Armando Bellini Stefano Bifaretti Stefano Costantini

Elettronica di potenza

ARACNE

Copyright MMIV ARACNE editrice S.r.l. www.aracneeditrice.it info@aracneeditrice.it via Raffaele Garofalo, 133 a/b 00173 Roma (06) 93781065

ISBN

8879999168

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I edizione: dicembre 2004 I ristampa aggiornata: ottobre 2006

Indice
Elenco delle gure Elenco delle tabelle Introduzione vii xvii 1

I
1

Semiconduttori impiegati nei convertitori statici

Diodi
1.1 1.2 1.3 Caratteristiche statiche Comportamento transitorio Diodi particolari 1.3.1 1.3.2 1.4 1.4.1 1.4.2 1.4.3 1.5 1.5.1 1.5.2 1.5.3 1.6 1.6.1 1.6.2 1.7 1.7.1 1.7.2 Diodi Schottky Diodi Zener Portate Dati relativi alle caratteristiche statiche Dati relativi al comportamento transitorio Determinazione delle perdite Dispositivi di dissipazione. Determinazione della temperatura di giunzione Protezioni contro sovracorrenti Protezioni contro sovratensioni Montaggio in parallelo Montaggio in serie

5
7
8 9 13 13 14 14 14 15 15 16 16 19 20 24 24 25 30 30 31 i

Speciche fornite dal costruttore

Comportamento termico

Protezioni

Montaggi in serie e in parallelo

ii

Indice

Transistor bipolari (BJT)

2.1 2.2 Caratteristiche statiche Comportamento transitorio 2.2.1 2.2.2 2.2.3 2.3 2.4 2.5 Commutazione dallo stato di interdizione a quello di saturazione Commutazione dallo stato di saturazione a quello di interdizione Capacit

33
34 35 35 36 36 37 41 43 44 44 44 49 50

Area di sicurezza (SOAR) Transistor particolari: Darlington Speciche fornite dal costruttore 2.5.1 2.5.2 Dati relativi al comportamento statico Dati relativi al comportamento transitorio

2.6 2.7 2.8

Circuito di pilotaggio Protezioni Montaggio in parallelo

Transistor ad eetto di campo (MOSFET)

3.1 3.2 Struttura dei Transistor MOSFET Principali dierenze tra MOSFET e BJT

53
53 56

Transistor bipolari con gate isolato (IGBT)

4.1 4.2 Struttura degli IGBT Caratteristiche degli IGBT

59
59 61

Raddrizzatori controllati al silicio

5.1 Caratteristiche statiche 5.1.1 5.1.2 5.1.3 5.2 5.2.1 5.2.2 5.3 Caratteristica anodica Meccanismi di innesco Caratteristica dellelettrodo di controllo Commutazione dallo stato di interdizione a quello di conduzione Commutazione dallo stato di conduzione a quello di interdizione Triac Raddrizzatori Controllati Asimmetrici

65
66 66 67 70 74 74 74 78 78 79

Comportamento transitorio

Componenti particolari 5.3.1 5.3.2

Indice 5.4 Speciche fornite dal costruttore 5.4.1 5.4.2 5.5 5.6 Dati relativi al comportamento statico Dati relativi al comportamento transitorio

iii 80 80 81 82 87 87 87 90 90 90

Circuito di pilotaggio Protezioni 5.6.1 5.6.2 5.6.3 5.6.4 Protezioni contro eccessivi valori del di /dt Protezioni contro eccessivi valori del dv /dt Protezioni contro sovracorrenti Protezioni contro sovratensioni

5.7

Montaggi in serie e in parallelo

Componenti derivati dai Tiristori

6.1 6.2 6.3 Gate Turn-O thyristors: GTO Gate Controlled turn-o Thyristor: GCT Tiristori con Gate isolato

91
91 96 99

II
7

Convertitori statici
Caratterizzazione dei convertitori statici
7.1 7.2 Trasferimento di energia Funzionamento come amplicatore

105
107
108 111

Convertitori c.c.-c.c
8.1 Convertitore con tensione di uscita inferiore a quella di alimentazione 8.1.1 8.1.2 8.1.3 8.1.4 8.2 8.3 Carico puramente resistivo Carico induttivo Carico attivo Modalit di controllo del convertitore

113
114 114 117 130 135

Convertitore con tensione di uscita maggiore di quella di alimentazione 141 Convertitori c.c.-c.c. bidirezionali 8.3.1 8.3.2 Convertitori bidirezionali a due quadranti Convertitori bidirezionali a quattro quadranti 146 146 147 149 150

8.4 8.5

Realizzazione con GTO Realizzazione con Tiristori

iv

Indice

Convertitori c.c.-c.a.
9.1 Inverter realizzati con interruttori statici 9.1.1 9.1.2 9.1.3 9.1.4 9.1.5 9.1.6 9.2 9.2.1 9.2.2 9.2.3 9.3 9.3.1 9.3.2 9.4 9.5 9.6 Struttura a ponte Struttura a semiponte Struttura a push-pull Circuiti atti alla riduzione delle perdite di commutazione negli inverter a Transistor Circuiti atti alla riduzione delle perdite di commutazione negli inverter a GTO Inverter a Tiristori Inverter parallelo. Inverter serie Inverter a spegnimento complementare Inverter trifase con interruttori statici Inverter trifase a Tiristori

165
165 166 167 168 168 177 177 189 189 195 201 205 206 207 223 228 230 232 243 245

Inverter a tiristori senza interruttori statici

Inverter trifase

Riduzione del contenuto armonico della tensione di uscita Variazione dellampiezza della tensione di uscita Tecniche di modulazione impiegate per variare la tensione di uscita 9.6.1 9.6.2 9.6.3 Tecniche di modulazione utilizzate con dispositivi prevalentemente analogici Tecniche di modulazione realizzate impiegando dispositivi a microprocessore Peculiarit delle tecniche di modulazione impiegate nei sistemi trifase

10 Convertitori c.a.-c.c.
10.1 Convertitori c.a.-c.c. alimentati da rete monofase 10.1.1 Convertitore monofase a semionda 10.1.2 Convertitore ad onda intera con trasformatore a presa centrale 10.1.3 Convertitore a ponte totalmente controllato 10.1.4 Convertitore a ponte semicontrollato 10.2 Convertitori c.a.-c.c. alimentati da rete trifase 10.2.1 Convertitore trifase a semionda

247
248 248 258 263 265 267 267

Indice 10.2.2 Convertitore trifase ad onda intera con trasformatore a presa centrale 10.2.3 Convertitore trifase a ponte totalmente controllato 10.2.4 Convertitore trifase a ponte semicontrollato 10.3 Convertitori polifase 10.4 Convertitori c.a.-c.c. con carico attivo 10.4.1 Convertitore monofase a semionda 10.4.2 Convertitore monofase ad onda intera 10.5 Convertitori c.a.-c.c. bidirezionali 10.5.1 Convertitori c.a.-c.c. a quattro quadranti 10.6 Eetti prodotti dal convertitore sulla rete di alimentazione 10.6.1 Convertitore monofase a ponte totalmente controllato 10.6.2 Convertitore monofase con trasformatore a presa centrale 10.6.3 Convertitore monofase a ponte semicontrollato 10.6.4 Convertitore trifase a ponte totalmente controllato 10.6.5 Convertitore trifase ad onda intera con trasformatore a presa centrale 10.6.6 Convertitore trifase a ponte semicontrollato 10.7 Miglioramento del fattore di potenza 10.7.1 Convertitore monodirezionale a struttura multipla 10.7.2 Convertitore bidirezionale a struttura multipla 10.7.3 Convertitori monodirezionali con interruttori statici 10.7.4 Convertitore bidirezionale con interruttori statici 10.8 Inuenza dellimpedenza della sorgente di alimentazione 10.8.1 Convertitore monofase a ponte totalmente controllato 10.8.2 Convertitore monofase a ponte semicontrollato 10.8.3 Convertitore trifase a ponte totalmente controllato 10.8.4 Convertitore trifase a ponte semicontrollato

272 276 280 283 284 284 288 288 290 295 296 299 300 302 304 304 306 308 312 317 321 325 325 328 329 332

11 Convertitori c.a.-c.a.
11.1 Convertitori a controllo di fase 11.1.1 Convertitore monofase 11.1.2 Convertitore trifase 11.2 Cicloconvertitori 11.2.1 Modalit di comando dei cicloconvertitori 11.2.2 Cicloconvertitori con uscita trifase

333
333 333 336 340 341 343

vi 11.3 Convertitori a matrice

Indice 345

12 Convertitori con struttura a pi livelli

12.1 Inverter con struttura a pi livelli

349
349

13 Convertitori pluristadio
13.1 Convertitore bistadio c.a.-c.a. 13.2 Convertitori bistadio c.c.-c.c. 13.3 Convertitori c.a.-c.c. a tre stadi

353
353 355 359

14 Convertitori risonanti
14.1 Convertitori quasi risonanti 14.1.1 Interruttori risonanti con corrente di apertura nulla 14.1.2 Interruttori risonanti con tensione di apertura nulla 14.2 Convertitori a carico risonante 14.2.1 Convertitore risonante con carico in serie 14.2.2 Convertitore risonante con carico in parallelo al condensatore risonante 14.2.3 Convertitore risonante ibrido

361
362 362 370 374 375 376 378

Elenco delle gure

1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 1.10 1.11 1.12 1.13 1.14 1.15 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 2.10 3.1 Struttura, simbolo graco e caratteristica ideale del Diodo. Caratteristiche reali del Diodo. Andamento della corrente durante una commutazione inversa. Andamento di Qrr al variare del
di . dt

7 9 10 11 11 14 21 21 22 22 23 26 29 29 30 34 38 39 40 41 42 42 47 48 51 54 vii

Andamento di Qrr al variare della temperatura. Simbolo graco e caratteristica inversa del Diodo Zener. Resistenza termica al variare della potenza dissipata. Resistenza termica al variare della velocit dellaria. Schema termico in regime permanente. Schema termico in transitorio. Resistenza termica transitoria. Circuito di protezione RC. Tensione inversa durante un transitorio. Simbolo graco e caratteristica statica del Varistor. Caratteristiche dirette estreme. Simbolo graco e Caratteristiche statiche di un Transistor NPN. Andamento tipico della SOAR. Dipendenza di Vcer dalla resistenza di base. Limitazioni dovute alla potenza massima e al breakdown secondario. SOAR in regime continuativo ed impulsivo. SOAR inversa. Congurazione Darlington. Tipico circuito di pilotaggio. Soluzioni per ridurre la saturazione del Transistor di potenza. Montaggio in parallelo. Simbolo graco del MOSFET.

viii 3.2 3.3 3.4 3.5 Sezione della struttura sica di un VDMOS. Caratteristiche statiche di un MOSFET. Circuito equivalente semplicato di un MOSFET.

