Esame Optoelettronica , MOD A: esame scritto + facoltativa presentazione

dell’articolo

Cosa contiene questo documento

1. Regole per esame scritto e struttura dell’esame scritto

2. Regole per la presentazione dell’articolo

3. Elenco tutte possibili domande che si troveranno all’esame scritto (le domande verranno
scelta in maniera casuale da questo elenco). Queste sono le domande anche per chi ha
seguito il corso negli a.a. passati in quanto il programma per l’esame non è cambiato.

1. REGOLE PER ESAME SCRITTO E STRUTTURA DEL COMPITO

1. Prenotarsi sul portale della Didattica

2. Comportamenti scorretti rivelati dal docente durante l’esame comporteranno l’espulsione

dall’esame con registrazione della bocciatura e denuncia alla Commissione di Disciplina del
Politecnico

3. Struttura del compito:

Domanda 1: composta da 5 sotto-domande su parte A e/o B (2 punti per ogni domanda), max 10 punti

Domanda 2: composta da 5 sotto-domande su parte C e/o D (2 punti per ogni domanda), max 10 punti

Domanda 3: 5 domande su parte D e/o E (2 punti per ogni domanda), max 10 punti

Voto scritto= somma punti scritto/30*27  voto max scritto = 27

Tempo a disposizione per lo svolgimento: 2 ore

 4. REGOLE PER LA PRESENTAZIONE DELL’ARTICOLO

1. Sono ammessi alla presentazione dell’articolo soltanto coloro che totalizzano un voto
maggiore o uguale a 25/30 nella parte scritta. La presentazione dell’articolo è facoltativa.

2. Il giorno della visione del compito scritto va comunicata l’intenzione di presentare

l’articolo e una data indicativa per la presentazione (deve essere entro il 15 marzo). Non
sono ammesse presentazioni nelle sessioni successive.

3. Scelta articolo: L’articolo va scelto tra quelli che verranno caricati sul portale nella cartella
“Articoli”. Le sotto-cartelle indicano gli orientamenti del corso di Laurea. Gli studenti
devono scegliere un articolo dalla sotto-cartella corrispondente al proprio orientamento.

4. Presentazione: deve essere una presentazione con slides della durata di 15 minuti. La
presentazione deve motivare la scelta fatta, introdurre l’articolo e speigare le motivazioni
del lavoro riportato nell’articolo, presentare imetodi ed i risultati, trarre delle conclusioni
critiche.

5. Domande: Al termine della presentazione da parte dello student, il docente pone 2-3
domande su quanto è stato presentato

