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Fisica II

Il documento tratta delle proprietà delle cariche elettriche e del campo elettrico, descrivendo le interazioni tra cariche e le leggi che governano il loro comportamento. Viene discusso il principio di sovrapposizione e il teorema di Gauss, evidenziando come calcolare il campo elettrico generato da distribuzioni di cariche continue. Inoltre, si analizzano casi specifici come il campo elettrico di un disco carico e di un anello carico uniforme.
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Il documento tratta delle proprietà delle cariche elettriche e del campo elettrico, descrivendo le interazioni tra cariche e le leggi che governano il loro comportamento. Viene discusso il principio di sovrapposizione e il teorema di Gauss, evidenziando come calcolare il campo elettrico generato da distribuzioni di cariche continue. Inoltre, si analizzano casi specifici come il campo elettrico di un disco carico e di un anello carico uniforme.
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Fisica II, elettromagnetismo ⃗ kⅆ q ⃗

E
E D q=Σd ⃗ Eⅆq ( p )= ∫ 2 r^ ⅆq = disco (z) =

r =a
r dq
∫ ⅆ ⃗Eanello =^z ∫ ❑ k ⋅ σ ⋅22 π ⋅r2 3ⅆ/2 r∗z
-Parte 1: proprietà delle cariche elettriche
Esistono due tipi di cariche elettriche positive e negative, cariche di segno
kφ ( x , y , z ) (r + z )
opposto si attraggono e cariche di stesso segno si respingono. La carica
elettrica di un sistema isolato si conserva sempre e non possiamo creare o ∫ 2
r^ ⅆq disco r =0
distruggere le cariche ma bensì l'unica cosa che si può fare e spostare le
r dq r =a
σ ⋅ 2 π ⋅r ⅆ r = rπ
z kz ∫ ❑
cariche da un posto all'altro del sistema.
CAMPO =^ ^z
La carica è quantizzata e ciò significa che esiste soltanto in multipli interi
della carica elementare dell'elettrone o del protone: ⃗ ' '
E DI U N ASTA ,∈UN PUNTO P SUL L ASSEDEL
r =0 L( r ASTA
'2
+ z 2)
3/ 2
4 π ε0

{
e-=-1,6x10-19 Coulomb, 1 C= 1/1,6x10-19=1018 e-.
Edq =^y kQasta 1 1
FORZA DI COULOMB: descrive l’interazione tra due cariche puntiformi nel
dove d è la distanza dalla fine dell’asta al
σ∗z − 2 2 }=
|z| √ r + z
vuoto.
ⅆ ( d+ L )
k ( q 1 ⋅q 2 ) k ( q 1 ⋅q 2 )
punto p e L è la lunghezza dell’asta.


[ ]
FC1-2= or r^ 12 or CAMPO
E DI UN ANELLO CARICO UNIFORME.. IN UN PUNTO P SUL SUO σ z |z| z
2 2
r 12 r 12 ASSE
1− 2 2 =± 1
2 ε O |z| √r + z
, dove
Edq (z )= z^ kz Q |z|
k ( q 1 ⋅q 2 ) k ( q 1 ⋅q 2 ) ( ⃗
R2− ⃗
R1 ) (a +z )
2
anello , dove z corrisponde all’altezza dal
2 3/2 Inoltre, in base a dove scegliamo il punto P, e quindi di conseguenza in base alla dimensione del

r⃗12= ,
± ^z σ
3
→0,⃗
centro dell’anello al punto p sul suo asse e a è il raggio dell’anello.

|⃗R 2−⃗R1|
3
r ⃗
lato z, cambia il campo E: se z
E disco (z)= .
12 E dell’anello da molto lontano, e quindi z>>a otterremo che:
Se calcoliamo 2ε 0

r⃗ 12 r⃗ Edq (z )≈ z^ kz Q 1
r^ 12= ^= ❑
=>r
r |z|


dove: a nello

r 12 |r| ❑ (z ) 2❑
se → 0 avremo 2 2 = r 2 =
2
IN Z=0 SI ANNULLA IL CAMPO ELETTRICO.
CALCOLO DISTRIBUZIONE Dq DI CARICA DI UN GUSCIO SFERICO:
z √r + z z 2 +1
r 12 è il vettore posizione della carica che subisce la forza rispetto alla ρ dipende soltanto dalla
La densità di carica su questa distribuzione