Elenco delle gure 54 55 56 57 60 60 62 65 66 66 68 68 69 70 72 73 73 75 77 77 79 86 88 89 89 92 93 95 95 96 98 99 101 102

dv . dt

Tempi di commutazione al variare dellimpedenza del circuito di pilotaggio.

4.1 4.2 4.3 5.1 5.2 5.3 5.4 5.5 5.6 5.7 5.8 5.9 5.10 5.11 5.12 5.13 5.14 5.15 5.16 5.17 5.18 6.1 6.2 6.3 6.4 6.5 6.6 6.7 6.8 6.9

Simbolo graco e struttura sica dellIGBT. Modello semplicato di un IGBT. Caratteristiche statiche di un IGBT. Struttura sica e simbolo graco del Tiristore. Costruzione meccanica del Tiristore. Caratteristica statica del Tiristore. Modello semplicato del Tiristore. Schemi a blocchi relativi al comportamento statico del Tiristore. Andamento di hf e in funzione di Ie . Capacit parassite del Tiristore. Caratteristica dellelettrodo di controllo. Punto di lavoro del circuito di accensione. Tiristore a gate amplicato. Andamento di tensione e corrente nella fase di chiusura. Circuito di spegnimento forzato. Andamenti di tensione e corrente durante lo spegnimento forzato. Simbolo graco del Triac. Circuito di pilotaggio. Circuito di protezione RC. Andamenti normalizzati del valore di picco e della derivata della tensione. Circuito di protezione RC modicato. Simbolo graco del GTO. Struttura realizzativa e circuito equivalente del GTO. SOAR di un GTO. Massima corrente commutabile al variare della capacit. Massima corrente commutabile al variare del Struttura sica del MTO. Circuito equivalente del MTO. Circuito equivalente del MCT. Confronto tra le caratteristiche statiche dei GTO e GCT.

Elenco delle gure 7.1 7.2 7.3 8.1 8.2 8.3 8.4 8.5 8.6 8.7 8.8 8.9 8.10 8.11 8.12 8.13 8.14 8.15 8.16 8.17 8.18 8.19 8.20 8.21 8.22 8.23 8.24 8.25 8.26 8.27 8.28 8.29 8.30 Controllo di velocit di un motore in c.c. Classicazione dei convertitori a seconda del trasferimento di energia. Linearizzazione della caratteristica statica. Schema base del chopper riduttore. Andamenti della tensione e della corrente applicate al carico. Schema base del chopper riduttore con carico induttivo. Andamenti della tensione e della corrente applicate al carico. Circuito per la riduzione delle perdite di apertura. Circuito complessivo per la riduzione delle perdite. Andamenti delle correnti nellinduttanza e nella capacit. Circuito con Diodo Zener. Chopper riduttore con carico attivo. Andamenti della tensione e della corrente applicate al carico. Diversi tipi di modulazione. Modulazione a larghezza dimpulso. Andamenti di T , e T in funzione di k. Possibile circuito per implementare la P.R.M. Andamenti dei principali segnali. Schema base del chopper elevatore. Andamenti di il e vu nel funzionamento con conduzione continua. Schema base del convertitore bidirezionale a due quadranti. Schema base del convertitore bidirezionale a quattro quadranti con struttura a ponte. Schema base del convertitore bidirezionale a quattro quadranti con struttura a semiponte. Schema base del convertitore c.c.-c.c. a Tiristori. Situazione dopo laccensione di RCp . Circuito interessato alla conduzione nella fase di spegnimento. Simbolo circuitale dellinterruttore statico realizzato con Tiristori. Circuito con carico induttivo. Circuito di Jones. Riduzione della dipendenza dal carico. Interruttore statico senza induttanza di commutazione. Schema base del convertitore con spegnimento quasi statico. Andamenti delle principali grandezze nella fase di spegnimento.

ix 108 109 111 114 115 118 120 125 126 129 130 131 134 136 137 139 140 140 141 144 146 147 148 150 152 153 154 154 156 157 160 161 162

x 9.1 9.2 9.3 9.4 9.5 9.6 9.7 9.8 9.9 9.10 9.11 9.12 9.13 9.14 9.15 9.16 9.17 9.18 9.19 9.20 9.21 9.22 9.23 9.24 9.25 9.26 9.27 9.28 9.29 9.30 9.31 9.32 9.33 9.34 9.35 Inverter monofase a ponte. Inverter monofase a semiponte. Struttura a push-pull. Struttura base di un ramo dellinverter. Riduzione delle perdite di apertura. Circuito simmetrico. Circuito con resistenze di dissipazione. Circuito con capacit e induttanze. Circuito interessato alla conduzione per t > td . Circuito per la riduzione delle perdite di commutazione. Inverter a push-pull con circuito di protezione. Ramo di un inverter a Tiristori con spegnimento forzato. Ramo di un inverter McMurray. Parte di circuito interessata alla conduzione per t > t2 .

Elenco delle gure 166 167 169 169 170 171 172 173 174 175 176 178 179 180 181 183 183 184 185 187 188 190 190 192 192 193 194 194 195 196 198 199 200 200 201

Andamenti delle principali grandezze in corrispondenza allo spegnimento di RCp1 . Ls e Cs al variare di tg . Modica con Diodi di circolazione. Andamenti della corrente di commutazione. Modica con Tiristori ausiliari in antiparallelo. Parte di circuito interessata alla conduzione per t > t2 min. Andamenti di ic e vc durante una commutazione. Circuito base dellinverter parallelo alimentato in corrente. Parte di circuito interessata alla conduzione. Andamenti della tensione di uscita e di quella applicata ad un Tiristore. Inverter parallelo con sorgente a tensione impressa. Andamenti della tensione fornita dallinverter. Inverter parallelo con Diodi di circolazione. Struttura a push-pull. Struttura a push-pull con Diodi di circolazione. Schema di principio dellinverter serie. Andamento della corrente fornita dallinverter serie. Modica con induttanza a presa centrale. Inverter serie con struttura simmetrica. Inverter serie con con Diodi di circolazione. Andamento della corrente di uscita.

Elenco delle gure 9.36 9.37 9.38 9.39 9.40 9.41 9.42 9.43 9.44 9.45 9.46 9.47 9.48 9.49 9.50 9.51 9.52 9.53 9.54 9.55 9.56 9.57 9.58 9.59 9.60 9.61 9.62 9.63 9.64 9.65 9.66 10.1 10.2 Inverter serie con trasformatore a presa centrale. Ramo di un inverter a spegnimento complementare. Dipendenza dellenergia immagazzinata dalla corrente di carico. Inverter a spegnimento complementare con struttura a ponte. Modiche dellinverter a spegnimento complementare. Schema di principio dellinverter trifase a tensione impressa. Andamenti delle tensioni di fase e concatenate. Inverter parallelo in versione trifase. Andamenti semplicati delle correnti di fase. Circuito interessato alla conduzione prima dellaccensione di RC3 . Circuito interessato alla conduzione dopo laccensione di RC3 . Circuito interessato alla conduzione per t > t1 . Circuito interessato alla conduzione alla ne della commutazione. Andamenti delle tensioni applicate ad un Tiristore e ad un Diodo durante un periodo. Inverter trifase con spegnimento multiplo. Tensione di uscita ad onda quadra. Onda modulata a due livelli. Onda modulata a tre livelli. Composizione di due inverter mediante trasformatore. Composizione delle tensioni di uscita. Modulazione a sottooscillazione a due livelli. Andamenti della portante, della modulante, delle tensioni di base e della tensione fornita dallinverter. Ampiezze delle prime armoniche. Andamenti delle prime k+2 armoniche al variare del rapporto di modulazione. Primo tipo di modulatore a tre livelli. Forme donda relative al primo tipo di modulazione a tre livelli. Secondo tipo di modulatore a tre livelli. Andamenti della modulante e delle due portanti. Terzo tipo di modulatore a tre livelli. Modulazione con campionamento uniforme. Modulante con terza armonica. Convertitore monofase a semionda. Andamento della tensione applicata al carico.

xi 201 202 204 205 206 207 208 209 210 211 212 214 216 221 222 223 224 226 231 231 233 234 237 239 240 241 242 242 243 244 246 248 249

xii 10.3 10.4 10.5 10.6 10.7 10.8 10.9 10.10 10.11 10.12 10.13 10.14 10.15 10.16 10.17 10.18 10.19 10.20 10.21 10.22 10.23 10.24 10.25 10.26 10.27

