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Capitolo1 Il MOSFET

1 Il MOSFET
In questo capitolo verr descritto sinteticamente, partendo dal diodo MOS che ne
costituisce la base, il funzionamento del MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor), le condizioni di lavoro, le caratteristiche di corrente e gli effetti di
canale corto.
1.1 Il diodo MOS ideale
Il MOS una struttura a due terminali costituita da un sottile strato di materiale
dielettrico, biossido di silicio, SiO
2
, di spessore d posto tra un substrato (detto anche bulk
o body) di silicio, di tipo n oppure p, e un sottile strato metallico (nel nostro caso
polisilicio fortemente drogato) che forma il terminale di gate. Sul substrato di silicio
viene depositata una metallizzazione che forma il contatto di back-gate come mostrato in
figura 2.1:
Figura 1.1: Struttura del diodo MOS
Per il MOS ideale, la cui teoria di fondamento per la comprensione del diodo MOS
reale, si suppone che [1]:
la resistivit dell ossido sia infinita, e quindi non vi siano correnti che fluiscono
attraverso il gate;
in assenza di polarizzazione, V
GB
= V
G
V
B
=0, la differenza di energia tra il lavoro
di estrazione del metallo-polisilicio
m
q
e il lavoro di estrazione del
semiconduttore
s
q
nulla, cio
(1.1)
0
s m ms
q q q
1
Capitolo1 Il MOSFET
Le bande di energia sono piatte: questa condizione si chiama flatband ed
illustrata in figura 1.2;
il semiconduttore sia drogato uniformemente;
non ci siano cariche nellossido;
non ci siano trappole allinterfaccia SiO
2
/Si;
Figura 1.2: Diagramma a bande in condizione di flatband
1.1.1 Accumulo, svuotamento e inversione in un diodo MOS
Se si polarizza un diodo MOS ideale con il terminale di substrato riferito a massa,
imponendo tensioni V
G
positive o negative, alla superficie ossido-semiconduttore possono
verificarsi i tre casi seguenti.
Quando si applica una tensione V
G
negativa le bande di energia del semiconduttore
risultano piegate verso lalto in prossimit dellossido (figura 1.3).

Figura 1.3: Diagramma a bande: accumulazione.
Poich la densit dei portatori nel semiconduttore dipende esponenzialmente dalla
differenza tra il livello di Fermi intrinseco, E
i
, e il livello di Fermi del semiconduttore
stesso, E
F
, cio:
(1.2)
kT E E
i p
F i
e n p
/ ) (

La curvatura verso lalto delle bande di energia in prossimit della superficie del
semiconduttore produce un incremento della differenza E
i
E
F
e quindi un aumento della
concentrazione p
p
, cio un accumulo di lacune all'interfaccia SiO
2
/Si.
2
Capitolo1 Il MOSFET
Quando si applica al diodo MOS una piccola tensione V
G
positiva, le bande di energia
si incurvano verso il basso (figura 1.4) e si verifica uno svuotamento di portatori
maggioritari (lacune); tale situazione detta di svuotamento (depletion).

Figura 1.4: Diagramma a bande: svuotamento.
La carica spaziale per unit darea Q
sc
nel semiconduttore formata dalla carica nella
regione svuotata ed espressa da:
(1.3)
X qN Q
A sc


dove N
A
la densit di atomi droganti e X lo spessore di svuotamento superficiale.
Se si applica una V
G
positiva pi elevata le bande si incurvano ancora di pi (figura
1.5) finch il livello intrinseco E
i
attraversa il livello di Fermi.
Figura 1.5: Diagramma a bande: inversione.
Elettroni della banda di conduzione vengono allora richiamati dal campo elettrico
presso la superficie ossido-semiconduttore. La concentrazione degli elettroni dipende
esponenzialmente dalla differenza di energia E
i
E
F
ed data da:
(1.4)
kT E E
i p
i F
e n n
/ ) (

Nella situazione riportata in figura 2.5, E
F
E
i
> 0 (all'interfaccia SiO
2
/Si ) e quindi la
concentrazione n
p
degli elettroni alla superficie maggiore di n
i
mentre la concentrazione
di lacune, espressa dalla (1.2), diventa minore di n
i
. Quando il numero di elettroni
(portatori minoritari) supera il numero di lacune (portatori maggioritari) alla superficie di
contatto silicio ossido si verifica una inversione di popolazione. Con lulteriore incurvarsi
delle bande, all aumentare della tensione V
G
, il limite della banda di conduzione si
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avvicina sempre pi al livello di Fermi e la concentrazione di elettroni alla superficie
aumenta rapidamente. Da questo momento in poi la maggior parte della carica
addizionale nel semiconduttore costituita dalla carica negativa Q
n
degli elettroni che si
trovano nel sottile strato di inversione di tipo n a ridosso dellinterfaccia SiO
2
/Si. Questo
strato ha uno spessore che pu variare da 10 a 100 ed sempre molto pi sottile dello
strato di svuotamento di lacune.
Una volta che si formato lo strato di inversione, lo spessore della zona di
svuotamento raggiunge un massimo. Infatti, poich la densit di elettroni dipende
esponenzialmente da E
F
E
i
, quando le bande sono piegate tanto da produrre una forte
inversione, ogni incremento di curvatura, anche se molto piccolo, produce un grande
aumento della carica Q
n
nello strato di inversione. In condizioni di forte inversione la
carica per unit darea nel semiconduttore data dalle:
(1.5)
m A sc
sc n s
X qN Q
Q Q Q

