Modulatori Ottici.

Introduzione.
I modulatori ottici sono dispositivi che impiegano determinati materiali cristallini, i quali manifesta-
no particolari propriet adatte alla modulazione dell'onda luminosa. Essa, infatti, pu essere modu-
lata in intensit (ampiezza), fase, frequenza o polarizzazione a seconda della sorgente, del mezzo e
del rivelatore.
I modulatori ottici vengono normalmente impiegati nei sistemi di comunicazione in fira ottica.
!ormalmente per questo tipo di applicazioni viene utilizzata la modulazione di ampiezza, come ac-
cade nei laser ad iniezione e nei "E#, facendo variare la corrente di pilotaggio. $er realizzare
modulatori ad elevata efficienza e velocit, si utilizzano invece gli effetti elettro-ottico e acusto-
ottico, il cui funzionamento si asa sulla variazione dell'indice di rifrazione di un cristallo, generato
rispettivamente da un campo elettrico o da una tensione meccanica. I modulatori asati su questi
effetti realizzano la modulazione di fase (diretta o attraverso variazioni di polarizzazione) o
frequenza, che poi, tramite componenti passivi, viene trasformata in modulazione di ampiezza% essi
sono utilizzati anche per la modulazione della radiazione all'interno di risonatori per realizzare
sistemi laser pulsanti (&-s'itching, cavit( dumping e mode loc)ing).
*i sono quattro tecniche principali per la realizzazione dei modulatori ottici+
,. "a prima tecnica consiste nella -.#/"01I.!E #I2E330 o I!3E2!0% questa 4 concettual-
mente la tecnica pi5 semplice e consiste nel modulare in ampiezza la radiazione di uscita di un
diodo "E# o laser attraverso la modulazione di ampiezza della corrente di iniezione del disposi-
tivo.
6. "a seconda tecnica, asata sull'effetto $"07-0 .33I*., utilizza le variazioni delle propriet
ottiche di un semiconduttore (dell'indice di rifrazione n e del coefficiente di assorimento )
al variare della concentrazione dei portatori lieri n e p.
8. "a terza tecnica sfrutta l'effetto E"E332.-.33I*., che si asa sulla variazione delle propriet
ottiche di un cristallo, quando questo viene sottoposto all'azione di un campo elettrico% per una
migliore comprensione di questa tecnica sar necessario trattare la propagazione in mezzi aniso-
tropi.
9. "'ultima tecnica sfrutta invece l'effetto 0*/73. - .33I*.+ 4 analogo al precedente con la dif-
ferenza che in questo caso la sollecitazione 4 di tipo elastico (onda acustica).
Modulazione diretta.
!elle sorgenti di radiazione a semiconduttori, la potenza del fascio di uscita dipende dall'intensit
della corrente di iniezione ed 4 dunque naturale utilizzare questa propriet per modulare l'ampiezza
della radiazione.
"e modalit sono diverse a seconda che si usino diodi "E# oppure diodi laser e, dunque, in questa
sezione, saranno descritte revemente le caratteristiche della modulazione di ampiezza diretta o in-
terna (modulazione del segnale di uscita attraverso la modulazione della corrente di iniezione) sepa-
ratamente per ciascuna delle due classi di dispositivi.
In taella , sono riportati i principali parametri caratteristici dei diodi "E# e laser in modo da valu-
tarne le prestazioni nei sistemi di comunicazione in fira ottica+
88
Parametro LED a bassa
radianza
LED ad alta
radianza
Diodi laser Unit di misura
*aduta di tensione 6 6 6 :
*orrente di iniezione ;< = 8<< ;< = 8<< ;< = 8<< m0
*orrente di soglia - - ;< = 6<< m0
$otenza d'uscita , = 8 , = 6< , = ,<< ->
Efficienza di accoppiamento in
fira
<., = 8 <.6 = ,< ; = ;< ?
"arghezza spettrale 8< = ,<< 8< = ,<< , = ,< nm
@rillanza , = ,< , = ,<<< ,<
;
> A cm
6
3empo di salita ; = ;< 6 = 6< <.<, = , ns
2isposta in frequenza ; = B< 6< = 6<< ;< = 6<<< -Cz
!on linearit <., = ,< <., = ,< <., = 6< ?
:ita media a 6;D* E ,<
F
E ,<
F
E ,<
F
ore
3emperatura di operazione -;; = ,8< -;; = G< -;; = B< D*
Tab.1 $arametri caratteristici di diodi "E# e laser
Modulazione dei diodi LED.
/n diodo "E# 4 costituito essenzialmente da una giunzione $! polarizzata direttamente% nella re-
gione di interfaccia avviene la ricominazione delle coppie elettrone - lacuna che consente la produ-
zione di fotoni. Il numero di fotoni generati dipende quasi linearmente dalla corrente di iniezione e
cosH pure la potenza. "a modulazione del fascio di uscita si ottiene modulando la corrente di iniezio-
ne.
E' interessante notare che, essendo assente un effetto soglia, la modulazione diretta di un "E# pu
essere eseguita anche per valori della corrente di iniezione molto piccoli.
Il comportamento ad elevate frequenze di modulazione 4 limitato dal tempo di vita medio di ricom-
inazione dei portatori, che nei semiconduttori a gap diretto (Ia0s), pesantemente drogati
(E,<
,G
cm
-8
), 4 dell'ordine della decina di nanosecondi. $ertanto, i tempi di salita tipici dei diodi
"E# (che sono appunto legati alla variazione della concentrazione dei portatori quindi alle variazio-
ni di corrente e quindi alle variazioni della luce) variano tipicamente da , a circa ,<< ns corrispon-
denti a ande dell'ordine del centinaio di megaCertz.
$er quanto concerne la linearit, la risposta di un "E# pu presentare un certo grado di non lineari -
t, con conseguenti distorsioni della risposta in frequenza, che possono essere dovute anche ad
effetti termici prodotti nella giunzione essendo la caratteristica di uscita del diodo "E# dipendente
dalla temperatura della giunzione.
&uesti effetti possono essere eventualmente compensati utilizzando dei particolari circuiti di pilo-
taggio contenenti un certo grado di distorsione capaci di compensare la distorsione introdotta dal
"E#% in figura , 4 riportato lo schema di un circuito di compensazione della non linearit dell'inten-
sit luminosa.
89
Fig. 1 *ircuito di compensazione delle non linearit di un "E# tramite un normale diodo.
0 parit di tensione di alimentazione V del circuito, la corrente totale I 4 data dal contriuto di due
correnti+ I
LED
e I
D
. 0 causa della non linearit, l'intensit luminosa nel "E# non varia linearmente
con la corrente% quest' ultima si ripartisce nei due rami a seconda della caratteristica corrente - ten-
sione dei due componenti.
7i vuol fare in modo che al variare della corrente I, una parte maggiore o minore di essa venga fatta
scorrere nell'altro ramo ( quello con il diodo e la resistenza in serie ). 0d esempio, nel caso di figura
,, a parit di tensione, il "E# tende ad assorire una maggiore corrente, e ci potree ilanciare
l'aumento meno che lineare della luce (fig. 6)+
Fig. 2 0ndamento meno che lineare della luce.
Modulazione di diodi laser.
"a modulazione diretta di un diodo laser 4 pi5 complicata di quella realizzaile nei diodi "E# a
causa dell'effetto soglia presente nella caratteristica di uscita che lega la potenza emessa alla corren-
te di iniezione (fig. 8)+
Fig. 3 *aratteristica di un diodo laser.
8;
&uesto risulta particolarmente evidente quando si analizza la risposta di un diodo laser sottoposto
ad un gradino di corrente+
Jig. 9 a) Iradino di corrente
) Impulso luminoso ritardato di un tempo ts tr.
#alle figure 9a) e 9) si pu notare che il laser risponde con un gradino di intensit luminosa ritar-
dato di un certo tempo t
r
, dovuto al fatto che il diodo laser impiega un certo tempo t
s
per raggiunge-
re la soglia dell'emissione stimolata. &uesto ritardo pu essere cosH espresso+
(,)
dove i 4 l'ampiezza del gradino di corrente applicato al diodo laser, i
s
4 la corrente di soglia e
sp
4 il
tempo di ricominazione elettrone - lacuna per emissione spontanea.
$oichK nella maggior parte dei casi il restante tempo di salita del laser, dopo aver raggiunto la so-
glia, 4 molto asso si pu scrivere+
(6)
#alla caratteristica di uscita di un diodo laser, si pu vedere che il modo pi5 semplice per ridurre il
tempo di ritardo 4 l'applicazione al diodo laser di una corrente di polarizzazione, in modo da tenerlo
appena sotto o appena sopra soglia. 7i pu dunque scrivere+
(8)
dove i
b
4 la corrente di polarizzazione.
Frequency chirping.
!ella modulazione diretta dei diodi laser occorre tenere presente l'effetto del Frequency Chirping,
che consiste in una modulazione di frequenza della radiazione luminosa in uscita dovuta a variazio-
ni dell'indice di rifrazione n del semiconduttore dovute a loro volta a variazione di concentrazione
dei portatori lieri. &uesto effetto deve essere tenuto in deita considerazione quando si progettano
sistemi di trasmissione in fira ottica ad elevato it rate e su grandi distanze.
8F
Modulatori a semiconduttore (efetto plasma ottico).
I modulatori ottici realizzati con materiali a semiconduttore utilizzano le variazioni dell'indice di ri-
frazione n e del coefficiente di assorimento di un semiconduttore quando viene camiata la con-
centrazione dei portatori lieri in accordo alle seguenti relazioni+
(9a)
(9)
dove
e 4 la carica dell'elettrone
4 la lunghezza d'onda della radiazione incidente
c 4 la velocit della luce nel vuoto
n 4 l'indice di rifrazione del semiconduttore