Elenco delle gure Andamenti della corrente fornita al carico e della tensione applicata al Tiristore. Circuito di pilotaggio. Andamenti delle tensioni nel circuito di pilotaggio. Andamento della tensione applicata al carico. Andamento della corrente fornita al carico. s in funzione di a , per diversi valori di L/R. Vu in funzione di a , per diversi valori di L/R. Andamenti della corrente su un carico prettamente induttivo, per diversi valori di a . Convertitore con Diodo di libera circolazione. Andamenti della tensione e della corrente applicate al carico e delle correnti che circolano nel Tiristore e nel Diodo. Convertitore monofase ad onda intera con trasformatore a presa centrale. Andamenti della tensione e della corrente applicate ad un carico puramente resistivo. Andamento della tensione applicata al carico e ad un Tiristore Conduzione discontinua. Andamento delle tensioni e della corrente di uscita - Conduzione continua. Vu in funzione di a , per diversi valori di L .
R

249 251 252 253 254 255 255 256 256 257 258 259 260 261 262 264 264 264 265 266 266 267 268 270 270

Convertitore a ponte totalmente controllato. Andamento della tensione su un Tiristore - carico puramente resistivo. Andamento della tensione su un Tiristore - conduzione continua. Convertitore a ponte semicontrollato - Tiristori con catodo in comune. Convertitore a ponte semicontrollato - soluzione alternativa. Andamenti delle tensioni applicate al carico e ai Tiristori. Andamenti delle tensioni di alimentazione. Convertitore trifase a semionda. Andamenti della tensione di uscita e di quella applicata ad un Tiristore, a < . 6 Andamenti della tensione di uscita e di quella applicata ad un Tiristore - carico resistivo, a > . 6

Elenco delle gure 10.28 10.29 10.30 10.31 10.32 10.33 10.34 10.35 10.36 10.37 10.38 10.39 10.40 10.41 10.42 10.43 10.44 10.45 10.46 10.47 10.48 10.49 10.50 10.51 10.52 Valore medio della tensione applicata ad un carico puramente resistivo. Andamenti della tensione di uscita e di quella applicata ad un Tiristore - conduzione continua, a > . 6 Andamenti del valore medio della tensione applicata al carico. Convertitore trifase ad onda intera con trasformatore a presa centrale. Andamenti della tensione applicata al carico e di quella applicata ad un Tiristore, a < . 3 Andamenti della tensione di uscita e di quella applicata ad un Tiristore - carico resistivo, a > . 3 Andamenti della tensione di uscita e di quella applicata ad un Tiristore - conduzione continua, a > . 3 Andamenti del valore medio della tensione applicata al carico. Convertitore trifase a ponte totalmente controllato. Andamenti delle tensioni di fase e delle tensioni concatenate. Andamenti della tensione applicata al carico e di quella applicata ad un Tiristore, a < . 3 Convertitore trifase a ponte semicontrollato. Andamenti della tensione applicata al carico e ad un Tiristore, a < . 3 Andamenti della tensione applicata al carico e ad un Tiristore, a > . 3 Convertitore monofase a semionda con carico attivo. Denizione degli angoli 1 e 2 . Iu in funzione di a , carico resistivo. Iu in funzione di a , carico induttivo. Iu in funzione di a , convertitore ad onda intera con carico attivo. Convertitore monofase ad onda intera con carico attivo. Connessione diretta di due convertitori a 2 quadranti. Convertitore a 4 quadranti con un unico trasformatore. Cortocircuito causato dal funzionamento contemporaneo dei due convertitori. Convertitori connessi mediante induttanza a presa centrale. Andamenti delle principali grandezze, in corrispondenza a tre diversi valori dellangolo di accensione a .

xiii

271 271 272 273 275 275 276 277 277 278 280 281 281 282 284 285 286 287 289 290 291 291 292 293 294

xiv 10.53 10.54 10.55 10.56 10.57 10.58 10.59 10.60 10.61 10.62 10.63 10.64 10.65 10.66 10.67 10.68 10.69 10.70 10.71 10.72 10.73 10.74 10.75 10.76 10.77 10.78 11.1 11.2

Elenco delle gure Corrente assorbita dal convertitore a ponte totalmente controllato. Fattori di potenza generalizzato e di prima armonica. Corrente assorbita dal convertitore a ponte semicontrollato. Fattori di potenza generalizzato e di prima armonica. Corrente assorbita dal convertitore trifase a ponte. Corrente assorbita dal convertitore a ponte semicontrollato, a < /3. Corrente assorbita dal convertitore a ponte semicontrollato, a > /3. Fattori di potenza generalizzato e di prima armonica. Convertitore monodirezionale a struttura multipla. Andamenti delle principali variabili. Fattori di potenza generalizzato e di prima armonica. Convertitore composto da due convertitori bidirezionali. Fattori di potenza generalizzato e di prima armonica. Fattori di potenza generalizzato e di prima armonica. Convertitore monodirezionale con interruttori statici e alimentazione monofase. Andamenti della tensione di uscita e della corrente assorbita dal convertitore. Fattori di potenza generalizzato e di prima armonica. Convertitore monodirezionale con interruttori statici - realizzazione alternativa. Andamenti della tensione di uscita e della corrente assorbita dal convertitore in presenza di modulazione. Circuito con linterruttore in parallelo al carico. Schema funzionale di un convertitore bidirezionale a quattro quadranti con alimentazione monofase. Andamento della tensione ai morsetti di ingresso del convertitore. Convertitore monofase a ponte totalmente controllato. Circuiti interessati alla conduzione. Andamento della corrente assorbita dal convertitore. Circuiti interessati alla conduzione. Convertitore monofase a controllo di fase. Andamenti della tensione fornita al carico e di quella applicata ai Tiristori - Carico resistivo.

296 298 300 302 303 305 305 307 309 311 313 313 315 316 317 318 319 319 320 321 322 323 325 327 328 330 334 334

Elenco delle gure 11.3 11.4 11.5 11.6 11.7 11.8 11.9 11.10 11.11 11.12 12.1 12.2 12.3 12.4 13.1 13.2 13.3 13.4 13.5 13.6 13.7 13.8 13.9 13.10 13.11 14.1 14.2 14.3 14.4 14.5 Andamenti della tensione fornita al carico e di quella applicata ai Tiristori - Carico induttivo. Convertitore trifase a controllo di fase. Andamenti delle tre tensioni di fase - Carico resistivo, a < /3. Soluzioni circuitali alternative. Andamenti della tensione e della corrente applicata al carico. Circuito di controllo a catena chiusa. Cicloconvertitori con uscita trifase. Convertitore a matrice. Possibili strutture degli interruttori bidirezionali . Convertitore con ltro di rete. Struttura di un ramo di Inverter NPC. Struttura di un Inverter NPC monofase a ponte. Forme donda delle tensioni fornite da un inverter NPC monofase a ponte. Struttura di un Inverter NPC trifase. Convertitore bistadio con ltro capacitivo. Convertitore bistadio con ltro induttivo. Convertitori bistadio c.c.-c.c. Convertitore bistadio c.c.-c.c. ad onda intera con inverter a ponte. Andamento della tensione applicata al ltro di uscita quando il convertitore si trova in conduzione continua. Convertitore bistadio c.c.-c.c. ad onda intera con inverter a semiponte. Convertitore bistadio c.c.-c.c. a semionda con inverter a ponte. Convertitore bistadio c.c.-c.c. a semionda con inverter a push-pull. Convertitore bistadio c.c.-c.c. con due Forward Converter. Flyback Converter. Alimentatore switching con forward converter. Interruttore risonante con corrente di apertura nulla di Tipo L. Interruttore risonante con corrente di apertura nulla di Tipo M. Alimentatore stabilizzato con convertitore c.c.-c.c. a commutazione forzata. Alimentatore stabilizzato con interruttore risonante a semionda. Andamenti della tensione e della corrente nellinterruttore ZCS a semionda .

xv

335 337 339 340 342 343 344 346 346 347 350 351 352 352 354 354 355 356 357 357 358 359 359 360 360 363 363 364 364 367

xvi 14.6 14.7 14.8 14.9 14.10 14.11 14.12 14.13 14.14 14.15 14.16 14.17

Elenco delle gure Convertitore c.c.-c.c. bistadio con interruttore risonante a semionda. Convertitore c.c.-c.c. con interruttore risonante ad onda intera. Andamenti della tensione e della corrente nellinterruttore ZCS a onda intera. Interruttore risonante con tensione di apertura nulla di Tipo L. Interruttore risonante con tensione di apertura nulla di Tipo M. Convertitore c.c.-c.c. con interruttore ZVS a semionda. Andamenti della tensione e della corrente nellinterruttore ZVS a semionda. Convertitore risonante con carico in serie. Schema equivalente semplicato. Convertitore risonante con carico in parallelo al condensatore risonante. Schema equivalente semplicato. Convertitore risonante ibrido.

