _ ed _ il _ successivo

Il campo lungo la giunzione si distribuisce secondo la legge di Poisson per cui


questultimo crolla nelle zone ad alto drogaggio ed invece scende con pendenza pi
graduale nelle zone a pi basso drogaggio; si crea pertanto una zona di svuotamento che
inversamente proporzionale al drogaggio, sar cio piccola dove i drogaggi sono alti,
grande dove i drogaggi sono bassi.
Esiste un valore del C.E. al di sopra del quale lenergia che acquista un elettrone tale che
al primo urto questo produce una coppia elettrone lacuna. Si dice allora che si ha la
moltiplicazione a valanga, perch il successivo elettrone che viene creato ha
statisticamente energia sufficiente a creare unaltra coppia elettrone lacuna, e cosi via.
In seguito palesato tale effetto.
Applicando ad un diodo una tensione inversa prima di un certo valore della tensione, la
corrente che circola nel dispositivo sar prossima allo zero, ma non nulla. Infatti quando si
polarizza inversamente una giunzione P N il sistema tende allequilibrio generando
coppie elettrone lacuna.
Si ha dunque una corrente di generazione dovuta al fatto che dallesterno si applicato un
C.E.; allora nella zona di svuotamento si generano le coppie elettrone lacuna che
tendono a far ritornare il sistema in equilibrio.

10

Tale corrente di leakage (generazione) non comunque superiore al nA , che dal nostro
punto di vista nulla.
Quando la tensione applicata raggiunge quella che si chiama tensione di breakdown,
lutilizzatore vede come un brusco aumento di corrente.
Dal punto di vista della fisica del dispositivo se si considera la corrente di elettroni nel
punto O e nel punto W cio agli estremi della zona di svuotamento, ci sar un momento in
cui questa corrente, o meglio il rapporto tra queste correnti che si definisce fattore di
moltiplicazione, diventa infinito (perch la corrente improvvisamente sale a valori molto

elevati) e si dice che avvenuto il breakdown a valanga:


E

fig. 3 Campo elettrico nella zona di svuotamento

Mn =

I n (W )
=
I n (O )

1
W

(3.1.2)

1 n dx
O

che pu essere approssimato a:

M =

1
VBC
1
VCB 0

(3.1.3)

Come si vede, questo fattore di moltiplicazione legato alla probabilit che durante il suo
libero cammino medio, un elettrone possa produrre una coppia elettrone lacuna definita
da
W

n = coefficiente di ionizzazione;

11

dx

(3.1.4)

che dipende da un coefficiente e dalla distanza tra un urto ed il successivo e che durante il
breakdown pari a 1 .
La caratteristica di tutti i meccanismi di rottura a valanga quella che allaumentare della
temperatura la tensione di breakdown aumenta.
Si consideri un singolo elettrone che si muove allinterno del reticolo del silicio e che
possiede lenergia fornita dalla tensione applicata dallesterno. Parte di questa energia gli
serve per aumentare la sua velocit; laltra, invece, visto che il singolo elettrone immerso
nel reticolo e quindi interagisce con esso, la cede allo stesso, del resto il singolo elettrone
non in effetti libero allinterno del reticolo.
Supponendo di aumentare la temperatura di conseguenza aumenta la vibrazione reticolare
modificando cosi il reticolo. Lelettrone per mantenere lequilibrio termico con il reticolo
deve fornire allo stesso pi energia, infatti in esso sta cambiando lo stato energetico e lo
scambio di fononi aumenta.
In conclusione dallesterno si applica la stessa tensione, per una parte di questa gli serve
per la sua accelerazione, laltra la cede al reticolo; aumentando la temperatura al reticolo
ne deve cedere di pi quindi quella che al singolo elettrone serve per muoversi diminuisce
rendendo minore la probabilit che al primo urto crei una coppia elettrone lacuna.
Queste conclusioni sono molto importanti perch fanno capire che laumento della
tensione di breakdown legato allaumento di temperatura

essenzialmente una

conseguenza del meccanismo della moltiplicazione a valanga e non del breakdown in


generale.

3.2 Effetto Tunnel


Quando i due lati della giunzione di un qualunque diodo sono molto drogati, ci provoca
livelli daccettori allinterno della banda di Gap del silicio; poich vi sono tantissimi
livelli, essi diventano delle vere e proprie bande, e quindi come se la banda proibita del
silicio fosse pi piccola.
Se accade ci, pu avvenire il meccanismo della moltiplicazione, in quanto lelettrone
salta direttamente dalla banda di valenza a quella di conduzione e diventa subito un
elettrone di conduzione. In questo caso gli effetti dellaumento della temperatura sono
opposti a quelli esaminati precedentemente.
Da un monitoraggio delle temperature possibile discriminare se si tratta di effetto tunnel
o di un effetto di moltiplicazione a valanga.

12

4. DISTRIBUZIONE DEL CAMPO ELETTRICO

Il campo elettrico al quale avviene il breakdown o meglio la moltiplicazione a valanga, si


chiama campo elettrico critico EC e dipende esclusivamente dai drogaggi della giunzione.
Infatti, per la legge di Poisson, questo si distribuisce con pendenze che sono proporzionali ai
drogaggi.
Volendo quantizzare questo discorso, basta risolvere lequazione (2.2.1) con le seguenti
condizioni al contorno:
E ( Wn ) = E (W p ) = 0

(4.1)

Sviluppando si ottiene la tensione che sopportata da un qualunque diodo o da una qualunque


giunzione che ha dei drogaggi opportuni, essendo la tensione lintegrale del campo E .
I due triangoli, mostrati nella figura seguente, rappresentano le tensioni V P e V N sopportate dai
due lati N e P della giunzione.
ND

NA
+
+

qND

Wp
x

-Wn
-qNA
E
Emax

Vn

Vp

-Wn

Wp

fig. 4 Distribuzione del campo elettrico in una giunzione senza reach - through

13

Ricordando la legge di Poisson:


dE ( x )
=

dx

nella regione p :

dE p
dx

qN A

dE p = q

NA

( ) dE

dx

Ep x

= q

NA

Wp

N
dx E (x ) = q (W
A

x)

quindi:

E p ( x ) = E max q

NA

E n ( x ) = E max + q

NB

x.

Geometricamente:
2
2
E max
base altezza E max W p q N A W p
Vp =
=
=
=
2
2
2
2q NA

2
E max
E max Wn q N D Wn2
Vn =
=
=
2
2
2 q ND

V =

2
1
E max

+
2 q N A N D

(4.2)

Nel caso in cui si manifesta il reach through, la distribuzione si modifica come mostra la figura
seguente:

14

Emax
NA
ND
Vn

Vp
x

Wp

-Wn

fig. 5 Distribuzione del campo elettrico in una giunzione con reach through

Anche in questo caso, svolgendo i calcoli per la determinazione della tensione, otteniamo la
stessa formula trovata precedentemente.
Larea individuata dalla funzione E (x ) altro non che la tensione di breakdown del dispositivo.
Ci considerato si pu pervenire graficamente (o per integrazione della funzione E (x ) ) al
seguente risultato:

E
n

np+

Emax

E maxW c

base molto
drogata

collettore

Wc

fig. 6 Distribuzione del C.E. in una giunzione con reach through e base molto drogata

15

BV p = E max Wc

q N A Wc2
2

(4.3)

Dalla formula appena ottenuta sembrerebbe possibile ottenere, dai dispositivi, tensioni di
breakdown arbitrariamente elevate pur di adottare elevati spessori di collettore e bassi drogaggi
del medesimo.
Purtroppo le suddette formule hanno scarsa rispondenza pratica perch le tensioni di breakdown
misurate sui dispositivi reali sono ben al di sotto del valore teorico da essa previsto. Ci da
addebitarsi a:
1) Presenza di cariche allinterfaccia Si SiO2 a causa dei legami non saturati nella crescita
dello strato dossido;
2) Presenza di cariche mobili allinterno dellossido alle impurezze di ioni positivi che si
introducono nel forno a causa di un processo non perfettamente pulito;
3) Le deviazioni rispetto ai valori teorici previsti dalla (4.3), si devono al fatto che alla periferia
della diffusione di base la superficie che delimita la giunzione metallurgica ha un raggio di
curvatura finito e quindi per il potere della punta il C.E. tende ad assumere ivi dei valori
maggiori di quelli previsti per la giunzione piana.
Le cause elencate tendono a far si che la tensione di breakdown BVR in una giunzione reale sia
inferiore rispetto a quella che avrebbe una giunzione piana, BV p , a parit di drogaggi:

BVR < BV p

(4.4)

Si definisce, allora, lefficienza di breakdown :

BVR
BV p

(4.5)

che dipende esclusivamente dalla struttura di bordo.


Una prima soluzione e quella del field plate che consiste nel far debordare la metallizzazione al
di fuori dellarea coperta dalla diffusione. Il volume occupato dalla metallizzazione costituisce
una regione equipotenziale e quindi vincola le linee a potenziale ad aggirarla. Cosi facendo
queste ultime sono costrette ad assumere un andamento meno fitto in prossimit del bordo della
diffusione.

16

La situazione risulta notevolmente migliorata e ne sono testimoni i pi alti valori di BV che in


tali configurazioni sono ottenute.
Si nota, altres, che il punto critico della struttura ottenuto non pi sul bordo della diffusione
ma corrisponde al bordo della metallizzazione. Ulteriori miglioramenti nella tensione di
breakdown possono essere ottenuti ove si riesce a migliorare la configurazione di campo pure in
corrispondenza di questo nuovo punto critico. Ci risulta possibile utilizzando la tecnica del
doppio field plate basato sulla realizzazione di un doppio livello dossido e quindi di un anello

di metallizzazione sviluppato su due differenti altezze rispetto alla superficie.


Con questi due metodi non si riesce, comunque, a superare gli 800 V . Per tensioni pi alte si fa
utilizzo dei dispositivi MCT che raggiungono tensioni di 2000 V .
Si osserva che la motivazione cui si devono addebitare leccellenti prestazioni in breakdown
degli MCT la configurazione essenzialmente piana della giunzione B C, che in essa si
realizza, la quale risulta pi vicino al modello descritto dalla (4.3) di quanto non lo sia la
giunzione B C dei planari.
Pi di recente sono stati sperimentati alcuni metodi logici per lirrobustimento dei dispositivi
rispetto al breakdown.
Un primo metodo consiste nel prolungamento della giunzione tramite anelli diffusi a drogaggio
progressivamente decrescente:

p+

p-

p --

fig. 7 Giunzione ad anelli diffusi a drogaggio progressivamente decrescente

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Questa struttura consente un ulteriore miglioramento dellefficienza di breakdown rispetto a


quanto ottenibile con i soli field plate come si evidenzia nelle figure successive.
Tale vantaggio ottenuto a spese di unovvia complicazione del processo che prevede un
impianto in pi e quindi una fotolitografia in pi per ogni anello di prolungamento.
Risultati equivalenti, ma con processo costruttivo pi semplice, si ottengono tramite con anelli
a drogaggio pi basso palesa la seguente figura:

p+

p-

fig. 8 Giunzione ad anelli diffusi a drogaggio progressivamente decrescente

18

Affinch questa soluzione consenta di ottenere gli stessi vantaggi prima evidenziati necessit
che lanello sia pi profondo della diffusione (es.: diffusione 5m ed anello 8m ).
Un anello pi profondo pu essere ottenuto in due modi:
1) Simpianta e si diffonde lanello prima dellimpianto e la diffusione della regione P + della
base; cosi facendo il drogante dellanello subisce un carico termico superiore durante il
processo e quindi si distribuisce pi in profondit;
2) Simpiantano separatamente ma si diffondono contemporaneamente usando come drogante
del P lalluminio che ha una diffusivit 10 volte superiori a quella del boro usato per il

P + e che quindi raggiunge profondit maggiori.


Unultima soluzione quella che sfrutta un anello con drogaggio progressivamente decrescente
e quindi con spessore anchesso decrescente ottenibile tramite maschera.

19

5. RELAZIONE TRA VCB 0 E VCE 0

Nei paragrafi precedenti si descritto il fenomeno del breakdown nei transistor bipolari facendo
esplicito riferimento alla giunzione B C come se fosse un semplice diodo. Ci equivale ad
aver considerato la tensione di rottura tra base e collettore con lemettitore aperto. Essa prende il
nome di BVCB 0 .
VCB0
B

E
open

fig. 9 Transistor bipolare con emettitore aperto

Questa configurazione non tuttavia lunica. Altra tipica quella relativa alla BVCES cio alla
tensione di rottura tra collettore ed emettitore con la base cortocircuitata allemettitore.

B
VCES

fig. 10 Transistor bipolare con base cortocircuitata allemettitore

Nella pratica i valori di BVCES sono molto prossimi a quelli della BVCB 0 . Non altrettanto,
invece, pu dirsi per la BVCE 0 cio la tensione di rottura tra collettore ed emettitore con la base
aperta.

20

B
VCE0

open

E
fig. 11 Transistor bipolare con base cortocircuitata allemettitore

BVCE0
IC

BVCB0
BVCES

VCE
fig. 12 Andamento delle BV nelle diverse configurazioni

Si riscontra un comportamento corrente tensione come dal grafico precedente; in particolare si


nota che i valori di BVCE 0 sono circa la met rispetto a quelli di BVCB 0 ed inoltre
notevolmente diverso landamento della relativa corrente.
In seguito sintende chiarire quanto gi detto. A questo scopo si osserva che per tensioni
prossime a quelle di rottura il legame tra I C e I E deve necessariamente contemplare il fattore di
moltiplicazione M :

I C = M I E I C = M (I B + I C ) I C (1 M ) = M I B
21

IC =

M
IB
1 M

(5.1)

Nella configurazione relativa alla VCE 0 la base aperta e quindi I B = 0 I C = 0 . Ci tuttavia


vero solo finch il fattore moltiplicativo ( M 1 M ) una quantit finita. Quando, invece,
diverge ad infinito anche I C aumenta illimitatamente e si incorre nel fenomeno della rottura.
Ovviamente ci accade quando il denominatore nullo, ovvero quando: M = 1 .

Questa la condizione che si deve verificare affinch la tensione VCB raggiunga il valore di
rottura nella configurazione a base aperta. Questa relazione pu essere ancora scritta sfruttando
la formula empirica per M :

M =

1
V
1 CB
BVCB 0

(5.2)

Sostituendo ed approssimando alla rottura VCB VCE :

BVCE 0 = BVCB 0 n 1 BVCB 0 n

BVCE 0

BVCB 0
n

(5.3)

Con questultima si giustifica il fatto che BVCE 0 minore della BVCB 0 (circa la met) e si
giustifica pure lo strano andamento della corrente in BVCE 0 .
sufficiente a questo proposito considerare la dipendenza di da I C . Per bassi valori di I C il
valore di ridotto, ma al crescere della corrente aumenta e quindi BVCE 0 diminuisce.
Successivamente torna a diminuire e quindi BVCE 0 torna ad aumentare nuovamente.

22

IC
fig. 13 Andamento di

essendo:

23

(5.4)

6. PORTATA IN CORRENTE DI UN DISPOSITIVO BIPOLARE DI POTENZA


Considerato un BJT di potenza, le sue caratteristiche duscita sono riportate nel piano I C VCE
al variare del parametro I B quando il dispositivo nello stato ON.

IC

IB

VCE
fig. 14 Caratteristica duscita del BJT

Unaltra caratteristica il guadagno di corrente del transistor definito come il rapporto tra la
corrente di collettore e quella di base e che ha un andamento del tipo in figura in funzione della
corrente di collettore:

IC

fig. 15 Guadagno di corrente

24

IC
IB

(6.1)

alle basse correnti si ha una leggera pendenza del guadagno, poi c un valore di picco indi
crolla molto rapidamente alle alte correnti.
Si consideri un transistor bipolare NPN ( I P la corrente di ricombinazione):

N
INC

INE

IP

IE
E

IC
C
IL

IPE

IB
fig. 16 Transistor bipolare NPN

Supponiamo che la giunzione base collettore sia polarizzata in inversa e che la giunzione
base emettitore sia polarizzata in diretta, ci implica che il transistor funziona in zona attiva.
Poich la giunzione N + P polarizzata in diretta c un flusso delettroni I NE che
dallemettitore va verso la base. Ovviamente c anche un flusso di lacune I PE che dalla base va
verso lemettitore. La corrente demettitore non altro che la somma di queste due correnti:

I E = I NE + I PE

(6.2)

Gli elettroni che partono dallemettitore e vanno verso la base sono ivi delle cariche minoritarie
per cui tendono a ricombinarsi con i portatori maggioritari. Quindi solo alcuni di questi
elettroni, che partono dallemettitore, riescono a raggiungere il collettore.

25

La quantit di elettroni che dallemettitore raggiungono il collettore definiscono la corrente del


medesimo:

I C = I NC

(6.3)

La parte di elettroni che si ricombinano nella base con le lacune formano la cosiddetta corrente
di base:

I B = I E + I C = I PE + I P

(6.4)

Inoltre, allinterno della zona svuotata della giunzione base collettore che polarizzata in
inversa, per ristabilire lequilibrio visto che il prodotto n p < ni2 , si devono creare altri elettroni
ed altre lacune. Quindi, nelle zone svuotate di una giunzione polarizzata in inversa c una
corrente detta di generazione che rappresenta la cosiddetta corrente di leakage I L in
polarizzazione inversa.
Si definisce efficienza diniezione il rapporto tra la corrente di elettroni che va dallemettitore
alla base e la corrente di lacune che va dalla base allemettitore:

I NE
I PE

(6.5)

essa dipende esclusivamente dal profilo di drogaggio dellemettitore e della base.


Un altro parametro che da un indice di quanti sono gli elettroni che dallemettitore riescono a
raggiungere il collettore senza ricombinarsi il fattore di trasporto, che dato dal rapporto tra la
corrente di collettore ed il flusso delettroni che partito dallemettitore:

I NC I NE I P
=
I NE
I NE

(6.6)

dipende chiaramente dalla larghezza effettiva della base (se la base molto larga sicuramente
molti elettroni non ce la fanno ad attraversarla perch si ricombinano) e soprattutto dal tempo di
vita degli elettroni della base (e quindi anche dal drogaggio della base).

26

e sono i due parametri essenziali che ci permettono di capire il funzionamento del


transistor.

ric

IC

fig. 17 Guadagno di corrente

Per capire meglio il funzionamento del transistor, quindi la particolare curva su descritta, si deve
ipotizzare come somma di pi guadagni:
1) Un guadagno alle basse correnti che chiamiamo ric ;
2) Un guadagno di picco 0 che costante ed indipendente dalla corrente di collettore e che
determina il valore massimo che pu raggiungere il guadagno ;
3) Un guadagno ad alti livelli di corrente legato allefficienza demettitore e un altro legato
alle alte correnti ed al tempo di vita dei portatori minoritari che determinano il crollo del
guadagno.
Quindi, ci sono dei termini che dipendono fortemente dalla corrente di collettore.
In virt di ci, il guadagno di un transistor di potenza si pu considerare come somma degli
inversi dei parametri sopra definiti:
1
1 = 1 + 1 + 01 + ric

(6.7)

Il termine di ricombinazione pu essere trascurato visto che un dispositivo di potenza non lavora
mai nella zona delle basse correnti, ma la sua zona di lavoro sempre quella delle alte correnti
per cui:

27

1 = 1 + 1 + 01

(6.8)

dove

4 DB
WB2

(6.9)

DB la diffusivit e WB lo spessore della base. Il termine legato al tempo di vita, quindi al

fattore di trasporto, deve essere inversamente proporzionale allo spessore e direttamente


proporzionale al tempo di vita; inoltre:

QE

0 =

QB

DE

DB

QE DB

DE QB

(6.10)

dove QE la quantit di carica presente nellemettitore.


Quindi il guadagno di picco dipende dalle quantit di cariche che ci sono nellemettitore e nella
base. Laltro termine che fa crollare il guadagno :
A
4 q DB2 QE
E
D
E

=
WB2 I C

(6.11)

funzione della corrente di collettore, dello spessore ma soprattutto del termine QE D che
E
risulta legato solo allemettitore e non alla base.
Si noti che 0 rappresenta il valore massimo a cui pu arrivare il guadagno di un transistor e
risulta, in teoria, molto pi alto del guadagno reale infatti questultimo limitato dal crollo del
guadagno alle alte correnti e da quello di ricombinazione.
Poich nei processi del tipo la ricombinazione il guadagno, il tempo di vita, sono tra di loro
indipendenti, nellespressione del guadagno bisogna fare non la somma delle singole grandezze
ma la somma degli inversi in quanto la linearit dei fenomeni non rispettata.
Da tali considerazioni concettuali possibile ricavare una formula che ci permette di capire
perch dellandamento della caratteristica duscita del BJT ha quellandamento.