4 la costante dielettrica del vuoto

! 4 la variazione della concentrazione dei portatori rispetto all'equilirio
m 4 la massa efficace
4 la moilit
i pedici e e h si riferiscono rispettivamente agli elettroni e alle lacune.
7fruttando le variazioni di n e di , al variare della concentrazione dei portatori, si possono
costruire dei modulatori, rispettivamente di ampiezza e di fase.
Modulatori in assorbimento (FCAM: free carrier absorption modulator)
Il modo pi5 semplice per realizzare un modulatore di ampiezza con un dispositivo a semiconduttore
4 asato sull'uso di un diodo (fig. ;) in cui il fascio ottico da modulare viene fatto passare parallela-
mente alla giunzione del diodo.
Fig. 5 7chema di principio di un modulatore d'ampiezza in silicio asato sul fenomeno dell'assorimento da parte
dei portatori lieri.
&uando il diodo 4 polarizzato direttamente, una variazione della corrente di iniezione induce una
variazione della concentrazione dei portatori in prossimit della giunzione e, quindi, attraverso una
variazione del coefficiente di assorimento genera una modulazione del fascio ottico che attraversa
la giunzione ( " f # I $).
8B
&uesto dispositivo presenta l'inconveniente di poter essere utilizzato efficientemente solo a
lunghezze d'onda molto grandi (decina di micron). "'uso di questi modulatori a lunghezze d'onda
pi5 piccole 4 reso complicato dal fatto che le variazioni del coefficiente di assorimento sono
proporzionali al quadrato della lunghezza d'onda della radiazione da modulare. *i implica che la
stessa variazione della concentrazione di portatori provoca ad , m un effetto cento volte pi5
piccolo di quello che si avree utilizzando una radiazione a ,< m.
#a queste considerazioni si comprende il motivo per cui un modulatore asato su variazioni del co-
efficiente di assorimento non possa avere, nel vicino infrarosso, una lunghezza L inferiore a ;mm.
Modulatori a variazione di fase (FPOM: Fabry Perot optical modulator)
"e equazioni (9a) e (9) mostrano che le variazioni del coefficiente di assorimento sono sempre
accompagnate da una variazione dell'indice di rifrazione e, quindi, della fase del fascio che attraver-
sa il semiconduttore. &uesto rende possiile realizzare modulatori di ampiezza utilizzando uno
schema interferometrico capace di trasformare le variazioni dell'indice di rifrazione del semicondut-
tore in modulazioni di ampiezza del fascio ottico.
"o schema che consente di realizzare i modulatori pi5 efficienti 4 asato sull'uso dell' effetto Fabry
%erot ed 4 rappresentato in figura F.
Fig. 6 7chema di principio di un modulatore di ampiezza in silicio sull'uso dell'interferometro Jar( $erot.
Il dispositivo pu essere facilmente realizzato utilizzando uno strato di un diodo al silicio ($
-
!
-
) la-
vorato otticamente alle facce terminali, le quali possono essere a contatto con ossido di silicio% attra-
verso questo strato si propaga la radiazione da modulare. &ueste facce funzionano come specchi
piani paralleli e costituiscono nell'insieme una configurazione Fabry %erot. &uando il diodo 4 pola-
rizzato direttamente, variando la corrente di iniezione, varia la concentrazione dei portatori, quindi
anche l'indice di rifrazione del mezzo e quindi la frequenza naturale della fira% in altre parole si ha
un modo che oscilla all'interno della zona !
-
+ variando n si sposta la curva di risonanza, che ora non
4 pi5 centrale, e quindi si ha una modulazione (fig. B).
Fig. 7 :ariazione di frequenza naturale della fira.
&uesti dispositivi sono facilmente integraili sia con dispositivi elettronici che ottici ed inoltre non
presentano eccessivi prolemi costruttivi.
8L
$er completezza citiamo un ultimo effetto.
EFFETTO FRANZ KELDISH.
7e un semiconduttore 4 sottoposto all'azione di un campo elettrico, il profilo delle ande di valenza
e di conduzione pu modificarsi inducendo una variazione del coefficiente di assorimento ottico.
&uesta variazione pu portare ad un camiamento del valore dell'ampiezza della anda proiita
(gap) e quindi ad una modulazione di ampiezza indotta dal campo applicato.
E' un metodo che presenta una assa efficienza dal momento che richiede valori elevati del campo
elettrico ed 4 quindi usato assai raramente.
Fig. 8 3ipico andamento del coefficiente di assorimento in un semiconduttore in funzione della differenza tra
l'energia del fotone incidente e quella del gap, per diversi valori dell'ampiezza di un campo elettrico applicato
all'esterno.
Modulatori basati sull'efetto elettro-ottico.
$rima di procedere con la trattazione di questo tipo di modulatori occorre fare delle premesse di ca-
rattere fisico.
La polarizzazione delle onde luminose.
/na perturazione ottica 4 una quantit vettoriale la cui direzione del vettore non coincide con la di-
rezione di propagazione. &uesto vettore 4 detto &ettore ottico. $er un'onda luminosa piana che si
propaga in un mezzo isotropo il vettore ottico 4 ortogonale alla direzione di propagazione. Ieneral-
mente si assume come vettore ottico il campo elettrico.
*onsideriamo un'onda luminosa incidente perpendicolarmente su una lamina polarizzatrice. &uesta
lamina trasmette la luce senza assorimento apprezzaile se il vettore ottico 4 parallelo ad una certa
direzione preferenziale della lamina, l'asse di trasmissione della lamina, mentre l'assore completa-
mente se il vettore ottico 4 ortogonale a questa direzione preferenziale. !el caso in cui il vettore ot-
tico aia una direzione intermedia lo si pu pensare come la cominazione di due vettori uno per-
pendicolare ed uno parallelo all'asse di trasmissione della lamina polarizzatrice. "a lamina trasmet-
ter la componente parallela al suo asse di trasmissione ed assorir la componente ortogonale.
"'onda uscente dalla lamina avr il vettore ottico parallelo all'asse di trasmissione e diremo che
quest'onda 4 polarizzata linearmente. *hiameremo il piano contenente la direzione di propagazione
e il vettore ottico piano di &ibrazione. .gni sistema ottico capace di trasmettere solo luce
linearmente polarizzata verr detto filtro polarizzatore'
8G
a) ) c)
Fig. 9 !ei tre casi sopra disegnati la lamina polarizzatrice ha l'asse di trasmissione verticale (frecce verticali).
!el caso a) l'onda incidente ha il vettore ottico parallelo all'asse di trasmissione della lamina e quindi il suo
stato di polarizzazione non suisce alterazioni.
!el caso ) l'onda incidente ha il vettore ottico ortogonale all'asse di trasmissione e quindi la lamina polariz-
zatrice assore l'onda.
!el caso c) il vettore ottico ha un'inclinazione aritraria rispetto all'asse di trasmissione. In questo caso l'onda
emergente dalla lamina 4 la componente dell'onda incidente parallela all'asse di trasmissione.
7upponiamo ora che l'onda polarizzata uscente da un primo polarizzatore venga fatta passare attra-
verso un secondo polarizzatore. "'ampiezza dell'onda trasmessa dal secondo filtro sar proporziona-
le al coseno dell'angolo tra il vettore ottico dell'onda polarizzata e l'asse di trasmissione del secondo
filtro.
Fig. 10
In questa immagine sono evidenziate le componenti del campo rispetto all'asse di trasmissione della seconda
lamina
Sovrapposizione di onde polarizzate: la polarizzazione ellittica e circolare.
*onsideriamo due onde luminose sinusoidali linearmente polarizzate aventi stessa frequenza e viag-
gianti nella stessa direzione. 7e i loro vettori ottici sono paralleli, si cominano in un'unica onda li-
nearmente polarizzata la cui ampiezza e fase sono funzioni delle ampiezze e delle fasi delle onde
componenti. *i proponiamo di studiare la natura dell'onda risultante nel caso in cui le due pertura-
zioni ottiche siano mutuamente ortogonali.
*onsideriamo un sistema di coordinate cartesiane con l'asse ( nella direzione di propagazione, l'asse
y parallelo al vettore ottico di un'onda, e l'asse z parallelo al vettore ottico dell'altra onda.
Fig. 11 In questa immagine sono mostrate le due onde Ez ed Ey e la risultante E
I vettori ottici delle due onde sono rappresentati da espressioni del tipo
9<
(;)
"e funzioni E
y
ed E
z
rappresentano anche le componenti del vettore ottico risultante E lungo gli assi
y e z. In un dato punto dello spazio, questo vettore varia nel tempo sia in lunghezza che in direzione.
Il suo vertice descrive una curva, di cui le equazioni (;) sono le equazioni parametriche. $er deter-
minare la forma di questa curva , doiamo solamente eliminare t tra le due equazioni. 0 questo fi-
ne indichiamo con
, 6
=
la differenza di fase tra le due oscillazioni e ridefiniamo l'origine dei
tempi ponendo

