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1.

STRUTTURA DEI MATERIALI


1.1. I LEGAMI CHIMICI
1.1.3 Legame ionico: non direzionale
1.1.4 Legame covalente: legame direzionale
1.1.6 Legame metallico: non direzionale
1.2 STRUTTURE CRISTALLINE
1.2.1 Reticoli spaziali: Bravais: 1.ogni punto ha intorno uguale a ogni altro punto, 2.
strutture geometriche che tassellano lo spazio.
Triclino, Monoclino, Ortorombico, Tetragonale, Trigonale, Esagonale, Cubico.
1.2.2 Notazioni cristallografiche: hx+ky+lz=1 h,k,l indici di Miller.
1.2.3 Impaccamento atomico e densit: FI = volume atomi cella/ volume cella
rho = n*M/(a^3*N)
1.2.4. Strutture cristalline nei metalli: nv = atomi/volume = atomi/(A*h) = ns/h
1.2.6. Strutture cristalline nei polimeri: isotattici, sindiotattici, atattici.
Micelle flangiate, Catena ripiegata, Pacchetti di lamelle.
1.3 DIFETTI DELLE STRUTTURE CRISTALLINE
1.3.1 Difetti puntiformi: -Vacanze -Interstiziali -Impurezze (interstiziali e sostituzionali).
1.3.2 Difetti lineari: -Dislocazione lineare (linea di dislocazione perpendic. a Burgers)
-Dislocazione elicoidale (linea di dislocazione parall a Burgers: pu cambiare piano di
scorrimento)
Sorgente di Frank-Read
1.3.3 Difetti superficiali: -Bordi di grano (piccolo angolo-mosaico-, grande angolo)
-Difetto di impilaggio.
1.4 STATO AMORFO
1.4.1 Transizione vetrosa: viscosit 10^13 poise. Temperatura alla quale si ha il
cambio di pendenza nel diagramma vol spec su temperatura.
1.4.2 Vetri inorganici: Zachariasen
-n di coordinazione catione NC <= 4 (ok tetraedro)
-l'ossigeno non pu legare pi di 2 cationi (per avere libert)
-poliedri di coordinazione possono avere in comune solo i vertici e non gli spigoli o le
facce
-ciascun poliedro deve condividere con gli altri almeno 3 vertici (reticolo)
1.4.3 Polimeri organici: lineari, ramificati, reticolati.
2. TERMODINAMICA DEI MATERIALI
2.1 EQUILIBRIO TRA LE FASI: DELTAG = DELTAH - T*DELTAS <0
2.1.1 Stabilit tra le fasi: potenziale chimico mu_i = (dG/dn_i)|T,P,n_j
2.1.2 Regola delle fasi: V=C-P+2. i componente, a fase: x_i = n_i^a/sommai(n_i^a).
x_1^a + x_2^a +... = 1 e ho (C-1)P variabili indipendenti. Condizioni di eq:
uguaglianza pot chimici mu_1^a = mu_1^b =...,
cio (C-1)P relazioni.

2.1.3 Diagrammi di fase: s = (L-x_i)/(L-S) regola della leva. Si considera una quantit
unitaria del sistema totale, s frazione solida (1-s) frazione liquida. Bsolida: B=sS,
Bliquida: B=(1-s)L.
x_i = sS + (1-s)L
Sistema completamente miscibile: interstiziale e sostituzionale => regole di Hume
Rothary:
-A e B dimensioni simili
-A e B struttura uguale
-A e B simile elettronegativit
-A e B simile valenza
2.2 SUPERFICI E INTERFACCE
2.2.1 Tensione superficiale ed energia superficiale: -dWs = dGs = gamma*dA
gamma=(dGs/dA)|T,P
2.2.2 Propriet delle superfici curve: DELTAP = 2gamma/r [= 2gamma*cos(th)/R =
rho*g*h]
DELTAP influenza:
- tensione di vapore p: RTln(p1/p0) = 2gamma*V/r => p1/p0>1 se r>0 convessa
- solubilit s: RTln(s1/so) = 2gamma*V/r => s1/s0>1 se r>0 convessa
- concentrazione vacanze c: c1/c0 = 1- gamma*a^3/(kTr) => c1/c0>1 se r<0 concava
2.2.3 Interazioni liquido-liquido e solido-solido: gamma12/sin(th3) = gamma13/sin(th2)
= gamma23/sin(th1)
=> gamma12 = gamma13 = gamma23 implica th1=th2=th3=120
2.2.4 Interazioni liquido-solido e solido-solido: gammaS = gammaSL +
gammaLcos(TH) => cos(TH) = (gammaS - gammaSL)/gammaL angolo di bagnabilit.
3. ASPETTI CINETICI
3.1 MOBILITA' ATOMICA
3.1.1 Meccanismi di diffusione nello stato solido: -per vacanze -scambio ciclico
3.1.2 Leggi di Fick:
I J=-D*(deltaC/deltaX) se stazionario
II deltaD/deltat = D*(delta^2C/deltaX^2) non stazionario
3.1.3 La diffusione come processo termicamente attivato: D=D0*e^(-Ed/RT) => lnD =
lnD0 - Ed/R*(1/T)
3.2 TRASFORMAZIONI DI BASE
3.2.1 Cristallizzazione di un liquido: quando ho un DELTAGv di sottoraffreddamento
3.2.2 Nucleazione omogenea: DELTAGr = 4*PI*r^2*gamma + 4/3*PI*r^3*DELTAGv =>
r* = - 2gamma/DELTAGv
Diagramma T su N(numero di nuclei su unit di tempo) a forma di naso perch
contributo nucleazione e diffusione.
3.2.3 Nucleazione eterogenea: DELTAGe = DELTAG*f(th) dove th:angolo di bagnabilit.
f(th) < 1 se th<180
3.2.4 Accrescimento: curva a naso pi alta di quella di nucleazione. a T vicine a Tf:
pochi grani grandi. a T pi basse: tanti grani piccoli.
3.2.5 Curve di raffreddamento e microstruttura di solidificazione: ricordati di A primaio
e eutettico.