28

Si trascuri, adesso, il guadagno di picco per i seguenti motivi:


1) 0 molto pi alto del guadagno reale;
2) La zona di funzionamento di un transistor sta, molto spesso, pi a destra del valore di picco.
In generale un transistor lavora sempre nella zona di saturazione in cui << 0 e si ha:
1
sat
= 1 + 1

(6.12)

Sostituendo i rispettivi valori, si ottiene:

sat

WB2 I C
IB
=
=
I C 4 q D 2 A QE
B
E

DE

WB2
+
4 DB

(6.13)

Da questa espressione ricaviamo la corrente di collettore che prende anche il nome di corrente
di ginocchio I K del transistor e che si considera come un indice della portata in corrente del

dispositivo:

IK =

q DB AE
WB

QE

2
4 IB
WB
DE WB

QE
2

q AE

DE

(6.14)

dove:

DB la diffusivit degli elettroni nella base;

AE larea del dispositivo: se si costruisce un dispositivo di area pi grande chiaro

che a parit di tutto porter pi corrente;

QE

WB lo spessore effettivo della base: pi grande questo spessore e minore sar la

DE

si definisce come efficienza dellemettitore;

corrente che il dispositivo riuscir a sopportare;


il tempo di vita degli elettroni nella base: pi alto il tempo di vita maggiore la
corrente che il dispositivo riesce a pompare.

29

C poi la corrente di base come parametro, infatti allaumentare di essa aumenta la corrente
I C . Le grandezze di cui bisogna tener conto sono lefficienza dellemettitore QE

DE

, lo

spessore WB ed il tempo di vita :

IC
saturazione

IB

IK

VCE

VCEsat
fig. 18 Caratteristica duscita del BJT

6.1 Efficienza demettitore


Si consideri la giunzione base emettitore di un qualsiasi transistor polarizzato in diretta:

N(x)

N+

JNE
JPE

WE

WB

fig. 19 Profilo delle concentrazioni in un BJT

30

Lefficienza demettitore , che data dal rapporto tra la densit delettroni che
dallemettitore vanno verso la base e la densit di lacune iniettate dalla base verso
lemettitore, si valuta tenendo conto che una qualunque corrente pu essere espressa come
il prodotto della diffusivit per la quantit di carica (che a sua volta lintegrale lungo
tutta la profondit di base o demettitore del profilo di concentrazione N ( x ) ):

WE

J NE
=
J PE

DB N ( x )dx
O
WB

DE N B ( x )dx

DB QE
DE QB

(6.1.1)

Da queste considerazioni risulta semplice aumentare lefficienza diniezione, infatti basta


aumentare QE e quindi N ( x ) . Si potrebbe anche diminuire la quantit N B ( x ) nella base
ma in effetti succede che la quantit QB aumenta allaumentare del drogaggio della base o
dello spessore WB , mentre la quantit QE si comporta in modo anomalo: aumenta
allaumentare della concentrazione demettitore ma dopo un certo limite diminuisce
allaumentare del drogaggio dellemettitore. Quindi se si realizzano degli emettitori molto
drogati il guadagno diminuisce bruscamente.
Le cause per le quali la quantit QE diminuisce allaumentare del drogaggio sono
essenzialmente due:
1) Il restringimento del gap del silicio;
2) La diminuzione del tempo di vita delle lacune iniettate dalla base verso lemettitore
con conseguente riduzione della lunghezza di diffusione LE .

6.1.1 1 fenomeno: restringimento del bandgap


Si supponga di disporre di silicio da drogare con fosforo, per quanto riguarda
lemettitore, in maniera molto alta. Ogni volta che si droga il silicio con fosforo si
crea un centro di tipo donore in prossimit della banda di conduzione. Se si
continua a drogare si crea un altro centro donore e cosi via; se si droga ad altissimi
livelli tutti questi centri donori si possono assimilare ad una vera e propria banda di
conduzione che ha come effetto risultante quello dabbassare il gap del silicio.

31

E CONDUZIONE
E

fetta di
silicio

GAP

Gap
abbassato

E VALENZA

fig. 20 Bandgap

Se ci succede, si devono modificare le formule fondamentali della trattazione e


precisamente si deve supporre che la concentrazione intrinseca di portatori sia
modulata da un certo termine che dipende dalla variazione E che a sua volta
funzione del drogaggio:
n =n
2
i

E ( N )
2 KT

i0

> ni20

(6.1.1.1)

dove ni 0 la concentrazione intrinseca dei portatori per bassi drogaggi. Questo


comporta che il profilo del drogaggio dellemettitore, che apparentemente era
quello indicato con N ( x ) , nella realt deve essere modificato, perch cambiata
ni2 e quindi si ha un altro profilo indicato con N I ( x ) che del tipo:
N
N(x)

N (x)

fig. 21 Profilo concentrazioni modificato

32

La concentrazione degli elettroni minore perch essendosi ridotto il gap, molti


pi elettroni si ricombinano passando in banda di valenza. Questo significa che
nella formula (6.1.1) si deve introdurre un primo cambiamento sostituendo N I ( x )
al posto di N ( x ) . Per quanto riguarda la base nulla cambiato:

QB =

WB

N (x )dx
B

QE =

E ( N )

KT

WE

I
N (x )

dx

(6.1.1.2)

6.1.2 2 fenomeno: diminuzione del tempo di vita dei portatori minoritari


nellemettitore

Prima di specificare il problema, si definisce meglio il tempo di vita dei portatori.


Si supponga di avere un semiconduttore in condizioni di equilibrio termodinamico:
quantit di elettroni quantit di lacune.
Si supponga di perturbare lequilibrio con una qualsiasi fonte di energia esterna ed
ancora di creare una quantit in eccesso di lacune rispetto allequilibrio. Eliminata
la causa della perturbazione il sistema tender a ritornare allo stato dequilibrio in
un certo tempo.
Il rapporto tra leccesso di lacune rispetto allequilibrio e la velocit con cui queste
lacune variano il tempo di vita dei portatori minoritari. Se P leccesso di
lacune e P

la velocit con cui queste lacune si ricombinano, il rapporto tra

queste due quantit il tempo di vita delle lacune.

H =

P
P
t

(6.1.2.1)

Si veda in seguito il perch della ricombinazione delle lacune:


1) Il meccanismo pi comune la RICOMBINAZIONE SHOCKLEY READ:
ogni volta che il reticolo cristallino del silicio perturbato per un qualsiasi
motivo si creano, allinterno della banda proibita, dei livelli intermedi che
favoriscono proprio la ricombinazione delle coppie elettrone lacune. Quindi
33

la ricombinazione S R una ricombinazione tramite centri intermedi ed


regolata da una legge del tipo:

1
dP
= 1 P ; 1 =
HSR
dt

(6.1.2.2)

2) Quando il materiale molto drogato si crea unenorme quantit di livelli in


prossimit della banda di conduzione che danno luogo ad una diminuzione del
gap (vedi fig. 20). Quando questo avviene c la probabilit che un elettrone ed
una lacuna, invece di ricombinarsi mediante centri intermedi, si ricombinino
attraverso un meccanismo detto banda a banda.
Ovvero si ha un salto dalla banda di valenza alla banda di conduzione e questa
ricombinazione diretta banda a banda tra un elettrone ed una lacuna si chiama
ricombinazione Auger

ed fortemente proporzionale al drogaggio del

dispositivo:

dP
1
= 2 n2 P ; A =
dt
2 n2

(6.1.2.3)

Quindi il tempo di vita dei portatori minoritari in emettitore (molto drogato)


dipende da due meccanismi di ricombinazione e si ha:

HSR

(6.1.2.4)

Si noti che HSR inversamente proporzionale al livello di drogaggio, mentre A


inversamente proporzionale al quadrato del livello di drogaggio. Questo significa
che per alti drogaggi il tempo di vita A crolla molto pi rapidamente e quindi il
meccanismo Auger predominante.
Nei dispositivi di potenza, il drogaggio dellemettitore molto alto per cui
nellemettitore predominante proprio il meccanismo di ricombinazione banda a
banda. A causa dellalto drogaggio dellemettitore e della ricombinazione Auger
una lacuna che, statisticamente, entra nellemettitore ha una lunghezza di
diffusione molto pi piccola rispetto alla profondit dellemettitore:
34

WE 5m LE << WE

Quindi una lacuna non vede tutta la carica che stata immersa nellemettitore, ma
vede una certa quantit di carica, quella fino a quando essa si ricombinata.
Se quindi le lacune si ricombinano prima di raggiungere la superficie, nella
formula (6.1.1) si devono cambiare gli estremi dintegrazione perch il profilo
della concentrazione tra 0 e LE e non tra 0 e WE , avendo indicato con LE la
lunghezza di diffusione effettiva delle lacune nellemettitore.
La densit di lacune iniettate nellemettitore decade con la distanza secondo una
legge esponenziale del tipo:
x

exp
L
E

per cui oltre a cambiare i limiti dintegrazione necessario aggiungere un termine


in pi:
E ( N ) x

KT LE

LE

QE = N I (x )

dx

(6.1.2.5)

QE rappresenta la quantit di carica utile per lefficienza demettitore;


QB non modificata dai processi di ricombinazione a causa del basso drogaggio

della base.
Tutte le considerazioni fatte hanno portato alla realizzazione di un nuovo processo
per lemettitore che si chiama emettitore leggero.

6.2 Emettitore leggero


Rispetto allemettitore standard, lemettitore leggero ha un impianto pi basso, cio ha un
concentrazione superficiale C S (valore pi alto del profilo di drogaggio) molto pi bassa.
Ci da luogo ad una diminuzione del banding del silicio e ad un aumento del tempo di vita
delle lacune nellemettitore e quindi aumenta la lunghezza di diffusione.

35

In questo modo si raddoppiata lefficienza demettitore con conseguente incremento


della portata in corrente.

6.3 Dipendenza del guadagno dalla temperatura (fenomeno dellalta iniezione)


Si supponga di trascurare il termine del guadagno dovuto al tempo di vita, essendo
proporzionale allo spessore W per dispositivi che hanno uno spessore basso.
Si consideri, quindi, il guadagno come la composizione di due soli termini: il guadagno di
picco alle medie correnti ed il guadagno alle alte correnti.

(T )1 = 0 (T )1 + (T )1

(6.3.1)

A questo punto conveniente scindere il problema in due:


dipendenza di 0 dalla temperatura T ;
guadagno approssimabile a .
In altre parole si separa la zona delle medie correnti da quella delle alte correnti:

Bassa

Alta
IC

fig. 22 Bande diniezione

1 = 0 Bassa iniezione;
2 = Alta iniezione;
36

6.3.1 Bassa iniezione


La relazione la seguente:

= f (T ) 0

(6.3.1.1)

In questa zona la corrente delettroni I N , che una corrente di diffusione ottenuta


come la diffusivit per il gradiente della concentrazione delettroni, si pu
approssimare alla corrente I C e la corrente di lacune I P ottenuta sempre con la
diffusivit per il gradiente della concentrazione di lacune, si pu approssimare alla
corrente di base I B di un qualsiasi transistor NPN :
dn

I N = q AE DB dx I C

I = q A D dp I
E
E
B
P
dx

(6.3.1.2)

Daltronde, la corrente in un diodo si pu esprimere mediante la formula generale:

I=I

qVBE
KT

(6.3.1.3)

dove:
VBE la tensione in diretta applicata al diodo B E;

I0

una costante molto complessa che dipende dalla temperatura e

dallampiezza della banda proibita tramite la concentrazione intrinseca dei


portatori:
E(N )

KT

I 0 = k ni2 = (C T 3 )

dove:
E ( N ) = E 0 E ( N )

37

E 0 il bandgap del silicio a 0 K ;


E ( N ) la variazione del bandgap in funzione del drogaggio.

Quindi in generale la corrente di una qualunque giunzione si pu esprimere in


questo modo:

I = C T 3

E ( N ) qVBE
KT KT

(6.3.1.4)

In tale relazione si nota un termine legato alla temperatura, un termine legato alla
variazione del bandgap del silicio ed un termine legato alla tensione in diretta
applicata.
Esprimendo in questo modo sia la corrente di collettore che la corrente di base ed
eseguendo il rapporto, otteniamo il guadagno del dispositivo:

Ebase Eemet

KT

I
= C = 0
IB

E
KT

(6.3.1.5)

dove:

0 il guadagno indipendente dalla temperatura;


Ebase ed E emet sono rispettivamente i bandgap della base e dellemettitore.
Come si nota, la dipendenza di dalla temperatura per bassi livelli di iniezione
dovuta alla differenza di bandgap tra base ed emettitore.
Si nota, altres, che:
1) Poich nella formula non compare nessun livello di corrente, si pu affermare
che la variazione del guadagno con la temperatura indipendente dalla corrente
di collettore;
2) Poich il bandgap in base maggiore di quello dellemettitore e quindi la
variazione E > 0 sempre, si ha che il guadagno aumenta sempre con la
temperatura sia per lemettitore standard che per quello leggero;
3) Poich E emet .leggero < E emet .std si pu dire che la dipendenza del guadagno dalla
temperatura pi forte nellemettitore standard che in quello leggero. Ovvero
un dispositivo realizzato con lemettitore leggero risente meno delle variazioni
di temperatura.
38

Osservazione: il motivo per il quale il guadagno varia con la temperatura che in

qualunque transistor il bandgap in base e quello in emettitore sono


diversi; infatti se fossero uguali il guadagno potrebbe non
dipenderebbe dalla temperatura.
Si riportano di seguito i grafici guadagno temperatura di due dispositivi di
potenza: uno con emettitore standard e laltro con quello leggero.

%
standard

200

leggero
100

T(C)
fig. 23 Dipendenza di dalla temperatura

Riportando anche la variazione di con la temperatura prevista dalla teoria, si


pu concludere che nonostante le approssimazioni introdotte ( E indipendente
dalla temperatura, corrente di base ideale, trascurabile, ecc) si ha un notevole
accordo con i dati sperimentali: cio per bassi livelli diniezione il guadagno
aumenta sempre con la temperatura e lemettitore leggero risente molto meno di
quello standard.

6.3.2 Alta iniezione


La relazione la seguente:

= (T )

39

(6.3.2.1)

Si supponga di avere una giunzione base emettitore di un qualunque transistor


polarizzata in diretta:
V BE > 0 (dispositivo in stato ON)

Si supponga, inoltre, che la lunghezza di diffusione degli elettroni che vanno


dallemettitore verso il collettore sia molto pi grande della lunghezza di base:
LNB >> WB

Questa approssimazione in generale valida, in quanto, poich il transistor deve


guadagnare, ci saranno moltissimi elettroni che dallemettitore raggiungeranno il
collettore. Sotto queste ipotesi, quando la tensione V BE relativamente piccola, ci
saranno degli elettroni che passeranno dallemettitore verso la base.
Fin quando il numero di elettroni piccolo rispetto al numero di ioni fissi che ci
sono nella base, la neutralit della carica garantita; ci sar solo una corrente di
diffusione degli elettroni data dal prodotto della diffusivit per il gradiente della
concentrazione di elettroni:

J N = q DN

dN
dx

(6.3.2.2)

Si supponga, adesso, daumentare la tensione in diretta applicata alla giunzione,


ci implica che aumenter la quantit delettroni iniettati dallemettitore verso la
base.
Quando la concentrazione delettroni risulta essere paragonabile alla densit di ioni
fissi presenti nella base viene alterata la neutralit di carica. Si crea, quindi, un
flusso di lacune con un profilo P ( x ) simile a N ( x ) in modo da ristabilire la
neutralit della carica. Questo flusso di lacune produce una corrente di diffusione
de lacune:

J P = q DP

40

dN
dx

(6.3.2.3)

Poich, per, la corrente totale di lacune deve essere nulla, si crea un campo
elettrico trasversale di lacune che genera una corrente di drift che annulla J P ,
cosicch la corrente di lacune nulla e si ristabilisce la neutralit della carica.
Inizialmente si ha una corrente data dalla (6.3.2.2), ma il campo elettrico, se da un
lato produce una corrente di lacune che serve ad annullare J P , accelera anche gli
elettroni nel loro verso. Quindi produce una componente di drift delettroni che in
questo caso si somma alla corrente di diffusione:
dn

+ q N N
J N = q DN
dx

J P = 0

(6.3.2.4)

Risultato di tutto ci e che quando si verifica il fenomeno dellalta iniezione, la


corrente delettroni come se fosse doppia, ovvero come se avesse ampiezza
doppia.

J N = 2 q DN

dN
dx

(6.3.2.5)

possibile vedere tutto ci se riportiamo in un grafico la corrente di un diodo


qualsiasi in funzione della tensione in diretta applicata ai capi dello stesso:

in
alta

o
iezi

ne

qV

bas

sa

in i

ezi
on
e

e 2KT

qV

e KT

Vf
fig. 23 Dipendenza tra iniezione e corrente

41

Se le misure sono accurate si determina un andamento della corrente crescente nel


primo tratto con una certa pendenza, successivamente la pendenza cambia.
Questo significa che quando siamo in alta iniezione la corrente di collettore risulta
modificata rispetto a prima della presenza di un 2 nellesponente:

2 q DB ni2 AE
I C =
N A WB

q VBE

2 KT

(6.3.2.6)

La corrente di base non subisce modifiche, si ha:


qVBE E B

I C = I 0 2 KT

qVBE EC
I = I I KT
0
B

(6.3.2.7)

Eseguendo il rapporto si determina il guadagno che avr una formula pi


complicata rispetto alla precedente:
EC E qVBE

2 KT

= 0

(6.3.2.8)

Quindi alle alte correnti si pu dire che:


1) La dipendenza del guadagno dalla temperatura legata al livello di corrente a
causa della presenza della V BE (variare la V BE significa variare la corrente di
collettore);
2) La dipendenza di dalla temperatura determinata dal segno dellesponente.
Ci sono due possibilit:
se (EC E ) > q VBE il gradiente

d
>0;
dT

se (EC E ) < q VBE il gradiente

d
< 0.
dT

Si pu affermare con certezza che alle alte correnti esiste sempre un livello di
corrente, che deve essere appropriato, in cui il gradiente del guadagno rispetto alla
temperatura nullo e tale che al di sotto, il guadagno aumenta allaumentare della
temperatura, al di sopra il guadagno diminuisce al crescere della temperatura. Visto
42

che E emet .leggero < E emet .std la formula trovata mostra che il punto di viraggio che
delimita il passaggio da un gradiente positivo ad uno negativo molto pi basso
per lemettitore leggero che per lemettitore standard.

6.4 Influenza del tempo di vita sulle caratteristiche in corrente di un BJT


La portata di un dispositivi bipolare data da:

IK =

q D B AE

QE

2
4 IB
DE W
W


QE
2

q AE

DE

(6.4.1)

Linfluenza del tanto pi forte quanto pi spesso il collettore (il perch verr chiarito
in seguito) e per i dispositivi H.V. (Alta Tensione) necessario tener conto, in fase di
progetto, di questo parametro come di vede dal grafico seguente:

W=30 m

IK(A)

W=50 m
10

W=70 m

8
6
4
2

10

20

30

40

50

60

70

80

90

100

s)

fig. 24 Influenza del tempo di vita sulla corrente

Per collettori spessi W > 50 m necessario un tempo di vita > 15s se non si vuole
una notevole riduzione della portata in corrente. Quindi per dispositivi alta tensione
( > 500 V ) sono indispensabili alti tempi di vita ( > 20 s ).

43

6.5 Influenza del tempo di vita sul guadagno


La componente di guadagno legata al tempo di vita funzione dello spessore W della
struttura e del tempo di vita dei minoritari:

4 D
W2

(6.5.1)

Da questa formula si pu ricavare di quanto varia il guadagno del transistor al variare del
tempo di vita:

W 2
4 D

(6.5.2)

6.6 Caratteristiche duscita


Si considerino le caratteristiche duscita di un transistor di potenza:

IC

IB

VCE

fig. 25 Caratteristica duscita di un transistor di potenza

Ci si pone lobiettivo di capire per quale motivo le curve seguono questa forma e se per
caso essa legata alla struttura interna del transistor. A tale scopo si analizzano le

44

caratteristiche duscita di un transistor realizzato secondo un profilo di concentrazione del


tipo in figura:

N
N++
P

fig. 26 Profilo delle concentrazioni

Si noti che il collettore costituito da diversi strati di tipo N :


Lo strato N quello che serve per tenere la tensione e quindi deve avere un certo

spessore ed una certa resistivit in funzione della tensione di breakdown che il


dispositivo deve avere;
Uno strato N pi drogato che non serve per tenere le tensioni perch il campo

elettrico crolla quasi subito a zero, ma serve per la robustezza del dispositivo;
Infine c il substrato N + che serve a dare consistenza meccanica alla fetta.