( )
❑ 2 −1
sorgente, r =R -R distanza r dal centro del guscio e non da θ e φ . => ρ(r) . Per a 2
1+ 2 e tramite sviluppo di taylor di questa espressione
2 1.
12
K=1/4πε =9x10 , z
9
calcolare la carica, eseguo l’integrale sulla porzione di guscio carico
0 uniformemente dv con spessore che va da r a r*dr: possiamo pensare al
guscio come appiattito sul piano che avrà un volume pari a quello di un
ε 0=costante dielettrica nel vuoto=8,85x10 [C /N*m ] parallelepipedo che ha come area quella del guscio e ugual spessore, 4πr 2 dr. k Q disco
troviamo che ⃗
-12 2 2

PRINCIPIO DI SOVRAPPOSIZIONE DEGLI EFFETTI: ci dice che la forza totale Qtot = ρ∗4 π r 2
E ( z ≫r )= ^z ⋅ 2
come se fosse

che agisce sulla carica elettrica q è pari alla somma vettoriale delle forze Fi
data dalle singole cariche qi che esercitano su q.
CALCOLO DISTRIBUZIONE DI CARICA TOTALE Dq DI UNA SFERA PIENA: z
in questo caso abbiamo una distribuzione volumetrica radiale, quindi la una Qpuntiforme.

k ( q i ⋅q❑ ) k ( q i ⋅q ) r⃗ densità di carica volumetrica varia in base al raggio, ρ(r) = kr, dove k è
Il fatto che vi sia una simmetria nel calcolo di ognuno di questi campi elettrici
delle distribuzioni di carica viste ci fa capire che si possa analizzare la
FCqi-q= or r^ iq , r^ iq = ❑ = direzione del campo elettrico dai piani di simmetria delle distribuzioni.

r iq
2 2
r iq |r| la costante dielettrica.
R 2π π
FLUSSO DI UN VETTORE ATTRAVERSO UNA SUPERFICIE:


R q− ⃗
R qi ❑ Qtot =
∫∫ ∫ kr ⋅ r 2 sin θ ⅆ r ⅆ θ ⅆ ϕ =
ϕ ⃗E= ∫ ⃗
E ⋅ⅆ ⃗
A =¿ SCALARE ><0
SUPERFICIE
0 0 0
|⃗R q−⃗R qi❑|
.
0
R 2π π 1 EQUAZIONE DI MAXWELL :
CAMPO ELETTRICO: è la forza F elettrica per unità di carica che subirebbe
una carichetta q messa in un punto P in cui stiamo osservando il campo. ∫ r 3 ⅆ r ∫ ⅆ ϕ ∫ kr ⋅ r 2 sin θ ⅆ θ =k* TEOREMA DI GAUSS PER IL FLUSSO DEL CAMPO ⃗
E
il flusso del campo ⃗ uscente da una qualunque superficie chiusa è uguale
0 0 0
⃗ Felettrica di q∈(P) E

[ ]
Eq ( P ) = r4
R
a Qinterna, carica interna al volume delimitato dalla superficie chiusa, fratto
q ⋅2 π ⋅2 π R
4
=k
ε O.
È un campo vettoriale poiché deriva da una forza ed ha direzione e verso
4 0
uguale alla F elettrica che ottengo se metto q>0 in P, riassumendo l’effetto di
Qinterna 1

CALCOLO DISTRIBUZIONE DI CARICA Dq DI UNA SIMMETRIA CILINDRICA CON
tutte le forze elettriche in quel punto. Il campo elettrico E non dipende dalla
carichetta di prova che metto in P per misurare la forza elettrica, ma bensì UN CERTO SPESSORE MA CAVA: ⃗
E⋅ ⅆ⃗
A= = ∫ ρⅆ ⃗
V
solo dalle sorgenti qi della distribuzione di carica. Descriviamo il campo di
una carica puntiforme:
come già affrontato, anche in questo caso la densità di carica dipende
esclusivamente dalla distanza dall’asse del cilindro r. stiamo analizzando una ∀ suo. chiusa ε0 ε0
distribuzione di carica invariante per traslazione, sottointendendo quindi che

⃗ kQ r^ kQ r⃗ → ∞. Immaginiamo di srotolare il cilindro,


dove ρ è densità di carica interna al volume.
E a ( r⃗ ) = 2 = 3 = l’altezza del cilindro h sia h
-> è importante notare che Gauss ci dice che il flusso di un campo elettrico
r r ottenendo così un parallelepipedo di uguale spessore dr, larghezza pari alla
circonferenza e altezza infinita.
dipende solo dalle Qinterne alla superficie chiusa, ma nel calcolo del campo
elettrico in sé dobbiamo tenere conto anche delle cariche esterne.