3.2.6 Trasformazioni di non equilibrio: avvengono se la diffusione allo stato solido e il


rimescolamento del liquido non sono sufficientemente rapidi da garantire il
mantenimento dell'equilibrio.
Gradiente di composizione nei grani dal centro alla periferia.
3.2.7 Trasformazioni ricostruttive e dislocative:
-Dislocative: no Energia di attivazione, rapidissime (a-quarzo=> b-quarzo, a-tridimite
=> b1-tridimite => b2-tridimite, a-cristobalite => b-cristobalite)
-Ricostruttive: energia di attivazione, lente (b-quarzo => b2-tridimite => bcristobalite)
3.2.8 Accrescimento della grana cristallina:
-grani piccoli, < lati, curvatura convessa: < vacanze => scopaiono
-grani grandi, > lati, curvatura concava: > vacanze => si ingrandiscono
=> processi diffusivi fino a un esagono.
3.2.9 Sinterizzazione allo stato liquido
R raggio granello di polvere
x raggio collo di strizione
rho raggio curvatura collo di struzione
DELTAP = gamma(1/x + 1/rho) circa= gamma/rho (negativa)
Nel collo di struzione: bassa tensione di vapore, alta cocnentrazione di vacanze
1) Progesso sublimazione/condensazione
2) Spostamento di materia lungo la superficie
3) Spostamento di materia dalla superficie al collo di strizione
4) Spostamento di materia dall'interno al centro del collo e dal centro del collo alla
superficie del collo.
Per 1) e 2), x/R aumenta, Volume=cost: x/R = K* t^n/R^m
per 3) e 4) x/R aumenta, DELTAV/V0 aumenta: DELTAV/V0 = K'* t^n'/R^m'
m/n = 2 per meccanismi di spostamento superficie collo 1) e 2)
m/n = m'/n' = 3 per meccanismi che interessano tutto il volume 3) e 4)
4.1 PROPRIETA' MECCANICHE
4.1.2 COMPORTAMENTO ELASTICO
4.1.2.1 Legge di Hooke: sig = C*eps
4.1.2.2 Moduli elastici
E = sig/eps
G = tau/gamma
K = sig/(DELTAV/V0)
ni = - epst/eps
G = E/2*1/(1+ni)
4.1.2.3 Interpretazione atomica del comportamento elastico: E = sig/eps circa=
(DELTAF/r0^2)/(DELTAR/r0) = 1/r0 (deltaF/deltar)|r=r0
ci modulo di Young proporzionale alla pendenza in r0 della curva della forza nella
curva speculare a quella di Condon Morse.
4.1.2.4 Comportamento elastico non lineare:
-comportamento anelastico: dipendenza dal tempo (diagramma eps-tempo con carico
e scarico)
-effetto termoelastico: il materiale si raffredda quando lo si sollecita adiabaticamente
perch V aumenta a spese dell'energia interna:

(deltaT/deltaeps)|s = -Vm*alpha*E*T/Cv con alpha coeff di dilatazione lineare.=> ciclo


di isteresi, energia dissipata che dipende dalla frequenza.
4.1.3 COMPORTAMENTO PLASTICO
4.1.3.1 Deformazione plastica in un cristallo: lungo piani di facile scorrimento inclinati
di alpha rispetto all'asse della sezione: sig = F/A sin(alhpa) => taglio tau = F/A
sin(alpha)cos(alpha), max per alpha=45
tau_cr:induce scorrimento cristallo. Andamento sinusoidale dello sforzo in funzione
dello spostamento x: t=t_cr*sin(2*PI*x/d), con x piccoli approssimo seno e vale Hooke
t=Gx/a
t_cr*(2*PI*x)/d = G*x/a => t_cr = G/2*PI.
4.1.3.2 Ruolo delle dislocazioni nella def plastica:
-monocristallo (3 zone)
-policristalli (andamento 'standard')
Incrudimento: deformazione plastica a freddo per aumentare lo sforzo di snervamento.
A T maggiore: ricristallizzazione.
4.1.3.3 Deformazione plastica nei solidi amorfi:
tau=eta*(dv/dy)=eta*d/dy*(dx/dt)=eta*d/dt*(dx/dy)=eta*dgamma/dt.
La viscosit dipende dalla temperatura.
4.1.4 COMPORTAMENTO VISCOELASTICO
4.1.4.1 Modello di Maxwell: elemento elastico e viscoso in serie.
-Sforzo costante: gamma_tot = tau/G + (tau/eta)*t = tau(1/G + t/eta)
-sforzo istantaneo, deformazione tenuta costante: dgamma_e/dt = -dgamma_v/dt =>
1/G*dtau/dt = - tau/eta => tau = tau0*e^(-G/eta)t, eta/G tempo di rilassamento.
4.1.4.2 Modello di Kelvin-Voigt: elemento elastico e viscoso in parallelo
sforzo ripartito, deformazione uguale per i due elementi => eta*dgamma/dt +
Ggamma = tau => gamma = tau/G*[1-e^(-G/eta)*t]
4.1.4.3 Modello a 4 elementi: serie Maxwell e KV. Tau lo stesso sui due modelli
gamma_tot = tau/G1 + tau/eta1*t + tau/G2*[1-e^(-G2/eta2)*t]
4.1.5 RESISTENZA MECCANICA E FRATTURA DEI MATERIALI
4.1.5.1 Resistenza teorica di decoesione:
forza da vincere approssimabile con la funzione sig= sig_c*sin(2*PI*x/lambda). X
piccoli approssimo seno e vale Hooke
sig = sig_c*2*PI*x/lambda = E*x/a0 => sig_c = E*lambda/(2*PI*a0)
Energia richiesta per la frattura W=int_0^(lambda/2)(sig*dx)=sig_c*lambda/PI =>
sig_c*lambda/PI = 2*gammas => lambda=2*PI*gammas/sig_c
=> sig_c = radq(E*gammas/a0)
4.1.5.2 Frattura fragile:
-Criterio di concentrazione dello sforzo: fessura ellittica all'interno di una lastra
sig_max = sig(1+2*radq(c/rho)) dove c semilunghezza cricca e rho raggio di
curvatura.
=> c>>rho, sig_max = 2*sig*radq(c/rho) => sig_max = 2*sig*radq(c/rho) =
radq(E*gammas/a0) = sig_c
=> sig = radq(E*gammas/4c)
-Criterio energetico di Griffith:
Energia immagazzinata per unit di volume we=1/2*sig*eps=1/2*sig^2/E

