Sei sulla pagina 1di 10

N.B: Se non viene altrimenti specificato si assumono le condizioni di equilibrio termodinamico, temperatura ambiente (300K), ionizzazione completa del drogante e non degenerazione.

Esercizio n.1 Una barretta di silicio si trova in condizioni di equilibrio termodinamico alla temperatura ambiente (300 K), ed è drogata in modo uniforme con atomi donatori (N D =10 18 cm -3 ). Calcolare:

- la concentrazione di elettroni e lacune;

- la posizione del livello di Fermi all’interno del gap;

- la temperatura (approssimata) alla quale il silicio torna a comportarsi in modo intrinseco.

Esercizio n.2

Una barretta di silicio si trova in condizioni di equilibrio termodinamico alla temperatura ambiente (300 K), ed è drogata in modo uniforme con atomi donatori. Il drogaggio è tale che il livello di Fermi si trova 1 meV sotto il fondo della banda di conduzione mentre gli stati donatori si trovano 5 meV sotto il fondo della banda di conduzione. Determinare:

- la concentrazione del drogante N D ;

- l’attivazione del drogante N D + /N D .

Esercizio n.3 Una barretta di silicio lunga L= 1 cm e di sezione S=1 mm 2 si trova in condizioni di equilibrio termodinamico alla temperatura ambiente (300 K). Calcolare la resistenza della barretta, il campo

elettrico, la corrente complessiva e tutte le componenti di corrente di drift e diffusione di elettroni e lacune che attraversano la barretta nei casi:

- silicio intrinseco;

- drogaggio uniforme donatore N D =10 16 cm -3 ;

- drogaggio uniforme accettore N A =10 16 cm -3 ;

- drogaggio uniforme accettore+donore N D =10 16 cm -3 , N A =10 16 cm -3 .

Si rifacciano tutti i conti nel caso in cui alla barretta sia applicata una d.d.p. pari a 10V. Si determinino inoltre in tale condizione i profili di potenziale, energia potenziale e campo elettrico.

Esercizio n.4

Una barretta di silicio lunga L= 4 m e di sezione S=(0.1 mm) 2 si trova in condizioni di equilibrio termodinamico alla temperatura ambiente (300 K). La barretta è drogata con atomi donatori in modo non uniforme. Il drogaggio è lineare con N D (0)=10 14 cm -3 e N D (L)=10 12 cm -3 . Assumendo mobilità di elettroni e lacune pari a 1350 e 500 cm 2 /V/s rispettivamente, si determini

- in x=0 tutte le componenti di corrente;

- il valore min e max del campo elettrico lungo la barretta;

- il valore min e max della densità di carica netta all’interno della barretta;

- la d.d.p. indotta ai capi della barretta.

Esercizio n.5 Una barretta di silicio drogata in modo uniforme con atomi donatori N D =10 16 cm -3 viene illuminata con una pioggia di fotoni che crea, all’interfaccia x=0, un eccesso di portatori (elettroni e lacune)

pari a 10 14 cm -3 . Nelle ipotesi di quasi-neutralità e bassa iniezione calcolare all’interfaccia x=0:

- le concentrazioni di elettroni e lacune;

- il campo elettrico;

- tutte le componenti di densità di corrente.

n =3000 cm 2 /V/s, p =2500 cm 2 /V/s, n = p =1ns

Esercizio n.6

A temperatura ambiente e in condizioni di equilibrio termodinamico la concentrazione dei portatori minoritari in una porzione di silicio è data dalla seguente espressione

n(x)=a+bx

con

a=5·10 9 m -3 , b=10 8 cm -4

Si determini nel punto di ascissa x=10 m:

- la concentrazione dei portatori maggioritari e minoritari;

- il campo elettrico;

- la densità di carica netta;

- il drogaggio;

- tutte le componenti di densità di corrente. n =1000 cm 2 /V/s, p =600 cm 2 /V/s

Esercizio n.7 Una barretta di silicio drogata in modo uniforme con atomi accettori N A =5·10 16 cm -3 viene illuminata con una pioggia di fotoni che crea, all’interfaccia x=0, un eccesso di portatori (elettroni e lacune) pari a 10 10 cm -3 . Nelle ipotesi di quasi-neutralità e bassa iniezione calcolare in x= 10 m:

- le concentrazioni di elettroni e lacune;

- il campo elettrico;

- tutte le componenti di densità di corrente.

n =1000 cm 2 /V/s, p =1000 cm 2 /V/s, n = p =10 ns

Esercizio n.8 Una barretta di silicio si trova in condizioni di equilibrio termodinamico a temperatura ambiente ed è drogata in modo non uniforme con atomi donatori. Sapendo che il campo elettrico è E(x)=Ax 2 +B (A=4·10 7 V/cm 3 , B=10 V/cm) determinare, con riferimento alle ascisse x 1 =5 m x 2 =10 m

- la densità di carica netta (x 2 );

- la d.d.p. V(x 2 )-V(x 1 );

- la concentrazione di elettroni, lacune e drogaggio in x 2 . N D (x 1 )=10 16 cm -3

Esercizio n.9 Un processo NMOS è caratterizzato dai seguenti parametri:

- drogaggio del substrato di tipo accettore N A =5·10 15 cm -3 ;

- spessore dell’ossido di silicio t ox =10 nm;

- densità di carica netta all’interno dell’ossido nulla;

- differenza di funzione lavoro tra gate e substrato nulla.