Quindi, se si guardano in dettaglio le caratteristiche duscita di un transistor di potenza


realizzato in questo modo, si possono individuare diverse zone:

45

IC

R1

R2

IB = cost
zona lineare

IK

R3

R crescente
saturazione
(BJT di potenza)

VCE
fig. 27 Caratteristica duscita di un transistor di potenza con I B = cos t

Una prima zona che arriva fino alla corrente di ginocchio I K (quella che stata chiamata
portata in corrente), indi vi sono due cambiamenti di pendenza fino a quando la corrente di
collettore rimane costante al variare della VCE .
Si individuano cosi tre resistenze che determinano il cambiamento di pendenza e si
individuano anche i livelli di corrente legati ai tre punti A, B e C in modo tale da costruire
questa curva. La formula che determina la portata in corrente la (6.4.1). Per semplicit si
trascuri il contributo legato al tempo di vita dei portatori e quindi si consideri la seguente
formula:

I =
2

4 q DB2 AE
W

QE

DE

IB

(6.6.1)

Resta da vedere quale W bisogna considerare. Partiamo dal punto A.


In esso la giunzione base emettitore del transistor polarizzata in diretta e lo anche la
giunzione base collettore per cui c un flusso delettroni che dal collettore va verso la
base ed un altro flusso che dallemettitore va verso la base e si ha quindi un flusso
risultante molto grande.

46

N
N++
P

fig. 28 Profilo delle concentrazioni al punto A

Nel caso in cui la giunzione B E polarizzata in diretta e la giunzione B C


polarizzata in inversa, allora il profilo delettroni decresce linearmente dalla B E fino a
B C annullandosi ivi.
Se per anche la giunzione B C polarizzata in diretta, pure il collettore emette elettroni
verso la base per cui il profilo delettroni non pi nullo in B C, quindi il profilo
risultante si modifica. Ovviamente se il collettore continua ad iniettare elettroni il profilo
si alza sempre pi.
Si dice che c un livello diniezione di portatori sempre pi alto e se il processo
demissione delettroni molto forte, tale livello cosi alto che gli elettroni invadono non
solo la base e lo strato di collettore meno drogato, ma anche lo strato N .
Quindi tutto il dispositivo si trova in una condizione che si definisce daltissima iniezione
dove il flusso delettroni che parte dallemettitore ha una concentrazione molto pi alta di
tutte le concentrazioni della base e del collettore. Questo significa che la resistivit del
collettore non pi quella che abbiamo definito ad alta resistivit per tenere tensioni ma
modulata da questa enorme quantit di portatori.
Quindi la resistivit del collettore collassa; tale effetto prende il nome di modulazione di
conducibilit o effetto Kirk.

47

Il concetto che tutta la zona (P N N ) come fosse la base del dispositivo; la


resistivit di tale zona prossima a zero e poich la base del dispositivo la somma della
base metallurgica, della parte di collettore meno drogata e di quella pi drogata:
W = WB + W N + WN

(6.6.2)

Sostituendo nella (6.6.1) si ottiene:

I2 =

4 q DB2 AE

(W

QE

DE

+ WN + WN )

IB

(6.6.3)

Ci implica che nel punto A il livello di corrente sar molto basso, perch al denominatore
c una grandezza molto grande; infatti nel punto A, a parit di I B , il guadagno basso,
cio la corrente bassa.
In questa zona la resistenza R1 non quella del collettore, ma la resistenza del substrato,
le resistenze dei fili, la resistenza di contatto tra la piastrina ed il package.
Sono tutte le resistenze esterne: infatti R1 una resistenza estremamente bassa.
Quando il dispositivo lavora nella zona delimitata da A, la sua portata in corrente
bassissima perch la base effettiva del dispositivo non solo quella metallurgica ma si
aggiunge anche il collettore.
Quindi la portata in corrente dipende anche dallo spessore del collettore oltre che da quello
della base.
Ci si sposta, adesso, al punto B.
Questo primo cambiamento di pendenza dovuto al cambiamento del livello diniezione
dei portatori dallemettitore verso la base, ovvero questi elettroni riescono a modulare la
conducibilit della base e solamente dello strato meno drogato del collettore.

48

N
N++
P

fig. 29 Profilo delle concentrazioni al punto B

In questa situazione la base effettiva del dispositivo la somma della base metallurgica
della parte N del collettore:
W = WB + W N

(6.6.4)

Sostituendo si ottiene:

I =
2

4 q DB2 AE

(W

QE

+ WN )

DE

IB

(6.6.5)

Questo significa che nel punto B la corrente di collettore pi alta. Nello stesso tempo la
resistenza duscita aumenta perch bisogna aggiungere il tratto di silicio di tipo N che ha
una propria resistivit N ed un suo spessore W N per cui si ha:

R2 = R1 + N

49

WN
AE

(6.6.6)

Il fatto che la resistenza duscita aumenta implica che I C aumenta pi lentamente


allaumentare della VCE come indicato dalla variazione di pendenza della caratteristica.
Ci si sposta infine nel punto C.
Si passa alla zona di normale funzionamento dei transistor di segnale in cui la base
effettiva coincide con la base metallurgica, cio quando la giunzione B E polarizzata in
diretta e la giunzione B C polarizzata in inversa.
In tal caso il profilo degli elettroni si annulla proprio nella base, ma tutto il collettore ha
una sua resistenza: per cui mentre nella formula si deve inserire soltanto lo spessore della
base WB :

I2 =

4 q DB2 AE QE
W

2
B

DE

IB

(6.6.7)

N
N++
P

fig. 30 Profilo delle concentrazioni al punto C

per la resistenza totale del dispositivo bisogna aggiungere alla R2 un altro termine, che
pi pesante, perch ha la resistivit dello strato di collettore che deve tenere la tensione:

R3 = R1 + N

50

W
WN
+ N N
AE
AE

(6.6.8)

Tutto ci significa che il punto C ha una maggiore portata in corrente perch la base
effettiva del dispositivo si ristretta ma la resistenza duscita molto alta.
Dal punto C in poi si ha il funzionamento classico di un transistor di segnale, mentre la
zona di saturazione tipica dei dispositivi di potenza. Infatti, mentre un dispositivo di
segnale non lavora quasi mai come interruttore, uno di potenza lavora sempre come
interruttore.
Per lavorare come interruttore quando nella fase ON deve avere una bassa caduta di
tensione e quindi non pu lavorare in zona attiva perch se il dispositivo di potenza
lavorasse in quella zona, la caduta di tensione nella fase ON sarebbe di parecchi Volt.

51

7. ROTTURA SECONDARIA INVERSA

7.1 Fenomeno della rottura


Finora si descritto il funzionamento di un transistor quando acceso, non tenendo conto
che il transistor continuamente, durante il suo funzionamento, passa da una fase ON ad
una fase OFF e viceversa.
Uno dei problemi pi interessanti per quanto riguarda la realizzazione dei dispositivi di
potenza capire cosa succede durante le transizioni tra lo spegnimento e laccensione, che
sono le fasi pi critiche perch il dispositivo sempre sottoposto contemporaneamente ad
un incrocio tensione corrente e quindi ad una potenza molto alta e deve avere la capacit
di sopportare questa potenza e di smaltirla senza alcun pericolo.
Si consideri, allora, il problema della rottura secondaria inversa ovvero della
sollecitazione che il dispositivo deve sopportare durante lo spegnimento.
Le condizioni sono:
1) Il dispositivo inizialmente acceso.
Questo significa che c una corrente di collettore che sta attraversando il dispositivo
che polarizzato opportunamente.
IC

IK

VCE
+

VBE
-

VCE

VCEsat

fig. 31 Transistor acceso

Affinch il dispositivo possa funzionare si sta forzando una corrente di base,


polarizzando la giunzione B E in diretta;
2) Ad un certo punto vuole spegnere il dispositivo dando un gradino di corrente alla base
(o mediante una tensione VBE negativa ed imponendo una corrente destrazione
controllata): la corrente I B positiva diventa un impulso di corrente negativo;
3) Dopo un certo ritardo dal momento in cui si iniziato ad estrarre le cariche dalla base,
la corrente di collettore comincia a diminuire, cio il dispositivo inizia a spegnersi.
52

Nello stesso tempo la tensione VCE , che prima era bassissima (1 1,5V ) incomincia ad
aumentare e tende al valore di tensione imposto dal circuito esterno.
VCE

IC
IB

tst

fig. 31 Variazioni tensione corrente durante lo spegnimento

Lintervallo di tempo compreso tra listante dinizio dellestrazione in base e listante


dinizio della caduta a zero della corrente di collettore si chiama tempo di storage. Questo
abbastanza lungo in alcuni dispositivi di potenza (1 2 s ) : in ogni caso durante questa
transizione la corrente sta scendendo, una tensione sta salendo e il dispositivo sottoposto
ad una certa sollecitazione.
Quindi, le ipotesi base sono:
1) Il transistor opera in Turn off con carico induttivo;
2) La corrente di base uscente in seguito a una forte estrazione di base;
3) La giunzione B E polarizzata in inversa.

+V C C
B

IB

fig. 32 Transistor con B E polarizzata in inversa

53

In virt di ci, il transistor costretto a sopportare la potenza relativa allincrocio I V


per V >> VCE 0 .
Il problema sta nel trovare quale zona del transistor maggiormente sollecitata.
La struttura interna pu essere rappresentata come di seguito:

IB

+
A

P
N
E (campo elettrico)

fig. 33 Struttura interna di un BJT

Quando si spegne il dispositivo significa che si stanno estraendo cariche dalla base e
questa corrente passa sotto lemettitore. Visto che la base ha un suo drogaggio, quindi una
sua resistivit, anche se bassa, sotto lemettitore il silicio ha una sua resistenza intrinseca.
Ci implica che la corrente di base attraversando questa resistenza produce un c.d.t. tra i
punti A e B. Dallesterno si convinti di stare polarizzando in inversa la giunzione B E,
applicando per esempio V BE = 5 V , ma la c.d.t. precedentemente determinata tra A e B fa
in modo che alcuni punti al centro dellemettitore siano ancora polarizzati in diretta. Si ha
dunque un terzo della giunzione B E polarizzata in diretta nonostante si pensi che tutta la
giunzione sia polarizzata in inversa.
Durante lo spegnimento si determina unaltra condizione:
la tensione tra base e collettore non pi bassa come nella fase ON, ma ha raggiunto
valori dellordine di 300 400 V , per cui il campo elettrico distribuito come in figura.
Nella base c poco campo elettrico perch molto drogata; nel collettore c invece quasi
tutto il campo elettrico, la cui area rappresenta proprio la tensione che si sta applicando.

54

Questi due fenomeni fisici, che normalmente nella fase ON e nella fase OFF sono separati,
durante la transizione sono presenti contemporaneamente e producono un danno molto
grave, perch la c.d.t. provocata dal passaggio della I B sulla resistenza laterale di base rbb
da luogo ad una polarizzazione in diretta al centro del dito demettitore:
V BC = VBE + rbb I B

(7.1)

e si ha il fenomeno dellalta iniezione nel collettore (un enorme flusso delettroni cerca
dinvadere sia la base sia il collettore determinando forti addensamenti di corrente).
Questi elettroni che dallemettitore vanno verso il collettore cambiano la legge di Poisson
secondo cui il gradiente del campo elettrico proporzionale alla concentrazione di
portatori:
dE q N (x )
=
dx

VBE > 0

Ln >> W

Questo significa che preso un dispositivo con un profilo di concentrazione del tipo in
figura, nelle condizioni statiche il campo elettrico si distribuisce come in figura:

N
N+

N-

PP(x)
E
N(x)
E

fig. 34 Distribuzione del campo elettrico

55

dN ( x ) dP( x )
dx = dx

J = 2 q D dN
N
dx

(7.2)

Questo per vale quando la concentrazione N ( x ) che c nellequazione quella che


abbiamo voluto per il collettore.
Quando, per dallemettitore si ha unalta iniezione delettroni nel collettore, queste
cariche mobili hanno una densit paragonabile o addirittura superiore alla concentrazione
di collettore (cio alla densit di cariche fisse).
Quindi nellequazione di Poisson al posto di N ( x ) si deve tener conto di questa enorme
concentrazione delettroni che arriva dallemettitore e che cambia sicuramente la
resistivit dello strato di collettore.
Quindi, allinterno della regione di carica spaziale B C lequazione di Poisson diventa:

dE q
= [N D N ( x )]
dx

(7.3)

dove:
N D la concentrazione di donori nel collettore;
N ( x ) la concentrazione delettroni.

Allinterno di questa regione di collettore si ha un campo molto alto per cui il legame tra la
velocit degli elettroni ed il campo elettrico risulta essere alterato. Infatti, se si grafica la
velocit degli elettroni in funzione del campo elettrico applicato, si ottiene un andamento
del tipo in figura:
v

vS

EC

fig. 34 Velocit degli elettroni in funzione del campo elettrico

56

Per E << EC si ha la proporzionalit tra velocit e campo elettrico:


v = 0 E

(7.4)

avendo indicato con 0 la mobilit degli elettroni e delle lacune.


Quando il campo supera il valore EC questa linearit non c pi e la velocit comincia a
saturare secondo la relazione:

v=

0 E

(7.5)

E
1+
EC

Esiste, per gli elettroni, una velocit satura v S che rimane costante al variare del campo
elettrico:
v = vS

per

E >> E C

(7.6)

Analogo discorso vale per le lacune.


Nel nostro caso il campo elettrico talmente alto che gli elettroni si muovono alla velocit
satura v S per cui la densit di corrente di questi elettroni data da:
J C = q v S N (x )

(7.7)

Sostituendo nellequazione di Poisson:


J
dE q
= N D C
dx
q vS

(7.8)

che determina la pendenza del campo elettrico, che funzione del drogaggio del collettore,
dipende dalla densit di corrente degli elettroni che arrivano dallemettitore.
Esister, allora, un valore di corrente J 0 in cui la pendenza nulla e due classi di valori in
cui la pendenza positiva nella prima e negativa nella seconda.

57

Precisamente si ha:
Per J C = J 0 = q v S N D la pendenza nulla;
Per J C < J 0 la pendenza positiva quindi verso il basso;
Per J C > J 0 la pendenza negativa quindi verso il alto.

Con ci per bassi livelli di corrente il campo elettrico massimo in corrispondenza della
giunzione B C e poi decresce nel collettore secondo la classica legge di Poisson:
dE q N ( x )
=
dx

Se per, durante lo spegnimento del dispositivo sinnesca una corrente elevata delettroni,
il campo elettrico comincia a variare la sua pendenza e diventa, ad un certo punto, costante
su tutto il collettore e se poi si vuole far commutare il dispositivo molto pi velocemente
(quindi la densit di corrente diventa elevatissima), il campo elettrico cambia pendenza ed
il suo massimo non si ha pi sulla giunzione B C, ma allinterno del silicio verso il
substrato.
Ci molto grave a causa del fatto che durante la sollecitazione si hanno
contemporaneamente due fenomeni:
1) Alta iniezione in collettore;
2) Una tensione inversa B C costante.
Bisogna, cio, soddisfare contemporaneamente a due equazioni:

JC
q
E ( x ) = E (0) + N D

q vS

WNI

VCB = I E ( x )dx = K
0

dove:
E (0 ) il valore del campo elettrico nel punto x = 0 (giunzione B C);

(W

I
N

O I rappresenta la larghezza della regione di carica spaziale;

K una costante;

58

(7.9)

Il campo elettrico dunque funzione della distanza e la sua pendenza funzione della
densit di corrente. Inoltre larea racchiusa dal campo elettrico deve essere costante.
Tutto ci ha conseguenze molto gravi: infatti, supponendo dessere inizialmente come in
figura:

N+

JC<<J0

WN

fig. 35 Campo elettrico

Larea tratteggiata rappresenta la tensione VCB che applicata, quella che deve rimanere
costante.
Quando spegniamo in maniera brusca il dispositivo, perch si vuol rendere molto veloce,
esso sottoposto contemporaneamente ad un alto campo elettrico nella giunzione B C e
allalta iniezione. Ci implica che la corrente molto alta per cui il campo elettrico
comincia ad evolvere, la sua pendenza decresce sempre pi, diminuisce la base del
triangolo e quindi aumenta moltissimo laltezza, perch larea deve rimanere costante.
Laltezza del triangolo non altro che il campo elettrico per cui, allaumentare della
corrente, esso cambia pendenza e linterazione di carica spaziale spinta verso il substrato
e tende a collassate.
Di conseguenza, poich la tensione costante, il campo elettrico aumenta moltissimo
nellinterfaccia tra il collettore ed il substrato e addirittura raggiunge valori talmente alti da
superare il campo elettrico critico del silicio.

59

N+

EC

JC>>J0
VC

JC<<J0

VCB
I

WN

fig. 35 Campo elettrico per J C >> J 0

ci implica che in quel punto si raggiunge una densit di corrente elevatissima tanto che si
ha la fusione del cristallo di silicio (aumento incontrollato di temperatura) ed il dispositivo
durante lo spegnimento si rompe.
Questo fenomeno della rottura secondaria inversa non fenomeno termico (non cio
dovuto allinnalzamento della temperatura ma fisicamente un prodotto di come
progettata la struttura: sinnesca perch E supera EC ).

7.2 Tecniche adottate per far resistere i dispositivi alla rottura secondaria inversa
Verranno, adesso, disquisite le tecniche per far in modo che un dispositivo possa
sopportare la suddetta sollecitazione.
Il campo elettrico, durante la fase di transizione, distribuito sul collettore e tende ad
assumere un picco molto elevato allinterfaccia collettore substrato che fa fallire il
dispositivo. Se invece di utilizzare un collettore che abbia solamente uno strato N (con
una certa resistivit ed un certo spessore che sono dettate dalla tensione di breakdown che
il dispositivo deve sopportare) si utilizza lo stesso strato N ed in pi uno strato a
concentrazione intermedia fra N ed il substrato, ma chiaramente molto pi vicina al
collettore, si irrobustisce il dispositivo in E SB . Infatti, se si osserva la figura ci si accorge
che la tensione nel primo caso distribuita, pi o meno, in maniera triangolare: la zona
svuotata rappresenta la base di questo triangolo, il campo elettrico laltezza.

60

IB

IB

N+

N-

ECN-N+

N
P
N

V
V

IB

IB

N+

N-

ECNN+

N
N

EN-N+ << ENN+


V

fig. 36 Differenze di campo elettrico

Se si aggiunge un altro strato la tensione si distribuir in parte anche su questo strato e vi


saranno due diverse pendenze del C.E., poich larea deve rimanere la stessa dal punto di
vista geometrico, si trasforma (a parit darea) un triangolo in una specie di trapezio, di
quadrilatero, per cui introducendo una strato N , prima che il campo raggiunga un valore
critico inizia a diventare significativo il suo contributo nel sostenere tensione.
Si ottiene un aumento della quantit (xC x B ) che prima tendeva a collassare. Come
conseguenza il campo si raggiunge per densit di correnti superiori rispetto alla struttura
monostrato.
Allo spessore W N si deve aggiungere uno spessore W N in modo che il nostro dispositivo
sia robusto. Aumentando lo spessore del collettore il dispositivo, a parit di tutte le altre
grandezze, porta meno corrente perch la corrente di ginocchio per un dispositivo dipende,
come visto, da parecchie grandezze per essenzialmente funzione dello spessore del
collettore: poich in questo caso si sta incrementando lo spessore del collettore per quanto
detto in precedenza, si sta abbassando la capacit che ha il dispositivo di portare corrente.
Un altro effetto parecchio importante che nelle caratteristiche duscita di un transistor,
poich si cambiato il profilo del collettore, ci si deve aspettare che cambier la zona di
transizione tra la zona attiva e la zona di saturazione (vedi pag. precedente).

61

Si fissi lattenzione sulle caratteristiche: il primo un dispositivo ad un solo strato di


collettore. Se si considera la zona di saturazione, in cui il dispositivo porta una corrente di
17 A con una corrente di base di 1A , uscito dalla saturazione il dispositivo ha

praticamente una sola pendenza; laltro dispositivo in cui il profilo del collettore pi
complesso la situazione molto diversa. Innanzitutto a parit di corrente di base (sempre
1A ) la corrente di ginocchio diminuita a meno di 10 A (quindi parecchio) per
cambiata anche la forma come si arriva verso la zona attiva; si nota che vi sono diverse
pendenze a differenza del primo caso in cui ve ne era solo una.
In conclusione, quando si introduce un ulteriore strato di collettore a bassa resistivit
(quindi ininfluente ai fini della tensione) di opportuno spessore, si alterano profondamente
le caratteristiche duscita nella condizione daccensione (condizioni ON statiche).

