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Corso di FONDAMENTI DI ELETTRONICA

FONDAMENTI DI ELETTRONICA
Corso di Laurea in INGEGNERIA DELL'INFORMAZIONE (Gaudenzio Meneghesso)

A.A. 2003-2004
Libro di testo: R. R. Spencer, M. S. Ghausi, Introduction to Electronic Circuit Design - 2003, Prentice Hall (ISBN 0-201-36183-3) Altri testi per consultazione:
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Appunti dalle lezioni S. Sedra, K. C. Smith, Microelectronic Circuits - Fourth Edition, 1998, Oxford University Press (ISBN 0-19-511690-9) Richard C. Jaeger, Microelettronica, Mc Graw Hill (ISBN 88-386-0758-3) Jacob Millman, Arvin Grabel, Microelectronics, second edition, Mc Graw Hill (ISBN 0-07-100596-X)

Indirizzi

Modalit di esame

Simulazione della prova d'esame

http://www.dei.unipd.it/~gauss/ITALIANO/Fondamenti_di_Elettronica_FORMATIVO.htm (1 di 10)31/01/2005 16.57.31

Corso di FONDAMENTI DI ELETTRONICA

Soluzioni temi d'esame A.A. 2002-2003: Tema 1, Tema 2, Tema 3, Tema4

Argomenti svolti a lezione (Programma) 1a Settimana:


Lezione 1 (19/4):
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Presentazione del corso: argomenti trattati e modalit di esame. Richiami di teoria delle reti, teorema di Thevenin, Norton, uso dei generatori controllati. Concetto di amplificazione e caratteristiche generali degli amplificatori, modelli equivalenti.

Presentazione: Presentazione (2 slide/pagina), Presentazione (6 slide/pagina) Introduzione: Introduzione (2 slide/pagina), Introduzione (6 slide/pagina) Capitolo 1 Lezione 2 (20/4):
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Paragrafi: 1-4

Concetto di risposta in frequenza degli amplificatori. Introduzione agli amplificatori operazionali. Caratteristiche degli amplificatori operazionali ideali. Amplificatore non invertente: Amplificazione, resistenza di ingresso, resistenza di uscita, effetto del guadagno di anello finito. Amplificatore non invertente: Amplificazione.

Presentazione: Operazionali (2 slide/pagina), Operazionali (6 slide/pagina) Capitolo 5 Paragrafi: 5.1.1-5.1.2-5.4.1 Lezione 3 (21/4):
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Amplificatore invertente: resistenza di ingresso, resistenza di uscita, effetto del guadagno di anello finito. Analisi di semplici circuiti con A.O.: Sommatore, inseguitore, amplificatore differenziale. Amplificatore differenziale da strumentazione.

Capitolo 5 Paragrafi: 5.1.3-5.1.5

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Lezione 4 (22/4):
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Circuiti elementari a risposta dipendente dalla frequenza: passa-basso, passa-alto, integratore derivatore. Calcolo di funzioni di trasferimento e diagrammi di Bode di funzioni in s W(s) generiche. (Funzioni di trasferimento e diagrammi di Bode). Paragrafi: 5.2.1-5.2.3

Capitolo 5

2a Settimana:
Lezione 5 (26/4 Prof. Spiazzi):
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Comparatori: concetto qualitativo di retroazione positiva per aumentare il guadagno e per ridurre l'incertezza nel livello di comparazione; fenomeno dell'isteresi per guadagni d'anello A > 1 (comparatore invertente). Aggiunta di una tensione di riferimento per spostare il baricentro dell'isteresi. Analisi del trigger di schmitt con soglia dinamica. Proposto l'analisi per casa del comparatore non invertente. Correnti di bias e di offset: definizioni ed effetto sul guadagno delle configurazioni di base. Aggiunta della resistenza in serie al morsetto non invertente per limitare l'effetto delle correnti di bias.

Capitolo 5 Paragrafi: 5.3.1; 5.4.1-5.4.3 Lezione 6 (27/4 Prof. Spiazzi):


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Tensione di offset: definizione ed effetto sulla tensione di uscita delle configurazioni di base. Effetto della banda finita dell'OpAmp sul guadagno a catena chiusa delle configurazioni invertente e non invertente. Definizione di CMRR e suo effetto nella configurazione ad inseguitore. Definizione di PSRR. Limitazione di corrente di uscita. Deinizione di slew rate e definizione di banda a piena potenza.

Capitolo 5 Paragrafi: 5.4.5-5.4.10 Esercitazione 1 (28/4 Ing Pierobon):


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Richiami di elettrotecnica, Richiami di teoria delle reti, teorema di Thevenin, Norton, uso dei generatori controllati. Esercizi su amplificatori operazionali (.pdf), (Convertitore V-I).

Esercitazione 2 (29/4 Ing Pierobon):


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Esercizi su amplificatori operazionali: Calcolo di funzioni di trasferimento e diagrammi di Bode.