=
&
(
t t '
cosH le equazioni (;) diventano
(F)
#a queste equazioni otteniamo
e, dopo alcuni semplici passaggi, otteniamo
(B)
&uesta 4 l'equazione di un'ellisse, e quindi concludiamo che il vertice del vettore che rappresenta la
perturazione ottica in un dato punto dello spazio descrive un'ellisse nel piano perpendicolare alla
direzione di propagazione. Esprimiamo questo fatto dicendo che l'onda 4 polarizzata ellitticamente.
!otiamo che in ogni istante il modulo del vettore E della perturazione ottica risultante 4 dato
dall'equazione
(L)
"e equazioni (;) mostrano che E
y
varia da )*
y
a -*
y
e che E
z
varia da )*
z
a -*
z
. &uindi l'ellisse rap-
presentata da queste equazioni, o dall'equazione (B) 4 inscritta in un rettangolo con lati di lunghezza
+*
y
e +*
z
. 7e le due oscillazioni sono in fase, cio4 se
n 6 =
con
n
N l'ellisse degenera in un
segmento rettilineo coincidente con la diagonale del rettangolo che giace nel primo e nel terzo qua-
drante (fig. ,6). Infatti in questo caso l'equazione (F) d
z
z
y
y
*
E
*
E
=
.
7e
( ) , 6 + = n
con n N l'equazione (F) d
z
z
y
y
*
E
*
E
=
.
"'onda risultante 4 ancora linearmente polarizzata, ma ora la perturazione ottica 4 parallela all'al-
tra diagonale del rettangolo, cio4 a quella che giace nel secondo e quarto quadrante. (fig. ,6c) .7e
( )
6
, 6

+ = n
con n N l'equazione (B) diventa
,
6
6
6
6
= +
z
z
y
y
*
E
*
E
, che 4 l'equazione di un'ellisse
avente gli assi nelle direzioni y e z (fig. ,6d). 7e in particolare, *
y
" *
z
, l'ellisse degenera in una cir-
9,
conferenza e si dice che l'onda 4 polarizzata circolarmente. In questo caso il &ettore che rappresenta
la perturbazione ottica in un dato punto ruota con &elocit angolare costante senza &ariare in mo-
dulo'
a) ) c) d)
Fig. 12 7tati di polarizzazione corrispondenti a differenti valori della differenza di fase
:ediamo di comprendere quale sia la direzione di rotazione del vettore ottico nel caso di polarizza-
zione ellittica o circolare. 0 questo fine consideriamo la posizione del vettore ottico al tempo t, "
e al tempo t, " , dove 4 una piccola frazione del periodo -. &ueste posizioni sono mostrate dai
segmenti .%
/
e .%
+
della figura ,8.
a) )
Fig. 13 !el caso a) 0 0 + il vettore ottico ruota in senso orario.
!el caso ) 0 0 ++ il vettore ottico ruota in senso antiorario.
#alla (F), troviamo che
a t, " +
a t, " +
2icordiamo ora che se il suo argomento giace tra e il coseno 4 una funzione decrescente dell'ar-
gomento, mentre 4 una funzione crescente del suo argomento se questo giace tra e -. &uindi, se
risulta 0 0 , E
z
4 una funzione decrescente del tempo a t, " il punto %
+
giace al di sotto del
punto %
/
, e il vettore ottico ruota in senso orario rispetto all'osservatore verso cui viaggia l'onda (fig.
,8a). 7e, invece, - M M <, E
z
4 una funzione crescente del tempo a t, " e il vettore ottico ruota in
senso antiorario rispetto all'osservatore verso cui viaggia l'onda (fig. ,8).
In conclusione per un'onda viaggiante nella direzione dell'asse ( di un sistema cartesiano di riferi-
mento destrorso, troviamo che rispetto ad un osservatore posto di fronte alla sorgente, il vettore otti-
co ruota in senso orario o antiorario a seconda che la componente z anticipi o ritardi rispetto alla
componente y di un angolo di fase minore di .
Propriet fondamentale dei mezzi anisotropi.
Jino ad ora aiamo concentrato la nostra attenzione nei mezzi isotropi ovvero in quei materiali in
cui le propriet ottiche siano le stesse in tutte le direzioni. :ediamo ora di spostare la nostra atten-
zione verso quei materiali in cui le propriet ottiche variano a seconda della direzione ovvero i mez-
zi anisotropi. &uesta anisotropia viene spesso chiamata anche birifrangenza.
96
$ropriet fondamentale di questi mezzi 4 la seguente+ per ogni direzione di propagazione in un
mezzo anisotropo ci sono solo due onde1 &ibranti in uno o nell2altro di due piani mutuamente orto-
gonali1 che conser&ano il loro stato di polarizzazione mentre &iaggiano attra&erso il mezzo. In altre
parole per i mezzi anisotropi ci sono due direzioni preferenziali tali che le onde polarizzate linear-
mente secondo queste direzioni non suiscono alterazioni del loro stato di polarizzazione nell'attra-
versamento del mezzo. &ueste due direzioni preferenziali vengono definite come gli assi principali
del mezzo. #ifferentemente una distriuzione di campo con polarizzazione generica incidente su un
mezzo anisotropo dovr essere scomposta negli stati di polarizzazione consentita ognuno dei quali
si propaga senza alterazioni, ma con velocit di fase diverse. Infatti altra importante caratteristica
dei mezzi anisotropi 4 che le velocit di propagazione delle onde lungo gli assi principali del mezzo
sono diverse.
La produzione di luce polarizzata ellitticamente e circolarmente.
:ediamo ora di analizzare come varia lo stato di polarizzazione di un'onda polarizzata linearmente
quando attraversa una lamina irifrangente.
7iano y e z gli assi della lamina e n
y
e n
z
i rispettivi indici di rifrazione. "e corrispondenti velocit di
propagazione lungo y e z sono+
y
y
n
c
& =
e
z
z
n
c
& =
.
7upponiamo, per esempio, che n
y
0 n
z
di modo che la velocit di propagazione dell'onda che viag-
gia lungo y sia maggiore di quella che viaggia lungo z.
7ia E il vettore ottico dell'onda luminosa linearmente polarizzata incidente sulla lamina. 7compo-
niamo l'onda incidente (che supponiamo essere monocromatica ) in due onde con i piani di
virazione rispettivamente paralleli all'asse y e z.
Fig. 14 $roduzione di luce polarizzata ellitticamente
&uando entrano nella lamina, l'onda incidente e le sue componenti hanno la stessa fase. I moduli dei
tre vettori ottici corrispondenti sono del tipo
(G)
dove
cos * *
y
=
e
sin * *
z
=
.
!ella lamina, le onde onde viaggiano con velocit &
y
e &
z
. 7e d 4 lo spessore della lamina il tempo
necessario per attraversare la lamina 4 d
c
n
t
y
y
= e d
c
n
t
z
z
= per l'onda nella direzione y e z rispetti-
vamente. $erci quando le due onde escono dalla lamina i loro vettori ottici sono rappresentati dalle
seguenti equazioni+
(,<)
98
dove

