N.

B: Se non viene altrimenti specificato si assumono le condizioni di equilibrio termodinamico,

temperatura ambiente (300K), ionizzazione completa del drogante e non degenerazione.

Esercizio n.1
Una barretta di silicio si trova in condizioni di equilibrio termodinamico alla temperatura ambiente
(300 K), ed drogata in modo uniforme con atomi donatori (ND=1018 cm-3). Calcolare:
-

la concentrazione di elettroni e lacune;

la posizione del livello di Fermi allinterno del gap;

la temperatura (approssimata) alla quale il silicio torna a comportarsi in modo intrinseco.

Esercizio n.2
Una barretta di silicio si trova in condizioni di equilibrio termodinamico alla temperatura ambiente
(300 K), ed drogata in modo uniforme con atomi donatori. Il drogaggio tale che il livello di
Fermi si trova 1 meV sotto il fondo della banda di conduzione mentre gli stati donatori si trovano 5
meV sotto il fondo della banda di conduzione. Determinare:
-

la concentrazione del drogante ND;

lattivazione del drogante ND+/ND.

Esercizio n.3
Una barretta di silicio lunga L= 1 cm e di sezione S=1 mm2 si trova in condizioni di equilibrio
termodinamico alla temperatura ambiente (300 K). Calcolare la resistenza della barretta, il campo
elettrico, la corrente complessiva e tutte le componenti di corrente di drift e diffusione di elettroni e
lacune che attraversano la barretta nei casi:
-

silicio intrinseco;

drogaggio uniforme donatore ND=1016 cm-3;

drogaggio uniforme accettore NA=1016 cm-3;

drogaggio uniforme accettore+donore ND=1016 cm-3, NA=1016 cm-3.

Si rifacciano tutti i conti nel caso in cui alla barretta sia applicata una d.d.p. pari a 10V. Si
determinino inoltre in tale condizione i profili di potenziale, energia potenziale e campo elettrico.

Esercizio n.4
Una barretta di silicio lunga L= 4 m e di sezione S=(0.1 mm)2 si trova in condizioni di equilibrio
termodinamico alla temperatura ambiente (300 K). La barretta drogata con atomi donatori in
modo non uniforme. Il drogaggio lineare con ND(0)=1014cm-3 e ND(L)=1012cm-3. Assumendo
mobilit di elettroni e lacune pari a 1350 e 500 cm2/V/s rispettivamente, si determini
-

in x=0 tutte le componenti di corrente;

il valore min e max del campo elettrico lungo la barretta;

il valore min e max della densit di carica netta allinterno della barretta;

la d.d.p. indotta ai capi della barretta.

Esercizio n.5
Una barretta di silicio drogata in modo uniforme con atomi donatori ND=1016cm-3 viene illuminata
con una pioggia di fotoni che crea, allinterfaccia x=0, un eccesso di portatori (elettroni e lacune)
pari a 1014 cm-3. Nelle ipotesi di quasi-neutralit e bassa iniezione calcolare allinterfaccia x=0:
-

le concentrazioni di elettroni e lacune;

il campo elettrico;

tutte le componenti di densit di corrente.

n=3000 cm2/V/s, p=2500 cm2/V/s, n=p=1ns

Esercizio n.6
A temperatura ambiente e in condizioni di equilibrio termodinamico la concentrazione dei portatori
minoritari in una porzione di silicio data dalla seguente espressione
n(x)=a+bx

con

a=5109 m-3, b=108 cm-4

Si determini nel punto di ascissa x=10 m:

-

la concentrazione dei portatori maggioritari e minoritari;

il campo elettrico;

la densit di carica netta;

il drogaggio;

tutte le componenti di densit di corrente.

n=1000 cm2/V/s, p=600 cm2/V/s

Esercizio n.7
Una barretta di silicio drogata in modo uniforme con atomi accettori NA=51016 cm-3 viene
illuminata con una pioggia di fotoni che crea, allinterfaccia x=0, un eccesso di portatori (elettroni e
lacune) pari a 1010 cm-3. Nelle ipotesi di quasi-neutralit e bassa iniezione calcolare in x= 10 m:
-

le concentrazioni di elettroni e lacune;

il campo elettrico;

tutte le componenti di densit di corrente.

n=1000 cm2/V/s, p=1000 cm2/V/s, n=p=10 ns

Esercizio n.8
Una barretta di silicio si trova in condizioni di equilibrio termodinamico a temperatura ambiente ed
drogata in modo non uniforme con atomi donatori. Sapendo che il campo elettrico E(x)=Ax2+B
(A=4107 V/cm3, B=10 V/cm) determinare, con riferimento alle ascisse x1=5 m x2=10 m
-

la densit di carica netta (x2);

la d.d.p. V(x2)-V(x1);

la concentrazione di elettroni, lacune e drogaggio in x2.