⃗ ⃗
k Q ( R p− R Q ) ∫ ⃗
E⋅ ⅆ ⃗
Qtot =
2π h r -> se A = 0 non è detto che ⃗
E sia nullo in tutti i
|⃗R p−⃗RQ|
3 .
∫∫∫ ρ ( r ) r ⅆ r =∫ ρ ( r ) 2 πr hⅆ r SU p .
punti della superfici.
0 0 0 -> il primo teorema di gauss si basa sulle proprietà del campo elettrico cioè
CAMPO ⃗
E❑ GENERATP DA DISTRIBUZIONI DI CARICHE CONTINUE CAMPO ELETTRICO ⃗
E DI UN DISCO CARICO UNIFORMEMENTE SULLA SUP. 1
Nonostante, a livello microscopico, le cariche siano quantizzate, a livello un campo radiale e dipendente dalla relazione del tipo , infatti vale
2
macroscopico possiamo considerare la carica come distribuita in maniera
continua nello spazio e con una certa densità[C/m3] (carica per unità di vol,
Potremmo calcolare il campo elettrico tramite il principio di sovrapposizione,
ma otterrei un integrale complicato. Essendo una distribuzione di carica r
uniforme, possiamo pensare al disco come fatto da tanti anelli con una anche per il campo gravitazionale tra masse puntiformi.
sup, lin.).

φ è UNIFORME=¿ dq=φdVol =
SE
carica Dq, e quindi scrivere il campo ⃗
E rispetto a un punto P considerando
-> il teorema di Gauss è valido per qualunque campo elettrico, anche quando
generato da una distribuzione non simmetrica, ma esprime tutta la sua
il contributo di tanti anelli. potenzialità nel caso di campi elettrici generati da distribuzioni di carica ad

φ ( x , y , z ) dVol. Come già visto, il campo di un anello è presente solo sul suo asse ortogonale
alla superficie passante per il centro.
alta simmetria, andando a sostituire l’utilizzo del principio di sovrapposizione
degli effetti.
ALTRIMENTI => Qtot di dq= Metodo di applicazione teorema di Gauss per il calcolo del campo E in Dq ad
kQa nello ⋅ z
∫ ⅆq =∫ φ ( x , y , z ) ⅆV
alta simmetria:

E anello (z) =
3 /2
^z = = 1) dalla simmetria e invarianza della Dq capisco come è fatto il campo

Dq Dq ( a 2+ z 2 ) elettrico, e quindi la sua direzione ( π piano di simmetria per riflessione) ,


come dipende l’intensità del campo dalle coordinate spaziali e capisco su
quali superfici il campo ha intensità uniforme.
Superficie =>Qtotdi dq=
k Dqcorona circolare ⋅Z 2) cerco la forma delle superfici chiuse opportune per quella simmetria per

∫ ⅆq =∫ σ ( x , y , z ) ⅆ A (r2 + z2 )
3 /2 => consideriamo
applicare il teorema (integrando) su cui E ha intensità uniforme e su cui E è
parallelo a Da (E * dA= edA) o E ortogonale a Da (E *dA = 0).
3) applico il teorema di Gauss a quelle superfici opportune tramite l’integrale
Dq Dq
e ottenendo un’equazione in 1 incognita, cioè E, che è l’intensità del campo

∫ ⅆq =∫ λ ( x , y , z ) ⅆ l
l’anello di un certo spessore r+dr, cioè una corona circolare, la cui area
elettrico su quelle superfici.
equivale alla sua circonferenza essendo dr infinitesimo, cioè dA = 2πr.
Lineare => Qtot di dq= 4) risolvo l’equazione e ottengo l’intensità del campo su quella superficie.
Quindi Dq di un anello di spessore infinitesimo è pari a: dQ anello=
APPLICAZIONE TEOREMA DI GAUSS CON Dq A SIMMETRIA SFERICA
Dq Dq
In una distribuzione di carica generica e casuale, vi saranno molti elementi di σ ⋅2 π ⋅ r ⅆr -densità di carica x unità di volume che dipende solo dalla coordinata radiale
Consideriamo come superficie gaussiana, a cui applicare la circuitazione, una
carica dq nel suo volume, che nel calcolo del campo ⃗
E❑ vanno sommati Dobbiamo ora sommare il contributo del campo elettrico E di tutti gli anelli
per poter calcolare quello del disco:
sfera, su cui E ha modulo uniforme, di raggio noto.

grazie al princio di sovrapposizione.


