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TECNOLOGIA RF-CMOS
la tecnologia relativa allutilizzo di transistor MOS per il trattamento del segnale a radiofrequenza. La principale
problematica la non trascurabilit dei componenti reattivi derivati dal processo di integrazione che diviene via via
inevitabile per ottenere prestazioni migliori per quanto riguarda:
Area di chip (dispositivi sempre pi piccoli)
Minore potenza (durata sempre maggiore delle fonti di energia)
La tecnologia attuale permette di costruire transistor con lunghezza di canale (distanza source-drain) di , e frequenze
di taglio

del transistor che arrivano fino a ; ci possibile in quanto le prestazioni del transistor in frequenza
sono fortemente limitate dalle capacit parassite. La tendenza a dimensioni del transistor sempre pi piccole comporta la
diminuzione delle aree di sovrapposizione tra gate, source e drain, ovvero la diminuzione delle capacit parassite.
Unaltra conseguenza della diminuzione delle dimensioni la necessit di aumentare il drogaggio del substrato per garantire
la formazione di un canale non troppo profondo, e ci comporta conseguenze importanti sulla fisica della struttura.
Un esempio di tecnologia quella prodotta dalla ST con lunghezza di canale di , e fatto apposta per la trattazione del
segnale a radiofrequenza. La tecnologia utilizza la pi moderne metallizzazioni in rame (ormai entrate in auge a partire dall a
) rispetto a quelle in alluminio. Il substrato a bassa permettivit dielettrica

per ridurre il pi possibile le

capacit parassite.
In generale, le tendenze relative alle caratteristiche fisiche dei componenti integrati possono essere descritte creando una
corrispondenza tra le grandezze di interesse ed una grandezza che si suppone aumenti nel tempo. Un andamento tipico
il seguente:
Dimensioni

Giunzioni pi sottili crescita del drogaggio
Correnti e tensioni

(diminuisce la corrente ma ancor di pi la superficie)

Densit di corrente
Tempi di ritardo

Potenza dissipata

Densit di potenza per area resta costante: dipende dalla struttura del semiconduttore
Si prevede, prossimamente, una nuova tecnologia a .
Il transistor MOS in tecnologia a canale corto, presenta delle curve caratteristiche diverse rispetto alle curve relative al MOS
a canale lungo.

Nelle figure indicato con la linea continua landamento delle curve nei MOS a canale lungo, ed in linea tratteggiata
landamento effettivo del MOS a canale corto. Il motivo di tanta differenza risiede nella differenza fisica tra i due transistor.
Infatti:
Lo strato di metallo sostituito con uno strato di polisilicio, ovvero silicio fortemente drogato e quindi con
unelevata ; si sostituisce il metallo perch pi facilmente integrabile.
Le dimensioni relative sono totalmente stravolte. Ci comporta un notevole cambiamento nella fisica del transistor.
CANALE LUNGO

CANALE CORTO

VT

Componenti integrati
Tecnologia RFC-MOS

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Conseguenza della diversit tra i vari tipi di transistor la necessit di trovare un modello che possa descrivere lRFMOS in
modo pi accurato. Nella tecnologia a , abbiamo detto che poich le dimensioni diminuiscono tendono a diminuire i
tempi di reazione dei transistor e di conseguenza le prestazioni migliorano. Allora ci si chiede che cosa comporta lavanzata
della tecnologia sugli elementi passivi. Le principali preoccupazioni dei realizzatori sono:
Capacit parassita derivata dalluso del multistrato;
Metallizzazioni, che comportano resistenze parassite non volute che diminuiscono il fattore di qualit dei
componenti.