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Fotolitografia(Photo)

1
Obiettivodellafotolitografia
Creolafotomaschera:unalastradi
quarzo,copertadaunsottilestrato
dicromo,nellaqualestata
riprodottalaformadelcircuitoche
voglioriprodurresulwafer.
Trasmettolaformageometricaal
materialefotosensibile
(Photoresist),medianteesposizione
allaluceUV.
Ottengountracciato(pattern)di
Photoresistcheutilizzocome
mascheraperilmioprocessodi
etchodiimpiantazione
maschera
stepper/
scanner
Resist
pattern
EsposizioneallaluceUV
silicon substrate
oxide
photoresist
Spazio
Larea esposta alla
luce diventa solubile
Pattern risultante dopo lo
sviluppo del resist
photoresist
silicon substrate
oxide
Luce Ultravioletta
Linea
Area esposta
del Photoresist
Maschera di vetro
coperta di Cromo
Fotomaschere
Lastradiquarzo(trasparente
agliUV)
copertadaunostratosottile
(100nm)dicromodepositato
persputtering
copertoasuavoltadaunresist
sensibileaglielettroni
Procedura:
si impressiona il resist nel disegno voluto usando
scrittura diretta con un fascio elettronico;
si sviluppa e
si elimina il cromo scoperto con un attacco
chimico;
si toglie il resist rimasto
Cose`ilPhotoresist?
Resina (10%)
Novolacche
composti fenolformaldeide simili a
polimeri
Componente Fotosensibile (5%)
PhotoActiveCompound
(PAC)
DNQ(diazonaphthoquinone)
Solvente (85%)
Evaporano durante i processi
Reazionichimicheconilphotoresist
Ilphotoresistconsistedipolimeronovolacca
(resinefenoliche),conunapiccolaquantit
aggiuntadiDNQ (diazonaphtachinone),iltutto
discioltonelsolvente;ilDNQuncomposto
idrofobico nonfacilmenteionizzabile.
DopolesposizioneilDNQconvertitoinindere
acidocarbossilico(ICA),cheidrofilo e
facilmenteionizzabile,cipermetteal
developerdibagnareepenetrarelaresina
novolacca;
Quindileresinefenolichechecontengono(ICA),
acausadelgruppoidrossidrile(OH),sono
facilmentesciolteinsoluzioniacquosealcaline
(NaOH,KOH,NH4OH).
Resist positivoenegativo
Periresistpositivi laregioneesposta
divienemaggiormentesolubile,e
vienerimossaduranteilprocessodi
sviluppo.Comerisultatofinale,le
sagomechesiformanonelresist
(pattern)sonolestessepresenti
sullamaschera.
Ilresistpositivoquelloched
maggiorerisoluzione
Periresistnegativi,laregione
espostadiventamoltomenosolubile
elesagomeformatesonoilnegativo
delleimmaginipresentisulla
maschera.
Rispostaallesposizionedopolosviluppo
Curvadirisposta:solubilit
delresistdopoesposizione
esviluppoinfunzione
dellenergiadiesposizione.
Sezionedellimmagine :
relazioneesistentetrai
bordidellimmaginesulla
mascherafotolitograficaei
bordicorrispondenti
dellimmaginesulresist
dopolosviluppo.
MetodidiesposizioneStampapertrasparenza
Il processo di trasferimento dei tracciati (pattern transfer) condotto usando uno strumento di esposizione fotolitografica.
Esistono due tecniche fondamentali di esposizione ottica: la stampa per trasparenza e la stampa per proiezione.
Nel primo caso la maschera e la fetta possono essere a diretto contatto (fig. di sinistra) o molto vicine, ma separate (fig. di destra).
Il primo metodo ottiene una risoluzione migliore (circa 1m) ma soggetta allinconveniente provocato dalla possibile presenza delle
particelle di polvere, che se presenti sulla fetta, possono essere inclusi nella maschera quando viene posta a contatto e possono
quindi danneggiarla in maniera permanente..
Per eliminare il problema delle particelle si utilizza il metodo di esposizione per prossimit, in cui la maschera viene distanziata dalla