+

dove X
m
lo spessore massimo della regione di svuotamento superficiale.
Figura 1.6: Andamento delle bande di energia di un semiconduttore di tipo p.
Nella figura 1.6 riportato con maggiore dettaglio il diagramma delle bande di energia
alla superficie di un semiconduttore di tipo p. Si suppone per definizione che il potenziale
elettrostatico sia nullo allinterno del semiconduttore. Alla superficie del
semiconduttore =
s
e
s
prende il nome di potenziale superficiale. Le concentrazioni
degli elettroni e delle lacune (2.2) e (2.4) si possono esprimere in funzione di :
(1.6)
kT q
i p
kT q
p p
B
B
e n p
e n n
/ ) (
/ ) (


dove si intende
B
= (E
i
E
F
)/q; positivo quando il diagramma delle bande presenta
una curvatura verso il basso come si verifica nella figura 1.6, in queste condizioni alla
superficie le concentrazioni valgono:
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(1.7)
kT q
i s
kT q
p s
s B
B s
e n p
e n n
/ ) (
/ ) (

In base alle considerazioni fatte e con laiuto delle (1.7) si possono distinguere diverse
situazioni a seconda del valore del potenziale superficiale
s
:

s
<0, accumulo delle lacune (bande incurvate verso lalto);

s
=0, flatband, condizione di banda piatta;

B
>
s
>0, svuotamento delle lacune (bande incurvate verso il basso);

s
=
B
, centro banda proibita con n
s
=n
p
=n
i
(concentrazione intrinseca);

s
>
B
, inversione della popolazione (bande incurvate verso il basso come nella
figura 2.6).
Si pu determinare il valore del potenziale in funzione della distanza dall'interfaccia
SiO
2
/Si usando lequazione di Poisson unidimensionale:
(1.8)
s
s
x
dx
d

) (
2
2

dove
s
(x) la densit di carica spaziale totale. Se il semiconduttore svuotato e la carica
fissa entro il semiconduttore data da
s
=qN
A
, lintegrazione dellequazione di Poisson
fornisce la distribuzione del potenziale elettrostatico nella regione di svuotamento
superficiale:
(1.9)
,
_


X
x
s
1
Il potenziale superficiale
s
:
(1.10)
s
A
s
X qN

2
2

Come si vede la distribuzione del potenziale quella di una giunzione brusca n


+
-p.
Se
s
superiore a
B
si verifica linversione di popolazione superficiale. Tuttavia
necessario stabilire un criterio per fissare il punto in cui si instaura l inversione forte
oltre il quale cio la quantit di carica negativa in accumulo diventa significativa. Un
criterio semplice consiste nellimporre che la concentrazione degli elettroni alla superficie
sia uguale alla concentrazione N
A
del drogante nel substrato:
(1.11)
A s
N n
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Poich
kT q
i A
B
e n N
/
dalle (1.7) e (1.11) si ottiene:
(1.12)

,
_


i
A
B inv s
n
N
q
kT
ln
2
2
) (

La 1.12 stabilisce che necessario un potenziale pari a
B
per incurvare verso il basso
la bande di energia per raggiungere la condizione intrinseca E
i
=E
F
alla superficie e un
valore maggiore di
B
per ottenere la condizione di forte inversione. In tal caso lo
spessore massimo della zona svuotata e la carica nel semiconduttore saranno:
(1.13)
A
B s
A
inv s s
m
qN qN
X
) ( 2
2
) (



(1.14)
) 2 ( 2
B A s m A sc
N q X qN Q
1.1.2 La tensione di soglia
Nella figura 1.7 sono riportati il diagramma a bande, la distribuzione di carica e
landamento del campo elettrico e del potenziale di un diodo MOS ideale.
Figura 1.7: Diagramma a bande (a), distribuzione di carica (b), campo elettrico (c),
potenziale (d), di un diodo MOS ideale.
Supponendo che non vi siano differenze tra le funzioni lavoro dellossido e del
semiconduttore, la tensione applicata appare in parte ai capi delluno e in parte ai capi
dellaltro. Cio:
(1.15)
s ox GB
V V +
dove V
ox
la ddp ai capi dellossido data da:
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(1.16)
ox
s
ox
s
ox ox
C
Q d Q
d E V

con E
ox
intensit del campo elettrico nellossido, Q
s
quantit di carica per unit di area nel
semiconduttore e C
ox
(=
ox
/d) capacit per unit darea dellossido. La capacit totale del
diodo MOS la serie della capacit C
ox
dellossido e della capacit C
X
dello strato di
svuotamento del semiconduttore:
(1.17)
X ox
X ox
C C
C C
C
+


ma C
X
=
s
X e dalle relazioni (1.10), (1.14), (1.15) e (1.16) si ottiene la relazione per la
capacit, eliminando X:
(1.18)
2
2
2
1
1
d qN
V
C
C
s A
GB ox
ox

Da questa relazione si vede che, quando la tensione V


GB
applicata negativa, con
accumulo di lacune alla superficie del semiconduttore, la capacit totale tende ad un
valore prossimo a quello della capacit dellossido
ox
/d.
Quando invece la tensione di gate positiva e si raggiunta la condizione di
inversione forte, lo spessore della regione di svuotamento rimane pressoch costante per
ulteriori incrementi della tensione applicata: il potenziale superficiale
s
raggiunge il
valore
s(inv)
espresso dalla (1.12). Per ottenere il valore della tensione di gate V
GB
necessario perch si instauri la condizione di inversione si sostituisce
s(inv)
nella
relazione (1.15) e considerando che in queste condizioni V
ox
= qN
A
X
m
/C
ox
la tensione V
GB
,
detta ora tensione di soglia V
T
, vale:
(1.19)
B
ox
B A s
inv s
ox
m A
T
C
N
C
X qN
V

