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ESEMPIO DI AMPLIFICATORE A BJT

AD EMETTITORE COMUNE CON RESISTENZA DI EMETTITORE


(Dati uguali allEsempio di par.8.2.2, Fig.8.33
del testo R.R.Spencer & M.M.Ghausi: Introduction to Electronic Circuit Design)
Calcolare il punto di lavoro del BJT Q1 di Fig.1, le amplificazioni a media frequenza di tensione Av= vo /vi e di
corrente Ai =il /ii , lamplificazione di potenza Ap =Wl /Wi e le resistenze di ingresso Ri e di uscita Ro nei punti P1 e P2
indicati. Si trascuri leffetto Early.
VCC= 10 V

i in

R IN vi

ii Ri

P1

RC
2.2k

R1
40k

C IN

Q1

100

+
vin
-

R2
10k

CO

P2

Ro

=100
VBE =0.7 V

vO
il

RL
1k

RE
650

Fig.1. Circuito con transistor BJT connesso a Emettitore Comune con resistenza in emettitore

Soluzione:
a schema equivalente completo
Si pu sostituire il transistor con un suo schema equivalente, ottenendo il circuito di Fig.2, valido sia ai grandi segnali
sia ai piccoli segnali. (Il tracciamento del circuito di Fig.2 un passo intermedio, mostrato per facilitare la
comprensione degli sviluppi successivi e viene di solito omesso considerandolo sottinteso).

R IN
+
vin
-

C IN
RC
2.2k
CO

100
R BB
+
VBB
-

8k

+
v BE
-

+
VCC
-

iC ( v BE )

vO
RL
1k

E
RE
650

v BE =VBE + r i b
iC =I B + gmvbe

Fig.2. Schema equivalente completo


Nello schema equivalente del transistore, la tensione totale vBE si considera la somma della tensione continua del punto
di lavoro VBE , funzione come noto della corrente IC , pi un termine incrementale ai piccoli segnali pari al prodotto r
ib . Analogamente, la corrente totale di collettore iC si considera la somma di un termine continuo, relativo al punto di
lavoro, IB , pi un termine ai piccoli segnali gm vbe .
Il partitore, formato da R1 e R2 ed alimentato da VCC , stato sostituito dal generatore equivalente VBB e dalla
resistenza equivalente RBB . I valori di tali elementi sono dati da
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Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune

VBB = VCC

R2
10 103
= 10
=2 V
R1 + R 2
40 103 + 10 103

R BB = R 1 // R 2 =

(1)

R1 R 2
40 103 10 103
=
= 8 k
R 1 + R 2 40 103 + 10 103

(2)

In base al principio della sovrapposizione degli effetti, lo schema equivalente completo si pu scindere in uno schema
equivalente ai grandi segnali, che consente di determinare il punto di lavoro del sistema ed in particolare del BJT, ed in
uno schema equivalente ai piccoli segnali, su cui si calcolano le amplificazioni e le impedenze richieste, che sono
appunto relative al comportamento ai piccoli segnali.
Spesso, e in particolare in questo caso, interessa il comportamento ai piccoli segnali in centro banda, cio a frequenze
diverse dalla continua ma non troppo alte. In questo caso, di solito, i condensatori impiegati nello schema hanno valori
tali per cui le loro impedenze risultano molto alte in c. continua e abbastanza basse a frequenza di centro banda. Perci,
se non specificato diversamente, i condensatori si considerano circuiti aperti nel ricavare lo schema ai grandi segnali e
corti circuiti nel ricavare lo schema ai piccoli segnali.
b studio ai grandi segnali
In base a quanto detto, si osserva che, ai fini della determinazione dello schema ai grandi segnali, la parte di circuito a
monte di CIN , che comprende il generatore di corrente iin e la resistenza RIN , e quello a valle di CO , che comprende RL ,
si pu ritenere scollegata dal resto del circuito e senza effetti. Essa viene quindi omessa. Lo schema che si ricava
mostrato in Fig.3.