7.3 Area di sicurezza


Si vedr, adesso, cosa succede nelle condizioni di spegnimento.
Lutilizzatore, che deve impiegare un transistor di potenza, richiede sempre quelle che
sono chiamate aree di sicurezza del dispositivo.
Si tratta di una zona nel piano tensione corrente in cui lutilizzatore vuol fare lavorare il
dispositivo essendo sicuro che esso non fallisca. Nel caso visto (vedi fig. precedente) si
tratta dallarea si sicurezza inversa; lutilizzatore sa che allinterno di questarea pu
sempre spegnere il dispositivo (cio pu farlo passare dallo stato ON allo stato OFF) senza
che lo stesso fallisca. Sono dunque confrontati questi due dispositivi in area di sicurezza.
Il livello massimo di corrente poco significativo sul dispositivo, infatti sono circa 15 A
che valgono per tutti e due i dispositivi (siamo a tensioni bassissime, meno di 100 V ),
per lutilizzatore, se il dispositivo ha una tensione di breakdown come in questo caso di
circa 800 V , non pu utilizzare il dispositivo a 100 V , ma a tensioni pi alte.
In genere, un dispositivo che ha una tensione di breakdown di 900 V , lutilizzatore
preferisce mettersi verso la met perch quasi sempre si vogliono prendere:
1) Dei margini di sicurezza;
2) Occorre tenere in considerazione il fatto che ci sono sempre dei transistor spuri che
possono far si che la tensione i alcuni istanti possa andare oltre il valore della tensione
di lavoro.
In queste condizioni il primo dispositivo, cio quello con doppio strato di collettore,
garantisce 500 V alla corrente massima; se si utilizza, invece, quello con lo strato

62

singolo (anche se il dispositivo porta pi corrente), si pu garantire allutilizzatore di


lavorare con una corrente massima a meno di 300 V .
La differenza in termini di area di sicurezza, cio di capacit di poter commutare in questo
caso nel piano I V ad alta corrente e tensione, sicuramente migliore nel primo caso che
nel secondo.
In questo modo, anche se raggiunto lobiettivo dellirrobustimento del dispositivo, si
paga molto per quanto riguarda le performance in diretta.
Di seguito sono riportate alcune soluzioni che permettono di avere un dispositivo robusto
senza penalizzarlo in portata di corrente.

7.4 Doppio emettitore


Da un punto di vista tecnologico invece di realizzare lemettitore di una certa lunghezza,
se ne possono realizzare due pi piccoli contattati da una metallizzazione:

per evitare il corto


circuito base - emettitore

E
IB

IB
SiO2

N
P

B
fig. 36 Transistor con doppio emettitore

La struttura risulta essenzialmente diversa per il fatto che al centro dellemettitore, che la
zona dove durante lo spegnimento si focalizza il massimo della corrente, lemettitore
manca: per cui la focalizzazione inferiore.
Ci si chiede: visto che larea demettitore proporzionale alla portata in corrente, se si
ricaveranno gli stessi vantaggi visti prima.

63

In effetti non cosi, perch quando il dispositivo acceso la corrente di base entrante e
la c.d.t. sotto lemettitore , di conseguenza, opposta a quella di spegnimento; saranno
soltanto le zone periferiche ad essere pi polarizzate direttamente rispetto alla zona
centrale e la corrente invece di distribuirsi al centro dellemettitore si distribuir alla
periferia.
Larea centrale quindi meno utilizzata per la corrente durante la fase ON ed solo per
questo che possiamo permetterci di togliere una piccola parte dellemettitore della zona
centrale senza essere penalizzati in portata di corrente.

7.5 Dispositivo a due stadi


Si consideri un dispositivo a due stadi (si pu fare anche in maniera analoga su un
dispositivo ad un solo stadio) pi precisamente su un Darlington che costituito da due
transistor: il driver ed il finale.
Il driver di area molto pi piccola rispetto al finale, lemettitore del driver collegato
con la base del finale in modo che lamplificazione complessiva sia quasi il prodotto dei
due guadagni.
Il vantaggio di avere un driver quello di avere unalta corrente in uscita ed una corrente
di base amplificata, poich questa subisce per due volte il guadagno; con pochi mA , allora
riusciamo ad avere in uscita degli ampere o delle decine di ampere.
Questo fatto importante perch in questo modo si riesce a pilotare il dispositivo di
potenza, non con decine o centinaia di mA , ma solo con qualche mA , il che significa
avere dei circuiti di pilotaggio pi semplici ed anche molto meno costosi.
Si supponga, dapprima, di poter applicare, da un punto di vista circuitale, a questo
Darlington un diodo tra il collettore e la base con la caratteristica di avere una tensione di
breakdown pi bassa di quella del transistor.
Il diodo pu essere messo in due posizioni: allingresso (nel driver) oppure allinterno (nel
finale).

64

DIODO DI CLAMP INTEGRATO

La sollecitazione energetica deve


essere trasformata da ESB in ISB

La tensione di Clamp deve essere


minore di quella di breakdown

C
Diodo di Clamp

Diodo di Clamp

T1
B

T1
B

T2

- area "piccola" del diodo

- area "grande" del diodo

- necessit diodo di "blocco"

fig. 37 Diodo di Clamp integrato

I CL

IC
(darlin )V =VCL

I CL

IC

(T2 )V =V

CL

Si veda, adesso, cosa succede dal punto di vista circuitale se si compie tale operazione.
Quando si spegne il dispositivo e la tensione comincia a salire (se la tensione di
breakdown del diodo pi bassa di quella del transistor) appena questa raggiunge il
breakdown del diodo, questo far passare corrente che immessa nella base del transistor.
In realt se il diodo messo allingresso, affinch si possa esser certi che la corrente entri
nella base, necessario un diodo di blocco per evitare che la corrente ritorni nel circuito di
pilotaggio.
Nel secondo caso questa scelta non si rende necessaria perch il potenziale tale che la
corrente possa andare solamente allinterno della base del transistor.
Pertanto se, dal punto di vista circuitale, si riesce a mettere un diodo tra il collettore e la
base, quando il dispositivo si sta spegnendo sul finale arriva una corrente di base entrante.
Occorre ancora osservare che nel secondo caso per la corrente che circola nel diodo sar
data dalla corrente di collettore diviso il guadagno del transistor T2 .
Nel primo caso, invece, questa corrente sar data dal rapporto tra la corrente di collettore
ed il guadagno del Darlington, cio quasi il prodotto dei due guadagni.

65

Il diodo in questo caso deve sopportare una corrente pi piccola, mentre nel caso
precedente dovr sopportare una corrente pi grande e tale dovr, quindi, essere larea del
diodo stesso.
Ci si chiede cosa potrebbe succedere se durante lo spegnimento si facesse in modo che una
corrente entri dalla base.
Si detto che durante lo spegnimento del dispositivo la corrente uscente dalla base
(quindi stiamo estraendo cariche dalla base), se fisicamente questo processo sta avvenendo
allinterno del transistor e contemporaneamente tramite questo diodo c una corrente
entrante, non si fa altro che rallentare la velocit di spegnimento del dispositivo perch con
quella corrente entrante si tende di riaccenderlo. Se si fa in modo che questa corrente
entrante sia talmente grande che il dispositivo non venga pi sottoposto alla rottura
secondaria inversa ma al meccanismo della rottura secondaria diretta, che avviene
quando il dispositivo si sta accendendo (cio quando c una corrente entrante), allora si
riescono ad ottenere dei dispositivi molto robusti alla rottura secondaria inversa.
Si riesce quindi a raggiungere lobiettivo facendo in modo che il dispositivo sia molto pi
lento oppure facendo si che la sollecitazione in rottura secondaria inversa si trasformi in
unaltra sollecitazione di rottura secondaria diretta visto che costruttivamente si possono
realizzare dispositivi che sopportano meglio questa che quellaltra sollecitazione.

7.6 Diodo di Clamp


In un qualunque transistor di potenza quando si integra nella stessa piastrina un diodo,
inevitabilmente integriamo un transistor, perch tutti i dispositivi di potenza hanno il
collettore in comune, quindi se in superficie si fa un diodo, automaticamente si creato un
transistor (vedi pag. seguente).

66

C
Diodo di Clamp

TC

T1

BVCL=BVCE0<BVCER (T1, TC)

T2

Il diodo inserito tra il driver ed il finale


Il diodo realizzato con un transistor con base open (VCE0)
fig. 38 Diodo di Clamp realizzato con transistor con base open

tale transistor ha un guadagno pi alto di quello del driver o del finale

(E)

(E)
N

(B)

(B)

(C)

(E)

Larghezza di base

T1

TC

(B)

T2

necessario progettare il Finale in modo che sia robusto in ISB


si pu eliminare lo strato intermedio

fig. 39 Diodo di Clamp: struttura interna

Il diodo pertanto realizzato con un transistor con base open, con il collettore collegato a
quello del transistor e lemettitore collegato alla base del finale, ovvero allemettitore del
driver.
67

Si nota che i transistor T1 e T2 sono realizzati allo stesso modo: il finale ha unarea pi
grande rispetto al driver.
Il transistor, col quale si realizzato il diodo di Clamp, differente, infatti il suo
emettitore pi profondo rispetto agli emettitori degli altri due transistor ( T1 e T2 ), in
quanto si vuole che la base di questo transistor sia molto pi piccola rispetto alla larghezza
di base di T1 e T2 , che sono uguali.
Se la larghezza di base pi piccola ad alta tensione, quando il dispositivo sta
funzionando, il suo guadagno sar molto alto.
Si consideri il transistor TC e la sua caratteristica:

IC

VCE

fig. 40 Caratteristica duscita del TC

il transistor funziona da diodo solo quando arriva al suo breakdown ( 300,400 V ) quindi,
sicuramente non star funzionando nella zona di quasi saturazione, ma in quella attiva ad
altissima tensione.
Se funziona nella zona attiva il suo guadagno dipende solamente dalla larghezza della base
e non dalla somma della stessa e di quella di collettore e poich stato realizzato con una
base molto pi stretta questo transistor guadagner molto di pi rispetto a T1 e T2 .
Tipicamente questo transistor guadagna un centinaio, gli altri invece poco meno della
met.
Detto questo si cercher di spiegare come facendo guadagnare molto di pi questo
dispositivo si riesca a fare in modo che al sua BVCE 0 sia molto pi bassa rispetto a quella
degli altri.
Nella figura seguente si rappresenta la BVCB 0 , ossia la tensione di breakdown tra collettore
e base quando lemettitore aperto: se invece si considerano configurazioni tipo tra

68

collettore ed emettitore, quando si inserisce una resistenza tra emettitore e base, queste
tensioni sono pi basse (dipende dalla resistenza). Inoltre se si tiene conto che la tensione
di breakdown BVCE 0 , cio con base OPEN, circa la met di BVCB 0 , si ha una differenza
molto grande:
BVCE0
IC

BVCER

BVCB0
BVCES
1000 V

600 V

VCE

fig. 41 Andamento delle tensioni di breakdown

Si osserva ancora che aumentando man mano il guadagno del dispositivo la sua BVCE 0
diminuisce e viceversa, cio esiste una correlazione molto forte tra il guadagno del
transistor e la sua BVCE 0 ; considerato ci chiaro che facendo guadagnare questo
dispositivo molto di pi rispetto agli altri due, quando integriamo questo dispositivo
allinterno della struttura si certi che avr una tensione di rottura pi bassa.
La corrente passa, dunque, prima attraverso questo transistor e poi entra nella base del
finale realizzando quello che si voleva ottenere da un punto di vista circuitale. La
possibilit dintegrare il diodo di Clamp in transistor di potenza ha permesso di realizzare
dispositivi monolitici (quindi molto compatti) estremamente robusti in E SB senza la
penalizzazione in corrente introdotta dallo strato intermedio di collettore.
Questa soluzione particolarmente adatta per applicazioni in cui sono richieste modeste
velocit di commutazione e sono essenziali semplificazioni circuitali di pilotaggio
(accensione elettronica).

7.7 Emitter switchin


Lemitter switchin una tecnica che utilizzata per fare in modo che un dispositivo sia
robusto nella condizione di rottura secondaria inversa ed anche molto veloce:

69

IB=IC

VBE

ID=0=IE
Power MOS
fig. 42 Emitter Switching

Si consideri un dispositivo di potenza che si vuole spegnere; il circuito di spegnimento


classico per tutti i dispositivi quello mostrato in figura, con induttanza e diodo di
ricircolo.
In questo caso il transistor, invece dessere spento con la tecnica usuale attraverso la base
estraendo corrente, spento dallemettitore.
Si metta sullemettitore di tale transistor un PMOS, cio un dispositivo che ha due
caratteristiche:
1) pilotato in tensione invece che in corrente;
2) Si spegne subito, cio rispetto ad un dispositivo bipolare, un PMOS si spegne in
maniera istantanea.
Il dispositivo si spegne agendo sul gate del PMOS e non sulla corrente di base I B del
transistor, il dispositivo bipolare dalta tensione 500 1000, 2000 V , il PMOS, invece,
un dispositivo di bassissima tensione 30 40, 50 V (non deve avere unalta tensione).
Applicando al gate del PMOS una tensione negativa, in queste condizioni il PMOS si
spegne subito (in 50 ns ) ci significa che la sua corrente di drain nulla, per cui anche la
corrente dellemettitore del dispositivo bipolare nulla.
Quindi nel momento in cui si applica un segnale negativo al gate, dopo qualche decina di
ns si annullata la corrente demettitore del bipolare; di conseguenza la corrente di

collettore si trasforma tutta in corrente di base, ci significa che questo transistor si sta
spegnendo alla sua corrente di collettore.
70

Si tratta dunque di uno spegnimento molto forte, la corrente di collettore diventa corrente
uscente di base che spegne il bipolare.
Se si osservano le forme donda reali ci si accorge che durante lo spegnimento la corrente
di base e quella di collettore sono praticamente uguali. Chiaramente la corrente di base
crolla subito perch c un tempo di storage del dispositivo (che non viene annullato ma
notevolmente ridotto) che pero minore di 1s , il tempo di fall invece pu essere basso.
Utilizzando, quindi, questo PMOS si riesce ad annullare la corrente demettitore, spegnere
il transistor con una corrente di base altissima a precisamente pari alla sua corrente di
collettore.
Ci si chiede, allora, perch il dispositivo debba essere pi robusto alla rottura secondaria
inversa.
Semplicemente, nonostante si stia estraendo con una corrente di base fortissima, la
corrente demettitore nulla per cui il problema della focalizzazione sotto il dito
demettitore praticamente inesistente o meglio notevolmente ridotto.
Questo significa che si riesce a spegnere il dispositivo senza che si possa innescare il
fenomeno della rottura secondaria inversa.
Tanto per avere unidea: se si spegne attraverso la base un dispositivo da 10 A , esso ha un
tempo di storage di 2 s ed un tempo di fall di 200 ns , se invece si spegne tramite
emettitore, con questa tecnica, il tempo di storage diventa 0,5 s ed il tempo di fall
100 ns . La cosa che per interessa maggiormente che le aree di sicurezza sono

completamente diverse, in particolare se si spegne il dispositivo tramite lemettitore si


ottiene la cosiddetta area piena, vuol dire la massima tensione e la massima corrente (il
dispositivo guadagna moltissimo per quanto riguarda la sua sicurezza dapplicazione).
nuova area di
sicurezza

IC

IE
VG
fig. 43 Emitter Switching, area di sicurezza

71

8. ROTTURA SECONDARIA DIRETTA

8.1 Fenomeno della rottura


La rottura secondaria diretta il meccanismo di fallimento a cui sono sottoposti i
transistor bipolari di potenza nel momento dellaccensione, quindi il transistor si trova
nello stato OFF ad alta tensione e bassa corrente ed acceso con una corrente di base,
ovvero polarizzando la giunzione B E in diretta.
Anche in questo caso, come nella rottura secondaria inversa, gli utilizzatori richiedono per
il transistor di potenza unarea di sicurezza, detta area di sicurezza diretta. Tale area,
sempre nel piano I V, consiste nellarea allinterno della quale lutilizzatore pu
accendere il dispositivo senza incorrere nel fallimento dello stesso.
Questa delimitata dalla corrente massima del dispositivo, dalla massima tensione che il
dispositivo pu sopportare ed infine dovrebbe essere delimitata da una retta a 45 dettata
dalla resistenza termica del silicio; in effetti c una situazione diversa nella pratica,
perch esiste una zona che non risponde alle leggi dello scambio di calore tra interno ed
esterno, considerando il dispositivo come un oggetto con una sua resistenza termica.

V CE

IC

R
OFF

IB

IC
R TH

ON

area dovuta al fenomeno


della rottura secondaria
diretta

SOA

P
V CE0

V CE

t
fig. 44 Area di sicurezza e transizione OFF ON

72

Per ben capire lanomalia che si evidenzia nel grafico bisogna capire da dove inizia il
fenomeno della rottura secondaria diretta.
Inizialmente il dispositivo spento con una bassissima corrente di leakage della giunzione
B C o C E, ed unalta tensione che quella che stiamo applicando al dispositivo, poi
durante laccensione va alla sua VCES in pochi Volt e la corrente sale al suo valore
massimo: in questo incrocio il dispositivo sottoposto ad un flusso di potenza e deve
avere la capacit di smaltirla, di sopportarla.

8.2 Descrizione macroscopica


Per vedere cosa succede si parte da un modello semplice considerando il dispositivo come
un oggetto di silicio con una resistenza termica ed applicando a questa scatola una potenza
data dal prodotto della corrente di collettore per la VCE :

salto
termico
P=

P=V CE I C

T
R TH

R TH

IC

fig. 45 Modello termico

A causa di questo impulso di potenza si ha un aumento della temperatura. Tale incremento


produce un aumento della corrente che a sua volta produce un aumento della potenza
dingresso e quindi un feedback positivo.
Nello stesso tempo, a causa della resistenza termica, il dispositivo dissipa verso lesterno
una certa potenza data dal salto termico che subisce a causa dellimpulso dato diviso la
resistenza termica.
Se il prodotto VCE I C , che la potenza fornita al dispositivo, minore della potenza che
lo stesso riesce a smaltire verso lesterno allora il dispositivo stabile, in caso contrario
instabile. Nel secondo caso, dal punto di vista termico si ha un feedback positivo che porta

73

alla distruzione dl dispositivo solamente perch raggiunge una temperatura al di sopra


della quale esso non pu funzionare.
Si pu determinare un fattore di stabilit, dato da:

S = RTH VCE

I C
T

(8.2.1)

Se S < 1 il dispositivo stabile, altrimenti (S > 1) instabile.


Tale modello, comunque, risulta inadeguato in quanto:
1) Non si spiega linfluenza della geometria orizzontale sulla I SB ;
2) Non si spiega perch, se si cambia la base, lasciando inalterato il resto, cambia anche
la robustezza in questa sollecitazione, ovvero il perch c una influenza della struttura
verticale del dispositivo la quale non determina sicuramente una variazione della
resistenza termica;
3) Non spiega il motivo della asimmetria corrente tensione ovvero il perch se si
applica dallesterno la stessa potenza, una volta con unalta tensione, una volta con
unalta corrente, il dispositivo molto pi robusto in questo secondo caso che nel
primo.

8.3 Descrizione microscopica


Il fenomeno pu essere compreso se si considera il dispositivo costituito da un insieme di
N transistor elementari tutti in parallelo tra di loro (vedi fig. pag. successiva):

74

Forward second breakdown


C

S>1

S<1

E
n

P=VCE IC= i=1Pi

RTH=

T 1
= n 1
P
i=1 RTHi

VCE IC <

T
RTH

Si=RTHi VCEi

ICi
Ti

Coefficiente di stabilit locale

Condizione di stabilit

fig. 46 Forward second breakdown

Per ognuno di questi N transistor si deve calcolare il singolo fattore di stabilit, cosi come
stato fatto per quello totale, cio si presuppone che dallesterno si applichi una certa
potenza su questi N dispositivi.
Tale potenza si distribuisce in maniera pi o meno uniforme (questo da stabilire) ed
ognuno di questi dispositivi ha un suo coefficiente di stabilit, cio una sua resistenza
termica, ha una sua potenza che deve essere smaltita e cosi via.
Bisogna pensare quindi ad un coefficiente di stabilit localizzato in un qualunque punto
del dispositivo, ma tali fattori di stabilit possono essere uguali o diversi da una zona
allaltra.
Una volta trovato il singolo fattore di stabilit, si deve cercare desplicitare qualcuna di
queste grandezze in maniera da legarle ad alcuni parametri fisici e geometrici del
dispositivo.
Lunica grandezza che pu essere legata a parametri fisici o geometrici e la corrente di
collettore. Vi sono tante formule per la corrente di collettore a seconda se i dispositivi
sono planari o epibase, per tutte queste hanno delle espressioni in comune che sono

75

lesponenziale della corrente, che sempre del tipo

q VBE E g
KT

e poi una grandezza

legata alla larghezza di base che rappresenta il guadagno del dispositivo, 1 .


WB
I Ci
Ti

S i = RTHi VCE

q A n2
E
i
IC =
QB
DB

q AE D n
I C =
WB

2
i

(8.3.1)

qVBE E g
KT

PLANARI

(8.3.2)

EPIBASE

(8.3.3)

q VBE E g
KT

Dove WB la base effettiva.

N
N+
P-

WB
WB0

fig. 47 Scelta dello spessore WB

76

WB = WB 0

2 V

N
q N B 1 + B
NC

SENZA REACH THROUGH (8.3.4)

N 2 V
CON REACH THROUGH (8.3.5)
WB = WB 0 X C 1 + B +
NC q N B

Nei planari va usata la base metallurgica.


