IIS “B. Pascal” – Manerbio (BS) – sez.

ITT dispense BJT

I transistor BJT

1. Generalità

Il BJT (acronimo di Bipolar Junction Transistor) è un componente attivo, ovvero in grado di

controllare, tramite una grandezza di controllo in ingresso, una grandezza in uscita con valore
maggiore di quello in ingresso.

È un tripolo, ovvero è un dispositivo accessibile dall’esterno da tre terminali denominati base,

collettore ed emettitore.

Il BJT è di natura non lineare ma può esserlo reso mediante un’adeguata rete di polarizzazione
sterna formata da componenti passivi (resistori).

Questi transistor possono essere utilizzati principalmente in 2 modalità:

1. Come induttori elettronici controllati da una corrente (sfruttando il naturale stato di non
linearità);
2. Come amplificatori (utilizzando un adeguata rete resistiva di polarizzazione).

Esistono due tipologie di BJT: il pnp e l’npn: questi differiscono tra di loro per il verso delle correnti
ai tre terminali. Nel caso dei transistor npn si ha una corrente di base IB entrante, una corrente di
collettore IC entrante e una corrente di emettitore IE uscente. Nel caso del pnp si avrà una corrente
IE entrante, una IB uscente e una IC uscente (fig. 1).

Quando si osserva il simbolo elettrico di un BJT si può notare che le tre correnti conversgono in uno
stesso punto centraele e da cio si puo applicare bil primo principio di Kirchoff al BJT immaginandolo,
quindi, come un nodo:
IE = I C + IB

Come detto in precedenza, il transistor è un componente tripolare ma può essere visto come un
quadrupolo: se si mette un terminale in comune con gli altri due si può vedere come quadrupolo o
detto in un altro modo come doppio bipolo, metterndo in evidenza una porta di ingresso ed una di
uscita.

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A seconda del terminale scelto come rifermiento, quindi, si possono ottenere tre possibili
configurazioni: a collettore comune, a basew comune e ad emettitore comune.
Questultima configurazione è quella che vine maggiormente utlizzata per l’analisi del
comportamento del BJT (fig. 2). Ponendo l’emettitore a massa (terminale in comune) si nota una
porta di ingresso caratterizzata dalla coppia tensione-corrente VBE-IB ed una porta di uscita
carattarizzata dalla coppia tensione-corrente VCE-IC.

2. Configurazione ad emettitore comune

N.B.: nella configurazione ad emettitore comune esistono duerelazioni fondamentali che legano
le variabili espresse fino ad ora e sono le seguenti:
IB = f(VBE, VCE)
IC = f(VCE, IB)

Vediamo di analizzare, grafivcamente, le relazioni suddette.

2.1. Caratteristica di ingresso

Per studiare il comportamento delle grandezze elettriche presenti alla porta di ingresso si puo
procedere applicando al circuito una tensione VCE costante e, facendo variare gradualmente la
tensione VBE si misurano i diversi valori assunti dalla corrente di base IB (fig.3).

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Da questo grafico si osserva che per tensioni VBE applicate di valore inferiore agli 0.7V la corrente IB
risulta essere molto bassa o addirittura nulla mentre con l’aumentare della VBE sopra glo 0.7V, si
nota un veloce aumento della corrente in base. Si può notare che la caratteristica VBE-IB è molto
simile a quella di un diodo a giunzione p-n polarizzato direttamente.

Si intuisce che tra i terminali di Base ed Emettitore è presente una giunzione di tipo p-
n coem quella che costituisce i diodi. Indipendentemente dalla corrente di base IB la
tensione VBE è pressochè costante e varrà circa 0.7V.

Si può inoltre notare che attribuendo diversi valori a VCE la curva si sposterà di poco rendendo
praticamente trascurabile la relazione tra la tensione VCE (posta nella seconda maglia – porta di
uscita) e la tensione VBE (posta nella prima maglia – porta di ingresso).

La IB dipente solo da VBE (non da VCE).

Procediamo analizzando la porta di uscita.

2.2. Caratteristica di uscita

La caratteristica di uscita mette in relazione la corrente di collettore IC con la VCE. Come si può notare
la corrente di collettore IC dipende non solo dalla tensione VCE, ma anche dalla corrente IB portando,
in realtà ad una famiglia di curve tra loro simili.

