Amplificatori di potenza

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 1

 Utilizzo degli Amplificatori
di Potenza a RF

- Telefoni cellulari
- Palmari
- Computer portatili
- Stazione radio base

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 2

 Gli amplificatori di potenza
Dispositivi a controllo di corrente
realizzati con

BJT MOS

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 3

 Classificazione degli Amplificatori

Rapporto tra l’ampiezza del segnale

Guadagno
d’uscita e l’ampiezza del segnale
d’ingresso

Rapporto percentuale tra la potenza al

Efficienza carico e la potenza erogata
dall’alimentazione

Un sistema distorcente genera in

Distorsione
uscita componenti non presenti nel
segnale d’ingresso

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 4

 Guadagno

•  Il guadagno di un amplificatore è definito

come il rapporto tra l’ampiezza del segnale di
uscita (Xo) e l’ampiezza del segnale di
ingresso (Xi), come mostrato nella seguente
formula: Xo
G=
Xi

•  dove G, a seconda della natura di X0 e di Xi,

può essere guadagno in tensione o in
corrente o in potenza.

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 5

 Efficienza

•  L’efficienza di un amplificatore è definita come il rapporto

percentuale tra la potenza al carico rispetto alla potenza erogata
dall’alimentazione:
PL
η= %
PS
•  dove PL è proprio la potenza trasferita al carico e PS è la potenza
assorbita dall’alimentazione. La differenza tra la potenza di
alimentazione e quella trasferita al carico è definita potenza
dissipata:

Pd = Ps − PL
•  Da questa definizione si evince che tanto più è maggiore la potenza
dissipata sul transistore, tanto più bassa sarà l’efficienza
dell’amplificatore.

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 6

 Qualità

•  La qualità di un amplificatore viene

misurata da una cifra di merito Fm definita
come PC (max)
Fm =
PL(max)

•  dove Pc(max) è la massima dissipazione di

potenza sul collettore e PL(max) è la
massima potenza in uscita

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 7

 Distorsione
•  Un sistema si dice distorcente se in uscita genera componenti non
presenti nel segnale di ingresso. La distorsione è misurata da un
fattore di qualità noto come distorsione armonica totale THD (Total
Harmonic Distortion). Per definire questa quantità introduciamo il
coefficiente di distorsione di k-esima armonica

(2 Ak )2 / 2 Ak
Dk = 2
= , k ≥2
(2 A1 ) / 2 A1
•  che rappresenta la radice quadrata del rapporto tra la potenza (2Ak)2/2
della k-esima armonica prodottasi per distorsione, e la potenza (2A1)2/2
della prima armonica, che viene considerata come la replica non
distorta del segnale d’ingresso.
•  In teoria esistono infiniti coefficienti di distorsione, in pratica però sono
rilevanti soltanto quelli di ordine inferiore (seconda e terza armonica).

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 8

 Distorsione

•  Possiamo ora definire THD (Total Harmonic Distorsion) come il

rapporto tra la potenza del residuo di distorsione d(t) e quella della
componente utile

Pd deff
D= 2
=
(2A1 ) / 2 2A1
•  dove abbiamo definito il segnale distorsione come “residuo” del
segnale d’uscita, tolta la componente utile e quella continua:

+∞
d (t ) = y (t ) − A0 − 2 A1 cos(2π f0t + θ1 ) = 2∑ Ak cos(2π kf0t + θ k )
k =2

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 9

 Effetti non Lineari

Segnale d’ingresso
Distorsione di
a 2 toni
intermodulazione

Presenza di componenti spurie

nella banda del segnale

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 10

 Analisi dell’Amplificatore
U"lizzeremo   una   tecnica   di   approssimazione   lineare   della   cara/eris0ca   di  
trasferimento  del  disposi"vo.    
 
Questa   procedura   prevede   di   sos"tuire   la   dipendenza   non   lineare   della   corrente   dalla  
tensione  in  ingresso  della  cara7eris"ca  con  una  approssimata  dalla  re7a  tangente  alla  
curva  nel  punto  specificato.    
 
In  Figura  sono  mostrate  la  corrente  di  uscita  per  l’a7uale  dipendenza  dalla  tensione  
(curva  tra7eggiata)  e  la  sua  approssimazione  (curva  con"nua).    
 
 
 
 
 
 
 

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 11

 In questo caso, la caratteristica lineare approssimata corrente-tensione
del dispositivo è definita da
⎧ 0 vin ≤ VP
i=⎨
⎩ g m (vin − VP ) vin ≥ VP
dove gm è la transconduttanza del dispositivo e Vp è la tensione di
pinch-off.