Si vuole vedere come si distribuisce nella giunzione la V BE che applicata dallesterno.
Tale tensione non determina la corrente perch, per le modalit con le quali si costruito il
dispositivo, fra il contatto di base e la giunzione deve esserci una certa distanza altrimenti
la Metal metterebbe in cortocircuito la giunzione.
Questa distanza per i dispositivi di potenza di 10 m o anche di pi che comporta una
certa resistenza tra il contatto di base e la giunzione, che si chiama resistenza di base.
Lo stesso vale fra il contatto demettitore e la giunzione, anche in questo caso esiste una
certa distanza e quindi una resistenza demettitore che pi bassa di quella della base
essendo, esso, molto pi drogato.
Esistono sempre nei dispositivi reali delle resistenze che producono un effetto
fondamentale: la tensione che vede la giunzione, che quella che determina il passaggio
della corrente di collettore, pari alla V BEest che si sta applicando meno le cadute di
tensione su queste due resistenze prodotte dalla corrente di base e demettitore:

V BE = VBEest (RBB I B + RBE I E ) VBEest I C RBE + BB


(T )

Tenuto conto che:

(T ) =

E
IC

= 0 KT
IB

ed assunto che la corrente demettitore sia circa uguale a quella di collettore.

77

(8.3.6)

il guadagno del transistor che dipende dalla temperatura tramite E che la


differenza tra il gap demettitore ed il gap dalla base.
R BE , R BB sono anche chiamate resistenze di Ballast e si possono visualizzare a cavallo

alla giunzione B E.
Con queste considerazioni si sono raggiunti importanti risultati:
1) Esistono nella struttura interna del dispositivo delle resistenze che in qualche modo
(tramite la V BE ) rientrano nel fattore di stabilit;
2) Nel fattore di stabilit entra anche in gioco il guadagno del transistor che a sua volta
legato alla temperatura.
possibile esplicitare il fattore S ottenendo la seguente relazione:

1 T A KT

S=
T
q

ln

R
+ I C BB E

KT

KT + I R + RBB

q C BE

I Ci

IC

S = S (I C , ,VCE , RTH )

(8.3.7)

(8.3.8)

Si nota che il fattore di stabilit proporzionale alla corrente di collettore, al guadagno,


alla VCE ed alla resistenza termica (un aumento del fattore di stabilit significa che il
dispositivo pi instabile).
Il dispositivo diventa pi stabile se le resistenze sono molto grandi (R BB , RBE ) (il fattore di
stabilit inversamente proporzionale alle resistenze, allo spessore della base).
Si esamina, adesso, lasimmetria del diagramma I V in rottura secondaria diretta.
Quando il dispositivo si sta accendendo, sinietta una corrente di base che produce nella
resistenza, che c sotto lemettitore, una c.d.t. che provoca un valore diverso di VBE tra
centro e periferia del dito demettitore con conseguente addensamento di corrente alla
periferia. Ci si ricollega al fatto che per irrobustire un dispositivo in rottura secondaria
inversa, si pu eliminare una parte dellemettitore senza perdere molto nella fase ON in
portata di corrente. Il tutto giustificato dal fatto che la corrente si distribuisce soprattutto
alla periferia e poco al centro del dito demettitore.
Tale aumento di corrente produce un aumento delliniezione delettroni in questa zona che
produce un allargamento della base, cio in queste zone periferiche lalta iniezione si ha
prima che nel centro del dispositivo.
78

IB

IB
N

IC
la corrente si distribuisce pi
nella periferia che nella parte
centrale

fig. 48 Distribuzione della corrente

Vbe = VBE rb I B

(8.3.9)

A L LA R G A M EN TO

fig. 49 Allargamento della base

In queste zone il dispositivo come se avesse una base pi larga che lo protegge e lo
irrobustisce a questa sollecitazione.

79

Adesso si spiega perch quando si sollecita un dispositivo ad alte correnti e basse tensioni
risulta pi robusto, infatti in queste occasioni il fenomeno dallargamento della base
molto forte.
La base non pi quella metallurgica, ma si aggiunto il collettore; il dispositivo
guadagna meno e si protegge da questa sollecitazione di feedback corrente temperatura.
Prima di esaminare lasimmetria si chiariscono due concetti:
1) La corrente si distribuisce in maniera non uniforme allinterno del dito demettitore a
causa di questa c.d.t. trasversale;
2) Pi alta la corrente, pi lallargamento della base dovuto allalta iniezione, si
comporta da feedback negativo al processo dinnesco corrente temperatura che
porterebbe il dispositivo alla distruzione.

8.4 Influenza della geometria orizzontale sulla robustezza in ISB


Fisicamente le resistenze di Ballast R BE ed R BB sono benefiche, infatti un loro aumento
determina una maggiore robustezza del dispositivo. Esse sono date da:

contatto emettitore

contatto base

contatto base

fig. 50 Resistenze di Ballast

80

RBE = RSE

dCJe
PE

RBB = RSB

dCJb
PE

IC
+
B

V BE

r be IC

IC

E
V BE =V BEest - r be I C
fig. 51 Variazione della VBE

dove PE il perimetro dellemettitore, d CJ la distanza contatto giunzione, RSE ed RSB


sono le resistenze superficiali demettitore e base.

RS una resistenza per unit di strato che inversamente proporzionale alla


concentrazione superficiale che c nellemettitore o nella base. Per cui queste resistenze
sono tanto pi grandi quanto pi grande la distanza contatto giunzione, ma sono anche
funzione del perimetro demettitore e dipendono per tanto dai processi tecnologici e dalla
geometria orizzontale del dispositivo.
Rimane, allora, giustificata laffermazione fatta in precedenza, che un dispositivo poco
interdigitato, con dita abbastanza grosse, molto robusto a questa sollecitazione, perch
chiaro che progettando dita sottili demettitore si ottiene un aumento del perimetro
demettitore e quindi diminuiscono, a parit di distanze contatti giunzione, le resistenze
di Ballast.
Occorre sottolineare che quando si realizza una struttura interdigitata non solo aumenta
molto il perimetro demettitore ma nello stesso tempo diminuisce la distanza che c tra il
contatto e la giunzione, si hanno quindi due effetti che vanno nella stessa direzione.
Si pu affermare, dunque, che una struttura molto interdigitata ha le resistenze di Ballast
molto pi basse rispetto ad una struttura poco interdigitata: se ne deduce che una struttura
di questultimo tipo sicuramente molto pi robusta in I SB .
81

La funzione di R BE ed R BB quella di produrre una reazione negativa tra corrente I C e


VBE tendente a limitare le focalizzazioni di corrente. Infatti un aumento di I C , creato da

un punto caldo, in uno qualunque dei transistor elementari provoca una variazione di
potenziale che si oppone ad un aumento della VBE , stabilizzandolo.
Nella figura che segue sono riportati i dati sperimentali che fanno vedere linfluenza dello
spessore del silicio e della larghezza dei contatti sulla robustezza del dispositivo,
rappresentata con percentuali di fallimento durante laccensione ad una tensione di 30 V
al variare della corrente di collettore.

fallimenti

%
N
xp

xp =320 m

xp =180 m

90

VCE =30 V

70

RSB =350
contatti stretti

50

contatti larghi

30
N
xp

10
2

IC(A)

fig. 51 Influenza dello spessore del silicio e della larghezza dei contatti

Si hanno due classi di curve, una dove scritto 320 m ed una dove scritto 180 m . Si
tratta dello spessore della fetta di silicio che incide sulla resistenza termica e quindi sulla
robustezza del dispositivo (minore la resistenza termica maggiore la robustezza).
Come si nota in figura, nellambito della stessa classe (S ) , a seconda se si utilizzano
contatti stretti oppure larghi si hanno curve diverse.
Se ad esempio si fanno commutare 100 dispositivi a 3 A e 30 V , si nota che nel caso di
contatti stretti ne falliscono 10 , nel caso di contatti larghi ne falliscono 20 . Dato che con
tale tecnologia si producono milioni di pezzi lanno, incrementare la resa anche di un
punto percento significa risparmiare milioni di pezzi e di dollari.
82

Esistono diversi motivi per i quali tra gli N dispositivi elementari ce ne deve essere
almeno uno diverso dagli altri:
1) In primo luogo, per il fatto che la corrente non si distribuisce in modo uniforme lungo
il dito demettitore, ci implica che non vero che questi transistor elementari devono
essere uguali anzi forse devono essere tutti diversi;
2) La piastrina di silicio deve essere poi saldata su un contenitore ponendo sul retro uno
strato di piombo stagno. Questo strato metallico si fa passare attraverso un forno ad
alta temperatura ottenendo la saldatura tra la piastrina ed il suo supporto. Si suppone
che il flusso del gas allinterno di questo forno, per un qualunque motivo, o a causa di
vortici, o a causa di particelle, crea in un punto qualsiasi un vuoto dove non si ha una
saldatura perfetta. Se ci succede, si pu asserire che il transistor elementare che
associato a questo punto sar diverso rispetto a quelli in cui la saldatura stata
realizzata perfettamente, ci perch la sua resistenza termica sar diversa e quindi
anche il suo fattore di stabilit sar diverso, perci tale transistor avr un peso diverso
rispetto agli altri;
3) Supponendo che nella giunzione ci sia un difetto cristallografico si produce un difetto
nella zona in cui si presenta, procurando funzionamenti del transistor sicuramente
anomali.

8.5 Misura dei punti caldi


Per rilevare i cosiddetti punti caldi del dispositivo si utilizza la tecnica del VBE .
Essi sintroducono, come si gi visto, per mezzo di:

Difetti cristallografici del Si ;


Non ottimizzazione geometrica orizzontale;
Mancanza lega saldante in zone limitate.
In ogni caso si ha un aumento locale di temperatura che pu essere rilevato dalla
variazione della VBE del transistor elementare associato a quel punto.
La misura della VBE permette di rilevare anche un solo punto caldo, cosa che non si pu
fare con la misura della resistenza termica totale che non viene modificata
apprezzabilmente da variazioni locali.

83

VBE = 2 (TC - T0)

TC

T1

T0

fig. 52 Misura dei punti caldi

Si consideri la sezione di un ipotetico transistor formata da tanti transistor elementari; si


supponga che, associati ad uno di questi transistor elementari, vi sia un punto caldo.
Per punto caldo si intende unanomalia che pu essere dovuta ad una della cause elencate
in precedenza. Applicando un impulso di potenza al complesso del dispositivo e
precisamente tra la base e lemettitore dello stesso, esso produce una variazione della
temperatura di giunzione.
Se tutti i dispositivi elementari fossero uguali si porterebbero tutti alla stessa temperatura
T1 , supponendo per che c ne sia uno diverso (anomalo) e quindi per qualche motivo, a

differenza degli altri, si porta ad una temperatura TC pi alta.


possibile vedere tale effetto dallesterno. Infatti se si misura la variazione di VBE dovuta
a questimpulso, quello che si vede dallesterno solo quella dovuta al dispositivo che ha
subito il salto termico maggiore, cio:

VBE 2 (TC T0 )

dove T0 la temperatura iniziale.

84

(8.5.1)

Quindi, se dallesterno misuriamo la variazione di VBE monitoriamo il salto termico

(TC T0 ) e non la media di tutti i valori.


Invece la variazione anche rilevante della RTH locale pu non provocare variazioni
apprezzabili della RTH totale misurata.

85

9. COMMUTAZIONE NEI TRANSISTOR BIPOLARI DI POTENZA

9.1 Commutazione su carico resistivo


Si consideri inizialmente la commutazione su carico resistivo tenendo conto del seguente
schema:

VCC
R
IB

fig. 53 Commutazione su carico resistivo

Le forme donda che si registrano sono le seguenti:

VCE

IC
ON

OFF
IB

VCEsat
t
tON

tOFF
fig. 54 Tempi di commutazione

86

Il dispositivo si accende somministrando alla base un impulso di corrente I B positivo;


dopo un certo intervallo di tempo il dispositivo reagisce facendo crescere la corrente I C e
nel contempo riducendo la VCE fino al valore di saturazione.
Lo spegnimento avviene, invece, con un impulso negativo in base; anche questo avvertito
con un certo ritardo e provoca un eccessivo annullamento della corrente ed un ritorno della

VCE a valori elevati ma comunque gi imposti.

9.2 Definizione dei tempi daccensione e spegnimento


Si possono valutare i tempi daccensione e spegnimento t ON e t OFF come somma di due
contributi:

t ON = t d + t r

t OFF = t s + t f

(9.1.1)

ove t d (delay time) e t s (storage time) rappresentano gli intervalli di tempo necessari
affinch la corrente di collettore senta limpulso di base, mentre t r (rise time) e t f (fall
time) rappresentano i tempi realmente necessari affinch I C vada dal valore massimo al
valore minimo e viceversa.
Pi precisamente si definiscono:
1) t d (delay time): tempo necessario affinch la VBE passi da V BE (OFF ) (negativa perch a
dispositivo spento la giunzione B E polarizzata in inversa) a V BE ( ON ) . Esso coincide
con il tempo richiesto affinch venga caricata la capacit dingresso ed quindi
funzione del valore di questultima;
2) t r (rise time): tempo necessario affinch la corrente I C vada da zero al valore
massimo. Fisicamente coincide con il tempo necessario alle cariche per transitare dalla
base al collettore e portare la giunzione B C in polarizzazione diretta. Esso dipende
dunque dal tempo di transito dei portatori minoritari in base ed anche dalla capacit
della giunzione B C;
3) t s (storage time): per comprendere il motivo del ritardo t s si considerano i seguenti
diagrammi ed il percorso nel piano I C VCE del transistor in commutazione su carico
resistivo (percorso rettilineo):

87

Profilo portatori minoritari


IC
5

ON
4

3
3

ts

2
1

OFF

VCE
WB

WC

fig. 55 Percorso transistor in commutazione su carico resistivo

Trovandosi il dispositivo inizialmente nello stato ON a causa dellalta iniezione, tanto


la base quanto il collettore sono invase da unelevata concentrazione di portatori
minoritari (elettroni) che devono essere smaltiti attraverso la base e/o per
ricombinazione prima che si possa passare allo stato OFF.
Nello svuotamento, dalla condizione dalta iniezione (5) a quella di funzionamento in
zona attiva (2), la pendenza del profilo dei portatori minoritari non varia e quindi non
varia neppure la corrente di collettore; dunque si deve attendere un certo tempo
affinch la I C manifesti apprezzabili variazioni del suo valore.
Questo tempo proprio lo storage time che quindi definito come il tempo necessario
affinch il transistor si porti dalla zona di saturazione al limite della zona attiva.
Lo storage time dipende da:

Condizioni di sovrassaturazione (cio quando profonda fosse la saturazione prima


dello spegnimento ovvero quando elevato fosse laccumulo dei minoritari);

Tempo di vita dei minoritari;


Condizioni destrazione (se si drenano con la I C negativa o si lasciano
ricombinare).
4) t f (fall time): il tempo necessario per svuotare pure la base metallurgica. Esso
dipende ancora dal tempo di vita dei minoritari ma anche dalla geometria adottata.
88

9.3 Commutazione su carico induttivo


Le considerazioni fatte finora hanno tuttavia valenza puramente didattica, infatti nella
pratica non accade mai che un transistor commuti esclusivamente su un carico resistivo,
non fosse altro che per le inevitabili componenti induttive del collegamento.
Quello che ha dunque una valenza pratica maggiore la commutazione con carico
induttivo. Le definizioni prima date sono ancora valide; ci che varia sono le forme donda
rilevate:

VCC
LP

LP

di

VCE

IC

dt

ON

OFF
L

IB

ID

VCEsat

IB

t
tON

tOFF

fig. 56 Tempi di commutazione su carico induttivo (reale)

Novit rispetto alle forme donda viste nel caso precedente sono:
1) In accensione la I C presenta una sovraelongazione rispetto al valore di regime dovuta
alla corrente inversa da cui percorso il diodo prima del suo completo spegnimento.
Sempre in accensione la VCE presenta un piccolo gradino negativo prima di ridursi
definitivamente al valore di saturazione dovuto alla c.d.t. su LP (parassita) che vede
variare la sua corrente:

VCE = VCC LP

89

di
dt

(9.3.1)

Il secondo termine del secondo membro rappresenta il gradino negativo che tanto pi
pronunciato quanto pi rapido lo spegnimento e quanto maggiore la capacit
parassita;
2) In spegnimento la VCE a presentare una sovraelongazione rispetto al valore di regime
sempre a causa dellinduttanza parassita.
Differente pure il percorso seguito in commutazione sul piano delle caratteristiche

I C VCE che sar del tipo mostrato in seguito:

IC

IC

ON

ON
2 tratto

1 tratto

1 tratto

OFF

2 tratto

VCE

OFF

ACCENSIONE

VCE

SPEGNIMENTO

fig. 57 Caratteristiche I C VCE in commutazione

Si osserva che nel caso di commutazione su carico resistivo il percorso seguito constava di
una sola pendenza (percorso rettilineo), quando il dispositivo commuta su carico induttivo
si registrano due tratti: uno a corrente costante ed un altro a tensione costante (in
spegnimento) viceversa (in accensione). Ci rende la commutazione su carico induttivo
pi stressante per il dispositivo perch esso deve attraversare uno stato nel quale si trova
contemporaneamente sottoposto alla massima tensione e massima corrente (o anche pi
per i picchi di tensione e di corrente illustrati nelle figure precedenti).

9.4 Problema del diodo


Si riveda il discorso riguardante il picco di corrente che si ha in accensione.

90

Esso causato dalla corrente inversa che percorre il diodo durante il suo spegnimento per
il drenaggio della cariche in eccesso dallo stesso immagazzinate.
Quindi larea in figura rappresenta la carica totale Qrr in eccesso nel diodo e pertanto
lentit della sovraelongazione sar funzione del diodo utilizzato:

Q rr
V CE
IC
IB

t
fig. 58 Carica totale in eccesso nel diodo

in particolare se il diodo ha un tempo di recupero grande (cio un diodo lento) la quantit


Qrr pu essere elevata ed il picco pu essere pronunciato tanto in ampiezza quanto in

durata. Quindi, sollecitazione pi grande per i BJT, commutazione pi lenta, potenza persa
maggiore.
Si pu dunque capire perch in molte applicazioni le perdite in commutazione causate dal
diodo siano pi ingenti e risulta chiara lesigenza di avere diodi veloci.
Vista la relazione:
Qrr = k I F

(9.4.1)

si comprende che ridurre la carica Qrr significa avere diodi con bassi tempi di vita.
Un espediente a questo proposito pu essere quello dimpiantare unopportuna dose di
platino che crea dei centri di ricombinazione allinterno della banda riducendo cosi il
tempo di vita. Cosi facendo si ottengono picchi di sovraelongazione di minore ampiezza e
minore durata.

91

ID

Qrr = 0,5 c
t
Qrr = 2,5 c
fig. 59 Variazione della carica totale sul diodo

Esistono inoltre degli espedienti di tipo circuitale tesi a ridurre non larea Qrr ma lentit
di picco a spese della sua durata temporale. Se, infatti, simpone dallesterno una pendenza
minore nella decrescenza di I F (con valori dinduttanza serie maggiori) essendo fissata
larea sottesa dal picco, la corrente inversa massima I RM risulter minore e la durata t rr
aumenta (tempo di recupero inverso maggiore):

ID

ID

trr
IRM

trr
t

IRM

fig. 60 Pendenza della caratteristica imposta dallesterno

Questo pu tornare utile qualora si voglia limitare lo stress sul BJT dovuto a questa
sovracorrente oppure le emissioni elettromagnetiche che a tale spike si accompagnano.

9.5 Diodi di antisaturazione


Una delle tecniche pi usate per la commutazione dei bipolari di potenza lutilizzo di
diodi antisaturazione come quelli della figura seguente:

92

D1

VCE

D2
VBE

fig. 61 Diodo antisaturazione

Scrivendo la L.K.T. alla maglia in figura:

V D 2 + VBE = VCE + VD1

(9.5.1)

Supponendo V D1 VD 2 (in conduzione) VCE VBE .


Si riesce cosi a vincolare la VCE ad un valore non troppo basso evitando la saturazione
profonda e leccessivo accumulo di minoritari. Lespediente dunque ha leffetto utile di
ridurre lo storage time t s (che fra i quattro pi lungo).

