Lezione 8

Il MOSFET

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L’idea originale: 1927
Descrizione del dispositivo
• Un MOSFET è realizzato a partire da un
substrato di tipo p (n), in cui vengono G
S Gate D
create due regioni superficiali di polarità
opposta n (p) denominate source e ox
drain. n++ n++
Source Drain
• Tra source e drain, al di sopra di un
sottile strato di ossido, viene creato un
elettrodo di controllo denominato gate p
• Il terminale di substrato (B - body) viene
posto al potenziale più basso se esso è B
di tipo p, altrimenti a quello più alto.
Interdizione
VDS
• Normalmente, tra drain e source di
un MOSFET non può scorrere ID=0
alcuna corrente se non G
S D
appplichiamo tensione anche sul ox
terminale di gate. n++ p p n++
• Ciò è dovuto al fatto che le due Giunzione Giunzione
Source-Substrato Drain-Substrato
giunzione p-n presenti tra source e
substrato e drain e substrato sono p
sempre inversamente polarizzate!
• Il MOSFET in questa situazione di B
dice interdetto.
La tensione di gate
• La situazione cambia se alla gate si VGS
applica un potenziale positivo G D
S
rispetto al substrato VGB=VGS>0 +++++++++++
ox
• Ai lati dello strato di ossido si n++ ---------- n++
accumuleranno cariche positive (dal
lato dell’elettrodo) e cariche negative
dal lato del silicio concordi con il
segno della tensione applicata. p
• Vediamo più in dettaglio questo
fenomeno, dal momento che esso B
consente, in certe ipotesi, lo
scorrimento della corrente tra drain
e source.
VGS “piccola”
VGS piccola
• Se VGS è piccola, essa sarà G
S D
sufficiente a respingere dalla +++++++++++
regione sottostante l’ossido di gate ox
le lacune presenti a causa del n++ - - - n++
drogaggio. In tale regione regione ioni
resteranno solo gli ioni fissi carichi di negativi fissi
negativamente. svuotamento
• La regione al di sotto dell’ossido p
sarà quindi priva di portatori liberi
(a parte i pochi elettroni presenti) B

• Tale fenomeno prende il nome di

svuotamento.
VGS “elevata”
• Al crescere della tensione VGS gli
elettroni liberi presenti nel substrato VGS grande
verranno attratti nella regione G D
S
sottostante l’ossido +++++++++++
ox
• Tale fenomeno prende il nome di n++ n++
accumulazione degli elettroni.
regione
• Nella regione tra source e drain, di elettroni
sottostante l’ossido, si crea quindi un tipo n liberi
canale di conduzione, anche esso di
tipo n, che collega drain e source tra di p
loro.
B
• Applicando quindi una tensione al
drain potrà scorrere corrente.
La tensione di soglia
• Al crescere della tensione VGS la Ne,Nh
concentrazione delle lacune andrà
progressivamente diminuendo mentre il
canale si arricchirà di elettroni. lacune

• Le tensione per la quale la concentrazione elettroni

di elettroni eguaglia quellla di lacune
prende il nome di tensione di soglia e la
indichiamo con Vth (threshold voltage)
• A partire da questo valore si sarà creato
un canale che consente il fluire della Vth VGS
corrente tra source e drain
Ricapitolando
VDS
• Se sulla gate di un MOSFET VGS
applico una tensione VGS>Vth ad S
G ID
attrarre una quantità sufficiente di D
elettroni al di sotto dell’ossido, ox
n++ n n++
all’applicazione di una tensione
positiva sul drain rispetto al
source potrà scorrere corrente.
• In queste condizioni la corrente è p
entrante nel drain e dato che IG=0,
uscirà dal source IS=ID. B
In 3D
W Z
• Il canale di un MOSFET è definito dalla ID
sua lunghezza L (distanza tra source e n++ n n++
drain) ed anche dalla sua larghezza W.
L
• Lo “spessore” del canale lo possiamo
definire come proporzionale alla
quantità di elettroni in esso presenti. p
• Ricordiamo che la conducibilità elettrica
di un materiale è proporzionale all’area Geometria e fisica del MOSFET
(WZ) ed inversamente proporzionale
alla lunghezza sono racchiuse in un unico
parametro indicato con la lettera K
• W e L sono parametri geometrici fissati
all’atto della fabbricazione del
dispositivo. Z invece dipende dalla
tensione VGS applicata.
 S VGS1
G
D
ox
• Se quindi applichiamo ad un MOSFET n
n++ n++
una tensione VGS crescente, la
resistività del canale diminuirà
progressivamente (aumenta la Z). VGS2 >VGS1
S
G
D
ox
n++ n n++

VGS3 >VGS2
S
G
D
ox
n++ n n++
Caratteristiche di uscita a bassa VDS
ID
• Quanto appena detto si riflette sulle VGS4 >VGS3
caratteristiche di uscita ID-VDS se la
tensione tra drain e source si mantiene
contenuta. VGS3 >VGS2
• In queste condizioni il MOSFET si
comporta come una resistenza VGS2 >VGS1
controllata dalla tensione VGS.
VGS1
• Il legame corrente-tensione, come si
vede dal grafico, è lineare nell’intorno VDS
dell’origine degli assi.
Lo strozzamento del canale (pinch-off)
VDS
• Quando la tensione VDS aumenta e non VGS
è più trascurbile rispetto alla VGS, il S
MOSFET non si comporta più come una G
D
resistenza. ox
VGx
• Infatti la tensione VDS si distribuisce n++ V(x) n n++
linearmente lungo il canale resistivo,
partendo da zero al terminale di source
per poi crescere. V(x)
• Ad ogni ascissa x quindi la tensione VGx
rispetto al substrato si vedrà ridotta
della tensione V(x) VDS

