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Se il rate di movimento di atomi interstiziali è 5 x 108 salti/sec a 500 °C e 8 x 1010 salti/sec a 800
°C, calcolare l’energia di attivazione Q del fenomeno.
Soluzione
Q
Rate C o exp (1)
RT
Q
5 X 10 8 C o exp C o exp 0.000156 * Q (2)
8.314 * (500 273)
Q
8 X 1010 C o exp C o exp 0.000112 * Q (3)
8.314 * (800 273)
da cui
5 * 10 8
Co (4)
exp( 0.000156 * Q)
Sostituendo 4 in 3
5 * 10 8
8 X 1010 * exp 0.000112 * Q (5)
exp( 0.000156 * Q)
8 * 1010
160 exp 0.000156 0.000112 * Q exp 0.000044 * Q (6)
5 * 10 8
passando ai logaritmi
5.075
da cui Q 115340 (J/mol)
0.000044
Problema
Un metodo utilizzato per produrre transistor si basa sulla diffusione di impurezze (P) in un
materiale semiconduttore quale il Si.
Un cilindro di Si spesso 1 mm che inizialmente contiene P nella misura di 1 atomo ogni 10.000.000
di Si è trattato in modo da avere 400 atomi di P ogni 10.000.000 sulla superficie (Fig. 1). Calcolare
il gradiente di concentrazione (a) in %atomi * m-1 e (b) in atomi * m-3 * m-1. Il parametro reticolare
di Si è 0.54307 nm.
Soluzione
(a) Calcoliamo la composizione iniziale e sulla superficie in % atomica:
1atomo( P )
ci * 100 0.00001 at% P (1)
10.000.000atomi( Si)
400atomi( P )
cs * 100 0.004 at% P (2)
10.000.000atomi( Si )
c (0.004 0.00001) at %( P)
3.99 at% m-1 (3)
x 0.001 m
10.000.000
V * (1.6 * 10 28 )m 3 cella 1 4 * 10 22 m 3 cella 1 (5)
4(atomi / cella )
da cui
1atomo( P)
ci 22 3
10 21 atomi P m-3 (6)
4 * 10 m
400atomi( P)
cs 22 3
10 24 atomi P m-3 (7)
4 * 10 m
c 10 24 10 21
9.99 * 10 26 atomi m-3 m-1
x 10 3
Problema
Uno strato di 0.5 mm di MgO è interposto tra uno di Ni e uno di Ta. A 1400 °C gli ioni di Ni
diffondono attraverso MgO verso il Ta. Determinare il numero di ioni di Ni che al secondo
attraversano MgO. Il coefficiente di diffusione del Ni in MgO è 9 x 10-16 m2s-1 e il parametro
reticolare del nichel a 1400 °C è 3.6 x 10-10 m.
Soluzione
La concentrazione del Ni all’interfaccia Ni/MgO è 100% Ni, ovvero
4atomi( Ni)
C NiMgO 10 3
8.57 * 10 28 atomi m-3 (1)
(3.6 * 10 m)
Il gradiente di concentrazione è:
c 8.57 * 10 28 0
1.71 * 10 32 atomi m-3 m-1 (2)
x 0.5 * 10 3
Il flusso di atomi di Ni è:
c
J D (9 * 10 16 ) * (1.71 * 10 32 ) 1.54 * 1017 atomi Ni m-2s-1 (3)
x
J (area) = (1.54 * 1017) (20 * 10-3 m) (20 * 10-3 m) = 6.16 * 1013 atomi Ni s-1 (5)
Problema
Un tubo impermeabile 30 mm e lungo 100 mm contiene un gas che include da un lato 0.5 1026 N
atomi per m3 e 0.5 1026 H atomi per m3 mantenuto alla stessa concentrazione. Una membrana
metallica separa l’altra parte del tubo che contiene 1024 N atomi per m3 e 1024 H atomi per m3. Il
sistema si trova a 700 °C, temperatura alla quale il Fe ha struttura BCC. Progettare una membrana
che permetta il passaggio max di 1% di N ed almeno il 90 % di H in un’ora.
Soluzione
Volume cilindro ingresso = (/4) d2 h = (/4) (30 * 10 –3 m)2 (100 * 10-3 m) = 7.07 * 10-5 m3
J = (9.8 * 1015 N atomi s-1)/(/4)(30 * 10-3)2 = 1.39 * 1019 N atomi m-2 s-1.
Dalla I Legge di Fick x = -D c/J = -3.63 * 10-11 * (1024 – 0.5 * 1026)/1.39 1019 = 1.28 10-4 m =
0.128 mm (spessore minimo della membrana)
J = (8.83 * 1017 N atomi s-1)/(/4)(30 * 10-3)2 = 1.25 * 1021 H atomi m-2 s-1.
Dalla I Legge di Fick x = -D c/J = -1.87 * 10-8 * (1024 – 0.5 * 1026)/1.25 1021 = 7.33 10-4 m =
0.733 mm (spessore massimo della membrana).
Soluzione
Cs Cx x
II Legge di Fick erf
C s Co 2 Dt
1.2 0.45 2 * 10 3 x x
0.68 erf Dalla tabella erf = 0.68 = 0.71
1.2 0.1 2 Dt Dt Dt
10 6 1.9837 * 10 6
da cui quadrando 0.5041 e D
Dt t
1.9837 * 10 6 16562
0.23 * 10 4 exp
t T
0.0862
t
16562
exp
T
Soluzione
da cui
A 900 °C il costo unitario del trattamento è 1000 (U.O.) * 10 h / 500 pezzi = 20 U./pezzo
A 1000 °C il costo unitario del trattamento è 1500 (U.O.) * 3,298 h / 500 pezzi = 9.90 U./pezzo
Considerando il solo costo del forno di trattamento l’aumento della temperatura riduce i costi di
oltre il 50 % ed incrementa la capacità produttiva.