ND(x1)=1016 cm-3
Esercizio n.9
Un processo NMOS caratterizzato dai seguenti parametri:
-

drogaggio del substrato di tipo accettore NA=51015 cm-3;

spessore dellossido di silicio tox=10 nm;

densit di carica netta allinterno dellossido nulla;

differenza di funzione lavoro tra gate e substrato nulla.

Con tale processo NMOS si realizza un transistore nMOSFET con W=10 m, L=1 m e mobilit
degli elettroni nel canale pari a 1000 cm2/V/s. Determinare la tensione di soglia e la corrente di
drain nei seguenti casi:
-

VGS=300 mV, VDS=1 V;

VGS=1 V, VDS=1 V;

VGS=4 V, VDS=1 V;

VGS=4 V, VDS=100 mV.

Esercizio n.10
Un processo NMOS caratterizzato dai seguenti parametri:
-

drogaggio del substrato di tipo accettore NA=51015 cm-3;

spessore dellossido di silicio tox=10 nm;

densit di carica netta allinterno dellossido costante e pari a 1000 C/m3;

funzione lavoro del gate pari a 4 eV.

Con tale processo NMOS si realizza un transistore nMOSFET con W=10 m, L=1 m e mobilit
degli elettroni nel canale pari a 1000 cm2/V/s. Determinare la tensione di soglia e la corrente di
drain nel caso in cui VGS=0 V, VDS=1 V.
Esercizio n.11
Un processo NMOS caratterizzato dai seguenti parametri:
-

drogaggio del substrato di tipo accettore NA=51015 cm-3;

spessore dellossido di silicio tox=10 nm;

densit di carica netta allinterno dellossido nulla;

gate in silicio N+ (drogaggio 1018 cm-3).

Con tale processo NMOS si realizza un transistore nMOSFET con W=10 m, L=1 m e mobilit
degli elettroni nel canale pari a 1000 cm2/V/s. Determinare la tensione di soglia e la corrente di
drain nel caso in cui VGS=0 V, VDS=1 V.
Esercizio n.12
Un processo NMOS caratterizzato dai seguenti parametri:
-

drogaggio del substrato di tipo accettore NA=1016 cm-3

spessore dellossido di silicio tox=5 nm

densit di carica netta allinterno dellossido nulla

gate in silicio P+ (drogaggio 1020 cm-3)

Con tale processo NMOS si realizza un transistore nMOSFET con W=2 m, L=10 m e mobilit
degli elettroni nel canale pari a 500 cm2/V/s. Determinare la tensione di soglia e la corrente di drain
nel caso in cui VGS=1.2 V, VDS=1 V.

Esercizio n.13
Un processo NMOS caratterizzato dai seguenti parametri:
-

drogaggio del substrato di tipo accettore NA=1014 cm-3

spessore dellossido di silicio tox=7 nm

densit di carica netta allinterno (x)=Ax+B (A=1014 C/m4, B=105C/m3)

differenza di funzione lavoro tra gate e substrato nulla

Con tale processo NMOS si realizza un transistore nMOSFET con W=1 m, L=3 m e mobilit
degli elettroni nel canale pari a 1250 cm2/V/s. Determinare la tensione di soglia e la corrente di
drain nel caso in cui VGS=0.5 V, VDS=1 V.

Esercizio n.14
Un processo NMOS caratterizzato dai seguenti parametri:
-

drogaggio del substrato di tipo accettore NA=1015 cm-3

spessore dellossido di silicio tox=1 nm

densit di carica netta allinterno dellossido nulla

differenza di funzione lavoro tra gate e substrato nulla

Con tale processo NMOS si realizza un transistore nMOSFET con W=10 m, L=10 m e mobilit
degli elettroni nel canale pari a 300 cm2/V/s. Determinare la tensione di soglia e la corrente di drain,
alla temperatura T=400K, nel caso in cui VGS=1 V, VDS=0.5 V.

Esercizio n.15
Un processo NMOS caratterizzato dai seguenti parametri:
-

drogaggio del substrato di tipo accettore NA=1016 cm-3

spessore dellossido di silicio tox=3 nm

densit di carica netta allinterno dellossido nulla

differenza di funzione lavoro tra gate e substrato nulla

Con tale processo NMOS si realizza un transistore nMOSFET con W=5 m, L=7 m. La mobilit
degli elettroni nel canale pari a n0/(1+VGS) dove n0 la mobilit di bulk e =0.1. Determinare
la tensione di soglia e la corrente di drain nel caso in cui VGS=1 V, VDS=10 mV.