Ipotizziamo che il segnale di ingresso sia cosinusoidale

vin = Vbias +Vin cos ! t

dove Vbias è la tensione di polarizzazione dc di ingresso.

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 12

 Nel punto sul grafico dove la tensione vin(ωt) uguaglia la tensione di
pinch-off Vp e dove ωt = θ, la corrente di output i(θ) vale zero. In
questo caso
VP=Vbias+Vin cosθ
e θ può essere calcolato da
Vbias − VP
cosθ = −
Vin
Come risultato, la corrente di output è una forma d’onda periodica
con impulsi cosinusoidali di ampiezza massima Imax e larghezza 2θ
come !# I q + I cos ! t
i=" !! " " t < !
#$ 0 ! " " t < 2# ! !

dove l’angolo di conduzione 2θ indica l’intervallo della corrente RF

durante la quale il dispositivo conduce, come mostrato in Figura
successiva.
Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 13
 FIGURA  2:  DEFINIZIONE  SCHEMATICA  DI  ANGOLO  DI  CONDUZIONE.

Quando la corrente di output i(ωt) diventa zero, si può scrivere

i=I q+I cosθ = 0

Tenendo in conto che I = gmVin si può scrivere per i > 0

i = gmVin (cos ! t ! cos" )

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 14

 Quando  ωt  =  0,  allora  I  =  Imax  e  
I max = I(1 ! cos! )
   
 
L’espansione   in   Serie   di   Fourier   della   funzione  
può  essere  scri7a  come  
    i(! t) = I 0 + I1 cos! t + I 2 cos 2! t + I3 cos3! t + ...
   

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 15

 dove l’armonica dc, alla frequenza fondamentale e di ordine n sono calcolate
come
θ
1
I0 =
2π ∫θ g V
−
m in (cos ωt − cos θ )d (ωt ) =γ 0 (θ ) I

θ
1
I1 =
π ∫θ g V
−
m in (cos ωt − cosθ ) cos ωtd (ωt ) =γ 1 (θ ) I

θ
1
In =
π ∫θ g V
−
m in (cos ωt − cos θ ) cos( nωt )d (ωt ) =γ n (θ ) I

dove γn(θ) sono i coefficienti dell’espansione della corrente definiti

analiticamente come 1
γ 0 (θ ) = (sin θ − θ cosθ )
π
1 sin 2θ
γ 1 (θ ) = (θ − )
π 2
1 ⎡ sin(n − 1)θ sin(n + 1)θ ⎤
γ n (θ ) = ⎢ −
π ⎣ n(n − 1) n(n + 1) ⎥⎦
con n = 2,3,…
L’ampiezza delle armoniche di corrente corrispondenti può essere ottenuta da

I n = γ n (θ ) g mVin = γ n (θ ) I
Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 16
 Classi base di funzionamento
Per   determinare   la   classe   di   funzionamento   di   un   amplificatore   di   potenza,   si   considera   un  
semplice   stadio   resis0vo   come   quello   in   Figura,   dove   Lch   è   un   indu7ore   ideale,   Cb   è   il  
condensatore  di  blocco  della  con"nua  ed  R  è  la  resistenza  di  carico.    
 
Il   disposi"vo   aJvo   si   comporta   come   un   generatore   ideale   di   corrente   controllato   in   tensione  
con  resistenza  di  saturazione  nulla.  
   
 
 
 
 
 
 
 

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 17

 Per un segnale di ingresso cosinusoidale, il punto di lavoro deve essere fissato al centro della
zona lineare della caratteristica di trasferimento con Vin < Vbias – Vp.

Ne segue che, la corrente di uscita è cosinusoidale,

i = I q + I cos ! t
con la corrente di quiescenza Iq maggiore o uguale all’ampiezza della corrente di collettore I.

La tensione di uscita V sul collettore è la somma della tensione di alimentazione continua Vcc e
della tensione cosinusoidale VR ai capi della resistenza R.

Per un carico puramente resistivo, la tensione al collettore V può essere scritta come
v = Vcc + V cos(! t +180°) = Vcc ! V cos ! t
dove V è l’ampiezza della tensione di uscita.
Sostituendo la prima equazione nella seconda si ottiene

v = Vcc − (i − I q ) R
⎛ V ⎞ v
i = ⎜ I q + cc ⎟ −
⎝ R ⎠ R
che stabilisce una dipendenza lineare della corrente di collettore dalla tensione di collettore.
Una situazione di questo tipo è nota come modo di funzionamento in Classe A.