6. Punteggio: da zero fino al max +3 punti sul voto dello scritto

3- ELENCO DI TUTTE LE POSSIBILI DOMANDE per esame scritto

PARTE A: Guide ottiche

1. Disegnare la struttura di una guida ottica ridge o rib per piattaforma Silicon Photonics.
Indicare sul disegno: i materiali, i valori di indice di rifrazione e le dimensioni tipiche.
Discutere l’impatto di altezza e larghezza della guida su numero di modi confinati e valore
del fattore di confinamento per ogni modo.
2. Disegnare la struttura di una fibra ottica singolo modo. Indicare nel disegno: i materiali, i
valori di indice di rifrazione e le dimensioni tipiche
3. Disegnare la struttura di una fibra ottica multi-modo. Indicare nel disegno: i materiali, i
valori di indice di rifrazione e le dimensioni tipiche
4. Disegnare la struttura di una guida ottica per un diodo laser con emissione alle lunghezze
d’onda delle comunicazioni ottiche. Indicare sul disegno i materiali, gli indici di rifrazione e
le dimensioni tipiche. Spiegare perché materiali con Eg diverso permettono di realizzare
una guida ottica.
5. Si consideri una guida slab planare con core con indice di rifrazione n1 tutto circondato da
un cladding con indice di rifrazione n2. Elencare tutti passi (senza eseguire i passaggi) che
partendo dalle equazioni di Maxwell portano a calcolare i modi guidati TE di questo slab.
6. Per il punto 5 spiegare come si ricava, per ogni modo guidato, la costante di propagazione,
l’inidice di rifrazione efficace e l’indice di rifrazione di gruppo.
7. Definire cosa si intende per guida singolo modo e multimodo. Cosa si deve cambiare per
trasformare una guida singolo modo in una guida multi-modo senza modificare i materiali
che costituiscono il core ed il cladding della guida ottica?
8. Spiegare la differenza tra una fibra ottica singolo modo e multimodo.
9. Definire cosa si intende per dispersione intermodale e dare la definizione del parametro di
dispersione D.
10. Per il punto (9) riportare i passaggi per calcolare la forma di un impulso ottico dopo un
tratto di propagazione in una fibra dispersiva.
11. Si consideri la propagazione di un impulso ottico in una fibra ottica singolo modo
dispersiva. Dire se le seguenti affermazioni sono vere o false e motivare la risposta:
- Un impulso poco stretto si distorce molto se il collegamento è molto breve.
- La dispersione è sempre causa di distorsione di un impulso ottico.
- La distorsione consiste nell’allargamento dell’impulso, riduzione dell’ampiezza ed
aggiunta di un chirp di frequenza
12. Spiegare la differenza tra modi guidati e modi irradiati in una guida ottica slab.
 13. Si consideri la guida ottica di tipo ridge realizzata in silicon photonics. Dire se le seguenti
affermazioni sono vere o false e motivare la risposta:
- Se aumento la larghezza del ridge la guida rimane sempre singolo modo
- Se aumento lo spessore dello strato di silicio definito device layer, allora la guida
diventa multimodo
- Se diminuisco la lunghezza d’onda la guida diventa multi-modo
- Questo tipo di guida assorbe la luce a 800 nm e di conseguenza le perdite del modo
guidato a 800 nm che si propaga in questa guida sono piccolissime.
14. Per una guida ridge come al punto (13), tracciare in modo qualitativo il profilo di intensità,
nel piano x-y, delle componenti dominanti del campo elettrico e magnetico del modo
fondamentale quasi-TE. Motivare gli andamenti tracciati.
15. In riferimento alla figura sotto riportata:

- Spiegare perché la struttura nella regione evidenziata in rosso è anche una guida ottica
e come avviene il confinamento del campo elettrico nel piano x-y. Spiegare perché
l’applicazione di una tensione inversa alla giunzione p-n modifica l’indice di rifrazione
efficace della guida ottica.

PARTE B: Interazione luce-semiconduttore e materiali per

l’optoelettronica

1. Si consideri un sistema a due livelli energetici E1 ed E2 avente N1 atomi per unità di volume
sullo stato fondamentale ed N2 atomi per unità di volume sullo stato eccitato. Definire cosa si
intende per:
- Polarizzazione macroscopica del sistema e riportarne qualitativamente l’espressione
- Suscettività del sistema e spiegare il significato fisico di parte reale e parte immaginaria
della suscettività.
2. Per il sistema al punto (1): disegnare qualitativamente l’andamento della suscettività (sia parte
reale che immaginaria) in funzione dalla pulsazione ω della luce incidente. Spiegare per quali
lunghezze d’onda del campo elettrico in ingresso si ha il massimo della suscettività.
3. Tracciare come la parte immaginaria della suscettività del sistema al punto 1 sia modificata
dalla differenza (N1-N2).

4. Per il sistema al punto (1), riportare l’espressione che descrive il tasso di trasferimento di
energia dalla luce agli atomi e viceversa. Indicare quali sono le condizioni per avere
trasferimento di energia dagli atomi alla luce incidente.

5. Per il sistema al punto (1), definire cosa è il coefficiente di guadagno o assorbimento e

dimostrare come viene ricavato a partire dal tasso di emissione stimolata.

6. Per il punto (5), dimostrare come g non dipende dalla potenza ottica incidente ma solo
dall’inversione di popolazione

7. Tracciare il diagramma a bande (E(k) per banda di valenza e banda di conduzione) di un

materiale a semiconduttore a gap diretto ed uno a gap indiretto. Spiegare perché l’emissione
spontanea di fotoni è molto improbabile in un semiconduttore a gap indiretto.

8. Si consideri un materiale semiconduttore a gap diretto. Descrivere tutti i passi (senza eseguire
i calcoli dettagliati) necessari per calcolare lo spettro di assorbimento e di guadagno di un
materiale semiconduttore.

9. Per il punto (8): spiegare come lo spettro di assorbimento e guadagno dipendono dalle
funzioni di Fermi degli elettroni in banda di conduzione e delle lacune in banda di valenza.