Con tale processo NMOS si realizza un transistore nMOSFET con W=10 m, L=1 m e mobilità

degli elettroni nel canale pari a 1000 cm 2 /V/s. Determinare la tensione di soglia e la corrente di drain nei seguenti casi:

- V GS =300 mV, V DS =1 V;

- V GS =1 V, V DS =1 V;

- V GS =4 V, V DS =1 V;

- V GS =4 V, V DS =100 mV.

Esercizio n.10 Un processo NMOS è caratterizzato dai seguenti parametri:

- drogaggio del substrato di tipo accettore N A =5·10 15 cm -3 ;

- spessore dell’ossido di silicio t ox =10 nm;

- densità di carica netta all’interno dell’ossido costante e pari a 1000 C/m 3 ;

- funzione lavoro del gate pari a 4 eV.

Con tale processo NMOS si realizza un transistore nMOSFET con W=10 m, L=1 m e mobilità degli elettroni nel canale pari a 1000 cm 2 /V/s. Determinare la tensione di soglia e la corrente di drain nel caso in cui V GS =0 V, V DS =1 V.

Esercizio n.11 Un processo NMOS è caratterizzato dai seguenti parametri:

- drogaggio del substrato di tipo accettore N A =5·10 15 cm -3 ;

- spessore dell’ossido di silicio t ox =10 nm;

- densità di carica netta all’interno dell’ossido nulla;

- gate in silicio N + (drogaggio 10 18 cm -3 ).

Con tale processo NMOS si realizza un transistore nMOSFET con W=10 m, L=1 m e mobilità degli elettroni nel canale pari a 1000 cm 2 /V/s. Determinare la tensione di soglia e la corrente di drain nel caso in cui V GS =0 V, V DS =1 V.

Esercizio n.12

Un processo NMOS è caratterizzato dai seguenti parametri:

- drogaggio del substrato di tipo accettore N A =10 16 cm -3

- spessore dell’ossido di silicio t ox =5 nm

- densità di carica netta all’interno dell’ossido nulla

- gate in silicio P + (drogaggio 10 20 cm -3 )

Con tale processo NMOS si realizza un transistore nMOSFET con W=2 m, L=10 m e mobilità degli elettroni nel canale pari a 500 cm 2 /V/s. Determinare la tensione di soglia e la corrente di drain nel caso in cui V GS =1.2 V, V DS =1 V.

Esercizio n.13

Un processo NMOS è caratterizzato dai seguenti parametri:

- drogaggio del substrato di tipo accettore N A =10 14 cm -3

- spessore dell’ossido di silicio t ox =7 nm

- densità di carica netta all’interno (x)=Ax+B (A=10 14 C/m 4 , B=10 5 C/m 3 )

- differenza di funzione lavoro tra gate e substrato nulla

Con tale processo NMOS si realizza un transistore nMOSFET con W=1 m, L=3 m e mobilità degli elettroni nel canale pari a 1250 cm 2 /V/s. Determinare la tensione di soglia e la corrente di drain nel caso in cui V GS =0.5 V, V DS =1 V.

Esercizio n.14

Un processo NMOS è caratterizzato dai seguenti parametri:

- drogaggio del substrato di tipo accettore N A =10 15 cm -3

- spessore dell’ossido di silicio t ox =1 nm

- densità di carica netta all’interno dell’ossido nulla

- differenza di funzione lavoro tra gate e substrato nulla

Con tale processo NMOS si realizza un transistore nMOSFET con W=10 m, L=10 m e mobilità degli elettroni nel canale pari a 300 cm 2 /V/s. Determinare la tensione di soglia e la corrente di drain, alla temperatura T=400K, nel caso in cui V GS =1 V, V DS =0.5 V.

