Lezione 9

Amplificatori elementari a MOSFET

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Premessa
• Lo studio degli amplificatori elementari realizzati con i MOSFET è
ovviamente più semplice dal momento che tutti i dettagli che
abbiamo affrontato sui circuiti realizzati con i transistor possono
essere tranquillamente importati.
• Inoltre la mancanza di una resistenza nella maglia di gate (cosi’ come
c’era nel transistor) rende l’analisi anche più facile dal punto di vista
della risoluzione delle reti elettriche.
Amplificatore a source comune
VDD
• E’ analogo al circuito ad emettitore
comune
RG1 RD
• La polarizzazione viene fatta attraverso ∞
le due resistenze sulla gate. +
• Il segnale è applicato tramite un ∞
M1 RL vo(t)
condensatore di
accoppiamento ed v (t) -
anche il carico RL s RG2
 Calcolo del guadagno
Rs RG1||RG2
+ +

vs vgs gmvgs ro RD RL vo

- -
 Resistenza di uscita e di ingresso

+ +
Rs vgs gmvgs RL vo
vs ro RD

- -

RG1||RG2 Rout
Amplificatore a gate comune
VDD
• E’ l’analogo del circuito a base
comune.
RG1 RC
• Per valutare il guadagno, al ∞ d
solito, passiamo al modello a D +
b ∞
piccolo segnale alle medie
M1 RL vo(t)
frequenze G -
S s

RG2 RS ∞ vs(
 Modello a piccolo segnale
+ +
vgs gmvgs ro RD RL vo
- -

La tensione vgs la RS Rsig Rout

ritroviamo, capovolta, ai
capi di Rs vsig
La resistenza ro la trascuriamo
per semplificare l’analisi.
Rin
Calcolo del guadagno
• Per valutare il legame tra vsig e +
vgs, scriviamo una LKC al nodo
di source gmvgs RD RL vo

Rsig -
-
vgs RS
vsig
+
Calcolo del guadagno

+
gmvgs RD RL vo

Rsig -
-
vgs RS
vsig
+
Calcolo di Rin
• Per calcolare la resistenza di ingresso,
come al solito, mettiamoci a valle del +
generatore e valutiamo la resitenza gmvgs RD RL vo
tra source e massa.
Rsig -
• Per fare questo, come già fatto in altri
casi, scolleghiamo la resistenza Rs, -
che metteremo in parallelo al vgs RS
risultato trovato vsig
+
Rin
Calcolo di Rin
• Il generatore di test coincide, al meno
del segno, con vgs. +
• La corrente erogata dal generatore, gmvgs RD RL vo
ancora a meno del segno, coincide -
Rsig
con la corrente gmvgs.
-
vgs Vx
+
Amplificatore a drain comune
VDD
• Il circuito a drain comune è
l’analogo della configurazione a RG1 RD
∞ d
collettore comune già studiata
D
per i circuiti a transistor. Rsig g ∞
• Per questo motivo ci aspettiamo G
Q1
un guadagno inferiore all’unità ed vsig(t) s
una resistenza di uscita molto S
+
piccola RG2 RS ∞
RL
-
Calcolo del guadagno
Rsig
• Nel costruire il modello a
piccolo segnale trascuriamo il vsig +
vgs gmvgs ro
parallelo delle resistenze che
polarizzano la gate, essendo -
esse di valore sicuramente +
molto più grande di Rsig.
RS vo RL
• La resistenza ro, invece, si
-
trova in parallelo a Rs e RL.
Calcolo del guadagno
Rsig
• A questo punto il calcolo del
guadagno è assai semplice. vsig +
vgs gmvgs
-
+
vo
-
Calcolo della resistenza di ingresso e di uscita
• La resistenza di ingresso, Rsig
avendo trascurato del due +
resistenza di polarizzazione vsig vgs gmvgs ro
della gate, è infinita. -
• La resistenza di uscita la si +
valuta in maniera
assolutamente identica al Rin RS vo RL
calcolo fatto per la resistenza di -
ingresso del circuito a gate
Rout
comune
Comportamento in frequenza
• Dal momento che il circuito di polarizzazione di un amplificatore a
MOSFET prevede il posizionamento dei tre condensatori di
accoppiamento e bypass nella stessa posizione in cui li abbiamo
trovati negli amplificatori a transistor, la valutazione di fL è analoga.