Esercizio n.16
A temperatura ambiente e in condizioni di equilibrio termodinamico la concentrazione dei portatori
minoritari in una porzione di silicio data dalla seguente espressione
p(x)=a+bx

con

a=1010 m-3, b=108 cm-4

Si determini nel punto di ascissa x=5 m

-

la concentrazione dei portatori maggioritari e minoritari

il campo elettrico

la densit di carica netta

il drogaggio

tutte le componenti di densit di corrente

Esercizio n.17
Una barretta di silicio lunga

L=100 m e di sezione quadrata con lato 10 m drogata

uniformemente con atomi accettori (NA=1016 cm-3) ed alimentata con una d.d.p. pari a 4V
(V(0)=4V, V(L)=0V). Nellipotesi che la mobilit dei portatori non dipenda in modo significativo
dalla temperatura, si determini la corrente di drift dei minoritari a temperatura ambiente e a
T=350K.

Esercizio n.18
Una barretta di silicio drogata in modo uniforme con atomi accettori NA=1014 cm-3 viene illuminata
con una pioggia di fotoni che crea, allinterfaccia x=0, un eccesso di portatori (elettroni e lacune)
pari a 1011 cm-3. Nelle ipotesi di quasi-neutralit e bassa iniezione calcolare in x= 1 m la densit di
corrente di diffusione dei portatori minoritari (n=p=50ns). Si valuti inoltre, nello stesso punto,
lapplicabilit dellequazione di diffusione per i portatori maggioritari.

Esercizio n.19
Un processo NMOS caratterizzato dai seguenti parametri:
-

drogaggio del substrato di tipo accettore NA=1015 cm-3

gate in polisilicio n+

spessore dellossido di silicio tox=80 nm

densit di carica allinterno dellossido nulla

mobilit dei portatori nel canale pari a met di quella bulk

Con tale processo NMOS si realizza un transistore nMOSFET con W=10 m, L=2 m. Tracciare su
un grafico quotato la caratteristica di uscita ID(VDS,VGS=3V) nellintervallo 0VDS6V.

Esercizio n.20
Un processo NMOS caratterizzato dai seguenti parametri:
-

drogaggio del substrato di tipo accettore NA=1015 cm-3

gate in polisilicio n+

spessore dellossido di silicio tox=80 nm

densit di carica allinterno dellossido nulla

Con tale processo NMOS si realizza un transistore nMOSFET con W=10 m, L=2 m che viene
polarizzato con VGS=3V e VDS=0. Supponendo che la carica di inversione sia uniformemente
distribuita in uno spessore di 1 nm nella direzione trasversa, si determini:
-

la carica di inversione (C/cm2)

la concentrazione di elettroni e lacune (cm-3) allinterfaccia

la caduta di potenziale nel bulk

il campo elettrico nellossido ( si trascuri la caduta di potenziale nel gate)

Esercizio n.21
A temperatura ambiente e in condizioni di equilibrio termodinamico la concentrazione dei portatori
maggioritari in una porzione di silicio data dalla seguente espressione
con

n0=1012 cm-3, =1011 m-2

Si determini nel punto di ascissa x=10 m

-

la concentrazione dei portatori maggioritari e minoritari

il campo elettrico

il potenziale elettrico V(x) assumendo come riferimento V(0)=41mV

la densit di carica netta

il drogaggio

Esercizio n.22
Un processo NMOS caratterizzato dai seguenti parametri:
-

drogaggio del substrato di tipo accettore NA=1016 cm-3

gate in polisilicio n+ (Npoly=1019 cm-3)

spessore dellossido di silicio tox=2 nm

densit di carica netta allinterno dellossido costante e pari a 2106 C/m3

Con tale processo NMOS si realizza un condensatore MOS che viene polarizzato con VGS=1V.
Supponendo che la carica di inversione sia uniformemente distribuita in uno spessore di 0.5 nm
nella direzione trasversa, e che valga lapprossimazione di svuotamento completo sia nel gate che
nel substrato, si determini:
-

la concentrazione di elettroni di inversione (cm-2)

la concentrazione di elettroni e lacune (cm-3) allinterfaccia ossido/substrato

la caduta di potenziale, la carica (C/cm2) e lampiezza della regione di svuotamento nel