10. Tracciare quantitativamente lo spettro di assorbimento del silicio in funzione della lunghezza
d’onda e correlarlo con l’efficienza di un fotodiodo in silicio.

11. Per un semiconduttore bulk a gap diretto tracciare in funzione dell’energia:

- L’andamento della densità degli stati in banda di conduzione e banda di valenza

- L’andamento delle funzioni di Fermi di elettroni e lacune in banda di conduzione e
valenza quando il semiconduttore è all’equilibrio e quando è in condizione di invesione
di popolazione
- Per la condizione di inversione di popolazione tracciare la densitaà di elettroni e di
lacune in funzione dell’energia. Motivare l’andamento
12. Per il semiconduttore al punto (11) in condizioni di inversione di popolazione tracciare
qualitativamente lo spettro di guadagno. Indicare su asse delle ascisse la pozione dell’energy
gap e la posizione della separazione tra i quasi livelli di Fermi.
13. Per una doppia etero-struttura al punto (12) argomentare perché lo spettro di guadagno varia
con la corrente iniettata nel diodo.
14. Spiegare perché per realizzare un LED o un diodo laser efficiente ho bisogno di una doppia-
eterostruttura e non è sufficiente una semplice giunzione p-n.

15. Definire il fattore di allargamento di riga LEF e spiegare come questo impatta sulla larghezza di
riga di un diodo laser.

16. Spiegare perché in un sistema a due livelli alla pulsazione 𝜔𝜔𝑎𝑎 = (𝐸𝐸2 − 𝐸𝐸1 )/ℏ si ha LEF=0 e
questo non è invece possibile in un semiconduttore a gap diretto.

17. Per il punto (11): spiegare perché in un semiconduttore a gap diretto si ha sempre LEF>0.

18. Tracciare qualitativamente lo spettro di emissione spontanea di un semiconduttore a gap

diretto al variare della separazione tra i quasi-livelli di Fermi

19. Tracciare qualitativamente il diagramma a bande (banda di conduzione e banda di valenza) di

una doppia eterostruttura p-i-n per la realizzazione di un diodo laser. Indicare quali sono le
regioni drogate e quali le regioni intrinseche. Il diagramma a bande deve essere tracciato soa
all’equilibrio che per tensione applicata in modo tale da polarizzare direttamente la giunzione
e garantire l’inversione di popolazione.

20. Per il punto (19): elencare quali materiali possono essere utilizzati per la regione intrinseca e le
regioni drogate. Motivare la scelta dei materiali.

21. Per il punto (19): tracciare e motivare qualitativamente l’andamento dell’indice di rifrazione
lungo la giunzione p-i-n. Spiegare perché la struttura al punto (19) può essere anche una guida
ottica ed indicare sul grafico gli strati di core e gli strati di cladding. Si tratta di una guida ottica
ad alto o basso contrasto di indice? Perchè?

22. Definire cosa si intende per inversione di popolazione tra i livelli E1 in banda di valenza ed E2 in
banda di conduzione.

23. Per il punto (17), dimostrare, eseguendo tutti i passaggi, come si calcola la condizione di
inversione di popolazione e quanto deve valere la separazione tra i quasi livelli di Fermi.

24. Spiegare il significato della figura seguente

25. Facendo riferimento alla figura al punto (24), dire se le seguenti affermazioni sono vere o false
e motivare la risposta:
- In0.49 Ga0.51P può essere cresciuto su InP perché tale composizione garantisce
l’adattamento reticolore con InP
- Posso facilmente realizzare VCSEL con emissione a circa 850 nm partendo da un substrato
di InP
- Diodi laser edge emitter per le comunicazioni ottiche in banda C sono realizzati su
substrato di InP
- Per realizzare LED nel visibile non posso sfruttare l’emissione spontanea da AlAs oppure da
AlP
- Per realizzare laser nel medio e lontano infrarosso (per esempio con lunghezza d’onda di
emissione di 10 μm) si utilizza l’emissione stimolata intra-banda all’interno di una QW.

26. Utilizzando la figura sottostante spiegare con quali composizione di materiali sono realizzati i
LED con emissione di luce blu

27. Facendo riferimento alla figura al punto (23): spiegare quali materiali vanno scelti per
realizzare LED che emettono luce bianca.
28. Facendo riferimento alla figura al punto (26): inidcare quali materiali posso utilizzare per
realizzare dei fotorivelatori a 8 μm.