ϕ⃗
E Dqsferica= ∮ E r ( r ) r^ ⋅ ⅆ A S fera =¿ ¿ ->Essendo h>>a, e h -> ∞ , ρ è invariante per rotazione su φ
La superficie chiusa opportuna per applicare il teorema di Gauss è un guscio E x ( x )=±
σ sup
^ se σ s up> 0, −^x se
,+ x
S fera r cilindrico coassiale con le basi
2 ε0
Er ( r ) r^ ∮ ⅆ A S fera=¿ ¿ Qi nt =
∫❑ ⃗E ⋅ ⅆ A❑= ∫ ⃗
E ⋅ ⅆ Alat σ s up< 0
S ferar ε0 superfici laterali CONSIDERIAMO UNA LASTRA CON SPESSORE FISICO d

L’asse ^z è posto a metà dello spessore, quindi d/2 a dx e


Er ( r ) ⋅ 4 π r , dove la carica interna al volume delimitato dalla
2
+ ∫ ⃗
E ⋅ ⅆ A b ase=
d/2 a sx.
2 basi cilindro
La lastra è infinita, quindi ρ è uniforme e simmetrico
superficie chiusa è pari a: Q =¿ ∮ ρⅆV .
i nt ∫ ⃗
E ⋅ ⅆ A lat = E ( r ) 2πrh dove 2πrh rispetto all’asse
S ferar
=
superfici laterali
r ^x
Scegliamo ρ uniforme. Per calcolare il campo elettrico della sfera è la superficie laterale del cilindro e, in particolare, h è l’altezza della nostra Essendo ancora ⃗ E ( x ), il campo esterno
E ( x )=− ⃗
è, come per il caso precedente, UNIFORME IN MODULO
superficie gaussiana.
dobbiamo considerare due casi: r<a oppure r>a, dove a è la dimensione del
ALL’ESTERNO DELLA LASTRA.
Abbiamo ottenuto il flusso del campo E di una Dq cilindrica. Ora voglio
raggio sfera
Ciò che varia è l’andamento del campo elettrico all’interno di
calcolare la carica interna ed esterna al variare del raggio per poter applicare
4 Gauss:
essa. Non essendoci prima spessore, avevamo una
Qi nt (r) = ρ ⋅ π r 3
r<a: r>a: Qi nt (r) = r
discontinuità. Adesso, vediamo che il campo elettrico
3
4 3
PER R<A: Qint=
∫ ρ ⅆ V =ρπ r 2 l => per il teorema di all’interno della lastra è proporzionale ad

Ciò che varia quindi è lo spessore della lastra e di


^x .
conseguenza anche il campo elettrico al suo interno:
r=0
ρ πa Gauss:
3 ρ ⋅ A b ase ⋅ h => h = 2x
1 2 ρr Qint(x)= volume cilindro cilindro
dal teorema di Gauss sappiamo che
Er ( r ) 2πrh = ρπ r l => Er ( r )= .
2⃗
PER R< A : Er ( r ) ⋅4 π r = ( 2
ε0 2 ε0 E x ( x ) ⋅A = base

4 rρ
(h=l,stesso concetto di integrazione)
(ρ volume ⋅ Abase ⋅2 x )
=> ⃗
3 r
ρ π a ¿ /ε 0 => Er ( r )= E x ( x )=
∫ ρ ⅆ V =ρπ a2 l
campo elettrico in
3 3 ε0 PER R>A: Qint= => per il teorema ε0
una regione di sfera considerata fra 0<r<a r=0
ρx d
PER R> A : Er ( r ) ⋅4 π r =( 2
di Gauss:
PER 0<x<
1 2 ε0 2
ρπ a l = ρ a ⋅ 1 (h=l, stesso
2
4 3 Er ( r ) 2πrh =
ρ ⋅ π r ¿/ ε 0 => Er ( r )=¿ ε0 2 ε0 r 2⃗ E x ( x ) ⋅A =
3
base

concetto di integrazione).