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 18

 Amplificatori in classe A
•  Negli amplificatori in classe A, la Ic: corrente di polarizzazione
statica del collettore, è maggiore dell’ampiezza di picco della
corrente di uscita alternata Ip. Pertanto, in questi amplificatori, il
transistore conduce per tutto il periodo del segnale d’ingresso; si
può quindi definire un angolo di conduzione.

θ = θt = 360°

•  Data questa caratteristica, gli amplificatori in classe A sono quelli

che dissipano più potenza e quindi anche i meno efficienti

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 19

 Un semplice schema di classe A

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 20

 Corrente di Collettore
•  Anche se l’efficienza è scadente, punto di forza degli amplificatori in
classe A è la risposta in frequenza
1.28mA

1.24mA

1.20mA

1.16mA
0s 100us 200us 300us 400us 500us
Ic(Q1)
Time

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 21

 Risposta in frequenza
•  è possibile notare come la risposta in frequenza sia piatta su un
ampio range di frequenze e abbia un elevato guadagno in dB

50

40

30

20
1.0Hz 10Hz 100Hz 1.0KHz 10KHz 100KHz 1.0MHz 10MHz 100MHz
DB(V(R2:1)/V(V5:+))
Frequency

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 22

 Amplificatore RF in
classe A
•  E’ possibile, tuttavia, costruire amplificatori in classe A per segnali a radiofrequenza
utilizzando tecniche a carico lineare.
•  È riportato lo schema di un amplificatore di potenza in classe A con caratteristica
lineare a 1.9 GHz e la relativa tabella dei valori
Elemento Valore
Cout 2.7pF
Cin 4.7pF
Lcap 0.6nH
Cds 1.5pF
(drain source)
Ls 0.08nH
Lbnd 0.2nH
T 40mil (εr=10, h=10)
T1 150mil (εr=4.5, h=31mil)
T2 180mil (εr=4.5, h=31)

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 23

 Calcolo dell’efficienza di un
percentualeamplificatore in! =classe A
Come detto, l’efficienza è data dal rapporto
tra la potenza trasferita al P
carico e quella assorbita dall’alimentazione
% L
PS
che viene espressa come

La potenza media continua richiesta

all’alimentazione è data da
Ps =Vcc I c

La potenza media fornita al carico, è data da

!V $ ! I $ V I 2
I R I I R
PL = # & # & =
P P P P
= P L P
= P L

" 2 %" 2 % 2 2 2
VCE (max) − VCE (min)
VP =
2
IC (max) − IC (min)
IP =
2

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 24

 Efficienza ideale del classe A
Considerando il caso ideale nel quale

VCE (min) = 0, IC (min) = 0, VCE (max) = VCC , IC (max) = 2IC

otteniamo un efficienza massima

VCE (max)IC (max) VCC 2IC 1

ηmax = = = = 25%
8VCC IC 8VCC IC 4

Questo valore, quindi, può essere considerato come limite massimo

dell’efficienza oltre il quale non è possibile salire. Nella realtà l’efficienza è più
bassa in quanto le ipotesi fatte non sono pienamente rispettate. Ad esempio
nell’amplificatore in classe A analizzato precedentemente, si è riscontrata una
Ps=14,544mW e una PL=3,600mW ottenendo un valore dell’efficienza molto
vicino al massimo teorico e pari a 24,7%

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 25

 Amplificatori in classe B
•  Negli amplificatori in classe B,
il transistore è polarizzato con
una corrente di collettore
continua nulla ed è in regione
di conduzione solo per un
semiperiodo del segnale
d’ingresso; quindi l’angolo di
conduzione è pari a 180°. Un
esempio di amplificatore in
classe B è l’amplificatore
PushPull a simmetria
complementare .
•  Questo tipo di amplificatore è
formato da due stadi emitter
follower che operano in
controfase attraverso l’impiego
di una coppia di BJT,
uno npn e l’altro pnp

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 26

 Correnti nei collettori
•  Quando il transistore conduce, la corrente
di collettore è
i c = I p sin ωt

40mA 80mA

0A 40mA

-40mA
0A

-80mA
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms -40mA
Ie(Q1) 0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms
Time Ie(Q2)
Time

Forma d’onda della corrente del transistore NPN Forma d’onda della corrente del transistore PNP

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 27

 Corrente sul carico
•  Si nota la distorsione di crossover al
passaggio per lo zero
80mA