2
) 2 ( 2
) (
+ +
Bench si sia considerato il caso di substrati di tipo p, ogni considerazione resta valida
per il caso di substrati di tipo n, con un appropriato cambio dei segni e dei simboli.
1.2 Il diodo MOS SiO
2
-Si
Nel diodo MOS reale la differenza in genere non nulla tra le funzioni lavoro
ms
q
e
la presenza di cariche dentro lossido o all'interfaccia SiO
2
/Si ne modificano le
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caratteristiche rispetto al caso ideale. Inoltre in presenza di ossidi molto sottili, ci pu
essere conduzione attraverso lossido per effetto tunnel.
1.2.1 I lavori di estrazione
Si consideri un diodo MOS (reale) con substrato di tipo p: il lavoro di estrazione del
semiconduttore varia con il drogaggio, e quindi anche la differenza
s m ms
q q q

tra i lavori di estrazione del silicio policristallino del gate e del semiconduttore. Poich il
lavoro
m
q
inferiore a
s
q
la loro differenza negativa e ha un valore in tensione
pari a:
(1.20)
s m
ms
FB
q
q
V


dove V
FB
detta tensione di banda piatta. Allequilibrio termodinamico il livello di Fermi
deve essere costante e cos, per recuperare la differenza tra i lavori di estrazione, le bande
del semiconduttore si piegano verso il basso: ne consegue che il polisilicio carico
positivamente e il semiconduttore carico negativamente. Per raggiungere le condizioni di
banda piatta ideali si deve applicare al gate una tensione negativa pari a V
FB
.
1.2.2 Trappole allinterfaccia e cariche nellossido
La situazione di equilibrio di un diodo MOS influenzata non solo dalla differenza dei
lavori di estrazione ma anche dalla eventuale presenza di cariche allinterno dellossido e
di trappole all'interfaccia SiO
2
/Si.
La presenza di una densit di carica Q
ox
allinterno dellossido induce una carica
uguale e di segno opposto sul silicio e sul polisilicio del gate. Questa carica indotta
modifica le condizioni di banda piatta e quindi il valore V
FB
per il MOS ideale. In
generale la variazione della tensione di banda piatta dovuta ad unarbitraria distribuzione
di carica (x) data da:
(1.21) dx x
x
x
C
V
ox
x
ox ox
FB
) (
1
0


dove x
ox
lo spessore dellossido e C
ox
la capacit dellossido per unit di area.
Di solito la carica nellossido consta di diversi contributi:
Q
it
: densit di carica allinterfaccia, che pu essere positiva e localizzata in un
sottile strato di ossido di silicio; essa deriva da legami insaturi silicio-silicio e da
fenomeni legati al processo di fabbricazione dei dispositivi; oppure intrappolata
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Capitolo1 Il MOSFET
allinterfaccia, localizzata in stati trappola all'interfaccia SiO
2
/Si che introducono
livelli energetici allinterno della banda proibita;
Q
ot
: densit di carica intrappolata nellossido, sia positiva che negativa,
distribuita all interno dello strato di ossido;
Q
m
: densit di carica mobile nellossido, originata da ioni di metalli alcalini,
come ad esempio Na e K, che vengono facilmente assorbiti nell SiO
2
; essi hanno
una buona mobilit nellossido, mobilit che aumenta con la temperatura, e
rendono instabili le caratteristiche di una struttura MOS.
Si pu quindi separare il contributo della carica allinterfaccia:
(1.22)
ox
it
FB
C
Q
V '

ottenendo una nuova espressione per la tensione di banda piatta:
(1.23) dx x
x
x
C C
Q
V
ox
x
ox ox ox
it
ms FB
) (
1
0


Alla variazione della tensione di banda piatta consegue la variazione di tensione di soglia
V
T
.
In genere ciascun tipo di carica influenza il termine di banda piatta (equazione 1.22) e
la tensione di soglia V
T
: spetta al processo tecnologico di costruzione dei dispositivi il
mantenerle entro livelli accettabili per non compromettere il funzionamento e la stabilit
dei dispositivi stessi.
1.3 Il transistor MOS
La struttura del MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)[1]
riportata nella figura 1.9:
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Capitolo1 Il MOSFET
Figura 1.8: Il transistor MOS (a canale n)
Nel seguito si indicheranno con G, S, B, D rispettivamente i terminali di gate, source,
substrato e drain. I transistor MOS a canale n sono costituiti da un substrato di tipo p e
due zone fortemente drogate n
+
che costituiscono drain e source mentre i dispositivi a
canale p hanno substrato di tipo n e drain e source di tipo p
+
. Drain e source sono separati
da un canale di lunghezza L e larghezza W sul quale depositato un sottile strato di
materiale isolante, SiO
2
, coperto a sua volta da un contatto metallico o da uno strato di
polisilicio che forma il terminale di gate. Il terminale di substrato ottenuto con un
contatto metallico e viene anche detto terminale di back-gate.
I dispositivi utilizzati in questo lavoro di tesi sono realizzati in tecnologia CMOS:
Complementary Metal Oxide Semiconductor. Un esempio dellapplicazione di questa
tecnologia rappresentato in figura 1.9:
Figura 1.9: Principio costruttivo in tecnologia CMOS
Come si vede nella figura, da uno stesso substrato di tipo p si costruisce un transistor n-
MOS impiantando due zone n
+
che costituiscono source e drain. Per ottenere un p-MOS
vengono impiantate due zone p
+
(source e drain ) in una n-well precedentemente ricavata.
1.3.1 Condizioni di lavoro del transistor MOS
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Capitolo1 Il MOSFET
I meccanismi fisici che regolano il funzionamento del MOSFET sono gli stessi del
MOS, e anche in questo caso si distinguono tre zone di lavoro: svuotamento,
accumulazione ed inversione. Linversione si distingue tra debole, moderata e forte.
Figura 1.10: Formazione del canale in un n-MOS
Si consideri un dispositivo a canale n. Quando al gate viene applicata una tensione V
GS
positiva le cariche minoritarie, in questo caso elettroni, vengono attirate dal campo
elettrico verso l'interfaccia Si/SiO
2
e formano un canale conduttivo tra source e drain
(figura 1.10a). Al crescere della tensione V
GS
aumentano gli elettroni accumulati
allinterfaccia quindi il canale pu condurre di pi al crescere della tensione di gate.
Applicando una tensione V
DS
tra source e drain si innesca un moto di cariche, e quindi una
corrente, attraverso il canale conduttivo. Se la tensione V
DS
non troppo elevata il canale
ha un comportamento resistivo e la corrente I
DS
proporzionale alla tensione applicata. In
tali condizioni il MOSFET lavora in zona lineare. Aumentando ulteriormente la tensione
tra drain e source la caduta di potenziale lungo il canale contrasta linversione dovuta alla
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tensione di gate, la depletion layer vicino al drain si allarga e la densit degli elettroni
presenti nel canale diminuisce. Come si pu vedere dalla figura 1.12 questo si riflette
sulla caratteristica I
DS
(V
DS
) facendo diminuire la pendenza della curva. Lulteriore
allargamento della depletion layer a ridosso del drain pu portare alla scomparsa del
canale conduttivo: la tensione V
DS
alla quale questo avviene detta tensione di pinch-off.
La curva I
DS
(V
DS
) raggiunge un plateau e non c quasi pi incremento di corrente: in
questo caso il MOSFET si dice in zona di saturazione.
Figura 1.11: Caratteristica IDS(VDS)
Riassumendo, linversione debole, per un transistor MOS, corrisponde alla regione di
sottosoglia mentre linversione forte corrisponde alla regione di soprasoglia che
comprende a sua volta zona lineare e zona di saturazione, come si vede nella figura 2.13:
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Capitolo1 Il MOSFET
Ids - Vgs
1.E-14
1.E-12
1.E-10
1.E-08
1.E-06
1.E-04
-0.5 -0.3 -0.1 0.1 0.3 0.5 0.7 0.9 1.1
Vgs (V)
l
o
g