4 la lunghezza d'onda nel vuoto. :ediamo quindi che le due onde emergenti hanno fasi di-
verse. Infatti, l'oscillazione parallela all'asse z ritarda rispetto a quella parallela all'asse y di un ango-
lo di fase
(,,)
*ome spiegato precedentemente le due oscillazioni si ricominano per produrre un'onda polarizzata
ellitticamente. *oncludiamo perci che, in generale, il passaggio attraverso una lamina irifrangente
muta un'onda polarizzata linearmente in un'onda polarizzata ellitticamente.
Lamine a quarto d'onda e lamine a mezzo d'onda.
*onsideriamo ora il caso in cui le componenti dell'onda incidente aiano una differenza di fase ,
ovvero che
t * E
y y
cos =
, ( ) + = t * E
z z
cos . 7upponiamo per semplicit che *
y
N *
z
. In questo
caso l'onda in ingresso sar polarizzata circolarmente se " 3+, mentre sar polarizzata li-
nearmente e con la direzione di polarizzazione parallela alla isettrice del primo e terzo quadrante
se " .
"a differenza di fase tra le componenti E
y
ed E
z
dell'onda emergente,
u
, 4 data dalla relazione
.
(,6)
3ra gli infiniti valori che pu assumere , i pi5 interessanti sono
6

e .
Lamina a
9

:
6

=
.
Il primo caso 4 quello in cui ( )
9
<

=
y z
n n d che provoca uno sfasamento tra le due onde uscenti
dalla lamina pari a
6

=
. &uesto 4 facilmente dimostraile+
In questo caso gli assi dell'ellisse coincidono con le direzioni y e z. "'ellisse 4 descritta in senso an-
tiorario. /na lamina di spessore d tale che ( )
9
<

=
y z
n n d , cio4, una lamina in cui le lunghezze dei
cammini ottici delle due onde che virano nei piani paralleli ai due assi differiscono di
9
<

4 detta
lamina a quarto d2onda.
!el nostro caso specifico se l'onda incidente 4 polarizzata linearmente, " , l'onda emergente sar
polarizzata circolarmente (fig. ,;). Infatti
6

= =
u
.
99
.nda incidente .nda emergente
Fig. 15 "amina a quarto d'onda con onda incidente polarizzata linearmente.
7e invece l'onda incidente 4 polarizzata circolarmente,
6

=
, l'onda emergente sar polarizzata li-
nearmente lungo la isettrice del secondo e quarto quadrante (fig. ,F). Infatti

= + =
6 6
u
.
.nda incidente .nda emergente
Fig. 16 "amina a quarto d'onda con onda incidente polarizzata circolarmente.
&uindi, possiamo ottenere luce polarizzata circolarmente ponendo lungo il cammino ottico di un'on-
da polarizzata linearmente una lamina a quarto d'onda con gli assi inclinati a 9;D rispetto al piano di
virazione dell'onda incidente.
Lamina a
6
<

:
=
.
Il secondo caso 4 quello in cui ( )
6
<

=
y z
n n d lamina a mezzo d2onda, in cui lo sfasamento intro-
dotto dalla lamina 4
=
. &uesto 4 facilmente dimostraile+
/na lamina di spessore d tale che ( )
6
<

=
y z
n n d , cio4, una lamina in cui le lunghezze dei cammini
ottici delle due onde che virano nei piani paralleli ai due assi differiscono di
6
<

4 detta lamina a
mezzo d2onda.
!el nostro caso specifico se l'onda incidente 4 polarizzata linearmente, " , l'onda emergente sar
ancora polarizzata linearmente ma la sua direzione sar parallela alla isettrice del secondo e quarto
quadrante (fig. ,B). Infatti
= =
u
.
9;
.nda incidente .nda emergente
Fig. 17 "amina a mezzo d'onda con onda incidente polarizzata linearmente.
7e invece l'onda incidente 4 polarizzata circolarmente,
6

=
, l'onda emergente sar ancora pola-
rizzata circolarmente ma con verso di rotazione opposto (fig. ,L). Infatti

6
8
6
= + =
u
.
.nda incidente .nda emergente
Fig. 18 "amina a mezzo d'onda con onda incidente polarizzata circolarmente.
Il 3ensore dielettrico in un mezzo anisotropo.
In un mezzo isotropo, la polarizzazione indotta 4 sempre parallela al campo elettrico applicato ed 4
in relazione con questo tramite uno scalare indipendente dalla direzione in cui il campo elettrico 4
applicato (dipende quindi solo dalla sua intensit). &uesto non 4 pi5 vero in un mezzo anisotropo, se
si escludono particolari direzioni. In questi materiali la polarizzazione indotta dipender dall'am-
piezza e dalla direzione lungo cui 4 applicato il campo elettrico secondo la relazione
(,8)
dove P 4 il &ettore polarizzazione indotta, E 4 il &ettore campo elettrico e 4 il tensore suscettibi-
lit elettrica. "'ampiezza dei termini
i5
dipende ovviamente dalla scelta degli assi (, y e z rispetto
alla struttura cristallina del mezzo. 7cegliendo come assi (, y e z gli assi principali del mezzo la ma-
trice che rappresenta il tensore diventa diagonale riducendo cosH la relazione tra P ed E a
.
(,9)
$ossiamo anche scrivere la risposta dielettrica del mezzo tramite il tensore permeatti&it dielettrica

i5
con la relazione matriciale
(,;)
dove D 4 il vettore spostamento elettrico.
#all'equazione costitutiva D =
0
E + P ricaviamo che
9F
(,F)
0nche in questo caso con l'opportuna scelta degli assi (, y e z fatta prima, riesco a diagonalizzare la
matrice del tensore permeailit dielettrica. "a relazione (,;) pu anche essere espressa in forma
tensoriale D
i
"
i5
E
5
.
L'ellissoide di Fresnel o ellissoide degli indici.
/n mezzo isotropo 4 caratterizzato da un unico parametro, l'indice di rifrazione, che determina la
velocit di propagazione nel mezzo.
In un mezzo anisotropo invece non c'4 un'unica velocit di propagazione e quindi un unico indice di
rifrazione. Esiste per la possiilit di descrivere completamente le propriet ottiche di questi mezzi
assegnando tre direzioni caratteristiche mutuamente ortogonali, .
(
, .
y
e .
z
e tre corrispondenti co-
stanti n
/
, n
+
e n
6
, dette indici di rifrazione principali. "e due onde piane che viaggiano nella direzio-
ne dell'asse ( hanno i piani di virazione paralleli agli assi y e z, e le velocit di propagazione sono
6
6
n
c
& =
e
8
8
n
c
& =
rispettivamente. "e due onde che viaggiano nella direzione dell'asse y hanno i
piani di virazione paralleli agli assi ( e z, con velocit di propagazione
,
,
n
c
& =
e &
6
rispettivamen-
te. "e due onde che viaggiano nella direzione dell'asse z hanno i piani di virazione paralleli agli as-
si ( e y, con velocit di propagazione &
/
e &
+
rispettivamente. !otare che le velocit di propagazione
dipendono dalla direzione di virazione e non dalla direzione di propagazione. &uindi per esempio,
l'onda che vira in una direzione parallela all'asse ( ha la stessa velocit di propagazione sia che si
propaghi in una direzione parallela all'asse y che ad una parallela all'asse z.
$er determinare i piano di virazione e le velocit di propagazione delle due onde che si propagano
in una qualsiasi direzione diversa da .
(
, .
y
o .
z
, usiamo il seguente metodo. #apprima costruiamo
l'ellissoide (fig. ,,a) i cui tre semiassi sono paralleli a .
(
, .
y
e .
z
, e che hanno lunghezza uguale ri-
spettivamente a n
/
, n
+
e n
6
. "'equazione di questo ellissoide 4
.
(,B)
a) )
Fig. 19 Ellissoide di rotazione.
0ssegnata la direzione di propagazione, s, costruiamo poi un piano perpendicolare a questa direzio-
ne (cio4 parallelo al corrispondente fronte d'onda) e passante per il centro dell'ellissoide. "'interse-
zione del piano con l'ellissoide 4 un'ellisse. Ili assi di quest'ellisse sono paralleli ai piani di vira-
zione delle due onde piane che viaggiano invariate nella direzione assegnata. "e lunghezze dei se-
miassi sono numericamente uguali ai due corrispondenti indici di rifrazione (fig ,G).
0priamo una parentesi per spiegare da dove deriva l'equazione (,B).
9B
"a superficie a densit di energia costante 7
e
nello spazio D data dalla relazione
5 i5 i e
E E 7
6
,
6
,
= = D E
pu essere scritta nella forma
e
z
z
y
y
(
(
7
D
D
D
6
6
6
6
= + +