In questo grafico è possibile individuare tre zone di lavoro del BJT; la zona di interdizione, la zona
attiva e la zona di saturazione.

Zona di interdizione:
in interdizione il BJT presenta una corrente IC molto piccola, circa pari a 0 indipendentemente dalla
tensione VCE applicata

Il BJT in interdizione si comporta come un circuitop aperto tra collettore ed emettitore.

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Zona attiva:
La corrente IC risulta pressoché costante rispetto alla VCE dipendendo solo, in prima
approssimazione, dalla corrente IB. in questa zona la relazione IC – IB è lineare:

IC=hFE*IB

Dove hFE è un numero puro, maggiore di 1 (tipicamente 100-500) ed è chiamato guadagno statico
di corrente del BJT nella configurazione ad emettitore comune

hFE=IC/IB

In zona attiva il BJT si comporta come un amplificatore lineare di corrente pilotato in

corrente.

Zona di saturazione:
La corrente IC aumenta velocemente al variare della tensione VCE. Quest’ultima risulta pressoché
costante e di valori molto prossimi a 0 anche per grandi variazioni di IC

in saturazione il BJT si comporta come un cortocircuito tra collettore ed emettitore

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3. Modello a parametri ibridi del BJT nella configurazione EC

Nell’analisi DINAMICA del suo comportamento ed IN ZONA LINEARE, il BJT può essere sostituito
con un circuito equivalente più o meno raffinato in base al grado di precisione con cui lo si vuole
approssimare.

I 4 parametri ibridi hie, hre, hfe, hoe dipendono dal tipo di BJT considerato ed in generale dal punto di
lavoro scelto e sono definiti nel modo seguente:

hie=vbe/ib con vce=0 Rappresenta la resistenza di ingresso

del BJT con uscita in corto circuito [Ω]

Rappresenta il guadagno inverso di

hre=vbe/vce con ib=0 tensione con la porta di ingresso aperta
[numero puto]

Rappresenta il guadagno dinamico di

hfe=ic/ib con vce=0 corrente del BJT con uscita in corto
[numero puto]

Rappresenta la conduttanza di uscita

hoe=ic/vce con ib=0 con la porta di ingresso aperta [Ω-1]

poiché:
▪ Il legame vbe – ib è sostanzialmente indipendente da vce
▪ Il legame vce – ic è sostanzialmente indipendente da ib
Il circuito sopra può essere sostituito con il modello semplificato sotto rappresentato:

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4. Proprietà delle configurazioni amplificatrici fondamentali

Oltre alla configurazione ad emettitore comune vengono utilizzate altre configurazioni amplificatrici:
l’amplificatore a base comune (la base del BJT è in comune tra il segnale di ingresso e quello di
uscita) e l’amplificatore a collettore comune (il collettore del BJT è comune tra segnale di ingresso
e quello di uscita).
Differenze? Si veda la seguente tabella riassuntiva sotto riportata:

Conf. amplificatrice Av Ai Ri Ro
EC elevato elevato media elevata
BC elevato ≡1 bassa >>1
CC ≡1 elevato elevata ≡1
Fig.7 – tabella riassuntiva delle proprietà delle configurazioni amplificatrici fondamentali

▪ L’amplificatore a collettore comune ha un guadagno di tensione Av ≡1, il che giustifica

l’appellativo di emitter follower – inseguitore di emettitore – dato a tale configurazione (vo
“insegue” vi). Avendo una resistenza di ingresso molto elevata e una resistenza di uscita
molto bassa il circuito a collettore comune viene abitualmente usato come stadio separatore
(adattatore di impedenza) o buffer di tensione interposto tra una sorgente con elevata Rs e
un piccolo carico Ri.
▪ L’amplificatore a base comune amplifica in tensione ma avendo una resistenza di ingresso
molto bassa (non supera le poche decine di Ω) pone il problema dell’adattamento con la
sorgente. Viene sfruttato per circuiti particolari in cui si richiede una resistenza di uscita più
elevata di quella dell’amplificatore CE.

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