367 368 369 370 370 371 374 375 376 377 377 377

Elenco delle tabelle

1.1 1.2 1.3 2.1 3.1 4.1 5.1 5.2 5.3 6.1 6.2 6.3 Caratteristiche di alcuni Diodi normali. Caratteristiche di alcuni Diodi veloci. Caratteristiche di alcuni Diodi Schottky. Caratteristiche di alcuni Transistor. Caratterstiche di alcuni MOSFET Caratterstiche di alcuni IGBT Caratterstiche di alcuni Tiristori normali. Caratterstiche di alcuni Tiristori veloci. Caratterstiche di alcuni Triac. Caratterstiche di alcuni GTO. Caratterstiche di alcuni GCT Caratterstiche di alcuni Tiristori con gate isolato. 17 18 18 45 58 63 83 84 85 97 100 104 225 226 227 350

9.1 Modulazione a due livelli - eliminazione 3a e 5a armonica. 9.2 Modulazione a due livelli - eliminazione 5a e 7a armonica. 9.3 Modulazione a tre livelli - eliminazione 3a e 5a armonica. 12.1 Possibili stati di conduzione dellinverter NPC.

xvii

Introduzione
In seguito alla Riforma Universitaria e allintroduzione dei Crediti Formativi, il corso di Elettronica di Potenza, gi impartito da diversi anni presso la Facolt di Ingegneria dellUniversit di Roma Tor Vergata, stato suddiviso in due moduli da 5 crediti ciascuno: Componenti per lElettronica di Potenza e Elettronica di Potenza 1. Il presente volume contiene linsieme degli argomenti svolti nei due corsi. La struttura del testo tiene conto della peculiarit dei due insegnamenti; infatti mentre Componenti per lElettronica di Potenza seguito da Studenti provvisti di una consolidata conoscenza di base in Elettronica Analogica e Digitale (quasi tutti iscritti al corso di Laurea specialistica in Ingegneria Elettronica) il corso di Elettronica di Potenza 1 seguito anche da Studenti di corsi di Studi non orientati allElettronica. Risulta pertanto necessario eettuare una trattazione dei convertitori statici che ipotizzi limpiego di interruttori ideali ed un approfondimento che, una volta illustrato il comportamento statico e dinamico dei componenti utilizzati, evidenzi gli eetti che limpiego di componenti non ideali presenta sul funzionamento dei diversi tipi di convertitore. Conseguentemente il libro suddiviso in due parti: la prima parte, Semiconduttori impiegati nei convertitori statici, dedicata esclusivamente al corso di Componenti per lElettronica di Potenza, mentre nella seconda parte la distinzione tra la trattazione generale con componenti ideali e gli approfondimenti sar evidenziata impiegando caratteri tipograci diversi. I convertitori statici di energia sono dispositivi elettronici che permettono il trasferimento controllato di energia elettrica da una sorgente ad un carico. I loro campi di impiego sono i pi svariati; basta citare i dispositivi di alimentazione in corrente continua o in corrente alternata, gli amplicatori di potenza impiegati nei sistemi di controllo e, in particolare, negli azionamenti elettrici, i gruppi statici di continuit, i convertitori utilizzati per la trasmissione dellenergia elettrica in corrente continua. Come si vedr in seguito, gli schemi circuitali impiegati per la realizzazione dei convertitori statici sono molteplici; infatti la struttura del convertitore risulta fortemente inuenzata, oltre che dal tipo di sorgente primaria di alimentazione disponibile e dalle peculiarit del carico, dalla potenza che deve essere trasferita al carico e, di 1

2 conseguenza, dai tipi di semiconduttori utilizzati.

Introduzione

I primi dispositivi atti alla conversione di energia comparvero verso la ne del diciannovesimo secolo; tali dispositivi erano costituiti da commutatori meccanici e consentivano il trasferimento non controllato di energia da corrente alternata a corrente continua. I primi convertitori in grado di controllare il usso di energia sono stati, invece, realizzati impiegando macchine elettriche rotanti; tali convertitori (convertitori rotanti ), il pi noto dei quali il gruppo Ward-Leonard, dal nome dellIngegnere tedesco che lo realizz nel 1891, hanno trovato ampia diusione in tutto il periodo che va dalla ne del diciannovesimo secolo no ad oltre la met del ventesimo secolo. Successivamente, con lavvento prima dei thyratron e dei mutatori a vapori di mercurio e quindi dei semiconduttori di potenza, i convertitori rotanti sono stati man mano sostituiti con convertitori statici che presentano, rispetto a quelli rotanti, indubbi vantaggi di costo, di adabilit, di rendimento e di manutenzione. Lo sviluppo dei semiconduttori di potenza stato particolarmente rapido. Nellultimo ventennio, infatti, si assistito sia ad un consistente incremento delle potenze manipolabili e delle prestazioni dinamiche delle famiglie di semiconduttori gi utilizzate negli anni precedenti sia allaermazione di nuovi tipi di semiconduttori. Come si vedr nella seconda parte del testo, nei convertitori statici di potenza i semiconduttori vengono sempre impiegati, al ne di ridurre lenergia dissipata nel convertitore, in regime di commutazione; vengono cio fatti funzionare alternativamente in regime di saturazione e in quello di interdizione. Pertanto una prima suddivisione dei semiconduttori impiegati nei convertitori statici pu essere eettuata prendendo in considerazione la possibilit di comandarne, mediante un opportuno circuito di pilotaggio, il passaggio dallo stato di interdizione a quello di conduzione ed il passaggio dallo stato di conduzione a quello di interdizione. Sulla base di tale caratteristica, i semiconduttori di potenza possono, quindi, venire suddivisi in tre distinte famiglie: componenti non controllati; componenti di cui possibile comandare solo il passaggio dallo stato di interdizione a quello di conduzione (chiusura o accensione del componente); componenti di cui possibile comandare, oltre alla chiusura, anche il passaggio dallo stato di conduzione a quello di interdizione (apertura o spegnimento). La prima famiglia costituita dai Diodi, la seconda dai Raddrizzatori Controllati al Silicio (o Tiristori) e dai Triac, la terza dai Transistor di potenza (bipolari, ad eetto di campo e IGBT) e dai GTO.

Introduzione

I Diodi trovano impiego praticamente in tutti i convertitori. I convertitori alimentati in corrente alternata impiegano, per il controllo del usso di energia, prevalentemente semiconduttori di cui possibile comandare solo la chiusura mentre quelli con alimentazione in corrente continua utilizzano, tranne che in convertitori dimensionati per potenze di svariati MW, semiconduttori di cui possibile comandare sia la chiusura che lapertura (attualmente quasi esclusivamente Transistor con gate isolato di tipo MOSFET o IGBT). La prima parte del testo dedicata alla descrizione delle caratteristiche dei diversi semiconduttori di potenza utilizzati nei convertitori statici, con particolare riferimento al loro comportamento in regime di commutazione. Tale descrizione ha essenzialmente lo scopo di evidenziare le problematiche connesse alla progettazione dei convertitori; pertanto si eviter, quando non strettamente necessario, di addentrarsi nellesame del comportamento interno del componente ma ci si limiter a prendere in considerazione le sole caratteristiche esterne. Nel capitolo relativo ai Diodi saranno trattati alcuni argomenti, ed in particolare comportamento termico e protezioni, comuni a tutti i componenti; pertanto negli altri capitoli la parte generale relativa a tali argomenti non sar ripetuta. La seconda parte del testo, invece, prende in considerazione i vari tipi di convertitore cercando, per ognuno di essi, di evidenziare sia le peculiarit relative al trasferimento di energia sia il legame tra la variabile di controllo e la tensione o la corrente di uscita.

Parte I Semiconduttori impiegati nei convertitori statici

Capitolo 1 Diodi
Il Diodo il pi semplice componente a semiconduttore. Esso infatti costituito, come mostrato nella g. 1.1(a), da ununica giunzione P-N e presenta due soli terminali, indicati come Anodo (A) e Catodo (K); nella g. 1.1(b) riportato il suo simbolo graco. Dal punto di vista ideale, il Diodo pu essere considerato come un componente in grado di non opporre alcuna resistenza al passaggio della corrente in un senso (e cio dallanodo verso il catodo) e di opporsi completamente al passaggio della corrente in senso opposto. La caratteristica ideale di un Diodo , pertanto, quella riportata nella g. 1.1(c).

ANODO (A) P N CATODO ( K)

Ia

V ak c)

a)

b)

Figura 1.1: Struttura, simbolo graco e caratteristica ideale del Diodo.

Il comportamento reale del Diodo si discosta da quello ideale, sia durante il funzionamento a regime permanente sia durante quello transitorio. 7

Capitolo 1. Diodi

1.1

Caratteristiche statiche

Per quanto concerne il funzionamento a regime permanente, si pu rilevare che, quando il Diodo attraversato da una corrente anodica Ia positiva, la tensione tra anodo e catodo (caduta diretta) non nulla ma assume un valore (compreso tra 0.6 V e qualche V) che dipende, oltre che dal tipo di Diodo, dallintensit della corrente che lo attraversa e dalla temperatura della giunzione. Dualmente, quando al Diodo applicata una tensione Vak negativa (tensione inversa) nel Diodo uisce una piccola corrente negativa (corrente inversa). Caduta diretta. Nella g. 1.2(a) riportato un andamento tipico della caratteristica reale di un Diodo polarizzato direttamente (Ia positiva). Nella stessa gura anche riportata, con una linea tratteggiata, una possibile approssimazione della caratteristica diretta del Diodo. Impiegando tale approssimazione, il comportamento di un Diodo di potenza polarizzato direttamente pu essere schematizzato con una forza controelettromotrice Ed (in generale compresa tra 0.8 e 1 V) con in serie una resistenza Rd , il cui valore dipende dal valore di corrente che il Diodo pu sopportare. Nei convertitori a bassa tensione (no al centinaio di V) la caduta diretta dei Diodi pu risultare importante anche ai ni del funzionamento del convertitore. Nei convertitori a pi elevata tensione, invece, la caduta diretta dei Diodi risulta importante solo ai ni del dimensionamento termico del componente stesso mentre pu, in genere, essere trascurata nellanalisi del funzionamento complessivo del circuito. Corrente inversa. Nella g. 1.2(b) riportato un andamento tipico della caratteristica reale di un Diodo polarizzato inversamente (Vak negativa). Osservando tale gura, si pu constatare che, quando la tensione Vak negativa ed ha un valore assoluto minore di Vb , la corrente inversa si mantiene molto piccola (in generale, a seconda delle dimensioni del Diodo, da pochi mA a qualche decina di mA). Quando invece la tensione inversa diventa maggiore di Vb (massima tensione inversa applicabile al Diodo o tensione di Breakdown) si ha il cosiddetto eetto Zener e la corrente aumenta improvvisamente; ci comporta una elevata dissipazione allinterno del componente. In generale, purch la tensione inversa sia minore di Vb , la conduzione inversa dei Diodi provoca fenomeni talmente modesti da poter essere (tranne che nel caso di impiego di Diodi Schottky o nei convertitori ad altissima tensione) totalmente trascurati nellanalisi complessiva del circuito. Risulta comunque sempre necessario

1.2. Comportamento transitorio

Ia -Vb

Ia

Vak

Ed Vak a) b)
Figura 1.2: Caratteristiche reali del Diodo. imporre che la tensione inversa non superi il valore di Breakdown; in caso contrario, tranne che in alcuni tipi di Diodo, si verica la distruzione del componente.