40mA

0A

-40mA

-80mA
0s 0.5ms 1.0ms 1.5ms 2.0ms
-I(RL)
Time

Forma d’onda della corrente sul carico

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 28

 Calcolo dell’efficienza di un amplificatore in classe B

Per poter calcolare l’efficienza di un amplificatore

in classe B assumiamo che
VCE 1( sat ) = VCE 2( sat ) = 0V
IC (min) = 0 A

e che ic abbia variazioni sinusoidali; allora possiamo

ricavare la corrente media di collettore sul transistore:

π π
1 1 IP
IC1 = ∫
2π 0
i c1dt = ∫
2π 0
IP sin(ωt )dωt =
π

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 29

 Efficienza del classe B
La potenza media fornita dall’alimentazione è
2IPVCC
PS = IdcVCC =
π
IPVP
e la potenza in uscita PL =
2
ottenendo un’efficienza

IPVP / 2 π ⎛ VP ⎞
η= = ⎜⎜ ⎟⎟
2IPVCC / π 4 ⎝ VCC ⎠
che sarà massima scegliendo

VP = VCC η = 78,5%
Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 30
 Amplificatori in classe AB

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 31

 Corrente sul carico
•  Si nota che la distorsione di crossover è
scomparsa
100mA

50mA

0A

-50mA

-100mA
0s 1.0ms 2.0ms 3.0ms 4.0ms 5.0ms
I(Rl)
Time

Forma d’onda della corrente sul carico

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 32

 Calcolo dell’efficienza di un amplificatore in classe AB

•  L’efficienza di un amplificatore in classe AB è molto simile a quella di uno in

classe B a parte il fatto che il circuito in classe AB dissipa una potenza di
riposo di IQVCC per transistore, dove IQ è la corrente che scorre nel
transistore quando il segnale di ingresso sulla base è nullo.
•  Quindi la potenza media fornita dall’alimentazione in continua è

2IPVCC ⎛ 2IP ⎞
Ps = + IQVCC = VCC ⎜ + IQ ⎟
π ⎝ π ⎠

•  Questo termine aggiuntivo porta ad un peggioramento dell’efficienza

rispetto alla classe B

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 33

 Angolo di Conduzione

L’angolo di conduzione può essere scritto come rapporto tra la corrente di quiescenza Iq e
l’ampiezza della corrente I come

Iq
cosθ = −
I
Ne segue che è possibile introdurre una classificazione dei modi di funzionamento degli
amplificatori di potenza mediante la metà dell’angolo di conduzione nella maniera
seguente

Quando θ = 90°, allora cosθ = 0 e Iq = 0 corrisponde al funzionamento in Classe B.

Quando θ > 90°, allora cosθ < 0 e Iq > 0 corrisponde al funzionamento in Classe AB.

Quando θ < 90°, allora cosθ > 0 e Iq < 0 corrisponde al funzionamento in Classe C.

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 34

 La corrente periodica pulsata i(ωt) può essere espressa mediante Serie di
Fourier
i(! t) = I 0 + I1 cos ! t + I 2 cos 2! t + I 3 cos3! t + ...

dove la componente dc e quella alla frequenza fondamentale si ottiene da

1 #
I0 =
2!
!g m ( )
Vin (cos " t - cos# ) d(" t) =$ 0 (# )I
-#

1 #
I1 =
!
!g m ( ) ( )
Vin (cos " t - cos# )cos wt d(" t) =$1(# )I
-#

1
γ 0 (θ ) = (sin θ − θ cosθ )
rispettivamente, dove π
1 sin 2θ
γ 1 (θ ) = (θ − )
π 2

Ne segue che la componente dc della corrente è funzione di teta quando

θ < 180°, in contrasto con il Classe A dove θ = 180° e la corrente dc è
uguale a quella di quiescenza durante tutto il periodo.
Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 35
 L’ e f f i c i e n z a a l c o l l e t t o r e d i u n
amplificatore di potenza con circuito
risonante può essere ottenuta da

P1 1 I1 1 γ1
η= = ξ= ξ
P0 2 I 0 2γ0

Se ξ = 1 e θ = 90°, allora ne segue che la

massima efficienza di un Classe B è
uguale a
π
η= ≅ 78.5%
4
GRAFICI DI TENSIONE E
CORRENTE PER UN CLASSE B.

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 36

 La potenza alla frequenza fondamentale consegnata al carico, PL = P1, è definita da

VI1 VIγ 1 (θ )
P1 = =
2 2
e dipende dall’angolo di conduzione 2θ.