I
d
s

(
A
)
Inversione
debole
Inversione
forte
Tensione
di soglia
Corrente
di leakage
Pendenza
di sottosoglia
Figura 1.12: Curva di sottosoglia IDS (VGS)
La tensione di gate in cui si ha il passaggio dalla regione di sottosoglia a quella di
soprasoglia detta tensione di soglia V
T
, cio si pu definire V
T
come la tensione che si
deve applicare al gate per portare il MOSFET in conduzione.
1.3.2 Zona di inversione forte
Si vuole ora calcolare la corrente di drain in condizioni di forte inversione per la zona
lineare e quella di saturazione.
Per il MOSFET le condizioni ideali sono:
la struttura del gate corrisponde a quella del diodo MOS ideale (paragrafo 1.1.1);
si considerano solo le correnti di drift (e non di diffusione);
la mobilit dei portatori costante;
il drogaggio del canale uniforme;
il campo elettrico trasversale E
x
nel canale lungo la direzione x nella figura 1.11
perpendicolare al flusso di corrente, molto pi intenso del campo longitudinale
E
y
nella direzione y, parallelo al flusso di corrente.
Nelle condizioni ideali appena descritte la carica totale indotta nel semiconduttore per
unit di area Q
s
, ad una distanza y dal source illustrata nella figura 1.11(a). La carica Q
s
data dalla:
(1.24)
[ ]
ox s G s
C y V y Q ) ( ) (
13
Capitolo1 Il MOSFET
dove
s
(y) il potenziale superficiale in y e C
ox
=
ox
/d la capacit dellossido per unit di
area. La carica nello strato di inversione data dalle (1.5) e (1.24):
(1.25)
[ ] ) ( ) ( ) ( ) ( y Q C y V y Q y Q Q
sc ox s G sc s n

Il potenziale superficiale
s
(y) allinversione pu essere approssimato con 2
B
+ V(y)
dove V(y) la tensione inversa tra il punto y e il source (che si suppone a massa). La
carica entro la regione svuotata superficiale Q
sc
(y) vale:
(1.26)
] 2 ) ( [ 2 ) (
B A s m A sc
y V qN X qN y Q +
Sostituendo (2.26) in (2.25) si ottiene:
(1.27)
] 2 ) ( [ 2 ] 2 ) ( [
B A s ox B G n
y V qN C y V V Q + +
La conduttivit (x) del canale nella sezione y pu essere approssimata con:
(1.28)
) ( ) ( ) ( x x qn x
n

Nel caso di mobilit costante la conduttanza del canale allora data da:
(1.29)
n
n
x
n
x
Q
L
W
dx x qn
L
W
dx x
L
W
g
i i



) ( ) (
0 0
e la resistenza di una sezione elementare dy del canale e la caduta di tensione localizzata
ai capi di tale sezione sono:
(1.30)
) (
) (
y Q W
dy I
dR I dV
y Q W
dy
gL
dy
dR
n n
D
D
n n



dove I
D
la corrente di drain, che indipendente da y. Sostituendo (1.27) in (1.30) e
integrando tra il source dove y=0, V=0, e il drain dove y=L, V=V
D
, si ottiene:
(1.31)
( ) [ ]

'

,
_


2 / 3 2 / 3
) 2 ( 2
2
3
2
2
2
B B D
ox
A s
D
D
B G ox n D
V
C
qN
V
V
V C
L
W
I


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Capitolo1 Il MOSFET
Zona lineare
Nel caso di piccoli valori di V
D
la formula si riduce a:
(1.32)
) (
)
2
(
T G D
D
D
T G ox n D
V V V
V
V
V V C
L
W
I
<<

dove V
T
la tensione di soglia data in precedenza mediante la:
(1.33)
B
ox
B A s
T
C
qN
V