1.2

Comportamento transitorio

I principali fenomeni che caratterizzano il comportamento transitorio di un Diodo sono connessi al passaggio dalla situazione di non conduzione, o interdizione, a quella di conduzione (commutazione diretta) e al passaggio dalla situazione di conduzione a quella di interdizione (commutazione inversa). Commutazione diretta. Quando ad un Diodo che si trova interdetto viene applicato un gradino di corrente con una elevata pendenza (elevato di/dt), la tensione tra anodo e catodo assume, per un breve intervallo di tempo tf r (tempo di recupero diretto o forward recovery time), normalmente di durata inferiore al ms, un valore alquanto superiore alla caduta diretta a regime permanente. Nei convertitori statici di potenza, comunque, tale fenomeno risulta in genere del tutto trascurabile, in quanto le induttanze presenti nel circuito (anche le sole induttanze dovute ai collegamenti) limitano la pendenza della corrente applicata al Diodo a valori tali da non provocare apprezzabili cadute durante la fase di commutazione diretta. Commutazione inversa. Quando un Diodo passa dallo stato di conduzione a quello di interdizione, occorre che sia trascorso un breve intervallo di tempo trr

10

Capitolo 1. Diodi

(tempo di recupero inverso o reverse recovery time) prima che il Diodo acquisti la propriet di blocco della corrente. Durante tale intervallo di tempo, la corrente nel Diodo si inverte assumendo un valore negativo. Un tipico andamento della corrente nel Diodo durante la commutazione inversa riportato nella g. 1.3. Allinizio della commutazione, la corrente ia diminuisce, con una pendenza (di/dt) imposta dal circuito esterno al Diodo, no a raggiungere un valore massimo negativo che dipende, oltre che dalle caratteristiche del Diodo, dai valori della corrente diretta che interessava il Diodo prima della commutazione, del di/dt durante il transitorio e della temperatura della giunzione. Durante questa prima fase della commutazione, la tensione applicata al Diodo si mantiene praticamente nulla; successivamente, ai terminali del Diodo incomincia a presentarsi una tensione inversa e la corrente inversa diminuisce portandosi a zero con una piccola oscillazione, dovuta a fenomeni di risonanza tra la capacit interna del Diodo e le inevitabili induttanze presenti nel circuito. La determinazione del valore di picco della corrente inversa (Irm ) e del tempo di recupero inverso risulta alquanto complessa; in generale, per ricavare tali valori, si fa riferimento a formule approssimate che consentono di determinare dei valori limite superiori. Le formule usualmente impiegate (valide solo per i Diodi veloci) sono ottenute approssimando landamento della corrente inversa con un triangolo rettangolo e fanno riferimento alla quantit di carica inversa Qrr (recovery stored charge) fornita dal Diodo durante la conduzione inversa. Impiegando tale approssimazione, i valori di trr e Irm possono essere ottenuti

ia trr Qrr t

-I rm
Figura 1.3: Andamento della corrente durante una commutazione inversa.

1.2. Comportamento transitorio

Q rr (C)

11

If =20A 10A 5A 1A

0,1

0,01 1

10

di /dt (A/s) 100

di . dt

Figura 1.4: Andamento di Qrr al variare del tramite le seguenti due relazioni: trr = 1.4 Irm = 2 Qrr trr Qrr
di dt

(1.1) (1.2)

Anche la quantit di carica inversa dipende sia dal valore assunto dalla corrente prima della commutazione sia dal valore medio del di/dt durante la commutazione. Come mostrato dalla g. 1.4, per, la dipendenza dal valore di di/dt praticamente lineare; in prima approssimazione, il valore di Qrr pu essere, quindi, determinato sulla base di pochi dati caratteristici del Diodo. Il valore di Qrr dipende anche dalla temperatura di giunzione, aumentando allaumentare di questultima; un tipico andamento di Qrr riportato nella g. 1.5.

Q rr (C) 1

0,5

Figura 1.5: Andamento di Qrr al variare della temperatura.

0 0

50

100

(C)

12

Capitolo 1. Diodi

In alcune applicazioni il fenomeno della conduzione inversa non provoca sensibili inconvenienti e non richiede particolari attenzioni; in altre applicazioni, invece, tale fenomeno pu provocare linsorgere di fenomeni indesiderati quali sovracorrenti e/o sovratensioni ai capi di altri componenti del circuito. In questultimo caso, si deve ricorrere a Diodi che presentino un tempo di conduzione inversa molto piccolo (Diodi veloci o Fast Recovery Diodes). Limpiego di Diodi particolarmente veloci richiede, per, alcune accortezze in quanto in molti di essi la corrente inversa, dopo aver raggiunto il valore massimo Irm , ritorna a zero in maniera molto brusca. In presenza di induttanze di valore non trascurabile, tale brusca discesa della corrente pu provocare elevate sovratensioni sugli altri componenti del circuito; per ridurre questo fenomeno, si preferisce, in genere, utilizzare dei Diodi veloci che, pur avendo un tempo di conduzione inversa leggermente pi lungo di quello dei Diodi a commutazione brusca, presentano un ritorno a zero della corrente pi dolce (Soft Recovery Diodes). Fenomeni capacitivi. Quando un Diodo si trova polarizzato inversamente presenta, oltre alla conduzione inversa gi illustrata, un comportamento tipicamente capacitivo. La capacit complessiva tra anodo e catodo non dipende dalla temperatura di giunzione (almeno no a valori di questultima non troppo elevati) e pu essere determinata mediante la seguente formula semplicata: Cd = Cc + C0 1+
Vr V0 n

(1.3)

in cui: Vr la tensione inversa applicata al Diodo; Cc la capacit dovuta al contenitore; C0 la capacit di giunzione quando Vr = 0; V0 la tensione di contatto di giunzione (circa 0.6 V); n un esponente compreso tra 1/3 e 1/2. Considerando che il valore della capacit Cc dovuta al contenitore in genere molto pi piccolo di quello della capacit totale e che, quando la tensione inversa sucientemente elevata, il termine Vr /V0 molto maggiore di 1, leq. (1.3) pu

1.3. Diodi particolari essere approssimata con: Cd = k (Vr )n

13

(1.4)

La presenza di una capacit tra anodo e catodo del Diodo non produce in genere fenomeni consistenti, tranne che in applicazioni particolari come ad esempio nei circuiti ad elevata frequenza o quando siano presenti Diodi di grossa dimensione soggetti a repentine variazioni della tensione inversa.

1.3

Diodi particolari

Oltre ai Diodi a giunzione P-N precedentemente descritti, esistono Diodi particolari con caratteristiche diverse.

1.3.1

Diodi Schottky

I Diodi Schottky sono basati su una giunzione metallo-semiconduttore il cui principio di funzionamento alquanto diverso da quello della giunzione P-N utilizzata per i Diodi convenzionali. Nei Diodi Schottky, infatti, il catodo costituito da uno strato di semiconduttore di tipo N sul quale viene depositato un sottile strato di metallo che forma lanodo del Diodo. Tale tipo di giunzione non permette il trasferimento di portatori minoritari dal semiconduttore al metallo; pertanto, la conduzione di corrente avviene solo per mezzo dei portatori maggioritari. Rispetto ai normali Diodi a giunzione, i Diodi Schottky presentano i seguenti vantaggi: assenza di fenomeni dovuti alla ricombinazione di portatori, con conseguente aumento della velocit di commutazione; minore caduta diretta (in generale dellordine di un terzo, un quarto di quella di un equivalente Diodo a giunzione). Per contro la corrente inversa e la capacit sono in genere alquanto pi elevate. Malgrado i consistenti vantaggi evidenziati, i Diodi Schottky risultano raramente impiegati nei convertitori statici a causa non tanto delle limitazioni sulla massima corrente continuativa che questi possono sopportare (normalmente non pi di 75-100 A) quanto della bassa tensione di blocco inversa (al massimo 150 V).

14

Capitolo 1. Diodi

1.3.2

Diodi Zener

Come accennato, alcuni Diodi sono in grado di poter funzionare in maniera continuativa con una tensione inversa uguale o leggermente maggiore alla loro tensione di blocco inverso. Tale fenomeno viene utilizzato nei Diodi Zener, la cui caratteristica precipua di impiego proprio quella di poter mantenere la tensione inversa ad un valore circa costante. La caratteristica diretta di un Diodo Zener , invece, del tutto analoga a quella di un Diodo normale. Nella g. 1.6 sono riportati il simbolo del Diodo Zener e una sua tipica caratteristica inversa.

Ia -V z A V ak

K
Figura 1.6: Simbolo graco e caratteristica inversa del Diodo Zener.