Rilascio di energia: regione circolare intorno alla cricca: Energia totale rilasciata: We =
1/2 * PI*c^2*sig^2/E
Stime migliori We = PI*c^2*sig^2/E
Energia per generare superficie: Ws=4*c*gamma
Energia totale W=Ws - We = 4*c*gamma - PI*c^2*sig^2/E
Derivando => sig=radq(2*gammas*E/PI*c)
-Frattura fragile materiali che si deformano plasticamente:
sig=radq(E(2*gamma+gammap)/PI*c)
-Meccanica frattura lineare elastica: G=-dWe/dc, R=dWs/dc
sig_xx = K*f(r)*f(th) => K = Y*sig*radq(PI*c) fattore di intensit dello sforzo
K1^2 = GE => K1c = radq(G_cE) = radq(RE) tenacit di frattura
-Instabilit delle cricca: se G>R e dG/dc>= dR/dc
-Statistica di Weibull: distribuzione di Weibull: f(x)=mx^(m-1)*e^(-x^m)
Probabilit di sopravvivenza S=int_(sig/sig0)^inf(f(sig/sig0)d(sig/sig0))= exp(sig/sig0)^m
=> -lnln(1/S) = mln(sig0) - mln(sig)
N campioni, li riordino e calcolo S_j = 1- j-0,3/N+0,4
-Effetto volume sullo sforzo
Sopravvivenza di un campione con volume V0: S(V0)
Sopravvivenza di n campioni con volume V0: [S(V0)]^n => uguale alla probabilit di
sopravvivenza di un campione con volume V = nV0 => S(V) = [S(V0)]^(V/V0)
Se voglio che S(V1) = S(V2) => sig1/sig2 = (v2/v1)^(1/m)
Tanto maggiore m, tanto minore l'effetto del volume sullo sforzo.
Per il vetro: sig1/sig2 = (A2/A1)^(1/m)
-Se ho popolazioni multiple di difetti, le probabilit di sopravvivenza si moltiplicano.
4.1.5.3 Frattura duttile: cono e coppa
4.1.5.4 Tenacit e modulo di resilienza:
Tenacit: energia assorbita dal materiale nel processo che porta alla frattura
Modulo di resilienza: energia assorbita durante la deformazione elastica
Resilienza: energia che si registra nella prova del pendolo di Charpy per frattura fragile
4.1.5.5 Durezza e microdurezza:
durezza HB Brinell: penetratore sferico
HRC Rockwell: penetratore conico
HV Vickers: penetratore piramidale a base quadra, usata anche per la prova di
microdurezza.
4.2.2 Dilatazione termica: aumento ampiezza di oscillazione degli atomi intorno la
posizione di equilibrio. Avviene grazie all'assimmetria del potenziale interatomico.
alpha_l = 1/l*(deltal/deltaT)|P
4.2.3 Conducibilit termica: Fourier Q=-lambda*dT/dx
lambda = lamda_e + lambda_f
lambda = 1/3*n*cv*v*l dove v velocit media elettroni e fononi, l cammino libero
medio.
4.2.4 Tensioni di origine termica: eps = alpha*DELTAT eps_compressione = -eps
Se sforzo idrostatico eps_x=eps_y=eps_z=sig/E(1-2ni)
-triassiale: sig= -E*alpha*DELTAT/(1-2*ni)
-biassiale: sig= -E*alpha*DELTAT/(1-ni)

4.2.5 Shock termico: DELTAT causa gradienti termici all'interno del materiale che
inducono gradienti di tensione per la mancata deformazione del materiale per il
vincolo generato dallo stato adiacente.
-Serie di cicli risc/raffr fino a segni di cedimento
-Un unico ciclo e poi misura di resistenza del provino a rottura (diagramma resistenza
residua - DELTAT)
Si usano figure di merito per la previsione della resistenza.
4.3 PROPRIETA' ELETTRICHE E DIELETTRICHE
4.3.1 Conducibilit elettronica
J = sig E; resistivit rho = 1/sig. Se T aumenta, rho aumenta.
4.3.2 Se la banda di energia proibita che separa la banda di valenza da quella di
conduzione < 2eV, i solidi si comportano da semiconduttori.
-Semiconduttori intrinseci: portatori di corrente sono gli elettroni e le lacune
-Semiconduttori estrinseci: caratteristiche esaltate da presenza di impurezze. Se
conducono gli elettroni: semiconduttore di tipo n. Se conducono le lacune:
semiconduttore di tipo p.
4.3.3 Conducibilit ionica: migrazione di ioni sotto l'azione di un campo elettrico
(fenomeno diffusivo)
4.3.4 Comportamento dielettrico: dielettrici i materiali che aumentano la capacit di
un condensatore.
C0 = eps0*A/d
C = eps*A/d
Q/A = eps*V/d => D = eps E, dove eps=epsr*eps0 => D = eps0*E + P
Suscettivit dielettrica chi = epsr - 1
P = eps0*E*chi: polarizzazione
Meccanismi di polarizzazione:
-elettronico (deformazione nuvola elettronica rispetto al nucleo)
-ionico (spostamento relativo ioni di segno opposto)
-per orientazione (orientazione di dipoli permanenti in campo elettrico)
Corrente: I = I0cos(wt-delta), dove delta l'angolo di perdita, proporzionale al prodotto
epsr*tan(delta), detto fattore di perdita.
Rigidit dielettrica: gradiente di tensione massimo che il dielettrico pu sopportare
senza essere perforato.
4.4 PROPRIETA' MAGNETICHE
B = mu0*H nel vuoto, B = mu*H dove mu permeabilit magnetica del materiale.
mur = mu/mu0
B = mu0*H + mu0*M
chi = mur -1, sucettivit magnetica
Risposta al campo magnetico dovuta a momenti di dipolo magnetico che si allineano
sotto l'influenza del campo.
Momenti magnetici associati a ciascun elettrone: moto orbitale e spin.
-Diamagnetismo: mur < 1, risposta del materiale tende a opporsi al campo esterno
-Paramagnetismo: momenti magnetici permanenti che si orientano nella direzione del
campo magnetico. mur>1