• Il canale quindi si restringerà all’ascissa

L in corrispondenza del drain 0 L x
Il pinch-off
V*DS=VGS-Vth
• Non appena applichiamo al drain la VGS
tensione V*DS=VGS-Vth, all’ascissa L la S G VGD=Vth
tensione VGx sarà pari a Vth e quindi il D
canale non sarà più formato. ox
• A partire da questo valore in poi, la n++ n n++
corrente del MOSFET non dipenderà
più dalla tensione VDS applicata ma
soltanto dalla VGS. Per cui il suo V(x)
comportamento potrà essere
assimilato ad un generatore di V*DS
corrente controllato (come il BJT in
regione attiva)
0 L x
Le tre regioni di funzionamento
• Quanto detto fino ad ora può essere
ricapitolato osservando il grafico delle regione
caratteristiche di uscita. di
• Se VGS è inferiore alla soglia la triodo
corrente è nulla e il MOSFET si dice
interdetto. regione di
• Nell’intorno dell’origine il MOSFET si saturazione o
comporta come una resistenza. E’ la pinch-off
cosiddetta regione lineare (compresa curva limite
nella regione di triodo). VDS=VGS -Vth
• Se il canale è strozzato il MOSFET si
comporta come generatore di regione
corrente ideale. lineare
Simboli circuitali del MOSFET
D D
G B
G
S Se il terminale di
S
substrato non è
canale n canale n
ad arricchimento
esplicitamente
ad arricchimento
indicato, si
D sottintende che sia D
collegato al source
G B
G
S S
canale p canale p
ad arricchimento ad arricchimento
Le equazioni del MOSFET
• Il funzionamento del MOSFET può essere modellato dalle seguenti
equazioni.
• In interdizione si ha:

• Nella regione di triodo:

• Nella regione di pinch-off:

Polarizzazione di un MOSFET
• Lo studio della polarizzazione del MOSFET è analogo a quanto fatto
per il transistor, con la semplificazione che il MOSFET non assorbe
corrente (in continua) dal terminale di gate.
• Possiamo quindi partire direttamente dallo schema a 4 resistenze dal
quale si può derivare qualsiasi altro tipo di circuito
 Polarizzazione a quattro resistenze
VDD

R1 RD

VDS
VGS
R2 RS

E’ una equazione di secondo grado nell’incognita VGS. Delle due

soluzioni andrà esclusa quella inferiore alla tensione di soglia Vth.
Il MOSFET come amplificatore VDD

• Supponiamo di polarizzare il MOSFET con due

batterie e sovrapponiamo alla polarizzazione R
della gate un segnale variabile a media nulla.
• Se il MOSFET è correttamente polarizzato
nella regione di pinch-off, la corrente di drain
sarà data da: vgs (t)

VGS
• Quindi, come il transistor, anche il MOSFET è
un disposistivo non lineare
Ipotesi di piccolo segnale

• Nell’ipotesi che il segnale applicato sia molto più piccolo di 2(VGS-Vth),

anche il MOSFET si comporta come dispositivo lineare e, ad una
somma di ingressi, risponde con la somma delle uscite. Il parametro di
proporzionalità, anche in questo caso lo chiamiamo transoconduttanza
e lo indichiamo con gm.
 VDD VDD

R R R

vgs (t) vgs (t)

VGS VGS
Modello a piccolo segnale del MOSFET
• Quanto appena detto ci
consente di disegnare il ig = 0 id
doppio bipolo che modella G D
il comportamento a piccolo
segnale di un MOSFET.
• Osserviamo che esso è del
vgs gm  vgs
tutto analogo a quello del
transistor con l’unica is = id
differenza che, dal S
terminale di gate, esso non
assorbe corrente.
Effetto della modulazione del canale
• Come il transistor, anche il MOSFET
in regione di pinch-off mostra una
debole dipendenza della corrente
di drain dalla tensione vds.
ig = 0 id
G D
• Teniamo conto di questo effetto
mettendo, in parallelo al
generatore controllato, una
vgs gm  vgs ro
resistenza che, anche in questo
caso, prende il nome di resistenza
differenziale di uscita ed è indicata is
con ro. S
• Il parametro che governa ro è
indicato con la lettera greca l ed
ha le dimensioni di [V-1]
Modello del MOSFET in alta frequenza
• Quando la frequenza alla
quale osserviamo il circuito
diventa tale da non poter Cgd id
trascurare più i comportmenti G D
reattivi interni al dispositivo,
introduciamo le due capacità
Cgs e Cgd per poter analizzare Cgs vgs gm  vgs ro
anche il MOSFET nei circuiti ad
alta frequenza.
• Il modello è identico a quello is
S
del transistor!