IC
R BB
+
VBB =2 V
-

VB B

8k

IB

IC

+
VBE
-

RC
2.2k

+
VCC =10 V
VC

I B
IE

VE
E
RE
650
VBE = 0.7 V

Fig.3. Schema equivalente ai grandi segnali


per la determinazione del punto di lavoro
Si suppone che il BJT sia in condizioni di zona attiva e che la tensione base-emettitore sia di fatto VBE =0.7 V.
Considerando la maglia che va dalla base del BJT allemettitore e comprende il generatore VBB , la resistenza RBB , la
caduta base-emettitore VBE e la resistenza RE , si pu scrivere
VBB R BB IB VBE R E IE = 0
e tenendo conto che

(3)

IC = IB

(4)

IE = I C + IB = ( + 1) )IB

(5)

VBE = 0.7 V

(6)

VBB VBE [R BB + ( + 1)R E ] IB = 0

(7)

si ha da (3)

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Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune

da cui
IB =

VBB VBE
2 0.7
=
= 17.65 A
3
R BB + ( + 1) R E 8 10 + (100 + 1) 650

(8)

e quindi
IC = IB = 100 17.65 10 6 = 1.765 mA

(9)

IE = ( + 1) IB = (100 + 1) 17.65 10 6 = 1.783 mA

(10)

Note IC e IE , si pu ricavare la tensione VCE . A tal fine si calcola


VC = VCC R C I C = 10 2.2 10 3 1.765 10 3 = 6.117 V

(11)

VE = R E IE = 650 1.783 10 3 = 1.159 V

(12)

e perci
VCE = VC VE = 6.117 1.159 = 4.958 V
Essendo VCE >0.2 V, si conferma che il transistor in zona attiva.

(13)

c studio ai piccoli segnali


Dallo schema equivalente completo, azzerando i generatori in continua e quindi sostituendo i generatori di
alimentazione positiva e negativa con connessioni a massa, sostituendo i condensatori CIN e CO con corti circuiti e
inserendo tra Base, Emettitore e Collettore lo schema equivalente del BJT ai piccoli segnali, si ottiene lo schema
equivalente ai piccoli segnali di Fig.4.

i in
+
vin
-

R IN
100

vi

ii

Ri

P1
RBB
8k

vb B

ib

ic
+
vbe
-

ie
ve

C vc

gmvbe

P2
irc

RC
2.2k

Ro

vO
il

RL
1k

RE
650

Fig.4. Schema equivalente ai piccoli segnali

Poich noto il punto di lavoro del BJT, ed in particolare nota la corrente di collettore IC , si pu determinare la
transconduttanza gm (che un parametro ai piccoli segnali). Come noto si ha
IC
1.765 10 3
(14)
=
= 67.88 10 3 Siemens

3
VT
26 10
dove VT la tensione termica (thermal voltage) data da VT =kT/q, con k costante di Boltzmann, T temperatura assoluta
in gradi Kelvin, q carica dellelettrone. Essendo k=1.38066 10-23 J/K, q=1.60218 10-19 Coulomb, e assumendo una
temperatura di 27C e quindi di 300K, si ottiene VT =25.85 mV 26 mV.
gm =

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Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune

Il valore della resistenza differenziale di base r si ricava dalla nota formula


r =

100

=
= 1.473 k
gm 67.88 10 3

(15)

E conveniente trasformare lo schema equivalente ai piccoli segnali, sostituendo il circuito connesso in base con un
generatore equivalente di Thvenin, e riunendo in ununica resistenza equivalente RL le due resistenze in parallelo RC
e RL , come mostrato in Fig.5.
Dallo schema di Fig.4 la tensione a vuoto vin, che si ottiene sconnettendo il circuito che comprende RIN , RBB ed il
generatore di tensione vin , vale
v in = v in

RBB
8 10 3
= v in
= v in 0.988
RIN + RBB
100 + 8 10 3

(16)

La resistenza equivalente RIN si ottiene nello stesso circuito annullando, cio chiudendo in corto circuito, il generatore
di tensione vin . La RIN quindi data dal parallelo di RIN e di RBB
R IN R BB
100 8 10 3
=
= 98.77
R IN + R BB 100 + 8 103
Come detto, la resistenza equivalente RL data da
R IN = (R IN // R BB ) =

R L = (R C // R L ) =

i'in

R C RL
2.2 10 3 1 103
=
= 688
R C + RL
2.2 10 3 + 1 103

R'IN
98.77

+
v'in
-

(17)

vb B

ib

(18)

ic
+
vbe
-

ie
ve

vO

C vc

gmvbe

i' l

R'L
688

RE
650

Fig.5. Schema equivalente ai piccoli segnali ridotto


Nello schema ridotto di Fig.5, ricordando che
ic = gm v be

ib =

(19)

ic
g
= m v be

(20)

ie = ic + ib

(21)

e quindi
ie =

+1
+1
ic =
gm v be

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(22)

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Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune

Considerando la maglia che comprende vin , RIN , base, emettitore e RE si pu scrivere


v in R IN ib v be R Eie = 0
Tenendo conto delle (20) e (22) si ricava

(23)