substrato

la caduta di potenziale, la carica (C/cm2) e lampiezza della regione di svuotamento nel gate

la caduta di potenziale nellossido

il campo elettrico nel gate allinterfaccia gate/ossido e nel substrato allinterfaccia

ossido/substrato

Esercizio n.23
A temperatura T=400K e in condizioni di equilibrio termodinamico una barretta di silicio drogata
in modo uniforme con atomi donori (ND= 1016 cm-3). La barretta ha una sezione quadrata con lato

pari a 5 m e una lunghezza pari a 50 m, ed polarizzata con una d.d.p. pari a 2V. Supponendo di
essere in condizione di quasi-equilibrio termodinamico, si determi:
-

le correnti di drift di elettroni e lacune

le correnti di diffusione di elettroni e lacune

le correnti complessive di elettroni e lacune

la corrente complessiva

la resistenza della barretta

la corrente complessiva nel caso la d.d.p. applicata sia pari a 10V

Esercizio n.24
Si consideri una struttura MOS costituita da un substrato di Si di tipo p con drogaggio pari a
NA=1018cm-3, da un dielettrico di SiO2 di spessore pari a 10 nm ed un metallo. Sapendo che la
tensione di soglia a temperatura ambiente (T=300 K) risulta pari a VT=1 V e assumendo trascurabili
le cariche nellossido, determinare:
-

la tensione di banda piatta del sistema MOS;

la funzione lavoro del metallo.

Esercizio n.25
Si consideri un nMOSFET con larghezza W=10m e lunghezza L=1m e costituito da un substrato
di Si di tipo p con drogaggio pari a NA=1016cm-3, da un dielettrico di SiO2 di spessore pari a 50nm
ed un elettrodo di gate in polisilicio di tipo n con drogaggio pari a ND=1019cm-3. Assumendo
trascurabili le cariche nellossido, determinare:
-

la tensione di banda piatta;

la tensione di soglia a temperatura ambiente (T=300K).

Ripetere lesercizio in presenza di 104 elettroni intrappolati allinterfaccia ossido/semiconduttore.

Esercizio n.26
Si consideri un sistema MOS costituito da un substrato di silicio (NA=1017cm-3), da un gate in
polisilicio (ND=1019 cm-3) e da un dielettrico di SiO2 (tox=6nm). La capacit in accumulazione a
temperatura ambiente misurata con un LCR pari a CACC=40 fF. Si chiede di:
-

calcolare la tensione di banda piatta e la tensione di soglia supponendo trascurabile la carica

intrappolata nel dielettrico;

riportare su un grafico quotato la caratteristica C-V ad alta frequenza.

Esercizio n.27
Si consideri un condensatore MOS con area A=10-8 m2 e costituito da un substrato di Si di tipo p
con drogaggio pari a NA = 1016cm-3, da un dielettrico di HfO2 (costante dielettrica relativa r=20) di
spessore pari a 5 nm ed un elettrodo di gate metallico con identica funzione lavoro del substrato.
Assumendo trascurabili le cariche nellossido, in corrispondenza di una tensione applicata sul gate
pari a 100 mV, determinare:
-

lampiezza della zona di svuotamento;

la carica accumulata nel substrato.

Esercizio n.28
Si consideri un pMOSFET con larghezza W=10m e lunghezza L=1m e costituito da un substrato
di Si di tipo n con drogaggio pari a ND=1018cm-3, da un dielettrico di ossido di afnio HfO2 (costante
dielettrica relativa r=20) di spessore pari a 10nm ed un elettrodo di gate in polisilicio di tipo p con
drogaggio pari a NA=1020cm-3. Assumendo trascurabili le cariche nellossido, determinare la
tensione di soglia a temperatura ambiente (T=300K).
Ripetere lesercizio in presenza di 104 elettroni intrappolati uniformemente nellossido di afnio.

Esercizio n.29
Si consideri una struttura MOS costituita da un substrato di Si di tipo p con drogaggio pari a
NA=1017cm-3, da un dielettrico di HfO2 di spessore pari a 15nm e costante dielettrica relativa pari a
20 ed un metallo come elettrodo di gate. noto inoltre che allinterfaccia ossido/semiconduttore
intrappolata una densit di elettroni pari a 1012cm-2. Si chiede di calcolare:
-

la capacit dellossido;

lo shift della tensione di banda piatta indotto dagli elettroni intrappolati allinterfaccia;

la funzione lavoro del metallo richiesta affinch la tensione di soglia sia pari a 0.8V
(T=300K).