Esercitazione n 2: PSPICE

Nel corso di questa esercitazione sar utilizzato il simulatore circuitale PSPICE disponibile sul sito del Prof.
Daliento nella sezione materiale didattico/DSF/Software. Un manuale sullutilizzo del simulatore
disponibile nella stessa cartella.

1) Si descriva in PSPICE il circuito equivalente di una cella al silicio cristallino

Si impostino i seguenti valori dei parametri:

Rs=1, Rsh= 1k; Iph=36mA; Diodo (N= 1)

Si dimensioni la corrente di saturazione inversa del diodo in modo tale che la Voc della cella sia pari a
0.727V.

Si tracci una caratteristica tensione-corrente (I-V), impostando in ingresso un generatore di tensione e

misurando la corrente erogata dal circuito.

Valutare Voc, FF, ed . Si riportino tali valori e la caratteristica I-V ottenuta.

Mantenendo fissi i valori di Rs, Rsh, e i parametri del diodo, effettuare delle simulazioni al variare della
corrente foto generata per i seguenti valori: 40mA, 35mA, 30mA, 25mA e 20mA. In corrispondenza di
ciascun valore visualizzare le curve I-V (e riportarle) e la Voc. Come varia la Voc al variare della corrente
foto generata? (mostrare il grafico Voc-Iph). C accordo tra i valori trovati dalla simulazione e quelli
ottenuti applicando la formula della Voc in funzione della Iph, mostrata a lezione? (riportare un grafico in cui
si mostra la Voc ottenuta analiticamente e quella simulata per i diversi valori di Iph).

Effettuare unanalisi parametrica al variare della temperatura nel range -20C -> 80C. Riportare su di un
grafico la variazione di Voc con T.

Effettuare delle simulazioni variando la Rsh, mantenendo fissa la Rs=1, Iph= 35mA e i parametri del diodo
(I0=10-11A n= 1). Come varia la curva IV al variare di Rsh? (riportare su di un grafico le curve) Valutare
lefficienza al variare della Rsh e riportare tale andamento su di un grafico o in tabella.

Effettuare delle simulazioni variando la Rs, mantenendo fissa la Rsh=1k, Iph= 35mA e i parametri del
diodo (=10-11A n= 1). Come varia la curva IV al variare di Rs ?( riportare su di un grafico le curve).
Valutare lefficienza al variare della Rsh e riportare tale andamento su di un grafico o in tabella.
 2) Descrivere in PSPICE la serie di 5 celle trascurando per ciascuna la resistenza serie (Rs).

Iph= 35mA (per ciascuna cella), Rsh=700 (per ciascuna cella) e parametri del diodo uguali per ciascuna
cella (uguali a quelli precedentemente impostati). Valutare la curva I-V della serie delle 5 celle. (riportare tale
caratteristica). La Voc ottenuta in che relazione sta con la Voc della singola cella (valutata al punto
precedente). Oscurare una cella ( sufficiente porre uguale a zero la corrente foto generata della sola cella
oscurata). Come varia la curva I-V (riportare tale andamento)? Qual la tensione inversa ai capi della cella
oscurata?

Introdurre in antiparallelo alla cella oscurata un diodo di by-pass ( sufficiente un diodo generico preso tra
quelli a disposizione della libreria PSPICE) rilanciare la simulazione come cambiata la curva I-V?

Infine effettuare delle simulazioni al variare del livello di ombreggiamento: (n.b. va cambiata solo la Iph
della cella oscurata, mantenendo uguale a 35 mA quella delle altre).

Iph=0 (totale);

Iph=15 mA;

Iph= 25 mA;

Riportare su di un grafico le curve I-V nei precedenti tre casi (tutti gli altri parametri del circuito sono uguali
al caso precedente) sia in presenza di diodo di by-pass che in assenza, gli andamenti ottenuti sono quelli
attesi?