Una riduzione di θ comporta una riduzione di γ1 e per aumentare la potenza P1

della frequenza fondamentale, è necessario aumentare l’ampiezza della corrente I.
Siccome questa dipende dalla tensione di ingresso Vin, la potenza di ingresso Pin
deve essere aumentata.

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 37

 Ne consegue che l’efficienza massima si ottiene in corrispondenza del massimo
di V’O. Per questo valore della tensione d’uscita, l’efficienza è data da

π
η max = ≅ 78.5%
4
La dissipazione di potenza a riposo nel Classe B è nulla.

Quando viene applicato un segnale in ingresso, la potenza media dissipata da

questo è data da
2 VO' 1 VO'2
PD = Vcc −
π RL 2 RL
Derivando l’equazione di sopra rispetto a V’O ed eguagliando la derivata a zero si
ha il valore di VO che provoca la massima dissipazione di potenza

2
V '
= Vcc
π
O PD max

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 38

 Sostituendolo nella formula della PD, si ottiene quella massima
2 Vcc2
PD max = 2
π RL
Nel punto di massima dissipazione di potenza l’efficienza η = 50%.

In Figura è mostrato l’andamento di PD in funzione della tensione d’uscita di picco

V’O.

DISSIPAZIONE  DI  POTENZA  DELLO  STADIO  D'USCITA  IN  CLASSE  B  IN  FUNZIONE  DELL'AMPIEZZA  DELLA  SINUSOIDE  D'USCITA.

Si può vedere che un incremento di V’O oltre 2Vcc/π fa diminuire la potenza

dissipata nello stadio in Classe B mentre fa aumentare la potenza di carico.

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 39

 Se vI subisce un incremento positivo, la tensione sulla base di QN e la tensione di
uscita segue lo stesso incremento
VBB
vO = vI + − vBEN
2
Il valore positivo di vO fa fluire una corrente iL attraverso RL e quindi iN deve
aumentare; cioè
i N = iP + i L
L’incremento di iN sarà accompagnato da un corrispondente incremento di vBEN
(rispetto al valore di risposo VBB/2).

Poiché la tensione tra le due basi resta uguale a VBB, l’incremento di vBEN produrrà
un eguale decremento di vBEP e quindi di iP.
vBEN + vEBP = VBB
⎛ iN ⎞ ⎛ iP ⎞ ⎛ IQ ⎞
VT ln⎜ ⎟ + VT ln⎜ ⎟ = 2VT ln⎜⎜ ⎟⎟
⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ IS ⎠ ⎝ IS ⎠ ⎝ IS ⎠
iN iP = I Q2
Quindi, non appena iN cresce, iP decresce di un fattore uguale mentre il prodotto
rimane costante.
Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 40
 Le relazioni sulla potenza nello stadio in Classe AB sono quasi identiche a quelle
derivate per il circuito in Classe B.

La sola differenza è che in condizioni di riposo il circuito AB dissipa una potenza

pari a VCCIQ per transistor.

Poiché IQ è generalmente molto più piccola della massima corrente di carico, la

dissipazione di potenza a riposo è generalmente piccola.

Possiamo semplicemente aggiungere la dissipazione a riposo di ogni transistor

alla massima dissipazione di potenza che si ottiene applicando un segnale in
ingresso, per ottenere la potenza complessiva che il transistor deve esser in
grado di dissipare per non essere danneggiato.

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 41

 Polarizzazione con diodi

La tensione di polarizzazione VBB può essere generata facendo scorrere una

corrente Ibias attraverso una coppia di diodi, D1 e D2, come mostrato.

STADIO  D'USCITA  IN  CLASSE  AB  CHE  UTILIZZA  DIODI  PER  LA  POLARIZZAZIONE.

Quando lo stadio d’uscita fornisce potenza al carico, la corrente di base di QN

cresce da IQ/βN (piccola) ad approssimativamente iL/βN. Questo aumento della
corrente di base deve essere fornito dal generatore di corrente Ibias.

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 42

 Ibias deve essere maggiore del massimo valore che la corrente di base può
assumere in QN. Visto che IQ = nIbias (“n” è il rapporto tra l’area della giunzione di
emettitore dei transistori e l’area della giunzione dei diodi) e poiché IQ è di solito
molto più piccola della massima corrente di carico (meno del 10%), è evidente che
non è possibile adottare diodi molto più piccoli dei componenti d’uscita.

La configurazione con polarizzazione a diodi fornisce anche una stabilizzazione

termica della corrente a riposo nello stadio d’uscita.