9.6 Emitter switching

IB=IC

VBE

ID=0=IE
Power MOS
fig. 62 Emitter switching

93

VCC

In questo schema la base del transistor polarizzata da una tensione costante mentre si
opera sul gate del Mosfet per pilotare la commutazione e non pi con un impulso in base.
Il Mosfet utilizzato un dispositivo a bassa tensione, perch non sopporta che pochi watt,
quindi particolarmente veloce: se ad un certo istante la sua tensione di gate si abbassa di
valore, in poche decine di ns esso annulla la sua corrente di drain e quindi anche la
corrente demettitore del BJT. Ne segue che la corrente di base coincide con la corrente di
collettore quindi si dice che il BJT si spegne alla corrente di collettore (cio i suoi
portatori in eccesso sono drenati con una corrente di base pari alla corrente di collettore) il
che rappresenta le condizioni di spegnimento pi efficienti perch pi veloci.
Ci si potrebbe chiedere: ma non possibile spegnere il transistor con una corrente di base
altrettanto grande senza luso dellemitter switching?
La risposta e NO!
Infatti uno spegnimento cosi violento determinerebbe il fallimento per rottura secondaria
inversa. Nel caso dellemitter switching, invece, la rottura secondaria inversa del tutto
evitata. Per giustificare ci basta osservare che sincorre nella rottura secondaria inversa
quando si verificano contemporaneamente due fattori:
1) Si ha una elevata tensione alla giunzione B C;
2) Si ha unalta iniezione nel collettore o nella base a causa di una forte corrente
delettroni proveniente dallemettitore;
Nel caso dellE.S. il secondo fattore non interviene semplicemente perch la I E nulla.
La conseguenza che la R.S.I. non si verifica e quindi si ha unarea di sicurezza piena.

IC

emitter switching
2
1
base switching
100

200

300

V CE

fig. 63 Confronto tra le aree di sicurezza

94

Riassumendo i vantaggi dellE.S.:

Riduzione dei tempi di spegnimento;


Area di sicurezza piena;
I problemi legati alle componenti parassite presenti in una soluzione dE.S. o componenti
discrete, sono evitati grazie alla soluzione integrata nella quale sono stati realizzati
ambedue i dispositivi necessari allo scopo (struttura compatta perch sviluppata in
verticale e non orizzontale).
Tutto realizzato a partire da una normale struttura planare; al di sopra di questa
cresciuto un secondo strato epitassiale di tipo N (durante questa fase lemettitore N + si
diffonde anche verso lalto) sul quale vengono poi eseguiti i normali passi del processo per
la realizzazione del Mosfet. Lemettitore del dispositivo non si trova pi, quindi, sulla
superficie ma in profondit: per questo si parla di una struttura ad emettitore sepolto.

9.7 Riduzione del tempo di fall


Per comprendere in quale direzione bisogna operare, osserviamo la distribuzione

t=

distribuzione cariche

delleccesso di cariche lungo una sezione di un dito demettitore:

2
t=
t=3

t=4 s

fig. 64 Distribuzione delleccesso di cariche

Si nota che inizialmente (dispositivo acceso) la maggiore concentrazione di cariche si ha ai


bordi dellemettitore a causa del fatto che, come gi osservato, la corrente tende a
distribuirsi ivi in modo preferenziale. Per lo stesso motivo, per, nel momento in cui le
95

cariche sono estratte (spegnimento) esse sono drenate pi rapidamente ai bordi pi che al
centro. Cosi alla fine del t s (inizio del t f ) le cariche da estrarre si trovano principalmente
addensate al centro del dito demettitore. dunque chiaro che per ridurre il tempo di fall si
deve limitare tale addensamento.
1) Una prima soluzione a questo scopo la riduzione delle dita demettitore:

300 m

tS = 1,85 s

150 m
tS = 1,80 s

tr = 240ns

tr = 155ns

fig. 65 Riduzione delle dita demettitore

I risultati appena riportati mostrano che si ha un notevole vantaggio (quasi


esclusivamente nel t f visto che il t s legato alle cariche inizialmente immagazzinate
nella periferia).
Vantaggi:

Riduzione del fall;


Irrobustimento del dispositivo in R.S.I. perch un assottigliamento delle dita
demettitore rende pi difficile la focalizzazione della corrente sotto lemettitore
stesso.
Svantaggi:

Indebolimento del dispositivo in R.S.D. perch un emettitore pi interdigitato


significa un perimetro demettitore maggiore ed una diminuzione della distanza
contatti giunzione, quindi resistenze di Ballast pi piccole e coefficiente di
stabilit pi grande.

96

2) Questo svantaggio non si ha sfruttando unaltra possibile soluzione per la riduzione del
tempo di fall: essa consiste nellaumentare la parte centrale dellemettitore al di sotto
del quale si ha un addensamento delle cariche residue.

hollow

standard

fig. 66 Hollow emitter

Vantaggi:

Riduzione del tempo di fall perch diminuita la regione del dispositivo in cui si
ha laccumulo residuo;

Robustezza in R.S.I. perch si ostacola la focalizzazione sotto lemettitore che


solitamente si verifica al centro del medesimo.
Svantaggi:

Diminuzione della portata in corrente. Va per considerato che la perdita non


proporzionale allarea eliminata perch si osservato che la zona centrale
demettitore contribuisce poco perch la parte principale della corrente si concentra
alla periferia del medesimo: la perdita di portata perci del tutto accettabile

( 10% ) .
Possibilit di cortocircuiti emettitore base.

97

9.8 Soluzione Darlington

Q 1 vengono rimosse

Q1
IB

Q 2 si ricombinano

T1

Q2

V BE(off)

T2

R2

R1

fig. 67 Schema Darlington

Possibili soluzioni:
1) Estrarre con una VBE (off ) maggiore del breakdown base emettitore;
2) Inserire una resistenza R1 (in parallelo alla giunzione B E del driver) molto piccola;
3) Inserire un diodo destrazione in parallelo tra base emettitore del driver.

IB

T1
T2

fig. 68 Schema Darlington con diodo destrazione

Da un punto di vista circuitale possibile estrarre con una VBE (off ) inversa maggiore della
tensione di breakdown base emettitore; tale tensione raggiunge circa 12 V , mentre il
dispositivo dovrebbe spegnersi con una tensione di circa 15 20 V . Ci da un punto di
vista applicativo crea molti problemi ed un costo elevato.
Si veda adesso la seconda opportunit.
Durante la fase ON, quando il dispositivo acceso, nella base del driver vi sono
accumulate una certa quantit di cariche Q1 , nella base del finale una quantit di
98

cariche Q2 pi grande rispetto a quella del driver perch larea T2 molto pi grande di
quella T1 . Durante lo spegnimento con una corrente di base si tenta destrarre queste
cariche. Per quanto riguarda il transistor T1 valgono tutte le considerazioni fatte per il
transistor singolo, tutte le cariche che per ci sono in T2 non hanno alcuna possibilit di
essere estratte. Infatti, queste non possono essere estratte attraverso la giunzione B E
polarizzata inversamente; teoricamente per potrebbero essere estratte attraverso la
resistenza R1 . Ci si rende conto, per, che affinch ci possa avvenire in maniera
apprezzabile necessario che questa resistenza abbia un valore molto basso. Ci comporta
che lemettitore e la base di T1 sono in cortocircuito e che quindi il Darlington un
semplice transistor, perdendosi cosi il significato della struttura a due stadi. In effetti la R1
molto elevata e le cariche che sono estratte attraverso essa sono praticamente inesistenti.
Le cariche rimangono quindi bloccate in questa sacca di potenziale e quindi
apparentemente si condannati ad avere un dispositivo a due stadi estremamente lento.
La terza soluzione sembra la pi conveniente. Infatti, questo diodo ha la capacit di creare
un cortocircuito tra la giunzione B E. quando, invece, il dispositivo in funzione, questo
diodo deve avere una tensione abbastanza alta a far si che da un punto di vista circuitale,
come se non ci fosse. In tal caso il problema dello spegnimento risolto.
Si passa, adesso, alla realizzazione del diodo destrazione (vedi figura).
Durante la fase ON, la giunzione B E polarizzata direttamente il diodo invece deve
essere polarizzato inversamente, in questa fase il flusso della corrente indicato in basso,
come si nota dalla stessa figura, il diodo come se non ci fosse.

T1
B

T2

E
ON

R1

R2

fig. 69 Schema Darlington con diodo destrazione in fase ON

99

Fase ON:

Giunzione B E in diretta, diodo D in inversa

Fase OFF:

Giunzione B E di T1 in inversa, diodo D in diretta.


ON

OFF

T1

T2

T1
T2

fig. 70 Schema Darlington con diodo destrazione: direzioni delle correnti destrazione

Durante lo spegnimento, la giunzione B E di T1 in inversa, il diodo in diretta e la


corrente uscente.
Si ha la possibilit dintegrare allinterno della struttura un diodo di questo tipo, per
occorre osservare che, quando in un transistor di potenza caratterizzato dal fatto che sul
retro del dispositivo si ha il collettore si realizza il diodo, necessariamente stato creato un
transistor (il collettore c sempre).
La struttura reale quella della figura seguente:

100

T1
T2
IB1

Te

IB3

R1

R2

fig. 71 Schema Darlington con diodo destrazione: direzioni delle correnti destrazione

Il diodo destrazione si pu realizzare con un transistor a bassissimo guadagno ( << 1) .


1) La base del transistor destrazione nella base del finale;
2) Lemettitore collegato alla base del driver mediante metallizzazione;
3) Il collettore comune.
Quindi la giunzione B E di questo transistor a svolgere il compito di diodo
destrazione.
Dove il collettore comune a tutti e tre i transistor, questa comunque una necessit
tecnologica e non una scelta.
Come si nota la base di Te collegata alla base del finale, lemettitore invece alla base del
driver mediante metallizzazione.
Si esamini adesso la figura seguente:

101

Te

T2

T1

diodo

driver

B
P

N
P

finale

++

fig. 71 Realizzazione del diodo destrazione

1) La base del transistor destrazione formata separatamente con una deposizione di


boro P + + ;
2) In tal modo la giunzione B E estremamente sottile ( 2 m ) ;
3) La base molto profonda e drogata.

N+

++

emettito

emettito

re Te
re stand
ard

base Te
ndard
base sta

10

fig. 72 Profilo delle concentrazioni del diodo destrazione

102

Driver e finale sono realizzati allo stesso modo. Allinterno della base del transistor finale
realizziamo una base molto pi drogata P + + ed infine un emettitore realizzando cosi un
transistor N + P + + N .
Il collettore in comune a tutti e tre i transistor, lemettitore di Te collegato alla base del
driver, infine la base del finale collegata allemettitore del driver.

Te si realizza con una base molto drogata, perch deve avere un guadagno molto pi
piccolo dellunit. Lunico modo per far s che un transistor si avvicini ad un diodo
quello di farlo guadagnare molto poco (circa 1 1000 per essere efficiente).
Si veda, adesso, il perch del basso guadagno dal punto di vista circuitale. La struttura
quella della figura seguente:

T1
T2
IB2
R1
R2

IB3
T3

fig. 73 Dimensionamento del diodo destrazione

dove:
I B 2 = corrente estratta dalla base del Darlington;

I B 3 = corrente estratta dalla base del finale del diodo.


Il guadagno del transistor T3 (Te ) dato da:

103

I B2
I
I B3 B 2
I B3
3

(9.8.1)

Si nota che affinch I B 3 sia molto grande il guadagno deve essere estremamente piccolo.
Infatti, se << 1 si ha un aumento della corrente destrazione e la VCE 0 di T3 sar uguale
alla VBE 0 di T2 .
Pi piccolo il guadagno pi facilmente si riesce ad estrarre le cariche dalla base.
Per avere un ordine di grandezza un Darlington senza diodo destrazione ha un tempo di
spegnimento di circa 5 6 s , lunico per renderlo veloce , in teoria, quello di abbassare
il tempo limite in modo da far ricombinare pi velocemente le cariche.
Se, invece, si utilizzano dei diodi destrazione si ottengono dei Darlington con tempi di
spegnimento anche pi bassi.

104

10. POWER MOS

10.1 Introduzione
I Power Mos hanno dei grossi vantaggi rispetto ai bipolari:
1) Il pilotaggio di questi dispositivi non in corrente ma in tensione. Questa una
caratteristica importante in quanto si riescono ad ottenere elevate intensit di corrente;
2) La conduzione dei dispositivi avviene per cariche maggioritarie il che elimina il
problema della R.S.I. ;
3) Mentre nei dispositivi bipolari esiste un feedback positivo tra temperatura e corrente,
nei dispositivi Mos avviene esattamente il contrario, cio un aumento della
temperatura fa diminuire la portata in corrente (feedback negativo che tende a
stabilizzare il dispositivo);
4) Un altro punto molto importante che il PMos un dispositivo a due livelli di
metallizzazione, cio si ha la possibilit di realizzare la metallizzazione dei source
(equivalente dellemettitore) in modo molto pi uniforme rispetto a quella di un
emettitore.

10.2 Tecnologie dei Mos


Si sviluppano in avanti i metodi costruttivi dei Power Mos.
1) Si parte dalla solita fetta di silicio drogata di tipo N + e si fa crescere per via
epitassiale, cosi come per i bipolari, lequivalente del collettore, cio uno strato di tipo

N ossia il drain del PMos;


2) A questo punto sulla superficie del drain cresciuto un ossido dello spessore di 1 m ,
indi si aprono delle finestre ed attraverso queste simpianta del boro ad alta dose,
creando cosi una giunzione P + N ;
3) Successivamente viene eliminato questo ossido e si fa crescere, su tutta la superficie
del silicio, un ossido sottile che una parte vitale del dispositivo, questo lossido di
gate del dispositivo;

4) Su questo ossido sottile depositato un silicio policristallino detto polisilicio (tipo


amorfo, resistivit molto ridotta);
5) A questo punto si fa unaltra fototecnica la cui caratteristica che la larghezza di
questa finestra pi grande rispetto a quella aperta in precedenza. Si fa allora un altro
impianto di boro con dose ancora pi bassa rispetto al caso precedente. Tale giunzione
sar caratterizzata da due profili uno a basso ed uno ad alto drogaggio ( P + e P );
105

6) Indi si diffondono ancora queste specie con un processo tecnico ad alta temperatura.
Quando diffondiamo il dispositivo, ci si trova in una situazione in cui si creata una
giunzione del tipo (PN ) , con una forma particolare. Si cosi creato il body del PMos;
7) Bisogna dunque realizzare il source del PMos. Si opera unaltra fototecnica: si crea in
una zona centrale di questa sacca una mascheratura e quindi delle finestre;
8) Dallalto si fa un impianto darsenico di tipo N con dose molto alta, formando cosi
delle sacche in superficie di tipo N + . Il secondo impianto di boro e limpianto
darsenico sono stati realizzati con la stessa mascheratura, questo significa che la linea
che serve per delimitare la zona in cui impiantiamo, da quella in cui non impiantiamo
la stessa sia per quanto riguarda il P sia per quanto riguarda il source (struttura
autoallineata). La zona P stata portata sotto perch prima era stata piantata in
superficie, ma quando diffonde in verticale diffonde anche in lateralmente. Pertanto
questo P che stato impiantato a filo con il silicio per la diffusione laterale va sotto
lossido di gate e sotto il polisilicio. A questo punto si elimina quel pezzettino dossido
che servito per evitare che il source avesse continuit e depositiamo su tutta la
superficie un isolante detto P VAPOX (si tratta di un ossido drogato che non
cresciuto termicamente ma depositato su tutta la struttura);
9) Dopo di ci si realizzano i contatti del dispositivo; viene aperta una finestra e
successivamente si mette una metallizzazione, evaporando dappertutto dellalluminio
che serve per contattare il source del PMos. Si osserva che il source cortocircuitato
con il body. A questo punto, almeno concettualmente, si realizzato il dispositivo;
infatti dalla parte inferiore si prende il drain, dalla parte superiore si ricava il source,
per quanto riguarda il gate uscir un punto del body in cui si pescher proprio il gate.

10.3 Principio di funzionamento


Si supponga dapplicare un potenziale positivo al drain del dispositivo (substrato N );
allinterno del source, che molto drogato e di tipo N , si ha una quantit molto elevata di
elettroni. Un elettrone che si trova in questa zona, quando si polarizza positivamente il
drain, tende a scendere verso questultimo attratto dalla tensione positiva VDS ; nel suo
cammino, per, trova una giunzione PN e non ha energia sufficiente per oltrepassarla.

106

D
N

fig. 74 PMos

Si supponga adesso di polarizzare anche il gate del dispositivo (anche in questo caso
positivamente, 1 2 V ). Polarizzando positivamente il gate, vengono richiamate alla
superficie del silicio delle cariche negative.
Quando sono richiamati degli elettroni in superficie, la zona di tipo N si arricchisce e
diventa N + (pi drogata). Si ha, quindi, una zona molto sottile, al di sotto del m , di tipo

N + . Gli elettroni che sono richiamati in superficie in una zona di tipo P non fanno altro
che impoverire la superficie che da tipo P tende a diventare P .
Ci sar un valore di tensione, per esempio 5 V , per cui nel silicio di tipo P le
concentrazioni di elettroni e lacune iniziano ed essere paragonabili.
Ci saranno valori di tensione per cui la concentrazione delettroni sulla superficie supera
quella delle lacune, si dice allora che il materiale inverte (la zona di tipo P diventata di
tipo N ), ovviamente questo accade in uno strato molto sottile ( 0,5 m ).
La tensione alla quale ci avviene detta tensione di soglia del dispositivo.
Superata la tensione di soglia, lelettrone che dal source deve andare al drain, per obbedire
alla VDS , si trova davanti strati di tipo N passando tranquillamente. Cio tutto il suo
percorso sino al substrato di silicio di tipo N questo molto importante perch ci

107

significa che lelettrone considerato si comporta da portatore maggioritario: come un


elettrone che si muove in una resistenza.
chiaro che aumentando il potenziale del gate aumenta anche il flusso di corrente che
passa nel canale, si pu pertanto modulare la corrente che passa nel dispositivo.
Seguono le caratteristiche duscita del dispositivo:

ID

RON

ID

vG

VDS
fig. 75 Caratteristiche duscita del PMos

Esse sono completamente determinate da:

Resistenza duscita:
RON = RCI + R ACC + R JF + REPY + RM

(10.3.1)

Portata in corrente:

I D = n

C OX W
(VG VT )2
2 L

Le grandezze che determinano il comportamento in corrente sono:


1) Mobilit n ;
2) Tensioni di soglia VT ;
3) Capacit dellossido gate C OX ;
4) Lunghezza di canale L ;
108

(10.3.2)

5) Larghezza del canale W ;


Allinterno del canale la concentrazione non costante. Ci significa che quando si
applica un potenziale al gate, si avranno delle zone a concentrazione pi bassa che
sinvertono prima delle zone a concentrazione pi alta.
La concentrazione che determina la soglia quella pi alta, in quanto la corrente passa
soltanto quando sinverte il punto di massima concentrazione del canale, che determina la
tensione di soglia del dispositivo.
Si veda, adesso, di spiegare i motivi per i quali il source (che costituito dalle sacche N + )
deve avere un vuoto (per quanto visto finora, il dispositivo PMos funziona allo stesso
modo anche se il source risulta continuo), e per quale motivo stata inserita la sacca P +
visto che invece il cuore del funzionamento la sacca P .
Se si osserva attentamente la struttura del PMos, si vede che mentre si realizza il
dispositivo, nello stesso tempo stato realizzato anche un transistor bipolare. Come si
nota, lemettitore di tale transistor bipolare collegato con il source, la base
cortocircuitata, attraverso la metal, con il source, che a sua volta cortocircuitato con il
body. Il collettore, invece, cortocircuitato con il drain, da qui lo schema equivalente di
figura:
GATE POLISILICON
P-VAPOX
THERMAL OXIDE

Al

SOURCE
N
P

fig. 76 Componenti parassite nella struttura PMos

109

Se si osserva attentamente lo schema equivalente si capisce perch il source stato fatto


con un vuoto e il perch stata inserita la sacca P + .
Infatti la mancanza del source serve a cortocircuitare lemettitore e la base di questo
transistor bipolare parassita che venuto spontaneo, ma che non desiderato in quanto si
visto che i transistor bipolari hanno parecchi problemi (rottura secondaria diretta,
inversa, problemi dalta iniezione che nei PMos non esistono).
Questo per non basta perch nei bipolari, in alcuni casi, anche mettendo dallesterno un
cortocircuito tra emettitore e base, internamente possono esserci situazioni in cui, a causa
delle resistenze trasversali sotto lemettitore, alcune zone sono polarizzate in diretta.

fig. 77 Rappresentazione dei transistor parassiti

Per essere certi che ci non avvenga nel PMos si realizza questa sacca P + allo scopo di
ridurre al minimo la resistenza che c sotto il source evitando cosi che in alcune
condizioni questo transistor possa innescarsi, pur essendo con la base e lemettitore
cortocircuitati, procurando seri problemi.
Consideriamo il circuito equivalente di figura, dove RP la resistenza intrinseca del
silicio sotto il source e C la capacit della giunzione body drain:

110

P B
C

P
RP

C
+

B BODY P
C

DRAIN N

RP

G
-

VBE

fig. 78 Innesco del transistor parassita

Si ha la necessit, quindi, di diminuire la resistenza RP :

Diminuzione della lunghezza del source;


Diminuzione della RS sotto il source;
la corrente in tale circuito, si pu esprimere nella forma:

i=C

dv
dt

Tale corrente pu creare una c.d.t. data da:

V = RP i = RP C

dv
dt

Questo significa che ci possono essere delle condizioni di dv

dt

che sono dettate

dallequazione differenziale scritta in precedenza, al disopra delle quali ci possono essere


punti dellemettitore polarizzati in diretta.
Infatti perch ci avvenga basta che sia:

111

V
dv
> BE
dt RP C

(10.3.3)

deve, pertanto, essere soddisfatta la condizione:

V
dv
< BE
dt RP C

Questi alti valori di dv

dt

(10.3.4)

possono produrre una situazione in cui sinnesca il transistor

parassita ed il dispositivo PMos si rompe e fallisce, ma non perch la struttura del PMos
debole ma soltanto perch allinterno sinnesca il transistor parassita.
Per migliorare questa situazione si realizzano, in genere, due accorgimenti:
1) I source sono realizzati quanto pi corti possibile ( 3 4 m );
2) Si fa in modo che la resistenza RP sia quanto pi bassa possibile (si deve quindi
drogare questo P in maniera molto alta).