• Stessa cosa possiamo dire del comportamento in alta frequenza dal

momento che il modello a piccolo segnale del MOSFET è uguale a
quello del transistor bipolare.
Circuito a source comune: calcolo di wL
Rsig CG CD
+
vs vgs gmvgs ro RD RL
RG1||RG2
-

RS CS

• Per la valutazione della risposta in bassa frequenza, al solito,

applichiamo il metodo delle costanti di tempo
Calcolo di tG
Rsig CG CD
+
vs vgs gmvgs ro RD RL
RG1||RG2
-

RS CS

• Il condensatore CG vede la serie di RS e RG1||RG2

 Calcolo di tD
Rsig CD
+
vgs gmvgs ro RD RL
RG1||RG2
-

RS
• Dal momento che vgs=0, il generatore controllato si apre. Il
condensatore CD vedrà la serie di RL e RD||ro.
 Calcolo di tS
Rsig
+
vgs gmvgs ro RD RL
RG1||RG2
-

Ix

• Il calcolo è uguale alla RS Vx

valutazione della Rin del
circuito a gate comune.
Circuito a source comune: calcolo di wL
• Avendo valutato le tre costanti di tempo, possiamo passare alla valutazione
approssimata di wL.

• Ovviamente se si identifica una costante di tempo più piccola delle altre

(almeno di un ordine di grandezza) essa sarà quella dominante.
 Circuito a source comune, calcolo di wH.
• Il calcolo è analogo a quello fatto per il circuito ad emettitore comune. Per
la valutazione della risposta in alta frequenza del circuito a source comune
si applica, alla capacità Cgd, la trasformazione di Miller.

Rs Cgd
+
+
Cgs
Vs(s) RG1||RG2 vgs ro RD RL Vo(s)
gmvgs
-
-
 Trasformazione di Miller
Rs
Cgs+C’gd +
+
C’’gd
Vs(s) RG1||RG2 vgs ro RD RL Vo(s)
gmvgs
-
-
 Trasformazione di Miller
RS
+
Vs(s) RG1||RG2 vgs

• Avendo scelto di trasformare secondo Miller il circuito, sappiamo che

possiamo guardare unicamente la maglia di ingresso. Si avrà
 Circuito a gate comune in alta frequenza
Cgd
• Nel circuito a gate
comune entrambe le
capacità interne del +
Cgs vgs gmvgs RD RL
MOSFET hanno un
terminale connesso a -
massa e quindi le
possiamo spostare in
luoghi più convenienti Rsig
RS
per i nostri calcoli. Vs(s)
 Calcolo delle t.
gmvgs Cgd RL * • Applichiamo il metodo
delle costanti di tempo in
alta frequenza.
• Consideriamo dapprima
- Cgs e in seguito Cgd.

Vgs Cgs RS*

+
 Calcolo di tgs.
gmvgs Cgd • Calcoliamo la resistenza
RL * equivalente scorporando
RS*. La tensione applicata
sarà pari a –Vgs, la correne
è pari a –gmvgs, per cui la
- resistenza è pari a 1/gm.
Vgs Cgs RS*
+
Calcolo di tgd.
gmvgs Cgd RL * • Se scriviamo una LKC al nodo di
source ci accorgiamo che vgs=0.
Infatti:

-
RS* Vgs
• Allora la tgd sarà data da:
+
Calcolo di wH.
• Applicando il metodo delle costanti di tempo in alta frequenza , se
non è possibile identificare una delle due t come dominante, si
ottiene infine l’espressione approssimata della pulsazione di taglio:
Circuito a drain comune in alta frequenza
• Il circuito a drain Rsig Cgd
comune ha il
terminale di drain a +
massa. Cgs vgs ro
Vs gmvgs
• Possiamo quindi -
ridisegnarlo portando
+
ro in parallelo
sull’uscita e Cgd tra RS||RL Vo
gate e massa
-
Osserviamo il circuito tra gate e massa
• Applichiamo un generatore di Vx +
test e valutiamo l’impedenza
vista tra gate e massa. Cgs vgs gmvgs
• Scriviamo una LKV alla maglia -
di ingresso ed una LKC al nodo
di source +
Vo R*L=ro||RS||RL
-
Osserviamo il circuito tra gate e massa

Rsig
• Quindi, tra gate e massa, si osserva
una impedenza pari alla serie di
una resistenza e di una capacità Cgd Cgs/(1+gmR*L)
dimimuita del termine 1+gmRL*
• La resistenza RL* non influenza
molto la posizione del polo del R*L
circuito e quindi possiamo
trascurarla
Calcolo di wH:
Rsig
• Quindi, tra gate e massa, si osserva
una impedenza pari alla serie di una
resistenza e di una capacità dimimuita Cgs/(1+gmR*L)
Cgd
del termine 1+gmRL*
• La resistenza RL* non influenza molto
la posizione del polo del circuito e
quindi possiamo trascurarla ed
approssimarla ad un corto circuito
• A questo punto possiamo calcolare la
costante di tempo e di conseguenza la
pulsazione di taglio superiore
 VDD=10V
Vth1,2=1V
k1=k2=1mA/V2
RG1=1M RD=50k
M2

R=1k CG=1mF CS=1mF

M1 vo(t)
vs(t) RS=? RL=10k
RG2=?