PARTE C: LED e diodi laser

1. Equazione di bilancio dei portatori di un LED: riportare l’equazione e descrivere il significato

fisico dei vari termini. Definire cosa indica il tempo di vita dei portatori.

2. Descrivere i meccanismi di ricombinazione radiativa e non radiativa nei semiconduttori a gap

diretto. Cosa cambia nei semiconduttori a gap indiretto?

3. Definire il tempo di vita dei portatori nella regione attiva e dimostrare come questo dipende dai
coefficienti di ricombinazione A,B,C

4. Disegnare qualitativamente la struttura di un LED ed indicare sul disegno i materiali che

possono essere utilizzati. Perché la giunzione p-i-n deve essere una doppia eterostruttura?

5. Per il punto (4): indicare sul disegno

- La posizione dei contatti metallici
- L’apertura da cui viene raccolta la luce in uscita
- La deposizione dello strato anti-riflesso. A cosa serve?
- Gli strati di passivazione. A cosa servono?

6. Discutere la differenza tra tempo di vita dei portatori di un LED e tempo di vita dei fotoni di un
diodo laser.

7. Discuetere la differenza in termini di struttura del dispositivo tra LED e diodi laser

8. Perché per realizzare un diodo laser abbiamo bisogno di una guida ottica? Come viene
realizzata la guida sfruttando la doppia etero-struttura?

9. Dimostrare a partire dalle equazioni di bilancio ed eseguendo tutti i passaggi come la potenza
ottica in uscita dal LED dipende dalla corrente iniettata nel diodo.

10. Confrontare la caratteristica tensione-corrente di un LED che emette a 1310 nm con quella di
un LED che emette luce verde.
11. Calcolare eseguendo tutti i passaggi l’efficienza di un LED. Definire nel calcolo l’efficienza
radiativa, di accoppiamento e l’efficienza quantica interna.

12. Eseguire tutti i passaggi dell’analisi di piccolo segnale di un LED modulato in corrente a partire
dalle equazioni di bilancio

13. Per il punto (12) definire cosa si intende per risposta del LED alla modulazione di corrente e
calcolare la banda a -3dB di modulazione del LED. Indicare valori tipici dei parametri che
determinano la banda e calcolare di conseguenza la banda.

14. Riportare le equazioni di bilancio per un diodo laser, riportare l’espressione di ciascuno dei
termini che compaiono nelle equazioni di bilancio e spiegarne il significato fisico

15. Per il punto (14): illustrare un modello empirico del guadagno ottico che può essere utilizzato
nelle equazioni di bilancio. Spiegare perché il modello empirico deve includere anche il
fenomeno dello spectral hole burning.

16. Disegnare lo schema a blocchi rappresentante la propagazione del campo elettrico in un diodo
laser e calcolare da questo il guadagno di anello e la condizione di Barkhausen.

17. Spiegare come viene selezionata dalla curva di guadano o dalle perdite agli specchi la lunghezza
d’onda di emissione di un diodo laser.

18. A partire dalle equazioni di bilancio del diodo laser ed eseguendo tutti i passaggi calcolare:

- La densità di portatori alla soglia

- Il tempo di vita dei fotoni
- La corrente di soglia
- La caratteristica potenza-corrente sopra e sotto-soglia
- L’efficienza quantica differenziale

19. Definire l’efficienza (o wall plug efficiency) di un diodo laser

20. Per il punto (18) tracciare l’andamento della WPE in funzione della corrente. Quali sono valori
tipi di WPE per un diodo laser?

21. Tracciare l’andamento della caratteristica potenza-corrente di un diodo laser e per diverse
temperature di operazione. Spiegare quali meccanismi fisici che determinano una variazione
della caratteristica potenza corrente al crescere della temperatura di operazione.
22. Tracciare lo spettro di emissione di un diodo laser FP ed un diodo laser DFB sopra soglia e
discutere le differenze. Spiegare cosa si intende per SMSR e come si misura sullo spettro ottico
di emissione.

23. Confronto laser edge-emitting e VCSEL. Dire se le seguenti affermazioni sono vere o false e
motivare la risposta

- I laser VCSEL hanno FSR molto minore rispetto ai laser edge-emitting

- I laser VCSEL sono solitamente singolo modo longitudinale mentre gli edge-emitting FP
sono sempre con emissione multi-modo longitudinale.