1.4

Speciche fornite dal costruttore

I principali dati forniti dal costruttore possono essere suddivisi in tre gruppi: portate in tensione e corrente; dati relativi alla caratteristica statica; dati relativi al comportamento transitorio.

1.4.1

Portate

Portate in tensione. Per quanto riguarda le portate in tensione le principali grandezze prese in considerazione sono: il massimo picco ripetitivo di tensione inversa sopportabile dal Diodo (VRRM ); il massimo picco non ripetitivo di tensione inversa (VRSM );

1.4. Speciche fornite dal costruttore

15

il valore ecace di tensione inversa sopportabile durante il funzionamento come raddrizzatore monofase (VRRMS ). Portate in corrente. Per quanto riguarda le portate in corrente vengono in genere riportati, con riferimento ad una pressata temperatura di giunzione: il valore di corrente continuativa sopportabile (IAV ); il valore ecace di corrente sopportabile in varie situazioni operative (IRMS ); il valore di picco sopportabile una tantum (picco non ripetitivo) in corrispondenza ad una semisinusoide di frequenza pari a 50 o 60 Hz (IFSM ); la massima temperatura a cui la giunzione pu lavorare (j ); la resistenza termica tra giunzione e contenitore (Rjc ); vari diagrammi, relativi al valore medio o a quello ecace della corrente sopportabile in particolari condizioni operative; la potenza dissipata in varie situazioni operative.

1.4.2

Dati relativi alle caratteristiche statiche

Per quanto concerne la caratterizzazione del Diodo durante il funzionamento a regime permanente, vengono in genere riportati, per due diversi valori della temperatura di giunzione (usualmente 25 e 100 o 125 C): la caduta diretta Vak in funzione della corrente anodica (caduta tipica e caduta massima); la corrente inversa corrispondente alla massima tensione inversa applicabile.

1.4.3

Dati relativi al comportamento transitorio

Per quanto riguarda il comportamento transitorio vengono in genere forniti: la resistenza termica transitoria tra giunzione e contenitore r (t), che serve per valutare il comportamento termico del Diodo in caso di sovraccarichi di breve durata (in genere inferiori al minuto); larea quadratica (i2 t) di corrente sopportabile in caso di sovraccarico di brevissima durata (qualche ms). Inoltre, almeno per i Diodi veloci, vengono forniti:

16

Capitolo 1. Diodi landamento della capacit tra anodo e catodo al variare della tensione inversa; il valore del tempo di commutazione inversa o quello della carica inversa, in varie condizioni operative; il valore del tempo di commutazione diretta.

Al ne di fornire una indicazione sui valori tipici dei vari parametri, nelle tabb. 1.1, 1.2 ed 1.3 sono riportati i valori dei principali parametri riferiti, rispettivamente, a Diodi normali, veloci e Schottky di piccola, media e grossa taglia.

1.5

Comportamento termico

La trattazione che verr eettuata in relazione al comportamento termico dei Diodi valida per tutti i semiconduttori di potenza. Solo la parte relativa alla determinazione delle perdite deve essere adattata al particolare componente in esame. In generale, i semiconduttori sono molto sensibili ad una temperatura interna troppo elevata. Pertanto, specialmente per le apparecchiature di potenza, necessario eettuare un calcolo abbastanza preciso delle perdite, al ne di poter dimensionare il dispositivo atto allo smaltimento del calore (dispositivo di dissipazione) in modo da garantire che la temperatura di giunzione non superi quella prevista per il componente.

1.5.1

Determinazione delle perdite

Le perdite che si localizzano in un componente funzionante in regime di commutazione possono essere suddivise in: perdite dovute alla caduta di tensione diretta, quando il componente si trova nello stato di conduzione; perdite dovute alla corrente (diretta o inversa) che attraversa il componente durante la fase di interdizione; perdite dovute alle commutazioni dallo stato di interdizione a quello di conduzione; perdite dovute alle commutazioni dallo stato di conduzione a quello di interdizione; perdite dovute al pilotaggio (per i dispositivi controllati).

1.5. Comportamento termico

SIGLA

Qrr (C)

160 & 160 & 150 && 150 && 39 && 39 &&

&& &&& &&& && && &&& &&& && &&

DS501ST01 DS501ST06 RD33FG01 RD33FG06 RD43FF01 RD43FF06 RD65FV01 RD65FV06 DS502ST09 DS502ST14 DS2101SY15 DNB6311 DNB6315 DS2002SF13 DS2002SF18 DNB6426 DNB6436 DS2012SF55 DS2012SF60 1600 4000 4000 1500 1500 4000 4000 4500 4500 @di/dt = 3A/s, IF =2000A
&&&

VRRM (V) 100 600 100 600 100 600 100 600 900 1.400 1.500 1.100 1.500 1.300 1.800 2.600 3.600 5.500 6.000 @di/dt = 5A/s, IF =1000A

VRSM (V) 200 700 100 600 100 600 100 600 1.000 1.500 1.600 1.200 1.600 1.400 1.900 2.700 3.700 5.600 6.100

IF AV (A) 596 596 2.831 2.831 3.133 3.133 7.632 7.632 556 556 5.035 4.230 4.230 2.093 2.093 2.280 2.280 947 947

IF SM (A) 8.800 8.800 37.400 37.400 41.200 41.200 130.000 130.000 6.500 6.500 72.000 52.000 52.000 33.000 33.000 21.500 21.500 13.500 13.500

I2 t (A2 s) 387.000 387.000 7 106 7 106 8,49 106 8,49 106 84,5 106 84,5 106 211.000 211.000 25,9 106 13,5 106 13,5 106 5,44 106 5,44 106 2,33 106 2,33 106 0,92 106 0,92 106 M AX (C) 175 175 200 200 200 200 200 200 175 175 190 190 190 175 175 175 175 150 150 Rc (C/W) 0,14 0,14 0,064 0,064 0,045 0,045 0,015 0,015 0,14 0,14 0,019 0,0275 0,0275 0,045 0,045 0,026 0,026 0,045 0,045

&

@di/dt = 3A/s, IF =1000A

&&

Tabella 1.1: Caratteristiche di alcuni Diodi normali. 17

Capitolo 1. Diodi

SIGLA RM50DA ESM412006 ESM412012 DSF8025SE20 DSF8025SE25 DSF20060SF60 DSF21060SV60 @di/dt

& &&

VRRM (V) 300 600 1.200 2.000 2.500 6.000 6.000 = 50A/s,

VRSM (V) 360 700 1.300 2.100 2.600 6.100 6.100 IF =50A

IF AV IF SM I2 t M AX Rc Qrr (A) (A) (C) (C/W) (C) (A2 s) 50 1.000 4,2 103 150 0,6 1,5 & 210 3.600 64,8 103 125 0,133 15 && 210 3.600 64,8 103 125 0,133 15 && 385 6.000 180 103 150 0,094 540 &&& 385 6.000 180 103 150 0,094 540 &&& 412 6.400 205 103 125 0,039 1400 &&& 1.090 12.800 819 103 125 0,015 1500 &&& @di/dt = 50A/s, IF =200A &&& @di/dt = 100A/s, IF =1000A

Tabella 1.2: Caratteristiche di alcuni Diodi veloci. SIGLA ISR2020C ISR2040C ISR2060C SR6020C SR6040C SR6060C 43CTQ100 89CNQ150A VRRM (V) 20 40 60 20 40 50 100 150 VRSM (V) 20 40 60 20 40 60 100 150 IF AV (A) 20 20 20 60 60 60 40 80 IF SM (A) 150 150 150 600 600 600 850 500 M AX (C) 150 150 150 150 150 150 175 175 Tabella 1.3: Caratteristiche di alcuni Diodi Schottky. 18

Rc (C/W) 3 3 3 0,8 0,8 0,8 2 0,85

1.5. Comportamento termico

19

Nei Diodi, tranne che nel caso di funzionamento ad altissima frequenza o con tensioni di alimentazione particolarmente elevate, il dimensionamento termico pu essere, in genere, eettuato prendendo in considerazione solo le perdite dovute alla caduta di tensione durante il funzionamento in conduzione. A causa dellandamento non lineare della caratteristica diretta, la determinazione esatta di tali perdite risulta, comunque, alquanto complessa; usualmente ci si limita, quindi, ad un calcolo di prima approssimazione, eettuato sulla base della caratteristica approssimata riportata con una linea tratteggiata nella g. 1.2(a). Con tale approssimazione, indicato con T il periodo di ripetizione della corrente anodica, la potenza dissipata sul Diodo risulta: Pd = 1 T
T

vak (t)ia (t)dt =

0

1 T

T 0

2 [Ed + Rd ia (t)] ia (t)dt = Ed Ia + Rd Ia e (1.5)

dove Ia il valore medio della corrente anodica e Ia e il relativo valore ecace.

1.5.2

Dispositivi di dissipazione.