1
+1
v in gmR IN + 1 +
gmR E v be = 0

(24)

1
1
+1
gmR E
1 + gmR IN +

e sostituendo nella (20) e nella (19)


v be = v in

(25)

ib = v in

gm
1
= v in
R IN + r + ( + 1)R E
+ gm [R IN + ( + 1)R E ]

(26)

ic = v in

gm

= v in
R IN + r + ( + 1)R E
+ gm [R IN + ( + 1)R E ]

(27)

Inoltre, dallo schema si ha


RL
gm RL
(28)
= v in
+ r + ( + 1)RE
RIN
+ gm [RIN + ( + 1)RE ]
Si pu definire unamplificazione di tensione Av =vo /vin , relativa allo schema ridotto, che risulta dalla (28)

v o = RLic = v in

A v =

vo
gm R L
=
=
v in
+ gm [R IN + ( + 1)R E ]

gm R L

gm R L
1 + gm R E

(29)
gm
[R IN + ( + 1)R E ]

dove la semplificazione valida soprattutto se >>1. E da notare che, per la connessione a emettitore comune,
lamplificazione di tensione Av negativa.
Con i dati del caso in esame, dalla (17) si ricava
A v =

1+

gm R L
67.88 10 3 100 688
=
= 1.023
+ gm [R IN + ( + 1)R E ]
100 + 67.88 10 3 [98.77 + (100 + 1) 650]

(30)

Dallesame del circuito e dalla (22) si vede che la tensione di base vb pu essere espressa da

( + 1) R E
+1

(31)
v b = v be + R Eie = v be 1 +
gmR E = v be 1 +

e dalle (31), (26) e (25) si ricava il rapporto rb =vb /ib , che pu essere considerato come la resistenza di ingresso in base
del BJT ad emettitore comune con resistenza in emettitore. Tenendo conto anche della (15) si ottiene

vb
=
+ ( + 1)R E = [r + ( + 1)R E ] = 1.473 103 + (100 + 1) 650 = 67.123 k (32)
ib
g
m

Si pu definire inoltre il rapporto Ai =il /iin come lamplificazione di corrente relativa allo schema ridotto di Fig.5.
Dallo schema si vede che il =ic e che iin =ib . Dalle (26) e (27) si ricava quindi
rb =

i
il
= c = = 100
iin
ib
Anche lamplificazione Ai dunque negativa.
A i =

(33)

E interessante rimarcare che lo schema ridotto di Fig.5 lo schema tipico della connessione a emettitore comune con
resistenza di emettitore di un BJT, e che le formule (29), (33), (32) che danno le amplificazioni di corrente e di tensione
e la resistenza di ingresso, sono formule classiche riportate in tutte le tabelle.

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Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune

E necessario ora tornare allo schema ai piccoli segnali completo di Fig.4 per calcolare i parametri richiesti, relativi allo
schema completo.
A questo fine opportuno esprimere le variabili dello schema in funzione del segnale di ingresso vin anziche di vin .
Sostituendo nelle (26), (27), (25), (28) lespressione di vin data dalla (16) si ottiene
ib = v in

RBB
gm

RIN + RBB + gm [RIN + ( + 1)RE ]

(34)

ic = v in

R BB
gm

R IN + R BB + gm [R IN + ( + 1)R E ]

(35)

v be = v in

R BB

R IN + R BB

1
1
+1
1 + gmR IN +
gmR E

(36)

R BB
R BB
gm R L
= v in
A v

R IN + R BB
R IN + R BB + gm [R IN + ( + 1)R E ]
inoltre, dalla (31) e dalla (36) si ricava
v o = v in

v b = v in

R BB
+ ( + 1) gmR E

R IN + R BB + gm [R IN + ( + 1)R E ]

(37)

(38)

In base allo schema di Fig.4 risulta che vi =vb . Dalle (37) e (38) si ricava quindi lamplificazione di tensione relativa
allo schema completo
vo
v
gm R L
= o =
vi
vb
+ ( + 1) gmR E
e introducendo i valori numerici
Av =

(39)

vo
gm R L
67.88 10 3 100 688
(40)
=
= 1.024
=
vi
+ ( + 1) gmR E
100 + (100 + 1) 67.88 10 3 650
Se si fosse voluta calcolare lamplificazione complessiva Avt =vo /vin tra il segnale di ingresso e quello di uscita,
includendo lattenuazione dovuta a RIN , dalla (37) si pu ricavare
Av =