2
) 2 ( 2
+
Se si traccia I
D
(V
G
) per un valore basso di V
D
si pu dedurre la tensione di soglia dal
valore ottenuto per lestrapolazione lineare allintersezione con lasse V
G
. Nella regione
lineare (1.31) la transconduttanza g
m
espressa da:
(1.34) D ox n
t V
G
D
m
V C
L
W
V
I
g
D

cos
Zona di saturazione
Quando la corrente di drain viene aumentata oltre al valore per cui la carica nello
strato di inversione Q
n
(y) nella sezione y=L diventa nulla, il numero degli elettroni mobili
sul drain si riduce drasticamente. In questo punto la tensione di drain detta V
Dsat
e la
corrente di drain I
Dsat
. Per V
D
> V
Dsat
si in regione di saturazione e il valore di V
Dsat
dato
dalla (1.27) con la condizione Q
n
(L)=0:
(1.35) ( )
2 2
/ 2 1 1 2 K V K V V
G B G Dsat
+ +
dove
ox A s
C qN K /
. La corrente di saturazione si determina sostituendo la (1.35)
nella (1.31):
(1.36)
2
) (
2
T G
ox n
Dsat
V V
dL
W
I

Per un MOSFET ideale nella regione di saturazione la transconduttanza di pu
determinare dalla:
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Capitolo1 Il MOSFET
(1.37)
) (
cos
T G
ox n
t V
G
D
m
V V
dL
W
V
I
g
D


Regione di sottosoglia
Quando la tensione sul gate inferiore alla tensione di soglia e alla superficie del
semiconduttore la zona di inversione debole, la corrispondente corrente di drain detta
corrente di sottosoglia [1]. La regione di sottosoglia particolarmente importante quando
il MOSFET usato come dispositivo a bassa tensione e bassa potenza. Ad esempio in
applicazioni digitali il comportamento nella regione di sottosoglia descrive il modo in cui
essi commutano dallo stato on-off e viceversa.
Nella regione sottosoglia la corrente di drain dominata dal fenomeno della diffusione
invece che dal trasporto per drift. Se si considera il MOSFET come transistor bipolare n-
p-n (S,B,D) si ha:
(1.38)
L
L n n
qAD
dy
dn
qAD I
n n D
) ( ) 0 (

dove A larea della sezione trasversale del canale attraversato dal flusso della corrente,
n(0) e n(L) sono le concentrazioni degli elettroni nel canale in corrispondenza
rispettivamente a source e drain. Le concentrazioni degli elettroni sono espresse da:
(1.39)
kT V q
i
kT q
i
D B S
B S
e n L n
e n n
/ ) (
/ ) (
) (
) 0 (



dove
S
il potenziale superficiale del source. Sostituendo la (2.39) nella (2.38) si ha:
(1.40) ( )
kT q kT qV
kT q
i n
D
S D
B
e e
L
e n qAD
I
/ /
/
1


Il potenziale superficiale
S
vale circa V
G
V
T
. Pertanto la corrente di drain decresce
esponenzialmente quando V
G
diventa minore di V
T
(1.41)
kT V V q
D
T G
e I
/ ) (

1.3.3 Leffetto body


16
Capitolo1 Il MOSFET
Sino ad ora tutte le tensioni sono state riferite al terminale di source e si inoltre
supposto che il terminale di bulk fosse al potenziale di source. Si prende ora in
considerazione leffetto di una tensione V
BS
diversa da zero sul terminale di bulk.
Riferendo le tensioni al terminale di source, leffetto di una tensione V
BS
non nulla (V
BS
>0 per p-MOS e V
BS
<0 per n-MOS), una diminuzione della densit di carica nel
canale. Questo porta ad una diminuzione della corrente I
DS
a parit di condizioni di
polarizzazione di drain, gate e source: ci detto effetto body. Se |V
DS
| aumenta mentre
V
GS
resta costante per ripristinare le condizioni originali di inversione e livello di corrente
necessario aumentare anche V
GS
. Leffetto della tensione sul bulk infatti quello di
allargare la zona svuotata sotto lossido attirando portatori maggioritari verso il bulk;
lallargamento della zona svuotata comporta laumento della carica localizzata, che si
ricombina con i portatori minoritari responsabili della corrente di canale, con la
conseguente diminuzione della corrente I
DS
.
1.4 Effetti dovuti alla riduzione delle dimensioni
Lo sviluppo nei processi produttivi nei dispositivi MOSFET ha portato ad una loro
integrazione sempre maggiore. I vantaggi portati dallintegrazione dei dispositivi sono
principalmente le minori dimensioni e la minore corrente di canale che comporta
labbassamento della potenza dissipata. Inoltre gi ossidi di isolamento sono pi sottili e
quindi, come si vedr nei seguenti capitoli, pi resistenti al danno da radiazione. Tuttavia
le piccole dimensioni del canale portano a delle variazioni consistenti nella
modellizzazione del comportamento del MOSFET.
Nei precedenti paragrafi si supposto che il transistor avesse lunghezza e larghezza di
canale tali da trascurare eventuali effetti di bordo sui suoi quattro lati. Questa assunzione
porta a considerare un modello in cui le linee del campo elettrico nel canale siano
perpendicolari alla superficie, permettendo unanalisi mono-dimensionale.
Passando da una tecnologia deep-submicron (0.25m ) ad quella very deep-submicron
(0.13m ), a parit di concentrazione del drogaggio, la larghezza della zona svuotata delle
giunzioni di drain e source diventa paragonabile con la lunghezza di canale. Inoltre la
distribuzione del potenziale dipende sia dalla componente perpendicolare del campo
elettrico, che dalla componente longitudinale (componente lungo il canale): questo rende
la distribuzione del potenziale bi-dimensionale. Ancora, le intensit dei campi elettrici
applicati non sono scalate proporzionalmente con le dimensioni geometriche del
dispositivo. Un tipico effetto legato alla presenza di elevati campi elettrici longitudinali
la generazione di portatori cosiddetti caldi, ossia portatori che grazie al campo elettrico
hanno acquistato unenergia tale da creare ionizzazione del silicio, o che possono entrare
17
Capitolo1 Il MOSFET
nellossido dando origine a una corrente di leakage. Una frazione di tali portatori caldi
pu inoltre, aumentare la densit di stati all'interfaccia SiO
2
/Si.
1.4.1 Modulazione della lunghezza del canale
In regione di saturazione la caratteristica I
DS
-V
DS
non esattamente parallela allasse
orizzontale, ma mostra una pendenza positiva. Nel caso di dispositivi a canale corto si
vede che tale pendenza pi accentuata ( vedi figura 1.13).
Questo fenomeno dovuto alla presenza di un campo elettrico longitudinale che tende
a far diminuire la concentrazione di portatori nella vicinanze del drain variando il punto a
cui avviene il pinch-off. La lunghezza del canale quindi modulata dallintensit del
campo elettrico longitudinale dato dalla tensione V
DS
.
Ids vs Vds (W/L=1000/0.12um)
0.E+00
1.E-04
2.E-04
3.E-04
4.E-04
5.E-04
6.E-04
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
Vds (V)
I
d
s