24. Ricavare con tutti i passaggi il guadagno di anello di un diodo laser e da questo calcolare la
condizione di soglia e la lunghezza d’onda dei modi longitudinali della cavità.

25. Definire la risposta IM (Intensity modulation o amplitude modulation) e la risposta FM di un

diodo laser modulato in corrente. Perché un diodo laser modulato in corrente ha sempre anche
una risposta FM? Su quale parametro si può giocare per rendere nulla la risposta FM?

26. Tracciare qualitativamente la risposta dei portatori, dei fotoni e del chirp della frequenza di
emissioni per un diodo laser eccitato con un gradino di corrente da zero a corrente molto
sopra-soglia.

27. Per il punto (26) : calcolare a partire dalle rate-equation a quali valori stazionari converge la
densità di fotoni e la densità di portatori.

28. Dimostrare perché una modulazione di corrente di piccolo segnale nel punto di lavoro causi
anche una modulazione FM del campo elettro-ottico in uscita dal laser.

29. Tracciare in modo qualitativo le risposte in frequenza IM ed FM di un diodo laser modulato

direttamente in corrente. L’asse delle frequenze deve essere quotato.

30. Riportare i passi (senza eseguire tutti i passaggi) per ricavare la risposta IM di un diodo laser
modulato direttamente in corrente.

31. Per la risposta IM al punto (29) scrivere l’espressione di come la frequenza di risonanza ed il
fattore di smorzamento dipendono dalla corrente di bias iniettata nel diodo.

32. Per il punto (29): Discutere cosa si intende con frequenza di risonanza e fattore di smorzamento
e discutere come questi dipendano dalla corrente iniettata nel diodo laser.
33. Calcolare eseguendo tutti i passaggi la massima banda di modulazione a -3dB di un diodo laser,
discutere l’impatto dello spectral hole burning
34. Per il punto (33): discutere il compromesso tra massima banda di modulazione e bassa corrente
di soglia.
35. Discutere la differenza tra la risposta al gradino di corrente di un diodo LED ed un diodo laser.
36. Confrontare la massima banda di modulazione tra LED e diodi laser e motivare le cause della
differenza.

PARTE D: modulatori ottici

1. Descrivere il funzionamento del modulatore travelling wave in LiNbO3 riportato in figura

L, Interaction IM
length light out

CPW
Optical
ground
waveguide

CPW
RF out
ground

RF in
light in

Microwave
transmission line

2. Effetto elettro-ottico nel niobato di litio: come il campo elettrostatico applicato al cristallo
fa variare l’indice di rifrazione del materiale? In quale direzione va applicato il campo
elettrostatico per massimizzare l’effetto elettro-ottico

3. Modulatori in niobato di litio: discutere la differenza tra configurazione X-cut e Z-cut.

4. Per il punto (3): come vanno disposti, rispetto alla guida d’onda, gli elettrodi? Motivare la
risposta.

5. Modulazione di fase in guide ottiche in silicio: discutere la struttura ed i principi fisici per
effettuare una modulazione di fase del campo elettro-ottico che si propaga in questo tipo
di guida.
6. Per la guida ottica mostrata in figura dimostrare (eseguendo tutti i passaggi) come la
variazione di fase del campo elettrico dipende dalla tensione applicata tra l’elettrodo
ground e l’elettrodo hot.

7. Per il modulatore di fase al punto 6: suppondendo di modulare un modo TE in una guida di

lunghezza L, calcolare la tensione Vπ

8. Per le due configurazioni (a e b nella figura sotto) di modulatore di fase in niobato di litio:
spiegare la causa della differenza tra le due configurazioni e motivare nei due casi la
differente posizione dei due elettrodi rispetto alla guida ottica.

9. Interferometro di Mach-Zehnder: si consideri la struttura con due rami di ugual lunghezza

L e tensione applicata su uno solo dei rami. Calcolare eseguendo tutti i passaggi il
coefficiente di trasmissione T del modulatore e tracciare come questo varia al variare della
tensione applicata.

10. Per il caso al punto (6): definire cosa si intende per tensione Vπ.

11. Modulatore MZI in LiNbO3 in configurazione push-pull: calcolare eseguendo tutti i passaggi
la tensione Vπ e dimostrare come questa dipende dalla separazione tra i due elettrodi
ground e hot e dalla lunghezza del modulatore.