-Ferromagnetismo: mur>>1: allineamento momenti permanenti anche in assenza di


campo esterno. => ciclo di isteresi spiegato dai domini di Weiss.
4.5 PROPRIETA' OTTICHE
Radiazione in parte riflessa, in parte assorbita e in part trasmessa: I=Ir+Ia+It
Metalli grazie alla loro struttura a bande possono assorbire e riemettere radiazioni con
continuit: riflettivit 90-95%.
Vetri: nella regione di lambda che va da UV a IR finestra di trasparenza, basso
assorbimento.
4.5.1 Riflessione, rifrazione e indice di rifrazione.
Indice di rifrazione: rapporto velocit della luce nel vuoto e nel mezzo c/v:
n = radq(eps_r/(1+chi)) dove chi suscettivit magnetica, approssimata a
n=radq(epsr)
Indice di rifrazione n=sin(thetai)/sin(thetar)
luce riflessa: R=(n-1/n+1)^2
4.5.2 Diffusione della luce: dipende
-dalla dimensione e dalla forma delle disomogeneit
-dalla differenza d'indice di rifrazione tra disomogeneit e matrice
-dal rapportro tra dimensione media della disomogeneit e lunghezza d'onda della
radiazione.
L'intensit diminuisce: I=I0*e^(-S*x), x spessore S coefficiente di scattering. Perdita di
trasmissione a causa della porosit.
Lucentezza: tanto maggiore quanto pi alta la percentuale di luce riflessa
specularmente.
5. MATERIALI CERAMICI
5.2.2 Minerali argillosi e loro propriet:
Minerali argillosi: silicati con struttura a sviluppo planare => alluminosilicati idrati.
(Si2O5)_n^(2n-) struttura planare esagonale: tetraedri silicei che si legano per 3
vertici
AlO(OH)_2 distribuzione planare esagonale: ottaedri di allumina idrata
=> strutture legatre con ossigeni pontanti in:
-caolinite (2 strati O-T distanziati da 7Angstrom): Al2(Si2O5)(OH)_4 =>
2SiO2.Al2O3.2H20
-montmorillonite (3 strati TOT distanziati da H20 per 15angstrom):
Al2(Si2O5)_2(OH)_2.nH20
Propriet:
-finezza: lastre sottili che si spezzettano in cristalli di 1micron: sospensione in acqua,
sinterizzazione
-plasticit: particelle di argilla carica negativa: orientano intorno a s molecole
d'acqua. Poca acqua=> forte legame. Tanta acqua => particelle di argilla
scorrono l'una sull'altra (sospensione).
5.2.5 Preparazione dell'impasto e della sospensione: polveri unite a
-liquidi -coagulanti - leganti
5.2.6 Formatura:
-A secco: pressatura uniassiale (attento al ritorno elastico al momento dell'uscita
dell'oggetto dallo stampo.

formazione di crepe. Occhio a P di spinta (usura)), pressatura isostatica, pressatura a


caldo (per sfruttare la sinterizzazione)
-In pasta: estrusione (4-15Mpa), iniezione, pressatura.
-A colo: colata in gesso, colaggio in nastro (l'acqua evapora, lo strato si addensa e
ottengo lastre sottili).
5.2.7 Essicazione: diagramma di Sherwood (velocit di essicazione e contrazione su
tempo)
massa H20 evaporata su unit di tempo: Re=KE(pl-p0), KE dipende da flusso d'aria
circostante, pl tensione di vapore liquido, p0 umidit.
velocit di apporto di liquido alla superficie: Ra prop Kp/eta, dove Kp permeabilit del
solido, eta viscosit del liquido.
Zona A: transitorio, la velocit aumenta
Zona B: Re = Ra, contrazione. Si cerca il pi possibile che Re=Ra per non creare
tensioni: per aumentare Ra diminuisco eta aumentando la temperatura,
ma per evitare che cresca anche Re aumentol'umidit p0. Poi regolo Re diminuendo
l'umidit dell'ambiente.
Zona C: Re>Ra: occhio al rientro del menisco perch pu portare a rottura.
Zona D: fine essicazione.
Se ho argilla posso usare uno smagrante come il quarzo per assorbire meno acqua e
contenere le variazioni di volume.
5.2.8 Cottura: obiettivi
-eliminare sostanze organiche
-rendere il prodotto stabile da un punto di vista chimico
-aumentare la resistenza meccanica del prodotto (SINTERIZZAZIONE)
Esempio: porcellana 50/25/25 (caolinite/quarzo/feldspato (abbassa la T alla quale si
forma fase liquida), a 1300-1400C.
Analisi differenziale termica DTA (DELTAT su temperatura) e termogravimetrica TGA
(variaz peso su temperatura) prendendo a riferimento Al2O3 allumina.
A 100C evaporazione H20, a 560 si libera H20 di cristallizzazione, a 1100
cristallizzazione mullite.
Se il pezzo non ha densit omogenea si contrae maggiormente nelle zone pi dense.
5.3 PRODOTTI CERAMICI TRADIZIONALI
5.3.1 Aspetti generali della fabbricazione:
-Plastificante (argilla): caratteristiche meccaniche legate all'acqua nell'impasto
-Smagranti (quarzo, chamotte): aumentano lo sforzo di snervamento, riducono il ritiro
in fase di essicazione.
-Fondenti (feldspati): favoriscono la formazione di eutettici a < 1000C
5.3.2 Laterizi: Pasta porosa, estrusione. Cottura a 950-1000C. Cicli di 10h. No mullite.
Prodotto molto poroso (buono per i mattoni: adesione malte).
Resistenza a compressione 15/35MPa
5.3.3 Piastrelle: Pressatura. Cottura a T=1000C per mat porosi, T=1200C per gres
porcellanato. Cicli di 30-70 minuti.
Smalti su supporto crudo ed essiccato: monocottura (fluidificazione del vetro e
distribuzione uniforme del liquido).
5.3.4 Sanitari: oggetti piccoli: miscele di argilla bianca, caolino, quarzo e feldspato.
oggetti grandi: gres porcellanato poroso (< ritiro in cottura). 1250-1280C. Colata in
stampi di gesso.