(
A
)
Vd=100mV
Vd=125mV
Vd=150mV
Vd=175mV
Vd=200mV
Vd=225mV
Vd=250mV
Vd=275mV
Vd=300mV
Figura 1.13: Effetti di canale corto
1.4.2 barrier lowering
Altro importante effetto legato alla diminuzione delle dimensioni del canale il
barrier lowering. La diminuzione di L porta ad uno svuotamento pi pronunciato della
regione al di sotto della zone di inversione. La maggiore profondit della zona svuotata
accompagnata ad un maggiore potenziale superficiale, che rende il canale pi attrattivo
per i portatori: il MOSFET conduce pi corrente rispetto a quella che ci si aspetterebbe da
un dispositivo a canale lungo a parit di V
GS
. La principale conseguenza la diminuzione
della tensione di soglia V
T
.
18
Capitolo1 Il MOSFET
1.5 Il rumore in un MOSFET
Il rumore determina le prestazioni dei sistemi per lelaborazione dei piccoli segnali e il
limite inferiore del segnale che pu essere elaborato senza portare un deterioramento
significativo dellinformazione. Il rumore di un sistema costituito dai contributi dei
singoli componenti il circuito che vengono considerati come sorgenti di rumore non
correlate, cio statisticamente indipendenti. I diversi contributi si sommano quindi in
quadratura. In particolare il rumore totale dominato dal primo stadio di amplificazione e
non dipende dal fattore di guadagno e dallimpedenza dingresso. Queste
approssimazioni sono accettabili per un sistema reale e quindi ci si pu concentrare solo
sul primo stadio e in particolare sul dispositivo dingresso. Uno degli obbiettivi di questa
tesi appunto monitorare il rumore prodotto da strutture CMOS in tecnologia 0.13m che
possono costituire lo stadio dingresso di un preamplificatore ed in particolare transistor
con W/L pari a 1000/0.12;0.24;0.48 m.
Nellanalisi del rumore il dispositivo viene generalmente schematizzato in un
quadrupolo. Al quadrupolo reale corrisponde un quadripolo ideale, privo di sorgenti
interne di rumore ma con due generatori di rumore allingresso: un generatore di tensione
tipo serie e uno di corrente in parallelo, come si vede in figura 1.15.
Figura 1.14: Generatori equivalenti di rumore in un quadrupolo reale (a) e allingresso di
uno ideale (b)
In questo studio si considerer solo il generatore di tensione in ingresso cio si
misurer la densit spettrale di rumore della tensione di gate. Infatti a basse frequenze
(che il nostro range di interesse) il contributo del generatore di corrente parallelo
consiste nel rumore shot associato alla corrente parassita di gate. Questa dovuta
allemissione casuale di elettroni dallelettrodo di gate e presenta fluttuazioni intorno ad
un valore medio I
G
che producono un rumore pari a:
(1.42)
G shot n
qI i 2
2
,

19
Capitolo1 Il MOSFET
dove q la carica elementare [12]. Poich I
G
assume valori tipici del pA, i
2
n,shot

dellordine dei 10
-30
A.
Si trascura quindi il contributo del generatore parallelo e si terr conto solo del rumore
del generatore serie che consta principalmente di due contributi:
rumore flicker: detto anche rumore 1/f perch presenta uno spettro inversamente
proporzionale alla frequenza;
rumore bianco (white noise): associato al rumore termico della resistenza di
canale, presenta uno spettro indipendente dalla frequenza; esso dovuto al moto
casuale di portatori liberi nel canale resistivo che si forma quando il dispositivo
in inversione.
Si considerer inoltre due contributi al rumore termico dati dal rumore associato alla
resistenza di gate e alla resistenza distribuita del bulk.
1.5.1 Il rumore flicker
Il rumore 1/f si osserva in tutti i dispositivi elettronici e questo fa pensare che a
indurlo ci siano meccanismi fisici generali che per non sono ancora stati ben definiti
[13]. Sono stati tuttavia proposti diversi modelli teorici per giustificare il rumore flicker:
modello a fluttuazione della mobilit: il rumore 1/f si origina nel volume del
semiconduttore, in particolare nelle fluttuazioni della mobilit a cui sono soggetti
i portatori liberi quando collidono con il reticolo.
modello della fluttuazione del numero dei portatori: il rumore generato dallo
scambio di portatori tra il canale e le trappole allinterfaccia.
In generale i meccanismi fisici su cui si basano questi modelli agiscono
contemporaneamente. Oltre alle fluttuazioni della mobilit si osserva il contributo della
variazione del numero di portatori prodotta generalmente da cattura ed emissione dei
portatori stessi da parte delle trappole. Tra i dispositivi a semiconduttore il MOSFET
quello che presenta il rumore 1/f pi evidente: si pu allora pensare che ci sia dovuto
alla modalit di conduzione che essendo superficiale coinvolge una zona ricca di difetti.
Modello a fluttuazione della mobilit
Il rumore 1/f in questo modello viene associato alle fluttuazioni della mobilit dei
portatori nelle collisioni di questi con il reticolo cristallino. Questo meccanismo, non
ancora ben compreso si basa sull equazione empirica di Hooge [12]:
(1.43)
Nf I
i
l
f