Per un BJT, mantenendo costante la VBE, se si verifica un aumento di temperatura,

cresce la corrente di collettore. L’incremento della corrente di collettore aumenta la
dissipazione di potenza, la quale a sua volta aumenta la corrente di collettore. Ciò
provoca il fenomeno della fuga termica che può condurre alla distruzione del BJT.

La polarizzazione a diodi può fornire un effetto compensatore per proteggere i

transistor d’uscita contro fughe termiche in condizioni di riposo.

Nel caso specifico, se i diodi sono in stretto contatto termico con i transistor
d’uscita, la loro temperatura aumenterà della stessa quantità di QN e QP. Così VBB
diminuirà nella stessa misura di vBEN + vBEP, con il risultato che IQ resta costante.

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 43

 Effetti Termici nei Transistori di Potenza

I   transistori   di   potenza   dissipano   grandi   quan"tà   di   potenza   nelle   giunzioni   colle7ore-­‐base.   La  

potenza  dissipata  viene  conver"ta  in  calore,  il  quale  fa  aumentare  la  temperatura  di  giunzione.    
 
Bisogna  evitare  che  la  temperatura  di  giunzione  TJ  superi  un  massimo  specificato  TJmax  altrimen"  
il   transistor   può   subire   un   danno   permanente.   Per   disposi"vi   al   Silicio   TJmax   ha   valori   compresi  
nell’intervallo  che  va  da  150°C  a  200°C.  
   
Consideriamo  il  caso  di  un  transistore  funzionante  in  aria,  cioè  senza  speciali  accorgimen"  per  il  
raffreddamento.   In   condizioni   stazionarie,   quando   la   potenza   dissipata   dal   transistor   è   PD,  
l’aumento  della  temperatura  di  giunzione  rispe7o  all’ambiente  circostante  può  essere  espresso  
come  
 
 
  TJ − TA = θ JA PD
dove  θJA  è  la  resistenza  termica  tra  la  giunzione  e  l’ambiente,  che  si  misura  in  °C  per  Wa7.    
 

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 44

 Poiché vorremmo essere in grado di dissipare grandi quantità di potenza senza far
salire la temperatura di giunzione oltre TJmax, è opportuno che la resistenza termica
θJA assuma il valore minimo possibile.

Il costruttore del transistor di solito specifica TJmax, ossia la massima dissipazione

di potenza ad una particolare temperatura ambiente TA0 (di solito 25°C) e la
resistenza termica θJA.

Inoltre viene generalmente fornito un grafico come quello in Figura che stabilisce
che per temperature al di sotto di TA0, il componente può dissipare il valore indicato
PD0, senza rischiare di danneggiarsi.

Se il componente deve funzionare a temperature più elevate, la massima potenza

che il dispositivo può dissipare risulta ridotta in accordo con la retta mostrata in
grafico.

 MASSIMA  DISSIPAZIONE  DI  POTENZA  IN  FUNZIONE  DELLA  TEMPERATURA  DEL  CONTENITORE  DEL  TRANSISTORE.
Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 45
 Se la temperatura ambiente è TA0 e se la potenza dissipata dal dispositivo è
quella massima (PD0), allora la temperatura di giunzione è TJmax. L’inverso della
pendenza della retta nel grafico vale

TJ max − TA0
θ JA =
PD 0

Ad una temperatura ambiente TA > TA0, la massima potenza che può essere
dissipata PDmax si ottiene per TJ = TJmax, cioè

TJ max − TA
PD max =
θ JA

Quando TA si avvicina a TJmax, la massima dissipazione di potenza decresce,

perché il minore gradiente termico limita la quantità di calore che può essere
rimossa dalla giunzione.

Nel caso limite di TA = TJmax, non può essere dissipata potenza perché non è
possibile rimuovere calore dalla giunzione.

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 46

 Protezione dal Corto Circuito

In Figura è mostrato un Amplificatore in

Classe AB equipaggiato con un circuito di
protezione contro gli effetti dei corto circuiti
che si possono verificare in uscita mentre lo
stadio sta erogando corrente.

Nel caso in cui si presenti la situazione di

impedenza di carico nulla, una tensione in
ingresso tale da far condurre i dispositivi
dovrebbe provocare una corrente di carico
infinita.

In pratica, attraverso i transistori può

scorrere una corrente molto elevata e
l’elevata dissipazione di potenza nei
transistori può causarne la bruciatura.

STADIO  D'USCITA  CLASSE  AB  CON  PROTEZIONE  DA  CORTO  CIRCUITI.