QT OTALE SFERA 1 Se consideriamo un guscio cilindrico sottile con spessore h -> 0 e densità di (ρ volume ⋅ Abase ⋅d )
carica superficiale uniforme sul guscio, avremo che la carica interna al guscio => ⃗E x ( x )=
⋅ 2 ε0
4 π ε0 r sarà pari a 0, e in conseguenza a ciò anche Er ( r ) = 0.
NEL CASO IN CUI LA DENSITà DI CARICA NON SIA UNIFORME ALL’INTERNO Per r>a invece l’andamento del campo elettrico è quello solito ed è pari a
ρd d
DELLA SFERA, IL CAMPO ELETTRICO ALL’INTERNO DELLA SFERA NON AVRà
1 ε0
PER x> , d larghezza lastra
Più LO STESSO ANDAMENTO PROPORZIONALE AD R.
NEL CASO DI UN GUSCIO SFERICO, la densità di carica, CHE IN QUESTO CASO . 2
r ENERGIA POTENZIALE ELETTROSTATICA, U (P) (⃗
è SUPERFICIALE, σ sarà spalmata solo sulla superficie del guscio e la carica Anche nel caso in cui strascurassimo lo spessore del filo, il campo elettrico F POT. conservativa elettrostatica)

interna ad esso sarà pari a 0, così come quindi anche il campo elettrico, in
quanto LA CARICA STA SU r=a.
avrebbe un andamento pari a
1. Definisco l’energia potenziale elettrostatica che ha una carica q in un punto P
dovuta dalla forza elettrostatica prodotta da Dq su q come il lavoro che fa la
APPLICAZIONE TEOREMA DI GAUSS A Dq GUSCIO SFERICO SOTTILE CON forza elettrostatica prodotta dalla Dq su q per spostare la carica q da P al
DENSITà DI CARICA SUPERFICIALE σ UNIFORME. r riferimento dell’energia potenziale.
APPLICAZIONE DEL TEOREMA DI GAUSS A DISTRIBUZIONE DI CARICA Dq A Il campo dovuto alla forza elettrostatica è conservativo.

PER R < A: Er ( r )=0 SIMMETRIA PIANA rifer .

QTOTALE GUSCIO 1
1) Dq piana, lastra sottile con σ superficiale uniforme, x=0
Un piano di simmetria per questo tipo di distribuzione carica è un qualsiasi
Upot. elettrostatico= Lf. elettro. di Dq su q =
∫ F elettro ⋅ ⅆ ⃗s : è una

PER R > A: E ( r ) = ⋅ 2 P
funzione scalare che dipende solo dal punto P in cui sono.
piano ortogonale alla superficie carica, in quanto Dq è infinito (non sarebbe
r
4 π ε0 a vero se la lastra fosse finita).
Avendo un piano di simmetria per riflessione al piano carico so che qui giace Possiamo scrivere la Felettrostatica generata da una Dq come
È da notare che ogni volta che si ha una distribuzione di carica superficiale il campo E: per individuarne però la direzione, ho bisogno di un altro piano

F e lettro ( p ) , q , quindi, U
(p)= =
(spessore che tende a 0) si osserva una discontinuità del campo elettrico). di simmetria ortogonale al piano già trovato. Quindi il campo E è parallelo
Per analizzare la discontinuità del campo elettrico eseguiamo un alla retta di intersezione dei due piani. ⃗
E elettrostatico pot. elettrostatico

ingrandimento sulla superficie carica e tramite il teorema di Gauss proviamo


a calcolare quanto vale la discontinuità sulla componente ortogonale della
Quindi la densità di carica ρ dipende solo da ^x ed è invariante per q
superficie. rifer .
traslazione su ^y e ^z , per questo motivo anche il campo elettrico E

Calcolo discontinuità: applico il teorema di Gauss su un cilindretto di
spessore infinitesimo h-> 0 intorno alla superficie carica, le cui basi sono
ortogonali alla superficie carica (approssimativamente)
dipenderà solo da questa coordinata e dalla distanza dal piano carico ⃗
E elettro ⋅q ⋅ ⅆ ⃗s
uniformemente.

∫⃗
E⋅ⅆ⃗ ∫
P
A= E ⋅ ⅆ A1 + Inoltre, si ha un’ulteriore simmetria, cioè ⃗
E ( x )=− ⃗
E(x). Noi sfrutteremo questo tipo di relazione, e infatti definiamo
V, potenziale elettrostatico, come:
V(p)=
La superficie chiusa a cui applicheremo il teorema di Gauss è un
b ase 1
parallelepipedo, o un cilindro, con le basi orientate ortogonalmente alla