12. Definire cosa si intende per risposta elettro-ottica di un modulatore di fase e definire cosa
si intende per indice di modulazione del campo elettro-ottico modulato in fase dalla
tensione applicata alla guida ottica.
13. Calcolare il coefficiente di trasmissione di un modulatore MZI con bracci di lunghezza L ed
L+ΔL e mostrare come, per una lunghezza d’onda fissata, il coefficiente di trasmissione
dipenda dalla tensione applicata ad uno dei bracci.

14. Calcolare il coefficiente di trasmissione di un modulatore MZI con bracci di lunghezza L ed

L+ΔL e mostrare come, per una tensione fissata, il coefficiente di trasmissione dipenda
dalla lunghezza d’onda del segnale ottico in ingresso.

15. Discutere il miglior punto di bias per realizzare una modulazione NRZ di un segnale ottico
in ingresso al modulatore MZI.

16. Modulazione travelling wave del campo elettro-ottico che si propaga in una guida ottica:
o Disegnare la guida ottica e la guida co-planare in cui si propaga la tensione
modulante
o Scrivere la tensione lungo la linea di trasmissione tenendo conto delle perdite
lungo la linea di trasmissione
o Scrivere come varia la costante di propagazione del campo ottico lungo la linea di
trasmissione in funzione della tensione modulante

17. Per il punto (16): dimostrare come calcolare la variazione di fase complessiva del campo
ottico che si propaga per una lunghezza pari ad L

18. Mostrare come la variazione di fase al punto (18) dipende dalla frequenza di modulazione
nel caso le perdite lungo la guida co-planare siano nulle.

19. Come il punto (18) assumendo ora che le perdite della guida co-planare non siano
trascurabili.
PARTE E: fotorivelatori

1. Definire l’efficienza quantica di un fotodiodo e discutere come questa è influenzata dallo

spessore della regione intrinseca.

2. Definire la Responsivity (R) di un fotodiodo e dimostrare la relazione esistente tra R e

efficienza quantica.

3. Ricavare la Responsivity (R) di un fotodiodo ideale che opera alla lunghezza d’onda di
1.55μm.

4. Tracciare qualitativamente l’andamento dell’efficienza quantica di un fotodiodo p-i-n

realizzato con materiale InGaAs in funzione della lunghezza d’onda e motivare
l’andamento. L’asse della lunghezza d’onda deve essere quotato.
5. Definire cosa si intendente per risposta ottica-elettrica di un fotodiodo p-i-n e tracciarne
qualitativamente l’andamento.

6. Tracciare il circuito elettrico equivalente di un fotodiodo collegato ad un carico RL

7. Per il punto (6): tracciare e spiegare il circuito di piccolo segnale.

8. Per il punto (7) spiegare come la capacità presente nel circuito elettrico equivalente
dipendono dai parametri del fotodiodo (area, spessore regione intrinseca etc..)

9. Riportare l’espressione della banda a -3dB della risposta in frequenza di un fotodiodo p-i-n
e discutere come e perché tale banda sia influenzata da: spessore della regione intrinseca
ed area dell’apertura del fotodiodo

10. Tracciare la caratteristica J-V dei seguenti dispositivi: fotodiodo p-i-n, cella solare,
fotodiodo APD. Quali sono le differenze nei 3 casi?

11. Definire cosa è un fotodiodo APD, elencare vantaggi e svantaggi rispetto ad un PIN.

12. Ricavare eseguendo tutti i passaggi l’espressione della corrente fotogenerata nella regione
intrinseca di un fotodiodo PIN assumendo che nelle ragione intrinseca non ci siano
fenomeni di perdita di portatori per ricombinazione radiativa e non radiativa.

13. Definire quali sono le sorgenti di rumore in un circuito ricevitore con fotodiodo e da cosa
dipende la potenza di rumore per le varie sorgenti di rumore.

14. Tracciare lo schema circuitale di un ricevitore ottico con amplificatore tale da massimizzare
il rapporto segnale rumore e la banda di ricezione. Includere nello schema circuitale le
sorgenti di rumore. Si considerino come sorgenti di rumore: il rumore del fotodiodo ed il
rumore termico.

15. Dimostrare come il circuito ricevitore con solo carico resistivo non permetta di
massimizzare contemporaneamente il rapporto segnale/rumore e la banda di ricezione.