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 47

 Il transistore Q5 non entra in conduzione fino a quando la sua VBE non supera la
soglia VS, in questo caso, dall'analisi del circuito, risulta che VBE5 = RE1IL.

Quindi occorre dimensionare la resistenza RE1 in modo tale che la caduta di

tensione ai suoi capi superi la soglia VS solo quando la corrente sul carico
raggiunge un valore limite fissato Imax superato il quale Q5 entra in conduzione
sottraendo la corrente IC5 dalla base di Q1.

Inoltre ogni aumento della corrente IL provoca un incremento della tensione VBE5,
con conseguente aumento della corrente di collettore IC5, che limita ulteriormente
la corrente di base IB1. Infatti:
I E5
VBE 5 = I L RE1 = VT ln
IS5 I L RE 1

quindi, essendo IE5 > IC5, possiamo asserire che I C 5 = I S 5 e

VT

All’aumentare di IL aumenta anche IC5 e, quindi, diminuisce IB1 facendo diminuire

la stessa IL.

Il circuito formato dai due transistori, Q1 e Q5, è un sistema retroazionato

negativamente in grado di controllare e limitare la corrente d'uscita
dell'amplificatore.
Il valore massimo della corrente sul carico Imax è dato dalla seguente relazione:
VBE 4 0.6
I max ≅ =
RE1 RE1
Da questa relazione si nota come la dinamica d'uscita venga diminuita, a causa
del circuito di protezione, al massimo di 1.2 V.
Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 48
 Spegnimento termico

La maggior parte degli amplificatori di potenza

integrati sono di solito equipaggiati con un
circuito che misura la temperatura del chip ed
attiva un transistore nel caso che la
temperatura superi un valore di sicurezza
prestabilito. Il transistor di protezione è
connesso in modo da assorbire la corrente di
polarizzazione dell’amplificatore,
impedendone quindi il funzionamento.

La Figura mostra un circuito di spegnimento

termico. Il transistor Q2 è normalmente
interdetto. Non appena la temperatura del
chip cresce, la combinazione del coefficiente
di temperatura positivo del diodo Zener Z1 ed
il coefficiente di temperatura negativo di VBE1
causa un aumento della tensione
sull’emettitore di Q1. Questo a sua volta fa
salire la tensione sulla base di Q2 fino al  CIRCUITO  DI  SPEGNIMENTO  TERMICO.
punto in cui Q2 si attiva.

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 49

 Amplificatori di Potenza in Classe C
 
 
Ricorreremo   ad   un’analisi   approssimata   considerando   la   corrente   di   colle7ore   del   transistore  
come  una  porzione  di  sinusoide  quando  questo  è  in  conduzione  e  nulla  quando  il  transistore  è  
interde7o.  Inoltre  supporremo  che  il  transistore  non  vada  mai  in  saturazione.  
   
La  seguente  analisi  si  riferisce  all’Amplificatore  di  Potenza  in  Classe  C  single-­‐ended  mostrato  in  
Figura.    
   
 
 
 
 
 
 
 

AMPLIFICATORE  DI  POTENZA  CLASSE  C  SINGLE-­‐ENDED.

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 50

 La component dc della corrente di
collettore i(θ) scorre attraverso la RF
choke e poi nell’alimentazione dc.

La componente alternata, invece, scorre

nella capacità di blocco Cd e nel circuito
accordato parallelo RLC.
FORMA  DEGLI  IMPULSI  DELLA  CORRENTE  DI  COLLETTORE.
Tale circuito fa in modo che solo la
componente di i(θ) alla frequenza
fondamentale scorra nella resistenza di
carico R, con la conseguenza che in
questa scorre una corrente sinusoidale.

Le forme d’onda di corrente e tensione

sono mostrate nelle Figure.

FORME  D'ONDA  IN  UN  AMPLIFICATORE  CLASSE  C.

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 51

La corrente di collettore è una forma d’onda periodica descritta da
⎧ I M (cos θ − cosθ c )
⎪ !!c + 2k " " ! " !c + 2k "
i (θ ) = ⎨ 1 − cosθ c
⎪⎩ 0 altrimenti

e può essere espressa in Serie di Fourier come

∞
i (θ ) = I M ∑ α n (θ c ) cos nθ
con: n =0

sin( n − 1)θ c sin( n + 1)θ c

−
sin θ c − θ c cosθ c θ c − sin θ c cosθ c n(n − 1) n(n + 1)
α 0 (θ c ) = α1 (θ c ) = α n (θ c ) =
π (1 − cosθ c ) π (1 − cosθ c ) nπ (1 − cosθ c )

In Figura sono mostrati i grafici dei coefficienti della corrente αn in funzione

dell’angolo di conduzione 2θc.