2
2

20
Capitolo1 Il MOSFET
dove N il numero totale di portatori liberi nel dispositivo, I la corrente che lo
attraversa e
l
il cos detto parametro di Hooge che risulta quasi costante nei diversi
materiali studiati conferendo a questo fenomeno un carattere comune a tutti i dispositivi.
Si pu derivare lequazione (1.43) teoricamente considerando i contributi al rumore
flicker dovuti singolarmente ad N portatori liberi indipendenti in seguito alle fluttuazioni
della loro mobilit. Se si considera un numero n di meccanismi di scattering, ciascuno
associato da una certa mobilit
i
, si pu definire una mobilit efficace
eff
data dalla
regola di Mattiessen [13]:
(1.44)
+
n
i i l eff

1 1 1
dove si evidenziata la mobilit
l
dovuta al solo processo di scattering dei portatori sul
reticolo.
L equazione di Hooge vale solo per dispositivi omogenei: per quelli non omogenei
necessario utilizzare una formulazione differenziale. Se il MOSFET lavora in zona
lineare , V
DS
<< (V
GS
V
T
), si considera il canale come una resistenza omogenea e si
applica la (1.43) che porta ad una densit spettrale di rumore descritta dalla:
(1.45)

,
_

f L
V I q
i
DS DS f
l df
2
2

dove
f
rappresenta una mobilit efficace per il rumore 1/f diversa dalla
eff
definita prima
e che dipende dalle condizioni di polarizzazione.
Se il dispositivo opera in zona di saturazione, il canale non pu essere considerato
come uno strato di carica omogeneo e si deve applicare la (1.43) ad un tratto di lunghezza
infinitesimo. Integrando su tutta la lunghezza del canale si arriva alla seguente
espressione [13]:
(1.46)
WLf C
V V q
v
ox eff
T GS f
gf

2
) (
2

dove si considerano le mobilit efficaci indipendenti dalla polarizzazione del circuito.


Questa relazione rappresenta la densit spettrale di rumore riportato allingresso che tiene
conto della transconduttanza g
m
[21c]:
Nella pratica si modellizza il rumore 1/f , riportato allingresso, con la:
21
Capitolo1 Il MOSFET
(1.47)
WLf C
K
v
ox
f
gf

2
dove K
f
un parametro costante, in prima approssimazione, per una data tecnologia.
Modello a fluttuazione del numero dei portatori
In questo caso si attribuisce lorigine fisica del rumore flicker alle fluttuazioni a cui
soggetto il numero dei portatori di carica in seguito a processi casuali di cattura o
emissione dei portatori stessi da parte delle trappole all'interfaccia SiO
2
/Si o all interno
dell ossido. La proporzionalit inversa con la frequenza dovuta alla sovrapposizione
degli spettri dei vari eventi di cattura o emissione che hanno carattere lorentziano. Allora
in questo modello il rumore 1/f non dipende dalla tensione di gate applicata ed
proporzionale alla densit di trappole in prossimit all'interfaccia SiO
2
/Si. Analiticamente
si ricava [13] per il rumore riportato allingresso la seguente espressione:
(1.48)
WLf C
K
v
ox
f
gf 2
2
'

dove K
f
un parametro che dipende dalla tecnologia del dispositivo
Non perfettamente corretto considerare la dipendenza del rumore flicker da 1/f
perch in realt si osserva spesso una dipendenza esponenziale del tipo 1/f

, dove pu
assumere valori sia inferiori che superiori ad 1. Questo dipende, in base ai modelli
illustrati, dal fatto che le trappole non sono distribuite uniformemente nell ossido.
Unalta densit di trappole vicino all'interfaccia, che vada diminuendo nellossido, causa
un rumore dominato da stati veloci con piccole costanti di tempo al quale corrisponde uno
spettro meno inclinato rispetto a 1/f, una densit di trappole che invece cresca
allontanandosi dall'interfaccia verso linterno dellossido responsabile di un rumore in
cui predominano stati lenti con spettro pi inclinato [15],[16].
Volendo ora considerare quale dei due modelli proposti sia da preferire nel nostro
caso, osserviamo come essi abbiano dato risultati diversi per dispositivi a canale n e a
canale p. In letteratura si trova un ottimo riscontro sperimentale per il modello a
fluttuazione del numero dei portatori negli n-MOS, il che si pu capire considerando che
gli elettroni del canale di conduzione vengono facilmente intrappolati all'interfaccia
SiO
2
/Si per effetto tunnel, mentre nel caso dei p-MOS si sono trovati i risultati migliori
utilizzando il modello a fluttuazione della mobilit [14]: in effetti la conduzione nei p-
MOS avviene pi lontano dallinterfaccia, e risente quindi meno dei processi di
intrappolamento.
22
Capitolo1 Il MOSFET
In base a quanto detto, si considerer anche l espressione che descrive il modello a
fluttuazione della mobilit:
(1.49)

WLf C
K
v
ox
f
gf

2

dove mediante lesponente si tenuto conto del fatto che la dipendenza dalla frequenza
non esattamente di tipo 1/f .
1.5.2 Il rumore termico
Il rumore termico della resistenza di canale
Il rumore termico della resistenza di canale dovuto principalmente al moto casuale di
agitazione termica dei portatori liberi allinterno del canale resistivo, come avviene nei
resistori normali. Esso , insieme al rumore flicker, il contributo pi importante al rumore
totale di un MOSFET.
In condizioni di funzionamento normale il MOSFET presenta un canale resistivo tra
drain e source formato da portatori minoritari il cui moto casuale lungo il canale genera
rumore termico ai terminali del dispositivo. In particolare in zona lineare, per V
DS
intorno
ai 0V, il canale pu essere considerato come un resistore omogeneo a cui associata una
densit spettrale di rumore espressa in corrente secondo il teorema di Nyquist:
(1.50)
0
0
0
2
4