Capitolo 4 Paragrafi: 4.1-4.3

3a Settimana:
SPICE 1 (3/5 Ing. Cellere):
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Introduzione al simulatore SPICE. SPICE_PRESENTAZIONE (1663 kB) SPICE_INTRODUZIONE (688kB) SPICE_MINIGUIDA (37 kB) SPICE_MANUALE (3560 kB)

Lezione 7 (4/5): Semiconduttori (2 slide/pagina), Semiconduttori (6 slide/pagina)


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Modello a bande di energia del silicio: bande di valenza e di conduzione. Differenze tra isolanti, semiconduttori e conduttori. Modello del legame covalente, concetto di lacuna. Semiconduttori intrinseci. Drogaggio dei semiconduttori di tipo n e di tipo p: calcolo delle concentrazioni dei maggioritari e dei minoritari (legge dell'azione di massa). Generazione/Ricombinazione. Corrente di diffusione. Paragrafi: 2.1, 2.2

Capitolo 2

Lezione 8 (5/5): Giunzione PN (2 slide/pagina), Giunzione PN (6 slide/pagina)


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Corrente di deriva. Calcolo della conducibilit mediante il calcolo della corrente di deriva. Equazione di continuit (cenni). Generalit sulla giunzione p-n. Analisi della giunzione p-n: trattazione semplificata. Trattazione estesa: Calcolo del campo elettrico e del potenziale di contatto. Esercizi su fisica dei semiconduttori: Esercizio 1, Esercizio 2, Esercizio 3, Esercizio 4.

Capitolo 2

Paragrafi: 2.4.1, 2.4.2

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Lezione 9 (1 ora) e Esercitazione 3 (1 ora) (6/5):


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Polarizzazione inversa: capacit di giunzione, tensione di breakdown (Zener e valanga). Esempio numerico. Esercizio di calcolo di W(s) tipo compito di esame. Implementazione del circuito con SPICE (cenni). Paragrafi: 2.4.2, 2.4.6

Capitolo 2

a 4 Settimana:
Lezione 10 (10/5):
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Giunzione p-n polarizzata direttamente: Descrizione dell'andamento della concentrazione dei minoritari in polarizzazione diretta e inversa, calcolo dell'equazione della corrente nel diodo usando l'equazione di continuit. Equazione del diodo. Esempio numerico. Capacit di diffusione. Paragrafi: 2.4.2

Capitolo 2 Lezione 11 (11/5):


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Caratteristica ideale e reale del diodo ed esempi di utilizzo. Modelli lineari a tratti del diodo. Analisi di circuiti con diodi: illustrazione del metodo tramite esempi. Cenni di circuiti raddrizzatori. Paragrafi: 5.1 - 5.3

Capitolo 2

Lezione 12 (12/5): Bjt (2 slide/pagina), Bjt (6 slide/pagina)


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Transistor bipolari a giunzione: generalit e trattazione intuitiva. Analisi dettagliata delle correnti di base, collettore e emettitore in zona attiva diretta. Paragrafi: 5.3-6

Capitolo 2 Lezione 13: (13/5)


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Analisi delle zone di funzionamento: interdizione, saturazione, zona attiva diretta. Caratteristiche di uscita ad emettitore comune. Effetto Early: modulazione della

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larghezza della base e modifica delle equazioni in zona attiva diretta. Descrizione tecnologica di un BJT moderno. Capitolo 12 5a Paragrafi: 12.1.1

Settimana:

Esercitazione 4 (17/5 Prof. Spiazzi):


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Circuiti tosatori a diodi, raddrizzatore ad una semionda con carico resistivo: calcolo della corrente media nel caso di diodo reale, raddrizzatore ad onda intera con carico resistivo con trasformatore con secondario a presa centrale e a ponte di graetz: principio di funzionamento con diodi ideali. Diodo zener: caratteristica reale e lineari a tratti. Esercizi proposti: Esercizio con coppia di diodi, Esercizio con diodo ZENER, Raddrizzatore a singola semionda, Raddrizzatore a doppia semionda. Esercizio su singolo diodo. Limitatore di precisione, Raddrizzatore di precisione, esercizio 1, esercizi_parte_1, esercizi_parte_2. (2.1-3). (2h)

Lezione 14 (18/5 Prof. Spiazzi): Mosfet (2 slides/pagina), Mosfet (6 slides/pagina),


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Principio di funzionamento del transistor ad effetto di campo MOSFET: trattazione intuitiva. Analisi dettagliata: corrente di drain nel funzionamento in zona lineare ed in saturazione. Paragrafi: 2.6.1-2.6.2

Capitolo 2

Mercoled 19 Maggio (Lezione da recuperare)

Lezione 15 (20/5):
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Principio di funzionamento del transistor ad effetto di campo MOSFET: Modulazione di lunghezza di canale. Caratteristiche di uscita e transcaratteristica. Esempio di risoluzione di rete con MOSFET in DC. Paragrafi: 2.6.3