A vt =

vo
R BB
8 10 3
=
A v =
1.023 = 1.01
v in R IN + R BB
100 + 8 10 3

(41)

Per calcolare lamplificazione di corrente Ai =il /ii si devono ricavare le espressioni di ii e di il in funzione delle
grandezze gi determinate.
Dallo schema di Fig.4 si vede che la corrente ii =iin data dalla somma di ib e della corrente irbb che fluisce in RBB .
Questa corrente, a sua volta, dipende dalla tensione vi =vb . Si pu dunque scrivere, ricordando la definizione di rb data
dalla (32)
ii = irbb + ib =

vb
+ ib = ib b + 1
R BB
R BB

(42)

Ancora da Fig.4 si vede che la corrente ic = il si ripartisce tra le resistenze RC e RL . Come noto, le relative correnti
irc e il stanno in proporzione inversa alle resistenze (infatti, irc =vo /RC , il =vo /RL e ic = (irc +il )). Tenuto conto dei
versi, si pu dunque scrivere
RC
(43)
R C + RL
Dalle (42) e (43), tenendo conto della (33), lamplificazione di corrente relativa allo schema completo risulta
il = ic

Ai =

i i
RC
il
i
R BB
= l b c =

A i
ii ic ii ib
R C + R L R BB + rb

(44)

e introducendo i valori numerici


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Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune

Ai =

RC
R BB
2.2 103
8 10 3

A i =

( 100 ) = 7.321
R C + R L R BB + rb
2.2 103 + 1 103 8 103 + 67.123 10 3

(45)

Lamplificazione di potenza risulta perci


Ap =

Wl v o il v o il
=
= A v A i = ( 1.024 ) ( 7.321) = 7.497
=
Wi
v i ii
v i ii

(46)

Per calcolare la resistenza di ingresso nel punto P1 (Fig.4) si suppone di sconnettere tutta la parte esterna, cio il
generatore di tensione vin e la resistenza RIN , di annullare nel circuito rimanente tutti i generatori indipendenti (non ve
ne sono) e di collegare in P1 un generatore di prova vx . Si ottiene la configurazione di Fig.6.

Ri

ix
+
vx
-

P1

vb B

RBB
8k

ib
r

ic
+
vbe
ie
ve

C vc

gmvbe

vO
RC

irc

2.2k

il

RL
1k

RE
650

Fig.6. Schema per il calcolo dellimpedenza di ingresso Ri .


Dallo schema, la corrente ix iniettata da vx nel punto P1 risulta
1
1
v
vx
v
1
1
+ ib = x + b = v x
+ = v x
+
(
+

+ 1)R E
R BB
R BB
rb
R
r
R
r
b

BB
BB
Poich la resistenza Ri per definizione Ri =vx /ix si ottiene
ix =

R [r + ( + 1)RE ] 8 10 3 1.473 10 3 + (100 + 1) 650


vx
= BB
=
= 7.148 k
ix
RBB + r + ( + 1)RE 8 10 3 + 1.473 10 3 + (100 + 1) 650
che pari al parallelo di RBB e rb .
Ri =

(47)

(48)

In modo simile, per calcolare la resistenza di uscita nel punto P2 (Fig.4) si suppone di sconnettere tutta la parte esterna,
che in questo caso si riduce alla resistenza di carico RL , di annullare nel circuito rimanente tutti i generatori
indipendenti, cortocircuitando il generatore di segnale vin , e di collegare in P2 un generatore di prova vx . Si ottiene la
configurazione di Fig.7.

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Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune

R IN

vi

ii

vb B

100

RBB
8k

ib

ic
+
vbe
-

ie
ve

C vc

Ro

P2

gmvbe

irc

RC

ix

2.2k

+
vx
-

RE
650

Fig.7. Schema per il calcolo dellimpedenza di uscita Ro


E evidente, dallo schema, che ix =irc +ic e che vc =vo =vx . Perci irc =vx /RC .
La corrente ic provocata dalla tensione vx applicata al collettore nulla. Infatti, supponendo ad esempio che si abbia
una corrente ic positiva, essa nel nodo di emettitore dovrebbe suddividersi , tra i rami di emettitore e di base, in ragione
inversa alle rispettive resistenze equivalenti. Nella base si dovrebbe avere dunque una corrente di verso opposto al
verso positivo di ib indicato in figura, e si dovrebbe provocare quindi una caduta vbe = r ib negativa. Ma ic =gm vbe e,
poich si supposto che ic >0, dovrebbe essere vbe >0, il che in disaccordo con quanto trovato. Perci non vi pu
essere corrente ic positiva. In modo simile si dimostra che non si pu avere ic negativa causata da vx .
Si conclude che ix =irc +ic =irc =vx /RL. Limpedenza di uscita risulta dunque
vx
= R C = 2.2 k
(49)
ix
Si pu osservare che, nel caso si fosse dovuto tener conto delleffetto Early, si sarebbe dovuta definire una
corrispondente resistenza ro in parallelo al generatore di corrente comandato gm vbe nello schema equivalente ai piccoli
segnali del BJT. Leffetto di tale resistenza normalmente trascurabile nel calcolo di tutti i parametri considerati in
questo esercizio, tranne che nella determinazione di Ro. Per questultima, soprattutto con valori alti di RC e RL,
lespressione di Ro avrebbe incluso anche leffetto di ro .
Ro =

d condensatore di by-pass in parallelo a RE

E interessante valutare come cambiano le amplificazioni dello schema nel caso, abbastanza frequente, che in parallelo
a RE venga connesso un condensatore CE , come mostrato in Fig.8.
VCC= 10 V

i in
+
vin
-

R IN vi

ii Ri

P1

C IN

R1
40k

RC
2.2k

Q1

100
R2
10k

CE

CO

=100
VBE =0.7 V

P2

Ro

vO
il

RL
1k

RE
650

Fig.8. Circuito con transistor BJT connesso a Emettitore Comune con resistenza di Emettitore
avente in parallelo un condensatore di by-pass

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Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune

Un tale condensatore, come gli altri dello schema, purch di valore adeguato si comporta come un circuito aperto in
c. continua e come un corto circuito a media frequenza. Perci, lo schema ai grandi segnali che si pu derivare da Fig.8
uguale a quello di Fig.3, ricavato nel caso che il condensatore CE non vi sia. Di conseguenza, il punto di lavoro, ed in
particolare la corrente IC , rimangono gli stessi.
Ai piccoli segnali, la transconduttanza gm e la resistenza equivalente r che, secondo le (14) e (15), sono funzioni di
IC rimangono anchesse invariate a gm =67.88 10-3 Siemens e r =1.473 k.
Invece, nello schema ai piccoli segnali di Fig.4, ed anche in quello ridotto di Fig.5 ed in quelli derivati di Fig.6 e Fig.7,
la resistenza RE risulta cortocircuitata.
Perci nella (30) che d lamplificazione di tensione Av relativa allo schema ridotto, la RE assume valore nullo. Si ha
A v =

gm R L
67.88 10 3 100 688
R L
=
= 43.77
=
r + R IN
+ gm [R IN + ( + 1)R E ]
100 + 67.88 10 3 [98.77 + (100 + 1) 0]

(50)

Analogamente nella (32), che d la resistenza di ingresso in base del BJT ad emettitore comune con resistenza in
emettitore , lannullamento di RE d

rb = [r + ( + 1)R E ] = 1.473 103 + (100 + 1) 0 = r = 1.473 k


(51)
Lamplificazione di corrente relativa allo schema ridotto Ai , come mostra la (33), non dipende da RE e rimane
invariata a Ai = = 100.
Invece lamplificazione di tensione relativa allo schema completo Av , come mostra la (40), diventa
gm R L
67.88 10 3 100 688
(52)
=
= gmR L = 46.7
+ ( + 1) gmR E
100 + (100 + 1) 67.88 10 3 0
Lamplificazione di corrente relativa allo schema completo Ai , come mostra la (45), varia essendo variata la rb e
diventa
Av =

RC
R BB
2.2 103
8 103

A i =

( 100 ) = 58.06
R C + R L R BB + rb
2.2 103 + 1 103 8 103 + 1.473 10 3
Lamplificazione di potenza, data dalla (46), diventa
Ai =

Wl
= A v A i = ( 46.7 ) ( 58.06 ) = 2711
Wi
La resistenza di ingresso, data dalla (48), diventa
Ap =

Ri =

(53)

(54)

R [r + ( + 1)RE ] 8 10 3 1.473 10 3 + (100 + 1) 0


vx
= BB
=
= 1.244 k
ix
RBB + r + ( + 1)RE 8 10 3 + 1.473 10 3 + (100 + 1) 0

(55)

Invece, come si pu constatare dalle espressioni (42) di Ri e (49) di Ro , poich in tali espressioni non figura RE , le
resistenze di ingresso e di uscita rimangono invariate.

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Esempio di Amplificatore a BJT ad emettitore comune