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ib
ic
B hie E hfeib ro
Figura 6.11: Modello a parametri h del transistor bipolare. Sono presenti i parametri hie , hoe =1/r0 ed hf e
1.0 1.
IB (mA)
0.8
1V VCE = 0V
2V
0.6
0.4
0.2
0.0
500.
600.
700.
800.
VBE (mV)
Figura 6.12: Caratteristiche dingresso del transistor bipolare: corrente di base IB in funzione
di VBE , per valori diversi di VCE
Ci` pu` esser parametrizzato introducendo, un ulteriore parametro: un geno o eratore di tensione nella maglia dingresso, che genera una tensione vb = hre vce dipendente dalla tensione duscita. Il circuito completo diventa ora quello di gura 6.13: Valori tipici dei parametri ibridi nella congurazione emettitore comune sono: hie 1 k , hre 104 , hf e 100 , hoe 105 1
6.3
Il modello che va sotto il nome di Giacoletto ` quello di gura 6.14. Questo non ha e il generatore di tensione gre vce , ma in esso leetto Early ` descritto dalla resistenza e c che unisce il nodo interno alla base B con il collettore. rb e rbb ` la resistenza presente tra il terminale della base ed il contatto ohmico