∫ E ⋅ ⅆ A2 = ( ⃗
E ¿¿ ⊥ 1− ⃗
E ⊥ 2)¿ ⋅ d⃗
Ax⊥⃗
E ( x ) , in posizione simmetrica in modo
rifer . rifer . ⃗
F elettro.
∫ E elettro ⋅ ⅆ ⃗s = ∫
lastra, e ha

b ase 2
⃗ ⋅ ⅆ ⃗s
che il campo a sx e dx della lastra sia uguale.
q
∫❑ ⃗E ⋅ ⅆ A❑= ∫ ⃗
Abase cilindro
P P
Per il teorema di Gauss osservo che E ⋅ ⅆ Alat +
(⃗
E ¿¿ ⊥ 1− ⃗ E ⊥ 2)¿ ⋅ A base cilindro = asse ⊥ lastra =
U P ot ( p) = L f elettro =[Volt]
q
Qinterna cilindro ∫ ⃗
E ⋅ ⅆ Ab ase =

q
2 basi cilindro (+ x ,− x) E (p) è conservativo.
elettrostatico

ε0 METODI DI CALCOLO PER IL CAMPO ELETTROSTATICO:

(⃗
E ¿¿ ⊥ 1− ⃗ E ⊥ 2)¿ ⋅ A
= ∫ ⃗
E x( x) x^ ⋅ ^x ⅆ A base + rifer .
base cilindro =
base 1+ ^x
^) ⅆ A
1) dalla definizione, V(p)=
∫ E elettro ⋅ ⅆ ⃗s ,

σ ⋅ A b ase cilindro ∫ ⃗
E x (−x ) ^x ⋅ (−x b ase 2=
P
lo posso applicare però solo se conosco E in tutti i punti.
2) principio di sovrapposizione per Velettrostatico
=>
ε0 base 2− x^
2⃗
E x ( x ) ⋅A => flusso totale uscente dal cilindro
rifer .
σ VDq(p)=
∫ E elettro ⋅ ⅆ ⃗s =

base

(⃗
E ¿¿ ⊥ 1− ⃗ E ⊥ 2)¿ = Calcoliamo la Qint:

ε0 Qint(x)= σ s uperficiale ⋅ A b ase P


APPLICAZIONE TEOREMA DI GAUSS A Dq SIMMETRIA CILINDRICA
Consideriamo un filo di sezione circolare e diraggio r=a con carica ∑ V q i (p), potenziale in p generato dalla i-esima q i

ρ .
Qtot=Quniforme sul filo quindi uniforme i

->⃗
E =Er ( r ) r^ ⊥ z^ a sse de ò cilindro
∈Dq, cioè la somma scalare dei potenziali in P generate
kq
dale single q puntiformi della Dq, V (p)=
i Dq
∑ r i.
i i
POTENZIALE GENERATO DA UNA Q PUNTIFORME IN UN
PUNTO P GEN.
Conoscendo il campo elettrico della carica q in ogni punto,
posso calcolare V(p) applicando la definizione:
rifer .
VDq(p)=
∫ E elettro ⋅ ⅆ ⃗s =

P
rifer .
kQ ^
∫ r
2
r ⋅( ⅆ ⃗r +¿ ⅆ ⃗s ⊥r )¿=
P
rifer .
kQ
∫ r
2
r^ ⋅ ⅆ r⃗
P

|
rf
=−
kQ . Scelgo il punto dove mettere il riferimento
i

r p
del potenziale così come per l’energia
potenzialegravitazionale, dove mi fa più comodo: all’infinito
ho potenziale pari a 0.
Se la carica è positive il potenziale è positive e viceversa.
Inoltre il potenziale generato in P da q dipende dall’inverso
della distanza r dallqa q che lo genera.
LE SUPERFICI EQUIPOTENZIALI PER UNA Q
PUNTIFORME SONO SFERE CONCENTRICHE ALLA Q,
CON R COSTANTE.
Quando scegliamo dove mettere il riferimento, dobbiamo
fare in modo che il potenziale sia definito.

POTENZIALE GENERATO DA
P DIPOLO ELETTRICO A

GRANDE DIST.

P = q ⋅d , momento di dipolo elettrico, r ∕ ∕ r


⃗ + -

∕ ∕ r⃗ a grande distanza.
Definiamo inoltre θ l’angolo tra ⃗ e r
P ⃗ come |r⃗|>>d
V =( r
kq - kq = kq kp r^
dipolo
⃗ ¿=
r +¿ ¿ r−¿ ¿ r
2
approssimo ad r2 perché siamo a grande distanza e d dvvel
dipolo è piccola.

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