Il dispositivo atto allo smaltimento del calore prodotto dalle perdite localizzate allinterno dei semiconduttori pu essere realizzato impiegando varie tecnologie. Nei convertitori di piccola potenza (no a qualche kW) la dissipazione normalmente eettuata in aria libera, mentre, per potenze maggiori, si preferisce in genere, al ne di ridurre le dimensioni dei dissipatori, impiegare un rareddamento in aria forzata. In applicazioni di media e grande potenza si ricorre spesso anche al rareddamento mediante liquido: in generale acqua o olio. Il primo liquido consente un buono scambio termico ma, anche se demineralizzato, presenta una rigidit dielettrica insuciente per garantire un adeguato isolamento elettrico tra i vari componenti, pertanto, nel caso di rareddamento ad acqua, i dissipatori devono essere isolati elettricamente dai semiconduttori. Per contro, lolio presenta, se opportunamente trattato, una buona rigidit dielettrica ma consente uno scambio termico nettamente inferiore. A sua volta, il liquido viene rareddato impiegando uno scambiatore di calore in aria forzata. Uno dei principali pregi del rareddamento a liquido consiste, oltre che nella riduzione dello spazio richiesto per il rareddamento, nella possibilit di convogliare laria lontano dallapparecchiatura elettronica, evitando accumuli di sporcizia allinterno di questultima. Una evoluzione delle tecniche di rareddamento a liquido, di particolare importanza nelle applicazioni che richiedono una minimizzazione dello spazio occupato dal dispositivo di rareddamento, utilizza il calore latente assorbito dal uido di

20

Capitolo 1. Diodi

rareddamento nel passaggio dallo stato liquido a quello di vapore. Le prime realizzazioni basate su questo fenomeno hanno impiegato un liquido di rareddamento (inizialmente il freon) caratterizzato da una buona rigidit dielettrica e da una temperatura di evaporazione di alcune decine di gradi centigradi; le applicazioni attuali, rinunciando allisolamento garantito da una buona rigidit dielettrica, fanno ricorso allacqua (rareddamento in acqua bollente).

1.5.3

Determinazione della temperatura di giunzione

Una volta determinata la potenza dissipata nel componente e scelto il dispositivo di dissipazione, possibile ricavare il valore della temperatura allinterno del semiconduttore prendendo in considerazione due distinte situazioni: funzionamento a regime permanente; funzionamento transitorio, dovuto ad un sovraccarico di breve durata. Funzionamento a regime permanente. La determinazione della temperatura interna durante il funzionamento a regime permanente richiede la conoscenza, oltre che della potenza dissipata e della temperatura dellaria o del liquido di rareddamento, delle seguenti tre resistenze termiche: Rjc tra la giunzione e il contenitore; Rcd tra il contenitore e il dissipatore; Rda tra il dissipatore e lambiente esterno (aria o liquido di rareddamento). La resistenza termica Rjc dipende dal componente ed fornita dal costruttore. La resistenza termica Rcd dipende dalle modalit di ssaggio del componente allelemento di dissipazione; in generale anche questa fornita dal costruttore, assieme allo sforzo di ssaggio del componente. La resistenza termica tra dissipatore ed ambiente dipende, oltre che dal tipo di dissipatore impiegato, dalla modalit di rareddamento (in aria libera, in aria forzata a velocit pressata, a contatto con un liquido). Limitandosi al caso di rareddamento in aria, se questo eettuato in aria libera la resistenza termica tra dissipatore ed ambiente dipende in maniera considerevole dalla dierenza tra la temperatura del dissipatore e quella dellaria e, quindi, dalla potenza dissipata; nella g. 1.7. riportato un tipico andamento della resistenza termica in funzione della potenza dissipata.

1.5. Comportamento termico

21

Quando, invece, il rareddamento realizzato in aria forzata con una velocit dellaria superiore a qualche m/s, la resistenza termica risulta praticamente indipendente dalla potenza dissipata. Nella g. 1.8 riportato, per lo stesso dissipatore, landamento della resistenza termica al variare della velocit dellaria. Confrontando le due gure si pu constatare che gi ad una velocit di 4 m/s la resistenza termica si riduce a valori notevolmente pi piccoli di quelli ottenuti in aria libera.

R da (C/W) 1

0.5

50

100 P(W)

Figura 1.7: Resistenza termica al variare della potenza dissipata.

R da (C/W) 0.4

0.2

10 v(ms)

Figura 1.8: Resistenza termica al variare della velocit dellaria. Note le resistenze termiche e la potenza dissipata Pd , la temperatura di giunzione j pu essere ottenuta dalla seguente relazione: j = a + Rt Pd , essendo: (1.6)

22 a la temperatura dellaria e Rt = Rjc + Rcd + Rda la resistenza termica tra giunzione e ambiente.

Capitolo 1. Diodi

Osservando lespressione (1.6), facile ricavare lanalogia esistente tra un circuito termico ed un circuito elettrico sostituendo alla potenza dissipata lintensit della corrente, alla temperatura la tensione e alle resistenze termiche le resistenze elettriche. La g. 1.9 mostra tale analogia, evidenziando la corrispondenza tra le grandezze termiche e quelle elettriche.

Funzionamento transitorio. Lo schema termico riportato nella g. 1.9 vale solo per il funzionamento in regime permanente. Nel caso di sovraccarichi di breve durata bisogna prendere in considerazione anche le capacit termiche dei vari elementi. Nella g. 1.10 riportato uno schema elettrico equivalente, che tiene conto anche delle capacit termiche del semiconduttore, del contenitore e del dissipatore.

Pd I

j R jc c R cd d R da a
Vj R jc Vc R cd Vd R da Va

Figura 1.9: Schema termico in regime permanente.

Vj

R jc

Vc

R cd

Vd

R da

Va

Cj

Cc

Cd

Figura 1.10: Schema termico in transitorio. Il circuito equivalente con capacit concentrate illustrato nella g. 1.10 valido solo per fenomeni di durata relativamente elevata (superiore a qualche secondo), per fenomeni di durata inferiore risulta, invece, necessario ricorrere ad una suddivisione pi tta delle capacit ottenendo uno schema composto da 6 7 celle RC. Per evitare calcoli complessi, oltre tutto con parametri dicilmente determina-

1.5. Comportamento termico

23

bili, molto spesso il costruttore fornisce una resistenza termica transitoria. Tale resistenza:

r (t) =

j (t) , P

(1.7)

dipende, oltre che dal tempo, dal componente, dal dissipatore e dalle modalit di rareddamento. Nella g. 1.11 riportato un tipico andamento della resistenza termica transitoria nelle seguenti situazioni: (1) contenitore a temperatura costante; (2) ventilazione forzata con velocit pari a 3 m/s; (3) dissipazione in aria libera;
2 1.5

r (C)

(3) (2)

1 0.5

(1)

0 0 10

10

10

10

10

t(s)

Figura 1.11: Resistenza termica transitoria. Osservando la gura, si pu rilevare che nel primo intervallo di tempo (nellesempio una cinquantina di secondi) la resistenza termica non dipende dal tipo di rareddamento e nemmeno dal tipo di dissipatore, ma solo dal componente. In questo primo intervallo di tempo, pertanto possibile denire la resistenza transitoria sulla sola base del componente impiegato. Nota la resistenza transitoria, si pu immediatamente ricavare la temperatura di giunzione dovuta ad un sovraccarico di breve durata: s = p + (Ps Pp )r (Ts ) (1.8)

in cui: Ts la durata del sovraccarico; s la temperatura di giunzione alla ne del sovraccarico; p la temperatura a cui si trovava la giunzione prima del sovraccarico; Ps la potenza dissipata durante il sovraccarico; Pp la potenza dissipata prima del sovraccarico.

24

Capitolo 1. Diodi

1.6

Protezioni

I componenti a semiconduttore sono molto sensibili sia a sovracorrenti che a sovratensioni; dunque necessario provvedere ad adeguati sistemi di protezione, che devono tenere conto non solo del singolo componente ma dellintero circuito di potenza. Ad esempio, una interruzione brusca della corrente in un componente pu provocare, a causa delle induttanze presente nel circuito, una sovratensione esagerata su altri componenti. Pertanto, un sistema di protezione, realizzato tenendo conto separatamente dei singoli componenti, pu, a volte, creare inconvenienti maggiori di quelli che si sarebbero vericati in sua assenza. Risulta evidente, quindi, che non possibile eettuare, a livello di componente, un esame adeguato dei sistemi di protezione; la trattazione che sar eettuata nel seguito pertanto solo indicativa di alcuni accorgimenti locali.

1.6.1

Protezioni contro sovracorrenti

Le principali cause che possono produrre sovracorrenti in un componente di un circuito di potenza sono: sovraccarichi o cortocircuiti che si vericano nel carico; mal funzionamenti o cortocircuiti allinterno del convertitore stesso. Come gi evidenziato, i semiconduttori non possono sopportare sovracorrenti che per tempi molto limitati, che dipendono dallentit della sovracorrente stessa. allora necessario interrompere la sovracorrente prima che questa abbia danneggiato il componente. A tale scopo, si ricorre sia a protezioni passive (fusibili o interruttori) sia a protezioni attive (intervento sul pilotaggio di componenti controllati). Le protezioni attive possono essere impiegate, a livello locale, solo per i componenti controllati di cui possibile comandare lapertura, per quanto concerne la protezione locale dei Diodi possibile ricorrere solo a protezioni passive. In generale, per valutare lecienza del sistema di protezione contro le sovracorrenti occorre fare una distinzione a seconda della velocit di salita della corrente stessa (di/dt). Quando il di/dt cos elevato che la sovracorrente pu portare alla distruzione del componente in pochi ms, lunica protezione passiva ecace costituita dai fusibili extra rapidi. Anch lintervento del fusibile sia tale da garantire la protezione del componente, occorre che questo abbia interrotto completamente la corrente prima che la sua area quadratica (i2 t) abbia raggiunto il valore limite ammissibile

1.6. Protezioni

25

per il componente, occorre, cio, che il fusibile abbia un i2 t inferiore a quello del componente da proteggere. Quando, invece, il di/dt modesto (ad esempio per la presenza di induttanze di valore elevato), anche lintervento di un interruttore extra rapido con circuito di sgancio magnetico pu essere suciente a proteggere il componente. In questo caso la caratteristica del componente da prendere in considerazione la resistenza termica transitoria.

