Elettronica La struttura MOS

(Metallo-Ossido-Semiconduttore)

Valentino Liberali

Dipartimento di Fisica
Universit degli Studi di Milano
valentino.liberali@unimi.it

Elettronica La struttura MOS

6 maggio 2015

Valentino Liberali (UniMI) Elettronica La struttura MOS 6 maggio 2015 1 / 17

Contenuto

1 Struttura MOS

2 Condensatore MOS

3 Transistore MOS

4 Transistore MOS a svuotamento

5 Transistore MOS ad arricchimento

6 Tensione di soglia del transistore MOS

7 Modello semplificato del transistore MOS

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1
Struttura MOS

MOS = Metallo-Ossido-Semiconduttore
metallo (Al)
oppure silicio policristallino
fortemente drogato

ossido (SiO 2)

semiconduttore (Si drogato)

SiO2 (biossido di silicio): un vetro con ottime propriet isolanti,

ottenuto per ossidazione superficiale del silicio
silicio policristallino (polysilicon) fortemente drogato: un buon conduttore,
quasi come un metallo

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Condensatore MOS (1/3)

M
O M
S = O
S

La struttura MOS si comporta come un condensatore a facce piane parallele, in

cui larmatura superiore metallica e larmatura inferiore di materiale
semiconduttore.
Variando la tensione tra metallo e semiconduttore, varia la carica immagazzinata.
La variazione della carica provoca un cambiamento della conducibilit del
semiconduttore.

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2
Condensatore MOS (2/3)

-
- - - - -
- V
+

+ + + + + +
+

Se la parte inferiore di semiconduttore di tipo n:

una tensione negativa applicata allarmatura superiore allontana gli elettroni del
semiconduttore n dallo strato vicino allossido, dove rimangono le cariche
positive fisse
la conducibilit del semiconduttore diminuisce

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Condensatore MOS (3/3)

+
+ + + + +
+ V
-

- - - - - -
-

Se la parte inferiore di semiconduttore di tipo p:

una tensione positiva applicata allarmatura superiore allontana le lacune del
semiconduttore p dallo strato vicino allossido, dove rimangono le cariche
negative fisse
la conducibilit del semiconduttore diminuisce

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3
Transistore MOS (1/2)

source gate (G) drain

(S) (D)

canale n

n n

substrato o bulk (B)

Vista in sezione: struttura MOS con un terminale sullarmatura superiore

(elettrodo di G = gate) e due terminali laterali (elettrodi di S = source e di D =
drain) con drogaggio dello stesso tipo dellarmatura inferiore (canale). La parte
inferiore (elettrodo di B = bulk o substrato) ha drogaggio di tipo opposto al
canale.

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Transistore MOS (2/2)

source gate (G) drain

(S) (D)

canale n

n n

substrato o bulk (B)

Le giunzioni p-n (diodi parassiti) tra source e substrato, tra drain e substrato, tra
canale e substrato devono essere polarizzate inversamente il substrato (B)
di tipo p va collegato alla tensione pi negativa.
La conduzione dovuta solo ai portatori che attraversano il canale, dal source al
drain (elettroni per un transistore MOS a canale N): il transistore MOS un
dispositivo unipolare.
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4
Transistore NMOS a svuotamento

source gate (G) drain

(S) (D)

canale n

n n

substrato o bulk (B)

MOS a canale N (NMOS)

Normalmente in conduzione; occorre una tensione negativa al gate per spegnerlo

(tensione di pinch-off VP < 0)

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Transistore PMOS a svuotamento

source gate (G) drain

(S) (D)

canale p

p p

substrato o bulk (B)

MOS a canale P (PMOS)

Normalmente in conduzione; occorre una tensione positiva al gate per spegnerlo

(tensione di pinch-off VP > 0)

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5
Transistore NMOS ad arricchimento (1/2)

source gate (G) drain

(S) (D)

n n

substrato o bulk (B)

MOS a canale N (NMOS)

Normalmente spento, perch tra S e D ci sono due giunzioni p-n polarizzate

inversamente: in assenza di tensione applicata allelettrodo di gate, non si forma
il canale.

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Transistore NMOS ad arricchimento (2/2)

source gate (G) drain

(S) (D)
+ ++ + + + ++ + +

- - - - - -

n n

substrato o bulk (B)

Una tensione positiva al gate allontana le lacune e attira gli elettroni. Se la

tensione di gate sufficientemente elevata, sotto il gate gli elettroni raggiungono
una concentrazione maggiore di quella delle lacune (strato di inversione) e si
forma il canale tra S e D.

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6
Tensione di soglia

Vth = tensione di soglia (threshold voltage): la tensione minima per cui si ha

linversione della popolazione di portatori, con conseguente formazione del canale
sotto il gate.
La tensione di soglia Vth positiva per un transistore MOS a canale N ad
arricchimento.

La tensione di soglia dipende dal drogaggio del substrato: aumentando la

concentrazione di drogante nel substrato, cresce la tensione necessaria per avere lo
strato di inversione con la conseguente formazione del canale.

Attenzione a non confondere la tenstione di soglia Vth con la tensione V della

giunzione p-n!

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Transistore PMOS ad arricchimento

source gate (G) drain

(S) (D)

p p

substrato o bulk (B)

MOS a canale P (PMOS)

Normalmente spento; conduce applicando tensione negativa al gate (per formare

il canale, la tensione al gate deve essere inferiore alla tensione di soglia Vth ,
anchessa negativa).

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7
Simboli del transistore MOS (1/2)

MOS a canale N
D D D D

G B G B G B G B

S S S S
a svuotamento ad arricchimento
(depletion) (enhancement)
VP < 0 Vth > 0

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Simboli del transistore MOS (2/2)

MOS a canale P
S S S S

G B G B G B G B

D D D D
a svuotamento ad arricchimento
(depletion) (enhancement)
VP > 0 Vth < 0

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Modello semplificato del transistore MOS

MOS = R

MOS a canale N: Vth > 0;

spento (off) per tensione di gate inferiore a Vth ;
acceso (on) per tensione di gate superiore a Vth .

MOS a canale P: Vth < 0;

spento (off) per tensione di gate superiore a Vth ;
acceso (on) per tensione di gate inferiore a Vth .

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