Esercizio n.15

Un processo NMOS è caratterizzato dai seguenti parametri:

- drogaggio del substrato di tipo accettore N A =10 16 cm -3

- spessore dell’ossido di silicio t ox =3 nm

- densità di carica netta all’interno dell’ossido nulla

- differenza di funzione lavoro tra gate e substrato nulla

Con tale processo NMOS si realizza un transistore nMOSFET con W=5 m, L=7 m. La mobilità

degli elettroni nel canale è pari a n0 /(1+ V GS ) dove n0 è la mobilità di bulk e =0.1. Determinare

la tensione di soglia e la corrente di drain nel caso in cui V GS =1 V, V DS =10 mV.

Esercizio n.16

A temperatura ambiente e in condizioni di equilibrio termodinamico la concentrazione dei portatori

minoritari in una porzione di silicio è data dalla seguente espressione

p(x)=a+bx

con

Si determini nel punto di ascissa x=5 m

a=10 10 m -3 , b=10 8 cm -4

- la concentrazione dei portatori maggioritari e minoritari

- il campo elettrico

- la densità di carica netta

- il drogaggio

- tutte le componenti di densità di corrente

Esercizio n.17

Una barretta di silicio lunga L=100 m e di sezione quadrata con lato 10 m è drogata uniformemente con atomi accettori (N A =10 16 cm -3 ) ed è alimentata con una d.d.p. pari a 4V (V(0)=4V, V(L)=0V). Nell’ipotesi che la mobilità dei portatori non dipenda in modo significativo dalla temperatura, si determini la corrente di drift dei minoritari a temperatura ambiente e a

T=350K.

Esercizio n.18

Una barretta di silicio drogata in modo uniforme con atomi accettori N A =10 14 cm -3 viene illuminata con una pioggia di fotoni che crea, all’interfaccia x=0, un eccesso di portatori (elettroni e lacune) pari a 10 11 cm -3 . Nelle ipotesi di quasi-neutralità e bassa iniezione calcolare in x= 1 m la densità di

corrente di diffusione dei portatori minoritari ( n = p =50ns). Si valuti inoltre, nello stesso punto, l’applicabilità dell’equazione di diffusione per i portatori maggioritari.

Esercizio n.19

Un processo NMOS è caratterizzato dai seguenti parametri:

- drogaggio del substrato di tipo accettore N A =10 15 cm -3

- gate in polisilicio n +

- spessore dell’ossido di silicio t ox =80 nm

- densità di carica all’interno dell’ossido nulla

- mobilità dei portatori nel canale pari a metà di quella bulk

Con tale processo NMOS si realizza un transistore nMOSFET con W=10 m, L=2 m. Tracciare su un grafico quotato la caratteristica di uscita I D (V DS ,V GS =3V) nell’intervallo 0V DS 6V.

Esercizio n.20

Un processo NMOS è caratterizzato dai seguenti parametri:

- drogaggio del substrato di tipo accettore N A =10 15 cm -3

- gate in polisilicio n +

- spessore dell’ossido di silicio t ox =80 nm

- densità di carica all’interno dell’ossido nulla

Con tale processo NMOS si realizza un transistore nMOSFET con W=10 m, L=2 m che viene polarizzato con V GS =3V e V DS =0. Supponendo che la carica di inversione sia uniformemente distribuita in uno spessore di 1 nm nella direzione trasversa, si determini:

- la carica di inversione (C/cm 2 )

- la concentrazione di elettroni e lacune (cm -3 ) all’interfaccia

- la caduta di potenziale nel bulk

- il campo elettrico nell’ossido ( si trascuri la caduta di potenziale nel gate)

Esercizio n.21

A temperatura ambiente e in condizioni di equilibrio termodinamico la concentrazione dei portatori maggioritari in una porzione di silicio è data dalla seguente espressione

con

n 0 =10 12 cm -3 , =10 11 m -2

Si determini nel punto di ascissa x=10 m

- la concentrazione dei portatori maggioritari e minoritari

- il campo elettrico

- il potenziale elettrico V(x) assumendo come riferimento V(0)=41mV

- la densità di carica netta

- il drogaggio

Esercizio n.22

Un processo NMOS è caratterizzato dai seguenti parametri:

- drogaggio del substrato di tipo accettore N A =10 16 cm -3

- gate in polisilicio n + (Npoly=10 19 cm -3 )

- spessore dell’ossido di silicio t ox =2 nm

- densità di carica netta all’interno dell’ossido costante e pari a 2·10 6 C/m 3

Con tale processo NMOS si realizza un condensatore MOS che viene polarizzato con V GS =1V. Supponendo che la carica di inversione sia uniformemente distribuita in uno spessore di 0.5 nm nella direzione trasversa, e che valga l’approssimazione di svuotamento completo sia nel gate che nel substrato, si determini:

- la concentrazione di elettroni di inversione (cm -2 )

- la concentrazione di elettroni e lacune (cm -3 ) all’interfaccia ossido/substrato

- la caduta di potenziale, la carica (C/cm 2 ) e l’ampiezza della regione di svuotamento nel substrato