fetta di una spaziatura di 10-50 m. Questo metodo, tuttavia, ottiene una risoluzione inferiore (2-5 m) per effetto del fenomeno
della diffrazione ai bordi delle sagome presenti sulla maschera (ossia quando la luce passa in vicinanza dei bordi delle sagome
opache, subisce una deviazione dalla direzione rettilinea (diffrazione) e parte della luce invade anche le zone dombra. Anche questo
metodo, inoltre, non garantisce di evitare completamente il danneggiamento della maschera, poich, per una data distanza di
separazione tra la maschera e la fetta, ogni particella di polvere avente un diametro superiore pu potenzialmente danneggiare la
maschera.
Metodidiesposizione
Stampaperproiezione
Periproblemilegatial
danneggiamentodellamaschera,
tipicidellastampapertrasparenza,
sonostatisviluppatiparticolari
strumentidiesposizioneperla
stampaperproiezione.
Taliapparatisonoingradodi
proiettarelimmaginedellesagome
presentisullamascherasullafetta
ricopertadiresist,daunadistanzadi
parecchicmdallamascherastessa.
Reticle
Projection
Unit
Ultra
Violet
Light
Sistemadiproiezione
wafer
v
v
v
v
v
v
v
Objective
lens
reticle
Condenser
lens
Light
source
Aperture
stop
v
wafer
v
v
v
v
v
v
v
v
v
v
v
v
v
Objective
lens
reticle
Condenser
lens
Light
source
Aperture
stop
v
Luce proveniente dalla
sorgente e proiettata nella
pupila di entrata della Obj lens
Immagine della sorgente
proiettata nella pupila di
entrata della Obj lens
Luce diffratta dal reticolo e
passante attraverso
lapertura della lente
projection lens
Entrance Pupil
Definizione diApertura Numerica (NA)
object
NA = n sin o
i
Numerical Aperture
NA = n sin o
i
Numerical Aperture
projection lens
Entrance Pupil
NA = Numerical Aperture = Angular Measure of Lens Size
o
o
= max. Acceptance angle (at object) o
o
= max. Acceptance angle (at object)
o
i
= max. acceptance angle (at image) o
i
= max. acceptance angle (at image)
(wafer)
(reticle)
Image
Illuminazionediunreticoloperiodico
i
n
t
e
n
s
i
t
y
position
0 order
-1 order +1 order
Secondo il principio di Huygen, il reticolo agisce come
una sorgente di onde sferiche secondarie, che
interferiscono tra loro dando massimi e minimi di
intensit. Le intensit dei massimi sono dette Ordini
di diffrazione.
OrdinidiDiffrazione
n = 0
n = -/+1
n = -/+2
(not present
if the duty cycle
is 50%)
Ricombinazionedegliordini
Ilreticolodiffrangela
luceinordinidi
diffrazione.
Gliordinicontengono
informazionisulle
sagomepresentinel
reticolo.
Unalenteingradodi
ricombinaregliordini
performare
unimmagine.
Limite della risoluzione
Perriprodurrelimmagine
lalentedeveriuscirea
catturare almenogliordini
0e|1|didiffrazione.
Limmaginefinalela
TrasformataInversadi
Fourierincuiidiversi
ordinididiffrazione
(frequenzespaziali)
vengonoricompostiper
formarelimmagine.
Courtesy of:
Risoluzione Ottica
Intensita di Immagine e sua posizione sul wafer
X
X
Lobiettivo riesce a catturare
solamente lordine numero 0
posizione X
Lobiettivo riesce a catturare
gli ordini #0 e 1 (limite di
risoluzione)
Lobiettivo riesce a catturare
gli ordini #0, 1 e 2
Lobiettivo riesce a catturare
gli ordini #0, 1, 2 e 3
II
Risoluzionelimite
Poichlangolodidiffrazionedatoda:
sin =n/pitch
Illimiteinferioredellarisoluzionesihaquando
vienecatturatodallalentesoloilprimoordine
didiffrazione,ovveroquando
o =
(ciolangolodiaperturadellalenteeguaglia
langolodelprimoordine)ovvero:
sino =/pitch (n=1)
dacuisiottieneilminimopassorisolto:
sino =NA=/pitch
NA
pitch