 COEFFICIENTI  DI  FOURIER  IN  FUNZIONE  DELL'ANGOLO  DI  CONDUZIONE.

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 52

 Grazie al circuito accordato in uscita, la corrente che scorre nel carico è
sinusoidale e la sua ampiezza è data da

I0 = IM α1(θc)

Come conseguenza, la tensione di uscita è sinusoidale di ampiezza V0 = RI0.

La corrente di collettore vale

v(θ) = Vdc + V0 cosθ = Vdc + RIM α1(θc)cosθ

La potenza di ingresso dc Pdc e l’efficienza di collettore η valgono

Pdc = VdcIdc = VdcIMα0(θc)

P0 V02 V α (θ ) V θ c− sinθ ccosθ c
η= = = 0 1 c = 0
Pdc 2 RVdc I M α 0 (θ c) Vdc 2α 0 (θ c) Vdc 2(sinθ c−θ ccosθ c)
θ c− sinθ ccosθ c
η max =
2(sinθ c−θ ccosθ c)

L’efficienza, quindi, aumenta all’aumentare della tensione di uscita V0. Il valore

massimo possibile di V0 è V0 = Vdc. Questo è il regime di funzionamento più
conveniente per un Classe C.

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 53

 La massima efficienza di collettore teorica varia in funzione dell’angolo di
conduzione, come mostrato in Fig. 19.

MASSIMA  EFFICIENZA  TEORICA  IN  FUNZIONE  DELL'ANGOLO  DI  CONDUZIONE.

Se V0 = Vdc, il piccolo della tensione di collettore vale vmax = 2Vdc ed il picco della
corrente di collettore è dato da
Vdc
imax = iM =
Rα1 (θ c )
Mentre la potenza di uscita vale
V02 Vdc2
P0 = =
2R 2R
Arrivati alla fine dell’analisi possiamo dire che l’efficienza di un Classe C aumenta al
diminuire dell’angolo di conduzione, al punto che se θc -> 0, allora η -> 100%.

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 54

 L’angolo di conduzione può essere controllato mediante un circuito di polarizzazione
per la base del transistore.

In Figura è mostrata una rete di polarizzazione a clamper, individuata dal

condensatore C1 e dal diodo base-emettitore del BJT.

Questa configurazione ha lo scopo di ridurre il tempo in cui il transistore si trova in

zona attiva, limitando il tempo in cui la tensione alla giunzione base-emettitore
assume valore superiore alla tensione di soglia del dispositivo.

Nel caso in cui la resistenza R1 sia nulla, il condensatore si carica ad una tensione
continua data dal picco di Vi diminuita della tensione di soglia del diodo; a regime,
quindi, ritroviamo sulla giunzione base-emettitore il segnale Vi traslato verso il basso
e con un picco positivo agganciato a circa 0,5 V.

 CIRCUITO  DI  POLARIZZAZIONE  A  CLAMPER.

Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 55
 In presenza di R1, la capacità C1 si scarica più o meno rapidamente a seconda del
valore della resistenza. Il picco positivo di vbe viene, quindi, agganciato ad un valore
maggiore di 0,5 V.
Questo porta periodicamente il transistore in conduzione in quanto deve ricaricare la
capacità C1 che si scarica attraverso R1 e ciò avviene in prossimità del picco positivo
di Vi.

Al diminuire di R1, C1 si scarica più rapidamente ed aumentano: il tempo di

conduzione del BJT, il picco della corrente di base ed il picco della tensione vbe.

Per un corretto funzionamento del clamper, bisogna progettare il circuito in modo

che la costante di tempo sia molto più grande del periodo del segnale in ingresso.

La durata degli impulsi della corrente di collettore è pari al tempo di conduzione del
transistore, per tale motivo è fortemente condizionata dalla capacità del clamper in
quanto a parità di resistenza, una capacità più grande richiede un tempo maggiore di
carica e quindi un periodo di conduzione del BJT maggiore.

La scelta del transistore è importante perché a seconda della scelta, c’è un limite
sulla minima dimensione della capacità del clamper che può essere utilizzata. In
particolare questo limite dipende dalle capacità base-collettore e base-emettitore
secondo le relazioni:
CC >> CBC CC >> CBE
dove CC è la capacità del clamper e CBC e CBE sono le capacità base-collettore e
base-emettitore del transistore.
Elettronica delle telecomunicazioni – Giovanni Breglio – L17 - 56