10.4 Mobilit
Quando si studia il moto di un elettrone (lacuna) in un reticolo si associa ad esso una
massa efficace che non coincide con la massa effettiva della particella perch ingloba in se
leffetto delle interazioni di questa con il reticolo e permette di considerare la particella
libera nella struttura cristallografica.
Se si indica con E il campo elettrico cui lelettrone soggetto e con c il tempo medio tra
due collisioni si pu uguagliare limpulso forza per tempo alla variazione della quantit di
moto:

q E c = me v

(10.4.1)

Da questultima:
q c
v =
me

posto

n =

q c
(mobilit) segue:
me

v = n E
112

(10.4.2)

Ci che interessa capire quale sia la dipendenza della mobilit dalla temperatura e dalla
concentrazione. A questo scopo si consideri che si pu ottenere come:

n1 = L1 + I1

(10.4.3)

ove L il contributo dovuto allinterazione con il reticolo e I quello dovuto


allinterazione con le impurit, cio con il drogante. Si hanno dipendenze del tipo:

L m

5
2

3
2

I m

1
2

1
I

3
2

(10.4.4)

ovvero L decresce con la temperatura mentre I crescente con T .


In generale esiste un range di temperatura in cui n cresce con T (predomina I ) seguito
da un range nel quale n decresce con T . Tuttavia come evidenziato nella prima figura
della pagina successiva, per normali valori di concentrazione e temperatura non si risente
apprezzabilmente del primo range. Quindi nelle condizioni pratiche si pu sempre
assumere che la mobilit sia decrescente con la temperatura (prima figura).
Per quanto riguarda, invece, la dipendenza dalla concentrazione di drogante basta
osservare che il contributo dinterazione con le impurit crescente con la quantit N I .
Ne segue che la mobilit sempre decrescente con la quantit di drogante (seconda
figura).
interessante notare anche la dipendenza della mobilit dal valore del campo elettrico.
Dalla (10.4.2) sembrerebbe di poter assumere n indipendente da E e quindi v sempre
proporzionale al campo elettrico. In realt ci vero solo entro certi intervalli di E poich
superati i 2 3 V m landamento della velocit tende ad assestarsi ad un certo valore
detto velocit di saturazione, ulteriori aumenti di E non contribuiscono pi ad aumentare
la velocit di drift della particella (terza figura).
Altra informazione utile quella riguardante gli effetti dellorientamento cristallografico
sulla mobilit. Si ricorda infatti che la mobilit dipende dalla massa efficace della
particella che a sua volta funzione delle interazioni con il reticolo; da ci si deduce che
una dipendenza deve sussistere necessariamente.

113

In particolare si riscontra che:

e (100) > e (111)

(10.4.5)

e ci giustifica il perch del fatto che nella realizzazione dei PMos si sfrutti una fetta con
orientamento 100 e non 111 come nei bipolari; cosi facendo si agevola la mobilit dei
portatori maggioritari ai quali si affida la conduzione dei Mosfet a canale N .

10.5 Tensione di soglia


Per la tensione di soglia si pu scrivere la seguente relazione:

VT = ms

QSS
Q
+ 2 B S
C OX
C OX

(10.5.1)

ove:

ms la differenza tra le funzioni di lavoro del metallo e del semiconduttore (si ricorda
che per un generico materiale la funzione di lavoro definita come lenergia che
necessario spendere per strappare lelettrone pi esterno e portarlo ad una distanza
infinita);

QSS sono le cariche positive allinterfaccia ossido semiconduttore o allinterno


dellossido. Le prime sono dovute al fatto che allinterfaccia inevitabilmente si
vengono creare dei legami con ossigeno non saturati; quelle interne sono invece
dovute alle inevitabili impurezze (es. sodio) che si vengono a trovare nel forno per la
crescita dellossido.
2 B il potenziale di forte inversione ove invece B il potenziale dinversione, cio

il potenziale necessario per richiamare nel canale una quantit delettroni pari a quella
del drogante P preesistente in modo tale che il materiale da P passi ad N .

QS carica richiamata in superficie dal campo elettrico.


Lespressione precedente pu essere posta nella seguente forma equivalente:

VT = ms

QSS

OX

X OX + 2

KT N
N X
ln 4 KT N ln OX
q
ni
ni OX

114

(10.5.2)

da cui si vede che i parametri di processo che influenzano la VT sono:

X OX = spessore dellossido;
N = concentrazione del drogante nel canale.

Notiamo che la concentrazione nel canale non costante ma come in figura:

N-

N ++
P

N-

fig. 79 Profilo concentrazione delle cariche nel canale

Visto che sinverte per ultima la zona del canale ove la concentrazione pi alta, il valore
di N da sostituire nella precedente formula quello di massima concentrazione nel canale
cio quello che si ha nel punto del canale pi prossimo al source.
Per quanto riguarda la dipendenza dalla temperatura di VT , lunico termine fortemente
dipendente :

B =

KT N
ln
q
ni

ove il termine ni da considerarsi anchesso dipendente dalla temperatura in quanto:

Eg

KT

ni2 = N C N V

Si calcola dunque che:

115

(10.5.3)

dVT d B
1
=
2 +
dT
dt
C OX

qN

(10.5.4)

ove:

d B
1 E g (t = 0 )

B (t )
dt
T 2q

(10.5.5)

Dalle formule precedenti si deduce che:


1) La tensione di soglia diminuisce sempre con la temperatura (perch diminuisce E g );
2) Lentit di tale variazione modulata dalla concentrazione N del canale: tanto pi alta
la concentrazione e tanto pi sensibile la variazione di VT con T .

116

10.6 Dipendenza delle caratteristiche dalla tensione di gate


Nellandamento delle caratteristiche di un PMos si possono distinguere due regioni:
1) Una per bassi valori di VG nella quale sincontra una dipendenza quadratica di I D da
VG ;
2) Una per valori di VG superiori nella quale si registra una dipendenza di I D da VT di
tipo lineare.
Il primo caso corrisponde alle condizioni in cui il campo elettrico nel canale
sufficientemente pi basso del valore critico, quindi n pu considerarsi costante.
In questa regione la dipendenza di I D da VG risponde alla ben nota formula:

ID =

n C OX W
2

(VGS VT )2

(10.6.1)

e quindi

gm =

La

prima

formula

I D W
= n C OX (VG VT )
VG
L

sembrerebbe

assicurare

(10.6.2)

unindipendenza

di

ID

da

VDS .

Sperimentalmente si constata il contrario in quanto si registra un aumento di I D con VDS .


Ci dovuto ad un fenomeno analogo alleffetto Early del bipolare.

ID
Reale

Teorico

VDS
fig. 80 Differenze tra la caratteristica reale e teorica

117

Infatti, allaumentare di VDS aumenta pure la tensione inversa che contropolarizza la


giunzione drain body. Conseguentemente la relativa regione svuotata tende ad estendersi
rubando spazio al canale e riducendone quindi la lunghezza L effettiva (anche se
lallargamento della zona svuotata nel body ben pi piccola di quello nel drain visto che
questultimo molto meno drogata). Visto che nella formula di I D il parametro L figura
al denominatore, allaumentare di VDS si ha una riduzione di L e quindi un aumento di
I D . Si adotta infatti la formula corretta:

ID =

n C OX W
2

(VGS VT )2 (1 + VDS )

(10.6.3)

ove la modulazione del canale.


Nel secondo caso, se la tensione di gate sale oltre certi limiti di campo elettrico raggiunge
valori tali che la velocit satura al valore v sat . Ad esempio, gi con una tensione di 6 V di
VGS , con una soglia VT di 2 V ed un canale L = 2 m , si ha un campo elettrico:

E=

VGS VT 6 2
=
= 2V
m
L
2

che proprio il valore di E in corrispondenza del quale inizia a manifestarsi la


saturazione della velocit. Considerato che:

E=

VGS VT
L

v = n E

e sostituendo nella formula precedente si ottengono, in questa regione, delle


caratteristiche:

ID =

C OX W
v sat (VGS VT )
2

da cui si nota che la dipendenza da VG non pi quadratica ma lineare.

118

(10.6.4)

Inoltre:

gm =

W
C OX v sat
2

(10.6.5)

che non pi linearmente crescente con VG ma costante.

10.7 Dipendenza delle caratteristiche dalla temperatura


Per valutare la variazione della I D rispetto a T analiticamente sufficiente derivare le
note espressioni rispetto alla temperatura:
zona a mobilit costante

ID =

I D
= ID
T

n C OX W
2

(VGS VT )2

1 n
V
2

T

n T VG VT T

(10.7.1)

zona a mobilit funzione del tempo

ID =

C OX W
v sat (VGS VT )
2

I D C OX W
=
T
2

v
V

(VG VT ) sat v sat T


T
T

(10.7.2)

Eguagliando a zero le (10.7.1) e (10.7.2) si trova il valore di V G in corrispondenza del


quale il gradiente di I D rispetto a T nullo:

VG = VT +

119

2 n

VT
T

n
T

(10.7.3)

VG = VT +

VT
T
v sat
T

v sat

(10.7.4)

Ci che di fondamentale si pu dedurre dalle precedenti formule il fatto che la corrente


dipende dalla temperatura attraverso due grandezze:

n mobilit (decresce con la temperatura);

VT tensione di soglia (decrescente di 2 4 mV C ).

La dipendenza dalla mobilit tenderebbe a far diminuire I D con T mentre la dipendenza


dalla VT gioca un ruolo esattamente opposto. Nella pratica il primo effetto prevale ad alti
valori di corrente mentre il secondo per bassi valori.
Si pu asserire, allora, che quando la temperatura aumenta le caratteristiche a basso livello
si alzano e quelle dalto livello si abbassano compattandosi. In ogni caso esiste un punto in
cui il gradiente sempre nullo ed ivi non si registrano variazioni della corrente con la
temperatura:

ID

ID
25C

100C

25C
100C

VDS

VG

fig. 81 Variazione della caratteristica con la temperatura

Questo duplice comportamento facilmente giustificabile. Si supponga di essere a bassi


livelli di corrente, cio con valori di VGS poco superiori a VT : es. VGS = 2,5 V e VT = 2 V .
Se in queste condizioni aumenta la temperatura, il conseguente decremento di VT
120

determina una consistente variazione relativa delloverdrive VG VT , se ad esempio VT


passa da

2V

a 1,5 V

loverdrive passa da

0,5 V

a 1 V , cio raddoppia.

Conseguentemente la corrente quadruplica.


Viceversa se ci si trova ad alti livelli di corrente (es. VGS = 10 V una variazione di 0,5 V
nella VT non gioca pi percentualmente un ruolo determinante su VG VT mentre ben pi
significativo leffetto della risoluzione della mobilit che fa diminuire pure la corrente.

10.8 RDS(ON) dei PMos


Tutto quello che si detto a proposito della portata in corrente dei PMos un sofisma
perch nella pratica cosi grande da non essere un fattore limitante; infatti, visto lelevato
valore di I D , la zona in cui normalmente sono sfruttati i PMos sempre quella di tipo
resistivo (primo tratto lineare della caratteristica). Da questo punto di vista si pu
comprendere perch tutti gli studi sui PMos siano concentrati sulla possibilit di ridurre al
minimo la RDS (ON ) .
La RON si pu valutare sommando tutte le componenti resistive che i portatori (elettroni)
si trovano ad attraversare lungo il percorso che li porta dal source al drain.
Con riferimento alla figura seguente si pu scrivere:
RON = R fronte + Rretro + Rc + Racc + R jf + Repy

(10.8.1)

ove:
R fronte ed Rretro sono le resistenze delle metallizzazioni e dei punti relativi ai contatti di
source e di drain, del substrato.
Rc la resistenza incontrata dagli elettroni al passaggio nel canale.
Racc la resistenza incontrata dagli elettroni nel tratto percorso immediatamente alluscita
del canale. Infatti, nella parte del drain pi vicina allossido di gate si manifesta la
presenza di una zona dalle caratteristiche di un N + (cosi come il canale pur essendo

P si comporta da N ) che costituisce un percorso preferenziale per gli elettroni: la


Racc proprio la resistenza associata a questo tratto.
R jf la resistenza di jfet dovuta al fatto che tra una cella ed una adiacente a causa della
zona svuotata della giunzione body drain, si crea una regione strozzata simile ad un
jfet.
121

Repy invece la resistenza offerta dallo strato N epitassiale.


Si analizzano dettagliatamente i fattori pi significativi:
Rc : la resistenza di canale si pu calcolare come una qualunque resistenza:

Rc =

l
S

che si pu scrivere come:

Rc =

X OX
1
1
L
L
L
=
=

Q N W n C OX (VGS VT ) W n OX (VGS VT ) W

(10.8.2)

da cui si vede che la resistenza di canale positivamente influenzata (cio ridotta) da:
Una riduzione dello spessore dellossido X OX ;
Una riduzione della lunghezza di canale L ;
Un aumento del perimetro di canale W ;
Racc : questa componente pu essere calcolata usando una formula perfettamente analoga a
patto di sostituire ad L la quantit d

, ove per d si indicata la distanza tra due celle:

fig. 82 Distanza tra le celle

Racc

d X
2 OX
=
n OX (VGS VT ) W

122

(10.8.3)

Quindi, ancora una volta si vede un benefico effetto da:


Riduzione di X OX ;
Aumento del perimetro del canale W ;
Avvicinamento delle celle (riduzione di d ).
2
Riepilogando, le strade da percorrere per ridurre le componenti orizzontali della RON sono
principalmente:
1) Aumento della densit di celle, che determina:
Un aumento del perimetro del canale;
Una riduzione della distanza d .
2) Utilizzo del processo scalato, che determina:
Una diminuzione dello spessore dellossido;
Una diminuzione della lunghezza di canale.
R jf : tuttavia va sottolineato che procedendo su questa strada si potrebbe compromettere la
componente di jfet che ha una dipendenza del tipo:

R jf = f N , X j , d 1 , Wc1

(10.8.4)

Si vede dalla formula che la dipendenza da X j favorita da processi pi scalati (processo


scalato canale pi corto giunzioni meno profonde), ma che le dipendenze da d e
Wc sono negativamente influenzate dallo scolamento del processo.
Repy : infine, per quanto riguarda la resistenza dello strato epitassiale:

Repy =

K
X N
A N

(10.8.5)

Linfluenza di questo contributo molto diversa a seconda se si stanno considerando


dispositivi di bassa tensione o dalta tensione. Va, infatti, considerato che i dispositivi
dalta tensione, pur avendo la stessa struttura superficiale (stessa Rc , Racc ,) sono
realizzati su un substrato ben diverso da quello dei dispositivi di bassa tensione, perch
ben pi profondo e resistivo (proprio per tenere pi tensione). Allora, come evidenziato
nelle figure seguenti, se nei dispositivi di bassa tensione i vari contributi alla RON sono

123

tutti dello stesso ordine di grandezza, in quelli dalta tensione la Repy il contributo di
gran lunga pi importante. Questo lascia intendere che, nel caso dei dispositivi L.V. esiste
un certo margine dottimizzazione, in quelli H.V. c ben poco da fare. Si giustifica quindi
il fatto che a fronte dei grandi progressi recentemente ottenuti sui L.V. non stato
possibile fare altrettanto con gli H.V..

10.9 Commutazione nei PMos


Si gi osservato che essendo i PMos dispositivi a portatori maggioritari, non sono sede di
accumulo di portatori minoritari come nei BJT e che quindi le commutazioni dei PMos si
risolvono in semplici cariche e scariche di capacit. Nella figura successiva si descrive tale
modello capacitivo.
C11 la capacit tra il gate e la metal di source attraverso lossido spesso P VAPOX;

C 31 la capacit tra gate e la superficie associata allo strato dossido sottile che li separa e
si pone in serie alla capacit C 32 variabile associata alla zona svuotata tra le due celle;
C 21 la capacit tra gate e body associata allo strato dossido sottile e si pone in serie alla
C 22 variabile che rappresenta la capacit associata al canale;

C 6 variabile la capacit relativa alla regione svuotata della giunzione body drain;
infine C12 la capacit dovuta alloverlap tra gate e source. Il circuito equivalente quello
della figura seguente:

C32
C 31
G
C6

C11

C21

C12

C 22
S
fig. 83 Circuito equivalente del PMos con capacit esplicitate

124

Si ha dunque:
C gs = C11 + C12 + C 21 C 22

C gd = C 31 C 32

C ds = C 6

(10.9.1)

Si pu far riferimento alla seguente terna di capacit:


C iss = C gs + C gd

C rss = C gd

C oss = C ds + C gd

(10.9.2)

Nella figura seguente sono illustrati schematicamente gli andamenti delle tensioni e delle
correnti per una commutazione OFF ON su carico induttivo.

VG

VT
t

VDS
ID
ID(ON)

t
1

6 VDS(ON)

fig. 84 Tensione e corrente in un commutazione su carico induttivo

Si osserva che nel tratto 1 2 , dal momento in cui VG inizia a salire a quello in cui
raggiunge la soglia, il dispositivo rimane spento perch il canale non ancora formato.
Nel tratto 2 3 quando VG

raggiunge e supera VT , la I D inizia a crescere fino a


125

raggiungere il suo valore massimo mentre ancora VDS non ha subito alcuna variazione.
Nel punto 3 ci si trova in una condizione in cui contemporaneamente il dispositivo
sottoposto alla massima tensione ed alla massima corrente. Nel tratto 3 5 , solo dopo che
la I D ha raggiunto il valore desiderato la VDS inizia a decrescere a VG costante. Si
evidenziano due tratti nel secondo dei quali la pendenza di VDS subisce una brusca
riduzione. Dal punto 5 in poi la VG ricomincer a crescere fino al valore massimo e la
VDS si arrester al valore minimo imposto dalla RON .
Considerato che il tratto 2 3 percorso a tensione costante e che da 3 in poi si procede a
corrente costante, il percorso seguito in accensione sul piano delle caratteristiche il
seguente:
D

ON
6

OFF
1

V DS

fig. 85 Percorso seguito in fase daccensione

Si definisce gate charge la carica che necessario fornire al gate per far commutare il
dispositivo. Per vedere quali contributi compongono la gate charge si fa riferimento a
diagramma seguente che illustra landamento della VG in funzione della carica di gate:

126

Vg(V)
10 V

Vgm
5

10

20

30

40

50

fig. 86 Andamento della VG in funzione della carica di gate

127

11. IGBT

11.1 Introduzione
I transistor bipolari hanno il vantaggio di avere una bassa resistenza duscita alle alte
tensioni in quanto il cuore del funzionamento lalta iniezione di portatori nel collettore
che fa abbassare la resistivit dello strato, per cui la resistenza duscita non dipende da
essa ma dalla resistivit globale.
Lo svantaggio quello che un transistor bipolare deve essere pilotato in corrente, questo
comporta svantaggi per il pilotaggio e la circuiteria ad esso associata.
Un altro svantaggio importantissimo lesistenza di fenomeni di rottura secondaria
durante le commutazioni.
Invece un transistor Mos ha il vantaggio di essere pilotato in tensione e quindi grande
semplicit per il circuito di pilotaggio, ha assenza di rottura secondaria e anche bassissimi
tempi di commutazione. Infatti, non essendoci portatori minoritari, i tempi di
commutazione di un PMos dipendono dal tempo necessario a caricare e scaricare le
capacit che la struttura ha internamente (e che sono molto piccole).
Lo svantaggio quello di avere alte resistenze duscita nel campo delle alte tensioni.

11.2 Struttura dellIGBT


La cella elementare di questo dispositivo, almeno come struttura verticale, uguale a
quella di un PMos. La novit che il substrato differente in quanto di tipo P + , la
differenza quindi, da un punto di vista della struttura, tra un PMos e un IGBT che il drain
di questultimo di tipo P , cio c una giunzione P N che nel primo caso
inesistente.