1.6.2

Protezioni contro sovratensioni

Le sovratensioni che possono vericarsi su un componente quando si trova interdetto possono essere dovute a varie cause quali: sovratensioni presenti sulla alimentazione; sovratensioni sulla linea di uscita (ad esempio dovute alla disinserzione di un carico induttivo); commutazione o rottura di un altro componente del circuito. Inoltre, nei componenti controllati, si possono avere sovratensioni anche allatto dello spegnimento del componente stesso. In generale, il sistema di protezione contro le sovratensioni dovute alla alimentazione o al carico eettuato in maniera globale per lintero circuito di conversione, invece la protezione contro sovratensioni dovute a cause interne viene realizzata singolarmente per ogni componente. Questultima si basa sullinserzione, in parallelo al componente, o di un circuito RC serie o di un soppressore di sovratensioni. Circuito RC. Quando si impiega un circuito RC, il suo dimensionamento deve essere eettuato prendendo in considerazione, oltre allampiezza e alla durata della sovratensione che potrebbe presentarsi sul componente, anche limpedenza presente tra la sorgente della sovratensione e il componente da proteggere. Si consideri ad esempio il circuito riportato nella g. 1.12 e si supponga che allistante iniziale t = 0 il circuito si trovi a regime con le seguenti condizioni iniziali: vrd (0) = vc (0) = vi (0) = V0 i(0) = 0.

Se nellistante t = 0 si verica, per un intervallo di tempo di durata pari a Ts , una sovratensione che porta la tensione vi di ingresso da V0 a V0 + Vs , in assenza del circuito RC tale sovratensione si ripercuoterebbe (trascurando la capacit del Diodo) tutta ai capi del Diodo. In presenza del circuito RC, invece, gli andamenti

26

Capitolo 1. Diodi

i L vi vrd vc
Figura 1.12: Circuito di protezione RC. della tensione applicata al Diodo e della corrente che circola nellinduttanza sono retti dalle seguenti equazioni dierenziali: (V0 + Va vc Ri) di = dt L i dvc = , dt C dove: Va = V 0
s

(1.9)

t (0, Ts ) t > Ts .

Derivando la seconda delle (1.9) e sostituendo in essa il valore di di/dt fornito dalla prima, si ricava: (V0 + Va vc Ri) d2 vc = . dt2 LC (1.10)

Sostituendo alla variabile i il suo valore, ricavabile dalla seconda delle (1.9) e cio: i=C dvc , dt

si ottiene, inne: vc V0 + Va d2 vc R dvc + + = . 2 dt L dt LC LC Lequazione dierenziale (1.11) presenta i seguenti due autovalori: 1,2 = R 2L 1 R2 . 2 4L LC (1.11)

1.6. Protezioni Se il valore della resistenza R maggiore del valore critico, Rc = 2

L , C

27 i due

autovalori sono distinti, in caso contrario essi risultano complessi coniugati: 1,2 = j, in cui: = R 2L = R2 1 2. LC 4L (1.12)

In generale, il valore di R viene scelto leggermente minore del valore critico Rc in modo che il comportamento del circuito LRC risulti di tipo oscillatorio fortemente smorzato; con tale scelta, landamento della tensione vc nellintervallo (0, Ts ) risulta: vc (t) = V0 + Vs + et (A1 cos t + B1 sin t) , mentre landamento della corrente fornito dalla seguente espressione: i(t) = C dvc = C [(A1 + B1 ) cos t + (B1 A1 ) sin t] et . dt (1.14) (1.13)

I valori dei coecienti A1 e B1 possono essere ricavati imponendo le condizioni iniziali: vc (0) = V0 i(0) = 0,

che consentono di ottenere: A1 = Vs B1 = Vs .

Sostituendo i valori di A1 e B1 nelle (1.13) e (1.14) si ottiene, inne: vc (t) = V0 + Vs 1 + et sin t cos t

CVs et (2 + 2 ) . i(t) = sin t

(1.15)

La tensione inversa applicata al Diodo assume, pertanto, la seguente espressione: vrd (t) = vc (t) + Ri(t) = V0 + Vs 1 et sin t + cos t . (1.16)

28 Allistante t = Ts i valori di vc , i e vrd risultano: vc (Ts ) = Vc1 = V0 + Vs 1 + eTs i(Ts ) = I1 = CVs eTs 2 + 2 sin Ts sin Ts cos Ts

Capitolo 1. Diodi

(1.17) sin Ts + cos Ts ,

vrd (Ts ) = Vd1 = V0 + Vs 1 eTs

e, se la durata Ts della sovratensione molto piccola rispetto allo pseudoperiodo T delloscillazione (T = 2/), possono essere approssimati mediante le seguenti espressioni: T2 Vc1 V0 + s Vs = 2LC Ts I1 Vs = L Ts Vd1 V0 + R + = 2C

(1.18) Ts V s . L

Allistante t = Ts la sovratensione si esaurisce, pertanto, per t > Ts , vc ed i assumono i seguenti andamenti: vc (t) = V0 + e(tTs ) [A2 cos (t Ts ) + B2 sin (t Ts )] i(t) = Ce(tTs ) [(A2 + B2 ) cos (t Ts ) + (B2 A2 ) sin (t Ts )] , con le condizioni iniziali: vc (Ts ) = V1 i(Ts ) = I1 .

Nella g. 1.13 riportato un tipico andamento della tensione inversa applicata al Diodo nellipotesi che Ts sia molto piccolo rispetto allo pseudoperiodo T . Dalla gura si rileva che la massima sovratensione applicata al Diodo risulta leggermente V Ts superiore a Vd1 V0 cio a R + 2C TsL s . Tale sovratensione alquanto minore di Vs e tanto pi piccola quanto minore il rapporto Ts /T . Soppressori di sovratensione. La protezione contro sovratensioni pu essere eettuata anche impiegando dei soppressori, realizzati mediante semiconduttori ad ossido metallico, (Varistor ) collegati in parallelo al componente. Il simbolo e la caratteristica tipica di un Varistor sono riportati nella g. 1.14. Per valori assoluti della tensione inferiore al valore di soglia Vs la corrente che attraversa il Varistor molto piccola mentre quando il valore della tensione si approssima a +Vs o a Vs

1.6. Protezioni
rd o +V s

29

Vd1 Vo

Ts

Figura 1.13: Tensione inversa durante un transitorio. la corrente aumenta rapidamente. In linea di principio, pertanto, il comportamento di un Varistor corrisponde a quello di due Diodi Zener posti in serie con polarit opposta; la tensione di soglia per pi elevata di quella di un Diodo Zener (varie centinaia di V).
I

+ V -Vs

Vs

Figura 1.14: Simbolo graco e caratteristica statica del Varistor. Per proteggere il componente, la tensione di soglia del Varistor deve essere un po inferiore a quella ammissibile per il componente. Per quanto concerne il dimensionamento in potenza, si pu osservare che il Varistor pu essere dimensionato in modo da poter sopportare la presenza di una sovratensione solo una tantum oppure

30

Capitolo 1. Diodi

in modo da poter sopportare anche delle sovratensioni periodiche; in questultimo caso, ovviamente, esso necessita di un circuito di rareddamento adeguato.

1.7

Montaggi in serie e in parallelo

possibile comporre pi Diodi in serie, per aumentare il valore della tensione inversa di blocco, o in parallelo, per aumentare il valore della corrente diretta sopportabile. In tali composizioni, tuttavia, occorre considerare che le caratteristiche reali dei vari elementi non sono uguali tra loro per cui, se non si adottano opportuni circuiti esterni, la ripartizione delle tensioni o delle correnti pu risultare alquanto diversa da elemento ad elemento.

1.7.1

Montaggio in parallelo

Quando due o pi Diodi vengono montati in parallelo, per valutare i problemi di ripartizione delle correnti occorre considerare la possibile dispersione delle caratteristiche dirette dei vari elementi. La g. 1.14 mostra le caratteristiche dirette estreme di un tipo di Diodo. Osservando tale gura, si pu constatare che se si mettono in parallelo due Diodi, uno con caratteristica (a) e laltro con caratteristica (b), le correnti che attraversano i due Diodi sono molto diverse tra loro. Per ridurre tale dierenza ad un valore accettabile, necessario montare, in serie ad ogni Diodo, una resistenza di valore tale che, alla corrente nominale del Diodo, la caduta di tensione sulla resistenza sia un po maggiore della possibile dierenza tra le cadute ai capi dei due Diodi.
Ia

(a)

(b)

Vak

Figura 1.15: Caratteristiche dirette estreme. Nel caso, invece, di collegamento in parallelo di molti Diodi il criterio da seguire

1.7. Montaggi in serie e in parallelo

31

per la scelta delle resistenze non univoco, in quanto risulta fortemente inuenzato dalle necessit di ridondanza e di sicurezza richieste al circuito.

1.7.2

Montaggio in serie

Quando due o pi Diodi vengono montati in serie, la ripartizione delle tensioni inverse pu risultare alquanto diversa da Diodo a Diodo, a causa della diversit delle caratteristiche inverse. In questo tipo di montaggio, per migliorare la ripartizione delle tensioni occorre montare in parallelo a ciascun Diodo una resistenza di valore adeguato. In generale, quando la serie costituita da due soli Diodi, le resistenze devono essere scelte in modo che in ciascuna di esse uisca una corrente un po maggiore della possibile dierenza tra le correnti inverse che, a parit di tensione, uiscono nei due Diodi. Laccorgimento descritto assicura una migliore ripartizione delle tensioni inverse a regime permanente, per avere una buona ripartizione anche durante i transitori occorre aggiungere, in parallelo a ciascun Diodo, una capacit che, nel caso di due Diodi, deve essere di valore maggiore della possibile dierenza tra le capacit inverse dei singoli Diodi.