Capitolo 2

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6a Settimana:
Lezione 16 (24/5):
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Reti lineari, reti non lineari. Linearit ai piccoli segnali e amplificazione: Metodi di analisi delle reti non lineari. Analisi con retta di carico. Analisi ai piccoli segnali: modello ai piccoli segnali del BJT. Tabella riassuntiva caratteristiche dispositivi

Capitolo 6 Capitolo 8 Lezione 17 (25/5 - 3 ore):


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Paragrafi: 6.1-6.3 Paragrafi: 8.1.3-8.1.6

Modello ai piccoli segnali del Mosfet. Circuito di polarizzazione con quattro resistenze. Effetto di stabilizzazione del punto di lavoro operato dalla resistenza di emettitore. Criteri sulla scelta del punto di lavoro: considerazioni su massima escursione del segnale (distorsione), guadagno ai piccoli segnali. Paragrafi: 7.1.5, 7.2.1

Capitolo 7

Lezione 18 (26/5 - 2 ore):


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Condensatori di by-pass e disaccoppiamento. Polarizzazione di Amplificatori Multistadio. Potenza dissipata nei transistor BJT e MOSFET. Paragrafi: 7.2.2,7.3

Capitolo 7

Esercitazione 5 (26/5 - 2 ore):


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Progetto di una rete di polarizzazione per MOSFET. Considerazioni per avere una buona stabilit. Diodo Zener: calcolo di una transcaratteristica di un circuito con Zener e operazionale.

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Esercitazione 6 (27/5):
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Esercizi sulla polarizzazione: Esercizio_1, Esercizio_2, Esercizio_3 Ulteriori esercizi proposti: Esercizio_A, Esercizio_B.

SPICE 2 (27/5 - 1 ora):


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Caratteristiche dei transistori bipolari con Spice (analisi DC) (tracciamento di caratteristiche). Simulazione ai grandi segnali dei transistori (simulazione del circuito di polarizzazione a 4 resistenze) Esempio di implementazione di un amplificatore operazionale ideale in SPICE. Simulazione di alcuni esercizi proposti.

a 7 Settimana:
Lezione 19 (31/5 Prof. Spiazzi):
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Specchi di corrente: versione base a BJT e a MOS con effetto Early e modulazione di lunghezza di canale. Specchio con buffer, Widlar, Cascode, e Wilson con calcolo delle impedenze di uscita. Specchio Cascode e WILSON a MOS. Paragrafi: 7.4

Capitolo 7

Esercitazione 7 (1/6 Prof. Spiazzi):


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Esempio di diodo Zener utilizzato come stabilizzatore di tensione Alcuni esercizi del simulatore

Mercoled 2 Giugno - FESTA

Gioved 3 Giugno (Lezione da recuperare)

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8a

Settimana:

Lezione 19 (7/6):
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Studio dettagliato dell'amplificatore ad emettitore comune con e senza resistenza di Emettitore.

Lezione 20 (8/6 10:30 - 12:30):


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Studio dettagliato dell'amplificatore a Source comune con e senza resistenza di Source. Considerazioni sulla scelta di RS o RE. Massimo segnale di ingresso. Riepilogo delle caratteristiche fondamentali degli stadi ad emettitore (source) comune. Inizio dello studio dettagliato dell'amplificatore a collettore comune. Paragrafi: 3

Capitolo 8

Esercitazione 8 (8/6 12:30 - 14:30):


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Fine dello studio dettagliato dell'amplificatore a collettore comune e a drain comune. Esercizi amplificatori a singolo stadio: Esercizio_1, Esercizio_2, Esercizio_3.

Lezione 21 (10/6):
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Studio dettagliato dell'amplificatore ad base comune e a gate comune. Paragrafi: 4 Tabella riassuntiva amplificatori a singolo stadio

Capitolo 8

RECUPERO (11/6 - 4 ore)


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Lezione sulle tecnologie del silicio (Dal cristallo di silicio ai dispositivi)

9a

Settimana:

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Lezione 22 (14/6):
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Amplificatori multistadio. Paragrafi: 8.7.1, 8.7.2

Capitolo 8 Esercitazione 9 (15/6):


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Esercizi su polarizzazione e specchi di corrente: Esercizio_1, Esercizio_2, Esercizio_3. Esercizi amplificatori: Esercizio 1, Esercizio 2, Esercizio 3, Esercizio_4, Esercizio_5, Esercizio_6, Esercizio_7

SPICE 4 (15/6)
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Progettazione e Simulazione di uno stadio amplificatore Esercizi amplificatori tipo esame.

ESERCIZIO MULTISTADIO

Indirizzi Posta elettronica Telefono ufficio Fax ufficio


Gaudenzio Meneghesso +39-049-8277653 +39-049-8277699

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