DS
V
DS
DS
d
d dn
V
I
g
kTg i

dove k la costante di Boltzmann, T la temperatura e g
d0
la conduttanza del canale per
tensioni di drain nulle.
In condizioni di saturazione, invece, il canale non pu essere considerato come un
resistore omogeneo. Il generico elemento di canale di lunghezza dy presenta una
resistenza di canale dR data dalla (1.30) che genera una densit spettrale di rumore
esprimibile in tensione come :
(1.51)
dR
kT
v
dR n
4
2
,

a cui associata [13] la densit spettrale in corrente:
23
Capitolo1 Il MOSFET
(1.52) ) ( 4 ) (
2
2
,
2
2
,
y Q
L
W
kT v y Q
L
W
i
n n dR n n n dR n

,
_

La corrente di rumore complessiva si otterr integrando questa espressione su tutto il


canale che in saturazione sar:
(1.53)
m n d
g kT i
3
2
4
2
,

dove g
m
la transconduttanza del dispositivo. La densit spettrale di rumore allingresso,
espressa in termini di tensione di gate si ottiene dalla (1.52) dividendo per g
m
2
:
(1.54)
m
n g
g
kT v
1
3
2
4
2
,

espressione comunemente usata per il rumore bianco, nel generatore equivalente di
rumore di tipo serie, allingresso del MOSFET [17].
Per quanto riguarda il regime di debole inversione si associa il rumore ad una corrente
di diffusione anzich di drift come nellinversione forte. Lo spettro del rumore bianco
sar dato, in corrente, dalla [18]:
(1.55)
DS n
qI i 2
2

Considerando la (1.41) si ottiene per la transconduttanza in debole inversione


lespressione:
(1.56)
nkT
qI
g
DS
m

dove n un parametro indipendente da V
GS
. Lo spettro di rumore in tensione allingresso
in regime di debole inversione sar:
(1.57)
m
n g
g
kTn v
2
1
4
2
,

Le espressioni mostrate finora non tengono conto degli effetti di canale corto che
portano ad un incremento del rumore[17][19]. Nella pratica si utilizza un fattore di
rumore in eccesso, che ingloba tutti i contributi addizionali al rumore bianco calcolato
teoricamente.[20]
24
Capitolo1 Il MOSFET
Per comprendere in un'unica formula i due casi di inversione debole e forte si usa la
notazione:
(1.58)
m
n g
g
kT
v
4
2
,

dove = /2 in inversione debole e = (3/2) in inversione forte.
Rumore della resistenza del gate in polisilicio
Un altro contributo al rumore termico del dispositivo dato dal rumore associato alla
resistenza del silicio policristallino che realizza il contatto di gate. Il calcolo di tale
contributo deve tener conto del tipo di dispositivo utilizzato: i MOSFET che si sono
studiati per il rumore sono realizzati con strutture interdigitate (figura 1.15). Esse sono
formate da una serie di gate collegati fra loro tra ciascuna coppia dei quali si trovano
alternativamente i drain e i source dei dispositivi.
Se n il numero dei gate e ciascuno presenta una transconduttanza g
m,i
si pu calcolare
il rumore totale come la somma dei singoli contributi di tutti gli n gate; si ottiene cos:
(1.59)
2
2
2
,
2
,
12
4
12
4
m i m G n
g
n
R
kT g
R
kT i
dove R
G
=nR
i
la resistenza totale di gate e g
m
= ng
m,i
la transconduttanza totale del
dispositivo considerato. Il rumore allingresso sar:
(1.60)
2
2
,
12
4
n
R
kT v
G
G n

25
Capitolo1 Il MOSFET
Figura 1.15: Transistor interdigitato.
Rumore della resistenza di substrato
La resistenza del substrato distribuita e questo rende complicato il calcolo del suo
contributo al rumore termico.
26
Capitolo1 Il MOSFET
Figura 1.16: Resistenza di substrato in un transistor a canale n.
Come si vede dalla figura 1.16 che illustra un dispositivo a canale n, si pu distinguere
una resistenza equivalente R
bl
distribuita tra la zona sottostante il canale e il contatto V
B
che polarizza il bulk; R
bl
risulta proporzionale a b/W
i
(dove W
i
la larghezza del canale).
Inoltre si ha una resistenza distribuita R
bv
tra la parte sottostante il canale e il back side
del bulk. Si ricava [13] che R
bv
molto pi grande di R
bl
cos il contributo di questultima
diventa importante essendo le resistenze in parallelo. La tensione di rumore termico
4kTR
bl
associata ad essa moduler la corrente nel canale attraverso la transconduttanza di
bulk g
mb
definita dalla:
(1.61)
t V V
BS
DS
mb
GS DS
V
I
g
cos ,


Per un transistor a struttura interdigitata con n strisce di gate la densit di spettrale di
corrente del rumore dovuto alle resistenze di substrato sar data da:
(1.62)
2 2
,
2
,
4 4
mb i mb
i
B n
g
W
b
kTB g
W
b
kTnB i

dove B una costante di proporzionalit e g
mb
,
i
pu essere pensata come la
transconduttanza di bulk di un singolo transistor. Lo spettro di rumore riportato all
ingresso sar dunque:
(1.63)
2
2
2
,
4
m
mb
B n
g
g
W
b
kTB v
27
Capitolo1 Il MOSFET
Si nota come questo contributo al rumore bianco non dipenda dal numero di strisce di
gate, e possa essere minimizzato mediante unopportuna polarizzazione del substrato.
28