dove
(
,
y
,
z
sono le
costanti dielettriche principali. 7e sostituiamo
6 6 6
z y ( + + = r a
<
6
e
7
D
e definiamo gli indici di
rifrazione degli assi principali come n
(
, n
y
e n
z
, con
<
6

i
i
n =
#i " (1 y1 z$, l'ultima equazione pu
essere scritta nella forma
(,L)
&uesta equazione 4 la generica equazione di un ellissoide con gli assi principali paralleli agli assi (,
y e z e lunghi +n
(
, +n
y
e +n
z
rispettivamente. &uesto ellissoide 4 noto come ellissoide degli indici o
di Fresnel o indicatrice ottica'
"a propagazione dell'energia 4 descritta dal vettore di $o(nting che 4 dato dalla perpendicolare al
piano tangente all'ellissoide nell'intersezione tra l'ellissoide stesso e la retta parallela alla direzione
di propagazione per l'origine (fig. 6<)
Fig. 20 $iano tangente all'ellissoide nel punto & e vettore di $o(nting.
$er i materiali di tipo isotropo in cui gli indici di rifrazione sono gli stessi in tutte e tre le direzioni,
l'ellissoide di Jresnel degenera in una sfera. $er i cristalli anisotropi in cui due degli indici principali
di rifrazione sono uguali (n
/
" n
+
" n

e n
6
" n
e
), definiti cristalli uniassiali, l'ellissoide di Jresnel 4
un ellissoide di rotazione attorno ad un asse detto asse ottico del cristallo uniassiale.
(,G)
$er i cristalli uniassiali la sezione normale all'asse dell'ellissoide di Jresnel 4 una circonferenza. 3ut-
te le onde piane che viaggiano nella direzione dell'asse ottico conservano il loro stato di polarizza-
zione. $er tali onde il cristallo si comporta come un mezzo isotropo.
In tutte le altre direzioni, tuttavia, il cristallo 4 irifrangente. 0ssegnata una direzione di propagazio-
ne aritraria OA, diversa dall'asse ottico, intersechiamo l'ellissoide di Jresnel con un piano passante
per il suo centro e normale ad OA. "'intersezione 4 un'ellisse, di cui un asse, MN, giace nel piano
equatoriale dell'ellissoide, mentre l'altro, PQ, giace nel piano che contiene la direzione di propaga-
zione e l'asse ottico.
9L
Fig. 21 Ellissoide di Jresnel per un cristallo uniassiale positivo.
&uesti due assi sono paralleli ai piani di virazione delle due onde polarizzate linearmente che viag-
giano nella direzione OA. 7e definiamo il piano contenente la direzione di propagazione e l'asse ot-
tico come sezione principale del cristallo relativa ad una data direzione di propagazione, possiamo
dire che delle due onde polarizzate linearmente che viaggiano in una data direzione, una ha il suo
piano di virazione normale e l'altra parallelo alla corrispondente sezione principale.
"'indice di rifrazione dell'onda che vira ortogonalmente alla sezione principale (e perci all'asse
ottico) 4 numericamente uguale a n
+
, il raggio della sezione equatoriale dell'ellissoide. "a velocit di
quest'onda 4 perci &
+
. $er questa ragione l'onda che vira in una direzione ortogonale all'asse ottico
4 detta onda ordinaria e il suo indice di rifrazione 4 detto indice di rifrazione ordinario n

. "'indice
di rifrazione dell'onda che vira nel piano della sezione principale 4 numericamente uguale al semi-
asse OP dell'ellisse. &uesto indice di rifrazione 4 diverso per le diverse direzioni di propagazione% il
suo valore 4 sempre intermedio tra n
+
e n
6
e viene detto indice di rifrazione straordinario n
e
. &uindi
l'onda che vira nel piano della sezione principale ha una velocit che dipende dalla direzione di
propagazione, per questa ragione 4 detta onda straordinaria.
Classifcazione dei mezzi anisotropi.
!ei cristalli uniassiali si ha che due degli indici principali di rifrazione sono uguali, n
(
" n
y
" n

con
< <
6
<

y
(
n = =
ed uno 4 diverso,
<

z
e z
n n = =
. In questi cristalli il tensore dielettrico assume la forma

=
6
6
<
6
<
<
< <
< <
< <
e
n
n
n

.
In questi cristalli vi 4 un solo asse ottico che per convenzione 4 l'asse z.
!ei cristalli uniassiali l'indice di rifrazione ordinario 4 n

mentre quello straordinario 4 n

e
. 7e n

0n
e
il cristallo 4 detto positivo mentre se n

8n
e
il cristallo 4 detto negativo.
$ropagazione della luce nei cristalli uniassiali.
-olti dei dispositivi elettro-ottici moderni sfruttano i cristalli uniassiali. Esempi comuni di cristalli
usati sono la calcite, il quarzo e il niobato di litio. In questi cristalli l'equazione dell'ellissoide degli
indici assume la forma
(6<)
dove sono stati scelti gli assi di simmetria con la convenzione che z 4 l'asse ottico. "a figura (fig.
66) mostra l'ellissoide degli indici per un cristallo uniassiale positivo. Il versore s indica la direzione
di propagazione dell'onda luminosa. 7iccome l'ellissoide in questo caso 4 invariante rispetto a rota-
9G
zioni attorno all'asse z, la proiezione di s sul piano (y 4 stata scelta, senza perdere di generalit, in
modo che coincida con l'asse y.
Fig. 22 *ostruzione per trovare gli indici di rifrazione per una direzione di propagazione s data. "a figura mostra un
cristallo uniassiale con nONn(Nn<, nzNne
In accordo con quanto detto prima l'intersezione del piano normale a s passante per l'origine dell'el-
lissoide d origine all'ellisse di intersezione in cui la lunghezza del semiasse maggiore, OA, equiva-
le all'indice di rifrazione straordinario
( )
e
n
. "a lunghezza del semiasse minore, OB, invece equi-
vale all'indice di rifrazione ordinario n

.
P chiaro dalla figura che come varia l'angolo tra l'asse ottico e la direzione s di propagazione
dell'onda, la direzione di propagazione ordinaria rimane fissa come pure il valore dell'indice di rifra-
zione, pari a n

