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1. Classificazione
2. Diodo
3. Tiristore
4. GTO
5. BJT
6. MOSFET
7. IGBT
8. MCT
iA Il diodo è composta da
una unica giunzione p-n.
A C
Anodo
Simbolo
p
Lo stato del diodo dipende solamente n
dalla polarizzazione del componente.
Polarizzazione diretta: conduzione. Catodo
Polarizzazione inversa: interdizione.
Angelo Tani Azionamenti Elettrici 3
Diodo
Anodo
La struttura del diodo di potenza è diversa
p
da quella del diodo di segnale e prevede
n-
l’impiego di due zone n con diverso grado
n+
di drogaggio.
Catodo
iA La caratteristica statica
ideale del componente,
Conduzione diretta
presenta:
• tensione nulla in
conduzione (resistenza
Blocco inverso vAC equivalente zero);
• corrente nulla in
interdizione (resistenza
equivalente infinita).
iA
La caratteristica
statica del compo-
Conduzione diretta nente è dipendente
vbi dalla temperatura
vAC
della giunzione.
La caduta di
Blocco inverso tensione diretta va-
ria da 1 a 1.5 V.
iA
I diodi di potenza
presentano, in gene-
Conduzione diretta rale, una tensione di
vbi soglia VT .
vAC
Blocco inverso
VT
iA Caratteristica del
circuito esterno e punto
A C di funzionamento
R
E
iA
E/R Conduzione diretta
E − v AC − R i A = 0 1/R
vbi vAC
1
E − v AC
iA = Blocco inverso
R
iA
Le perdite in
conduzione e
interdizione so-
vbi no rappresenta-
vAC bili con dei
rettangoli sulla
caratteristica sta-
tica.
VT tensione di soglia
I (IRMS ) valore efficace della corrente
Im (IAVE) valor medio della corrente
IFSM corrente di sovraccarico
i2dt (per il coordinamento fusibili)
VRRM massimo valore permesso
di tensione inversa ripetitiva
(repetitive peak reverse voltage)
IRRM corrente di perdita ripetitiva
Il tiristore è composto
iA da tre giunzioni p-n.
A C
Anodo
P
G n
Gate
P
Lo stato del tiristore dipende dalla
polarizzazione del componente e n
dal segnale di comando del Gate.
Catodo
Il componente presenta,
iA oltre allo stato di
Conduzione diretta
conduzione diretta e
interdizione inversa del
diodo, lo stato di
interdizione diretta.
Blocco inverso Blocco diretto vAC
L’impulso di corrente
di Gate consente il
cambio di stato in una
sola direzione.
iA Conduzione diretta
ig4
iA
A C
iA Conduzione diretta
G Pil. R ig4
E
ig 3 ig2 ig1 ig =0
ih
Blocco diretto
vAC
Blocco inverso
iA
Struttura del TRIAC
A C
Anodo
p n
G
n
p
Possiede le caratteristiche di n
n
due tiristori in antiparallelo, col
vantaggio di essere un Catodo Gate
componente unico, compatto,
su un solo chip di silicio.
Angelo Tani Azionamenti Elettrici 19
TRIAC: caratteristica statica ideale
La caratteristica statica è
antisimmetrica ed è
iA
funzione della corrente di
Conduzione diretta gate, che può avere segno
positivo o negativo,
comandando l’accensione
Blocco inverso
di uno e dell’altro
Blocco diretto vAC tiristore. Il comando
permette l’accensione di
uno dei due tiristori, ma
Conduzione inversa non lo spegnimento, che
avviene solo mediante
polarizzazione inversa.
Angelo Tani Azionamenti Elettrici 20
TRIAC: punto di funzionamento
iA
Conduzione diretta
Conduzione inversa
RCT
Anodo Anodo
P P P
n n
n P n P
Gate Gate
Catodo Catodo
Come il Tiristore, Il
componente presenta,
iA
Conduzione diretta oltre allo stato di
conduzione diretta e
interdizione inversa del
diodo, lo stato di
Blocco inverso Blocco diretto vAC interdizione diretta.
L’impulso di corrente
di Gate consente il
cambio di stato nelle
due direzioni.
iA
Conduzione diretta
ig4
Simmetrico
Asimmetrico
iA
A C
iA Conduzione diretta
G Pil. R ig4
E
ig 3 ig2 ig1 ig =0
ih
Blocco diretto
vAC
Blocco inverso
Struttura di un comune
C
iC BJT di tipo n-p-n.
B
vCE Collettore
iB
n
Base J2
E P
J1
n
Lo stato del BJT dipende dalla
polarizzazione del componente e Emettitore
dal valore della corrente di Base.
Modo j1 (B - E) j2 (C - B)
iC
Conduzione diretta
Il componente presenta,
oltre allo stato di
conduzione diretta, lo
Blocco diretto vCE stato di interdizione
diretta, ma non lo stato
di interdizione inversa.
iC
I B =0
Interdizione
vCE
IC
C E
B Pil. R
E
iC
I B =0
Interdizione
vCE
Angelo Tani Azionamenti Elettrici 36
BJT (Bipolar Junction Transistor)
C iC
iB
vCE
B
D iD
Struttura del MOSFET
VDMOS a canale n.
vDS
G Source
Gate
SiO2
n+ n+
p p
vGS n-
S
n+
Lo stato del MOSFET dipende dalla
polarizzazione del componente e dal Drain
segnale di comando del Gate.
Angelo Tani Azionamenti Elettrici 40
MOSFET
Il componente presenta
iD
Conduzione diretta
lo stato di conduzione
diretta e interdizione
diretta, ma non lo stato
di interdizione inversa.
Blocco diretto vDS Il controllo della
tensione di Gate
consente il cambio di
stato nelle due
direzioni.
iD
Conduzione
diretta v GS >0
v GS =0
Blocco diretto
vDS
iD
D S
Pil. R
E G
iD
Conduzione
diretta v GS >0
v GS =0
Blocco diretto
vDS
Drain iD
Collettore
iC
Gate
vCE vDS
Gate
vGE
Emettitore
vGS
Source
Il componente presenta,
iD oltre allo stato di
Conduzione diretta conduzione diretta e
interdizione inversa del
diodo, lo stato di
interdizione diretta.
Blocco inverso Blocco diretto vDS
Il controllo della
tensione di Gate
consente il cambio di
stato nelle due
direzioni.
iD
Conduzione
diretta vGS>0
vGS=0
Blocco diretto
vDS
Blocco inverso
ID
D S
Pil. R
E G
iD
Conduzione
diretta vGS>0
vGS=0
Blocco diretto
vDS
Blocco inverso
Anodo iA Anodo iA
Il componente presenta,
iA oltre allo stato di
Conduzione diretta
conduzione diretta e
interdizione inversa del
diodo, lo stato di
interdizione diretta.
Blocco inverso Blocco diretto vAC
L’impulso di tensione
di Gate consente il
cambio di stato nelle
due direzioni.
iA Conduzione diretta
Blocco diretto
vAC
Blocco inverso
iA
A C
Pil. R
E G
iA Conduzione diretta
Blocco diretto
vAC
Blocco inverso