5.3.5 Porcellane: Caolino quarzo feldspato 50/25/25. Cottura tra 1100C e 1450C.
Microstruttura: cristalli di quarzo e mullite in una matrice vetrosa.
Resistenza a compressione: 450-550MPa.
5.4 CERAMICI REFRATTARI Tf>1500C
5.4.1 Caratteristiche dei refrattari e relative prove:
-Peso specifico (PS assoluto sulla polvere, PV apparente sul volume) e pososit (PA
apparente: %volume pori aperti, PT totale: %volume pori aperti e chiusi
se diminuisce la posorit ho resistenza a corrosione, se aumenta ho isolamento
termico.
-Resistenza meccanica a freddo e a caldo
-Refrattariet piroscopica: coni Seger / refrattariet a caldo: provino di 50mm
sottoposto a compressione (importanti T inversione: il provino si contrae ma non si
dilata
e T rammollimento: altezza provino diminuita di 0.3 mm rispetto all'altezza massima).
-Comportamento al creep
-Propriet termiche: dilatazione (si determina alpha, occhio a trasformazioni di fase)
shock termico (cicli di riscaldamento e brusco raffreddamento).
-Resistenza alla corrosione: profondit attacco foro cieco contenente pastiglia di
scoria.
5.4.8 Refrattari del sistema silice-allumina:
-Caolinite (silico-alluminosi): 20-45% peso allumina (acidi)
-Sillimanite (alluminosi) 45-80% peso allumina
-Bauxite (super alluminosi) >80% peso allumina Al203.
Diminuisce la fase liquida sopra i 1590C all'aumentare di Al203.
<20% insufficienti caratteristiche refrattarie
>45% massimo contenuto di Al2O3 nelle argille caolinitiche.
5.4.9 Refrattari magnesiaci (basici): MgO fonde a 2800C. Lo ottengo da magnesite e
da acqua marina. Elevata refrattariet sotto carico Tr>1700C. Scarsa resistenza agli
sbalzi termici.
5.4.10 Refrattari elettrofusi: privi di porosit aperta. Refrattari mullitici, a base di
Al2O3, di MgO e refrattari AZS.
AZS: allumina, ossido di zirconio ZrO2 e silice (si inserisce anche Na2O per favorire
fase vetrosa). Elevata resistenza chimica.
5.5 MATERIALI CERAMICI AVANZATI STRUTTURALI
5.5.2 Meccanismi di tenacizzazione dei materiali ceramici
a) Interazioni della cricca con ostacoli posti sul suo cammino
a1) Deflessione della cricca: intensit sforzo effettivo Kp = Ka (cos(th/2))^3 dove Ka
intensit sforzo applicato, th angolo di deflessione medio: grani, particelle disperse nel
materiale.
a2) Incurvamento della cricca: particelle che agiscono da ostacolo alla propagazione
del fronte di cricca: questa si incurva, aumenta energia per formare superficie =>
aumenta K1c.
b) Riduzione del campo di tensione all'apice della cricca.
b1) Tenacizzazione per trasformazione. ZrO2 tetragonale metastabile => (energia di
attivazione grazi e a tensioni all'apice della cricca) ZrO2 monoclina stabile
Aumenta il volume: si chiude la cricca