. Invece la direzione di polarizzazione straordinaria e il valore dell'indice di rifrazio-

ne straordinario dipendono da . "'indice n
e
infatti varia da
( )
<
n n
e
=
assunto quando " , a
( )
e e
n n =
assunto quando " 9:. "'indice di rifrazione
( )
e
n
pu essere ricavato, noto che sia
l'angolo dalla relazione
(6,)
2iassumendo, la propagazione di un'onda luminosa in un cristallo uniassiale in generale consiste in
un'onda ordinaria e in un'onda straordinaria. Il vettore campo elettrico E (e il vettore spostamento
elettrico D) per l'onda ordinaria 4 sempre perpendicolare all'asse ottico e al versore di propagazione.
"a velocit di fase dell'onda ordinaria 4 sempre pari a
<
n
c
indipendentemente dalla direzione di
propagazione. Il vettore spostamento D dell'onda straordinaria 4 sempre perpendicolare al versore di
propagazione mentre il suo vettore campo elettrico E non 4 in generale perpendicolare a s ma giace
nel piano formato da s e D. I vettori campo elettrico delle due onde ordinaria e straordinaria sono
mutuamente ortogonali.
$rima di proseguire, diamo una dimostrazione matematica dell'espressione (6,). P stato supposto
che il vettore s appartenga al piano (z e quindi posso scrivere l'equazione dell'ellissoide in questo
piano, ovvero per ( " . "' equazione dell'ellissoide diventa quindi
,
6
6
6
<
6
= +
e
n
z
n
y
. 7e 4 l'angolo che
il vettore s forma con l'asse z, le coordinate del punto 0, (fig. 66), si possono esprimere con le
relazioni
( ) ( ) cos
e
n y =
e
( ) ( ) ( ) sin
e
n z =
. 0 questo punto 4 sufficiente sostituirle
nell'equazione dell'ellissoide e si trova+
;<
L'efetto elettro-ottico.
In questo capitolo analizzeremo la propagazione di un'onda elettromagnetica all'interno di un mezzo
le cui propriet possono essere modificate con l'applicazione di un campo elettrico.
!elle sezioni precedenti aiamo visto che la propagazione in un mezzo anisotropo pu essere age-
volmente studiata con l'ausilio dell'ellissoide degli indici che, nel caso in cui gli assi coordinati
(O,(,z) coincidono con gli assi principali, pu essere descritta dall'equazione in forma canonica+
(66)
"'effetto elettro - ottico lineare, pu essere descritto considerando gli effetti che un campo elettrico
applicato dall'esterno ha sul tensore dielettrico. &uesti effetti possono essere analizzati attraverso le
modifiche indotte sull'ellissoide degli indici. In generale, l'applicazione di un campo elettrico, oltre
ad indurre un camiamento degli indici di rifrazione n
i
, causer l'apparizione dei termini misti
dell'equazione (68) dovuta all'eventuale rotazione degli assi dielettrici principali.
"'ellissoide degli indici in un mezzo sottoposto all'applicazione di un campo elettrico si modificher
in generale nella forma+
(68)
dove i coefficienti
i
sono legati alle componenti del campo elettrico applicato secondo la relazione
(69)
dove r
i5
prende il nome di tensore elettro ottico lineare.
0d esempio se i " ; allora
8 98 6 96 , 9, 9
E r E r E r + + =
.
In questa relazioni /1 +1 6 corrispondono agli assi dielettrici principali (1 y1 z rispettivamente e n
(
, n
y
e n
z
sono gli indici principali di rifrazione. Il nuovo ellissoide degli indici si riduce a quello usuale
quando E
<
" . In generale gli assi principali dell'ellissoide (68) non coincidono con quelli dell'ellis-
soide non soggetto a campo elettrico.
/na nuova terna di assi di riferimento pu essere ottenuta tramite una rotazione di coordinate, dagli
assi principali del cristallo.
Il tensore elettro ottico lineare 4 un tensore F O 8 i cui elementi camiano a seconda della classe cri-
stallografica a cui appartiene il mezzo. /na taella con i vari tensori per i cristalli uniassici 4 ripor-
tata nella sezione con gli esempi assieme ad una taella con alcuni indici di rifrazione.
Effetto elettro-ottico in un cristallo Q#$.
*onsideriamo l'esempio specifico di un cristallo di potassio diidrogeno fosfato (=>
+
%.
;
) noto an-
che come =D%. &uesto 4 un cristallo uniassiale tetragonale con simmetria di tipo m 6 9 . $er con-
venzione l'asse ottico 4 l'asse z. #alle matrici riportate sopra si vede che il tensore elettro-ottico r
i5
ha solo tre elementi non nulli r
;/
"r
?+
e r
@6
. /sando l'equazione (68) e la matrice r
i5
otteniamo, in
presenza di un campo elettrico E (E
(
1 E
y
1 E
z
), l'ellissoide degli indici espresso dalla relazione
(6;)
dove le costanti impiegate nei primi tre termini non dipendono dal campo applicato.
;,
3roviamo quindi che l'applicazione di un campo elettrico introduce dei termini in due variaili
nell'equazione dell'ellissoide. &uesto significa che gli assi principali dell'ellissoide, causa l'applica-
zione del campo elettrico, non sono pi5 paralleli agli assi principali ((1 y1 z) del cristallo. 2isulta
quindi necessario determinare le direzioni dei nuovi assi e l'ampiezza dei rispettivi indici di rifrazio-
ne in presenza del campo E. In questo modo potremo poi determinare l'effetto del campo elettrico
sulla propagazione nel mezzo. $er semplicit supponiamo che il campo elettrico applicato al cristal-
lo sia diretto lungo l'asse ottico. In questo modo le componenti E
(
ed E
y
del campo sono nulle e
l'equazione (6;) diventa
(6F)
Il prolema da risolvere consiste nel trovare un nuovo sistema di coordinate ((21 y21 z2) nel quale
l'equazione dell'ellissoide degli indici non contenga termini misti e aia quindi la forma
.
(6B)
&uindi in presenza di un campo elettrico applicato secondo z gli assi principali dell'ellissoide degli
indici diventano (21 y21 z2. In accordo con l'equazione (6B) la lunghezza degli assi principali dell'ellis-
soide corrisponde a +n
(,
, +n
y,
, +n
z,
che dipenderanno dal campo applicato.
!el caso dell'espressione (6F) si ha che per giungere all'equazione (6B) la nuova terna di assi (21 y2 e
z2 dovr avere l'asse z2 parallelo all'asse z. Inoltre a causa della simmetria in ( e y nella (6;) i nuovi
assi (2 e y2 sono legati agli assi ( e y tramite una rotazione di 9;D espressa dalle relazioni seguenti
(6L)
Fig. 23 Effetto elettro ottico+ rotazione degli assi in una lamina di Q#$
7ostituendo le espressioni (6L) nell'equazione (6F) ottengo
(6G)
&uesta equazione mostra che (21 y2 e z (dato che z2 " z ) sono effettivamente gli assi dell'ellissoide
degli indici quando viene applicato al cristallo un campo elettrico diretto lungo z. 7i noti inoltre che
la lunghezza dell'asse (2 dell'ellissoide 4 +n
(2
, dove z
(
E r
n n
F8
6
<
6
'
, ,
+ =
.
0ssumendo che
6
< F8

<< n E r
z
ed usando la relazione differenziale

=
6
8
,
6
,
n
d n dn
troviamo che
(8<)
;6
(8,)
da cui si capisce che l'applicazione del campo elettrico lungo l'asse z ha deformato l'ellissoide che
non 4 pi5 a simmetria circolare.
*onsideriamo ora il caso in cui il campo applicato sia diretto parallelamente all'asse (. In questo ca-
so l'equazione (6;) assume la forma
(86)
P allora chiaro che il nuovo asse (2 coincider con ( in quanto i termini misti coinvolgono solo y e z.
P necessaria una rotazione nel piano yz per ricondurre la (8<) all'usuale forma dell'ellissoide. 7ia
l'angolo tra le nuove coordinate y2z2 e le vecchie coordinate yz. "a trasformazione da y, z a y2, z2 4
data dalle relazioni
(88)
7ostituendo la relazione (8,) nell'equazione (8<) e richiedendo che non compaiano termini in yz ot-
tengo che
(89)
con l'angolo tale che
.
(8;)
Il nuovo ellissoide degli indici ha i suoi assi principali ruotati di un angolo attorno all'asse ( ri-
spetto agli assi principali del cristallo non soggetto ad un campo elettrico E
(
.
Modulazione elettro ottica.
0iamo mostrato nella sezione precedente che l'applicazione di un campo elettrico pu camiare
l'ellissoide degli indici. 7appiamo inoltre che la propagazione di onde elettromagnetiche nei cristalli
4 caratterizzata dall'ellissoide degli indici. $ossiamo quindi usare l'effetto elettro-ottico per manipo-
lare la propagazione delle onde luminose ed il loro stato di polarizzazione. *onsideriamo ad esem-
pio una lamina di =D%, tagliata normalmente all'asse z, soggetta ad un campo elettrico diretto lungo
z. 7e consideriamo la propagazione della luce lungo l'asse z, allora, in accordo con le equazioni (8<)
e (8,), la irifrangenza 4 data da
.
(8F)
7ia ora d lo spessore della lamina. Il ritardo di fase per questa lamina 4 dato da
(8B)
dove V " E
z
d 4 la tensione applicata e 4 la lunghezza d'onda della radiazione incidente.
In questo caso il ritardo di fase 4 proporzionale alla tensione applicata. #i conseguenza siamo in
grado di modificare lo stato di polarizzazione di un'onda incidente sulla lamina nello stato desidera-
to.
;8
$er avere un ritardo di fase " la tensione applicata al cristallo 4
(8L)
dove V

4 definita tensione a mezzo d2onda definiile per ogni . I valori tipici della tensione V

variano da un minimo di qualche decina di volt fino a qualche Qilovolt.