o

= =
sin
: Limit Resolution

pitch <

NA
No imaging
pitch >

NA
Imaging!!
-1
= 310 nm, CD > 155 nm Caso 2): pitch >
248nm
0.80
= 354 nm, CD > 177 nm
Caso1): pitch >
248nm
0.70
= 257 nm, CD > 129 nm Caso 3): pitch >
193nm
0.75
0 +1
+1 0
-1
pitch =

NA
Resolution limit:
pupil
of the
lens
Risoluzione Limite eApertura della Lente
La lente cattura solo lordine 0 di diffrazione
La lente cattura gli ordini 0 e 1 di diffrazione
Profonditdifuoco
2
) ( 2 sin
2 /
tan
2 /
NA
n l l
DOF
m m

u u
=

=
EffettodellNAsullaDOF
2
) ( 2 NA
n
DOF

=
NA

= e Risoluzion
EsempiodiVariazionediFuoco
Fuoco ideale
Sottofuoco
Soprafuoco
CompromessotraRisoluzioneeDOF
2
) ( 2 NA
n
DOF

=
NA

= e Risoluzion
Diminuendo :
la risoluzione migliora
la DoF peggiora
Aumentando NA:
la risoluzione migliora
la DoF peggiora in rapporto quadratico
A parita di risoluzione, si ottiene un miglior processo
usando minori e NA minori
Per migliorare la risoluzione e` meglio diminuire che
aumentare NA
Sorgentediilluminazione
I-Line
Lampada al mercurio
= 365 nm, Res
max
=0.3 m
DUV
KrF Laser
= 248 nm, Res
max
=0.18 m
ArF Laser
= 193 nm, Res
max
=0.1 m
ProcessiFotolitografici
25
StepdiFotolitografia
Preparazionedellasuperficie
(VaporPrime)
Lasuperficiedellafettadisilicioviene
riscaldatainmanieracheilvapor
acqueocheepresentesullasuperficie
enegliinterstizisuperficiali,possa
evaporare;
Lafettavieneresaidrofobicamediante
linfiltrazione(Prime)diunmateriale
idrofobico(HMDS Hexamethylenedi
siloxane)permigliorareladesionedel
fotoresistsulsilicio.
Temp~90 150C
Time~10 90sec.
HMDS
ApplicazionedelPhotoresist
(SpinCoat)
Lasuperficiedellafettadisilicioviene
bagnataconpiccolequantitadisolvente
(Solventprewet)perridurrelattritocheil
fotoresisttroverasullafettadurantelasua
deposizione;
Unagocciadiresistvienefattacaderesulla
fetta.Mettendolafettainrotazione(spin)se
neottienelatotalecopertura(Coat).
Dispense~1 5mldiphotoresist
Slowspin~500rpm
Rampupto~3000 5000rpm
vacuum chuck
spindle
to vacuum
pump
photoresist
dispenser
SoftBake
Softbake:lafettaepostasuunpiattocaldo
perfarevaporareisolventi.
Producequestieffettisulresist:
Determinalospessoredelfilm
Miglioraladesione
Miglioraluniformita`
Miglioralaresistenzaalletch
Migliorailcontrollosullalarghezzadellelinee
Ottimizzalecaratteristichediassorbimento
dellaluce
Temp~100 130C
Time~90sec.
Esposizione delPhotoresist
(Alignment)
IldisegnodelReticolovieneilluminato
tramiteunaluceUVelasuaimmagine
raggiungelasuperficiedellafetta.
Lesposizioneallalucecambiala
strutturachimicadelresist
trasformandoloinunmaterialesolubile.
Lelunghezzedonda ()dellaluce
utilizzatepercrearelimmaginedel
reticolosullafettasono:
365 nm(iline)
248nm(DUV)
UV Light Source
Mask
Resist Resist

Cotturadopolesposizione
(PostExposureBake)
Lafetta subisceunprocessodi
riscaldamento(bake)chehalafunzionedi:
Fornirelenergiadiattivazionedelle
reazionichimichenelphotoresist
Farevaporareisolventiresiduidel
photoresist
Migliorareladesione
Temp~110 130C
Time~90sec.
Sviluppodelresist
(Development)
Ilresistespostoediventatosolubilein
unasoluzioneacquosa.
Lafettavienebagnataperuncertotempo
conunasoluzioneleggermentebasica.
Disolitosiusanosoluzioniacquose
alcalinecomeNaOH,KOH,NH4OH.
Successivamentesubisceunarotazione
veloce(spin)chenepermette
lasciugatura.
Iltempo incuilafettarestabagnatadal
chimicodipendedallospessoredelresist
utilizzato (3060sec).
vacuum chuck
spindle
developer
dispenser
AfterDevelopmentInspection
(ADI)
IspezioneSEMper
verificare:
Difettosita`
Particelle
Dimensionicritiche
Risoluzionedilarghezzadi
linea
Accuratezza
dellallineamento
LeStepper/Scanner
Tecnichediesposizione
Sistemadiproiezione
coningrandimento1:1
a)Scansioneacampo
anularedellafetta
b)stepandrepeat
Sistemadiproiezione
conrapportodi
riduzioneM:1
c)stepandrepeat
d)stepandscan
Stepper
III
Scanner
III
Stepper
Stepandrepeat
Reticle
Wafer
Lens
Stepandscan(Scanner)
Reticle
Wafer
Lens
Slit
III
CriticalDimension(CD)
LemisurediCriticalDimension(CD)vengonoeffettuatedopolostepdi
Photodevelopment(ADICD)dopoilprocessodiEtch(ACICD)per
assicurarechelastrutturapatternatahaincontratoirequisitididesign.
Lalocazionediquestemisurecambiaasecondaselamascheradilivello
hacreatounalineaounospazio(contatto).
E`importanteconosceredoveecomelemisurediCDvengonoeffettuate
percapirecomeilcambiamentodellaDosepossaimpattareleCD:
Linee,sidiminuisceladoseperaumentareleCD
Spazi,siaumentaladoseperaumentareleCD
CriticalDimension(CD)
contacts lines
space
CriticalDimension(CD)
Linea/Spazio
T
M
B
T
B
M
3 misure sono rilevabili:
Top (cima)
Middle (mezzo)
Bottom (fondo)
Qualsiasi cosa si misuri, per il SEM la
parte stretta e` il top, quella larga e`
il fondo. E` losservatore che deve
sapere cosa si sta misurando!
Linea Spazio
CriticalDimension(CD)
Passo(Pitch)
E` la distanza tra il bordo in salita di due
strutture affiancate
Si puo` considerare questa misura come
un caso particolare di misura di linea.
Pitch
0.80um
0.80um
CriticalDimension(CD)
3.Diametrodiuncontatto
Similmente alle misure su linea, anche
il contatto puo` essere misurato su
piu` livelli
A volte capita che vi siano contatti
sovrapposti ad altri contatti
A volte capita che il contatto attraversi
diversi strati
Layer 1
Layer 2
Layer 3
Contact