11.3 Funzionamento dellIGBT


Il fatto stesso che stato aggiunto lo strato P significa che nella struttura stato creato
un transistor bipolare parassita nuovo, che un P + N P + che non esisteva nel PMos e che
ora figura nel circuito equivalente.
Il transistor NPN invece quello parassita del PMos.
Questi due transistor in questa configurazione rappresentano un tiristore che una
struttura degenerativa, nel senso che sufficiente un piccolo impulso per innescare una
reazione positiva che serve a portare il tiristore nella condizione dessere attraversato da
una corrente che diverge sempre di pi.
128

Si supponga di essere allo stato ON, cio al gate, come nel PMos, applicata una tensione
positiva maggiore di quella di soglia, anche al drain (o al collettore, usando la nuova
terminologia) applicata una tensione positiva, per cui il diodo P + N polarizzato in
diretta in quanto nella zona P vi un potenziale positivo.

( )

Questo significa che un flusso molto grande di lacune provenienti dal drain P + invade la

( )

zona N , si ha quindi una forte iniezione di lacune che da P + vanno verso N che non
fa altro che modulare la conducibilit della zona N con drastica riduzione della
resistivit (fenomeno alta iniezione). Quindi la resistenza duscita, improvvisamente,
invece di essere alta, risulta essere molto bassa, perch i portatori non vedono pi la
resistenza del diodo.
Quando invece il dispositivo nello stato OFF la tensione di gate zero e il PMos non da
corrente alla base di Q2 che quindi spento. Allora tutta la tensione sostenuta dal diodo
body drain (come nel PMos).
Invece il diodo P + N non in diretta, questo strato N ha la resistivit per la quale
stato progettato e pu sopportare la tensione che gli viene fornita.
Ovviamente ci sono una serie di problemi:
1) Esistenza di un tiristore parassita;
2) Tutte le lacune che sono iniettate durante la fase ON nella base N del PNP durante
lo spegnimento non passano dalla base del bipolare, ma si devono smaltire facendole
ricombinare pi velocemente possibile.
Si cerca, adesso, di capire come funziona: nello schema equivalente si possono trascurare,
ai fini del funzionamento, lesistenza del NPN parassita (del resto si vuole che questo non
inneschi, perch pu danneggiare il PMos).
Quindi, quando il dispositivo nella fase ON si pu semplificare in un PMos e un PNP .
Supponendo di polarizzare in diretta il dispositivo, cio sul gate c un potenziale positivo
come del resto sul drain, ci sar allora una corrente data da:
I DS = I C (h ) + I B (h )

(11.3.1)

essa la corrente totale del dispositivo che in parte sar una corrente demettitore del
PNP , in parte una corrente di collettore ed in parte una corrente di base, ma questultima

coincide con la corrente di drain del Mos.

129

IDS

(source = body = collettore PNP)

Q2

IC
IB

XEPY
N

IB

Imos

( base PNP)

N
+

IDS

IC

stato ON

(emettitore PNP = drain Mos)

S
Q2

fig. 87 Flusso di correnti allinterno dellIGBT

I DS corrente totale (lacune iniettate dal substrato);


I C (h ) corrente di lacune raccolte dal collettore del PNP ;
I B (h ) corrente di base del PNP (lacune);

I mos (e ) corrente di elettroni del canale Mos.


Si veda, adesso, cosa succede ai portatori: si detto che la giunzione E B del transistor
PNP polarizzata in diretta, vi pertanto un flusso di lacune che dallemettitore va verso

la base e tenta di raggiungere il collettore.


Ci saranno alcune lacune, che hanno un tempo di vita sufficientemente alto, che riescono
ad attraversare la base e raggiungono il collettore; queste rappresentano la corrente di
collettore.
C poi una parte di corrente di lacune che invece non riesce a raggiungere il collettore che
quella che determina la corrente di base. Nello stesso tempo sul gate esiste un potenziale
positivo, il PMos funziona, quindi c un flusso delettroni che attraversa il source passa il
canale e tende ad arrivare verso il drain.
I C la corrente di lacune raccolte dal collettore, I B la corrente di base, infine I mos la
corrente di elettroni che scende dal canale.
La corrente del Mos uguale alla corrente di base, cio:

130

I mos (e ) = I B (h )

(11.3.2)

la corrente demettitore quella di collettore pi quella di base, per cui il guadagno risulta:

PNP =

I C (h )
I B (h )

(11.3.3)

e quindi:
I DS = I mos [1 + PNP ]

(11.3.4)

Essendo:

PNP =

1
1 PNP

Si pu esprimere la corrente dellIGBT in funzione di :

PNP =

I C (h )
I mos
1

I DS =
cosh ( X L )
1 PNP
I DS

(11.3.5)

o anche:
cosh ( X L ) W
2

n C OX (VG VT )
I DS =

I
cosh ( X L ) 1 2 LC

(11.3.6)

dove:
W il perimetro di canale;

LIC la lunghezza effettiva di canale.


Nellespressione di PNP figurano altre due grandezze una X spessore della base e
laltra L data da:
L = DP P

che rappresenta la lunghezza di diffusione lacune in base.


131

La zona di svuotamento dipende dalla concentrazione e dalla VDS applicata, questo vuol
dire che il guadagno del transistor PNP una funzione molto forte della tensione che
stiamo applicando.
Quindi, se si applica una VDS sempre pi alta, visto che la zona svuotata aumenta, si
riduce la base effettiva del PNP , aumenta ed aumenta la portata in corrente del
dispositivo.
Allo stato OFF in queste condizioni il circuito equivalente non pi quello di prima, ma
bisogna considerare che l NPN pu innescare.
Pertanto si vengono a trovare due transistor in una configurazione molto strana.
Se si suppone che sulla base di uno dei due transistor ci sia un qualunque impulso (si
supponga positivo) che pu essere la corrente entrante, trattandosi di un NPN , questa pu
fare accendere il dispositivo. Se ci accade si ha una corrente si collettore che ha il verso
in figura (I 1 ) , che comporta una corrente di base uscente dal PNP che lo fa accendere e
quindi si avr una corrente di collettore (I 2 ) che una corrente di base entrante per
l NPN .
Questo crea un feedback positivo e basta un qualunque impulso, anche piccolo sulla base
su uno dei due transistor per fare in modo che la corrente diverga, teoricamente,
allinfinito. Si dice, allora, che il tiristore innesca con una c.d.t. molto bassa ed una portata
di corrente elevatissima.
A

IK

Ibase

+ P

N-

IL
N

PNP

IA

NPN

I1

I2
G

IK

IK

IA
fig. 88 Flusso di correnti allinterno dellIGBT

132

stato OFF

Se si vuole vedere il tutto da un punto di vista del flusso di corrente, il funzionamento


molto semplice: si ha una corrente I A che raggiunge il collettore del PNP tramite un suo
fattore di trasporto PNP , lo stesso dicasi per gli elettroni; ci sar infatti una corrente I K
nel collettore dello NPN che sar NPN I K , a questo punto la corrente totale del
dispositivo sar data dalla somma delle due correnti:
I A = PNP I A + NPN I K + I L

I K = I A + IG

(11.3.7)

Bisogna tener conto che anche presente una corrente di leakage e pertanto si pu ricavare
la I A come:

IA =

NPN I G + I L
1 ( PNP + NPN )

(11.3.8)

In tale espressione presente al denominatore la somma di due dei transistor

( NPN , PNP ) ; quando:


NPN + PNP = 1 I A

la corrente diverge ad infinito e si ha linnesco del tiristore, in questo caso del tiristore
parassita.
evidente che tale effetto non desiderato nellIGBT, quindi bisogna cercare di ridurre o
meglio fare in modo che la somma dei due sia minore dellunit.
Per quanto riguarda NPN non si hanno problemi, in quanto possibile ridurlo al valore
pi basso possibile.
Per quel che riguarda il PNP bisogna trovare il giusto compromesso (nellabbassare il
guadagno) per non aumentare la resistenza duscita.
Mentre le caratteristiche di un PMos ad alta tensione sono del tipo in figura, per quanto
riguarda lIGBT le caratteristiche salgono nel modo descritto; se si guardano in dettaglio si
pu fare una considerazione: sul substrato del dispositivo c un diodo P + N .

133

ID

(riduzione

ID

RON

PMOS

IGBT
0,6

VDS

VDS

fig. 89 Caratteristica dellIGBT

Questa giunzione inizia ad iniettare lacune quando la sua tensione circa superiore a
0,6 V ; pertanto, se si polarizza lIGBT con una tensione inferiore a tale soglia, il diodo
non sta funzionando, cio nel dispositivo non sta circolando una corrente significativa.
Ovviamente se si abbassa il guadagno del transistor PNP , la pendenza inizia ad
aumentare, infatti abbassando il guadagno diminuisce liniezione di questi portatori, il
fenomeno della modulazione della conducibilit esiste ancora ma meno marcato.
Si vede in seguito qualche tecnica per abbassare il guadagno dei due transistor:
un modo per controllare il guadagno del PNP consiste nellintrodurre uno strato
intermedio, cio invece di realizzare un substrato P + ed uno strato N , sintroduce uno

( )

strato di drogaggio maggiore rispetto a quello della base N di spessore abbastanza


piccolo (circa 10 m ) che serve a controllare il guadagno del PNP ad evitare che questo
sia molto alto, in quanto se si verificasse ci sinnescherebbe il tiristore parassita.
Un altro modo per controllare il guadagno del PNP quello dintrodurre allinterno di
questa struttura dei centri di ricombinazione appropriati in modo da controllare il tempo di
vita, perch se questo si abbassa il guadagno diminuisce.
Per quanto riguarda NPN , invece, si usano tutte le tecniche che si utilizzano nei PMos per
abbassare il guadagno: si cercher di ridurre al minimo la resistenza sotto il source

134

drogando la sacca P + con una dose maggiore di quella dei PMos, inoltre si utilizza sempre
la tecnica della riduzione del tempo di vita per controllare anche il guadagno dell NPN .

11.4 Funzionamento del tiristore


Il tiristore pu essere rappresentato come nella seguente figura: a volte, vista la
somiglianza, anche chiamato diodo controllato ed ha un gate attraverso il quale
possibile dare un impulso per farlo passare dallo stato di blocco a quello di conduzione:

A
iA
P
J1

vAK

iA

catodo
iG

J2
J3

N
iK

gate

C
fig. 90 Tiristore

quando polarizziamo direttamente il tiristore, quindi si applica una tensione positiva tra
anodo e catodo, le giunzioni J 1 e J 3 sono polarizzate in diretta, mentre la J 2 in inversa.
In tale condizione, si osserva che nello stato di polarizzazione diretta si ha una piccola
corrente di dispersione che non permette al tiristore di andare nello stato ON e se si
continua a dare tensione positiva crescente si arriva ad una tensione VBO che consente
linnesco del dispositivo.
Quindi, oltre che con un impulso in corrente sul gate si pu innescare il dispositivo anche
con elevate tensioni v AK .
Se invece, durante lapplicazione della v AK > 0 che una delle due condizioni, si da anche
un impulso di corrente sul gate ( I G1 , I G 2 oppure I G 3 ) allora il tiristore innesca e va nella
zona (indicata con ZONA) che rappresenta il minimo della corrente I G che il tiristore
deve far passare perch possa restare nello stato ON.
quindi un dispositivo che, se idealizzato, ha una caratteristica formata da tre semirette
che partono dallorigine.
135

iA

iA

B
stato di conduzione

polar. inversa

iG1 > iG2 > iG3 > 0

stato di blocco

vAK
caratteristica ideale

ZONA

VBO

IH
TENSIONE DI BREAKDOWN
INVERSA

VRWM

IBC

IG1

IG2
IG3

vAK

VH

TENSIONE DI BREAKDOWN
DIRETTA

fig. 91 IGBT idealizzato

Una ( A) va da zero verso la tensione positiva che rappresenta lo stato di blocco, una va da
zero verso lalto e rappresenta lo stato di conduzione

(B )

e una nella regione di

polarizzazione inversa (C ) .
La tensione VH e la corrente I H rappresentano quelle ipotetiche o reali V e I minime
che il tiristore deve sopportare perch esso possa restare nello stato ON.
Se il carico esterno, una volta che si in conduzione, diminuisce sotto questi valori, il
tiristore non riesce pi a tornare nello stato ON.
Se si polarizza inversamente il tiristore, si ha la caratteristica inversa e raggiunto un valore
di tensione V RWM si ha un breakdown distruttivo perch sinnesca un processo che porta
alla conduzione, ma anche alla distruzione dello stesso.
In genere i tiristori sono costruiti in modo tale che la VRWM e la VBO siano dello stesso
ordine di grandezza o molto vicini.
Per spiegare il funzionamento del tiristore, si usa talvolta il modello a due transistor che
valido a basse frequenze, ma da una interpretazione qualitativa pi che quantitativa del
funzionamento del dispositivo.
Se si taglia, idealmente, la struttura a quattro strati, sindividuano i due transistor Q1

(PNP ) e Q2 (NPN ) che sono fra loro collegati.


136

A
IA

IB1 = IC2

iA
J1
J2
G

IG

Q1

P
N

IC1

N
J2

IB2

J3
N

Q2
2

IG

iK

IK
K

C
fig. 92 Schema fisico dellIGBT

Si nota che I B1 = I C 2 , mentre la corrente I C1 va a finire nella base di Q2 . Quindi si pu


innescare un meccanismo di reazione positiva per cui il tiristore, dato un impulso, si
autoavvia e si mantiene nello stato ON.
Questa condizione porta alla seguente relazione per I A :

IA =

2 I G + I CB 01 + I CB 02
1 ( 1 + 2 )

(11.4.1)

che vede il coefficiente di retroazione [1 ( 1 + 2 )] al denominatore, quindi tanto pi

( 1 + 2 ) si avvicina ad uno, tanto pi la corrente

I A cresce diventando elevata.

Si vede, adesso, cosa pu causare laccensione o il Turn ON del tiristore.


Pu essere causato da un aumento di temperatura, questo fatto pu innescare il tiristore,
ma tra tutte le possibilit quella da evitare perch vuol dire far crescere progressivamente
la corrente che distruggerebbe il tiristore; non quindi un metodo utile, ma semmai
rappresenta un difetto possibile del tiristore e quindi bisogna cautelarsi per esempio nel
caso di elementi connessi tra loro in serie o in parallelo e fare in modo che abbiano la
stessa temperatura in modo tale che non si abbiano squilibri fra luno e laltro.

137

Il tiristore pu essere attivato anche da un fascio luminoso incidente allinterno della fetta
o wafer e questa, viceversa, una possibilit che viene utilizzata; esistono infatti dei
tiristore attivati mediante un diodo led emettitore e un tiristore che ha ricevuto limpulso
entra in conduzione.
Possono essere innescati anche da una tensione maggiore di quella vista in precedenza:
anche questa non conviene sfruttarla perch in tal modo non garantita laccensione ed il
mantenimento del dispositivo in vita; pu essere unaccensione che da luogo alla
distruzione.
Il tiristore pu essere acceso anche mediante elevati gradienti di tensione fra A e K .
Lultima causa dinnesco che viene utilizzata (oltre al metodo mediante diodo led) quella
mediante impulso di corrente nel gate.
Scartando il primo metodo daccensione del dispositivo, perch la reazione pu essere
distribuita e considerando che il secondo metodo utilizzato con tiristore adoperati nella
trasmissione in continua ed alta tensione, necessario avere una separazione tra il circuito
di controllo ed il circuito che sta nel convertitore vero e proprio in quanto si a livelli di
tensione molto elevati.
Il quarto metodo, si pu dire che il tiristore innesca per lelevato valore di corrente che
scorre attraverso le capacit parassite delle giunzioni.
Si riportano le capacit nello schema seguente nel quale si nota che nello stato diretto di
blocco ci che non consente lattivazione del tiristore la giunzione J 2 sicch se si
presenta ai capi A e B una tensione elevata si pu avere linnesco perch dato che:

iJ 2 =

dq S 2 d (C J 2 V J 2 )
dC
dV
=
= VJ 2 J 2 + C J 2 J 2
dt
dt
dt
dt

(11.4.2)

si nota che (supponendo variabili sia la tensione V J 2 che la capacit C J 2 ) i J 2 dipende


appunto dalle derivate di C J 2 e di V J 2 . Quindi la corrente i J 2 elevata, se elevata la
dV J 2

dt

, attraversa il corpo del transistor e quindi attiva la conduzione:

138

CJ1
A
CJ2

VJ2
B

CJ3

fig. 93 Capacit parassite nel tiristore

Il turn ON dunque:
1) Causato da un aumento di temperatura;
2) Attivato da un fascio luminoso incidente nel wafer;
3) Per tensione maggiore di VBO (tensione di breakdown);
4) Per elevato dv

dt

tra anodo e catodo;

5) Per impulso di corrente sul gate.

1) Da evitare perch innesca una reazione positiva distruttiva;


2) Usato nei tiristore attivati da fascio luminoso;
3) Da evitare perch pu dar luogo a innesco distruttivo;
4) Causato dalla presenza delle capacit parassite di giunzione.

I costruttori forniscono nei datasheet anche il valore massimo del gradiente dv

dt

che pu

essere applicato al dispositivo.

11.5 Commutazione dellIGBT


Nella commutazione degli IGBT i tempi pi importanti sono quelli di spegnimento a causa
di una dinamica di portatori che di seguito si descriver. Si gi osservato che durante la
fase ON la corrente di un IGBT si compone di due parti: una quella di portatori
maggioritari (elettroni) costituenti la corrente di drain del Mosfet, ovvero la corrente di
139

base del BJT; laltra quella di portatori minoritari (lacune) che iniettati nell N dal P +
raggiungono il body.
Quando la tensione di gate portata a livello basso per spegnere il dispositivo, la corrente
relativa al Mos si annulla subito (cosi come tipico delle rapide commutazioni del Mos)
mentre tutte le cariche minoritarie nella base del PNP rimangono intrappolate (non
possono essere estratte dal gate perch isolato) determinando una coda di corrente fino a
quando non pervengono tutte a ricombinazione.
Ci detto si possono comprendere facilmente le seguenti forme donda relative alla
corrente di spegnimento:
ID
I0

Imos
A

I1

t
2

fig. 94 Forma donda relativa alla corrente di spegnimento dellIGBT

Il tratto 1 caratterizzato da una ripidissima decrescenza e corrisponde alla fase


dannullamento della componente di corrente che attraversa il Mosfet. Quindi:
I 0 I 1 = I mos

(11.5.1)

e siccome:

PNP =

si ha:

140

I1
I mos

(11.5.2)

I1 =

PNP
I 0 = PNP I 0
1 + PNP

(11.5.3)

Il tratto 2 , invece, caratterizzato da una coda ben pi lenta durante la quale si ha una
ricombinazione dei portatori minoritari nella base del PNP . In questa fase la corrente
decresce in modo approssimativamente esponenziale:

I (t ) = I

1

P
1

(11.5.4)

dove p il tempo di vita medio delle lacune nella base del PNP .
Le formule appena ottenute danno un chiaro indirizzo di quale sia la strada da seguire cio
ridurre il tempo di vita p . Infatti, ci influisce positivamente sulle caratteristiche
dinamiche per due vie:
1) Determina una coda esponenziale pi ripida come si deduce dalla (11.5.4);
2) Determina un punto A pi basso perch si riduce la I 1 : infatti, diminuendo p si
riduce pure PNP e quindi la predetta corrente come si evidenzia dalla (11.5.3).
Ambedue gli effetti sono visibili nella figura seguente:
D

I0
p

= 850 ns

I1
p

= 400 ns

II

I1

t
fig. 95 Diminuzione esponenziale della corrente I 1

A questo punto per fondamentale sottolineare come la riduzione del tempo di vita non
pu essere illimitata in quanto va cercata come giusto compromesso tra le varie esigenze.
141

Infatti una diminuzione di p produce:


vantaggi:
1) Una riduzione del t fall ;
2) Una riduzione della probabilit dinnesco del tiristore parassita.
Ma anche una riduzione di PNP e quindi:
svantaggi:
1) Un aumento della V DS (ON ) e della RON ;
2) Una riduzione della portata in corrente.

Si sottolinea in definitiva che il tempo di vita va dimensionato per ogni particolare


applicazione che il dispositivo chiamato a compiere. In particolare si distinguono due
classi dIGBT.
Una prima classe quella dei dispositivi usati per accensioni elettroniche; si tratta
chiaramente di dispositivi per i quali la velocit non una caratteristica essenziale perch
funzionano a frequenze di pochi Hz e che invece devono avere una VCEsat piccola per
usare al meglio la tensione fornita dalle batterie. In questo primo caso non si adopera
alcuna contromisura per ridurre p e dunque si ottengono dispositivi molto lenti ( t fall di
alcuni s ) ma con VCEsat molto piccole.
La seconda classe invece quella dei dispositivi per alta frequenza per i quali la riduzione
del p si rende obbligatoria al fine di ridurre al minimo i tempi di commutazione al prezzo
di un incremento della VCEsat .
I metodi per la riduzione del p sono essenzialmente due e sono ambedue tesi alla
creazione di un congruo numero di centri di ricombinazione ausiliari nella base del PNP .

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