b2) Tenacizzazione per microcriccatura: schermatura del campo di sforzo perch


aumenta il volume e diminuisce il modulo E (quest'ultimo si compensa con la
diminuzione di tenacit a causa delle microcricche).
c) Ostacolo all'apertura della cricca
c1) introduzione di fibre
c2) introduzione di particelle duttili (metalliche)
c3) tenacizzazione per frizione ( grani grandi e allungati fanno attrito quando si
staccano).
5.5.3 Allumina (Al2O3): ottimo isolante elettrico fino al 1000C. Non il pi buon o
isolante termico. Finezza 2-5micron. Addittivi: paraffina, alcool polivinilico.
Granulazione per spray drying.
Cottura a 1400-1450C => 88% Al2O3
T>1750C => 99,7% Al203. Cicli di 36 ore.
Tenacizzazione con ZrO2. E = 220GPa-350GPa. sigmaflessione: 300Mpa-350MPa.
5.5.4 Carburo di silicio (Sic): Buona conduttivit elettrica e termica. Duro (9-10 Mohs):
abrasivo. usato nelle turbine a gas ad alta T perch a T elevata la reazione con
l'ossigeno
porta a formare silice vetrosa che fa barriera con ulteriore penetrazione di ossigeno.
Reazione tra sabbia silicea e coke in forno a resistenza elettrica 2700C, o
cristallizzazione ad alta T(1650C) da fuso. Si(l)+C(s) => SiC(s)
No sinterizzazione perch bassi D (coeff di diffusione) per C e Si.
Prodotti ad alta densit attraverso:
-Sinterizzazione reattiva: SiC mescolato carbone e plasticizzante: sig_flessione = 400600Mpa a 25C, 250MPa a 1400c
-Pressatura a caldo: sinterizzazione a T>2000C, P circa=2GPa: costoso. sig_flessione
= 700-900MPa da 25 a 1400C
-Sinterizzazione senza pressione: 1900-2000C per pochi minuti: 95% densit.
sig_flessione = 400-500 MPa da 25 a 1600C, K1c: 3MPa*m^(1/2)
5.5.5 Nitruro di Silicio (Si3N4): Elevata resistenza meccanica e al creep ad alta T.
Notevole resistenza allo shock termico. Usato nelle turbine a gas ad alta T.
Reazione silicio con azoto a T>1200C
-Sinterizzazione diretta: sig_fless 250-300MPa fino a 1400C
-Pressatura a caldo: sig_fless 800-1000MPa a freddo, 400MPa a 1400C. K1c =
6MPa*m(1/2).
5.5.6 Sialon
6. VETRI
6.2 PRODUZIONE DEL VETRO
-cavo (bottiglie) => processo soffio-soffio
-piano (vetrate) => processo "float", stagno fuso
-tecnico (fibre, vetri per ottica)
1)Scelta materie prime
2)Preparazione miscela
3)Fusione: la silice non fonde, ma fa una soluzione con il resto del liquido.
4)Omogeneizzazione e affinaggio: eliminazione bolle
5)Condizionamento: aggiustamento T e eta
6)Formatura eta=10^4-10^7.6 poise

7)Ricottura eta=10^13.4 poise


6.2.1 Materie prime:
-vetrificante: silice
-fondente: soda o potassa
-stabilizzante: aumenta la stabilit e aumenta la resistenza chimica e fisica
Vetro comune: sodico-calcico: 71-73% SiO2, 12-14% Na2O, 10-12% CaO
6.2.7 Forni per vetro:
-Forno a crogiolo
-Forno a bacino: rigeneratore, bacino di fusione omogeneizzazione affinaggio (formato
da refrattari AZS), zona di condizionamento.
6.4 ACCRESCIMENTO SUBCRITICO DI CRICCA
Diagramma ln(v) velocit di accrescimento e ln(K1) intensit di sforzo definito da K1 =
sig*radq(PI*c), diviso in tre zone:
I. al di sopra di lnK1, valore di soglia, la velocit di afflusso di H20 maggiore della
velocit di espansione della cricca. v= A(K1/K1c)^n, (n dipende dal materiale, >15 per
i ceramici).
II. v H20 = v cricca: l'apporto di H20 che regola il fenomeno: velocit costante
III. in prossimit di ln(K1c) la velocit aumenta
E' dovuto all'aggressione di specie aggressive, la pi importante H20 che spezza i
legami Si-O-Si per formare Si-OH. All'aumentare dell'umidit le curve si alzano.
6.5 TEMPRA DEL VETRO
Metto il vetro in uno stato pre-tensionato, con la superficie in compressione per
contrastare un eventuale sforzo di trazione.
6.5.1 Tempra termica: mi porto a T>Tg e raffreddo velocemente il manufatto: non ho
shock termico perch ho regime viscoelastico.
I: superficie irrigidita, l'interno si adatta in modo viscoelastico senza tensioni
II: l'interno si irrigidisce e mette in compressione la superficie: questa pone in trazione
l'interno.
Avr 1/5 dello spessore in compressione, 3/5 in trazione, 1/5 ancora in compressione.
No spessori troppo piccoli, no vetri con bassi coefficienti di dilatazione termica.
La liberazione di energia elastica in caso di frattura porta a creazione di superficie:
produzione di moltissimi piccoli frammenti poligonali: vetro di sicurezza.
6.5.2 Tempra chimica: a T<Tg ( non devono rilassarsi le tensioni) Non ottengo un vetro
di sicurezza perch ho poca energia immagazzinata.
Scambio ionico K+ (cationi pi grandi ) con Na+ (cationi pi piccoli) => tempi lunghi
Ottengo elevata resistenza, fino a 700MPa, anche per lastre molto piccole.
7. MATERIALI POLIMERICI
7.1.1. Poliaddizione (polimerizzazione a catena)
Inizio: apertura del doppio legame di un monomero con un radicale libero
Propagazione: a questa molecola altre si aggiungono con un meccanismo a catena
Terminazione: macromolecola attiva incontra una molecola attiva.
7.1.2 Policondensazione (polimerizzazione a stadio).
Peso molecolare polimero non multiplo di quello dei monomeri perch spesso elimino
acqua.