Efetto elettro ottico longitudinale e trasverso.
Il caso in cui il campo elettrico 4 parallelo alla direzione di propagazione dell'onda incidente, viene
indicato come effetto elettro ottico longitudinale% se il campo elettrico 4 normale alla direzione di
propagazione dell'onda incidente, viene indicato come effetto elettro ottico tras&erso.
MODULATORI ELETTRO - OTTICI DI AMPIEZZA E DI FASE
7i possono distinguere due tipi di modulatori+ i modulatori di fase e i modulatori di ampiezza.
MODULATORI DI FASE
7upponiamo di avere una situazione come quella descritta nella sezione precedente in cui l'onda
emessa incidente 4 polarizzata lungo una delle due polarizzazioni consentite nel cristallo, dopo l'ap-
plicazione del campo elettrico ( O' e (' ). In questo caso, dopo l'applicazione del campo, l'onda pola-
rizzata linearmente, si propaga nel cristallo senza alterare il suo stato di polarizzazione, solo che ora
il suo indice di rifrazione 4+
(8G)
&uindi l'onda emessa descritta, che all'ingresso del cristallo 4+
(9<)
all'uscita del cristallo sar data da+
(9,)
dove il ritardo di fase 4+
(96)
&uesto rappresenta la modulazione di fase+ la fase dell'onda trasmessa contiene un termine modula-
to linearmente con la tensione applicata.
MODULAZIONE DI AMPIEZZA
7i possono adottare diverse configurazioni per comprendere il principio di funzionamento di un mo-
dulatore elettro - ottico di ampiezza% la configurazione ase 4 la seguente+
;9
Fig. 24 7chema di un modulatore di ampiezza asato sull'effetto elettro ottico. Il primo polarizzatore non 4
necessario nel caso in cui il fascio di ingresso sia gi polarizzato.
/n fascio di radiazione in ingresso viene polarizzato linearmente dal primo polarizzatore% la cella
elettro ottica ne modifica la direzione di polarizzazione in funzione della tensione V applicata ai
suoi capi. &uesta modulazione di polarizzazione viene poi trasformata in modulazione di ampiezza
dal secondo polarizzatore.
7upponiamo che sia la direzione di polarizzazione del polarizzatore di ingresso che di quella di
uscita siano verticali.
In assenza di campo e quindi per V " , l'onda viene trasmessa totalmente ( il suo stato di polarizza-
zione non camia ).
7e viene applicato un campo elettrico, le direzioni consentite diventano (2, y2% supponiamo che il cri-
stallo produca una rotazione, ad esempio di 3 + ( cio4 V " V

)+ in questo caso il cristallo si com-

porta come una lamina a 3 + e quindi se la polarizzazione in ingresso era verticale, quella di uscita
risulta orizzontale.
"a conclusione 4 che per V " V

il polarizzatore di uscita ' locca tutto ' e si ha minima

trasmissione.
&uesta 4 una delle situazioni possiili, ma ce ne sono anche delle altre+ ad esempio, si potree pen-
sare ad un polarizzatore di uscita incrociato rispetto a quello di ingresso, ovvero+
Fig 25 $olarizzatore di uscita incrociato rispetto a quello d'ingresso.
In questo caso si verifica la situazione opposta, infatti, per : N < si ha minima trasmissione, mentre
per : N :

si ha massima trasmissione.
CENNI SULL'EFFETTO ACUSTO - OTTICO
"e propriet elettromagnetiche di molti materiali sono funzione di un eventuale campo di forze ap-
plicato dall'esterno. 0 frequenze ottiche, il camio della costante dielettrica e dell'indice di rifrazio-
ne in funzione di un campo di pressioni applicate prende il nome di effetto elasto - ottico. In seguito
a studi su questo fenomeno 4 possiile analizzare l'interazione tra un'onda acustica ed un fascio lu-
minoso che d luogo proprio all'effetto acusto - ottico. 7u questo effetto 4 possiile realizzare mo-
dulatori di ampiezza molto efficienti.
;;
Esempi.
:ediamo ora alcuni esempi di applicazione della teoria presentata.
Esempio 1.
7i consideri una lamina tagliata da un cristallo uniassiale elettro ottico perpendicolare all'asse z. "a
lunghezza della lamina in direzione z 4 ". Il cristallo pu essere sottoposto ad un campo elettrico di
polarizzazione diretto secondo z e viene illuminato da un campo luminoso di segnale E polarizzato
circolarmente, che si propaga secondo z. O e ( sono gli assi principali del cristallo con riferimento ai
quali E si pu scomporre in
(98)
a) &ual 4 il verso della polarizzazioneR
"'indice di rifrazione ordinario 4 n
<
N 6,<<F e la lunghezza d'onda 4 quella del laser Ce-!e . #opo il
cristallo viene posto un polarizzatore con direzione di polarizzazione verticale.
) &ual 4 l'espressione del campo in uscitaR
0lla lamina viene applicata una tensione
6

V
.
c) 2appresentare il campo in uscita dal cristallo prima e dopo il polarizzatore, tenendo conto solo
dello sfasamento relativo fra le componenti.
Soluzione.
Fig. 26
a)
$er le componenti di E valgono le seguenti relazioni+
per t " E
(
" /1 E
y
" mentre per
6

= t
E
(
" 1 E
y
" -/.
7i vede quindi che all'aumentare di t E
O
decresce mentre E
(
cresce in modulo diventando pi5 negati-
vo. Il verso di polarizzazione di E 4 indicato dalla freccia rossa tratteggiata.
)
7e non applico il campo elettrico, il polarizzatore lascia passare solo la componente O e quindi il
campo in uscita sar

+ =

L n
t E
(
<
6
cos
.
;F
c)
7e applico alla lamina una tensione
6

V
, ci sono due nuovi assi di riferimento O' e ('.
Fig. 27
In uscita ci sar uno sfasamento di 3+ indotto dal cristallo.
Il vettore campo elettrico in ingresso 4 polarizzato circolarmente e ruota in senso antiorario. 0nche
secondo i nuovi assi O', (' lo sfasamento tra le componenti di E 4 di 3+.
Il campo in ingresso partendo dall'espressione iniziale (98), saree correttamente correttamente de-
scritto da
(99)
ma anche da
(9;)
e quindi il campo in uscita 4
(9F)
naturalmente non tenendo conto dello sfasamento comune nel cristallo.
0d esempio per t " < E
(,
" ,1 E
y,
" -, e quindi (fig. 6B) la risultante 4 diretta orizzontalmente e
vale 6 .
#opo il polarizzatore il campo 4 nullo in quanto passano solo le componenti verticali.
Esempio 2
/n cristallo elettro ottico uniassiale presenta gli assi come in figura. #avanti al cristallo viene posto
un polarizzatore con direzione di polarizzazione verticale e dopo il cristallo un polarizzatore con di-
rezione di polarizzazione orizzontale. Il sistema deve modulare un'onda luminosa che si propaga
nella direzione dell'asse ottico z. Il cristallo viene sottoposto ad una tensione V

- &#t$, applicata
nella direzione z, data da una componente continua e da una componente variaile nel tempo e tale
che 0 &#t$ 0 V
3+
. "e componenti del campo che si propaga, in uscita dal cristallo, vengono
espresse secondo gli assi della irifrangenza indotta come+
t E
(
cos
'
=
,
( ) + = t E
y
cos
' dove ,
sfasamento indotto dal campo applicato, vale naturalmente , prodotto da V