- la caduta di potenziale, la carica (C/cm 2 ) e l’ampiezza della regione di svuotamento nel gate

- la caduta di potenziale nell’ossido

- il campo elettrico nel gate all’interfaccia gate/ossido e nel substrato all’interfaccia ossido/substrato

Esercizio n.23

A

temperatura T=400K e in condizioni di equilibrio termodinamico una barretta di silicio è drogata

in

modo uniforme con atomi donori (N D = 10 16 cm -3 ). La barretta ha una sezione quadrata con lato

pari a 5 m e una lunghezza pari a 50 m, ed è polarizzata con una d.d.p. pari a 2V. Supponendo di essere in condizione di quasi-equilibrio termodinamico, si determi:

- le correnti di drift di elettroni e lacune

- le correnti di diffusione di elettroni e lacune

- le correnti complessive di elettroni e lacune

- la corrente complessiva

- la resistenza della barretta

- la corrente complessiva nel caso la d.d.p. applicata sia pari a 10V

Esercizio n.24 Si consideri una struttura MOS costituita da un substrato di Si di tipo p con drogaggio pari a N A =10 18 cm -3 , da un dielettrico di SiO 2 di spessore pari a 10 nm ed un metallo. Sapendo che la tensione di soglia a temperatura ambiente (T=300 K) risulta pari a V T =1 V e assumendo trascurabili

le cariche nell’ossido, determinare:

- la tensione di banda piatta del sistema MOS;

- la funzione lavoro del metallo.

Esercizio n.25

Si

consideri un nMOSFET con larghezza W=10 m e lunghezza L=1 m e costituito da un substrato

di

Si di tipo p con drogaggio pari a N A =10 16 cm -3 , da un dielettrico di SiO 2 di spessore pari a 50nm

ed un elettrodo di gate in polisilicio di tipo n con drogaggio pari a N D =10 19 cm -3 . Assumendo

trascurabili le cariche nell’ossido, determinare:

- la tensione di banda piatta;

- la tensione di soglia a temperatura ambiente (T=300K).

Ripetere l’esercizio in presenza di 10 4 elettroni intrappolati all’interfaccia ossido/semiconduttore.

Esercizio n.26

Si consideri un sistema MOS costituito da un substrato di silicio (N A =10 17 cm -3 ), da un gate in polisilicio (N D =10 19 cm -3 ) e da un dielettrico di SiO 2 (t ox =6nm). La capacità in accumulazione a temperatura ambiente misurata con un LCR è pari a C ACC =40 fF. Si chiede di:

- calcolare la tensione di banda piatta e la tensione di soglia supponendo trascurabile la carica intrappolata nel dielettrico;

- riportare su un grafico quotato la caratteristica C-V ad alta frequenza.

Esercizio n.27

Si consideri un condensatore MOS con area A=10 -8 m 2 e costituito da un substrato di Si di tipo p

con drogaggio pari a N A = 10 16 cm -3 , da un dielettrico di HfO 2 (costante dielettrica relativa r =20) di spessore pari a 5 nm ed un elettrodo di gate metallico con identica funzione lavoro del substrato. Assumendo trascurabili le cariche nell’ossido, in corrispondenza di una tensione applicata sul gate pari a 100 mV, determinare:

- l’ampiezza della zona di svuotamento;

- la carica accumulata nel substrato.

Esercizio n.28

Si

consideri un pMOSFET con larghezza W=10 m e lunghezza L=1 m e costituito da un substrato

di

Si di tipo n con drogaggio pari a N D =10 18 cm -3 , da un dielettrico di ossido di afnio HfO 2 (costante

dielettrica relativa r =20) di spessore pari a 10nm ed un elettrodo di gate in polisilicio di tipo p con drogaggio pari a N A =10 20 cm -3 . Assumendo trascurabili le cariche nell’ossido, determinare la tensione di soglia a temperatura ambiente (T=300K). Ripetere l’esercizio in presenza di 10 4 elettroni intrappolati uniformemente nell’ossido di afnio.

Esercizio n.29 Si consideri una struttura MOS costituita da un substrato di Si di tipo p con drogaggio pari a N A =10 17 cm -3 , da un dielettrico di HfO 2 di spessore pari a 15nm e costante dielettrica relativa pari a 20 ed un metallo come elettrodo di gate. È noto inoltre che all’interfaccia ossido/semiconduttore è intrappolata una densità di elettroni pari a 10 12 cm -2 . Si chiede di calcolare:

- la capacità dell’ossido;

- lo shift della tensione di banda piatta indotto dagli elettroni intrappolati all’interfaccia;

- la funzione lavoro del metallo richiesta affinché la tensione di soglia sia pari a 0.8V

(T=300K).