1stadio: scompaiono i monomeri: specie reattive di maggior peso molecolare. PE, PP,
PVC, PTFE
2stadui; queste specie reagiscono formando specie con maggior peso molecolare. e
liberando una molecola di sottoprodotto. Nylon, Policarbonato, Resine epossidiche.
7.2 TECNOLOGIE DI PRODUZIONE DEI POLIMERI
Sono formati da:
-polimero
-cariche (migliorano propriet meccaniche)
-plasticizzanti (abbassano la Tg)
-stabilizzanti (aumenta la resistenza al deterioramento fisico-chimico)
-coloranti
-ritardanti di fiamma
Processi primari
-Continui: estrusione, filatura, calandratura
-Discontinui: stampaggio a iniezione e a compressione
Processi secondari
-Termoformatura
-Blow molding: bottiglie in PET, polietilene tereftalato.
7.3 PROPRIETA' MECCANICHE DEI POLIMERI
Analizzabili mediante il modello a quattro elementi
7.3.1 Deformazione elastica: sollecitazione legami forti e Van der Waals (T<Tg)
7.3.2 Deformazione elastomerica: (T>Tg): molecole molto aggrovigliate tendono ad
aggrovigliarsi. Si scaldano quando si allungano.
7.3.3 Deformazione plastica nelle regioni amorfe: spostamento relativo di
macromolecole: reptazione. No legami forti tra le molecole.
7.3.4 Deformazione plastica nelle regioni cristalline: scorrimento di lamelle, rottura di
cristalli e rigenerazione con configurazione orientata lungo lo sforzo.
7.3.5 Effetto del peso molecolare: all'aumentare del PM aumenta il numero delle
interazioni. Diagrammi T-PM con zone di solido vetroso, solido gommoso, liquido
gommoso, liquido viscoso,
oppure solido semicristallino, solido cuoioso, solido gommoso, liquido gommoso,
liquido viscoso.
7.3.6 Curve sforzo deformazione: E dipende dalla temperatura. Collo di strizione si
propaga a tutto il provino per allineamento delle macromolecole
Le curve sig-eps dipendono dalla velocit di deformazione: definisco sig/eps(t) modulo
viscoelastico.
7.3.7 Effetto della temperatura su modulo viscoelastico:
diagramma log modulo viscoelastico - temperatura
Polimero amorfo e semicristallino fondono diventano liquidi ad alta temperatura.
amorfo: plateau vetroso, poi il modulo viscoelastico cala a Tg per poi avere un plateau
gommoso.
semicristallino: cala il modulo viscoelastico inmodo raduale fino a quando il polimero
diventa fluido viscoso.
Polimero reticolato: non diventa liquido. Plateau vetroso prima di Tg, poi maggiore
libert di movimento delle catene e calo del modulo, che romane comunque alto.

All'aumentare del peso molecolare aumentano i punti di collegamento tra le


macromolecole fino a che il polimero pu definirsi reticolato.
All'aumentare del grado di reticolazione il modulo aumenta e diventa sempre meno
evidente l'effetto della transizione vetrosa.
7.3.8 Creep, anche a bassa temperatura
-T bassa: viscosit molto alta: solo l'elemento elastico in serie risponde alla
sollecitazione.
-T aumenta: accanto a elemento elastico, deformazione viscosa e deformazione
ritardata dagli elementi in parallelo
-T alta: non si deformano in modo apprezzabile gli elementi elastici.
Per ridurre il fenomeno:
-reticolazione
-aumento forza dei legemi
-gruppi laterali ingombranti.