, ridotto della quantit

prodotta da &#t$. 7i chiede di determinare i valori del campo in uscita dal polarizzatore orizzontale
quando &#t$ " e quando &#t$ " V
3+
.
Soluzione.
;B
In questo esempio mostreremo due diversi metodi risolutivi.
Metodo 1
7ituazione iniziale *ampo per t " e &#t$ " *ampo per &#t$ " 3+
"o sfasamento indotto dal campo applicato 4 " - dove 4 lo sfasamento indotto da &#t$.
0iamo le seguenti situazioni+
3ensione applicata alla lamina E
(,
E
y,
&#t$ " V

cos t cos #t ) $
&#t$ " 3+ V
3+
cos t

+
6
cos

t
$er t " e &#t$ " <, E
(,
N ,, E
y,
" -,. Il valore massimo del campo in uscita 4 6 =
7
E .
$er t " e &#t$ " 3+, E
(,
" ,, E
y,
" <. 0l variare di t il campo con polarizzazione circolare ruota in
senso antiorario. Il valore massimo del campo 4 ,.
In generale al variare di &#t$ il valore massimo del campo varier tra , e 6 .
Metodo risolutivo alternativo (metodo dell'ampiezza complessa).
2appresento il campo in ingresso secondo O', (' utilizzando l'ampiezza complessa. "'ampiezza com-
plessa 4 tutto quello che non dipende dal tempo ovvero *e
5
, mentre non considero il termine e
5t
.
I valori del campo in ingresso sono+ (, N *e
5
, y, " *e
5
con qualsiasi.
In generale il campo pu essere descritto+
ingresso uscita
O'
('
*onsideriamo il caso in cui
/
" 3+.
#ato che il polarizzatore in uscita 4 orizzontale quello che mi interessa trovare 4 la componente
orizzontale del campo in uscita. $roietto quindi su ( le componenti di O' e (' e ottengo+
7e trascuro 0 ottengo che la proiezione su ( vale
6
6
6
6
5 .
Il modulo e la fase valgono+
( ) , 6
6
6
,
6
6
= = 5

9

5
e
. *ome mi aspettavo, dato che la polariz-
zazione 4 circolare e avendo trascurato 0, il modulo 4 unitario.
;L
*onsideriamo ora il caso in cui
/
" .
3rascurando 0 la proiezione su ( 4 data da+
In questo caso la proiezione su ( ha modulo pari a 6 e fase nulla.
7e
/
" #&$ ho la formulazione generica della proiezione sull'asse (.
Esempio 3
7i consideri una lamina tagliata da un cristallo elettro ottico uniassiale. :iene applicato un campo
elettrico lungo l'asse z di ,<<: A cm. 7i calcoli lo spessore della lamina in grado di trasformare da
lineare lungo l'asse O a circolare la polarizzazione di un'onda in ingresso.
7iano noti i seguenti dati+ n
<
N ,,;; r
F8
N <,L8 ,<
-,6
mA: N F8< nm
Soluzione.
$er avere una polarizzazione circolare in uscita con polarizzazione lineare in ingresso la lamina de-
ve essere in / 4 e quindi lo sfasamento
( )
6
6 6
' '

= = = n
L
n n
L
( y
.
La situazione descritta dal testo la seguente.
L'applicazione di un campo elettrico provoca una rotazione degli assi di riferimento di 45
Nel nostro caso vale che E r n n
F8
8
<
= e quindi ( )
6
6
F8
8
<

= = E r n
L
. Da questa relazione ricavo
lo spessore della lamina che
;G
Questo valore per lo spessore della lamina indica che i dati forniti non sono molto realistici. Se in-
vece applicassi un campo di 10 KV/cm otterrei per la lamina uno spessore L = 5,0956 cm molto pi
verosimile.
Appendice: cristalli per l'optoelettronica.
Fig. A1 $arte ottica dello spettro elettromagnetico.
ADA arsenato deidrogenato di ammonio (!C
9
C
6
0s.
9
)
-ateriale elettro-ottico poco utilizzato per la realizzazione di modulatori ottici.
$ossiede una discreta trasparenza nel visiile.
*ristallo uniassiale.
ADP fosfato deidrogenato di ammonio (!C
9
C
6
$.
9
)
/tilizzato come trasduttore sonar.
$ossiede una uona trasparenza nel visiile e nel vicino I2 da <.6 a ,.6 micron.
*ristallo piezoelettrico (isomorfo del Q#$).
r
F8
adatto alla configurazione elettro-ottica longitudinale, r
9,
alla trasversale.
KDA arsenato deidrogenato di potassio (QC
6
0s.
9
)
.ttimo per applicazioni di assa potenza e per realizzare modulatori a anda larga.
-ateriale piezoelettrico e ferroelettrico (isomorfo del Q#$).
KDDP fosfato dideuterato di potassio (Q#
6
$.
9
)
/tilizzato nei campi della modulazione e della sensoristica.
3rasparente tra i <.6 e i 6.< micron.
-ateriale elettro-ottico (isomorfo del Q#$), cristallo uniassico.
KDP fosfato deidrogenato di potassio (QC
6
$.
9
)
3rasparente in tutto il visiile e nel vicino /: (da <.9 a ,.8 micron), completamente opaco
nell'infrarosso.
*ristallo elettro-ottico% sopra i ,68Q 4 uniassiale, esiisce effetti elettro-ottici lineari e
quadratici% sopra e sotto la sua temperatura di *urie 4 piezoelettrico% materiale dielettrico
non lineare.
KTN niobato di tantalato e potassio (Q3a
O
!
,-O
.
8
)
@uone caratteristiche di trasmissione nell'I2 fino a ; micron.
F<
$resenta propriet elettro-ottiche sopra la sua temperatura di *urie (4 otticamente isotropo),
eccellenti caratteristiche acustiche, uon comportamento alla modulazione e deviazione dei
raggi laser, effetto elettro-ottico lineare sotto la temperatura di *urie e quadratico sopra% pu
essere utilizzato come isolante e come semiconduttore (tipo n).
niobato di litio ("i!.
8
)
Il pi5 importante materiale per optoelettronica.
@uone caratteristiche di trasparenza nel visiile e vicino I2.
-ateriale ferroelettrico.
$ossiede un elevato coefficiente elettro-ottico, elevata irifrangenza, un forte effetto
piezoelettrico, eccellenti propriet acustiche.
%roustite (0g
8
0s7
8
)
-inerale ottimo per l'effetto elettro-ottico e ottica non lineare% largamente utilizzato nell'I2 e
in particolare per i laser a *. e *.
6
% si comporta anche da semiconduttore e fotoconduttore.
3rasparente tra <.F e ,8 micron.
tantalato di litio ("i3a.
8
)
0pplicazioni nel campo della modulazione e della sensoristica.
$ossiede propriet elettro-ottiche, piezoelettriche e ferroelettriche.
BGO ossido di germanio e bismuto (@i
,6
Ie.
6<
)
Jortemente piezoelettrico, otticamente attivo, fotoconduttivo, esiisce un piccolo effetto
elettro-ottico lineare.
semiconduttori
/tilizzati nella realizzazione di modulatori, interruttori e deviatori sia discreti che integrati.
@uone propriet elettro-ottiche.
:ediamo ora una taella con gli indici di rifrazione di alcuni cristalli uniassiali.
Crista! r
i"
#10
$12
%&' ( )*+i,i +i ri-ra.i!*/
5i
r n
8
<
#10
$12
%&'(
ADP
( fosfato di ammonio e deuterio)
r
9,
N 6L
r
F8
N L.;
n
<
N ,.;6
n
e
N ,.9L
G;
6B
KDP
(fosfato di potasssio e deuterio)
r
9,
N L.F
r
F8
N ,<.F
n
<
N ,.;,
n
e
N ,.9B
6G
89
&uarzo r
9,
N <.6
r
F8
N <.L8
n
<
N ,.;9
n
e
N ,.;;
<.B
8.9
0iNbO
3
(!ioato di litio)
r
88
N 8<.L
r
,8
N L.F
r
66
N 8.9
r
96
N 6L
n
<
N 6.6G
n
e
N 6.6
86L
8B
0iTaO
3
(3autanato di litio)
r
88
N 8<.8
r
,8
N ;.B
n
<
N 6.,B
n
e
N 6.,L
8,9
BaTiO
3
(3itanato di ario)
r
88
N 68
r
,8
N L
r
96
N L6<
n
<
N 6.99
n
e
N 6.8B
889
!ella pagina seguente riportiamo una taella contenente il tensore elettro ottico lineare per i cristalli
uniassiali.
F,
Cristai 1*iassiai t/trag!*ai.
9 9 966 9mm
Cristai 1*iassiai trig!*ai.
8 86
Cristai 1*iassiai /sag!*ai.
F Fmm F66
"a notazione sopra le matrici indica il gruppo di simmetria.
)*+i,/ G/*/ra/
F6